JP4514748B2 - 保持デバイスを使っての合成石英ガラスの中空シリンダーの製造方法とこの方法を実施するために適切な保持デバイス - Google Patents

保持デバイスを使っての合成石英ガラスの中空シリンダーの製造方法とこの方法を実施するために適切な保持デバイス Download PDF

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Description

本発明は、ケイ素含有化合物の火炎加水分解により、回転支持体上にSiO粒子を層状に堆積することにより、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体を作り、このスート体を脱水、ドープもしくはガラス化し、そしてこのプロセスにおいては、スート体の内部孔に突入する長い保持体を備え、石英ガラスよりも軟化温度が高い材料から作られている保持デバイスにより、前記スート体を処理炉内で垂直に保持する、合成石英ガラス製の保持デバイスを使っての中空シリンダーの製造方法に関するものである。
さらに本発明は、垂直に配置され、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体の脱水、ドーピングもしくはガラス化に特に使用される中空シリンダー製造法実施のための保持デバイスであって、スート体の内部孔に突入する、石英ガラスよりも高い軟化温度の材料の長い保持体を備える保持デバイス関するものである。
合成石英ガラスの中空シリンダーもしくはチューブは、光学産業もしくは化学産業の多数の部品の中間製造物、そして特に光ファイバーのプリフォームとして使用される。
OVD法(外付け法)によりチューブ状のスート体をつくるときは、SiClのようなケイ素を含有する出発化合物を火炎加水分解してSiOの微粒子をつくり、そして長手方向軸を中心として回転している支持体に層状に堆積させる。このような方法は例えばDE196 49 935A1に説明されている。
支持体の材料としては、機械的にそして化学的に安定しているのでアルミニューム酸化物がしばしば使われる。しかしながら、石英、グラファイトもしくは炭化ケイ素から成る支持体も推奨できる。素材の更なる処理、例えば脱水、ドープ、ガラス化もしくは内孔のコラプスの前に、その支持体は取り除かれる。
製造プロセスがその理由であるがスート体の水酸基(OH基)の含有量は高い。それらは光ファイバーの標準動作波長範囲で高い吸収性を示し、それ故除去しなければならない。DE196 49 935A1によれば、多孔質素材を組み込み保持具によって脱水炉内に垂直に吊り下げ、そしてそれを高温度の塩素含有雰囲気に曝すことによって脱水処理する。OH基はこのプロセスにおいて塩素に置換される。次いで、こうして処理されたスート体を排気可能のガラス化炉に入れ、その中でガラス化して、石英ガラスの透明な中空シリンダーを形成する。
DE29 06 070 A1は、コラプスそしてファイバー延伸中、SiOのスート体の中空シリンダーを保持する別のデバイスを説明している。約50mmの長さの石英ガラスのチューブ片が中空シリンダーの孔に入れられる。このチューブ片の外直径はシリンダーの孔の内直径に一致し、そしてチューブ片には内孔に挿入しようとする端に出っ張りのような厚くなった部分を設けてある。石英ガラスチューブを引っ掛けるためこれらの出っ張り様の厚みを付けた部分は内孔において約90°捩じられていて、バヨネット・ロックに似た結合部となっている。
ガラス化中、チューブ状のスート体を保持する別のデバイスはUS5,076,624Aに説明されている。このデバイスには、支持ベースが設けられており、そして焼結しようとする中空のシリンダースート体をベース上に垂直に立てて保っている。支持ベースが結合されているロッドはスート体の孔を通って上方に延びている。熱分解によってできたグラファイトもしくは窒化硼素の層を支持ベースとロッドに設けている。ガラス化のためスート体をこの支持ベースの上に立たせ、それの端から始めて環状の炉へ上から送りこみ、その中で区分に分けて軟化させ、ガラス化する。
