JP2003347374A

JP2003347374A - Ｓｏｉ基板のｈｆ欠陥評価方法

Info

Publication number: JP2003347374A
Application number: JP2002153083A
Authority: JP
Inventors: Takehiro Tsunemori; 丈弘常森; Kazuhiro Yamamoto; 一弘山本; Tsuyoshi Kubota; 剛志久保田
Original assignee: Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp
Current assignee: Sumco Corp
Priority date: 2002-05-27
Filing date: 2002-05-27
Publication date: 2003-12-05
Anticipated expiration: 2022-05-27
Also published as: JP4252258B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ＨＦ欠陥を短時間で高精度に評価し、ＨＦ欠
陥の分布を示すマップも得られるＳＯＩ基板のＨＦ欠陥
評価方法を提供する。【解決手段】ＳＯＩ基板４０をＨＦエッチ（Ｓ１０
３）する前の第１のマップ（Ｓ１０２）と、ＨＦエッチ
後の第２のマップ（Ｓ１０５）とを対比し、合致したＬ
ＰＤ１０ａだけをＨＦ欠陥と判定する（Ｓ１０６）。よ
って、ＨＦ欠陥以外のＬＰＤ（パーティクル、ピットな
ど）を検出するおそれがあるパーティクルカウンタによ
る評価にもかかわらず、ＨＦ欠陥を高精度に評価でき
る。また、パーティクルカウンタは観測エリアが大きい
ので、ＳＯＩ層の全面のＨＦ欠陥の評価時間を短縮でき
る。しかも、ＨＦ欠陥の分布を示すマップも得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明はＳＯＩ基板のＨＦ
欠陥評価方法、詳しくはＳＯＩ基板をＨＦ溶液を使用し
てエッチングした際に検出されるＳＯＩ基板中のＨＦ欠
陥（結晶欠陥）を評価する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＳＯＩ層と支持基板用ウェーハとの間に
埋め込み酸化膜が介在されたＳＯＩ基板の欠陥の一種と
して、ＨＦ欠陥が知られている。ＨＦ欠陥とは、ＳＯＩ
基板を４９ｗｔ％のＨＦ溶液に、室温で１０分間程度浸
すことで検出されるＳＯＩ層中の結晶欠陥である。ＨＦ
欠陥の形状的な特徴は、図３（ａ），（ｂ）に示すよう
に、ＳＯＩ層１０の表面に存在するピットタイプのＬＰ
Ｄ（ＬｉｇｈｔＰｏｉｎｔＤｅｆｅｃｔｓ：微小欠
陥）１０ａと、このＬＰＤ１０ａの直下の埋め込み酸化
膜２０の部分に形成されたＬＰＤ１０ａより若干大径な
円筒形状の微小空洞２０ａとが連通している点である。
この微小空洞２０ａは、走査型電子顕微鏡（Ｓｃａｎｎ
ｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：Ｓ
ＥＭ）などで観察した際、同心円状のコントラストとし
て視認することができる。このようなＨＦ欠陥が発生す
るのは、まずＳＯＩ層１０の表面に存在するピットタイ
プのＬＰＤ１０ａを通して、ＨＦ溶液が埋め込み酸化膜
２０に浸透する。そして、この浸透したＨＦ溶液によ
り、ＬＰＤ１０ａの直下の埋め込み酸化膜２０が部分的
にエッチングされるためである。

