JP2003332071A

JP2003332071A - 有機ｅｌ用色変換基板

Info

Publication number: JP2003332071A
Application number: JP2002142355A
Authority: JP
Inventors: Masanori Fukuda; 政典福田
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2002-05-17
Filing date: 2002-05-17
Publication date: 2003-11-21

Abstract

(57)【要約】【課題】有機ＥＬ用色変換基板の色変換層および／また
はオーバーコート層の端部での段差部分において、アノ
ード電極の補助電極が断線することのない有機ＥＬ用色
変換基板を提供する。【解決手段】透明基板にすくなくとも色変換層とオーバ
ーコート層とアノード電極を順番に形成した構成を有
し、有機ＥＬが放射する光を入射して所定波長の光に変
換し、前記透明基板の外側に放射するための有機ＥＬ用
色変換基板であって、前記アノード電極は前記オーバー
コート層に形成された透明電極と金属の補助電極との２
層構造であり、前記補助電極の線幅は前記色変換層の端
部および／または前記オーバーコート層の端部において
画素領域における線幅よりも大きくした有機ＥＬ用基
板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は平面型ディスプレイ
の技術分野に属する。特に、形状を改良し断線を起こし
難くしたアノード電極を有する有機ＥＬ用色変換基板基
板に関する。

【０００２】

【従来の技術】フルカラー表示のディスプレイにおいて
は、三原色（通常は赤色と緑色と青色）の各色の発光強
度（輝度）により多彩な色を表現するから、三原色を発
光する画素を形成する必要性がある。有機ＥＬディスプ
レイにおいては、三原色を得るために以下に説明する３
つの方法が知られている。第１の方法は、赤色と緑色と
青色の各画素に異なる発光材料（有機ＥＬ材料）を用い
る方法である。この方法では、有機ＥＬ材料が有機溶剤
に可溶であることからフォトリソグラフィによるパター
ン形成は非常に困難である。そのため、メタルマスクを
介して各色ごとに真空蒸着を行い画素を形成する方法が
行なわれる。しかしながら、マスクの精細度には限界が
ある。また、輝度や寿命等の特性が各色の発光層で異な
るためディスプレイとしての特性が最も特性の低い発光
層によって制限される。

【０００３】第２の方法は、白色の有機ＥＬ素子が放射
する光からカラーフィルタを用いて赤色と緑色と青色の
各画素に必要な光成分だけを透過するようにする方法で
ある。しかし、白色の光を放射する高い効率を有する有
機ＥＬ材料はいまだ発見されていない。各色の発光層を
混合して白色の光を放射を得るような方法では、やはり
輝度や寿命等の特性の低い発光層によってディスプレイ
としての特性が制限される。

【０００４】第３の方法は、青色の光を放射する有機Ｅ
Ｌ材料を使用し、その青色光を色変換層により緑色光と
赤色光に変換する方法である。この方法は有機ＥＬ材料
として青色発光のものだけを使用して発光層を構成する
ことができることと、色変換層をパター形成することで
フルカラー化できるため非常に優れた方法である。しか
しながら、青色の有機ＥＬ層からの発光をそれぞれ赤
色、緑色に変換するためには色変換層の厚みが１０μｍ
以上必要である。また、色変換層と色変換層との間にお
ける段差を平坦化するためには透明樹脂からなるオーバ
ーコート層が５μｍ以上必要となる。アノード電極はそ
れらの段差を乗り越えるようにオーバーコート層の上に
形成される。アノード電極は、ＩＴＯなどの透明電極に
抵抗値を減少させるためにクロムなどの金属薄膜の補助
電極を積層した構造となっている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】オーバーコート層の上
に成膜された透明電極と補助電極をパターニングするた
めにはフォトレジストをオーバーコート層に形成する
が、オーバーコート層が傾斜する部分ではフォトレジス
トが薄くなる。図５は有機ＥＬ用色変換基板における端
部の断面図であり、上述のフォトレジスト１０５が設け
られている。図５に示すように、オーバーコート層１０
３が傾斜する部分ではフォトレジスト１０５が薄くな
る。

