JP2003333895A - モータの駆動回路 - Google Patents
モータの駆動回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高電圧電源の下で複数のモータを低コストの
回路構成で駆動可能とする。 【解決手段】 ｎ型ＦＥＴ１０ａとｐ型ＦＥＴ１０ｂの
ように直列に接続した半導体素子組を並列に４２Ｖの高
電圧電源Ｅに接続し、直列接続した１４Ｖ用のモータＭ
１、Ｍ２の各端子を順次にｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの接
続点に接続してある。ｎ型ＦＥＴ１０ａをＯＮにし、ｐ
型ＦＥＴ１０ｄをデューティ比１／３でＯＮさせると、
第１モータＭ１のみ１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電
力で正転駆動できる。また、ｎ型ＦＥＴ１０ｅをＯＮに
し、ｐ型ＦＥＴ１０ｂをデューティ比２／３でＯＮさせ
ると、両モータＭ１、Ｍ２を同時に逆転駆動できる。そ
の他、任意の駆動が可能である。モータごとにＨ型ブリ
ッジを組むのに比較して半導体素子数が少なく、低コス
トで実現される。
回路構成で駆動可能とする。 【解決手段】 ｎ型ＦＥＴ１０ａとｐ型ＦＥＴ１０ｂの
ように直列に接続した半導体素子組を並列に４２Ｖの高
電圧電源Ｅに接続し、直列接続した１４Ｖ用のモータＭ
１、Ｍ２の各端子を順次にｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの接
続点に接続してある。ｎ型ＦＥＴ１０ａをＯＮにし、ｐ
型ＦＥＴ１０ｄをデューティ比１／３でＯＮさせると、
第１モータＭ１のみ１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電
力で正転駆動できる。また、ｎ型ＦＥＴ１０ｅをＯＮに
し、ｐ型ＦＥＴ１０ｂをデューティ比２／３でＯＮさせ
ると、両モータＭ１、Ｍ２を同時に逆転駆動できる。そ
の他、任意の駆動が可能である。モータごとにＨ型ブリ
ッジを組むのに比較して半導体素子数が少なく、低コス
トで実現される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の直流モータ
を備える装置におけるブリッジ回路を用いたモータの駆
動回路に関する。
を備える装置におけるブリッジ回路を用いたモータの駆
動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】直流モータ（以下、単にモータ）を備
え、これを正逆両方向に駆動する装置においては、図１
６の（ａ）に示すように、リレー３０ａ、３０ｂをモー
タＭの両側に設けて電流方向を切替えるか、あるいは
（ｂ）に示すように、４個の半導体素子３５ａ〜３５ｄ
を用いたＨ型ブリッジ回路で電流方向を切替えるかの２
通りがある。リレーを用いるものでは、作動音が発生
し、また機械的な構造から接点摩耗等の耐久性の問題が
ある。これに対して、半導体素子を用いたブリッジ回路
では作動音の発生がないとともに、細かな制御が可能で
あるという利点を有している。
え、これを正逆両方向に駆動する装置においては、図１
６の（ａ）に示すように、リレー３０ａ、３０ｂをモー
タＭの両側に設けて電流方向を切替えるか、あるいは
（ｂ）に示すように、４個の半導体素子３５ａ〜３５ｄ
を用いたＨ型ブリッジ回路で電流方向を切替えるかの２
通りがある。リレーを用いるものでは、作動音が発生
し、また機械的な構造から接点摩耗等の耐久性の問題が
ある。これに対して、半導体素子を用いたブリッジ回路
では作動音の発生がないとともに、細かな制御が可能で
あるという利点を有している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】とくに車両に搭載され
る装置の場合、近年、モータの定格に対してその数倍の
高電圧バッテリを電源に採用する車両が考えられている
ので、デューティ制御によりモータを駆動するために
も、半導体素子を用いたＨ型ブリッジ回路を用いること
になる。しかしながら、Ｈ型ブリッジ回路には半導体素
子を４個必要とするので、モータが複数の場合には、必
要とする半導体素子が多数となり、コストが増大すると
いう問題を生じる。したがって本発明は、上記に鑑み、
複数のモータを、低コストの回路構成で駆動可能とした
モータの駆動回路を提供することを目的とする。
る装置の場合、近年、モータの定格に対してその数倍の
高電圧バッテリを電源に採用する車両が考えられている
ので、デューティ制御によりモータを駆動するために
も、半導体素子を用いたＨ型ブリッジ回路を用いること
になる。しかしながら、Ｈ型ブリッジ回路には半導体素
子を４個必要とするので、モータが複数の場合には、必
要とする半導体素子が多数となり、コストが増大すると
いう問題を生じる。したがって本発明は、上記に鑑み、
複数のモータを、低コストの回路構成で駆動可能とした
モータの駆動回路を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このため、請求項１の本
発明は、電源に対して上流側半導体素子と下流側半導体
素子を直列に接続した半導体素子組を両端に接続してＨ
型ブリッジを形成するモータを複数備え、互いに隣接す
るモータ間ではそれぞれ１組の上記半導体素子組を共有
して、複数のモータを直列に接続してあるものとした。
発明は、電源に対して上流側半導体素子と下流側半導体
素子を直列に接続した半導体素子組を両端に接続してＨ
型ブリッジを形成するモータを複数備え、互いに隣接す
るモータ間ではそれぞれ１組の上記半導体素子組を共有
して、複数のモータを直列に接続してあるものとした。
【０００５】請求項２の発明は、高電圧電源に接続され
て複数のモータを駆動するモータの駆動回路であって、
上記複数のモータを直列接続し、高電圧電源に、（モー
タの数＋１）組の上流側半導体素子と下流側半導体素子
を直列に接続した半導体素子組を互いに並列に接続し、
モータの直列接続の両端およびモータ間の接続点を、そ
れぞれ半導体素子組における上流側半導体素子と下流側