【０００３】このＨＦ欠陥の発生原因としては、ＳＯＩ
層１０中に存在するＣＯＰ（ＣｒｙｓｔａｌＯｒｉｇ
ｉｎａｔｅｄＰａｒｔｉｃｌｅ）、転位、ＴＳＦ（Ｔ
ｅｔｒａｈｅｄｒａｌＳｔａｃｋｉｎｇＦａｕｌ
ｔ）、金属汚染によりＳＯＩ層１０に形成されたシリサ
イドなどが挙げられる。これらの欠陥が、ＳＯＩ基板製
造の高温アニール工程、洗浄工程および薄膜化工程など
において、ウェーハ表面にピットを形成すると考えられ
る。これらのピットのうち、ＳＯＩ層１０と埋め込み酸
化膜２０との界面と、ウェーハ表面とを連通するものが
ＨＦ欠陥であると考えられる。なお、このＨＦ欠陥はＳ
ＯＩ層１０の層厚に依存し、この層厚が０．２μｍ以下
にあっては、薄くなるほど高密度にＨＦ欠陥が発生する
ことが分かっている。これは、前述したようにＨＦ欠陥
を形成するには、ＳＯＩ層１０と埋め込み酸化膜２０と
の界面と、ウェーハ表面とを連通するようなピットが形
成されている必要があり、ＳＯＩ層１０の層厚が薄くな
るほど、このピットがＳＯＩ層１０と埋め込み酸化膜２
０との界面と、ウェーハ表面とを連通する確率が高くな
るためである。従来、このＨＦ欠陥の評価方法として
は、走査型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ
ＦｏｒｃｅＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）、光学顕
微鏡などを利用した目視によるものが知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとした課題】しかしながら、このよ
うな走査型電子顕微鏡などを使用するＨＦ欠陥の評価で
は、いずれも観察エリアが小さな目視による評価とな
る。そのため、この評価に長時間を要していた。ところ
で、近年では、ＭＯＳメモリの高集積化に伴ってＬＳＩ
の微細化が進み、６４〜２５６メガビットのＤＲＡＭを
得るため、０．２μｍ以下の薄いＳＯＩ層１０を有する
薄膜ＳＯＩ基板４０の需要が増大すると予測される。ま
た、さらに集積度が高い１ギガビットのＤＲＡＭの要請
が多くなれば、ＤＲＡＭの高集積化の観点から、ＳＯＩ
基板の中でも薄膜ＳＯＩ基板４０の占める割合がさらに
大きくなると考えられる。これを踏まえ、今日、薄膜Ｓ
ＯＩ基板４０の評価時に大きな問題となっているＨＦ欠
陥を、短時間で高精度に評価することができる技術の開
発が待望されている。

【０００５】

【発明の目的】そこで、この発明は、ＨＦ欠陥を短時間
で高精度に評価することができ、しかもＨＦ欠陥の分布
を示すマップが得られるＳＯＩ基板のＨＦ欠陥評価方法
を提供することを、その目的としている。

【０００６】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ＳＯＩ層と、これを支持する支持基板用ウェーハと
の間に埋め込み酸化膜が介在されたＳＯＩ基板の表面を
パーティクルカウンタにより測定し、前記ＳＯＩ層の微
小欠陥を検出する第１の測定工程と、この第１の測定結
果に基づき、前記微小欠陥の分布を示す第１のマップを
作成する第１のマッピング工程と、前記ＳＯＩ層の表面
をＨＦ溶液によりエッチングするＨＦエッチング工程
と、このＨＦエッチング後のＳＯＩ基板を、パーティク
ルカウンタにより測定し、第１の測定工程で検出した微
小欠陥よりもサイズが大きい前記ＳＯＩ層の微小欠陥を
検出する第２の測定工程と、この第２の測定結果に基づ
き、前記微小欠陥の分布を示す第２のマップを作成する
第２のマッピング工程と、前記第１のマップと第２のマ
ップとを対比し、合致した位置に存在する微小欠陥をＨ
Ｆ欠陥と判定するＨＦ欠陥判定工程とを備えたＳＯＩ基
板のＨＦ欠陥評価方法である。

【０００７】ＳＯＩ基板の種類は限定されない。例え
ば、(1) 支持基板用ウェーハに埋め込み酸化膜を介して
貼り合わせた活性層用ウェーハを表面研削、表面研磨し
て薄膜のＳＯＩ層を形成した貼り合わせＳＯＩウェー
ハ、(2) このＳＯＩ層の薄膜化に選択エッチングを採用
したＥＬＴＲＡＮＳＯＩウェーハ、(3) このＳＯＩ層の
薄膜化に水素イオン剥離を採用したスマートカットＳＯ
Ｉウェーハ、または、(4)ＳＯＩ層の薄膜化に局所プラ
ズマエッチングを採用したＰＡＣＥ−ＳＯＩウェーハ、
(5) 単結晶シリコンウェーハ中に高濃度の酸素イオンを
注入し、その後、高温熱処理によりシリコンと酸素とを
反応させてシリコンウェーハ内に埋め込み酸化膜を形成
するＳＩＭＯＸなどを採用することができる。活性層に
は、他の製法により作製されたウェーハに比べて、ウェ
ーハ内部にＣＯＰが多量に存在するＣＺウェーハを採用
した方が、この発明の効果が顕著となる。ＣＺウェーハ
とは、ＣＺ法によって引き上げられたシリコンインゴッ
トに、所定のウェーハ加工を施して得られたシリコンウ
ェーハである。

