JP2003326261A - 浴水浄化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残留塩素濃度を高めなくても抗菌作用を有す
る電解水生成手段を配設させることで浴水の浄化および
抗菌を可能とした浴水浄化装置を実現する。 【解決手段】 浴水が導かれる電解槽２１、一方がフェ
ライト材よりなる一対の電極２２、２３を有し浴水を電
気分解により電解水を生成する電解水生成手段２０と、
浴水を通過させて浄化する浄化槽３１を有し電解水生成
手段２０による電解水を混入させて浴水を抗菌するとと
もに、浴水を浄化する浴水浄化手段３０とを備え、電解
水生成手段２０は、浴水中に含まれる細菌の対数増殖開
始時期以前に、電極２２、２３間に電圧を印加させるこ
とにより、次亜塩素酸および酸素活性種を含む電解水を
生成させて浴水に混入するように構成した。これによ
り、浴水の浄化および抗菌を可能とした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、浴槽内の浴水を抗
菌するとともに浄化する浴水浄化装置に関するものであ
り、特に浴水に含まれる塩素イオンから次亜塩素酸およ
び酸素活性種を含む電解水を生成する電解水生成手段に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の浴水浄化装置として、例
えば、特開２０００−１４０８５９号公報に開示されて
いる。この公報では、浴槽内の浴水を循環する流路と、
この浴水を強制的に循環させる循環手段と、物理的に懸
濁物質の除去を行う濾過手段と、浴槽に次亜塩素酸を添
加可能な抗菌手段と、循環手段および抗菌手段の動作を
制御して、浴水中に浮遊または浴槽壁面に付着する細菌
の対数増殖開始以前の特定の時期に一定濃度の次亜塩素
酸の添加を行う制御手段とからなるものである。

【０００３】これにより、浴水中に懸濁する垢などの有
機物を濾過手段で濾過除去するだけでなく、制御手段に
より抗菌手段の働きで、浴水中に浮遊または浴槽壁面に
付着した細菌が活発に増殖する前の時点、つまり、これ
らの細菌の対数増殖期以前に抗菌作用を有する次亜塩素
酸を浴水に添加し、浴水中の残留塩素の濃度を一定にす
ることで、細菌の増殖活性を低下させ、細菌の対数増殖
開始の時間を遅らせることができる。従って、浴槽内の
水の衛生性を保つことができるものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報によれば、浴水に次亜塩素酸を添加することにより浴
水中の残留塩素濃度を任意のレベルに保つことができる
ものの、残留塩素のレベルを高めることで細菌の増殖を
抑制できるが、残留塩素濃度が高くなると塩素臭が強く
なり入浴者に不快感を感ずる問題がある。

【０００５】そこで、本発明の目的は、上記点を鑑みた
ものであり、残留塩素濃度を高めなくても抗菌作用を有
する電解水生成手段を配設させることで浴水の浄化およ
び抗菌を可能とした浴水浄化装置を提供することにあ
る。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記、目的を達成するた
めに、請求項１ないし請求項３に記載の技術的手段を採
用する。すなわち、請求項１に記載の発明では、浴槽
（１）内の浴水が導かれる電解槽（２１）、およびこの
電解槽（２１）内に配設され、導電性金属よりなる一対
の電極（２２、２３）を有し、浴水を電気分解すること
により電解水を生成する電解水生成手段（２０）と、浴
水を通過させて浄化する浄化手段（３１）を有し、必要
に応じて電解水生成手段（２０）による電解水を混入さ
せて浴水を抗菌するとともに、浴槽（１）から浴水を循
環させて浴水を浄化する浴水浄化手段（３０）とを備え
る浴水浄化装置において、電解水生成手段（２０）は、
浴水中に浮遊または浴槽壁面に付着する細菌の対数増殖
開始時期以前に、浴水浄化手段（３０）を循環する浴水
を電解槽（２１）内に導いて、電極（２２、２３）間に
電圧を印加させることにより、少なくとも次亜塩素酸お
よび酸素活性種を含む電解水を生成させて浴水に混入す
るように構成したことを特徴としている。