半導体素子間の接続点に接続し、複数のモータのうち駆
動対象のモータに対応して、所定の２組の半導体素子組
の一方における上流側半導体素子または下流側半導体素
子を選択的にデューティ制御するように構成したものと
した。
て複数のモータを駆動するモータの駆動回路であって、
上記複数のモータを直列接続し、高電圧電源に、（モー
タの数＋１）組の上流側半導体素子と下流側半導体素子
を直列に接続した半導体素子組を互いに並列に接続し、
モータの直列接続の両端およびモータ間の接続点を、そ
れぞれ半導体素子組における上流側半導体素子と下流側
半導体素子間の接続点に接続し、複数のモータのうち駆
動対象のモータに対応して、所定の２組の半導体素子組
の一方における上流側半導体素子または下流側半導体素
子を選択的にデューティ制御するように構成したものと
した。
【０００６】請求項３の発明は、所定の２組の半導体素
子組の他方における、デューティ制御する半導体素子と
上流側・下流側に関して反対側の半導体素子は、駆動対
象のモータを駆動の間、連続的なＯＮ状態に保持するも
のとした。また、請求項４の発明は、デューティ制御に
おけるデューティ比を、駆動対象のモータのそれぞれに
当該モータの定格に略対応する平均電力が供給されるよ
うに設定するものである。請求項５の発明は、とくに半
導体素子組における上流側半導体素子をｎ型ＦＥＴと
し、下流側半導体素子をｐ型ＦＥＴとしたものである。
子組の他方における、デューティ制御する半導体素子と
上流側・下流側に関して反対側の半導体素子は、駆動対
象のモータを駆動の間、連続的なＯＮ状態に保持するも
のとした。また、請求項４の発明は、デューティ制御に
おけるデューティ比を、駆動対象のモータのそれぞれに
当該モータの定格に略対応する平均電力が供給されるよ
うに設定するものである。請求項５の発明は、とくに半
導体素子組における上流側半導体素子をｎ型ＦＥＴと
し、下流側半導体素子をｐ型ＦＥＴとしたものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を実施
例により説明する。実施例はいずれも高電圧電源として
４２Ｖ電源の下において複数の１４Ｖ用直流モータを駆
動するものとする。図１は第１の実施例を示す回路図で
ある。第１モータＭ１と第２モータＭ２が電気的に互い
に直列に接続されている。なお、各モータの接続に関す
る以下の説明は、モータの電源端子にかかるものであ
る。第１モータＭ１の一端は、半導体素子としてのｎ型
ＦＥＴ１０ａを介して高電圧電源Ｅに接続されるととも
に、ｐ型ＦＥＴ１０ｂを介してグラウンド（ＧＮＤ）に
接続されている。
例により説明する。実施例はいずれも高電圧電源として
４２Ｖ電源の下において複数の１４Ｖ用直流モータを駆
動するものとする。図１は第１の実施例を示す回路図で
ある。第１モータＭ１と第２モータＭ２が電気的に互い
に直列に接続されている。なお、各モータの接続に関す
る以下の説明は、モータの電源端子にかかるものであ
る。第１モータＭ１の一端は、半導体素子としてのｎ型
ＦＥＴ１０ａを介して高電圧電源Ｅに接続されるととも
に、ｐ型ＦＥＴ１０ｂを介してグラウンド（ＧＮＤ）に
接続されている。
【０００８】同様に、第１モータＭ１の他端と第２モー
タＭ２の一端の接続点Ｘは、ｎ型ＦＥＴ１０ｃを介して
高電圧電源Ｅに接続され、ｐ型ＦＥＴ１０ｄを介してグ
ラウンドに接続されている。また、第２モータＭ２の他
端も、ｎ型ＦＥＴ１０ｅを介して高電圧電源Ｅに接続さ
れ、ｐ型ＦＥＴ１０ｆを介してグラウンドに接続されて
いる。
タＭ２の一端の接続点Ｘは、ｎ型ＦＥＴ１０ｃを介して
高電圧電源Ｅに接続され、ｐ型ＦＥＴ１０ｄを介してグ
ラウンドに接続されている。また、第２モータＭ２の他
端も、ｎ型ＦＥＴ１０ｅを介して高電圧電源Ｅに接続さ
れ、ｐ型ＦＥＴ１０ｆを介してグラウンドに接続されて
いる。
【０００９】これにより、ｎ型ＦＥＴを上流側半導体素
子、ｐ型ＦＥＴを下流側半導体素子として、上流側半導
体素子と下流側半導体素子を直列に接続した半導体素子
組が高電圧電源Ｅに複数組並列に接続され、上流側半導
体素子と下流側半導体素子の接続点に各モータの一方の
電源端子、およびモータの他方の電源端子同士の接続点
が接続された構成となっている。上流側半導体素子のｎ
型ＦＥＴ１０ａ、１０ｃ、１０ｅおよび下流側半導体素
子のｐ型ＦＥＴ１０ｂ、１０ｄ、１０ｆは、それぞれゲ
ートが接続された制御装置２０からの信号により制御さ
れるようになっている。
子、ｐ型ＦＥＴを下流側半導体素子として、上流側半導
体素子と下流側半導体素子を直列に接続した半導体素子
組が高電圧電源Ｅに複数組並列に接続され、上流側半導
体素子と下流側半導体素子の接続点に各モータの一方の
電源端子、およびモータの他方の電源端子同士の接続点
が接続された構成となっている。上流側半導体素子のｎ
型ＦＥＴ１０ａ、１０ｃ、１０ｅおよび下流側半導体素
子のｐ型ＦＥＴ１０ｂ、１０ｄ、１０ｆは、それぞれゲ
ートが接続された制御装置２０からの信号により制御さ
れるようになっている。
【００１０】上記回路によるモータの駆動制御について
説明する。まず、第１モータＭ１のみを正転駆動する場
合、制御装置２０は、図２の（ａ）に示すように、ｎ型
ＦＥＴ１０ａにＨ（ハイ）信号を与えてＯＮ（オン）に
する一方、（ｂ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄにデ
ューティ信号を与える。デューティ信号は、そのデュー
ティ比を、図３に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄをＯＮ
にするＬ（ロウ）の期間がデューティ（Ｄｕｔｙ）サイ
クルの１／３となるように設定される。他のｎ型ＦＥＴ
およびｐ型ＦＥＴについては、ＯＦＦ状態に保持する。
説明する。まず、第１モータＭ１のみを正転駆動する場
合、制御装置２０は、図２の（ａ）に示すように、ｎ型
ＦＥＴ１０ａにＨ（ハイ）信号を与えてＯＮ（オン）に
する一方、（ｂ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄにデ
ューティ信号を与える。デューティ信号は、そのデュー