【０００８】ＳＯＩ層の厚さは限定されない。厚膜の場
合には１〜１０μｍである。また、薄膜の場合には０．
０２〜０．５μｍである。ただし、薄膜のＳＯＩ層の方
が、この発明の効果が顕著となる。微小欠陥（ＬＰＤ）
は、大別すると、ウェーハ表面に付着したパーティクル
などの微細な異物（凸型の微小欠陥）、および、ＣＯＰ
およびＨＦ欠陥などの微細なピット（凹型の微小欠陥）
の２種類がある。パーティクルカウンタとは、ウェーハ
表面をレーザ光により走査し、微小欠陥からの光散乱強
度を測定することにより、微小欠陥の位置と大きさを認
識する装置である。ただし、薄膜のＳＯＩ層の場合に
は、レーザ光がＳＯＩ層と埋め込み酸化膜との界面でも
散乱することがある。そのため、例えばＨＦ欠陥の埋め
込み酸化膜側の部分、すなわち外部には直接露出してい
ない同心円状の微小空洞、および、その他の実体のない
凹凸がノイズとして検出される。

【０００９】レーザ光としては、ヘリウム−ネオンレー
ザ光、アルゴンレーザ光などを採用することができる。
このようなレーザ光を収束して照射し、パーティクルか
らの散乱光を広い立体角でフォトマルチプライヤ（光電
子増倍管）またはフォトダイオードにより受光するのが
一般的である。受光に際しては、光ファイバ、積分球、
楕円鏡、放物面鏡、広角レンズなどのいずれか、あるい
は、これらを組み合わせた光学系などを用いて、散乱光
を広い立体角で集光するように構成されている。レーザ
スポットの走査方式には、大別してＸＹ走査方式と、螺
旋回転方式の２通りがある。何れかによりウェーハ表面
を全面走査することにより、所定のパーティクルマッ
プ、ヒストグラム表示が得られる。

【００１０】ＨＦエッチングとしては、ＳＯＩ基板をＨ
Ｆ溶液の中に浸漬する方法、ＨＦ溶液の液面にＳＯＩ基
板のＳＯＩ層の表面だけを接触させる片面エッチングに
よる方法などが挙げられる。ＨＦ溶液の温度は室温（１
８〜２３℃）程度でよく、ＨＦ溶液は試薬をそのまま用
いる。第１のマップと第２のマップとのマッチングは、
例えばパーティクルカウンタに組み込まれたモニタの画
面上で行うことができる。第１の測定工程で検出される
微小欠陥のサイズは、任意である。また、第２の測定工
程で検出される微小欠陥のサイズも、第１の測定工程で
検出される欠陥サイズに比べて大きければ、任意であ
る。これらの第１の測定工程および第２の測定工程にお
ける各欠陥サイズは、ＳＯＩ層の種類、ＳＯＩ層の厚さ
および埋め込み酸化膜厚さなどにより、適宜、決定する
ことができる。

【００１１】また、請求項２に記載の発明は、前記第１
の測定工程では、０．２μｍ以上の微小欠陥を測定し、
前記第２の測定工程では、５μｍ以上の微小欠陥を測定
する請求項１に記載のＳＯＩ基板のＨＦ欠陥評価方法で
ある。第１の測定時に測定されるＬＰＤの大きさは、Ｓ
ＯＩ基板の種類、ＳＯＩ層の厚さ、埋め込み酸化膜の厚
さに依存するが、０．２μｍ程度が好ましい。ＬＰＤが
小さ過ぎると、ウェーハ全面にわたって多数のノイズを
検出してしまい、実際のＬＰＤと区別し難くなる。ま
た、第２の測定時に測定されるＬＰＤの大きさは、前工
程でのＨＦエッチング時間に依存する。しかしながら、
５μｍ以上が好ましい。ＬＰＤが小さ過ぎると、ＨＦ欠
陥ではない他のＬＰＤを検出してしまい、それらの欠陥
とＨＦ欠陥との区別が困難になる。また、ＬＰＤが大き
過ぎれば、ＬＰＤを見落とすおそれがある。

