JP2003321235A - 光ファイバ多孔質母材の脱水・焼結方法 - Google Patents

光ファイバ多孔質母材の脱水・焼結方法

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JP2003321235A JP2002126537A JP2002126537A JP2003321235A JP 2003321235 A JP2003321235 A JP 2003321235A JP 2002126537 A JP2002126537 A JP 2002126537A JP 2002126537 A JP2002126537 A JP 2002126537A JP 2003321235 A JP2003321235 A JP 2003321235A
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sintering
fiber porous
dehydrating
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Kenji Kawase
賢司 川瀬
Yusuke Shirai
祐介 白井
Yuichi Ikeda
裕一 池田
Susumu Yoshizawa
進 吉沢
Hiroaki Seki
弘明 関
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Hitachi Cable Ltd
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    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates

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  • Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ファイバ多孔質母材を基端部まで脱水・透
明ガラス化でき、歩留まりを向上できる光ファイバ多孔
質母材の脱水・焼結方法を提供する。 【解決手段】 高温に加熱した炉芯管2内に、光ファイ
バ多孔質母材4を芯部9の一端を支持しながら挿入し脱
水又は焼結させる光ファイバ多孔質母材4の脱水・焼結
方法において、上記光ファイバ多孔質母材4の基端部6
に、上記炉芯管2内の熱を滞留させるための遮蔽板7を
取り付けたのち、上記炉芯管2内に上記光ファイバ多孔
質母材4を挿入するものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、外付け気相軸付け
法(外付けVAD法)で形成された光ファイバ多孔質母
材を脱水・焼結する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】光ファイバのコア部を含むガラスターゲ
ット棒に向けて火炎を発するように酸水素バーナを設置
し、この酸水素バーナにガラス原料ガス(たとえば、四
塩化珪素)や屈折率制御ガス(たとえば、四塩化珪素ゲ
ルマニウム)を供給する。火炎中では加水分解反応また
は熱酸化反応がおこり、SiO2やGeO2などのガラス
微粒子が生成される。ガラスターゲット棒を回転させる
ことでガラスターゲット棒の外周にガラス微粒子を均等
に堆積させ、ガラスターゲット棒を所定の径に形成す
る。
【0003】このような外付けVAD法(OVD法とも
いう)で製造したスート母材や、屈折率を上げるために
四塩化ゲルマニウムなどをドーパントとして軸方向に多
孔質ガラス微粒子を堆積する気相軸付け法(VAD法)
で製造したコアスート母材は、水素ガスと酸素ガスを用
いるゆえにOH基を含んだ状態となっており、これを減
少させるために高温で脱水する必要がある。また、スー
ト母材やコアスート母材等の光ファイバ多孔質母材は、
ガラス微粒子の集合体であるため透明でなく、焼結させ
て透明ガラス化する必要がある。
【0004】スート母材を脱水・透明ガラス化する場
合、図7に示すように、鉛直配置した石英管からなる炉
芯管2内にHe(ヘリウム)とCl2(塩素)の混合ガ
スを充満させると共に、炉芯管2の真上にスート母材4
のターゲット棒9を吊り下げ支持する。
【0005】そして、スート母材4を回転させながら低
速で降下させ、高温に加熱された炉芯管2内に徐々に挿
入していく。
【0006】このとき、加熱は炉芯管2の周囲に配置し
たヒータ3で行う。加熱温度は、脱水時で1100〜1
200℃程度、脱水後の透明ガラス化時で1500〜1
650℃程度にする。
【0007】これにより、スート母材4を下部から上部
へかけて徐々に脱水・焼結することができる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スート
