JP2003347736A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents
多層配線基板の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細なビアポストの形成が可能で密な配線パ
ターンとすることができる多層配線基板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 ａ．絶縁ベース材３０の所要部位にスル
ーホール３１をレーザー加工により形成する工程と、
ｂ．絶縁ベース材３０の両面に、スルーホールめっき層
３２によって電気的に接続する配線パターン３３、３４
を形成する工程と、ｃ．絶縁ベース材３０の一方の面に
配線パターン３４を覆って絶縁接着層４０を形成する工
程と、ｄ．絶縁ベース材３０の他方の面に配線パターン
３３を覆って感光性レジスト層を形成する工程と、ｅ．
該感光性レジスト層を露光、現像して、配線パターン３
３の所要部位が露出するビアホールを形成するフォトリ
ソグラフィー工程と、ｆ．ビアホール内にビアポスト３
７を形成するめっき工程とを含むことを特徴とする。
ターンとすることができる多層配線基板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 ａ．絶縁ベース材３０の所要部位にスル
ーホール３１をレーザー加工により形成する工程と、
ｂ．絶縁ベース材３０の両面に、スルーホールめっき層
３２によって電気的に接続する配線パターン３３、３４
を形成する工程と、ｃ．絶縁ベース材３０の一方の面に
配線パターン３４を覆って絶縁接着層４０を形成する工
程と、ｄ．絶縁ベース材３０の他方の面に配線パターン
３３を覆って感光性レジスト層を形成する工程と、ｅ．
該感光性レジスト層を露光、現像して、配線パターン３
３の所要部位が露出するビアホールを形成するフォトリ
ソグラフィー工程と、ｆ．ビアホール内にビアポスト３
７を形成するめっき工程とを含むことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は多層配線基板の製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多層配線基板には種々の構成のものが知
られている。図９〜図１４に、従来の多層配線基板の製
造方法の一例を示す。図９は、ガラス繊維入りの樹脂か
らなるベース材（プリプレグ材）１０の両面に銅箔１
１、１２が形成され、さらに銅箔１２上に保護フイルム
１３が形成されたシート材１４を示す。まず、図示しな
いが、銅箔１１上にドライフイルムを積層し、ドライフ
イルムを露光現像して所要パターンのマスクを形成し、
このマスクを用いて、銅箔１１をエッチング加工して、
銅箔パターン１１ａ（図１０）を形成する。そしてこの
銅箔パターン１１ａをマスクとして、ドライエッチング
あるいはレーザー加工等によりベース材１０にビアホー
ル１５を形成する（図１０）。
られている。図９〜図１４に、従来の多層配線基板の製
造方法の一例を示す。図９は、ガラス繊維入りの樹脂か
らなるベース材（プリプレグ材）１０の両面に銅箔１
１、１２が形成され、さらに銅箔１２上に保護フイルム
１３が形成されたシート材１４を示す。まず、図示しな
いが、銅箔１１上にドライフイルムを積層し、ドライフ
イルムを露光現像して所要パターンのマスクを形成し、
このマスクを用いて、銅箔１１をエッチング加工して、
銅箔パターン１１ａ（図１０）を形成する。そしてこの
銅箔パターン１１ａをマスクとして、ドライエッチング
あるいはレーザー加工等によりベース材１０にビアホー
ル１５を形成する（図１０）。
【０００３】次いで図１１に示すように、ビアホール１
５内にビアポスト１６を銅めっきによって形成し、さら
にビアポスト１６の端面に接合層たる錫めっき皮膜１７
を形成した後、銅箔パターン１１ａを除去する。次に図
１２に示すように、保護フイルム１３を剥離し、フォト
リソグラフィー法により銅箔１２をエッチング加工して
配線パターン１８に形成する。このようにして形成した
積層ユニット１９を図１３に示すように複数枚積層し、
図１４に示すように熱圧着し、ベース材１０を熱硬化さ
せて多層回路基板２０に形成する。ビアポスト１６は錫
めっき皮膜１７が両銅層中に拡散することによって配線
パターン１８と接合する。なお、最表層の積層ユニット
には両面に配線パターンが形成されたユニットが用いら
れる。
５内にビアポスト１６を銅めっきによって形成し、さら
にビアポスト１６の端面に接合層たる錫めっき皮膜１７
を形成した後、銅箔パターン１１ａを除去する。次に図
１２に示すように、保護フイルム１３を剥離し、フォト
リソグラフィー法により銅箔１２をエッチング加工して
配線パターン１８に形成する。このようにして形成した
積層ユニット１９を図１３に示すように複数枚積層し、
図１４に示すように熱圧着し、ベース材１０を熱硬化さ
せて多層回路基板２０に形成する。ビアポスト１６は錫
めっき皮膜１７が両銅層中に拡散することによって配線
パターン１８と接合する。なお、最表層の積層ユニット
には両面に配線パターンが形成されたユニットが用いら
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の多層配線基
板２０の製造方法には次のような課題がある。すなわ
ち、従来方法では、上記のように、銅箔パターン１１ａ
を形成するのにサブトラクティブ法を用いていて、銅箔
１１を化学エッチングする際、どうしてもサイドエッチ
ングが生じてしまうので、微細なビアホール１５の形成
が困難で、したがって微細なビアポスト１６を形成する
ことができず、配線パターン１８の高密度化が制限され
るという課題がある。また上記のように、積層ユニット
１９には片面のみにしか配線パターン１８を形成でき
ず、多層の場合、多数の積層ユニット１９を用いなけれ
ばならないという課題がある。
板２０の製造方法には次のような課題がある。すなわ
ち、従来方法では、上記のように、銅箔パターン１１ａ
