JP2003323985A - 可撓性を有する有機el素子 - Google Patents

可撓性を有する有機el素子

Info

Publication number
JP2003323985A
JP2003323985A JP2002131441A JP2002131441A JP2003323985A JP 2003323985 A JP2003323985 A JP 2003323985A JP 2002131441 A JP2002131441 A JP 2002131441A JP 2002131441 A JP2002131441 A JP 2002131441A JP 2003323985 A JP2003323985 A JP 2003323985A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic
substrate
glass
thickness
sealing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2002131441A
Other languages
English (en)
Inventor
Ritsuo Inaba
律夫 稲葉
Harutoshi Niwa
晴俊 丹羽
Tomoko Kawamura
倫子 川村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Individual
Original Assignee
Individual
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Individual filed Critical Individual
Priority to JP2002131441A priority Critical patent/JP2003323985A/ja
Publication of JP2003323985A publication Critical patent/JP2003323985A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/311Flexible OLED
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/87Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/872Containers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】 有機ELディスプレーにおいて、発光素子構成を最適化
することにより可撓性を持たせた薄型のディスプレーを
実現した。定量的に比較すると従来の最も薄いといわれ
ている素子構成に比較しても厚み及び重量でほぼ3分の
1程度になる。 【課題】 有機ELデバイスはその発光原理から薄型の
自発光素子の実現が期待されて多くの努力がなされてい
る。しかし水分等の影響を受けるため、寿命を考慮する
と封止構造が複雑になるため、液晶デバイス等に較べて
極端に薄型になることは無かった。 【解決手段】 有機EL素子構成を最適化することによ
り、寿命の低減あるいは効率の低下を招くことも無く従
来の構成と同等の特性を維持して薄型軽量化を実現し
た。薄型化をすることにより素子の可撓性を持たせるこ
とが可能となった。解決手段は基板ガラスの破損を防止
することで基板厚を薄くすることで可能となった。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】<発明の分野> 本発明は有機EL素子にお
いてその構成を最適化することによって、従来構造の薄
型化に伴う寿命あるいは効率の低下を招くことない、軽
量化と薄型化を目指した有機EL表示素子に関するもの
である。発明の解決しようとする課題有機EL素子はガ
ラス基板上に、ITO透明電極、ホール注入層、ホール
輸送層、電子輸送層(発光層を兼ねる)その上にカソー
ド電極を基板ガラス上にそれぞれ設けて構成されるが、
すべての層を合わせても発光体の厚みは0.5ミクロン
以下であることと自発光デバイスであるため、ブラウン
管に代わる軽量薄型化デバイスの実現性が高いものと思
われてきた。液晶あるいはプラズマディスプレーも勿論
同様の機能を持っているが有機EL素子はより可能可能
性が高いと思われるため多くの注目を浴びて研究開発が
進んでいる。軽量薄型化の極限として、研究室段階で寿