母材4の脱水・焼結は、炉芯管2の上外の位置を開始位
置とし、炉芯管2に挿入するものであるため、スート母
材4を基端部(上端部)6まで加熱しようとするとター
ゲット棒9まで加熱して融解させてしまい、スート母材
4が自重で落下してしまうおそれがあった。
【0009】このため、図8に示すように、脱水及び透
明ガラス化時では、スート母材4を炉芯管2の奥深くま
では挿入しないようになっている。すなわち、スート母
材4の基端部6は、本来光ファイバとなりうる部分であ
るにもかかわらず、ヒータ3の位置まで挿入していな
い。
【0010】スート母材4の基端部6は、脱水及び透明
ガラス化されないため、不良部分として廃却するほかな
く(仮に、この脱水及び透明ガラス化不足の部分を光フ
ァイバにした場合、伝送損失が大きすぎ、光ファイバと
しては使用できない)、著しい歩留まり低下の原因とな
っていた。
【0011】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、光ファイバ多孔質母材を基端部まで脱水・透明ガラ
ス化でき、歩留まりを向上できる光ファイバ多孔質母材
の脱水・焼結方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、高温に加熱した炉芯管内に、光ファイバ多
孔質母材を芯部の一端を支持しながら挿入し脱水又は焼
結させる光ファイバ多孔質母材の脱水・焼結方法におい
て、上記光ファイバ多孔質母材の基端部に、上記炉芯管
内の熱を滞留させるための遮蔽板を取り付けたのち、上
記炉芯管内に上記光ファイバ多孔質母材を挿入するもの
である。
【0013】また、上記光ファイバ多孔質母材の基端部
を基端から先端側へ向けて拡径されるように形成すると
共に、上記遮蔽板を上記光ファイバ多孔質母材より小径
の穴を有するドーナツ状に形成し、上記基端部に上記遮
蔽板の内周端を係合させて取り付けるとよい。
【0014】そして、上記遮蔽板を不透明な耐熱性素材
で形成するとよく、具体的には不透明な石英ガラスで形
成するとよい。
【0015】また、光ファイバ多孔質母材の基端部に上
記遮蔽板を多段に設けてもよい。
【0016】
【発明の実施の形態】本発明の好適実施の形態を添付図
面に基づいて詳述する。
【0017】図1は光ファイバ多孔質母材を脱水・焼結
するための焼結装置の構造を示す側断面図である。
【0018】焼結装置1は、垂直に配置された石英管か
らなる炉芯管2と、炉芯管2の外周上に設置されたヒー
タ3と、炉芯管2の上方に設けられ光ファイバ多孔質母
材たるスート母材4を昇降自在かつ回転自在に吊り下げ
る送り機構5と、スート母材4の上端部(基端部)6に
着脱自在に取り付けられる遮蔽板7とからなる。
【0019】炉芯管2は上端に開口8を有する有底筒体
状に形成されている。ヒータ3は、加熱温度を調節自在
に形成されている。
【0020】送り機構5は、スート母材4の芯部たるタ
ーゲット棒9を支持して吊り下げるための支持棒10を
有する。支持棒10は、炉芯管2の中心軸上に芯合わせ
されており、回転されても軸ずれしないようになってい
る。支持棒10は、石英ガラスで形成されている。
【0021】図3に遮蔽板7の斜視図を示す。遮蔽板7
は不透明な石英ガラスからなり、ドーナツ状(リング板
状)に形成されている。遮蔽板7は、外径をスート母材
4の外径よりも大きく、かつ、炉芯管2の内径より小さ
く形成されると共に、内径を支持棒10より約10mm
〜30mm程度大きく、かつ、スート母材4の外径より
約10mm〜30mm程度小さく形成されている。
【0022】具体的には、35φの支持棒10を用い、
スート母材4を200φに形成した場合、遮蔽板7の寸
法は、外径を220φ、内径を60φとした。
【0023】また、遮蔽板7は、20mm〜30mm程
度とした。遮蔽板7は、厚いほど効果があるが、ターゲ
ット棒9にかかる重量を考えると、20mm〜30mm
程度が好ましい。
【0024】次にスート母材4の脱水・焼結方法につい
て述べる。
【0025】図1に示すように、スート母材4の端部の
うち、支持棒10に取り付ける側の端部(基端部)6に
遮蔽板7を取り付ける。スート母材4の基端部6は、基
端から先端側へ向けてコーン状に拡径されるように形成
されているため、基端部6に遮蔽板7の内周端11を係
合させるようにして取り付ける。
【0026】具体的には、スート母材4をほぼ鉛直な姿
勢にしたのち、遮蔽板7をターゲット棒9に上方から挿
通させ、コーン状に形成されたスート母材4の基端部6
の上に乗せる。
【0027】そして、支持棒10にスート母材4のター
ゲット棒9を取り付けて同軸上に吊り下げる。
【0028】一方、炉芯管2内には、He(ヘリウム)
