JP2003348744A - 機器直結端末 - Google Patents
機器直結端末Info
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- JP2003348744A JP2003348744A JP2002154431A JP2002154431A JP2003348744A JP 2003348744 A JP2003348744 A JP 2003348744A JP 2002154431 A JP2002154431 A JP 2002154431A JP 2002154431 A JP2002154431 A JP 2002154431A JP 2003348744 A JP2003348744 A JP 2003348744A
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- Japan
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- crosslinked
- silicone rubber
- ethylene propylene
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Abstract
(57)【要約】
【課題】使用可能温度範囲を広げ、８０℃以上、−４０
℃以下の温度においても使用することができるデッドブ
レークエルボやロードブレークエルボなどの機器直結端
末を得ることにある。 【解決手段】絶縁層１あるいは絶縁層１および内部半導
電層２を架橋シリコーンゴムから構成し、外部半導電層
３を架橋エチレンプロピレンゴムから構成する。架橋シ
リコーンゴムの耐熱温度は１８０℃で、脆化温度が−７
５℃であり、これから使用可能温度範囲は、−６０〜＋
１５０℃程度と大きく拡大される。
℃以下の温度においても使用することができるデッドブ
レークエルボやロードブレークエルボなどの機器直結端
末を得ることにある。 【解決手段】絶縁層１あるいは絶縁層１および内部半導
電層２を架橋シリコーンゴムから構成し、外部半導電層
３を架橋エチレンプロピレンゴムから構成する。架橋シ
リコーンゴムの耐熱温度は１８０℃で、脆化温度が−７
５℃であり、これから使用可能温度範囲は、−６０〜＋
１５０℃程度と大きく拡大される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＶケーブルな
どの電力ケーブルと開閉器などの電力機器とを直接接続
するために用いられる機器直結端末に関し、その使用可
能温度範囲を広げたものである。
どの電力ケーブルと開閉器などの電力機器とを直接接続
するために用いられる機器直結端末に関し、その使用可
能温度範囲を広げたものである。
【０００２】
【従来の技術】図１および図２は、このような機器直結
端末の例を示したもので、図１に示したものは、デッド
ブレークエルボと呼ばれ、図２に示したものは、ロード
ブレークエルボと呼ばれるものである。
端末の例を示したもので、図１に示したものは、デッド
ブレークエルボと呼ばれ、図２に示したものは、ロード
ブレークエルボと呼ばれるものである。
【０００３】図１および図２において、符号１は絶縁層
を、２は内部半導電層を、３は外部半導電層を示す。ま
た、符号４は、電力ケーブル側の端子が収容されるケー
ブル端子収容部を、５は機器側の端子が収容される機器
端子収容部を、６は絶縁栓が収められる絶縁栓収容部を
それぞれ示す。
を、２は内部半導電層を、３は外部半導電層を示す。ま
た、符号４は、電力ケーブル側の端子が収容されるケー
ブル端子収容部を、５は機器側の端子が収容される機器
端子収容部を、６は絶縁栓が収められる絶縁栓収容部を
それぞれ示す。
【０００４】このような機器直結端末では、電力ケーブ
ルの導体に端子を取り付けた電力ケーブル側端子をケー
ブル端子収容部４に挿入する。また、機器側の導体にブ
ッシングを取り付けた機器側端子を機器端子収容部５に
挿入し、電力ケーブル側端子の端子と機器側の導体とを
機械的に接続して、使用に供される。
ルの導体に端子を取り付けた電力ケーブル側端子をケー
ブル端子収容部４に挿入する。また、機器側の導体にブ
ッシングを取り付けた機器側端子を機器端子収容部５に
挿入し、電力ケーブル側端子の端子と機器側の導体とを
機械的に接続して、使用に供される。
【０００５】このような機器直結端末においては、絶縁
層１、内部半導電層２および外部半導電層３は、いずれ