ティ比を、図３に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄをＯＮ
にするＬ（ロウ）の期間がデューティ（Ｄｕｔｙ）サイ
クルの１／３となるように設定される。他のｎ型ＦＥＴ
およびｐ型ＦＥＴについては、ＯＦＦ状態に保持する。
【００１１】これにより、図１に矢示で示すように、第
１モータＭ１へは電流がｎ型ＦＥＴ１０ａ側からｐ型Ｆ
ＥＴ１０ｄ側へ流れ、４２Ｖ電源に対するデューティ制
御により供給される平均電力はその１／３となって、１
４Ｖ電源での連続駆動時相当となる。なお、実際にはオ
ン・オフ損失を考慮してデューティ比は１／３より若干
大きく設定されるが、説明を簡単にするため、単純計算
で示している。他の実施例についても同様である。
１モータＭ１へは電流がｎ型ＦＥＴ１０ａ側からｐ型Ｆ
ＥＴ１０ｄ側へ流れ、４２Ｖ電源に対するデューティ制
御により供給される平均電力はその１／３となって、１
４Ｖ電源での連続駆動時相当となる。なお、実際にはオ
ン・オフ損失を考慮してデューティ比は１／３より若干
大きく設定されるが、説明を簡単にするため、単純計算
で示している。他の実施例についても同様である。
【００１２】また、第１モータＭ１のみを逆転駆動する
場合は、図４の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ｃ
にＨ信号を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に示すよう
に、ｐ型ＦＥＴ１０ｂにデューティ比１／３のＬ信号を
与える。これにより、第１モータＭ１には図１の矢示と
逆方向に電流が流れ、１４Ｖ電源での連続駆動時相当の
電力で駆動される。以上のように、第１モータＭ１につ
いては、当該第１モータＭ１に接続されたｎ型ＦＥＴ１
０ａ、ｎ型ＦＥＴ１０ｃ、ｐ型ＦＥＴ１０ｂ、およびｐ
型ＦＥＴ１０ｄの選択的なＯＮ、ＯＦＦ切替えにより単
独の正転、逆転駆動が行なわれる。
場合は、図４の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ｃ
にＨ信号を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に示すよう
に、ｐ型ＦＥＴ１０ｂにデューティ比１／３のＬ信号を
与える。これにより、第１モータＭ１には図１の矢示と
逆方向に電流が流れ、１４Ｖ電源での連続駆動時相当の
電力で駆動される。以上のように、第１モータＭ１につ
いては、当該第１モータＭ１に接続されたｎ型ＦＥＴ１
０ａ、ｎ型ＦＥＴ１０ｃ、ｐ型ＦＥＴ１０ｂ、およびｐ
型ＦＥＴ１０ｄの選択的なＯＮ、ＯＦＦ切替えにより単
独の正転、逆転駆動が行なわれる。
【００１３】第２モータＭ２についても、同様にして、
当該第２モータＭ２に接続されたｎ型ＦＥＴ１０ｃ、ｎ
型ＦＥＴ１０ｅ、ｐ型ＦＥＴ１０ｄ、およびｐ型ＦＥＴ
１０ｆの選択的なＯＮ、ＯＦＦ切替えにより単独の正
転、逆転駆動が行なわれる。
当該第２モータＭ２に接続されたｎ型ＦＥＴ１０ｃ、ｎ
型ＦＥＴ１０ｅ、ｐ型ＦＥＴ１０ｄ、およびｐ型ＦＥＴ
１０ｆの選択的なＯＮ、ＯＦＦ切替えにより単独の正
転、逆転駆動が行なわれる。
【００１４】つぎに、第１モータＭ１と第２モータＭ２
の両方を同時に正転駆動する場合は、制御装置２０は、
図５の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ａにＨ信号
を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に示すように、ｐ型Ｆ
ＥＴ１０ｆにデューティ比２／３（ｐ型ＦＥＴ１０ｆを
ＯＮにするＬの期間がデューティサイクルの２／３）の
Ｌ信号を与える。他のｎ型ＦＥＴおよびｐ型ＦＥＴにつ
いては、ＯＦＦ状態に保持する。
の両方を同時に正転駆動する場合は、制御装置２０は、
図５の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ａにＨ信号
を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に示すように、ｐ型Ｆ
ＥＴ１０ｆにデューティ比２／３（ｐ型ＦＥＴ１０ｆを
ＯＮにするＬの期間がデューティサイクルの２／３）の
Ｌ信号を与える。他のｎ型ＦＥＴおよびｐ型ＦＥＴにつ
いては、ＯＦＦ状態に保持する。
【００１５】これにより、図６に矢示で示すように、ｎ
型ＦＥＴ１０ａ側から、第１モータＭ１、第２モータＭ
２、そしてｐ型ＦＥＴ１０ｆ側へ電流が流れる。４２Ｖ
電源に対するデューティ比２／３による電力が２つのモ
ータに対して供給されるので、各モータの平均電力は１
／３となって、１４Ｖ電源での連続駆動時相当となる。
型ＦＥＴ１０ａ側から、第１モータＭ１、第２モータＭ
２、そしてｐ型ＦＥＴ１０ｆ側へ電流が流れる。４２Ｖ
電源に対するデューティ比２／３による電力が２つのモ
ータに対して供給されるので、各モータの平均電力は１
／３となって、１４Ｖ電源での連続駆動時相当となる。
【００１６】第１モータＭ１と第２モータＭ２の両方を
同時に逆転駆動する場合は、図７の（ａ）に示すよう
に、ｎ型ＦＥＴ１０ｅにＨ信号を与えてＯＮにする一
方、（ｂ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｂにデューテ
ィ比２／３のＬ信号を与える。これにより、第１モータ
Ｍ１と第２モータＭ２には図６の矢示と逆方向に電流が
流れ、それぞれ１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電力で
駆動される。
同時に逆転駆動する場合は、図７の（ａ）に示すよう
に、ｎ型ＦＥＴ１０ｅにＨ信号を与えてＯＮにする一
方、（ｂ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｂにデューテ
ィ比２／３のＬ信号を与える。これにより、第１モータ
Ｍ１と第２モータＭ２には図６の矢示と逆方向に電流が
流れ、それぞれ１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電力で
駆動される。