上述の形式の中空シリンダーの製法と上記したタイプによるそれに適したデバイスはEP701 975A2に記載されている。そのデバイスは、スート体の内孔を上から延び、そして下端で支持ベースに結合されている保持ロッドを備え、スート体はその下面端で支持ベース上に立っている。この保持ロッドは、カーボン・ファイバーで強化したグラファイト(CFC)から成り、そしてスート体の内孔領域において純粋なグラファイトのガス透過性のクラッド・チューブにより包囲されている。このクラッド・チューブはスート体を潰している間スペーサーとして働き、クラッド・チューブの厚みを変えることにより保持ロッドの外直径とは関わりなく内直径の異なる中空シリンダーをつくれる。
スート体のガラス化中スート体をグラファイトのクラッド・チューブ上にコラプスする。このプロセスにおいてグラファイト内にある汚染物、具体的には金属不純物が放出され、そしてスート体の石英ガラスに入り込む。ガラス化前に行うのが普通であるハロゲン含有雰囲気内でのスート体の脱水処理は、クラッド・チューブからスート体へ不純物が移行する限り重要な役割を演じている。この不純物の移行は、フッ素もしくは塩素の存在により、そして揮発性ハロゲン化合物の生成により促進される。
結果として、公知の方法では中空シリンダーに対して達成さる純度はグラファイトのクラッド・チューブ内の汚染量により制限される。
この公知の方法ではガラス化後クラッド・チューブを取り除き、そして石英ガラスチューブの内孔を穿孔、研磨、磨きもしくはエッチングにより処理する。この方法は時間がかかり、材料の損耗ともなる。
本発明の目的は、中空シリンダーの純度を脱水、ドーピングもしくはガラス化プロセスにおいて維持し、そして同時に、つくろうとする中空シリンダーの高い寸法安定性を保証して時間もしくは材料を喪失することなく内孔を仕上げられる方法を提供することにある。
さらに本発明の目的はその方法の実施のためのデバイスを提供することにある。
方法について言えば、上記の目的は、上述の方法から始まって本発明にしたがって、保持体とスート体との間に合成石英ガラスのガス不透過性のクラッドを設けることにより達成される。
スート体の処理は少なくとも加熱プロセスを含んでいる。これは脱水処理、ドーパントをスート体に入れるドーピング段階、及び又はスート体を焼き締めて石英ガラスのシリンダーを得るガラス化段階である。公知方法を発明と言えるほどにした変更においては、スート体をそれぞれの段階での処理炉内に保持デバイスによってその加熱プロセス中保持し、そしてスート体の内孔に突入している保持体は少なくとも部分的に石英ガラスのクラッドにより包囲されているのである。本発明の本質的特徴は、加熱プロセス中、スート体の材料に対して「異物」から成る保持体がスート体から少なくとも部分的に遮蔽保護されている、すなわちスート体の「特定物質」すなわち合成石英ガラスから成るクラッドにより遮蔽保護されているということである。
そのため保持体を石英ガラスのガス不透過性のクラッドで包囲する。この石英ガラスのクラッドは保持体を包囲するチューブとして形成され、もしくは保持体のガス不透過性膜として形成される。とにかくそれがスート体の内孔を保持体から遮蔽保護し、それにより保持体との直接接触による、もしくは気相を介しての転移(特に揮発性の金属塩化物)によるスート体の汚染を防いでいる。
処理炉内に形成された加熱域に完全にスート体を入れて、それの全長にわたって同時に加熱するか、もしくはスート体を加熱域に給送して一端から始めて区域毎順々に加熱していくかのどちらかにする。