【０００６】そのため、フォトマスクを介して露光を行
い現像して得られるレジストパターンにおいて、オーバ
ーコート層が傾斜する部分ではフォトマスクの線幅に対
してフォトレジストの線幅が細くなる傾向がある。図６
は有機ＥＬ用色変換基板における端部の上面図であり、
上述のレジストパターンが設けられている。図６に示す
ように、オーバーコート層が傾斜する部分、すなわち色
変換層作製領域１１２の端部とオーバーコート層作製領
域１１３の端部ではフォトマスクの線幅に対してレジス
トパターン１１４の線幅が細くなる傾向がある。

【０００７】抵抗値を下げるためには補助電極の線幅は
太い方が好ましい。一方、画素領域の開口率を大きくす
るためには補助電極の線幅は細い方が好ましい。両者が
勘案されるが、一般的には、線幅は１０〜１５μｍ程度
と細くなることが多い。線幅が細くなることにより、抵
抗値の増大や断線の発生という問題が起きる。図７は従
来の有機ＥＬ用色変換基板における端部の上面図であ
り、線幅の細い補助電極１２５が設けられている。図７
は線幅が部分的に細ることなくマスクパターンのとおり
に理想的に形成された透明電極１２４と補助電極１２５
を示している。図７に示すように、画素領域（色変換層
作成領域１２２）から電極端子部（図７の右側）まで同
一の細い線幅である。

【０００８】また、透明電極を成膜した後に金属薄膜を
成膜し、金属電極、透明電極の順番にパターニングを行
って電極を作製することが行なわれる。このとき、透明
電極のパターニングに用いられるエッチング液が金属電
極を溶解させる場合がある。したがって、透明電極のレ
ジストパターンは金属電極を全て覆うように形成する必
要性がある。ところが透明電極のレジストパターンが色
変換層およびオーバーコート層の端部での段差部分で細
くなることにより金属電極が露出し、エッチングにより
金属電極を断線させることがある。

【０００９】そこで本発明の目的は、有機ＥＬ用色変換
基板の色変換層および／またはオーバーコート層の端部
での段差部分において、アノード電極の補助電極が断線
することのない有機ＥＬ用色変換基板を提供することに
ある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の目的は下記の本発
明によって達成される。すなわち、本発明の請求項１に
係る有機ＥＬ用色変換基板は、透明基板にすくなくとも
色変換層とオーバーコート層とアノード電極を順番に形
成した構成を有し、有機ＥＬが放射する光を入射して所
定波長の光に変換し、前記透明基板の外側に放射するた
めの有機ＥＬ用色変換基板であって、前記アノード電極
は前記オーバーコート層に形成された透明電極と金属の
補助電極との２層構造であり、前記補助電極の線幅は前
記色変換層の端部および／または前記オーバーコート層
の端部において画素領域における線幅よりも大きくした
ものである。

【００１１】本発明によれば、補助電極の線幅は色変換
層の端部および／またはオーバーコート層の端部におい
て画素領域における線幅よりも大きい。したがって、有
機ＥＬ用色変換基板の色変換層および／またはオーバー
コート層の端部での段差部分において、アノード電極の
補助電極が断線することのない有機ＥＬ用色変換基板が
提供される。

【００１２】また本発明の請求項２に係る有機ＥＬ用色
変換基板は、請求項１に係る有機ＥＬ用色変換基板にお
いて、前記補助電極の前記端部における線幅は前記画素
領域における線幅の２倍以上、かつ前記透明電極の線幅
の９０％の範囲で形成されているようにしたものであ
る。本発明によれば、補助電極の端部における線幅は画
素領域における線幅の２倍以上、かつ透明電極の線幅の
９０％の範囲で形成されており、最大限の線幅が確保さ
れる。