も架橋エチレンプロピレンゴムを主体とするゴム組成物
からなっており、内部半導電層２および外部半導電層３
は、半導電性を付与するためにカーボンブラックなどの
導電性粉末がさらに配合されている。
層１、内部半導電層２および外部半導電層３は、いずれ
も架橋エチレンプロピレンゴムを主体とするゴム組成物
からなっており、内部半導電層２および外部半導電層３
は、半導電性を付与するためにカーボンブラックなどの
導電性粉末がさらに配合されている。
【０００６】この機器直結端末では、電気的には架橋エ
チレンプロピレンゴムの電気絶縁性を利用し、各端子等
の抜き差しには架橋エチレンプロピレンゴムの弾性を利
用し、弾性変形を行わさせている。また、このような機
器直結端末においては、その使用最高温度は架橋エチレ
ンプロピレンゴムの耐熱温度である８０℃となる。
チレンプロピレンゴムの電気絶縁性を利用し、各端子等
の抜き差しには架橋エチレンプロピレンゴムの弾性を利
用し、弾性変形を行わさせている。また、このような機
器直結端末においては、その使用最高温度は架橋エチレ
ンプロピレンゴムの耐熱温度である８０℃となる。
【０００７】しかしながら、電力ケーブルとして多用さ
れるＣＶケーブルの耐熱温度は、架橋ポリエチレンの耐
熱温度である９０℃となるため、過負荷な状態で使用を
続けると、機器直結端末の使用最高温度がＣＶケーブル
よりも低いため、ＣＶケーブルよりも先に機器直結端末
が電気的に破壊する恐れがある。
れるＣＶケーブルの耐熱温度は、架橋ポリエチレンの耐
熱温度である９０℃となるため、過負荷な状態で使用を
続けると、機器直結端末の使用最高温度がＣＶケーブル
よりも低いため、ＣＶケーブルよりも先に機器直結端末
が電気的に破壊する恐れがある。
【０００８】また、架橋エチレンプロピレンゴムの脆化
温度は−４０℃であり、この温度以下の温度では弾性を
失い、脆くなる。このため、極寒地域などでこの機器直
結端末を使用すると、各端子等を差し込んだり、抜いた
りすることが困難になり、さらに耐衝撃性が低下し、機
械的に破壊しやすくなる。
温度は−４０℃であり、この温度以下の温度では弾性を
失い、脆くなる。このため、極寒地域などでこの機器直
結端末を使用すると、各端子等を差し込んだり、抜いた
りすることが困難になり、さらに耐衝撃性が低下し、機
械的に破壊しやすくなる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】よって、この発明にお
ける課題は、使用可能温度範囲を広げ、８０℃以上、−
４０℃以下の温度においても使用することができる機器
直結端末を得ることにある。
ける課題は、使用可能温度範囲を広げ、８０℃以上、−
４０℃以下の温度においても使用することができる機器
直結端末を得ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
めに、請求項１にかかる発明は、絶縁層が架橋シリコー
ンゴムからなり、外部半導電層が架橋エチレンプロピレ
ンゴムからなることを特徴とする機器直結端末である。
めに、請求項１にかかる発明は、絶縁層が架橋シリコー
ンゴムからなり、外部半導電層が架橋エチレンプロピレ
ンゴムからなることを特徴とする機器直結端末である。
【００１１】請求項２にかかる発明は、絶縁層および内
部半導電層が架橋シリコーンゴムからなり、外部半導電
層が架橋エチレンプロピレンゴムからなることを特徴と
する機器直結端末である。
部半導電層が架橋シリコーンゴムからなり、外部半導電
層が架橋エチレンプロピレンゴムからなることを特徴と
する機器直結端末である。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。
本発明の機器直結端末は、例えば図１あるいは図２に示
した構造の機器直結端末において、その絶縁層１を架橋
シリコーンゴムから、外部半導電層３を架橋エチレンプ
ロピレンゴムから構成したもの、もしくは絶縁層１およ
び内部半導電層２を架橋シリコーンゴムから、外部半導
電層３を架橋エチレンプロピレンゴムから構成したもの
である。
本発明の機器直結端末は、例えば図１あるいは図２に示
した構造の機器直結端末において、その絶縁層１を架橋
シリコーンゴムから、外部半導電層３を架橋エチレンプ
ロピレンゴムから構成したもの、もしくは絶縁層１およ
び内部半導電層２を架橋シリコーンゴムから、外部半導
電層３を架橋エチレンプロピレンゴムから構成したもの
である。
【００１３】ここで使用される架橋シリコーンゴムとし