命等を問わなければ、基板層として100ミクロン内外
のプラスティックフィルムの上に上記の電極及び発光体
を設けることによって全体の厚みが100ミクロン内外
のフレキシブルフィルム発光体が1995年にすでに発
表されている。その後多くの研究者が同様の実験を行っ
て確認している。
【0002】一方有機EL素子は空気中の水分あるいは
酸素等によって極端に寿命の低下を招くため上記のよう
に基板に材料を構成しただけでは実用化は出来ないこと
が分かってきた。現在実用化している有機EL素子のガ
ラス基板上に上記構成の電極及び発光体を設けた基本構
成は変わらないが、基板上の発光層の上部にある隙間を
介してその上に金属あるいはガラスの蓋を設けて酸素、
水分の浸入を防止する。さらに有機EL素子劣化を防止
するために素子外部から進入する水分、あるいは素材か
ら発生する水分を吸収するために、素子内部(封止蓋の
裏側)に水分の吸収剤を入れるのが一般的である。もち
ろんこのような封止蓋構造は有機EL素子の薄型化及び
軽量化には望ましくないため取り除く努力は行われてい
るが、現時点では成功していない。一方可撓性を持たせ
たプラスティックフィルム上の有機ELの実現には水分
の透過しないフィルムが求められる。水分の透過しない
フィルムの実現は非常に難しい。ガラス基板とプラステ
ィックフィルムの両者で水分の透過量を比較すると、プ
ラスティックフィルムの上に水分透過の防止処理を行っ
たものでもガラスに比較して数桁大きい。フィルムその
ままでは有機EL素子の信頼性が確保できない事がわか
っているため改善方法としてプラスティックフィルム上
にガスバリアー性の薄膜を設けることが試みられている
が現時点では成功していない。
【0003】現在実用化されている実際の有機EL素子
構成は基板ガラスが1mm内外の厚みであり、その上の
封止蓋もガラスの厚みに較べれば少ないが、内部に水分
吸収剤を入れる必要があるためほぼ同等の厚みで構成さ
れる。発光体としての本質的な発光層は0.5ミクロン
以下であるが全体の厚みは2mm−3mm程度が最も薄
い構成となり、しかも両面の基板はガラスあるいは金属
の剛性の高い材料であるため、発光体は0.5ミクロン
の薄い柔軟なフレキシブルな構造であるにもかかわらず
この構成では可撓性を有するフレキシブル構造とはなら
ない。現在の有機EL素子開発の流れとして、いかにし
て全体の厚みを薄くするか、軽くするかが求められてい
る。その理由は応用の一つが携帯電話を中心とした携帯
用のディスプレーデバイスとしての応用が盛んなため
で、さらに発光素子全体をフレキシブな構成にすること
が求められている。
【0004】本発明が解決するための手段本発明は薄型
軽量化フレキシブル有機EL素子を作製するものであ
る。基本構成は従来から知られている素子構成を踏襲
し、薄型化とフレキシブル化のために素子構成とその構
成材料を最適化することで実現するものである。以下に
可撓性を持たせた薄型有機EL素子構成について詳細に
記す。素子の基本構成を図1に示す。図1で11は素子
基板を示し、12はITO膜示し、13はホール注入材
料を示し、14はホール輸送材料、15は電子輸送材料
(発光材料)、16はカソード電極、17は封止材料、
18は水分吸収材、19ガラス保護膜兼外光反射防止膜
を示す。本発明の基本構成では、11の素子基板、18
の水分吸収材料、19の封止材料が従来の素子構成材料
と異なる。11の素子基板は極薄いガラスを用いるもの
である。本発明で用いたガラスは硼珪酸ガラスの、50
ミクロン、100ミクロン、150ミクロンのガラス基
板を実験の検討用に用いた。素子作製はガラス基板を十
分洗浄してその上にITO透明電極をスパッタリング
で、1500オングストローム設ける。さらに通常のフ
ォトリゾグラフィーでITO電極をパターニングして、
再度基板を洗浄して、プラズマアッシングを行う。基板
準備を終えた後真空蒸着装置で通常の有機EL作製方法
に準じて、その上に図1の13 銅フタロシアニン(ホ
ール注入層)、14 α―NPD(ホール輸送層)、1
5 AlQ3(電子輸送層兼発光層)、16 フッ化
Li(電子注入電極層)、16 Al(カソード電極兼
素子保護層)を設けた。本発明で重要な点は基板のガラ
ス厚みとそのガラス材料の選択で、ガラス厚みは素子全
体の可撓性の程度を示す重要な要素となる。さらにガラ
ス厚みはそのガス透過性も重要な要素となる。ガラス厚
みが0.5mm以上では0.5mmでも1mmでも可撓
性に関しては従来の有機EL素子と全く同じで有機EL