【００１３】また本発明の請求項３に係る有機ＥＬ用色
変換基板は、請求項１または２に係る有機ＥＬ用色変換
基板において、前記補助電極の前記端部における位置を
前記画素領域における位置よりも前記透明電極の中央寄
りに配置するようにしたものである。本発明によれば、
透明電極をパターニングするときに補助電極の線幅を小
さくする悪影響を受け難い。

【００１４】また本発明の請求項４に係る有機ＥＬ用色
変換基板は、請求項１〜３のいずれかに係る有機ＥＬ用
色変換基板において、前記端部と前記画素領域との前記
補助電極における接続部分の方向が前記補助電極におけ
る他部分の方向に対して０度から９０度の角度であるよ
うにしたものである。本発明によれば、色変換層および
／またはオーバーコート層の端部と画素領域との補助電
極における接続部分において補助電極の位置が変化し透
明電極の中央寄りに配置される。

【００１５】また本発明の請求項５に係る有機ＥＬ用色
変換基板は、請求項１〜４のいずれかに係る有機ＥＬ用
色変換基板において、前記透明性基板と前記色変換基板
の間にカラーフィルタを配置するようにしたものであ
る。本発明によれば、アノード電極の補助電極が断線す
ることがなくかつ色再現性が改良された有機ＥＬ用色変
換基板が得られる。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、本発明について実施の形態
により説明する。本発明の有機ＥＬ用色変換基板におけ
るアノード電極のパターン、すなわち透明電極と補助電
極のパターンについて図1、図2を参照して説明する。図
１、図2は本発明の有機ＥＬ用色変換基板における端部
の上面図であり、本発明に特徴的な形状の補助電極が設
けられている。図１は線幅が部分的に細ることなくマス
クパターンのとおりに形成された理想的な透明電極１４
と補助電極１６を示している。一方、図２は線幅が部分
的に細っており実際に得られる形状の透明電極２５と補
助電極２６を示している。

【００１７】図１に示すように、理想的な透明電極１４
と補助電極１６は、色変換層作製領域１２（画素領域）
の端部（点線で示してある）においても、オーバーコー
ト層作製領域１３の（点線で示してある）においても線
幅が細くなることはない。この図１にはマスクパターン
における透明電極１４と補助電極１６の形状がそのまま
示されている。透明電極１４は、有機ＥＬ用色変換基板
における色変換層作製領域１２の部分から基板の端部ま
で同一の幅を有する帯形状である。

【００１８】一方、補助電極１６は、有機ＥＬ用色変換
基板における色変換層作製領域１２の部分においては線
幅が細い。また補助電極１６は、色変換層作製領域１２
の部分においては、画素の中央から外れた位置、すなわ
ち透明電極１４の長手方向の中央線から外れ（図１では
下側）縁近くに設けられている。図１に示す一例におい
ては、補助電極１６は色変換層作製領域１２の端部に接
近した位置で方向を変化させ線幅も太くなっている。

【００１９】また、補助電極１６は、有機ＥＬ用色変換
基板における色変換層作製領域１２の外側から端部にお
いては線幅が太い。また補助電極１６は、色変換層作製
領域１２の外側から端部においては、画素の中央の位
置、すなわち透明電極１４の長手方向の中央線の近くに
設けられている。

【００２０】また、図１に示すように、補助電極１６
は、有機ＥＬ用色変換基板における色変換層作製領域１
２の部分と、その外側から端部との接続部分（境界領
域）において線幅と方向を変化させる。本発明において
は、画素領域と端部との補助電極１６における接続部分
の方向が補助電極１６における他部分の方向に対して０
度から９０度の角度である。たとえば、図１に示す一例
においては、約４５度となっている。