【００１２】

【作用】この発明によれば、ＳＯＩ基板をＨＦエッチン
グする前にパーティクルカウンタを用いて作成された小
さい微小欠陥の第１のマップと、ＨＦエッチング後にパ
ーティクルカウンタを用いて作成された大きい微小欠陥
の第２のマップとを対比し、合致したマップ上で同一位
置にある微小欠陥だけをＨＦ欠陥と判定する。これによ
り、ＨＦ欠陥以外の微小欠陥も検出するパーティクルカ
ウンタによる測定であるにもかかわらず、ＨＦ欠陥を高
精度に評価することができる。

【００１３】これに対して、ＨＦエッチング後の第２の
マップだけでＨＦ欠陥を評価すると、ＨＦエッチング後
から第２の測定までの間に、新たにパーティクルなどが
ＳＯＩ層の表面に付着し、それを検出するおそれがあ
る。新たなパーティクルとしては、ＨＦ溶液により埋め
込み酸化膜が空洞化した部分の直上部分に位置するＳＯ
Ｉ層の部分が欠落したものなどが挙げられる。しかしな
がら、ＨＦエッチング前に測定した第１のマップでは、
このような新しいパーティクルは検出されていない。し
たがって、第１のマップと第２のマップとを重ね合わせ
れば、ＨＦ欠陥とパーティクルとを容易に区別すること
ができる。

【００１４】さらに、ウェーハ表面のＬＰＤを測定する
際、ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜との界面からの影響によ
り、実体のない凹凸（ヘイズ）を検出するおそれがあ
る。しかしながら、ＨＦエッチング後の第２の測定時
に、比較的大きなサイズのＬＰＤを検出しているので、
ヘイズはほとんど検出されない。仮に検出されても、ヘ
イズの発生位置はランダムで、第１の測定時の検出位置
と一致することはほとんどない。以上のことから、この
発明の評価方法によれば、高い精度でＨＦ欠陥評価を行
うことができる。さらには、ＨＦ欠陥の分布を示すマッ
プも得られる。また、パーティクルカウンタでは、その
観測エリアがＳＯＩ層の全面となり、光学顕微鏡、走査
型電子顕微鏡、原子間力顕微鏡などに比べて大きい。そ
のため、ＳＯＩ層の全域のＨＦ欠陥を評価する時間が短
縮される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、この発明の実施例を図面を
参照して説明する。ここでは、ＳＯＩ基板として貼り合
わせＳＯＩ基板を例にとる。図１は、この発明の一実施
例に係るＳＯＩ基板のＨＦ欠陥評価方法を示すフローシ
ートである。図２（ａ）は、この発明の一実施例に係る
第１のマッピング工程で作成された第１のマップであ
る。図２（ｂ）は、この発明の一実施例に係る第２のマ
ッピング工程で作成された第２のマップである。図２
（ｃ）は、この発明の一実施例に係るＨＦ欠陥判定工程
で作成されたマッチングマップである。図２（ｄ）は、
実際のＨＦ欠陥を示すマップである。

【００１６】図１に示すように、この発明の一実施例の
貼り合わせＳＯＩ基板のＨＦ欠陥評価方法は、主に、第
１の測定、第１のマッピング、ＨＦエッチング、第２の
測定、第２のマッピング、ＨＦ欠陥の判定という各工程
から構成される。次に、これらの工程を詳細に説明す
る。まず、ＨＦ欠陥が評価される貼り合わせＳＯＩ基板
を作製する（Ｓ１００）。すなわち、ＣＺ法により引き
上げられた単結晶シリコンインゴットをスライスし、研
磨して、直径２００ｍｍ、厚さ７００〜８００μｍの２
枚の鏡面仕上げされたシリコンウェーハを用意する。こ
のうち、活性層用ウェーハには、熱酸化炉を用いた熱酸
化処理により、その露出面の全体に絶縁性のシリコン酸
化膜が形成されている。次いで、活性層用ウェーハと支
持基板用ウェーハとを常温で重ね合わせ、貼り合わせウ
ェーハを作製する。これにより、２枚のウェーハの間に
埋め込み酸化膜が現出される。その後、この貼り合わせ
ウェーハに、雰囲気ガスに酸素を使用し、加熱温度８０
０℃以上の貼り合わせ熱処理を施す。次に、活性層用ウ
ェーハの外周部を研削し、貼り合わせ不良部分を除去す
る。それから、活性層用ウェーハを表面研削し、さらに
表面研磨することで、厚さ２００μｍのＳＯＩ層を有す
る貼り合わせＳＯＩ基板が作製される。

