JP2003331775A - 集束イオンビーム装置 - Google Patents

集束イオンビーム装置

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JP2003331775A JP2002138506A JP2002138506A JP2003331775A JP 2003331775 A JP2003331775 A JP 2003331775A JP 2002138506 A JP2002138506 A JP 2002138506A JP 2002138506 A JP2002138506 A JP 2002138506A JP 2003331775 A JP2003331775 A JP 2003331775A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 集束イオンビーム装置を使った断面加工やＴ
ＥＭ試料加工における簡便且つ高精度なドリフト補正機
構の実現する。 【解決手段】 断面加工やTEM試料加工では断面と平行
な方向では多少のドリフトがあっても許容されるが、断
面に対して垂直方向のドリフトは厳しく制御されなけれ
ばならない。そのため作成する断面と平行な方向に直線
形状加工を行い、加工中にこの直線形状加工領域を参照
して直線に対して垂直方向に限定した直線位置をドリフ
ト補正のための計測値として加工位置を補正する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、集束イオンビーム
装置において、イオンビーム照射による微細加工中に照
射位置がずれてゆく障害を克服するビーム照射位置補正
に関する。
【０００２】
【従来の技術】イオンビーム照射により微細加工を行う
とき、各種の要因により照射位置がずれてゆき、目的の
微細加工を行うことが困難であることが多い。特に半導
体デバイスのデザインルールの縮小下により微細加工で
必要とされる位置精度は１００nm以下になってきてい
る。このような位置精度を実現するためには微細加工中
に照射位置が動いてしまうドリフト量はその１０分の１
くらいの１０ｎｍ以下が必要になってきている。
【０００３】微細加工中の照射位置がドリフトする問題
を解決するためにはドリフト量を減少させるためのハー
ドウェアの改良を行っているが、ハードウェアの改良に
は限界がありドリフト量を検出してビーム照射位置を補
正する方法が一般的に利用されている。
【０００４】一般的には画像処理によるパターンマッチ
ングが利用される。参照領域のパターンマッチングによ
りドリフト量を検出することができる。しかし集束イオ
ンビームによる微細加工では粗加工、中加工、仕上げ加
工というように試料照射ビーム電流を変えて一連の微細
加工を行う。試料照射ビーム電流を変えるためには集束
イオンビームを集束するための集束レンズ系の構成要素
の一つである可動絞りの開孔径を変えたりイオンレンズ
条件を変更したりする。そのような条件変化により試料
照射ビーム位置が変化してしまう。このような集束レン
ズ系の変化に対しては試料全体像を取り直してビーム照
射位置を再設定する必要がある。
【０００５】また試料照射ビーム電流を増やすとビーム
径が太くなり電流が小さいときと比べてぼけた画像にな
ってしまう。また試料によってはビーム照射電流を増や
すと局所的チャージアップ現象が発生して輝度コントラ
ストまで変化することもある。そのため試料照射ビーム
電流を変えて一連の微細加工を行うにはパターンマッチ
ングによってドリフト補正を行うことは困難である。そ
のため特許出願公告平5-4660のパターン修正方法では点
状の参照パターンを形成しておき、その点位置を加工中
に参照して加工の照射位置を補正する方法が示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしこの方法で点状
に参照パターンを形成するには以下の問題点があった。
一つは点状パターンを形成しても試料が平坦な状態では
ないことが多いために、表面に元々ある凹凸と作成した
点との区別が困難になってしまう。そのため点状パター
ンを形成する前に点状パターンを形成する近傍で特定ガ
スを流しながらビーム照射することでデポジション膜を
形成してから点状パターンを形成する必要がある。この
デポジション膜形成により試料上に元々ある凹凸を覆い