【００２１】実際のアノード電極は、図１に示すように
マスクパターンと同一形状とはならず、図２に示すよう
に線幅の細い部分が生じる。すでに説明したように、オ
ーバーコート層が傾斜する部分ではフォトレジストが薄
くなる。そのため、フォトマスクを介して露光を行い現
像して得られるレジストパターンにおいて、オーバーコ
ート層が傾斜する部分ではフォトマスクの線幅に対して
フォトレジストの線幅が細くなる傾向がある。図２に示
すように、色変換層作製領域２２の端部、オーバーコー
ト層作製領域２３の端部においてオーバーコート層が傾
斜する（図５参照）。

【００２２】図２に示すアノード電極は、オーバーコー
ト層に形成された透明電極２５と金属の補助電極２６と
の２層構造である。補助電極２６の線幅は色変換層作製
領域２２の端部（実線で示してある）と、オーバーコー
ト層作製領域２３の端部（実線で示してある）における
線幅は、全体として細っているものの、画素領域におけ
る線幅よりも大きくなっている。これにより、有機ＥＬ
用色変換基板の色変換層作製領域２２やオーバーコート
層作製領域２３の端部での段差部分において、アノード
電極の補助電極２６が断線することがなくなる。

【００２３】特に、この線幅を画素領域における線幅の
２倍以上、かつ透明電極の線幅の９０％の範囲で形成す
ると最大限の線幅が確保され好適な結果を得ることがで
きる。また、図１に示したと同様、図２においても補助
電極２６の端部における位置は画素領域における位置よ
りも透明電極２５の中央寄りに配置されている。これに
より、透明電極２５をパターニングするときに補助電極
２６の線幅を小さくする悪影響が受け難くなっている。

【００２４】以上、本発明の有機ＥＬ用色変換基板にお
けるアノード電極の形状について説明した。次に、本発
明の有機ＥＬ用色変換基板の構成と製造方法について一
例を図３、図４を参照して説明する。図３は本発明の有
機ＥＬ用色変換基板における構成の一例を示す上面図で
ある。図４は本発明の有機ＥＬ用色変換基板における構
成の一例を示す断面図である。

【００２５】図３、図４に示すように本発明の有機ＥＬ
用色変換基板は下記の構成を有する。すなわち、透明性
の基板３３上にブラックマトリックス３４を形成し、赤
色、緑色、青色のカラーフィルター層（図示せず）を順
次形成する。緑色のカラーフィルタ層上にＥＬ層（図示
せず）からの発光を緑色に変換する緑色色変換層３５、
赤色のカラーフィルタ層の上にＥＬ層（図示せず）から
の発光を赤色に変換する緑色色変換層３６を形成する。
青色のカラーフィルタ層の上には平坦性を持たせるため
の透明の樹脂層３７を形成する。それら色変換層と樹脂
層の上に透明なオーバーコート層３８を塗布する。その
オーバーコート層３８の上に透明電極３９と補助電極４
０を積層した構造のアノード電極をパターニングにより
形成する。

【００２６】透明性の基板３３は、無アルカリガラス、
ソーダライムガラス、ＳｉＯ₂基板、透明フィルム、等
の透明基板を用いることができる。その透明基板は、通
常は、厚さが０．５〜３．０ｍｍ程度のものが有機ＥＬ
用色変換基板に適用される。

【００２７】ブラックマトリックス３４は、クロム、ニ
ッケル、モリブデン、等の金属またはそれらの金属と金
属酸化物との積層膜である。その積層膜は、めっき法、
スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング
法、等を適用して基板３３上に成膜する。その積層膜た
いしては、所定のパターンが得られるようにエッチング
法が適用される。

【００２８】また、ブラックマトリックス３４は、黒色
顔料を分散した感光性レジストを基板３３の全面にコー
ティングし、フォトマスクを介して露光し、現像により
不要部分を除去することによっても形成することができ
る。ブラックマトリックス３４は、通常は、厚さが１０
０〜１０００ｎｍ程度のものが有機ＥＬ用色変換基板に
適用される。