本発明のスート体の保持デバイスは加熱プロセスのそれぞれに使われる。スート体の脱水処理はハロゲン含有の、具体的に言えばフッ素もしくは塩素含有の雰囲気中で脱水炉内で実施されるのが普通である。スート体にドーパントを注入するその後のドーピング・プロセスにおいてスート体はドーピング炉内で保持デバイスにより保持される。ドーピングは、脱水雰囲気にドーパント(フッ素)を加えるとスート体の脱水の際にドーピングも実施できる。さらに、スート体の焼結もしくは焼き締めのためのガラス化プロセスにおいてスート体はガラス化炉内で保持デバイスにより保持される。脱水、ドーピング及び又はガラス化に同じ炉を使ってもよい。保持体を構成している材料は石英ガラスのガラス化温度で寸法が安定しているものである。さらに、破損抵抗が高く、そして熱衝撃抵抗が高いと使用中の信頼性が高まる。保持体はロッドもしくはチューブとなっている。ロッドもしくはチューブは、1部材で形成されるか、または複数のセグメントあるいはピースで構成される。保持体は、ロッドもしくはチューブを包囲するクラッド・チューブを備える。グラファイトもしくはCFCのような結晶物質が材料として適している。
ガラス化プロセスの完了後に、保持体と石英ガラスのクラッドとをできた石英ガラスチューブから、例えば引出すか、もしくは穿孔によるかして取除く。石英ガラスのクラッドにスート体の内孔をコラプスしていってガラス化プロセスを実施できる。この特に好ましい場合において、石英ガラスのクラッドはもとのスート体の内壁上に溶けて、それにより完成石英ガラスチューブの内部領域と内壁とを形成する。こうして、このチューブは事後処理を殆ど必要としない寸法の安定した内孔を有する。このことは石英ガラスのクラッドにより内壁が形成されているという事実によって説明される。クラッドは密度の高い、ガス不透過性の石英ガラスから成り、ガラス化プロセス中保持体からの汚染注入に対して不感であり、ドーピングプロセスがあっても、それにも不感だからである。
石英ガラスのクラッドが少なくとも部分的に保持体を包囲する石英ガラスのクラッド・チューブとして形成されている別の方法が特に有用である。
石英ガラスのクラッド・チューブの形をした石英ガラスのクラッドにおいて、その密度要件は特に簡単な方法で満足されることができる。さらに、石英ガラスのチューブは容易につくれ、そして扱える。石英ガラスのチューブはスート体の内孔に沿って延びている。理想的には、それの長さは少なくともその内孔の長さである。例えばスート体を保持するのに、それが内孔よりも短い方が都合がよいか、もしくはそのことが必要であるのならば、そうすることができる。
さらに、本発明の変形態様の方法は、正確に調整されるべき大きな壁厚を持った石英ガラスの中空シリンダーの製作を容易とする。石英ガラスの中空シリンダーの全壁厚は、使った石英ガラスのクラッド・チューブの壁厚部分とガラス化後のスート体の壁厚とから成るからである。ここでは比較的外直径が大きい支持体上にスート体は堆積させられており、このことは堆積効率に有利に働く。
特にこの点では、石英ガラスの壁厚が1mmから25mmであるとき有利であることが判明した。
その下限値未満の薄い壁厚はクラッド・チューブの使用中の取扱いと寸法安定性とに不利であり、他方25mmを超える厚い壁の石英ガラスのクラッドではその大きな重量が不便さをもたらし、そして保持デバイスの使用時の安定性を損なう。
5ミリ以下の平均間隙を有する環状の間隙を形成して石英ガラスのクラッド・チューブが保持体を包囲しているのが好ましい。
ガラス化後保持体を取り除く。石英ガラスのクラッド・チューブと保持体との間の環状の間隙が広いほど取り除きは容易となる。しかし、環状の間隙が大きくなると一方では、石英ガラスのクラッド・チューブ、そしてスート体も垂直から傾く危険が生じ、また他方では、汚染物質を多く含んだ気相が環状の間隙の中で多くなる。このようなことで環状の間隙は絶対必要な大きさで、できるだけ小さくするように選定する。その指示間隙幅は長さと半径にわたっての平均値である。