【０００７】請求項１に記載の発明によれば、浴水の濁
度は、浴水中に含まれる垢など懸濁物質の粒子の数に比
例すると知られている。この種の浴水浄化装置において
は、粒子径の大きい懸濁物質は浄化手段（３１）にて除
去できるものの、浄化手段（３１）にて除去できない粒
子径の小さい懸濁物質は、入浴開始後数時間後に浴水中
の溶存有機物を栄養源として急激な増殖、つまり、対数
増殖する細菌が増加するために濁度が細菌の増加ととも
に上昇するものであると知られている。

【０００８】そこで、本発明は、細菌が急激に増加する
対数増殖開始時期以前に、抗菌作用を有する次亜塩素酸
の他に酸素活性種を生成させることにより、酸素活性種
が抗菌作用を有することで、次亜塩素酸の濃度、つま
り、残留塩素濃度を高めなくても細菌の増殖を抑制させ
浴水の濁度の上昇を抑えることができる。

【０００９】また、浴水に混入される次亜塩素酸の残留
塩素濃度が低いことにより、入浴者に塩素臭による不快
感を与えることはない。

【００１０】請求項２に記載の発明では、電極（２２、
２３）は、高電位電圧が印加される電極（２２、２３）
がフェライトで形成されていることを特徴としている。

【００１１】請求項２に記載の発明によれば、具体的に
は、電極（２２、２３）にフェライト材を用いて電気分
解することにより、次亜塩素酸および酸素活性種を含む
電解水が生成され、これらが抗菌作用を有することで、
残留塩素濃度を高めなくとも細菌の増殖を抑制させ浴水
の濁度の上昇を抑えることができる。

【００１２】請求項３に記載の発明では、電解水生成手
段（２０）は、入浴開始後２時間以内、好ましくは入浴
開始直後に、次亜塩素酸および酸素活性種を含む電解水
を生成させて浴水に混入するように構成したことを特徴
としている。

【００１３】請求項３に記載の発明によれば、上述した
細菌の対数増殖開始時期は、発明者の研究によると、浴
水の汚れ度合いを表す汚濁指数として、上水基準や浴場
水基準に用いられているＫＭｎＯ４消費量（過マンガン
酸カリウム消費量）をパラメータとして細菌の対数増殖
開始時期を実験により求めてみると、２時間経過後に細
菌が急上昇することを見出した。そこで、本発明では、
入浴開始後２時間以内、好ましくは入浴開始直後に、次
亜塩素酸および酸素活性種を含む電解水を生成させて浴
水に混入するように構成したことにより、残留塩素濃度
を高めなくとも細菌の増殖を抑制させ浴水の濁度の上昇
を抑えることができる。

【００１４】なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述
する実施形態の具体的手段との対応関係を示すものであ
る。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の浴水浄化装置を浴
槽内の浴水を浄化する浴水浄化装置に適用した一実施形
態を図１ないし図８に基づいて説明する。図１は浴水浄
化装置１０の全体構成を示す模式図である。

【００１６】本実施形態の浴水浄化装置１０は、図１に
示すように大別すると、次亜塩素酸および酸素活性種を
含む電解水を生成する電解水生成手段２０と浴槽１内の
浴水を循環させて浴水を浄化する浴水浄化手段３０、制
御装置４０、および外部熱源装置５０から構成されてい
る。

【００１７】浴水浄化手段３０は、使用者が入浴した
り、時間が経過することにより汚れが生じた浴槽１内の
浴水を浄化する浄化部３１ａを内部に備えた浄化手段で
ある浄化槽３１、浴水を汲み上げる循環手段である循環
ポンプ３２、および浴槽１から浴水を汲み上げて浄化槽
３１へ流通させ浴槽１に戻すための循環水通路３３から
構成されている。

【００１８】外部熱源装置５０は、浴槽１内にお湯張り
や差し湯などの給湯および浴水を加温する熱源装置であ
って、循環水通路３３に接続されている。この循環水通
路３３は、浴槽１から浴水を汲み上げて循環ポンプ３
２、外部熱源装置５０、浄化槽３１、電解水生成手段２
０、および浴槽１に戻すための各接続配管ＡないしＧか
らなる循環通水路と、浄化槽３１内に外部熱源装置５０
からの温水を供給する給湯配管Ｊと、下流端が浴槽１外
に排水する排水配管Ｈとから構成されている。