【００１７】本実施例では、さらに、一方のモータを正
転、他方のモータを逆転駆動することもできる。すなわ
ち、図８の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ａにデ
ューティ比１／３のＨ信号を与えてＯＮにするととも
に、（ｂ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ｅにデューテ
ィ比１／３のＨ信号を与えてＯＮにする。そして、
（ｃ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄに連続のＬ信号
を与える。
転、他方のモータを逆転駆動することもできる。すなわ
ち、図８の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ａにデ
ューティ比１／３のＨ信号を与えてＯＮにするととも
に、（ｂ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ｅにデューテ
ィ比１／３のＨ信号を与えてＯＮにする。そして、
（ｃ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄに連続のＬ信号
を与える。
【００１８】これにより、図９に矢示で示すように、第
１モータＭ１にはｎ型ＦＥＴ１０ａ側からｐ型ＦＥＴ１
０ｄ側へ電流が流れて正転駆動され、第２モータＭ２に
はｎ型ＦＥＴ１０ｅ側からｐ型ＦＥＴ１０ｄ側へ電流が
流れて逆転駆動される。各モータにはそれぞれデューテ
ィ比１／３により１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電力
が供給される。なお、制御装置２０がデューティ信号を
与えるにあたっては、図８に示されるように、ｎ型ＦＥ
Ｔ１０ａとｎ型ＦＥＴ１０ｅが交互にＯＮするように、
Ｈ信号の出力タイミングをずらすことによって、高電圧
電源Ｅにおける電流変動を抑えている。
１モータＭ１にはｎ型ＦＥＴ１０ａ側からｐ型ＦＥＴ１
０ｄ側へ電流が流れて正転駆動され、第２モータＭ２に
はｎ型ＦＥＴ１０ｅ側からｐ型ＦＥＴ１０ｄ側へ電流が
流れて逆転駆動される。各モータにはそれぞれデューテ
ィ比１／３により１４Ｖ電源での連続駆動時相当の電力
が供給される。なお、制御装置２０がデューティ信号を
与えるにあたっては、図８に示されるように、ｎ型ＦＥ
Ｔ１０ａとｎ型ＦＥＴ１０ｅが交互にＯＮするように、
Ｈ信号の出力タイミングをずらすことによって、高電圧
電源Ｅにおける電流変動を抑えている。
【００１９】一方、図１０の（ａ）に示すように、ｎ型
ＦＥＴ１０ｃに連続のＨ信号を与えてＯＮにするととも
に、（ｂ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｂにデューテ
ィ比１／３のＬ信号を与え、（ｃ）に示すように、ｐ型
ＦＥＴ１０ｆにデューティ比１／３のＬ信号を与える
と、第１モータＭ１にはｎ型ＦＥＴ１０ｃ側からｐ型Ｆ
ＥＴ１０ｂ側へ電流が流れて逆転駆動され、第２モータ
Ｍ２にはｎ型ＦＥＴ１０ｃ側からｐ型ＦＥＴ１０ｆ側へ
電流が流れて正転駆動される。
ＦＥＴ１０ｃに連続のＨ信号を与えてＯＮにするととも
に、（ｂ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｂにデューテ
ィ比１／３のＬ信号を与え、（ｃ）に示すように、ｐ型
ＦＥＴ１０ｆにデューティ比１／３のＬ信号を与える
と、第１モータＭ１にはｎ型ＦＥＴ１０ｃ側からｐ型Ｆ
ＥＴ１０ｂ側へ電流が流れて逆転駆動され、第２モータ
Ｍ２にはｎ型ＦＥＴ１０ｃ側からｐ型ＦＥＴ１０ｆ側へ
電流が流れて正転駆動される。
【００２０】第１の実施例は以上のように構成され、直
列接続した第１、第２モータＭ１、Ｍ２に対して、３組
の直列接続したｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの半導体素子組
を高電圧電源Ｅとグラウンドの間にそれぞれ並列に配
し、ｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの接続点を第１モータＭ１
の一端、第１モータＭ１の他端と第２モータＭ２の一端
の接続点、および第２モータＭ２の他端とにそれぞれ接
続したものとした。これにより、両モータＭ１、Ｍ２の
正転、逆転を単独にも同時的にも任意に駆動することが
でき、従来２つのモータに対してブリッジ回路を組む場
合８個の半導体素子が必要であったのに対して、各ＦＥ
Ｔが共有化され、制御対象のモータに応じて所定のＦＥ
ＴをＯＮする構成としたことによって、６個の半導体素
子で済むので、コストが低減する。
列接続した第１、第２モータＭ１、Ｍ２に対して、３組
の直列接続したｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの半導体素子組
を高電圧電源Ｅとグラウンドの間にそれぞれ並列に配
し、ｎ型ＦＥＴとｐ型ＦＥＴの接続点を第１モータＭ１
の一端、第１モータＭ１の他端と第２モータＭ２の一端
の接続点、および第２モータＭ２の他端とにそれぞれ接
続したものとした。これにより、両モータＭ１、Ｍ２の
正転、逆転を単独にも同時的にも任意に駆動することが
でき、従来２つのモータに対してブリッジ回路を組む場
合８個の半導体素子が必要であったのに対して、各ＦＥ
Ｔが共有化され、制御対象のモータに応じて所定のＦＥ
ＴをＯＮする構成としたことによって、６個の半導体素
子で済むので、コストが低減する。
【００２１】また、スイッチングを行う半導体素子とし
て、高電圧電源Ｅ側にｎ型ＦＥＴを、グラウンド側にｐ
型ＦＥＴを用いており、ＣＭＯＳＦＥＴを型成すること
ができるので、半導体基板への構成が簡単となる。そし
て、駆動するモータに対して下流側のｐ型ＦＥＴをデュ
ーティ制御する一方、上流側のｎ型ＦＥＴは連続のＯＮ
状態とするので、その分だけＯＮ、ＯＦＦ損失が低く抑
えられる。
て、高電圧電源Ｅ側にｎ型ＦＥＴを、グラウンド側にｐ
型ＦＥＴを用いており、ＣＭＯＳＦＥＴを型成すること
ができるので、半導体基板への構成が簡単となる。そし
て、駆動するモータに対して下流側のｐ型ＦＥＴをデュ