ガラス化中、スート体の内孔を石英ガラスのクラッド上にコラプスすることができる。この場合、好ましい方法の一つの態様においては、平均間隙が2ミリ以下の環状の間隙をつくるように石英ガラスのクラッド・チューブをスート体が包囲している。
大きな間隙はスート体の孔へのクラッド・チューブの導入を容易にする。他方、内孔をコラプスしているときのスート体の変形は調整できないので、その変形が最小であることは、つくろうとしている石英チューブの寸法安定性という理由で望ましい。それ故、その環状間隙の幅は、それが絶対に必要とする大きさであってできるだけ小さいように選定する。間隙幅のデータも長さと半径とにわたって平均された値を参照している。
特に有利な態様では、SiO粒子を石英ガラスのクラッド・チューブ上に層状に堆積させる。
ここでは石英ガラスのクラッド・チューブを堆積プロセスにおける支持体として使用する。スート体を石英ガラスのクラッドに直接形成して、石英ガラスのクラッド・チューブとスート体との間に間隙が残らないようにし、最初から結合状態としている。この態様では石英ガラスのクラッド・チューブをスート体の内孔に挿入する必要はない。
石英ガラスのクラッドがスート体の内孔の実質的な長さに沿って延びているときそれは有用となる。
スート体をさらに処理する際にはスート体の上端と下端とがしばしば切除される。この場合、スート体の全内孔にわたり延びる石英ガラスクラッドは必要でない。しかし、内孔の実質的な長さを延びている石英ガラスクラッドは、気相を介してスート体に汚染物質が入らないように効果的に保護する。内孔の実質的な長さとは全長の80%と100%との間の長さを言う。
この点に関して、保持体に結合された支持ベースに下面端を載せてスート体が直立しているときは有利である。石英ガラスクラッドは保持体に沿って支持ベースから延びている。
支持ベースは、保持体の始点を規定するとともに、そして石英ガラスクラッドを固定するのに作用する。このクラッドは保持体に沿って、好ましくはそれの実質的な長さに沿って延びており、つまり保持体の全長の80%と100%の間の長さに沿って延びている。石英ガラスのクラッドはスート体を汚染から保護している。
本発明の方法は処理炉においてスート体のガラス化(焼結)に主として使われる。
このプロセス中、スート体を、ガラス化炉の内側に形成された加熱域に完全に導入し、そしてその中で全長にわたって同時に加熱する。又は、好ましい態様では、スート体を加熱域に一端から始めて給送していき、その中で区分に分けて加熱していく。スート体のこの区分加熱は気相化合物を逃がすことを容易とする。スート体が多孔質であるので気相化合物は加熱フロントの前方に移っていき、そして長手方向軸の方向と内孔の方向とでスート体を出て行く。
等しく好ましいこととしては、処理炉内のスート体にドーパントを与える。このドーパントを好ましくは気相を介してスート体内に導入する。ガス不透過性の石英ガラスのクラッドは保持体からの気相汚染物の同伴を阻止する。
保持デバイスについて言えば、上述の形式のデバイスから出発した上述の目的を本発明に従って達成したのは、合成石英ガラスのガス不透過性のクラッドを保持体とスート体との間に設けたことにある。
公知の保持デバイスを発明と言えるほどにした変更は、スート体とスート体の内孔に突入している保持体との間に石英ガラスのクラッドを設けたことである。本発明の本質的な特徴は、スート体の材料に対して「異物」の材料から成る保持体を少なくとも部分的にスート体から遮蔽したこと、すなわちスート体の「特定材料」つまり、合成石英ガラスから成るクラッドにより遮蔽したことにある。
石英ガラスのクラッドは、保持体を包囲する中空シリンダーとして形成されるか、もしくは保持体のガス不透過性膜として形成される。いずれにせよ、それは保持体からスート体の内孔を遮蔽し、それにより保持体との直接接触により、もしくは気相を介しての移転によるスート体内への汚染物質の移転を阻止する(具体的には揮発性の金属ハロゲン化物による)。