素子がフレキシブル素子とはいえなくなる。ガラスの厚
さは単に重量が軽くなるだけである。一方ガラス厚みを
薄くするのに伴って、可撓性は増すが薄さの欠点がすぐ
に目立ってくる。 欠点の一つはガラス基板の破損の問
題である。素子作製中あるいは、素子完成後でもわずか
の外力によってガラスの破損が生じて、そのままでは実
用化は困難となる。本発明人等はガラスの破損防止のた
め、破損に対して比較的耐性のあるガラス材料を使用す
ることによって破損の欠点の一部を克服した。具体的な
実施例は一般的に高質ガラスに属する硼珪酸ガラスが強
度の点で優れていることが分かった。さらにコストの点
あるいはガラス基板作製技術の完成度からもこの材料が
最適であることを見出した。さらに硼珪酸ガラスの利点
は無アルカリガラスで、現在有機EL用に用いられてい
るガラスのように表面にSiO2のコーティングを行い
基板ガラスに含まれているアルカリイオンの防止層の必
要が無いことであり、これはTFTを用いたアクティブ
タイプの有機EL基板として非常に有用である。
【0005】ガラスの厚みをどの程度にするかは基板の
柔軟性を何処まで要求するかによって決まるが、100
ミクロンの厚みの基板を用いた有機EL素子構成では通
常の使い方の範囲内で十分な柔軟性を持っていることが
確認できた(封止材料も含めた状態で)。さらに薄い5
0ミクロンの基板では機械的な強度の弱さが極端に目立
ってくる。従来の素子作製装置では、一例として基板洗
浄あるいは基板の搬送等での作業性が極端に落ちること
である。他方有機EL素子は現時点では封止基板を外側
に設けねばならないが、封止基板との厚さの兼ね合い
で、ガラス基板の薄さの特長がそれほど発揮できない事
がわかったため50ミクロンが薄さの下限であることが
分かった(100ミクロン厚さの基板に対しての相対比
較ではあるが、もちろん注意深く作れば50ミクロンで
も良い)。有機EL素子では水分のガラス表面を通って
の侵入が問題となるが、50ミクロンの厚さは水分の透
過性に対しては問題が無いことも分かった。
【0006】有機EL基板としてガラスが一般的に用い
られているが、本発明のように薄型化を行うとガラスの
限界が出てくる。一方透明で強度の高い基板として、サ
ファアイア、水晶、酸化チタン等の結晶材料が挙げられ
る。これらの結晶材料はへきかい性にさえ注意すればガ
ラスに較べてはるかに強度は高い。もう一つの利点は耐
熱性に優れていることと熱伝導性が良いことで、これら
の基板を用いたTFT基板の上の有機EL素子素子には
最も適している。ガラスに較べてのコスト上昇の欠点を
気にしなければ軽量でかつ可撓性を有するディスプレー
には最も適している。
【0007】次にガラス基板を用いた可撓性を有する有
機EL素子構成について記す。基板の薄板化は外力によ
る破壊の可能性は従来の0.7mmのガラス板厚に比べ
て非常に高い。本発明人等はこの欠点を克服するため
に、ガラス基板上に破壊につながる応力を少なくするた
めと、ガラス基板上の破壊につながる微細な傷の防止の
ためにガラス表面に、保護フィルムを設けることによっ
てガラス基板の破損の問題を克服した。図2にその構成
を示す。図2で21は基板ガラス、22はガラス強化
層、23は保護膜、24はITO電極、をそれぞれ示
す。この構成で保護フィルムのガラスの破損防止効果は
大きく、封止基板層と合わせてガラスの破損の恐れは殆
ど無くなる。フィルムは破損防止の点では殆どの有機フ
ィルムで同一の効果を発揮する。本発明人等は有機フィ
ルムの導入を第一にガラス基板の保護を目的として、さ
らに有機EL素子の紫外線の侵入に因る劣化防止と、外
光の反射によるコントラストの低下、以上3つの効果を
同一のフィルムで満足させることを目的とした。
【0008】フィルムの厚みの増大は有機EL素子の柔
軟性に大きく影響を与えるため、その厚みは出来る限り
薄くする必要がある。具体的には50ミクロンの厚みが
あれば上記の3つの目的を達することが出来保護フィル
ム厚みは50ミクロン以下に抑えた。さらに可撓性を持
たせた有機EL素子作製には、封止基板(カバー)の構
成も重要な要素となる。現在実用化している有機EL素
子の封止構造は0.1−0.2mm厚のステンレス金属
あるいは、1mm程度のガラス板を封止材料に使われて
いるが、このような材料ではガラス基板を以下に薄くし
ても可撓性は全く失われる。
【0009】本発明の可撓性を持たせた封止基板の実施
例を以下に示す。最も単純な構成は基板に柔軟性を持た
せた金属材料として、ステンレス、銅、Ni、Al等の
金属箔を用いる。厚みは最も薄い場合には30ミクロン