隠すことができる。
【０００７】このようにして作成した参照パターン領域
を加工中に加工を中断して参照領域をスキャンしてドリ
フト量を計測することになるが何回もスキャンすると最
後にはデポジション膜がエッチングされて元々ある試料
の凹凸が見えてくる可能性がある。そのためデポジショ
ン膜の形成に時間をかけて厚くつけておく必要がある。
一例として点状パターンの形成に２０秒間必要という状
況でその前処理のデポジション膜形成に２分間必要とい
うことになる。
【０００８】また点状パターンを認識してドリフト量を
計測するには、点位置を画像処理で求めることになるが
小さい点の場合は周囲と輝度の異なる点の数が少ない。
実際必要とされる位置計測精度は取得するイメージのピ
クセルサイズ以下の精度が必要になっているが、周囲輝
度と異なる特異点の数が少ないと求めようとする位置計
測精度をあげることができない。一方前記特異点の大き
さを大きくすると集合の数は多くなり精度は向上する。
しかし参照パターン領域をスキャンして参照パターンイ
メージを取得したときに、もしドリフト量が大きく参照
パターン領域をスキャンしたエリアに前記特異点の集合
全体が入らないという可能性が発生する。集合全体を取
得できないときはドリフト量を計測できない。そのため
位置計測精度を少し犠牲にしてドリフト許容量を増やす
ことで使用されることになる。このように位置計測精度
とドリフト許容量のバランスを考えないと適正なドリフ
ト補正状態を実現できない。そのためドリフト補正のた
めの点状パターン作成を自動化してオペレータは加工条
件の設定だけおこない点状パターンはプリセットされた
条件に従って自動的に作成される自動化を行ってもドリ
フト補正動作が確実に動作することを保証することが困
難であった。
【０００９】また断面加工或いはＴＥＭ試料加工をおこ
なうときは粗加工、中加工、仕上げ加工という数段階の
ステップを踏んで加工する。加工速度を上げるために集
束イオンビームの試料照射電流を上げた条件では集束イ
オンビームのビーム径が太くなり加工で形成される断面
が斜面になり試料平面に対して垂直に切り立った断面に
ならない。そのため最終仕上げ断面に向かってステップ
を踏んで試料照射電流を下げてビーム径を細くすること
で垂直に切り立った断面が最終的にできあがる。ところ
が集束イオンビームの試料照射電流を切り替えると試料
に対するビーム照射位置が変化するため各ステップ毎に
集束イオンビームの照射位置を合わせ込んでやる必要が
あった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明では、直線状にビーム照射して直線形状パターン
を形成しておき、微細加工中に前記直線形状パターンを
参照し前記直線形状パターンの直線方向に対して一方の
垂直方向から直線の輝度変化点位置を測定し、もう一方
の垂直方向からも輝度変化点位置を測定し両輝度変化点
位置の平均位置を求めることにより前記直線形状パター
ンの直線方向に対して垂直方向に限定されたビーム照射
位置を計測する。この計測ではドリフト量を補正できる
のは前記垂直方向のみとなるが輝度変化点が直線状に続
いているために精度の良い計測が可能になる。
【００１１】また試料照射電流が増えると前記直線形状
パターンの直線の太さが太い画像になる。しかし直線方
向に対して垂直方向では直線の中心から見ると両方向と
も太くなる量は均等になる。だから直線位置に対して一
方の垂直方向から見た位置ともう一方の垂直方向から見
た位置の平均位置とする事によりビーム照射電流に依存
しない直線形状パターンの垂直方向位置が求められる。
そのため試料照射電流が変化しても照射位置の変化を補
正することが可能である。
【００１２】このようにして求められたドリフト補正量
は前記直線形状パターンに対して垂直方向のみとなり一
方向のみのドリフト補正になる。ところがイオンビーム
照射による微細加工の主目的の一つに観察のための断面
形成、或いはＴＥＭ試料作成がある。この場合は形成す
る断面に対して垂直方向のドリフトは精度良い補正が求
められるが、形成する断面に対して水平方向は多少のド
リフトは許容される。よって生成する断面に対して水平
方向のドリフトは装置自身がもつドリフトを許容し、厳
しい精度が求められる垂直方向のみに限定してドリフト
補正量を求めて微細加工のビーム照射位置を補正する方
法はドリフト補正に必要とされる精度が方向によって異
