JP2003338468A5 - - Google Patents
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
US8247734B2 (en) | 2003-03-11 | 2012-08-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
US8283595B2 (en) | 2000-09-13 | 2012-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
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Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US7772605B2 (en) | 2004-03-19 | 2010-08-10 | Showa Denko K.K. | Compound semiconductor light-emitting device |
JP4540514B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2010-09-08 | 昭和電工株式会社 | 化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
JP2007087973A (ja) | 2005-09-16 | 2007-04-05 | Rohm Co Ltd | 窒化物半導体素子の製法およびその方法により得られる窒化物半導体発光素子 |
JP2007331049A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置の運転方法 |
JP5119463B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2013-01-16 | Dowaエレクトロニクス株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
EP3267495B1 (en) | 2007-08-03 | 2019-10-23 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
JP4951443B2 (ja) * | 2007-08-24 | 2012-06-13 | 昭和電工株式会社 | 発光ダイオードの製造方法 |
JP2009081428A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-04-16 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JP5225639B2 (ja) | 2007-09-06 | 2013-07-03 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP2009086092A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Aji Kk | 光学部品の製造方法及び撮影装置の製造方法 |
KR101393355B1 (ko) * | 2007-12-28 | 2014-06-30 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP5556657B2 (ja) | 2008-05-14 | 2014-07-23 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法及びiii族窒化物半導体発光素子、並びにランプ |
DE102008048255A1 (de) * | 2008-09-22 | 2010-04-01 | Hegla Gmbh & Co. Kg | Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Verbundsicherheitsglasscheiben aus Verbundsicherheitsglastafeln |
IT1394939B1 (it) * | 2009-01-13 | 2012-07-27 | Bottero Spa | Metodo e macchina per il taglio di una lastra di vetro stratificata |
US8357592B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-01-22 | Sumco Corporation | Method and apparatus for manufacturing semiconductor substrate dedicated to semiconductor device, and method and apparatus for manufacturing semiconductor device |
JP5056839B2 (ja) | 2009-12-25 | 2012-10-24 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
JP5608521B2 (ja) * | 2010-11-26 | 2014-10-15 | 新光電気工業株式会社 | 半導体ウエハの分割方法と半導体チップ及び半導体装置 |
KR101207459B1 (ko) | 2011-03-09 | 2012-12-03 | 한국기계연구원 | 레이저로 웨이퍼의 국부적 크랙을 발생시켜 에칭하는 전기장 에칭방법 및 이를 이용한 다이싱 방법 및 드릴링 방법 |
KR101259483B1 (ko) * | 2011-06-01 | 2013-05-06 | 서울옵토디바이스주식회사 | 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP5382102B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2014-01-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
JP5282812B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2013-09-04 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
JP5382101B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2014-01-08 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の加工方法および被加工物の分割方法 |
JP5927916B2 (ja) * | 2012-01-11 | 2016-06-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
JP6128758B2 (ja) * | 2012-06-07 | 2017-05-17 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光素子の製造方法 |
JP5624174B2 (ja) * | 2013-05-29 | 2014-11-12 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 被加工物の加工方法、被加工物の分割方法およびレーザー加工装置 |
JP6136908B2 (ja) * | 2013-12-12 | 2017-05-31 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP2015170710A (ja) * | 2014-03-06 | 2015-09-28 | 旭化成株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法、窒化物半導体ウェハの分割方法および窒化物半導体素子 |
JP6551404B2 (ja) * | 2014-05-29 | 2019-07-31 | Agc株式会社 | 光学ガラスおよびガラス基板の切断方法 |
JP5862733B1 (ja) * | 2014-09-08 | 2016-02-16 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
JP6494991B2 (ja) * | 2014-12-10 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP6495056B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP5884935B1 (ja) * | 2015-10-28 | 2016-03-15 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体片の製造方法 |
DE102016224978B4 (de) * | 2016-12-14 | 2022-12-29 | Disco Corporation | Substratbearbeitungsverfahren |
DE102017200631B4 (de) | 2017-01-17 | 2022-12-29 | Disco Corporation | Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats |
JP6925902B2 (ja) * | 2017-07-28 | 2021-08-25 | 浜松ホトニクス株式会社 | 積層型素子の製造方法 |
US20190363017A1 (en) * | 2018-05-24 | 2019-11-28 | Semiconductor Components Industries, Llc | Die sawing singulation systems and methods |
JP7129397B2 (ja) * | 2019-12-06 | 2022-09-01 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP7129437B2 (ja) * | 2020-02-17 | 2022-09-01 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
JP7129436B2 (ja) * | 2020-02-17 | 2022-09-01 | ローム株式会社 | SiC半導体装置 |
DE102023200718A1 (de) | 2023-01-30 | 2024-08-01 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zum laserbasierten vereinzeln von mikrochips auf strukturierten substraten |
-
2003
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8283595B2 (en) | 2000-09-13 | 2012-10-09 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
US7749867B2 (en) | 2002-03-12 | 2010-07-06 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting processed object |
US8268704B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-09-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method for dicing substrate |
US8304325B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-11-06 | Hamamatsu-Photonics K.K. | Substrate dividing method |
US8314013B2 (en) | 2002-03-12 | 2012-11-20 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor chip manufacturing method |
US8361883B2 (en) | 2002-03-12 | 2013-01-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
US8409968B2 (en) | 2002-12-03 | 2013-04-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method of cutting semiconductor substrate via modified region formation and subsequent sheet expansion |
US8247734B2 (en) | 2003-03-11 | 2012-08-21 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |
US8685838B2 (en) | 2003-03-12 | 2014-04-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method |