を形成するのにサブトラクティブ法を用いていて、銅箔
１１を化学エッチングする際、どうしてもサイドエッチ
ングが生じてしまうので、微細なビアホール１５の形成
が困難で、したがって微細なビアポスト１６を形成する
ことができず、配線パターン１８の高密度化が制限され
るという課題がある。また上記のように、積層ユニット
１９には片面のみにしか配線パターン１８を形成でき
ず、多層の場合、多数の積層ユニット１９を用いなけれ
ばならないという課題がある。
【０００５】そこで本発明は上記課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的とするところは、微細なビア
ポストの形成が可能で密な配線パターンとすることがで
きる多層配線基板の製造方法を提供するにある。
れたものであり、その目的とするところは、微細なビア
ポストの形成が可能で密な配線パターンとすることがで
きる多層配線基板の製造方法を提供するにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係る多層配線基板の製造方法では、ａ．絶
縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー加工に
より形成する工程と、ｂ．該絶縁ベース材の両面に、ス
ルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パタ
ーンを形成する工程と、ｃ．前記絶縁ベース材の一方の
面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層を形成する工
程と、ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パタ
ーンを覆って感光性レジスト層を形成する工程と、ｅ．
該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベース
材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出するビア
ホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、ｆ．前
記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工程と、
ｇ．該ビアポストの端面に接合層を形成するめっき工程
と、ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユ
ニットと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の
第２の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層
にして、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積
層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着
し、前記ビアポストと配線パターンとを前記接合層を介
して電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させ
る熱圧着工程とを含むことを特徴とする。
め、本発明に係る多層配線基板の製造方法では、ａ．絶
縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー加工に
より形成する工程と、ｂ．該絶縁ベース材の両面に、ス
ルーホールめっき層によって電気的に接続する配線パタ
ーンを形成する工程と、ｃ．前記絶縁ベース材の一方の
面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層を形成する工
程と、ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パタ
ーンを覆って感光性レジスト層を形成する工程と、ｅ．
該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベース
材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出するビア
ホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、ｆ．前
記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工程と、
ｇ．該ビアポストの端面に接合層を形成するめっき工程
と、ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユ
ニットと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の
第２の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層
にして、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積
層方向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着
し、前記ビアポストと配線パターンとを前記接合層を介
して電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させ
る熱圧着工程とを含むことを特徴とする。
【０００７】また、前記ｂの配線パターンを形成する工
程が、前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏
面およびスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成す
る工程と、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮
膜が形成すべき配線パターン通りのパターンで露出する