石英ガラスのガラス化温度で寸法が安定している材料で保持体をつくる。さらに、破損抵抗が高く、熱衝撃に対する抵抗が高いと使用中の信頼性が高まる。保持体はロッドもしくはチューブを含む。ロッドもしくはチューブは、1部材で形成されるか、または複数のセグメントあるいはピースで構成される。保持体はそのロッドもしくはチューブを包囲するクラッド・チューブを備えていてもよい。結晶物質、例えばグラファイトが適切な材料である。
本発明の保持デバイスの特に好ましい態様は、石英ガラスのクラッド・チューブがスート体の部分であることを特徴とする。
石英ガラスのクラッド・チューブ上にSiO粒子を層状に堆積させることによりスート体をつくる。このクラッド・チューブは堆積プロセス中支持体として働く。スート体と石英ガラスのクラッド・チューブとの間には堆積プロセス後には堅固な結合ができる。
本発明の保持デバイスの別の有利な態様は従属請求項に明らかである。これらの従属請求項に記載の保持デバイスの態様が本発明の方法に関する従属請求項に記載のプロセスをコピーしている限りで、対応する方法の請求項に関しての上述の説明を保持デバイスに参照できる。
添付図を参照して本発明を詳述する。
図1を参照する。この図の保持デバイス全体を9で示す。保持デバイスは、グラファイトのチューブ1bとグラファイトの支持ベース3によって取り囲まれたCFCの保持ロッド1を備えている。
支持ベース3は処理空間内で全構成を支持している。この実施例ではドーピング・ガラス化炉は環状の加熱要素10を有する。支持ベース3には水平の受け面を設けてあり、この受け面の上にSiOのチューブ状のスート体(スート体チューブ5)が垂直に載っている。支持ベース3と保持ロッド1とはネジで相互に固着されている。
保持ロッド1はスート体5の全内孔7を延びている。スート体5の上端12を越える保持ロッド1の部分は手で掴めるようにする部分である。引っ張り強度が高いのでCFC保持ロッド1の直径は比較的小さくて良く、30mmで十分である。
保持ロッド1とこれを包囲するグラファイトチューブ1bとは合成石英ガラスのクラッド・チューブ2により包囲されている。平均間隙が0.5mmの間隙4を石英ガラスのクラッド・チューブ2とグラファイトチューブ1bとの間に設け、そして平均間隙が0.8mmの間隙6を石英ガラスのクラッド・チューブ2とスート体チューブ5との間に設ける。
石英ガラスのクラッド・チューブ2は、高純度であり、合成されてできており、透明でそして密度の高い石英ガラスで構成されている。その直径は42.5ミリ、壁厚は1.5ミリそして長さは保持ロッド1とグラファイトチューブ1bの長さよりもいくらか短い。石英ガラスのクラッド・チューブ2は保持ロッド1とスート体チューブ5との間の直接接触を防ぎ、そしてそれは保持ロッド1から浸出する気相の不純物によるスート体チューブ5の汚染の危険をなくす。
スート体チューブ5の内直径は43mm、重さは約100kgである。それは保持デバイス9により運んで処理炉内に保持できる。
図1に示した保持デバイス9を使っての合成石英ガラスの中空シリンダーを製造する方法を以下に詳述する。
蒸着バーナーの炎の中でSiClの火炎加水分解によりSiOスート粒子を形成し、このスート粒子を長手方向軸を中心として回転しているAlの支持ロッドに層状に堆積させ、多孔質のSiOのスート体を形成する。この堆積法の完了後、支持ロッドを取除く。こうしてできたスート体チューブ5から例として以下に説明する方法により透明な石英ガラスチューブを製造する。その製造されたスート体チューブ5の密度は石英ガラスの密度の約25%である。
製造過程で入ってきた水酸基群を取り除くためスート体チューブ5を脱水処理する。このためスート体チューブ5を脱水炉に入れ、その中に保持デバイス9により垂直に保持する。塩素含有雰囲気内で約900℃の温度でスート体チューブ5を先ず処理する。この処理は約8時間続く。