ては、ポリジメチルシロキサンなどのシリコーンゴムに
有機過酸化物からなる架橋剤を配合、混練したものを射
出成形したのち、加熱して架橋させたものが用いられ
る。また、内部半導電層２をなす架橋シリコーンゴムに
は、さらにカーボンブラックなどの導電性粉末が添加さ
れ、半導電性を示すものがもちいられる。また、機器直
結端末が寒冷地域で使用されるものであれば、シリコー
ンゴムとして低温用のものを選択使用しても良い。
ては、ポリジメチルシロキサンなどのシリコーンゴムに
有機過酸化物からなる架橋剤を配合、混練したものを射
出成形したのち、加熱して架橋させたものが用いられ
る。また、内部半導電層２をなす架橋シリコーンゴムに
は、さらにカーボンブラックなどの導電性粉末が添加さ
れ、半導電性を示すものがもちいられる。また、機器直
結端末が寒冷地域で使用されるものであれば、シリコー
ンゴムとして低温用のものを選択使用しても良い。
【００１４】また、外部半導電層３をなす架橋エチレン
プロピレンゴムとしては、エチレンプロピレンゴムに有
機過酸化物からなる架橋剤とカーボンブラックなどの導
電性粉末を配合して混練したものを射出成形したのち、
加熱して架橋させたものが用いられる。
プロピレンゴムとしては、エチレンプロピレンゴムに有
機過酸化物からなる架橋剤とカーボンブラックなどの導
電性粉末を配合して混練したものを射出成形したのち、
加熱して架橋させたものが用いられる。
【００１５】外部半導電層３を架橋エチレンプロピレン
ゴムから構成するのは、後述のように、架橋シリコーン
ゴムは引き裂き強さなどの機械的強度が低く、架橋シリ
コーンゴムを外部に露出する外部半導電層３に使用する
と機械的損傷を受けやすいためである。この結果、外部
半導電層３自体の使用可能温度は低いものとなるが、内
部の大部分を占める絶縁層１および内部半導電層２が架
橋シリコーンゴムから構成されているので、機器全体と
しての使用可能温度は広いものとなる。
ゴムから構成するのは、後述のように、架橋シリコーン
ゴムは引き裂き強さなどの機械的強度が低く、架橋シリ
コーンゴムを外部に露出する外部半導電層３に使用する
と機械的損傷を受けやすいためである。この結果、外部
半導電層３自体の使用可能温度は低いものとなるが、内
部の大部分を占める絶縁層１および内部半導電層２が架
橋シリコーンゴムから構成されているので、機器全体と
しての使用可能温度は広いものとなる。
【００１６】このような構成の機器直結端末において
は、その絶縁層１あるいは絶縁層１と内部半導電層２が
架橋シリコーンゴムから構成されているため、その使用
可能温度範囲が拡大される。架橋シリコーンゴムの耐熱
温度は通常１８０℃で、脆化温度が−７５℃であるの
で、使用可能温度範囲は、−６０〜＋１５０℃となる。
は、その絶縁層１あるいは絶縁層１と内部半導電層２が
架橋シリコーンゴムから構成されているため、その使用
可能温度範囲が拡大される。架橋シリコーンゴムの耐熱
温度は通常１８０℃で、脆化温度が−７５℃であるの
で、使用可能温度範囲は、−６０〜＋１５０℃となる。
【００１７】このため、過負荷状態での使用でも、この
機器直結端末がＣＶケーブルよりも先に電気的に破壊す
ることがない。さらに、−６０℃程度でも弾性を失うこ
とがなく、このような低温でのケーブル側端子等の抜き
差しが容易に行われ、機械的に破壊することがない。
機器直結端末がＣＶケーブルよりも先に電気的に破壊す
ることがない。さらに、−６０℃程度でも弾性を失うこ
とがなく、このような低温でのケーブル側端子等の抜き
差しが容易に行われ、機械的に破壊することがない。
【００１８】また、図３に示すように、架橋シリコーン
ゴムは高温域および低温域での圧縮永久歪みが小さいの
で、このような高温域あるいは低温域での長期間の使用
にも形状変形が少ないものとなる。図３は、架橋エチレ
ンプロピレンゴム（ａ）と、一般用架橋シリコーンゴム
（ｂ）と、低温用架橋シリコーンゴム（ｃ）の圧縮永久
歪みと温度の関係を示すグラフであり、試験時間が２２
時間の値を示している。
ゴムは高温域および低温域での圧縮永久歪みが小さいの
で、このような高温域あるいは低温域での長期間の使用
にも形状変形が少ないものとなる。図３は、架橋エチレ
ンプロピレンゴム（ａ）と、一般用架橋シリコーンゴム
（ｂ）と、低温用架橋シリコーンゴム（ｃ）の圧縮永久
歪みと温度の関係を示すグラフであり、試験時間が２２
時間の値を示している。
【００１９】また、この種の機器直結端末は、射出成形
法で製造されるが、従来のエチレンプロピレンゴムの射