なることを利用して高いドリフト補正精度が要求される
方向にのみ高精度のドリフト補正を実現する非常に有効
な方法である。
【００１３】また試料表面上に直線形状加工すれば輝度
変化点が直線状につながっているので認識が容易にな
る。例えば作成した直線とは垂直方向に最大輝度変化点
を探し出すアルゴリズムを使って、その最大輝度変化点
を直線方向に次々と求めてその求めた点列が直線的につ
ながっているかどうかの判定を行うことで簡単に直線認
識アルゴリズムを作ることができる。このような簡単な
直線認識アルゴリズムで試料表面に凹凸があっても直線
認識してくれるようになりデポジション膜形成の必要が
なくなる。あるいは直線方向に輝度情報を積分すると直
線に対して垂直方向の一つの輝度プロファイルが得られ
る。そうすると多少の凹凸があっても積分効果によって
直線領域外の輝度変化は少なく直線領域の輝度変化が一
番大きい輝度プロファイルになる。この輝度プロファイ
ルから簡単に直線位置が求められる。よって同様にデポ
ジション膜形成の必要なく直線位置の測定ができる。こ
のようにデポジション膜形成が必要なくなるため参照パ
ターン形成に必要な加工時間が短くなる。参照パターン
形成の時間が短いというのは以下の理由で有効である。
【００１４】一つは操作性の向上である。試料像を取得
して微細加工のための設定をおこない、微細加工を開始
させる。このとき微細加工位置との相対位置関係がプリ
セットされたところに直線形状の参照パターン形成を自
動的におこない、微細加工中に定期的にその参照パター
ンを参照することで上記直線形状認識でビーム照射位置
のドリフトを計測し微細加工位置をドリフト補正するこ
とができる。この参照パターン形成の待ち時間が少なく
実際の微細加工を開始するので装置使用者は待ち時間の
たいした増加なしにこの一方向に限定されたドリフト補
正機能を簡単に利用できるようになる。
【００１５】もう一つは微細加工位置の正確性向上であ
る。微細加工を開始したときから前記直線形状の参照パ
ターン形成終了時間までの間のドリフトは補正できな
い。そのため直線形状の参照パターン形成時間が短いと
その間のドリフト量も小さいため無視できる量になる。
【００１６】またお互いに重ならないように直交する直
線形状パターンを形成することができる。各々の直線に
関して直線方向に対して垂直方向の位置を計測できるこ
とから直交する直線位置を計測することで直交座標系の
ドリフト量を計測できるようになる。そうすると断面形
成やTEM試料作成に限らずどのような微細加工でも対応
可能なドリフト補正機能として拡張することが可能であ
る。
【００１７】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面に基づいて
詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明のシステム構成を表す。集束
イオンビーム源１から発生する集束イオンビームａは集
束レンズ系２，偏向機構３を通って試料ステージ４に載
置された試料５に照射される。集束イオンビームａが集
束レンズ系２を通過するときにそのレンズ効果で収束さ
れて試料５に照射される。集束レンズ系２は開孔径の異
なる可動絞り切り替え機能を含んでいる。そのため集束
レンズ系の設定を変えると集束イオンビームaが試料５
に照射されるビーム電流を変更することができる。この
照射により二次荷電粒子ｂが発生し二次電子検出器６に
より捕捉されコンピュータ７にその強度が取り込まれ
る。偏向機構３は集束イオンビームａが試料４に照射さ
れる位置をｘ方向とｙ方向に振ることができる。偏向機
構３もコンピュータ７により制御されるので、ｘ方向／
ｙ方向に振った位置と二次荷電粒子検出器６の強度の情
報を合わせることにより試料５のイメージデータがコン
ピュータ７で得られる。
【００１９】コンピュータ７は集束イオン源１、集束レ
ンズ系２、偏向機構３、試料ステージ４を制御する機構
を有している。そのほかにコンピュータ７は表示機器８
を備えている。この表示機器８の中の一部の領域に前記
イメージデータを表示している。表示機器８に表示され
ているのは前記イメージデータのほかに制御、操作に必
要なソフトウェアボタンが配置されている。
【００２０】試料ステージ４を動作させて微細加工ポイ
ントへ試料５を動かしたあとイメージデータを表示機器