【００１７】次に、貼り合わせＳＯＩ基板のＳＯＩ層の
表面に存在する０．２μｍ以上のＬＰＤを、パーティク
ルカウンタにより測定する第１の測定を施す（Ｓ１０
１）。具体的には、ＳＯＩ層の表面を純水でリンスし、
乾燥し、これをパーティクルカウンタの測定ステージに
配置する。そして、パーティクルカウンタの発光部から
発射されたＡｒレーザ光をいったん集光する。その後、
Ａｒレーザ光をＳＯＩ層の表面に向かって照射し、さら
にＳＯＩ層の表面でＡｒレーザ光を走査しながら、この
表面で反射した散乱光の強度を測定する。これにより、
ＳＯＩ層の表面に存在するＬＰＤが検出される。ここで
は、パーティクルカウンタとして、テンコール社製の
「Ｓｕｒｆｓｃａｎ−６２００」を使用している。測定
されたＬＰＤのデータに基づき、ＳＯＩ層の表面におけ
るＬＰＤの分布を示す第１のマップが作成される（Ｓ１
０２）。図２（ａ）に、作成された第１のマップを示
す。第１のマップ中のＬＰＤには、評価の対象であるＨ
Ｆ欠陥以外に、ピットなどの凹型の微小欠陥と、パーテ
ィクルなどの凸型の微小欠陥と、ＳＯＩ層と埋め込み酸
化膜との界面の影響を受けた実体のない凹凸などのノイ
ズを含んでいる。

【００１８】それから、貼り合わせＳＯＩ基板を４９ｗ
ｔ％、２０℃のＨＦ溶液に１０分間浸漬し、ＳＯＩ層の
表面をＨＦエッチングする（Ｓ１０３）。これにより、
ＳＯＩ層の表面に存在するピットタイプのＬＰＤを通し
て、ＨＦ溶液が埋め込み酸化膜に浸透する。そして、こ
の浸透したＨＦ溶液により、ＬＰＤの直下の微小空洞形
成部の埋め込み酸化膜が部分的にエッチングされる。こ
れにより、微小空洞が大きくなる。しかも、このＨＦ溶
液により、ＳＯＩ層の表面に付着したパーティクルなど
の凸型のＬＰＤが除去される。

【００１９】次に、第２の測定工程を行う。すなわち、
ＨＦエッチング後の５μｍ以上のＬＰＤをパーティクル
カウンタにより測定する（Ｓ１０４）。ここでは、第１
の測定時のパーティクルカウンタを使用し、同様の操作
で第１の測定時よりも欠陥サイズが大きいＬＰＤを測定
する。得られたＬＰＤデータに基づき、５μｍ以上のＬ
ＰＤの分布図である第２のマップを作成する（Ｓ１０
５）。図２（ｂ）に、この第２のマップを示す。この第
２のマップ中のＬＰＤには、ＨＦ欠陥以外に、ＨＦエッ
チング後から第２の測定時までにＳＯＩ層の表面に付着
した５μｍ以上の凸型のＬＰＤ（パーティクルなど）を
含んでいる。なお、第１の測定時に比べて、測定の対象
となる欠陥サイズが大きくなるので、この第２の測定で
はノイズである、ＳＯＩ層と埋め込み酸化膜との界面か
ら影響を受けた実体のない凹凸がほとんど検出されな
い。仮に検出されたとしても、無秩序に発生するので、
大半は第１の測定時とは異なる位置で検出される。

【００２０】次いで、第１のマップと第２のマップとを
対比し、ＨＦ欠陥を判定する（Ｓ１０６）。具体的に
は、パーティクルカウンタの制御部に組み込まれた第１
のマップと第２のマップとのマッチング手段（図示せ
ず）を使用する。すなわち、マッチング手段により第１
のマップと第２のマップとを重ね合わせ、この重ね合わ
せ状態で合致した位置に存在するＬＰＤをＨＦ欠陥と判
定する。この際、作成されたマッチングマップを図２
（ｃ）に示す。このようにＨＦ欠陥を判定するので、Ｈ
Ｆ欠陥以外のＬＰＤを検出する可能性があるパーティク
ルカウンタを使用したＨＦ欠陥の測定にもかかわらず、
ＨＦ欠陥を高精度に評価することができる。