とCl2(塩素)の混合ガスを充満させておき、ヒータ3
は予め所定の温度に加熱しておく。このときの温度は、
脱水作業時には約1100℃から1200℃に、透明ガ
ラス化(焼結)作業時には1650℃程度にする。
【0029】送り機構5を作動させ、スート母材4を回
転させながら低速で降下させる。スート母材4は下端
(先端)から炉芯管2の中に挿入される。スート母材4
は、先端側から基端側へ向けて徐々に脱水・透明ガラス
化される。透明ガラス化された部分は、径方向に0.6
〜0.7倍程度に収縮される。
【0030】そして、図2に示すように、スート母材4
を従来と同じ位置、すなわち、上端部をヒータ3の手前
に近接させる程度の位置まで降下させて止める。ターゲ
ット棒9は従来と同様にヒータ3に加熱されることはな
いため、融解することはなく、安定してスート母材4を
支持し続けることができる。
【0031】また、遮蔽板7は炉芯管2の上部にすでに
挿入されており、炉芯管2の上部を塞ぐようになってい
る。このため、スート母材4の基端部6がヒータ3の高
さに完全に到達していない状態であっても、炉芯管2内
の熱気が上方へ逃げることなく遮蔽板7の下に滞留し、
スート母材4の基端部6に良好に加熱することができ
る。
【0032】十分に加熱されたスート母材4の基端部6
は、先端部12や中間部13と同様に脱水・透明ガラス
化される。すなわち、スート母材4を下端から遮蔽板7
の高さ位置まで均等に脱水・透明ガラス化することがで
きる。
【0033】図4は、焼結作業後のスート母材4の製品
となりうる部分をスート母材4の長手方向でガラス化密
度を調べた結果をグラフ化したものである。
【0034】図中の○印は、上述のように遮蔽板7を使
用して焼結した結果であり、△印は、従来通りの焼結の
結果である。横軸は、スート母材4下部の製品となりう
る平行部の下端位置を0とし、この下端位置からの距離
を示している。縦軸は、ガラス化の密度を示している。
この密度が大きいほど、透明ガラス化の度合いが大きい
といえる。
【0035】なお、実験にあたっては、両者とも、同装
置を使用し、加熱炉温度、移動速度、及び挿入距離など
同じ条件で行った。
【0036】図4を見てもわかるように、△印の従来の
方法では、距離800mm付近からガラス化密度が減少
しており、さらに距離が大きくなるにつれて(上方へ向
かうにつれて)ガラス化密度が小さくなっており、完全
に透明ガラス化されていない状態になっていることがわ
かる。この場合は、光ファイバとして使用可能な部分
は、800mmほどの長さしかない。
【0037】上述のように遮蔽板7を使用して焼結した
結果である○印のものは、ガラス化密度が減少せず、製
品となりうる平行部のすべての部分において完全に透明
ガラス化していることがわかる。この場合、光ファイバ
として使用可能な部分は、1550mmである。したが
って、従来方法と比べ、約1.94倍歩留まりが向上し
ていることとなる。
【0038】図5は、上述のように遮蔽板7を使用して
焼結した光ファイバの伝送損失特性と、従来の方法で焼
結した光ファイバの伝送損失特性とを示すグラフであ
る。
【0039】実線が遮蔽板7を用いて焼結した光ファイ
バの伝送損失特性を示し、破線が従来の方法で焼結した
光ファイバの伝送損失特性を示している。
【0040】図5から明らかなように、OH基の吸収波
長である1385nm付近の光損失は、上述のように遮
蔽板7を用いて焼結した光ファイバの方が従来のものよ
り小さくなっていることが分かる。
【0041】上述のように遮蔽板7を使用してスート母
材4を焼結することにより、脱水・透明ガラス化を良好
に行えるようになった。
【0042】このように、スート母材4の基端部6に、
炉芯管2内の熱を滞留させるための遮蔽板7を取り付け
たのち、炉芯管2内にスート母材4を挿入するようにし
たため、スート母材4を基端部6まで脱水・透明ガラス
化でき、歩留まりを向上させることができる。
【0043】また、スート母材4の基端部6を基端から
先端側へ向けて拡径されるように形成すると共に、遮蔽
板7をスート母材4より小径の穴14を有するドーナツ
状に形成し、基端部6に遮蔽板7の内周端11を係合さ
せて取り付けるようにしたため、基端部6に遮蔽板7を
極めて容易に着脱することができ、スート母材4を効率
よく脱水・透明ガラス化できる。
【0044】そして、遮蔽板7を不透明な石英ガラスで
形成したため、ヒータ3からの熱に良く耐えることがで
き、炉芯管2内の熱が熱線として逃げるのを防ぐことが
できる。
【0045】なお、外付けVAD法で製造したスート母
材4を脱水・焼結する方法について述べたが、VAD法
で製造したコアスート母材も上述したような脱水・焼結
方法を用いることで基端部まで脱水・透明ガラス化でき
る。