【００１９】接続配管Ａは、浴槽１から浴水を吸入する
ための吸入管であって、上流側端部には、浴槽１内から
接続配管Ａに浴水を吸入するための図示しない吸入ユニ
ットが取り付けられている。この吸入ユニットには、浴
槽１に溜められる浴水に浸漬される位置に形成された吸
入口（図示しない）と、この吸入口よりも下流側に設け
られたフィルタ（図示しない）と、このフィルタよりも
さらに下流側に設けられた逆止弁（図示しない）とを有
している。

【００２０】これにより、浴水が吸入ユニットを通過す
る際に、フィルタ（図示せず）により入浴後の髪の毛な
どの大きなごみは除去される。また、さらに下流側に設
けられた逆止弁（図示せず）によって浴水の浴槽１への
逆流は防止される。

【００２１】一方、下流端は第１三方弁３４に接続さ
れ、接続配管Ａの途中には循環ポンプ３２が設けられて
いる。この第１三方弁３４は、接続配管Ａから吸入した
浴水を浄化槽３１への流通方向を順方向（浄化運転モー
ドのとき）に流通させるか、または逆方向（逆洗浄運転
モード）に流通させるかのいずれか一方に切り換える三
方弁である。

【００２２】接続配管Ｂは、第１三方弁３４と外部熱源
装置５０とを接続する配管であり、接続配管Ｃは、外部
熱源装置５０と第２三方弁３５とを接続する配管であ
る。この第２三方弁３５は、浄化槽３１へ流通させる
か、または浄化槽３１から排水配管Ｈのいずれか一方に
流れ方向を切り換えるための三方弁である。接続配管Ｄ
は第２三方弁３５と浄化槽３１とを接続する配管であ
る。この接続配管Ｄには、水温センサ３６が設けられて
いて、外部熱源装置５０により加温された浴水温度を検
知するものである。

【００２３】次に、浄化槽３１の浄化部３１ａは、濾材
として、例えばφ０．３〜０．５ｍｍ程度のセラミック
ス（例えば、アルミナ）からなるビーズを積層させたも
ので、その浄化部３１ａに浴水を流通させて浴水中の懸
濁物質粒子などの汚れをろ過することで物理的に除去す
る。なお、これらの濾材は、概して懸濁物質の粒子径
が、例えば約１０μｍ以上の粒子であれば除去できるも
のである。ここで、本実施形態では、浄化運転モードに
おける浄化槽３１内の流れ方向は、図中に示すように、
上から下へ流す順方向であるため浄化部３１ａの上流側
に濾過された懸濁物質が溜まるように構成している。

【００２４】接続配管Ｅは、一端が浄化槽３１に他端が
電解水生成手段２０の電解槽２１に接続され、接続配管
Ｅの途中に第１二方弁３７が設けられている。この第１
二方弁３７は、浄化槽３１と電解槽２１との間を開閉す
る開閉弁であり、濾過された浴水、すなわち、粒子径の
小さい懸濁物質を電解槽２１内に流通させる浄化運転モ
ード（後述する）のときに開弁するように制御される。

【００２５】接続配管Ｆは電解槽２１内で電気分解され
た浴水を浴槽１内に戻すための吐出管である。下流側端
部には浴槽１に溜められる浴水に浸漬される位置に形成
された吐出口（図示しない）を有する吐出ユニットが取
り付けられている。また、接続配管Ｆの吐出口（図示し
ない）側の近傍には、浴槽１内の水位を検出する圧力セ
ンサ３８が設けられおり、この圧力センサ３８の水位レ
ベルの上昇、下降により入浴者の有無を検知している。

【００２６】接続配管Ｇは、一端が第１三方弁３４に他
端が給湯配管Ｊの下流側の分岐点Ｊ１に接続されてお
り、逆洗浄運転モード（後述する）のときに、浴槽１内
の浴水を浄化槽３１内に順方向の逆となる逆方向に流通
させるように構成している。

【００２７】なお、給湯配管Ｊの途中には第２二方弁３
９が設けられ、外部熱源装置５０から供給される給湯を
開閉する開閉弁である。この第２二方弁３９は、浄化槽
３１内に高温の給湯水を供給させて熱抗菌を行なう熱洗
浄運転モード（後述する）のときと、お湯張り、差し湯
など浴槽１内に給湯する給湯運転モード（後述する）と
きに開弁する弁である。