ーティ制御する一方、上流側のｎ型ＦＥＴは連続のＯＮ
状態とするので、その分だけＯＮ、ＯＦＦ損失が低く抑
えられる。
【００２２】次に、第２の実施例について説明する。こ
れは、３つのモータを駆動可能としたものである。図１
１に示すように、先の図１に示したと同一回路に接続さ
れた第１モータＭ１と第２モータＭ２に加えて、第３モ
ータＭ３の一端が第２モータＭ２の他端に接続して設け
られている。第３モータＭ３の他端は、ｎ型ＦＥＴ１０
ｇを介して高電圧電源Ｅに接続され、ｐ型ＦＥＴ１０ｈ
を介してグラウンドに接続されている。ｎ型ＦＥＴ１０
ａ、１０ｃ、１０ｅ、１０ｇおよびｐ型ＦＥＴ１０ｂ、
１０ｄ、１０ｆ、１０ｈはそれぞれそのゲートが接続さ
れた図示省略の制御装置からの信号により制御される。
れは、３つのモータを駆動可能としたものである。図１
１に示すように、先の図１に示したと同一回路に接続さ
れた第１モータＭ１と第２モータＭ２に加えて、第３モ
ータＭ３の一端が第２モータＭ２の他端に接続して設け
られている。第３モータＭ３の他端は、ｎ型ＦＥＴ１０
ｇを介して高電圧電源Ｅに接続され、ｐ型ＦＥＴ１０ｈ
を介してグラウンドに接続されている。ｎ型ＦＥＴ１０
ａ、１０ｃ、１０ｅ、１０ｇおよびｐ型ＦＥＴ１０ｂ、
１０ｄ、１０ｆ、１０ｈはそれぞれそのゲートが接続さ
れた図示省略の制御装置からの信号により制御される。
【００２３】第１モータＭ１と第２モータＭ２の単独あ
るいは同時的な正転、逆転駆動は第１の実施例と同じで
あるから、説明を省略する。第３モータＭ３のみを正転
駆動する場合は、図１２の（ａ）に示すように、ｎ型Ｆ
ＥＴ１０ｅにＨ信号を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に
示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｈにデューティ比１／３の
Ｌ信号を与える。
るいは同時的な正転、逆転駆動は第１の実施例と同じで
あるから、説明を省略する。第３モータＭ３のみを正転
駆動する場合は、図１２の（ａ）に示すように、ｎ型Ｆ
ＥＴ１０ｅにＨ信号を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に
示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｈにデューティ比１／３の
Ｌ信号を与える。
【００２４】これにより、図１１に矢示で示すように、
第３モータＭ３にはｎ型ＦＥＴ１０ｅ側からｐ型ＦＥＴ
１０ｈ側への電流が流れる。また、第３モータＭ３のみ
を逆転駆動する場合は、とくに図示しないが、ｎ型ＦＥ
Ｔ１０ｇにＨ信号を与えてＯＮにする一方、ｐ型ＦＥＴ
１０ｆにデューティ比１／３のＬ信号を与える。
第３モータＭ３にはｎ型ＦＥＴ１０ｅ側からｐ型ＦＥＴ
１０ｈ側への電流が流れる。また、第３モータＭ３のみ
を逆転駆動する場合は、とくに図示しないが、ｎ型ＦＥ
Ｔ１０ｇにＨ信号を与えてＯＮにする一方、ｐ型ＦＥＴ
１０ｆにデューティ比１／３のＬ信号を与える。
【００２５】つぎに、第１モータＭ１、第２モータＭ２
および第３モータＭ３のすべてを正転駆動する場合は、
図１３の（ａ）に示すように、制御装置は、ｎ型ＦＥＴ
１０ａにＨ信号を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に示す
ように、ｐ型ＦＥＴ１０ｈに連続のＬ信号（デューティ
比１００％）を与えてＯＮにする。他のｎ型ＦＥＴおよ
びｐ型ＦＥＴについては、ＯＦＦ状態に保持する。
および第３モータＭ３のすべてを正転駆動する場合は、
図１３の（ａ）に示すように、制御装置は、ｎ型ＦＥＴ
１０ａにＨ信号を与えてＯＮにする一方、（ｂ）に示す
ように、ｐ型ＦＥＴ１０ｈに連続のＬ信号（デューティ
比１００％）を与えてＯＮにする。他のｎ型ＦＥＴおよ
びｐ型ＦＥＴについては、ＯＦＦ状態に保持する。
【００２６】これにより、図１４に矢示で示すように、
ｎ型ＦＥＴ１０ａ側から、第１モータＭ１、第２モータ
Ｍ２、第３モータＭ３、そしてｐ型ＦＥＴ１０ｈ側へ電
流が流れる。４２Ｖ電源からの電力は、３つのモータに
配分され、各モータの平均電力は１／３となって、それ
ぞれ１４Ｖ電源での連続駆動時相当となる。
ｎ型ＦＥＴ１０ａ側から、第１モータＭ１、第２モータ
Ｍ２、第３モータＭ３、そしてｐ型ＦＥＴ１０ｈ側へ電
流が流れる。４２Ｖ電源からの電力は、３つのモータに
配分され、各モータの平均電力は１／３となって、それ
ぞれ１４Ｖ電源での連続駆動時相当となる。
【００２７】第１モータＭ１、第２モータＭ２および第
３モータＭ３のすべてを逆転駆動する場合は、とくに図
示しないが、ｎ型ＦＥＴ１０ｇにＨ信号を与えてＯＮに
する一方、ｐ型ＦＥＴ１０ｂに連続のＬ信号を与えてＯ
Ｎにする。これにより、図１４の矢示と逆方向に電流が
流れる。
３モータＭ３のすべてを逆転駆動する場合は、とくに図
示しないが、ｎ型ＦＥＴ１０ｇにＨ信号を与えてＯＮに
する一方、ｐ型ＦＥＴ１０ｂに連続のＬ信号を与えてＯ
Ｎにする。これにより、図１４の矢示と逆方向に電流が
流れる。
【００２８】また、第１モータＭ１を正転、第２モータ
Ｍ２および第３モータＭ３を逆転駆動する場合は、図１
５の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ａにデューテ
ィ比１／３のＨ信号を与え、（ｂ）に示すように、ｎ型
ＦＥＴ１０ｇにはデューティ比２／３のＨ信号を与え
る。そして、（ｃ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄに
連続のＬ信号を与える。これにより、第１モータＭ１に
はｎ型ＦＥＴ１０ａ側からｐ型ＦＥＴ１０ｄ側への電流
が流れ、第２モータＭ２と第３モータＭ３にはｎ型ＦＥ
Ｔ１０ｇ側からｐ型ＦＥＴ１０ｄ側への電流が流れる。
そして各モータの平均電力はそれぞれ１４Ｖ電源での連
続駆動時相当となる。
Ｍ２および第３モータＭ３を逆転駆動する場合は、図１
５の（ａ）に示すように、ｎ型ＦＥＴ１０ａにデューテ
ィ比１／３のＨ信号を与え、（ｂ）に示すように、ｎ型
ＦＥＴ１０ｇにはデューティ比２／３のＨ信号を与え