【0046】また、遮蔽板7はドーナツ状に形成するも
のとしたが、これに限るものではなく、内周形状、外周
形状共に四角形等の他の形状に形成してもよい。特に、
スート母材4の基端部6が過熱しすぎる場合は、外周形
状を炉芯管2と異なる形状に形成して炉芯管2との隙間
から熱を程良く逃がすようにしてもよい。
【0047】遮蔽板7は石英ガラスに限るものではな
く、耐熱性の素材であればカーボン等他の素材で形成し
てもよい。軽量又は断熱性に優れれば更に好ましい。
【0048】遮蔽板7は熱線を透過させないために不透
明であるほうが好ましいが、必ずしも不透明でなくとも
よい。透明であっても熱気が逃げるのを防ぐことはで
き、歩留まりを向上させることはできる。
【0049】スート母材4の基端部6に遮蔽板7を1枚
取り付けるものとしたが、図6に示すように、必要に応
じて複数枚の遮蔽板15,16,17を多段に取り付け
るようにしてもよい。
【0050】この場合、遮蔽板15,16,17の内径
をそれぞれ違えて形成し、内径の大きなものから順にス
ート母材4の基端部6に乗せて取り付けるとよい。遮蔽
板15,16,17同士の間に微小な間隙18を形成す
ることができ、断熱効果を高めることができる。そして
更に遮蔽板15,16,17を薄板状に形成すること
で、軽量化を図ることもできる。
【0051】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、光ファイ
バ多孔質母材を基端部まで脱水・透明ガラス化でき、歩
留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の好適実施の形態を示す遮蔽板を取り付
けた光ファイバ多孔質母材を焼結装置上に吊り下げた状
態の側断面図である。
【図2】焼結装置に光ファイバ多孔質母材を挿入した状
態の側断面図である。
【図3】遮蔽板の斜視図である。
【図4】光ファイバ多孔質母材の各部のガラス密度を示
すグラフである。
【図5】光ファイバ伝送特性を示すグラフである。
【図6】他の実施の形態を示す光ファイバ多孔質母材と
遮蔽板の側面図である。
【図7】従来の脱水・焼結方法を示す光ファイバ多孔質
母材を焼結装置上に吊り下げた状態の側断面図である。
【図8】焼結装置に光ファイバ多孔質母材を挿入した状
態の側断面図である。
【符号の説明】
2 炉芯管 4 スート母材(光ファイバ多孔質母材) 6 基端部 7 遮蔽板 9 ターゲット棒(芯部) 11 内周端 14 穴 15 遮蔽板 16 遮蔽板 17 遮蔽板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 裕一 東京都千代田区大手町一丁目6番1号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 吉沢 進 東京都千代田区大手町一丁目6番1号 日 立電線株式会社内 (72)発明者 関 弘明 東京都千代田区大手町一丁目6番1号 日 立電線株式会社内 Fターム(参考) 4G021 CA12

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 高温に加熱した炉芯管内に、光ファイバ
    多孔質母材を芯部の一端を支持しながら挿入し脱水又は
    焼結させる光ファイバ多孔質母材の脱水・焼結方法にお
    いて、上記光ファイバ多孔質母材の基端部に、上記炉芯
    管内の熱を滞留させるための遮蔽板を取り付けたのち、
    上記炉芯管内に上記光ファイバ多孔質母材を挿入するこ
    とを特徴とする光ファイバ多孔質母材の脱水・焼結方
    法。
  2. 【請求項2】 上記光ファイバ多孔質母材の基端部を基
    端から先端側へ向けて拡径されるように形成すると共
    に、上記遮蔽板を上記光ファイバ多孔質母材より小径の
    穴を有するドーナツ状に形成し、上記基端部に上記遮蔽
    板の内周端を係合させて取り付ける請求項1記載の光フ
    ァイバ多孔質母材の脱水・焼結方法。
  3. 【請求項3】 上記遮蔽板を不透明な耐熱性素材で形成
    する請求項1又は2記載の光ファイバ多孔質母材の脱水
    ・焼結方法。
  4. 【請求項4】 上記遮蔽板を不透明な石英ガラスで形成
    する請求項1〜3いずれかに記載の光ファイバ多孔質母
    材の脱水・焼結方法。
  5. 【請求項5】 上記光ファイバ多孔質母材の基端部に上
    記遮蔽板を多段に設ける請求項1〜4いずれかに記載の
    光ファイバ多孔質母材の脱水・焼結方法。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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