８に表示したときの加工開始前の試料イメージを図２に
示す。
【００２１】試料イメージを表示機器８に表示したあと
微細加工のための加工条件を設定する。複数の加工枠を
設定した加工条件入力結果を図３に示す。ここでは断面
作成を例示したがＴＥＭ試料作成でも同様に複数の加工
枠を入力する。断面作成では断面の表面を保護するため
にデポジション膜形成のための加工を最初に行うためデ
ポ加工枠９を設定する。次に作成する断面の手前を大き
く加工するための粗加工枠１０を設定する。粗加工をお
こなうときはビーム照射電流をあげて加工時間を節約す
るようにおこなうがビーム電流をあげるとビーム径も大
きくなるのでこの条件では垂直に切り立ったきれいな断
面を作成することができない。そのため中加工枠１１，
仕上げ加工枠１２の加工枠を設定しビーム照射電流を段
階的に落とす断面作成の設定をおこなう。この例では一
連の加工枠設定により最終断面位置は仕上げ加工枠１２
の長方形の上辺になる。仕上げ加工枠１２ではビーム照
射電流を少なくしてビーム径を絞った状態で加工するこ
とが必要で、そのような条件で初めて垂直に切り立った
きれいな断面が作られる。この一連の加工を行うための
条件設定を完了した状態が図３である。ここでは一つ一
つの加工枠をマニュアルで入力した例を示したが最終断
面位置を直線で指示するだけ（＝仕上げ加工枠１２の上
辺を直線で指示するだけ）で一連の加工枠群が自動配置
されるようなことも可能である。
【００２２】次に実際の断面作成をスタートさせる。
【００２３】断面作成をスタートしてから終了するまで
の動作はすべてコンピュータ７が実行する。そのため以
降の記述はコンピュータ７の動作を記述している。
【００２４】断面作成の最初に仕上げ加工位置が仕上げ
加工枠１２の上辺になるのでそこからの予め設定された
オフセット位置で予め設定された集束レンズ系２の条件
で直線加工を行う。加工時間は１０秒間から３０秒間程
度で充分である。前記直線加工を終了した状態を図４直
線形状作成状態図に示す。直線加工を終了してからデポ
加工枠９の加工を実行するためデポ加工枠９に付随する
ビーム照射条件に集束レンズ系２を設定する。設定が終
了してから直線形状加工線１３の直線に対しての垂直位
置を計測する。計測方法は直線形状加工線１３の領域を
直線形状サーチ領域１４としてイメージを取得しこの直
線に対して一方の垂直方向からみた輝度変化点の点列
（輝度変化点の点列A １５）を直線方向に沿って見つ
けだす。同様にもう一方の垂直方向からみた輝度変化点
の点列（輝度変化点の点列B １６）を直線方向に沿っ
て見つけだす。これらの２系列の点列群を使って直線の
中心位置を計算する。
【００２５】デポジションは特定のガスを流しながら集
束イオンビームaを試料５に照射することで成膜され
る。そのためここでは図示されていないガス導入系を使
って特定のガスを試料５に吹き付ける。この状態で偏向
機構３を制御してデポ加工枠９にのみ集束イオンビーム
aを試料５に照射する。このデポ加工枠９の加工中に定
期的に加工を中断して直線形状加工線１３の直線に対し
ての垂直位置を計測する。計測された垂直位置と前回の
計測された垂直位置との差分がドリフト量になので、そ
のドリフト量からデポ加工枠９に対する集束イオンビー
ムaの照射位置を補正し試料５に対しては常に同じ位置
に集束イオンビームaが照射されるようにしてデポ加工
枠９の加工を再開する。デポ加工中の状態を図５デポ加
工状態図に示す。ここでデポ加工枠９を使用中という意
味で塗りつぶしている。
【００２６】デポ加工枠９が終了したら図示していない
ガス導入系のガス供給をストップして荒加工枠１０へ移
行する。
【００２７】荒加工枠１０の加工を実行するため荒加工
枠１０に付随するビーム照射条件に集束レンズ系２を設
定する。設定が終了してから直線形状加工線１３の直線
に対しての垂直位置を計測する。計測された垂直位置と
デポ加工枠９の加工中に計測された前回の垂直位置との
差分が集束レンズ系２を変更したことによる照射位置の
違いになるので、その差分から荒加工枠１０に対する集
束イオンビームaの照射位置を補正する。この補正で集
束イオンビームａが試料５に照射する位置は集束レンズ
系２を変更しても変化しない条件を作り出した。この状
態で偏向機構３を制御して荒加工枠１０にのみ集束イオ
ンビームaを試料５に照射する。この荒加工枠１０の加
工中に定期的に加工を中断して直線形状加工線１３の直