程度から100ミクロン程度で十分である。金属単体で
は外部からの力が加わったときに破損の恐れがある場合
は金属膜の補強と基板と封止蓋との接着性の向上のた
め、図3に示す金属膜とプラスティックフィルムの二重
構造とすることも有効である。図3(a)において31
はプラスティックフィルム、32は金属箔、33は水分
吸収膜を、34は接着層を示す。図3(b)では金属膜
とフィルムの関係を反対にとったものである。二重構造
の場合でも柔軟性を確保するためには封止板の全体の厚
みは100ミクロン以下に抑えることが望ましい。
【0010】本発明の封止構造の利点は単に有機EL素
子が薄いだけではなく、図4に示すように電極構造をか
ねることが出来ることである。図4において41は金属
箔で、金属箔自身が取り出し電極を兼ねていて、42の
部分で基板のITO電極と43の異方性導電ゴムを用い
て電極接続を行う。44はポリイミド等のプラスティッ
クフィルムで、さらに上部45はITO電極又はカソー
ド電極の金属箔で構成される。3層構造の封止材料構成
では上下間の金属を電気的に接続することで、上部にI
C等の取り付け等も可能となる。
【0011】本発明の構造では柔軟性を持たせるために
は、素子全体の厚みを薄くしなければならないことは前
にも記したが、封止用の蓋にも同様のことが言える。本
発明では従来の吸水材料である、酸化バリウムあるいは
ゼオライト等の材料を素子内にそのまま用いることは、
上記材料が粉体であるため粉体を固定しなければならな
い。そのことは封止蓋部の厚みを増加させるため、結果
として素子全体の柔軟性を失うるために用いることが出
来ない。本発明では可撓性を維持するために出来る限り
薄い構造の吸水材料を用いなければ成らないため、吸水
材料としてアルカリ金属箔あるいは蒸着膜を用いること
を特長とする。箔構造を用いる場合にはLi等の金属は
柔軟性が大きいため薄い箔にしやすく、さらに封止基材
が容易に取り付けることが可能なため適している。蒸着
膜を用いる場合には金属の選択性は特に無くどのアルカ
リ金属材料も容易に蒸着できる。通常10ミクロン程度
の厚みを設ければ十分であることが分かった。
【0012】上記構成に依る有機EL素子は全体の厚み
が200ミクロンから350ミクロン程度の厚みとな
り、従来最も薄い有機EL素子構造と思われている構造
すなわちガラス基板に設けた素子にガラス封止構造を取
る構造の3分の1の厚みで構成される。200ミクロン
から300ミクロンの厚みは通常のディスプレーの使用
状態では十分な可撓性を有する柔軟構造のディスプレー
ということが出来る。
【0013】有機EL素子は従来ガラス基板上に発光素
子を設け、さらにその上に封止基板を取り付け、ITO
電極から駆動用信号と電力を素子に供給するのが普通で
あり、ガラス基板を中心にしてそのガラス基板を装置に
固定するのが普通であった。本発明は有機EL発光素子
の固定の中心を封止基板に置き、封止基板上に発光素子
を設けて素子構成することを特長とするものであること
を図5に示す。51は封止材料で52は発光部を示す。
この構成は封止材料を金属材料で取るとき外部装置に半
田で発光素子を固定することが出来ることを意味してい
て、従来の構成のガラス基板を固定する方法よりは固定
用の特別な枠等を必要としない。
【0014】本発明の構造の大きな特長の一つは薄型化
とともにディスプレーの軽量化である。重量に関しても
従来構造に較べてやはり3分の1程度に成る。柔軟性を
有しかつ軽量化した有機EL素子はその応用範囲は広い
ものと思われる。
【図面の簡単な説明】
【図1】有機EL素子構成
【図2】有機EL素子基板
【図3】封止基板構成
【図4】取り出し電極構造
【図5】素子取り付け方法
【符号の説明】
11 素子基板 12 ITO透明電極 13 ホール注入材料 14 ホール輸送材料 15 電子輸送材料 16 カソード電極 17 封止材料 18 水分吸収材 19 ガラス保護膜兼反射防止膜 21 基板ガラス 22 ガラス強化層 23 ガラス保護層 24 ITO電極 (a) 31 プラスティックフィルム 32 金属箔 33 水分吸収膜 34 接着剤 (b)裏返し構造 41 銅箔 42 電気的接続部分 43 異方性導電ゴム 44 プラスティックフィルム 45 ITO電極又は取り出し金属 51 封止材料(取り出し電極と発光素子取り付け部を
兼ねる) 52 発光部 53 取り出し電極 54 水分吸収剤 55 ITO電極(又はカソード取り出し電極) 56 ガラス基板 57 反射防止膜