【００２１】すなわち、ＨＦエッチング後の第２のマッ
プだけでＨＦ欠陥を評価すると、第２の測定時の欠陥サ
イズが第１の測定時より大きいことから、微細なピット
は測定されない。また、第２の測定時に検出された前記
実体のない凹凸であるノイズは、ほとんど第１の測定時
とは異なる位置で検出されるので、マッチングによる選
別によって除外される。さらには、ＨＦエッチング後か
ら第２の測定までの間に、新たにＳＯＩ層の表面に付着
したパーティクルなどの凸型のＬＰＤは、当然、ＨＦエ
ッチング前の第１の測定時に測定された凸型のＬＰＤと
は位置が異なる。その結果、同様にマッチングによる選
別によって除外される。その結果、ＨＦ欠陥を高い精度
で評価することができる。さらには、ＨＦ欠陥の分布を
示すマップも得られる。また、パーティクルカウンタ
は、その観測エリアが走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）など
に比べてＳＯＩ層の全面と、大きくなる。その結果、Ｓ
ＯＩ層の全域のＨＦ欠陥を評価するための時間を短縮す
ることができる。図２（ｄ）には、実際に光学顕微鏡を
用いてＨＦ欠陥を実測したマップを示す。この実測マッ
プを、図２（ｂ）に示すＨＦエッチング後の第２のマッ
プと、図２（ｃ）に示すマッチングマップと対比する。
その結果、この実測のマップは、第２のマップよりもマ
ッチングマップの方に、酷似していることが判明した。

【００２２】

【発明の効果】この発明によれば、ＨＦエッチング前の
第１のマップと、ＨＦエッチング後の第２のマップとを
対比し、合致したマップ上で同一位置にあるＬＰＤだけ
をＨＦ欠陥と判定するようにしたので、別種の凸型また
は凹型の微小欠陥を、ＨＦ欠陥として検出するおそれが
少ない。また、パーティクルカウンタは、従来の走査型
電子顕微鏡よりも観測エリアが大きい。その結果、ＨＦ
欠陥を短時間で高精度に評価することができ、しかもＨ
Ｆ欠陥の分布を示すマップが得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例に係るＳＯＩ基板のＨＦ欠
陥評価方法を示すフローシートである。

【図２】（ａ）は、この発明の一実施例に係る第１のマ
ッピング工程で作成された第１のＬＰＤマップである。
（ｂ）は、この発明の一実施例に係る第２のマッピング
工程で作成された第２のマップである。（ｃ）は、この
発明の一実施例に係るＨＦ欠陥判定工程で作成されたマ
ッチングマップである。（ｄ）は、実際のＨＦ欠陥を示
すマップである。

【図３】（ａ）は、ＳＯＩ基板のＨＦ欠陥を示す拡大平
面図である。（ｂ）は、ＳＯＩ基板のＨＦ欠陥を示す拡
大断面図である。

【符号の説明】

１０活性層、１０ａＬＰＤ（微小欠陥）、２０埋め込み酸化膜、２０ａ微小空洞、３０支持基板用ウェーハ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者久保田剛志東京都港区芝浦一丁目２番１号三菱住友シリコン株式会社内Ｆターム(参考） 4M106 AA20 BA10 CA42 DB21

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＳＯＩ層と、これを支持する支持基板用
ウェーハとの間に埋め込み酸化膜が介在されたＳＯＩ基
板の表面をパーティクルカウンタにより測定し、前記Ｓ
ＯＩ層の微小欠陥を検出する第１の測定工程と、この第１の測定結果に基づき、前記微小欠陥の分布を示
す第１のマップを作成する第１のマッピング工程と、前記ＳＯＩ層の表面をＨＦ溶液によりエッチングするＨ
Ｆエッチング工程と、このＨＦエッチング後のＳＯＩ基板を、パーティクルカ
ウンタにより測定し、第１の測定工程で検出した微小欠
陥よりもサイズが大きい前記ＳＯＩ層の微小欠陥を検出
する第２の測定工程と、この第２の測定結果に基づき、前記微小欠陥の分布を示
す第２のマップを作成する第２のマッピング工程と、前記第１のマップと第２のマップとを対比し、合致した
位置に存在する微小欠陥をＨＦ欠陥と判定するＨＦ欠陥
判定工程とを備えたＳＯＩ基板のＨＦ欠陥評価方法。
【請求項２】前記第１の測定工程では、０．２μｍ以
上の微小欠陥を測定し、前記第２の測定工程では、５μｍ以上の微小欠陥を測定
する請求項１に記載のＳＯＩ基板のＨＦ欠陥評価方法。