レジストによるマスクパターンを形成するフォトリソグ
ラフィー工程と、前記スルーホール内および露出してい
る無電解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程
と、次いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスク
パターンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去す
る除去工程とを含むことを特徴とする。前記配線パター
ンを銅で形成し、前記接合層を錫めっきで形成すると好
適である。
程が、前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏
面およびスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成す
る工程と、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮
膜が形成すべき配線パターン通りのパターンで露出する
レジストによるマスクパターンを形成するフォトリソグ
ラフィー工程と、前記スルーホール内および露出してい
る無電解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程
と、次いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスク
パターンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去す
る除去工程とを含むことを特徴とする。前記配線パター
ンを銅で形成し、前記接合層を錫めっきで形成すると好
適である。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下本発明の好適な実施の形態を
添付図面に基づき詳細に説明する。図１〜図８に製造工
程を示す。まず図１に示すように、絶縁ベース材３０の
所要部位にスルーホール３１をレーザー加工により形成
する。絶縁ベース材３０には、厚さ５０μｍ程度の、ガ
ラス繊維を含まないポリイミド樹脂フイルムを用いるこ
とができるが、これに限定されるものではない。レーザ
ー加工は炭酸ガスレーザーが好適であるが、これに限定
されない。絶縁ベース材にガラス繊維を含まない樹脂を
用いることによって、レーザー加工によって、直径５０
μｍ前後の微細な孔径のスルーホール３１をあけること
ができる。
添付図面に基づき詳細に説明する。図１〜図８に製造工
程を示す。まず図１に示すように、絶縁ベース材３０の
所要部位にスルーホール３１をレーザー加工により形成
する。絶縁ベース材３０には、厚さ５０μｍ程度の、ガ
ラス繊維を含まないポリイミド樹脂フイルムを用いるこ
とができるが、これに限定されるものではない。レーザ
ー加工は炭酸ガスレーザーが好適であるが、これに限定
されない。絶縁ベース材にガラス繊維を含まない樹脂を
用いることによって、レーザー加工によって、直径５０
μｍ前後の微細な孔径のスルーホール３１をあけること
ができる。
【０００９】次に、図２に示すように、絶縁ベース材３
０の両面に、スルーホールめっき層３２によって電気的
に接続する配線パターン３３、３４を形成する。このス
ルーホールめっき層３２、配線パターン３３、３４を形
成する方法も特に限定されないが、微細パターンを得る
にはセミアディチブ法が好適である。
０の両面に、スルーホールめっき層３２によって電気的
に接続する配線パターン３３、３４を形成する。このス
ルーホールめっき層３２、配線パターン３３、３４を形
成する方法も特に限定されないが、微細パターンを得る
にはセミアディチブ法が好適である。
【００１０】セミアディチブ法では、図示しないが、ま
ず、スルーホール３１を形成した絶縁ベース材３０の表
裏面およびスルーホール３１内壁に無電解めっき皮膜
（具体的には無電解銅めっき皮膜）を形成する。次い
で、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形
成すべき配線パターン３３、３４通りのパターンで露出
するドライフイルムによるマスクパターンをフォトリソ
グラフィー法により形成する。次に、スルーホール３１
内および露出している無電解めっき皮膜上に電解めっき
皮膜（電解銅めっき皮膜）を形成し、次いでマスクパタ
ーンを除去し、さらにマスクパターンを除去して露出し
た無電解めっき皮膜を除去するようにするのである。
ず、スルーホール３１を形成した絶縁ベース材３０の表
裏面およびスルーホール３１内壁に無電解めっき皮膜
（具体的には無電解銅めっき皮膜）を形成する。次い
で、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形
成すべき配線パターン３３、３４通りのパターンで露出
するドライフイルムによるマスクパターンをフォトリソ
グラフィー法により形成する。次に、スルーホール３１
内および露出している無電解めっき皮膜上に電解めっき
皮膜（電解銅めっき皮膜）を形成し、次いでマスクパタ
ーンを除去し、さらにマスクパターンを除去して露出し
た無電解めっき皮膜を除去するようにするのである。
【００１１】次に、図３に示すように、ベース材３０の
一方の面に配線パターン３４を覆って絶縁接着層（プリ
プレグ材）４０を形成し、仮熱圧着して、第１の積層ユ
ニット３５を形成する。この仮熱圧着は上記素材を固定
できれば足り、絶縁接着層４０を完全硬化させるもので
はない。絶縁接着層４０には、ポリイミド樹脂を好適に
用いることができる。
一方の面に配線パターン３４を覆って絶縁接着層（プリ
プレグ材）４０を形成し、仮熱圧着して、第１の積層ユ
ニット３５を形成する。この仮熱圧着は上記素材を固定
できれば足り、絶縁接着層４０を完全硬化させるもので
はない。絶縁接着層４０には、ポリイミド樹脂を好適に
用いることができる。
【００１２】次に図５に示す第２の積層ユニット４１を
形成する工程について説明する。図１、図２に示す工程