出成形時の射出圧力が約１３ｋＮ／ｃｍ2であるのに対
して、シリコーンゴムの射出成形時の射出圧力は約８ｋ
Ｎ／ｃｍ2であり、製造が容易で、生産コストが低減で
きる。
法で製造されるが、従来のエチレンプロピレンゴムの射
出成形時の射出圧力が約１３ｋＮ／ｃｍ2であるのに対
して、シリコーンゴムの射出成形時の射出圧力は約８ｋ
Ｎ／ｃｍ2であり、製造が容易で、生産コストが低減で
きる。
【００２０】また、外部半導電層３が架橋エチレンプロ
ピレンゴムから構成されているため、引き裂き強さ等の
機械的強度が架橋シリコーンゴムに比べて高く、外界か
ら鋭利な金物などと接触しても、これにより傷つくこと
が少なくなる。また、架橋エチレンプロピレンゴムは、
吸水率が０．１％と架橋シリコーンゴムの０．２５％に
比べて低く、雨水などがかかっても、この水が浸透し、
これにより絶縁性が低下することがない。したがって、
外部に露出する外部半導電層３を架橋エチレンプロピレ
ンゴムから構成することで、外界からの悪影響が及ぶこ
とがない。
ピレンゴムから構成されているため、引き裂き強さ等の
機械的強度が架橋シリコーンゴムに比べて高く、外界か
ら鋭利な金物などと接触しても、これにより傷つくこと
が少なくなる。また、架橋エチレンプロピレンゴムは、
吸水率が０．１％と架橋シリコーンゴムの０．２５％に
比べて低く、雨水などがかかっても、この水が浸透し、
これにより絶縁性が低下することがない。したがって、
外部に露出する外部半導電層３を架橋エチレンプロピレ
ンゴムから構成することで、外界からの悪影響が及ぶこ
とがない。
【００２１】また、機器側端子、ケーブル側端子等をケ
ーブル端子収容部４、機器端子収容部５に挿入あるいは
脱去する際、従来の機器直結端末では、シリコーングリ
スやシリコーンオイルなどの潤滑剤を塗布して、その作
業を容易としていたが、この機器直結端末では、端子に
接触する絶縁層１、内部半導電層２が架橋シリコーンゴ
ムで構成されているため、これら潤滑剤を塗布する必要
がなく、潤滑剤による電気特性の低下がなく、作業性も
向上する。
ーブル端子収容部４、機器端子収容部５に挿入あるいは
脱去する際、従来の機器直結端末では、シリコーングリ
スやシリコーンオイルなどの潤滑剤を塗布して、その作
業を容易としていたが、この機器直結端末では、端子に
接触する絶縁層１、内部半導電層２が架橋シリコーンゴ
ムで構成されているため、これら潤滑剤を塗布する必要
がなく、潤滑剤による電気特性の低下がなく、作業性も
向上する。
【００２２】本発明の機器直結端末は、上記図１および
図２に示した構造のロードブレークエルボ、デッドブレ
ークエルボに限らず、直線接続用や分岐接続用の機器直
結端末に使用することができ、特にその使用電圧が１５
〜３５ｋＶであるものに好適に使用できる。
図２に示した構造のロードブレークエルボ、デッドブレ
ークエルボに限らず、直線接続用や分岐接続用の機器直
結端末に使用することができ、特にその使用電圧が１５
〜３５ｋＶであるものに好適に使用できる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の機器直結
端末によれば、その絶縁層あるいは絶縁層と内部半導電
層が架橋シリコーンゴムからなり、外部半導電層が架橋
エチレンプロピレンゴムからなるものであるので、その
使用可能温度範囲が拡大され、広い温度範囲でしようす
ることができる。
端末によれば、その絶縁層あるいは絶縁層と内部半導電
層が架橋シリコーンゴムからなり、外部半導電層が架橋
エチレンプロピレンゴムからなるものであるので、その
使用可能温度範囲が拡大され、広い温度範囲でしようす
ることができる。
【００２４】また、外部に露出する外部半導電層が機械
的特性が高く、吸水率が低い架橋エチレンプロピレンゴ
ムから構成されているので、外界からの機械的外力、雨
水などによる悪影響によって損傷、劣化することがな
く、耐久性も高いものとなる。さらに、その製造が容易
で生産コストを削減することもできる。
的特性が高く、吸水率が低い架橋エチレンプロピレンゴ
ムから構成されているので、外界からの機械的外力、雨
水などによる悪影響によって損傷、劣化することがな
く、耐久性も高いものとなる。さらに、その製造が容易
で生産コストを削減することもできる。
【図１】機器直結端末の例としてのデッドブレークエル
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図２】機器直結端末の例としてのロードブレークエル