【００２８】次に、本発明の要部である電解水生成手段
２０について説明する。電解水生成手段２０は、浴水浄
化手段３０に循環する浴水を導き、その浴水中の塩素イ
オンから浴水を抗菌するための次亜塩素酸および酸素活
性種を電気分解によって生成させて浴水に混入させるも
のである。

【００２９】本実施形態の電解水生成手段２０は、浴水
が導かれる電解槽２１、この電解槽２１内に配設され互
いに極性の異なる電極２２、２３およびこの両電極２
２、２３に電源である電圧を印加する電圧印加手段２４
から構成している。この電解槽２１には、下方側が浴水
を電解槽２１内に導くための接続配管Ｅに接続され、上
方側が生成された次亜塩素酸および酸素活性種を浴槽１
内に戻す接続配管Ｆ接続されている。

【００３０】電解槽２１は、浄化槽３１で濾過された浴
水を電気分解する電解槽であり、電解槽２１内には、電
圧印加手段２４に接続されたフェライトおよびチタン白
金からなる一対の電極２２、２３が対向して配設されて
いる。一対の電極２２、２３のうち、電圧印加手段２４
により高電位電圧が印加される電極２２側が導電性金属
であるフェライト材で板状に形成され、低電位電圧が印
加される電極２３側が不溶性金属（例えば、Ｔｉ材にＰ
ｔメッキもしくはＰｔを焼成）で板状に形成されてい
る。

【００３１】電圧印加手段２４は、浄化運転モード（後
述する）のときに、一対の電極２２、２３間に電圧（例
えば、１５V）を印加させるとともに、一日あたり所定
時間（例えば、１０秒程度）のみ印加する電圧の極性を
反転させて電極２２、２３に付着するスケールを除去す
るように制御される。これにより、電解効率の低下を防
止する。

【００３２】また、使用者が操作する操作盤（図示せ
ず）が設けられており、その操作盤には電解水生成手段
２０、循環ポンプ３２、外部電源装置５０などの機能部
品の動作を指令する図示しない浄化スイッチ、給湯スイ
ッチなどの操作スイッチが備えられている。この操作盤
の操作信号は制御手段である制御装置４０に入力され
る。制御装置４０には、上述した浄化、熱洗浄、逆洗浄
および給湯運転モードの制御プログラムが設けられてお
り、操作盤からの操作信号の他に、水温センサ３６や圧
力センサ３８からの検知信号を入力し循環ポンプ３２、
第１、第２三方弁３４、３５、第１、第２二方弁３７、
３９、電圧印加手段２４、および外部電源装置５０を制
御するように構成している。

【００３３】本実施形態では、図示しない浄化スイッチ
を操作することで、圧力センサ３８によって入浴を検知
し、入浴終了後に浄化運転、熱洗浄運転、逆洗浄運転を
組み合わせて入浴後の浴水の浄化、抗菌および加温を行
なって、浴水の細菌の増殖抑制と濁度の上昇を防止でき
るものである。

【００３４】次に、以上の構成による浴水浄化装置１０
の作動について説明する。家庭用や業務用の風呂など
は、入浴により剥離した人体の由来の垢などの有機物で
ある懸濁物質が浴水中に含まれる。一般的に、この懸濁
物質を放置しておくと浴水中の溶存態有機物を栄養源と
して細菌が増殖することで浴水の濁度が上昇してしまう
ことが知られている。

【００３５】例えば、運輸省港湾技術研究所発行の宮
崎、早乙女、増田による港湾技研ＮＯ．２８４、１９７
８「濁度測定における粒径の影響について」の文献によ
れば、この濁度は、下記の（数式１）に示すように、懸
濁物質（細菌）の粒子径ｄと粒子数Ｎに比例している。
つまり、細菌の粒子径が大きいほど、粒子数が多いほど
濁度が上昇する。