までは第１の積層ユニット３５を形成する場合と同じで
ある。図２に示す工程の後、図４に示すように、他方の
配線パターン３３の所要部位にフォトリソグラフィー法
によりビアポスト３７を形成し、このビアポスト３７の
端面に接合層３８を形成する。
形成する工程について説明する。図１、図２に示す工程
までは第１の積層ユニット３５を形成する場合と同じで
ある。図２に示す工程の後、図４に示すように、他方の
配線パターン３３の所要部位にフォトリソグラフィー法
によりビアポスト３７を形成し、このビアポスト３７の
端面に接合層３８を形成する。
【００１３】このビアポスト３７を形成するにもセミア
デティブ法により形成する。すなわち、図示しないが、
まず、絶縁ベース材３０の他方の面に配線パターン３３
を覆って感光性レジスト層を形成する。感光性レジスト
層はドライフイルムを用いるのが好適であるが、感光性
レジストを塗布して形成してもよい。そして、この感光
性レジスト層を露光、現像して、絶縁ベース材３０の他
方の面の配線パターン３３の所要部位が露出するビアホ
ールを形成し、このビアホール内にビアポストを電解め
っき（銅めっき）により形成し、さらにビアポストの端
面に錫めっきにより接合層３８を形成するのである。
デティブ法により形成する。すなわち、図示しないが、
まず、絶縁ベース材３０の他方の面に配線パターン３３
を覆って感光性レジスト層を形成する。感光性レジスト
層はドライフイルムを用いるのが好適であるが、感光性
レジストを塗布して形成してもよい。そして、この感光
性レジスト層を露光、現像して、絶縁ベース材３０の他
方の面の配線パターン３３の所要部位が露出するビアホ
ールを形成し、このビアホール内にビアポストを電解め
っき（銅めっき）により形成し、さらにビアポストの端
面に錫めっきにより接合層３８を形成するのである。
【００１４】このセミアディティブ法によるときは、感
光性レジスト層にビアホールを形成するので、このビア
ホールは、従来法における銅箔に化学エッチングにより
銅箔パターン１１ａを形成するのに比して、サイドエッ
チングがほとんど生じないので、５０μｍ程度の極めて
微細なビアホールの形成が可能となる。したがって、微
細な径のビアポスト３７を形成でき、それだけ高密度の
配線パターン３３とすることができる。
光性レジスト層にビアホールを形成するので、このビア
ホールは、従来法における銅箔に化学エッチングにより
銅箔パターン１１ａを形成するのに比して、サイドエッ
チングがほとんど生じないので、５０μｍ程度の極めて
微細なビアホールの形成が可能となる。したがって、微
細な径のビアポスト３７を形成でき、それだけ高密度の
配線パターン３３とすることができる。
【００１５】次に、図５に示すように、ベース材３０の
一方の面に配線パターン３４を覆って絶縁接着層（プリ
プレグ材）４０を形成し、仮熱圧着して、第２の積層ユ
ニット４１を形成する。この仮熱圧着は上記素材を固定
できれば足り、絶縁接着層４０を完全硬化させるもので
はない。絶縁接着層４０には、ポリイミド樹脂を好適に
用いることができる。
一方の面に配線パターン３４を覆って絶縁接着層（プリ
プレグ材）４０を形成し、仮熱圧着して、第２の積層ユ
ニット４１を形成する。この仮熱圧着は上記素材を固定
できれば足り、絶縁接着層４０を完全硬化させるもので
はない。絶縁接着層４０には、ポリイミド樹脂を好適に
用いることができる。
【００１６】次に、図６に示すように、第１の積層ユニ
ット３５を最表層にして、第１の積層ユニット３５と１
または複数の第２の積層ユニット４１とを、対応するビ
アポスト３７と配線パターン３４とが積層方向に位置が
一致するようにして重ね合わせて熱圧着する。これによ
り、ビアポスト３７は絶縁接着層４０を押しのけて配線
パターン３４と当接し、接合層３８を介して配線パター
ン３４と電気的に接合する。また各ユニット間のエアは
排出され、絶縁接着層４０が熱硬化して一体化されて、
多層配線基板４２に形成される（図７）。
ット３５を最表層にして、第１の積層ユニット３５と１
または複数の第２の積層ユニット４１とを、対応するビ
アポスト３７と配線パターン３４とが積層方向に位置が
一致するようにして重ね合わせて熱圧着する。これによ
り、ビアポスト３７は絶縁接着層４０を押しのけて配線
パターン３４と当接し、接合層３８を介して配線パター
ン３４と電気的に接合する。また各ユニット間のエアは
排出され、絶縁接着層４０が熱硬化して一体化されて、
多層配線基板４２に形成される（図７）。
【００１７】接合層３８の錫めっき層は銅のビアポスト
３７と銅の配線パターン３４中に拡散し、ビアポスト３
７と配線パターン３４とを好適に接合する。なお、図８
に示すように、表層の配線パターン３３、３４の一部が
露出するようにして、表裏面にソルダーレジスト層４３
を形成するようにしてもよい。また、上記各工程は必ず
しも上記で説明した順序でなくともよい。
３７と銅の配線パターン３４中に拡散し、ビアポスト３
７と配線パターン３４とを好適に接合する。なお、図８
に示すように、表層の配線パターン３３、３４の一部が
露出するようにして、表裏面にソルダーレジスト層４３
を形成するようにしてもよい。また、上記各工程は必ず
しも上記で説明した順序でなくともよい。
【００１８】（付記１） 多層配線基板の製造方法にお
いて、 ａ．絶縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー
加工により形成する工程と、 ｂ．該絶縁ベース材の両面に、スルーホールめっき層に
よって電気的に接続する配線パターンを形成する工程
と、 ｃ．前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを
覆って絶縁接着層を形成する工程と、 ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パターンを
覆って感光性レジスト層を形成する工程と、 ｅ．該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベ
ース材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出する
ビアホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、 ｆ．前記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工
程と、 ｇ．該ビアポストの端面に接合層を形成するめっき工程
と、 ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユニッ
トと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の第２
の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層にし
て、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方
向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着し、
前記ビアポストと配線パターンとを前記接合層を介して
電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させる熱
圧着工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造
方法。 （付記２） 前記ｂの配線パターンを形成する工程が、
前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏面およ
びスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成する工程
と、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形
成すべき配線パターン通りのパターンで露出するレジス
トによるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィ
ー工程と、前記スルーホール内および露出している無電
解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程と、次
いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスクパター
ンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去する除去
工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の多層配線
基板の製造方法。 （付記３） 前記配線パターンを銅で形成し、前記接合
層を錫めっきで形成することを特徴とする請求項１また
は２記載の多層配線基板の製造方法。 （付記４） 絶縁ベース材の両面に、該絶縁ベース材を
貫通するスルーホールめっき層によって電気的に接続す
る配線パターンが形成され、前記絶縁ベース材の一方の
面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層が形成された
第１の積層ユニットと、 絶縁ベース材の両面に、該絶縁ベース材を貫通するスル
ーホールめっき層によって電気的に接続する配線パター
ンが形成され、前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線
パターンを覆って絶縁接着層が形成されると共に、他方
の面の前記配線パターン上にビアポストが形成され、該
ビアポストの端面に接合層が形成された第２の積層ユニ
ットとを具備し、 前記第１の積層ユニットと、１または複数の前記第２の
積層ユニットとが、前記第１のユニットを最表層にし
て、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方
向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着さ
れ、前記ビアポストと配線パターンとが前記接合層を介
して電気的に接合されるとともに絶縁接着層が熱硬化さ
れて一体化されていることを特徴とする多層配線基板。
いて、 ａ．絶縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー
加工により形成する工程と、 ｂ．該絶縁ベース材の両面に、スルーホールめっき層に
よって電気的に接続する配線パターンを形成する工程
と、 ｃ．前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを
覆って絶縁接着層を形成する工程と、 ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パターンを
覆って感光性レジスト層を形成する工程と、 ｅ．該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベ
ース材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出する
ビアホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、 ｆ．前記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工
程と、 ｇ．該ビアポストの端面に接合層を形成するめっき工程
と、 ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユニッ
トと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の第２
の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層にし
て、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方