る。そして、（ｃ）に示すように、ｐ型ＦＥＴ１０ｄに
連続のＬ信号を与える。これにより、第１モータＭ１に
はｎ型ＦＥＴ１０ａ側からｐ型ＦＥＴ１０ｄ側への電流
が流れ、第２モータＭ２と第３モータＭ３にはｎ型ＦＥ
Ｔ１０ｇ側からｐ型ＦＥＴ１０ｄ側への電流が流れる。
そして各モータの平均電力はそれぞれ１４Ｖ電源での連
続駆動時相当となる。
【００２９】その他、第１モータＭ１、第２モータＭ２
および第３モータＭ３のうちの任意の１つまたは複数の
組合せについての正転、あるいは逆転駆動が、第１の実
施例に準じて可能である。
および第３モータＭ３のうちの任意の１つまたは複数の
組合せについての正転、あるいは逆転駆動が、第１の実
施例に準じて可能である。
【００３０】本実施例においても、従来３つのモータに
対してブリッジ回路を組む場合１２個の半導体素子が必
要であったのに対して、わずか８個の半導体素子で済む
ので、前実施例と同じくコストが低減するという効果を
有する。
対してブリッジ回路を組む場合１２個の半導体素子が必
要であったのに対して、わずか８個の半導体素子で済む
ので、前実施例と同じくコストが低減するという効果を
有する。
【００３１】なお、実施の形態では、モータが２つ、ま
たは３つの例について説明したが、本発明はこれに限定
されず、高電圧電源Ｅの電圧によって４つ以上のモータ
の駆動にも実施の形態に準じて適用することができ、し
かもモータの個数が増すほど、半導体素子の低減効果が
大きくなる。半導体素子組の組数は（モータの数＋１）
となる。この場合、デューティ比はモータ１個あたりの
平均電力が当該モータの定格と略合致するように高電圧
電源の電圧に応じて設定する。なお、デューティ比は、
第２の実施例ですべてのモータを正転あるいは逆転駆動
する場合のように、１００％の場合をも含む。
たは３つの例について説明したが、本発明はこれに限定
されず、高電圧電源Ｅの電圧によって４つ以上のモータ
の駆動にも実施の形態に準じて適用することができ、し
かもモータの個数が増すほど、半導体素子の低減効果が
大きくなる。半導体素子組の組数は（モータの数＋１）
となる。この場合、デューティ比はモータ１個あたりの
平均電力が当該モータの定格と略合致するように高電圧
電源の電圧に応じて設定する。なお、デューティ比は、
第２の実施例ですべてのモータを正転あるいは逆転駆動
する場合のように、１００％の場合をも含む。
【００３２】また、半導体素子として、電源側にｎ型Ｆ
ＥＴを、グラウンド側にｐ型ＦＥＴを用いたが、ＦＥＴ
をｎ型とｐ型の組とすることに限定されない。さらに
は、半導体素子として、ＦＥＴ以外のものも使用するこ
とができる。さらにまた、実施の形態では高電圧電源の
下で複数のモータを任意の組合せで駆動するものとした
が、電源電圧がモータに見合った通常電圧の場合におい
て、複数のモータを交互に駆動する装置の場合でも、Ｈ
型ブリッジを形成する半導体素子がモータ間で共有され
ることにより、コスト低減の効果を得ることができる。
ＥＴを、グラウンド側にｐ型ＦＥＴを用いたが、ＦＥＴ
をｎ型とｐ型の組とすることに限定されない。さらに
は、半導体素子として、ＦＥＴ以外のものも使用するこ
とができる。さらにまた、実施の形態では高電圧電源の
下で複数のモータを任意の組合せで駆動するものとした
が、電源電圧がモータに見合った通常電圧の場合におい
て、複数のモータを交互に駆動する装置の場合でも、Ｈ
型ブリッジを形成する半導体素子がモータ間で共有され
ることにより、コスト低減の効果を得ることができる。
【００３３】
【発明の効果】以上のとおり、本発明は、電源に対して
上流側半導体素子と下流側半導体素子を直列に接続した
半導体素子組を両端に接続してＨ型ブリッジを形成する
モータを複数備え、互いに隣接するモータ間ではそれぞ
れ１組の半導体素子組を共有するものとしたので、共有
化された半導体素子で必要なブリッジ回路が形成され、
全体として半導体素子の数が少なく、コストが低減す
る。
上流側半導体素子と下流側半導体素子を直列に接続した
半導体素子組を両端に接続してＨ型ブリッジを形成する
モータを複数備え、互いに隣接するモータ間ではそれぞ
れ１組の半導体素子組を共有するものとしたので、共有
化された半導体素子で必要なブリッジ回路が形成され、
全体として半導体素子の数が少なく、コストが低減す
る。
【００３４】とくに、電源を高電圧電源とし、これに各
半導体素子組を互いに並列に接続して、駆動対象のモー
タに対応して所定の２組の半導体素子組の一方における
上流側半導体素子または下流側半導体素子を選択的にデ
ューティ制御するものとすることにより、任意の組合せ
のモータを駆動できるとともに、各モータに高電圧電源
から直接過剰な電力が印加されるのを防止することがで
きる。
半導体素子組を互いに並列に接続して、駆動対象のモー
タに対応して所定の２組の半導体素子組の一方における
上流側半導体素子または下流側半導体素子を選択的にデ
ューティ制御するものとすることにより、任意の組合せ
のモータを駆動できるとともに、各モータに高電圧電源
から直接過剰な電力が印加されるのを防止することがで
きる。
【００３５】さらに、モータ駆動に関与する所定の２組
の半導体素子組の他方における、上記デューティ制御の
半導体素子と上流側・下流側に関して反対側の半導体素
子を、連続的なＯＮ状態とすることにより、ＯＮ、ＯＦ
Ｆによる損失がその分だけ低く抑えられる。また、デュ
ーティ制御におけるデューティ比は、駆動するモータの
定格に略対応する平均電力が供給されるように設定する
ことにより、モータの定格に見合った電力が供給でき
る。
の半導体素子組の他方における、上記デューティ制御の
半導体素子と上流側・下流側に関して反対側の半導体素
子を、連続的なＯＮ状態とすることにより、ＯＮ、ＯＦ
Ｆによる損失がその分だけ低く抑えられる。また、デュ
ーティ制御におけるデューティ比は、駆動するモータの
定格に略対応する平均電力が供給されるように設定する
ことにより、モータの定格に見合った電力が供給でき
る。
【００３６】さらに、半導体素子組における上流側半導
体素子をｎ型ＦＥＴとし、下流側半導体素子をｐ型ＦＥ
Ｔとして構成することにより、半導体基板上での構成が
簡単となる。