次いで、このように予処理したスート体チューブ5を長手方向軸を垂直にした状態で保持デバイス9によりガラス化炉に入れる。ガラス化炉は、排気されることができ、そしてグラファイトの環状の加熱要素10を装備している。スート体5を連続的に下端から始めて上から加熱要素10へ10mm/分の速度で給送し、その中で区分毎に加熱する。加熱要素10の温度は1600℃に予めセットされていて、それによりスート体5の表面で約1580℃の最大温度が得られる。溶融フロントはこのプロセスでスート体5の内側で外側から内側へと、そして上端から下端へと同時に移って行く。ガラス化炉の内側の内圧は連続排気によりガラス化中0.1ミリバールに保たれている。ガラス化中、スート体は石英ガラスのクラッド・チューブ2上に区分毎に縮退していって、チューブと堅い溶融結合をつくる。ガラス化中、逃げるガスはスート体チューブ5のまだ開孔域となっている区域から、もしくは石英ガラスのクラッド・チューブ2とスート体チューブ5との間の間隙から放出され、泡の形成は回避できる。ガラス化中、スート体5にねじ込まれた保持ナット13はグラファイトチューブ1bの上方端上に位置するように来て、これにより、EP701 975A2に記載のようにガラス化は吊り下げたスート体で実施される。
製造された石英ガラスのチューブの壁は2つの領域から成っている。外域はガラス化したスート体チューブの石英ガラス5により形成され、内域はクラッド・チューブ2の石英ガラスにより形成されている。内面は平らで、綺麗であって機械的な事後処理は必要ではない。
焼結した(ガラス化した)中空シリンダーは長くなっていて、それの外直径は46mmであり内直径は17mmである。製造された石英ガラスのチューブは純度は高く、そして水酸基群の濃度は低く、光ファイバーのプリフォームのコアの近接域に、例えばMCVD法による内側堆積の基部チューブとして使える。勿論、この石英ガラスチューブは、ファイバー延伸の際のコアロッドのオーバークラッドや、プリフォームの製造にも適している。
上述の方法の変形態様においては、ドーピングプロセスは、スート体のガラス化と脱水処理との間にあって、スート体チューブにこのプロセスでフッ素をドープする。このためスート体チューブをドーピング・ガラス化炉に入れ、その中に本発明の保持デバイスで垂直に保持する。ドーピング・ガラス化炉を排気した後フッ素化合物、すなわちCを炉空間に入れ、そして900℃付近の温度で加熱する。この処理は約8時間続く。
上述の火炎加水分解・堆積プロセスの更なる変形態様において、外直径43mm、内直径30mmの石英ガラスの支持チューブをAl支持体の代わりにSiOの堆積用基部本体として使う。堆積プロセス中、石英ガラスの支持チューブとその上に形成されたスート体との間にしっかりした結合ができる。堆積プロセスの完了後スート体と石英ガラスの支持チューブとの複合体を脱水処理にかけ、そして次にスート体をガラス化する。ここで、この複合体を取り扱う保持デバイスは、図1に示したように、グラファイトチューブで包囲され、そして支持ベースへ結合されているCFCの保持ロッドを備えている。
この実施態様では、保持ロッドとグラファイトチューブとは合成石英ガラスのクラッド・チューブにより包囲され、このクラッド・チューブは上述の変形態様の方法とは対照的に、別個の要素として形成されているが、ここでは前の石英ガラスの支持チューブとして形成されている。
本発明の保持デバイスの実施形態の略図である。
符号の説明
1 保持体;保持ロッド
2 クラッド・チューブ
3 支持ベース
4 間隙
5 スート体
6 間隙
7 内孔
9 保持デバイス
10 環状加熱要素


Claims (18)