向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着し、
前記ビアポストと配線パターンとを前記接合層を介して
電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させる熱
圧着工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造
方法。 （付記２） 前記ｂの配線パターンを形成する工程が、
前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏面およ
びスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成する工程
と、該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形
成すべき配線パターン通りのパターンで露出するレジス
トによるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィ
ー工程と、前記スルーホール内および露出している無電
解めっき皮膜上に電解めっき皮膜を形成する工程と、次
いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスクパター
ンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去する除去
工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の多層配線
基板の製造方法。 （付記３） 前記配線パターンを銅で形成し、前記接合
層を錫めっきで形成することを特徴とする請求項１また
は２記載の多層配線基板の製造方法。 （付記４） 絶縁ベース材の両面に、該絶縁ベース材を
貫通するスルーホールめっき層によって電気的に接続す
る配線パターンが形成され、前記絶縁ベース材の一方の
面に前記配線パターンを覆って絶縁接着層が形成された
第１の積層ユニットと、 絶縁ベース材の両面に、該絶縁ベース材を貫通するスル
ーホールめっき層によって電気的に接続する配線パター
ンが形成され、前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線
パターンを覆って絶縁接着層が形成されると共に、他方
の面の前記配線パターン上にビアポストが形成され、該
ビアポストの端面に接合層が形成された第２の積層ユニ
ットとを具備し、 前記第１の積層ユニットと、１または複数の前記第２の
積層ユニットとが、前記第１のユニットを最表層にし
て、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方
向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着さ
れ、前記ビアポストと配線パターンとが前記接合層を介
して電気的に接合されるとともに絶縁接着層が熱硬化さ
れて一体化されていることを特徴とする多層配線基板。
【００１９】
【発明の効果】以上のように、本発明にかかる多層配線
基板の製造方法によれば、感光性レジスト層にビアホー
ルを形成し、このビアホール内にビアポストをめっきに
より形成したので、微細なビアポストの形成が可能で、
密な配線パターンとすることができる。また、各積層ユ
ニットは両面に配線パターンが形成されるので、積層ユ
ニット数を少なくできるという効果を奏する。
基板の製造方法によれば、感光性レジスト層にビアホー
ルを形成し、このビアホール内にビアポストをめっきに
より形成したので、微細なビアポストの形成が可能で、
密な配線パターンとすることができる。また、各積層ユ
ニットは両面に配線パターンが形成されるので、積層ユ
ニット数を少なくできるという効果を奏する。
図１〜図８は、製造工程図を示し、
【図１】絶縁ベース材にスルーホールを設けた状態の説
明図、
明図、
【図２】絶縁ベース材の両面に配線パターンを形成した
説明図、
説明図、
【図３】一方の面に絶縁接着層を仮熱圧着して第１の積
層ユニットに形成した状態の説明図、
層ユニットに形成した状態の説明図、
【図４】他方の配線パターン上にビアポストを形成した
状態の説明図、
状態の説明図、
【図５】一方の面に絶縁接着層を仮熱圧着して第２の積
層ユニットに形成した状態の説明図、
層ユニットに形成した状態の説明図、
【図６】第１の積層ユニットと第２の積層ユニットとを
重ね合わせた状態の説明図、
重ね合わせた状態の説明図、
【図７】多層配線基板の説明図、
【図８】両面にソルダーレジスト層を設けた状態の説明
図であり、図９〜図１４は従来の多層配線基板の製造方
法の一例を示す工程図で、
図であり、図９〜図１４は従来の多層配線基板の製造方
法の一例を示す工程図で、
【図９】両面銅張りベース材の説明図、
【図１０】ベース材にビアホールを形成した状態の説明
図、
図、
【図１１】ビアホール内にビアポストを形成した状態の
説明図、
説明図、
【図１２】積層ユニットに形成した状態の説明図、
【図１３】積層ユニットを複数枚重ね合わせた状態の説
明図、
明図、
【図１４】熱圧着して多層配線基板に形成した説明図で
ある。
ある。
３０ 絶縁ベース材
３１ スルーホール
３２ スルーホールめっき皮膜
３３、３４ 配線パターン
３５ 第１の積層ユニット
３７ ビアポスト
３８ 接合層
４０ 絶縁接着層
４１ 第２の積層ユニット
４２ 多層配線基板
４３ ソルダーレジスト層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
// Ｂ２３Ｋ 101:42 Ｂ２３Ｋ 101:42
Ｆターム(参考） 4E068 AF02 DA11
5E346 AA43 CC32 CC33 FF04 HH26
Claims (3)
- 【請求項１】 多層配線基板の製造方法において、 ａ．絶縁ベース材の所要部位にスルーホールをレーザー
加工により形成する工程と、 ｂ．該絶縁ベース材の両面に、スルーホールめっき層に