体素子をｎ型ＦＥＴとし、下流側半導体素子をｐ型ＦＥ
Ｔとして構成することにより、半導体基板上での構成が
簡単となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す回路図である。
【図２】第１モータを正転駆動する場合の制御波形を示
す図である。
す図である。
【図３】デューティ信号を示す図である。
【図４】第１モータを逆転駆動する場合の制御波形を示
す図である。
す図である。
【図５】第１モータと第２モータを正転駆動する場合の
制御波形を示す図である。
制御波形を示す図である。
【図６】第１モータと第２モータの正転駆動時の電流の
流れを示す図である。
流れを示す図である。
【図７】第１モータと第２モータを逆転駆動する場合の
制御波形を示す図である。
制御波形を示す図である。
【図８】第１モータを正転、第２モータを逆転駆動する
場合の制御波形を示す図である。
場合の制御波形を示す図である。
【図９】第１モータ正転、第２モータ逆転駆動時の電流
の流れを示す図である。
の流れを示す図である。
【図１０】第１モータを逆転、第２モータを正転駆動す
る場合の制御波形を示す図である。
る場合の制御波形を示す図である。
【図１１】第２の実施例を示す回路図である。
【図１２】第３モータを正転駆動する場合の制御波形を
示す図である。
示す図である。
【図１３】第１モータ、第２モータおよび第３モータを
正転駆動する場合の制御波形を示す図である。
正転駆動する場合の制御波形を示す図である。
【図１４】第１モータ、第２モータおよび第３モータの
正転駆動時の電流の流れを示す図である。
正転駆動時の電流の流れを示す図である。
【図１５】第１モータを正転、第２モータと第３モータ
を逆転駆動する場合の制御波形を示す図である。
を逆転駆動する場合の制御波形を示す図である。
【図１６】従来例を示す図である。
１０ａ、１０ｃ、１０ｅ、１０ｇ ｎ型ＦＥＴ（上流
側半導体素子） １０ｂ、１０ｄ、１０ｆ、１０ｈ ｐ型ＦＥＴ（下流
側半導体素子） ２０ 制御装置 Ｅ 高電圧電源 Ｍ１ 第１モータ Ｍ２ 第２モータ Ｍ３ 第３モータ
側半導体素子） １０ｂ、１０ｄ、１０ｆ、１０ｈ ｐ型ＦＥＴ（下流
側半導体素子） ２０ 制御装置 Ｅ 高電圧電源 Ｍ１ 第１モータ Ｍ２ 第２モータ Ｍ３ 第３モータ
Claims (5)
- 【請求項１】 電源に対して上流側半導体素子と下流側
半導体素子を直列に接続した半導体素子組を両端に接続
してＨ型ブリッジを形成するモータを複数備え、互いに
隣接するモータ間ではそれぞれ１組の前記半導体素子組
を共有して、前記複数のモータを直列に接続してあるこ
とを特徴とするモータの駆動回路。 - 【請求項２】 高電圧電源に接続されて複数のモータを
駆動するモータの駆動回路であって、前記複数のモータ
を直列接続し、前記高電圧電源に、（モータの数＋１）
組の上流側半導体素子と下流側半導体素子を直列に接続
した半導体素子組を互いに並列に接続し、前記モータの
直列接続の両端およびモータ間の接続点を、それぞれ前
記半導体素子組における上流側半導体素子と下流側半導
体素子間の接続点に接続し、前記複数のモータのうち駆
動対象のモータに対応して、所定の２組の半導体素子組
の一方における前記上流側半導体素子または下流側半導
体素子を選択的にデューティ制御するように構成したこ
とを特徴とするモータの駆動回路。 - 【請求項３】 前記所定の２組の半導体素子組の他方に
おける、前記デューティ制御する半導体素子と上流側・
下流側に関して反対側の半導体素子は、前記駆動対象の
モータを駆動の間、連続的なＯＮ状態に保持することを
特徴とする請求項２記載のモータの駆動回路。 - 【請求項４】 前記デューティ制御におけるデューティ
比を、前記駆動対象のモータのそれぞれに当該モータの
定格に略対応する平均電力が供給されるように設定する
ことを特徴とする請求項２または３記載のモータの駆動
回路。 - 【請求項５】 前記半導体素子組における上流側半導体
素子がｎ型ＦＥＴであり、下流側半導体素子がｐ型ＦＥ
Ｔであることを特徴とする請求項１から４のいずれか１
に記載のモータの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002138931A JP2003333895A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | モータの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002138931A JP2003333895A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | モータの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003333895A true JP2003333895A (ja) | 2003-11-21 |
Family
ID=29700247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002138931A Withdrawn JP2003333895A (ja) | 2002-05-14 | 2002-05-14 | モータの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003333895A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100774763B1 (ko) | 2006-07-24 | 2007-11-08 | 현대자동차주식회사 | Ａｇｃｓ 모터 드라이버 |
| JP2011507469A (ja) * | 2007-12-11 | 2011-03-03 | ヴァレオ セキュリテ アビタクル | 複数のモータを制御するための回路 |
| JP2012170276A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Jtekt Corp | モータ制御装置および車両用操舵装置 |