【００２９】カラーフィルタ（図示せず）は、公知のポ
ジ型またはネガ型の感光性レジストに着色材を含有させ
た感光性材料を使用する顔料分散法によって形成するこ
とができる。すなわち、ブラックマトリックス３４を形
成した基板３３の上に感光性着色材料を塗布し、この塗
布膜を所定のフォトマスクを介して露光し、その後、現
像液を使用して不要部分を除去しパターンを形成する。
この工程を３回繰り返し、赤色、緑色、青色のカラーフ
ィルタを形成する。

【００３０】色変換層は、蛍光色素をバインダー樹脂中
に溶解または分散させた固体状態のものを有機ＥＬ用色
変換基板に適用することができる。青色の有機ＥＬ素子
（図示せず）の発光を緑色発光に変換する色変換層に使
用する蛍光色素としては、たとえば、２，３，５，６−
１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフロルメチルキノ
リジノ（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５
３）、３−（２’−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチル
アミノクマリン（以下クマリン６）、３−（２’−ベン
ズイミダゾリル）−７−Ｎ、Ｎ−ジエチルアミノクマリ
ン（以下クマリン７）等のクマリン色素、ベーシックイ
エロー５１、または、ソルベントイエロー１１、ソルベ
ントイエロー１１６等のナフタルイミド色素等の１種ま
たは２種以上を挙げることができる。

【００３１】また、青色の有機ＥＬ素子（図示せず）の
発光を橙色〜赤色発光に変換する色変換層に使用する蛍
光色素としては、たとえば、４−ジシアノメチレン−２
−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチルリル）−４
Ｈ−ピラン（以下ＤＣＭ）等のシアニン系色素、１−エ
チル−２−（４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−
１、３−ブタジエニル）−ピリジニウム−パークロレー
ト（以下ピリジン１）等のピリジン系色素、ローダミン
Ｂ，ローダミン６Ｇ、等のローダミン系色素、あるいは
他にオキサジン系等の１種または２種以上が挙げられ
る。

【００３２】一方、色変換層に使用するバインダー樹脂
としては、透明な（可視光５０％以上の透過率）材料
で、フォトリソグラフィ法が適用できる感光性樹脂、た
とえば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸
ビニル系、環化ゴム系、等の反応性ビニル基を有する光
硬化型レジスト材料が挙げられる。

【００３３】上述の蛍光色素と上述のバインダー樹脂と
適当な溶剤とを混合分散または可溶かさせて液状とし、
スピンコート法、ロールコート法、バーコート法、キャ
スト法、等の方法で基板上にコーティングする。この塗
工膜を所定のフォトマスクを介して露光し、その後、現
像液を使用して不要部分を除去してパターンを形成す
る。この工程を２回繰り返して緑色色変換層３５と赤色
色変換層３６を形成する。膜厚は、有機ＥＬ素子の発光
を十分に吸収し、蛍光を発生する機能を妨げるものでな
ければ制限はなく、蛍光色素により若干異なるが、通常
１０μｍ〜５０μｍの範囲内である。

【００３４】青色カラーフィルタの上には透明の樹脂層
２７を表面の段差を無くすため、色変換層と同様の形状
に形成することが望ましい。材質としては、透明な（可
視光５０％以上の透過率）材料で、フォトリソグラフィ
ー法が適用できる感光性樹脂、たとえば、アクリル酸
系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニル系、環化ゴム
系、等の反応性ビニル基を有する光硬化型レジスト材料
が挙げられる。スピンコート法、ロールコート法、バー
コート法、キャスト法、等の方法で基板上にコーティン
グする。この塗布膜を所定のフォトマスクを介して露光
し、その後現像液を使用して不要部分を除去してパター
ンを形成する。

【００３５】透明なオーバーコート層３８は青色カラー
フィルタの上に形成される透明樹脂層と同様の材質でよ
い。透明な（可視光５０％以上の透過率）材料で、フォ
トリソグラフィー法が適用できる感光性樹脂、たとえ
ば、アクリル酸系、メタクリル酸系、ポリケイ皮酸ビニ
ル系、環化ゴム系、等の反応性ビニル基を有する光硬化
型レジスト材料が挙げられる。スピンコート法、ロール
コート法、バーコート法、キャスト法、等の方法で基板
上にコーティングする。この塗布膜を所定のフォトマス
クを介して露光し、その後、現像液を使用して不要部分
を除去してパターンを形成する。膜厚は表面を平坦化で
きる程度でよく、通常は５〜１０μｍである。