  1. ケイ素含有化合物の火炎加水分解により、回転支持体上にSiO粒子を層状に堆積することにより、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体を作り、このスート体を脱水、ドープもしくはガラス化し、そしてこの脱水プロセス、およびドープもしくはガラス化プロセスにおいては、スート体の内部孔に突入する長い保持体を備え、石英ガラスよりも軟化温度が高い材料から作られている保持デバイスにより、前記スート体を処理炉内で垂直に保持する、合成石英ガラス製の保持デバイスを使っての中空シリンダーの製造方法において、合成石英ガラスのガス不浸透性クラッド2を保持体1、1bとスート体5との間に設けたことを特徴とする中空シリンダーの製造方法。
  2. ガラス化中、スート体5は石英ガラスのクラッド2上にコラプスする請求項1に記載の方法。
  3. 少なくとも部分的に保持体1,1bを包囲している石英ガラスのクラッド・チューブ2として石英ガラスクラッドを形成した請求項1もしくは2に記載の方法。
  4. 石英ガラスのクラッド・チューブ2は、1ミリから25ミリの壁厚を有する請求項3に記載の方法。
  5. 平均間隙幅が5ミリを越えない環状間隙4を形成して石英ガラスのクラッド・チューブ2が保持体1,1bを包囲している請求項3もしくは4に記載の方法。
  6. 平均間隙幅が2ミリを越えない環状間隙6を形成してスート体5が石英ガラスのクラッド・チューブ2を包囲している請求項3ないし5のいずれかに記載の方法。
  7. 石英ガラスのクラッド・チューブ2にSiO粒子が層状に堆積している請求項3ないし6のいずれかに記載の方法。
  8. 石英ガラスのクラッド2がスート体5の内孔の実質的な長さに沿って延びている請求項1ないし7のいずれかに記載の方法。
  9. スート体5を処理炉内でガラス化する請求項1ないし8のいずれかに記載の方法。
  10. 処理炉内でスート体5にドーパントを加える請求項1ないし9のいずれかに記載の方法。
  11. スート体5がその下端を支持ベース3に載せて立っており、この支持ベースは保持体1,1bに結合されており、前記支持ベースから石英ガラスのクラッド2が前記保持体に沿って延びている請求項1ないし10のいずれかに記載の方法。
  12. 垂直に配置され、中央内部孔を持つ長い多孔質スート体の脱水、ドーピングもしくはガラス化に特に使用される中空シリンダー製造法実施のための保持デバイスであって、スート体の内部孔に突入する、石英ガラスよりも高い軟化温度の材料の長い保持体を備える保持デバイスにおいて、合成石英ガラスのガス不浸透性のクラッド2が、保持体1,1bとスート体5との間に設けられていることを特徴とする保持デバイス。
  13. 前記石英ガラスのクラッドが、少なくとも部分的に保持体を包囲する石英ガラスのクラッド・チューブ2として形成されている請求項12に記載の保持デバイス。
  14. 前記石英ガラスのクラッド・チューブ2は、1ミリから25ミリの壁厚を有する請求項13に記載の保持デバイス。
  15. 平均間隙幅が5ミリを越えない環状間隙4を形成して石英ガラスのクラッド・チューブ2が保持体1,1bを包囲している請求項13もしくは14に記載の保持デバイス。
  16. 平均間隙幅が2ミリを越えない環状間隙6を形成してスート体が石英ガラスのクラッド・チューブ2を包囲している請求項13ないし15のいずれかに記載の保持デバイス。
  17. スート体5の内部孔の実質的な長さに沿って石英ガラスのクラッド2が延びる請求項12ないし1のいずれかに記載の保持デバイス。
  18. スート体5を受けるため保持体は支持ベース3に結合されており、この支持ベースから石英ガラスのクラッド2が保持体1,1bに沿って延びている請求項12ないし1のいずれかに記載の保持デバイス。
JP2006501565A 2003-01-28 2004-01-20 保持デバイスを使っての合成石英ガラスの中空シリンダーの製造方法とこの方法を実施するために適切な保持デバイス Expired - Fee Related JP4514748B2 (ja)

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