【００３６】

【数１】 Ｔ＝ｎ＊ｄ^m＊Ｎ ここで、Ｔ：濁度、ｎ：係数、ｄ：粒子径（μｍ）、
ｍ：係数、Ｎ：粒子数（個／ｍｌ）である。

【００３７】ところで、汚れた浴水の粒子径の分布を調
べてみると、図３（ａ）に示すように、特に粒子径が約
４μｍ以下の細菌の粒子数が増加している。これを図３
（ｂ）に示すように、粒子径の１０μｍを境にして１０
μｍ以下と１０μｍ以上とで濁度を求めてみると、１０
μｍ以下の粒子は全体の約７５％を占め濁度が０．５９
８、１０μｍ以上の粒子は約２５％を占め濁度が０．１
９４となっている。すなわち、粒子径の小さい細菌数が
多いほど濁度が上昇してしまう。この種の浴水浄化装置
の濾材を用いた浄化部３１ａでは、概して粒子径１０μ
ｍ以上の粒子については除去が可能であるが、粒子径１
０μｍ以下の粒子を除去しないと濁度の上昇を防止でき
ない問題がある。

【００３８】しかも、上記濁度は、細菌の対数増殖と同
時に進行するので細菌が対数増殖を開始する以前に、細
菌の増殖活性を低下させ、細菌の対数増殖を阻害させる
ことで浴水の濁度を抑制できる。ここで、浴水中の細菌
増殖特性の一例を図４に示した。図４は、水道水基準や
浴場水基準に用いられている汚濁指数であるＫＭｎＯ４
消費量（過マンガン酸カリウム消費量）をパラメータと
して、細菌の対数増殖開始時期を求めた特性図である。
これによると、ＫＭｎＯ４消費量の大小にかかわらず入
浴開始後約２時間経過後に急激な増殖、つまり対数増殖
を開始し、その後順次増加して２４時間程度まで微増し
ていることが分かった。

【００３９】そこで、本発明は、浴水浄化手段３０に電
解水生成手段２０を設け、浄化運転の作動を対数増殖開
始時期以前に運転させ、次亜塩素酸および酸素活性種を
生成させて浴水中の細菌を抗菌することにより、次亜塩
素酸の濃度、つまり、残留塩素濃度を高めなくても細菌
の増殖抑制をして濁度の上昇を防止したものである。

【００４０】本実施形態では、図示しない浄化スイッチ
がオンに投入されておれば、入浴開始直後から浄化運転
が圧力センサ３８の検知信号によって自動的に開始され
るように制御する。この圧力センサ３８は、浴槽１内の
水位レベルを圧力で検知させたもので、使用者が所望す
る水位レベルを初期設定圧力としている。従って、浴槽
１内へのお湯張りはこの初期設定圧力に相当する水位レ
ベルとなっている。そして、入浴開始の検知は圧力セン
サ３８の検知信号により、浴槽１内の水位レベルの変動
によって入浴者の有無を検知すると、浄化運転が開始さ
れ、制御装置４０により、第１、第２三方弁３４、３５
を図１に示す実線の矢印の流れ方向に切り換えさせ、第
１二方弁３７を開弁させ、循環ポンプ３２を作動させる
ことで、浴槽１内の浴水が浴槽１→接続配管Ａ→第１三
方弁３４→接続配管Ｂ→外部熱源装置５０→接続配管Ｃ
→第２三方弁３５→接続配管Ｄ→浄化槽３１→接続配管
E→電解槽２１→接続配管Ｆ→浴槽１の経路で循環され
る。

【００４１】これにより、浴水中の垢などの懸濁物質が
浄化部３１ａの濾材で物理的に濾過される。浄化部３１
ａでは、おもに、懸濁物質の粒子径が約１０μｍ以上の
粒子を濾過し、その浄化部３１ａの上流側に溜めること
により浴水が浄化される。そして、粒子径の約１０μｍ
以下の粒子を含んだ浴水は電解水生成手段２０の電解槽
２１内に導かれる。

【００４２】電解水生成手段２０は、電圧印加手段２４
に電源が通電されて両電極２２、２３間に電圧が印加さ
れると、両電極２２、２３間に電流が流れ電気分解が行
なわれる。これにより、電解槽２１内では、次亜塩素酸
（ＨＯＣｌ）および酸素活性種が生成される。まず、次
亜塩素酸（ＨＯＣｌ）の化学式について図２に基づいて
説明する。

【００４３】図２に示すように、高電位側である陽極側
の電極２２近傍では、下記化学式（１）によって示され
るように水酸化物イオン（ＯＨ^-）が分解され、相対的
に水素イオン（Ｈ⁺）濃度が高まることによって強酸性
水が生成されるとともに、化学式（２）、（３）によっ
て示すように、塩素イオン（Ｃｌ^-）が一旦、塩素ガス
（Ｃｌ₂↑）となった後、水と反応し抗菌成分である次
亜塩素酸（ＨＯＣｌ）が生成される。このように生成さ
れた強酸性水および次亜塩素酸によって浴水の抗菌が行
われる。