【００３６】アノード電極３９、４０はＩＴＯ等の導電
性のある金属の酸化物をスパッタ法、蒸着法、イオンプ
レーティング法、等を用いて積層して成膜し、補助電極
マスクパターン、透明電極マスクパターンを用いて順次
パターニングする。補助電極のパターンは色変換層およ
びオーバーコート層の端部での段差部分の線幅を太く
し、透明電極の中央寄りに配置するようなパターンとな
っている。通常、透明電極の厚さは１００〜２５０ｎ
ｍ、補助電極の厚さは５０〜３００ｎｍ、画素領域にお
ける補助電極の線幅は５〜２０μｍである。

【００３７】

【実施例１】（基板作製）３００×４００ｍｍ、板厚
０．７ｍｍのソーダライムガラス基板にスパッタリング
によって、厚さ０．２μｍの酸化クロム／クロムの積層
構造膜を形成し、レジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−８０
０）を０．６μｍの厚さに塗布して、プリベークし所定
のパターンを形成したマスクを用いて露光し、レジスト
の現像を行った後に酸化クロム／クロム膜をエッチン
グ、レジストの剥離、洗浄、乾燥工程を経てブラックマ
トリックスを形成した。

【００３８】次に、ブラックマトリックスが形成された
基板全面に、赤色パターン用の感光性着色材料（富士フ
ィルムオーリン（株）製ＣＲ−２０００）をスピンコー
ト法により塗布して赤色感光性樹脂層を形成し、プレベ
ーク（９０℃、３分間）を行った。その後、所定の着色
パターン用フォトマスクを用いて赤色感光性樹脂層をア
ライメント露光し、現像液（富士フィルムオーリン
（株）製ＣＤ）にて現像を行い、次いで、ポストベーク
（２００℃、３０分間）を行なって、ブラックマトリッ
クスパターンに対して所定の位置に赤色パターン（厚み
１．３μｍ）を形成した。

【００３９】同様に、緑色パターン用の感光性着色材料
（富士フィルムオーリン（株）製ＣＧ−２０００）を用
いて、ブラックマトリックスパターンに対して所定の位
置に緑色パターン（厚さ１．３μｍ）を形成した。さら
に、青色パターン用の感光性着色材料（富士フィルムオ
ーリン（株）製ＣＢ−２０００）を用いて、ブラックマ
トリックスパターンに対して所定の位置に青色パターン
（厚み１．３μｍ）を形成した。

【００４０】次に、クマリン６をアクリル系の光硬化型
レジスト（日本合成ゴム社製ＪＮＰＣ０６）の固形分１
ｋｇに対して０．０３ｍｏｌとなるように配合して分散
したレジストをスピンコートし、８０℃でベークした。
次に、所定のフォトマスクを介して３００ｍＪ／ｃｍ²
で露光し、１質量％炭酸ナトリウム水溶液で室温現像し
て未露光部の色変換層を除去後、２００℃でベークして
蛍光体層のパターン（緑色変換層）を形成した。緑色変
換層の膜厚は、約１０μｍである。

【００４１】次に、クマリン６と、４質量％（対ベンゾ
グアナミン樹脂）のローダミン６Ｇと、４質量％（対ベ
ンゾグアナミン樹脂）のローダミンＢをベンゾグアナミ
ン樹脂中に練り込んだ蛍光顔料と、アクリル系の光硬化
型レジストとを、クマリン６の配合量を、ローダミン６
ＧおよびローダミンＢをベンゾグアナミン樹脂中に練り
込んだ蛍光顔料とアクリル系の光硬化型レジストの固形
分との合計量１ｋｇに対し０．０３ｍｏｌ、蛍光顔料の
配合量を３０質量％、並びにアクリル系の光硬化型レジ
スト（日本合成ゴム社製ＪＮＰＣ０６）の固形分の配合
量を７０質量％となるようにしたレジストをスピンコー
トし、８０℃でベークした。