よって電気的に接続する配線パターンを形成する工程
と、 ｃ．前記絶縁ベース材の一方の面に前記配線パターンを
覆って絶縁接着層を形成する工程と、 ｄ．前記絶縁ベース材の他方の面に前記配線パターンを
覆って感光性レジスト層を形成する工程と、 ｅ．該感光性レジスト層を露光、現像して、前記絶縁ベ
ース材の他方の面の配線パターンの所要部位が露出する
ビアホールを形成するフォトリソグラフィー工程と、 ｆ．前記ビアホール内にビアポストを形成するめっき工
程と、 ｇ．該ビアポストの端面に接合層を形成するめっき工程
と、 ｈ．前記ａ、ｂ、ｃの工程で得られた第１の積層ユニッ
トと、前記ａ〜ｇの工程で得られた１または複数の第２
の積層ユニットとを、前記第１のユニットを最表層にし
て、対応する前記ビアポストと配線パターンとが積層方
向に位置が一致するようにして重ね合わせて熱圧着し、
前記ビアポストと配線パターンとを前記接合層を介して
電気的に接合するとともに絶縁接着層を熱硬化させる熱
圧着工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造
方法。 - 【請求項２】 前記ｂの配線パターンを形成する工程
が、 前記スルーホールを形成した絶縁ベース材の表裏面およ
びスルーホール内壁に無電解めっき皮膜を形成する工程
と、 該無電解めっき皮膜上に、該無電解めっき皮膜が形成す
べき配線パターン通りのパターンで露出するレジストに
よるマスクパターンを形成するフォトリソグラフィー工
程と、 前記スルーホール内および露出している無電解めっき皮
膜上に電解めっき皮膜を形成する工程と、 次いで前記マスクパターンを除去し、さらにマスクパタ
ーンを除去して露出した無電解めっき皮膜を除去する除
去工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の多層配
線基板の製造方法。 - 【請求項３】 前記配線パターンを銅で形成し、前記接
合層を錫めっきで形成することを特徴とする請求項１ま
たは２記載の多層配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154226A JP4199957B2 (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 多層配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002154226A JP4199957B2 (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 多層配線基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003347736A true JP2003347736A (ja) | 2003-12-05 |
| JP4199957B2 JP4199957B2 (ja) | 2008-12-24 |
Family
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002154226A Expired - Fee Related JP4199957B2 (ja) | 2002-05-28 | 2002-05-28 | 多層配線基板の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4199957B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101093057B1 (ko) * | 2009-05-12 | 2011-12-13 | 주식회사 심텍 | 마이크로 비아를 포함하는 베이스 기판을 이용한 인쇄회로기판 제조방법 |
| US10957836B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-03-23 | Nichia Corporation | Printed board and light emitting device |
| US11229123B2 (en) | 2016-09-30 | 2022-01-18 | Nichia Corporation | Method of manufacturing the printed board |
-
2002
- 2002-05-28 JP JP2002154226A patent/JP4199957B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101093057B1 (ko) * | 2009-05-12 | 2011-12-13 | 주식회사 심텍 | 마이크로 비아를 포함하는 베이스 기판을 이용한 인쇄회로기판 제조방법 |
| US10957836B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-03-23 | Nichia Corporation | Printed board and light emitting device |
| US10964865B2 (en) | 2016-09-30 | 2021-03-30 | Nichia Corporation | Printed board, light emitting device, and method for manufacturing same |
| US11229123B2 (en) | 2016-09-30 | 2022-01-18 | Nichia Corporation | Method of manufacturing the printed board |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4199957B2 (ja) | 2008-12-24 |
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