線に対しての垂直位置を計測する。計測された垂直位置
が前回の計測された垂直位置との差分がドリフト量にな
ので、そのドリフト量から荒加工枠１０に対する集束イ
オンビームaの照射位置を補正し試料５に対しては常に
同じ位置に集束イオンビームaが照射されるようにして
荒加工枠１０の加工を再開する。荒加工中の状態を図６
荒加工状態図に示す。ここでデポ加工枠９を使用済みと
いう意味で濃く塗りつぶし粗加工枠１０を使用中という
意味で薄く塗りつぶしている。
【００２８】粗加工枠１０が加工終了したら中加工枠１
１の加工を実行するため中加工枠１１に付随するビーム
照射条件に集束レンズ系２を設定する。設定が終了して
から直線形状加工線１３の直線に対しての垂直位置を計
測する。計測された垂直位置と荒加工枠１０の加工中に
計測された前回の垂直位置との差分が集束レンズ系２を
変更したことによる照射位置の違いになるので、その差
分から中加工枠１１に対する集束イオンビームaの照射
位置を補正する。この補正で集束イオンビームａが試料
５に照射する位置は集束レンズ系２を変更しても変化し
ない条件を作り出した。この状態で偏向機構３を制御し
て中加工枠１１にのみ集束イオンビームaを試料５に照
射する。この中加工枠１１の加工中に定期的に加工を中
断して直線形状加工線１３の直線に対しての垂直位置を
計測する。計測された垂直位置が前回の計測された垂直
位置との差分がドリフト量になので、そのドリフト量か
ら中加工枠１１に対する集束イオンビームaの照射位置
を補正し試料５に対しては常に同じ位置に集束イオンビ
ームaが照射されるようにして中加工枠１１の加工を再
開する。中加工中の状態を図７中加工状態図に示す。こ
こでデポ加工枠９と粗加工枠１０を使用済みという意味
で濃く塗りつぶし中加工枠１１を使用中という意味で薄
く塗りつぶしている。
【００２９】以下同様に仕上げ加工枠１２の加工を実行
する。仕上げ加工中の状態を図８仕上げ加工状態図に示
す。ここでデポ加工枠９と粗加工枠１０と中加工枠１１
を使用済みという意味で濃く塗りつぶし仕上げ加工枠１
２を使用中という意味で薄く塗りつぶしている。
【００３０】仕上げ加工枠１２の加工が終了して断面作
成が終了する。
【００３１】また直線形状加工線１３に対して直交する
第２直線形状加工線１７を作成した状態を図９第２直線
形状作成状態図に示す。直線形状加工線１３と第２直線
形状加工線１７とは直交しているので各々の直線位置を
計測することで直交座標系のビーム照射位置のドリフト
補正が可能になる。この直交座標系のドリフト補正値を
使ってデポ加工枠９，粗加工枠１０、中加工枠１１、仕
上げ加工枠１２の加工を行えば、どの方向に対してもド
リフト補正された加工が実現される。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、これら一連の動作説明
で本特許を用いた装置を使用するオペレータは作成した
い断面位置だけを指定するか或いは一連の加工枠群を設
定するだけで一方向に関しては高精度の位置で加工を実
行できる。
【００３３】加工を開始すると短時間で直線形状加工を
行うので一方向に関しては高精度の加工が少しの待ち時
間の増加で実現できる。
【００３４】TEM試料作成、断面作成では方向によって
求められるドリフト補正精度が異なるので高精度が要求
される方向に合わせて直線形状加工を行えば最適の高精
度加工が実現される。
【００３５】またTEM試料加工では約０．１ミクロンの
薄膜を残す加工になる。この薄膜方向に対して垂直方向
にドリフトすると薄膜がなくなったり想定した膜圧より
厚くなったりの障害が生じてしまうが、本特許を使用す
れば薄膜方向に対して垂直方向のドリフトを容易に精度
良く補正することができるのでTEM試料加工の成功率が
飛躍的に向上する。
【００３６】またお互いに直交する直線形状パターンを
利用することで直交する２方向に対して高精度ドリフト
補正つき加工まで実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のシステム構成図である。
【図２】図２は加工前の試料イメージである。
【図３】図３は加工条件入力結果である。
【図４】図４は直線形状作成状態図である。
【図５】図５はデポ加工状態図である。
【図６】図６は粗加工状態図である。
【図７】図７は中加工状態図である。
【図８】図８は仕上げ加工状態図である。