【００４２】次に、所定のフォトマスクを介して６００
ｍＪ／ｃｍ²で露光し、１質量％炭酸ナトリウム水溶液
で室温現像して未露光部の色変換層を除去後、２００℃
でベークして蛍光体層のパターン（赤色変換層）を形成
した。赤色変換層の膜厚は、約１０μｍである。

【００４３】次に、アクリル系の光硬化および熱硬化型
樹脂（新日鉄化学社製Ｖ２５９ＰＡ）を色変換層の上に
スピンコートし、８０℃でベーク後、所定のフォトマス
クを介して、３００ｍＪ／ｃｍ²で露光した。次に、
０．１質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像して非露光
部を除去し、１６０℃でベークして青色カラーフィルタ
の上に透明の樹脂層を形成した、透明樹脂層の膜厚は約
１０μｍである。

【００４４】オーバーコート層として、アクリル系の光
硬化および熱硬化型樹脂（新日鉄化学社製Ｖ２５９Ｐ
Ａ）を色変換層の上にスピンコートし、８０℃でベーク
後、色変換層を覆うようなパターンが得られるマスクを
介して、３００ｍＪ／ｃｍ２で露光した。次に、０．１
質量％の炭酸ナトリウム水溶液で現像し非露光部を除去
し、１６０℃でベークした。得られた平坦化層の膜厚は
５μｍで、表面凹凸は、０．５μｍ以下に平坦化され
た。引き続き、スパッタリング法を用いＩＴＯを厚さ１
５０ｎｍで基板全面に成膜した。さらに補助電極として
Ｃｒを厚さ２００ｎｍでスパッタリング法を用いて基板
全面に成膜した。

【００４５】（マスク設計）従来の電極パターンではピ
ッチ１００μｍで透明電極の幅が８５μｍ、補助電極の
幅が１０μｍであり、補助電極は透明電極の端から１０
μｍの内側に形成されている。マスクを設計するに当た
り、上記方法で作製した基板に従来の電極パターンのフ
ォトマスクを用いてパターニングを行ったところ透明電
極、補助電極ともに設計値（フォトマスクの線幅）に対
して線幅が１０μｍだけ細くなることが確認された。こ
の結果から、色変換層およびオーバーコート層の端部で
の段差部分の線幅を３０μｍとし、透明電極の端から２
５μｍの位置に配置し、画素領域の補助電極と４５度の
角度で接続する補助電極のマスクパターンを設計した。

【００４６】（電極パターニング）ＩＴＯ、クロムを積
層して成膜した基板にレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ−
８００）を０．６μｍの厚さに塗布して、プリベークし
新たに設計した補助電極パターンを形成したマスクを用
い露光し、レジストの現像を行った後にクロム膜をエッ
チング、レジストの剥離、洗浄、乾燥工程を経て補助電
極を形成した。引き続きレジスト（東京応化製ＯＦＰＲ
−８００）を０．６μｍの厚さに塗布して、プリベーク
し新たに設計した透明電極パターンを形成したマスクを
用い露光し、レジストの現像を行った後にエッチング、
レジストの剥離、洗浄、乾燥工程を経て透明電極を形成
した。作製された電極を顕微鏡観察したところ段差部分
での補助電極の線幅は約２０μｍで透明電極の端から２
５μｍの位置に作製されていることが確認された。