【００４４】

【化１】 ４ＯＨ^-＋４ｅ⁺→Ｏ₂↑＋Ｈ₂Ｏ

【００４５】

【化２】 ２Ｃｌ^-＋２ｅ⁺→Ｃｌ₂↑

【００４６】

【化３】 Ｈ₂Ｏ＋Ｃｌ₂→ＨＯＣｌ＋Ｈ⁺＋Ｃｌ^- 一方の低電位側である陰極側の電極２３近傍では、下記
化学式（４）に示すように、水素イオン（Ｈ⁺）が水素
ガス（Ｈ₂↑）に分解され、相対的に水酸化イオン（Ｏ
Ｈ^-）の濃度が高められアルカリイオン水が生成され
る。

【００４７】

【化４】 ２Ｈ⁺＋２ｅ^-→Ｈ₂↑なお、陰極側に発生し
た水素ガス（Ｈ₂↑）は、図示しない排気口から大気に
排出される。また、本実施形態では、陽極側の電極２２
にフェライト材を用いることにより、次亜塩素酸を生成
するとともに、生成過程のメカニズムについては現状に
おいては不明であるが、次亜塩素酸と同様の抗菌作用を
有する酸素活性種が生成される。この酸素活性種は、例
えば過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂）、ヒドロキシラジカル（ＯＨ
・）スーパーオキシドアニオン（Ｏ・₂ ^-）などに相当す
るもので二つの酸素原子の孤独な電子がくっついて酸素
分子となっており、酸化還元電位が次亜塩素酸よりも同
等もしくは強いため抗菌作用を有している。従って、こ
のフェライト材からなる電極２２を用いて電気分解する
ことにより、次亜塩素酸の濃度を高めなくても酸素活性
種の抗菌作用により細菌の増殖を抑制することができ
る。

【００４８】因みに、このフェライト材を用いる効果を
発明者は、実験によって検証したので図５に基づいて説
明する。図５は、両電極２２、２３に不溶性金属である
チタン白金（例えば、Ｔｉ材にＰｔメッキもしくはＰｔ
を焼成）で形成したものと、本実施形態のフェライト材
を用いたものとで、対数細菌数（ｃｆｕ／ｍｌ）および
次亜塩素酸濃度（ｐｐｍ）を比較した特性図である。図
中実線で示したものがチタン白金電極であり、図中破線
で示したものがフェライト電極である。

【００４９】これによれば、フェライト電極は次亜塩素
酸濃度（ｐｐｍ）を高めることなく、チタン白金電極と
同等の対数細菌数（ｃｆｕ／ｍｌ）の抑制ができる。従
って、次亜塩素酸濃度（ｐｐｍ）が高まると塩素臭によ
る不快感を生ずるが、この程度であれば入浴者に塩素臭
による不快感を与えることはない。なお、制御装置４０
は、上述した浄化運転のときに、別途水温センサ３６か
らの検知信号に基づいて使用者が設定した設定水温にな
るように外部熱源装置５０を制御している。

【００５０】次に、入浴者の入浴が完了し圧力センサ３
８が初期設定圧力を検知したら所定時間（例えば、２０
分程度）後、浄化運転から熱洗浄運転モードに切り換
る。この熱洗浄運転は、浄化部３１ａの上流側に溜まっ
た細菌を熱抗菌するとともに、濾過された蛋白質汚れの
熱変性させて浄化部３１ａより剥離しやすくするための
運転である。なお、上述した浄化運転は入浴者が入浴を
完了しても熱洗浄運転に切り換えるまで継続している。

【００５１】この熱洗浄運転のときは、制御装置４０に
より、第１、第２三方弁３４、３５を図６に示す破線の
矢印の流れ方向に切り換えさせ、第１二方弁３７を閉弁
させ、第２二方弁３９を開弁させて外部熱源装置５０を
作動させる。これにより、外部熱源装置５０からの給湯
水が給湯配管Ｊ→浄化槽３１→排水配管Ｈ→機外に排水
の経路が形成される。