【図９】図９は第２直線形状作成状態図である。
【符号の説明】
１．イオン源 ２．イオンレンズ ３．走査電極 ４．試料ステージ ５．試料 ６．二次荷電粒子検出器 ７．コンピュータ ８．表示機器 ９．デポ加工枠 １０．粗加工枠 １１．中加工枠 １２．仕上げ加工枠 １３．直線形状加工線 １４．直線形状サーチ領域 １５．輝度変化点の点列A １６．輝度変化点の点列B １７．第２直線形状加工線 ａ．集束イオンビーム ｂ．二次荷電粒子

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 イオンビームを発生するイオン源と、前
    記イオンビームを集束し集束イオンビームとするイオン
    レンズと、前記集束イオンビームを試料表面の所定領域
    にて走査させ照射するための走査電極と、前記集束イオ
    ンビームが照射される試料を載置し移動可能な試料ステ
    ージと、前記集束イオンビームが前記試料に照射される
    ことにより発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒
    子検出器と、前記二次荷電粒子検出器からの信号に基づ
    いて試料像を表示するためのディスプレイとからなる集
    束イオンビーム装置において、前記試料上に照射領域を
    設定し前記照射領域内にのみ前記集束イオンビームを走
    査して前記試料の微細加工を行う時に、前記試料上に前
    記集束イオンビームを前記照射領域とは重ならない領域
    で直線状に前記集束イオンビームを照射して直線形状パ
    ターンを形成し、前記直線形状パターンを参照パターン
    として登録し、前記微細加工中に、定期的に前記微細加
    工を中断して前記参照パターン領域を参照して前記直線
    形状パターンの直線に対して一方の垂直方向からの輝度
    変化点ともう一方の垂直方向からの輝度変化点の平均位
    置をビーム照射位置として計測することにより、前記直
    線形状パターンの直線に対して垂直方向に限定されたビ
    ーム照射位置測定をおこない、前記ビーム照射位置測定
    の変化量に基づいて前記微細加工の位置を前記垂直方向
    に限定して補正したあと前記微細加工を継続することを
    特徴とする集束イオンビーム装置。
  2. 【請求項２】 前記微細加工が複数の試料照射ビーム電
    流条件の組み合わせからなり、前記試料照射ビーム電流
    を切り替えた時には、前記ビーム照射位置測定をおこな
    うことにより、試料照射ビーム電流切り替え前後のビー
    ム照射位置の差分を求め、前記差分量で前記微細加工の
    位置を前記垂直方向に限定して補正してから前記微細加
    工を継続することを特徴とする請求項１記載の集束イオ
    ンビーム装置。
  3. 【請求項３】 前記直線形状パターンを形成する線分方
    向が前記微細加工で形成する断面方向と平行であること
    を特徴とする請求項１記載の集束イオンビーム装置。
  4. 【請求項４】 前記照射領域と前記直線形状パターン領
    域との相対位置関係を予め設定できる機能を保有し前記
    直線形状パターン作成のための設定操作をしないで前記
    微細加工を開始すると、前記直線形状パターンを形成し
    てから前記微細加工を実行することを特徴とする請求項
    １記載の集束イオンビーム装置。
  5. 【請求項５】 前記直線形状パターンの形成時に前記直
    線形状パターンの方向に対して直交する方向で前記直線
    形状パターンと重ならないように新たな第２直線形状パ
    ターンを形成し、前記微細加工中に定期的に前記微細加
    工を中断して前記ビーム照射位置測定をおこなう時に前
    記第２直線形状パターンに対しても一方の垂直方向から
    の輝度変化点ともう一方の垂直方向からの輝度変化点の
    平均位置を第２ビーム照射位置測定として計測し、前記
    ビーム照射位置測定と前記第２ビーム照射位置測定にも
    とづいて直交する２方向について前記微細加工の位置を
    補正した後、前記微細加工を継続することを特徴とする
    請求項１記載の集束イオンビーム装置。
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