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図３】一般用架橋シリコーンゴムと低温用架橋シリコ
ーンゴムと架橋エチレンプロピレンゴムとについての圧
縮永久歪みと温度との関係を示す図表である。
ーンゴムと架橋エチレンプロピレンゴムとについての圧
縮永久歪みと温度との関係を示す図表である。
１・・・絶縁層、２・・・内部半導電層、３・・・外部
半導電層
半導電層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5G355 AA03 BA02 BA08
5G375 AA02 BA26 BB46 CA02 CA19
CB03 CB05 DB09 DB16
Claims (2)
- 【請求項１】絶縁層が架橋シリコーンゴムからなり、外
部半導電層が架橋エチレンプロピレンゴムからなること
を特徴とする機器直結端末。 - 【請求項２】絶縁層および内部半導電層が架橋シリコー
ンゴムからなり、外部半導電層が架橋エチレンプロピレ
ンゴムからなることを特徴とする機器直結端末。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154431A JP2003348744A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 機器直結端末 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154431A JP2003348744A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 機器直結端末 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003348744A true JP2003348744A (ja) | 2003-12-05 |
Family
ID=29771240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002154431A Withdrawn JP2003348744A (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 機器直結端末 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003348744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009118542A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-28 | Swcc Showa Cable Systems Co Ltd | ケーブル端末部およびその形成方法 |
| KR20130099267A (ko) * | 2010-09-30 | 2013-09-05 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 개선된 층 접착력을 갖는 가요성 다층 전기 물품의 제조 방법 |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002154431A patent/JP2003348744A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009118542A (ja) * | 2007-11-01 | 2009-05-28 | Swcc Showa Cable Systems Co Ltd | ケーブル端末部およびその形成方法 |
| KR20130099267A (ko) * | 2010-09-30 | 2013-09-05 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 개선된 층 접착력을 갖는 가요성 다층 전기 물품의 제조 방법 |
| KR101948333B1 (ko) | 2010-09-30 | 2019-02-14 | 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 | 개선된 층 접착력을 갖는 가요성 다층 전기 물품의 제조 방법 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050802 |