JP4514748B2 - 保持デバイスを使っての合成石英ガラスの中空シリンダーの製造方法とこの方法を実施するために適切な保持デバイス - Google Patents
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Description
2 クラッド・チューブ
3 支持ベース
4 間隙
5 スート体
6 間隙
7 内孔
9 保持デバイス
10 環状加熱要素
Claims (18)
- ケイ素含有化合物の火炎加水分解により、回転支持体上にSiO2粒子を層状に堆積することにより、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体を作り、このスート体を脱水、ドープもしくはガラス化し、そしてこの脱水プロセス、およびドープもしくはガラス化プロセスにおいては、スート体の内部孔に突入する長い保持体を備え、石英ガラスよりも軟化温度が高い材料から作られている保持デバイスにより、前記スート体を処理炉内で垂直に保持する、合成石英ガラス製の保持デバイスを使っての中空シリンダーの製造方法において、合成石英ガラスのガス不浸透性クラッド2を保持体1、1bとスート体5との間に設けたことを特徴とする中空シリンダーの製造方法。
- ガラス化中、スート体5は石英ガラスのクラッド2上にコラプスする請求項1に記載の方法。
- 少なくとも部分的に保持体1,1bを包囲している石英ガラスのクラッド・チューブ2として石英ガラスクラッドを形成した請求項1もしくは2に記載の方法。
- 石英ガラスのクラッド・チューブ2は、1ミリから25ミリの壁厚を有する請求項3に記載の方法。
- 平均間隙幅が5ミリを越えない環状間隙4を形成して石英ガラスのクラッド・チューブ2が保持体1,1bを包囲している請求項3もしくは4に記載の方法。
- 平均間隙幅が2ミリを越えない環状間隙6を形成してスート体5が石英ガラスのクラッド・チューブ2を包囲している請求項3ないし5のいずれかに記載の方法。
- 石英ガラスのクラッド・チューブ2にSiO2粒子が層状に堆積している請求項3ないし6のいずれかに記載の方法。
- 石英ガラスのクラッド2がスート体5の内孔の実質的な長さに沿って延びている請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。
- スート体5を処理炉内でガラス化する請求項1ないし8のいずれかに記載の方法。
- 処理炉内でスート体5にドーパントを加える請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。
- スート体5がその下端を支持ベース3に載せて立っており、この支持ベースは保持体1,1bに結合されており、前記支持ベースから石英ガラスのクラッド2が前記保持体に沿って延びている請求項1ないし10のいずれかに記載の方法。
- 垂直に配置され、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体の脱水、ドーピングもしくはガラス化に特に使用される中空シリンダー製造法実施のための保持デバイスであって、スート体の内部孔に突入する、石英ガラスよりも高い軟化温度の材料の長い保持体を備える保持デバイスにおいて、合成石英ガラスのガス不浸透性のクラッド2が、保持体1,1bとスート体5との間に設けられていることを特徴とする保持デバイス。
- 前記石英ガラスのクラッドが、少なくとも部分的に保持体を包囲する石英ガラスのクラッド・チューブ2として形成されている請求項12に記載の保持デバイス。
- 前記石英ガラスのクラッド・チューブ2は、1ミリから25ミリの壁厚を有する請求項13に記載の保持デバイス。
- 平均間隙幅が5ミリを越えない環状間隙4を形成して石英ガラスのクラッド・チューブ2が保持体1,1bを包囲している請求項13もしくは14に記載の保持デバイス。
- 平均間隙幅が2ミリを越えない環状間隙6を形成してスート体が石英ガラスのクラッド・チューブ2を包囲している請求項13ないし15のいずれかに記載の保持デバイス。
- スート体5の内部孔の実質的な長さに沿って石英ガラスのクラッド2が延びる請求項12ないし16のいずれかに記載の保持デバイス。
- スート体5を受けるため保持体は支持ベース3に結合されており、この支持ベースから石英ガラスのクラッド2が保持体1,1bに沿って延びている請求項12ないし17のいずれかに記載の保持デバイス。
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