| JP2012170275A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Jtekt Corp | モータ制御装置および車両用操舵装置 |
| WO2021085177A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| WO2021085178A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| JP2021078341A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-20 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| JP2021078340A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-20 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| DE102021117036A1 (de) | 2021-07-01 | 2023-01-05 | Brose Fahrzeugteile Se & Co. Kommanditgesellschaft, Bamberg | Antriebsanordnung für eine Klappe eines Kraftfahrzeugs |
| DE102021132938A1 (de) | 2021-08-17 | 2023-02-23 | Miele & Cie. Kg | Antriebssystem |
| EP4199340A1 (de) * | 2021-12-14 | 2023-06-21 | Miele & Cie. KG | Antriebssystem |
-
2002
- 2002-05-14 JP JP2002138931A patent/JP2003333895A/ja not_active Withdrawn
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100774763B1 (ko) | 2006-07-24 | 2007-11-08 | 현대자동차주식회사 | Ａｇｃｓ 모터 드라이버 |
| JP2011507469A (ja) * | 2007-12-11 | 2011-03-03 | ヴァレオ セキュリテ アビタクル | 複数のモータを制御するための回路 |
| JP2012170276A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Jtekt Corp | モータ制御装置および車両用操舵装置 |
| JP2012170275A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-06 | Jtekt Corp | モータ制御装置および車両用操舵装置 |
| CN114630782A (zh) * | 2019-11-01 | 2022-06-14 | 株式会社电装 | 旋转电机控制装置 |
| WO2021085178A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| JP2021078341A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-20 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| JP2021078340A (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-20 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| WO2021085177A1 (ja) * | 2019-11-01 | 2021-05-06 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| JP7205519B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-01-17 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| JP7283443B2 (ja) | 2019-11-01 | 2023-05-30 | 株式会社デンソー | 回転機制御装置 |
| US11750120B2 (en) | 2019-11-01 | 2023-09-05 | Denso Corporation | Rotating machine control device |
| US11811338B2 (en) | 2019-11-01 | 2023-11-07 | Denso Corporation | Rotating machine control device |
| CN114630782B (zh) * | 2019-11-01 | 2024-04-02 | 株式会社电装 | 旋转电机控制装置 |
| DE102021117036A1 (de) | 2021-07-01 | 2023-01-05 | Brose Fahrzeugteile Se & Co. Kommanditgesellschaft, Bamberg | Antriebsanordnung für eine Klappe eines Kraftfahrzeugs |
| DE102021132938A1 (de) | 2021-08-17 | 2023-02-23 | Miele & Cie. Kg | Antriebssystem |
| EP4199340A1 (de) * | 2021-12-14 | 2023-06-21 | Miele & Cie. KG | Antriebssystem |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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