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】有機EL素子の素子基板である透明電極ガ
    ラス基板の厚みを、特に50ミクロンから250ミクロ
    ンに取ることを特長とし、発光素子の封止構造をあわせ
    て、発光素子構成全体で可撓性を持たせたことを特長と
    する有機EL素子。
  2. 【請求項2】有機EL素子の素子基板である基板材料に
    サファイア、水晶、マグネシア等の結晶材料を用いてそ
    の上に透明電極を設けて、特にその厚みを50ミクロン
    から250ミクロンに取ることを特長とし、発光素子の
    封止構造をあわせて発光素子構成全体で可撓性を持たせ
    たことを特長とする有機EL素子。
  3. 【請求項3】有機EL素子の素子基板である透明電極ガ
    ラス基板を、その基板ガラス厚みを特に50ミクロンか
    ら250ミクロンに取ることを特長とし、用いる基板ガ
    ラス材料を特に硼珪酸ガラスあるいは燐酸ガラスを用い
    たことを特長として、発光素子の封止構造をあわせて発
    光素子構成全体で可撓性を持たせたことを特長とする有
    機EL素子。
  4. 【請求項4】有機EL素子の素子基板である透明電極ガ
    ラス基板を、その基板ガラス厚みを特に50ミクロンか
    ら250ミクロンに取ることを特長としてさらに基板ガ
    ラス材料の表面処理を行って強化ガラスとして用いたこ
    とを特長とし、発光素子の封止構造をあわせて発光素子
    構成全体で可撓性を持たせたことを特長とする有機EL
    素子。
  5. 【請求項5】請求項1から4項の請求範囲の有機EL素
    子の透明電極を特にITO又はZnOに取る事を特長と
    する有機EL素子。
  6. 【請求項6】請求項1から5項の請求範囲の有機EL素
    子において、基板ガラス上にガラスの破損防止のための
    保護膜を設けたことを特長とする可撓性を有する有機E
    L素子。
  7. 【請求項7】請求項6項の請求範囲の有機EL素子で、
    基板ガラス上にガラスの破損防止のための保護膜を設け
    たことを特長とする可撓性を有する有機EL素子を破損
    防止するために用いる保護膜を外光の反射防止又は入射
    光の偏向板あるいは外部からの素子内への紫外線の侵入
    防止用の保護膜としての機能を兼ね備えることを特長と
    する有機EL素子。
  8. 【請求項8】 可撓性を有する有機EL素子構成におい
    て、特に素子封止用の材料に可撓性を有する材料とし
    て、100ミクロン以下の厚みの金属箔、あるいは金属
    箔と有機フィルムの複合膜を用いたことを特長とする有
    機EL素子。
  9. 【請求項9】 可撓性を有する有機EL素子構成におい
    て、特に素子封止用の材料に可撓性を有する材料とし
    て、100ミクロン以下の厚みの金属箔、あるいは金属
    箔と有機フィルムの複合膜を用いて、有機EL素子のカ
    ソード及びアノード電極の外部への取り出し電極と封止
    用の材料とを兼ね備えたことを特長とする有機EL素
    子。
  10. 【請求項10】 特許請求項8及び9の有機EL素子に
    おいて素子封止材料の上に有機EL素子の駆動用のIC
    あるいは他の電気部品を設けたことを特長とする有機E
    L素子。
  11. 【請求項11】可撓性を有する有機EL素子の内部に設
    ける吸湿材において特にアルカリ金属の箔あるいはアル
    カリ金属の蒸着膜を用いて成ることを特長とする有機E
    L素子。
  12. 【請求項12】可撓性を有する有機EL素子の内部に設
    ける吸湿材において特にその材料をアルカリ金属の箔あ
    るいはアルカリ金属の蒸着膜を用いて成ることを特長と
    する有機EL素子において、アルカリ金属の厚みを10
    0ミクロン以下に取る事を特長とする有機EL素子。
  13. 【請求項13】有機EL素子の素子基板である透明電極
    ガラス基板の厚みを、特に50ミクロンから250ミク
    ロンに取ることを特長とし、その基板上に薄膜トランジ
    スターを形成してなるTFTアクティブドライブ有機E
    L素子において、発光素子の封止構造をあわせて、発光
    素子構成全体で可撓性を持たせたことを特長とする有機
    EL素子。
  14. 【請求項14】有機EL素子の装置への固定方法におい
    て、封止基板上に有機EL発光素子を設けて封止基板に
    固定し、封止基板を外部の装置に固定して用いることを
    特長とする有機EL素子とその固定方法。
JP2002131441A 2002-05-07 2002-05-07 可撓性を有する有機el素子 Withdrawn JP2003323985A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002131441A JP2003323985A (ja) 2002-05-07 2002-05-07 可撓性を有する有機el素子