【００４７】

【発明の効果】以上のとおりであるから、本発明の請求
項１に係る有機ＥＬ用色変換基板によれば、有機ＥＬ用
色変換基板の色変換層および／またはオーバーコート層
の端部での段差部分において、アノード電極の補助電極
が断線することのない有機ＥＬ用色変換基板が提供され
る。また本発明の請求項２に係る有機ＥＬ用色変換基板
によれば、補助電極の端部における線幅は画素領域にお
ける線幅の２倍以上、かつ透明電極の線幅の９０％の範
囲で形成されており、最大限の線幅が確保される。また
本発明の請求項３に係る有機ＥＬ用色変換基板によれ
ば、透明電極をパターニングするときに補助電極の線幅
を小さくする悪影響を受け難い。また本発明の請求項４
に係る有機ＥＬ用色変換基板によれば、色変換層および
／またはオーバーコート層の端部と画素領域との補助電
極における接続部分において補助電極の位置が変化し透
明電極の中央寄りに配置される。また本発明の請求項５
に係る有機ＥＬ用色変換基板によれば、アノード電極の
補助電極が断線することがなくかつ色再現性が改良され
た有機ＥＬ用色変換基板が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の有機ＥＬ用色変換基板における端部の
上面図であり、線幅が部分的に細ることなくマスクパタ
ーンのとおりに形成された理想的な透明電極と補助電極
を示す図である。

【図２】本発明の有機ＥＬ用色変換基板における端部の
上面図であり、線幅が部分的に細っており実際に得られ
る形状の透明電極と補助電極を示す図である。

【図３】本発明の有機ＥＬ用色変換基板における構成の
一例を示す上面図である。

【図４】本発明の有機ＥＬ用色変換基板における構成の
一例を示す断面図である。

【図５】有機ＥＬ用色変換基板における端部の断面図で
あり、フォトレジストが設けられている。

【図６】有機ＥＬ用色変換基板における端部の上面図で
あり、上述のレジストパターンが設けられている。

【図７】従来の有機ＥＬ用色変換基板における端部の上
面図であり、線幅が部分的に細ることなくマスクパター
ンのとおりに理想的に形成された透明電極と補助電極を
示している。

【符号の説明】１２，２２，１１２色変換層作製領域１３，２３，１１３オーバーコート層作製領域３９，１２４透明電極４０，１２５補助電極３３基板３５緑色色変換層３６赤色色変換層３７透明樹脂層１０１ガラス基板１０２色変換層１０３，３８オーバーコート層１０４電極薄膜１０５フォトレジスト

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】透明基板にすくなくとも色変換層とオーバ
ーコート層とアノード電極を順番に形成した構成を有
し、有機ＥＬが放射する光を入射して所定波長の光に変
換し、前記透明基板の外側に放射するための有機ＥＬ用
色変換基板であって、前記アノード電極は前記オーバーコート層に形成された
透明電極と金属の補助電極との２層構造であり、前記補
助電極の線幅は前記色変換層の端部および／または前記
オーバーコート層の端部において画素領域における線幅
よりも大きいことを特徴とする有機ＥＬ用色変換基板。
【請求項２】請求項１記載の有機ＥＬ用色変換基板にお
いて、前記補助電極の前記端部における線幅は前記画素
領域における線幅の２倍以上、かつ前記透明電極の線幅
の９０％の範囲で形成されていることを特徴とする有機
ＥＬ用色変換基板。
【請求項３】請求項１または２記載の有機ＥＬ用色変換
基板において、前記補助電極の前記端部における位置を
前記画素領域における位置よりも前記透明電極の中央寄
りに配置することを特徴とする有機ＥＬ用色変換基板。
【請求項４】請求項１〜３のいずれかに記載の有機ＥＬ
用色変換基板において、前記端部と前記画素領域との前
記補助電極における接続部分の方向が前記補助電極にお
ける他部分の方向に対して０度から９０度の角度である
ことを特徴とする有機ＥＬ用色変換基板。
【請求項５】請求項１〜４のいずれかに記載の有機ＥＬ
用色変換基板において、前記透明性基板と前記色変換基
板の間にカラーフィルタを配置することを特徴とする有
機ＥＬ用色変換基板。