【００５２】そして、外部熱源装置５０は水温センサ３
６が所定温度（例えば、８０℃程度）になるまで高出力
にて運転し、所定温度に達したら第２二方弁３９を閉弁
させ、外部熱源装置５０を停止する。そして、暫くの間
（例えば、３分程度）、浄化槽３１内を高温の状態を維
持することで、高熱による抗菌と汚れの熱変性が実行さ
れる。そして、暫くの間経過後再び、第２二方弁３９を
開弁させて、所定時間、設定温度による給湯水を供給す
るように外部熱源装置５０を運転し、浄化槽３１内の高
温水および浄化部３１ａの上流側に溜まった汚れを機外
に排出する。以上の浄化運転を入浴ごとに繰り返すこと
で、濁度の上昇は防止できるが、浴水に溶存している有
機物は分解しないため浴水中に蓄積されてしまう。

【００５３】図７は、毎日入浴者が５人、入浴ごとに浄
化運転を４日間繰り返したときの浴水の濁度とＫＭｎＯ
４消費量とを測定したデータである。これによると、浄
化運転により、その都度濁度は低下するが、ＫＭｎＯ４
消費量においては経過日数ごとに上昇してしまう。そこ
で、本実施形態では、逆洗浄運転モードを設けてＫＭｎ
Ｏ４消費量の上昇を防止させている。

【００５４】具体的には、上述の熱洗浄運転の間隔を計
測し所定時間経過後に最終入浴者に熱洗浄運転と判定さ
せて逆洗浄運転を実行する。このときは、図６に示すよ
うに、熱洗浄運転のときの状態から第２二方弁３９を閉
弁させて循環ポンプ３２を所定時間作動させる。これに
より、浴槽１内の浴水が浴槽１→接続配管Ａ→第１三方
弁３４→接続配管Ｇ、Ｊ→浄化槽３１接続配管Ｄ→第２
三方弁３５→排水配管Ｈ→機外に排水の経路が形成され
る。これにより、浴水の一部が排水され、浴水中に溶存
している有機物が機外に排水される。そして、この逆洗
浄運転後は、再度熱洗浄運転を実行して浄化槽３１内を
熱抗菌させた後、給湯運転を実行させる。

【００５５】なお、給湯運転は、浴槽１内に設定温度の
給湯水を初期設定圧力に達するまでお湯張りを行なうこ
とであり、制御装置４０により、第１、第２三方弁３
４、３５を図８に示す実線の矢印の流れ方向に切り換え
させ、第１、第２二方弁３７を開弁させて外部熱源装置
５０を作動させる。これにより、外部熱源装置５０から
設定温度の給湯水が給湯配管Ｊ→浄化槽３１→接続配管
E→電解槽２１→接続配管Ｆ→浴槽１の順に供給され
る。なお、このときには電解水生成手段２０を作動させ
ない。従って、逆洗浄運転を行なうことにより、浴槽１
内の浴水の一部が入れ替わることで濁度が低下するとと
もに、ＫＭｎＯ４消費量も上昇せずに浄化が維持され
る。

【００５６】以上の一実施形態の浴水浄化装置によれ
ば、浴水の濁度は浴水中に含まれる垢などの懸濁物質の
粒子数に比例するものである。特に、浄化槽３１で濾過
することができない粒子径の小さい粒子は、浴水中の溶
存有機物を栄養源として増殖した細菌であって、この細
菌が増加するほど濁度が上昇してしまう。

【００５７】また、この細菌の対数増殖開始時期は、発
明者の研究によると、浴水の汚れ度合いを表す汚濁指数
として、上水基準や浴場水基準に用いられているＫＭｎ
Ｏ４消費量（過マンガン酸カリウム消費量）をパラメー
タとして細菌の対数増殖開始時期を実験により求めてみ
ると、２時間経過後に細菌が急上昇することを見出し
た。

【００５８】そこで、本実施形態では、電解水生成手段
２０の電極２２をフェライト材で形成し、電解槽２１内
に浴水を導いて対数増殖開始時期以前、好ましくは入浴
開始直後に、抗菌作用を有する次亜塩素酸の他に酸素活
性種を生成させることにより、酸素活性種が抗菌作用を
有することで、次亜塩素酸の濃度、すなわち、残留塩素
濃度を高めなくても細菌の増殖を抑制させ浴水の濁度の
上昇を抑えることができる。また、浴水に混入される次
亜塩素酸の残留塩素濃度が低いことにより、入浴者に塩
素臭による不快感を与えることはない。