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002131441A JP2003323985A (ja) 2002-05-07 2002-05-07 可撓性を有する有機el素子

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003323985A true JP2003323985A (ja) 2003-11-14

Family

ID=29544072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002131441A Withdrawn JP2003323985A (ja) 2002-05-07 2002-05-07 可撓性を有する有機el素子

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003323985A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235590A (ja) * 2004-12-29 2006-09-07 Dupont Displays Inc 電子装置
WO2011142254A1 (ja) * 2010-05-11 2011-11-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機el発光素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006235590A (ja) * 2004-12-29 2006-09-07 Dupont Displays Inc 電子装置
WO2011142254A1 (ja) * 2010-05-11 2011-11-17 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機el発光素子

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6986115B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
US10069109B2 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same
US9623633B2 (en) Flexible display and method for manufacturing the same
EP1943881B1 (en) Method of manufacturing device having flexible substrate
KR100885843B1 (ko) 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
JP2003007454A (ja) 有機電界発光表示素子の製造方法、及び有機電界発光表示素子
JP2000003782A (ja) 電界発光素子
JP2011119223A (ja) 有機発光表示装置
JP4342023B2 (ja) 吸湿膜及び有機el表示装置
JP4048830B2 (ja) 有機電子デバイス素子
JP2007165318A (ja) 有機電界発光素子、および有機電界発光素子の製造方法
JP2002359070A (ja) 有機発光素子およびそれを用いた表示パネル
JP2001176653A (ja) 有機el素子
CN100508241C (zh) 顶部发光型有机发光二极管显示装置
JP2003109750A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003323985A (ja) 可撓性を有する有機el素子
JP2003338366A (ja) El装置、el装置の製造方法、及びel表示装置
KR101564629B1 (ko) 유기전계발광소자
KR20150072116A (ko) 유기발광다이오드의 제조방법
JP4640978B2 (ja) 有機elディスプレイ
KR20030001156A (ko) 다중 쉴드 커버 플레이트를 가진 유기 전계발광 소자
US8013527B2 (en) Organic light emittig diode unit and method for manufacturing the same
CN111354866A (zh) 一种显示面板及显示装置
JP2007200626A (ja) 有機el素子
JP2003100445A (ja) エレクトロルミネッセンス表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050502

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070829

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20070808