【００５９】なお、本実施形態では、抗菌作用を有する
次亜塩素酸の他に酸素活性種を生成する浄化運転を入浴
開始直後にしたが、細菌が増殖する対数増殖開始時期以
前、具体的には、入浴開始後２時間以内に作動させても
良い。

【００６０】（他の実施形態）以上の一実施形態では、
ＫＭｎＯ４消費量の上昇を防止するために逆洗浄運転を
設けたが、浴槽１内の浴水を入れ換えることでも良い。

【００６１】また、以上の実施形態では、外部熱源装置
５０について言及しなかったが、ガス、電気、液体燃料
および太陽熱などを熱源として、８０度程度の給湯水が
給湯できるもので良い。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における浴水浄化装置１０
の全体構成を示す模式図である。

【図２】本発明の一実施形態における電解水生成手段２
０の全体構成を示す構成図である。

【図３】（ａ）は浴水中の懸濁物質の粒子径と個数との
分布関係を示す特性図、（ｂ）は（ａ）に示す粒子径に
おける濁度と含有率の関係を示す特性図である。

【図４】浴水のＫＭｎＯ４消費量をパラメータとする対
数増殖開始時期を示す特性図である。

【図５】チタン白金電極とフェライト電極とにおける次
亜塩素酸濃度、対数細菌数の特性を示す特性図である。

【図６】熱洗浄運転モードにおける給湯水の流れ方向を
示す説明図である。

【図７】浄化運転後の浴水の濁度およびＫＭｎＯ４消費
量の特性を示す特性図である。

【図８】給湯運転モードにおける給湯水の流れ方向を示
す説明図である。

【符号の説明】

１…浴槽 ２０…電解水生成手段 ２１…電解槽 ２２、２３…電極 ３０…浴水浄化手段 ３１…浄化槽（浄化手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０２Ｆ 1/50 ５２０ Ｃ０２Ｆ 1/50 ５３１Ｍ ５３１ ５４０Ｂ ５４０ ５５０Ｃ ５５０ ５５０Ｄ ５５０Ｈ ５５０Ｌ ５６０Ｆ ５６０ ５６０Ｚ 1/76 Ａ 1/76 Ｂ０１Ｄ 35/02 Ｄ Ｆターム(参考） 4D050 AA10 AB06 BB04 BB20 BD03 BD06 BD08 CA10 CA15 4D061 DA07 DB10 EA02 EB01 EB04 EB14 EB19 EB28 EB39 FA13 GB30 4D064 AA11 BF31 BF39 BF40

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 浴槽（１）内の浴水が導かれる電解槽
   （２１）、および前記電解槽（２１）内に配設され、導
   電性金属よりなる一対の電極（２２、２３）を有し、浴
   水を電気分解することにより電解水を生成する電解水生
   成手段（２０）と、 浴水を通過させて浄化する浄化手段（３１）を有し、必
   要に応じて前記電解水生成手段（２０）による電解水を
   混入させて浴水を抗菌するとともに、前記浴槽（１）か
   ら浴水を循環させて浴水を浄化する浴水浄化手段（３
   ０）とを備える浴水浄化装置において、 前記電解水生成手段（２０）は、浴水中に浮遊または浴
   槽壁面に付着する細菌の対数増殖開始時期以前に、前記
   浴水浄化手段（３０）を循環する浴水を前記電解槽（２
   １）内に導いて、前記電極（２２、２３）間に電圧を印
   加させることにより、少なくとも次亜塩素酸および酸素
   活性種を含む電解水を生成させて浴水に混入するように
   構成したことを特徴とする浴水浄化装置。
2. 【請求項２】 前記電極（２２、２３）は、高電位電圧
   が印加される電極（２２、２３）がフェライトで形成さ
   れていることを特徴とする請求項１に記載の浴水浄化装
   置。
3. 【請求項３】 前記電解水生成手段（２０）は、入浴開
   始後２時間以内、好ましくは入浴開始直後に、次亜塩素
   酸および酸素活性種を含む電解水を生成させて浴水に混
   入するように構成したことを特徴とする請求項１または
   請求項２に記載の浴水浄化装置。