JP2003318244A - ロードポート、半導体製造装置、半導体製造方法、及びアダプタの検出方法 - Google Patents
ロードポート、半導体製造装置、半導体製造方法、及びアダプタの検出方法Info
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- JP2003318244A JP2003318244A JP2002118801A JP2002118801A JP2003318244A JP 2003318244 A JP2003318244 A JP 2003318244A JP 2002118801 A JP2002118801 A JP 2002118801A JP 2002118801 A JP2002118801 A JP 2002118801A JP 2003318244 A JP2003318244 A JP 2003318244A
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- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体製造装置の大型化を招くことなく、簡素
な構成にてアダプタの有無を検出すること。 【解決手段】ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂにはアダプタ２５
の装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハ
Ｗが収納され、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂは、ロードポー
ト１１，１２に載置されている。ロードポート１１，１
２は半導体製造装置１の前面に配置され、ＦＯＵＰオー
プナ１４によりＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂの蓋が開けられ
た後、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂに収納されている半導体
ウェーハＷが半導体製造装置１に搬入される。ＦＯＵＰ
オープナ１４の上部にはアダプタ検出センサ１７が配置
され、同アダプタ検出センサ１７によりＦＯＵＰ２１
ａ，２１ｂ内のアダプタ２５の有無が検出される。アダ
プタ検出センサ１７による検出結果は半導体製造装置１
の制御ユニット５に通知される。
な構成にてアダプタの有無を検出すること。 【解決手段】ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂにはアダプタ２５
の装着時と非装着時とで異なるサイズの半導体ウェーハ
Ｗが収納され、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂは、ロードポー
ト１１，１２に載置されている。ロードポート１１，１
２は半導体製造装置１の前面に配置され、ＦＯＵＰオー
プナ１４によりＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂの蓋が開けられ
た後、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂに収納されている半導体
ウェーハＷが半導体製造装置１に搬入される。ＦＯＵＰ
オープナ１４の上部にはアダプタ検出センサ１７が配置
され、同アダプタ検出センサ１７によりＦＯＵＰ２１
ａ，２１ｂ内のアダプタ２５の有無が検出される。アダ
プタ検出センサ１７による検出結果は半導体製造装置１
の制御ユニット５に通知される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ロードポート、半
導体製造装置、半導体製造方法、及びアダプタの検出方
法に関するものである。
導体製造装置、半導体製造方法、及びアダプタの検出方
法に関するものである。
【０００２】近年、半導体製造工場では、少量多品種の
生産が行われている。このため、異なるサイズの半導体
ウェーハがロット単位で製造ラインにて搬送されてい
る。そのライン上の処理装置では、ウェーハのサイズに
応じて処理が行われる。ウェーハの搬送や処理にはウェ
ーハサイズの区別を必要とするため、そのウェーハサイ
ズを効率よく検出する必要がある。
生産が行われている。このため、異なるサイズの半導体
ウェーハがロット単位で製造ラインにて搬送されてい
る。そのライン上の処理装置では、ウェーハのサイズに
応じて処理が行われる。ウェーハの搬送や処理にはウェ
ーハサイズの区別を必要とするため、そのウェーハサイ
ズを効率よく検出する必要がある。
【０００３】
【従来の技術】従来、半導体製造ラインにおいて、半導
体ウェーハは通常オープンカセットと呼ばれる開放型の
カセットに収納され、エッチングやＣＶＤ、ＰＶＤ等の
処理を行う所定の製造装置に運ばれていた。オープンカ
セットには、複数枚の半導体ウェーハが収納され、各ウ
ェーハは上下方向に一定の間隔をおいて配置されてい
る。近年、半導体製造技術が進歩し、半導体製造ライン
で用いられる半導体ウェーハのサイズは大きくなってき
ている。具体的には、８インチや１２インチの半導体ウ
ェーハが用いられており、そのウェーハの大型化に伴っ
てそれを収納するカセットの寸法も大きくなっている。
体ウェーハは通常オープンカセットと呼ばれる開放型の
カセットに収納され、エッチングやＣＶＤ、ＰＶＤ等の
処理を行う所定の製造装置に運ばれていた。オープンカ
セットには、複数枚の半導体ウェーハが収納され、各ウ
ェーハは上下方向に一定の間隔をおいて配置されてい
る。近年、半導体製造技術が進歩し、半導体製造ライン
で用いられる半導体ウェーハのサイズは大きくなってき
ている。具体的には、８インチや１２インチの半導体ウ
ェーハが用いられており、そのウェーハの大型化に伴っ
てそれを収納するカセットの寸法も大きくなっている。
【０００４】４インチ、５インチ、６インチの半導体ウ
ェーハを収納するカセットの場合、その径方向の寸法は
ウェーハサイズに応じて異なるが、内部は２５枚のウェ
ーハを４．７６ｍｍのピッチで収納可能に形成されてい
る。８インチの半導体ウェーハを収納するカセットの場
合、その径方向の寸法が大きくなるのに加え、その内部
は２５枚のウェーハを６．３５ｍｍのピッチで収納可能
に形成されている。同様に、１２インチのカセットの場
合、径方向の寸法が大きくなり、その内部は２５枚のウ
ェーハを１０ｍｍのピッチで収納可能に形成されてい
る。
ェーハを収納するカセットの場合、その径方向の寸法は
ウェーハサイズに応じて異なるが、内部は２５枚のウェ
ーハを４．７６ｍｍのピッチで収納可能に形成されてい
る。８インチの半導体ウェーハを収納するカセットの場
合、その径方向の寸法が大きくなるのに加え、その内部
は２５枚のウェーハを６．３５ｍｍのピッチで収納可能
に形成されている。同様に、１２インチのカセットの場
合、径方向の寸法が大きくなり、その内部は２５枚のウ
ェーハを１０ｍｍのピッチで収納可能に形成されてい
る。
【０００５】また、近年の半導体製造ラインでは、ウェ
ーハサイズの大型化に伴い密閉型の収納容器を用いて、
局所的にクリーン度を高めたシステムが実現されてい
る。この密閉型の容器の具体例としては、図８に示すＳ
ＭＩＦ（Standard MechanicalInterface）ＰＯＤ２０
や、図９に示すＦＯＵＰ（Front Opening Unified Po
d）２１がある。ＰＯＤ２０及びＦＯＵＰ２１は、その
内部を高いクリーン度で保ちつつ半導体ウェーハを各製
造装置に搬送する。
ーハサイズの大型化に伴い密閉型の収納容器を用いて、
局所的にクリーン度を高めたシステムが実現されてい
る。この密閉型の容器の具体例としては、図８に示すＳ
ＭＩＦ（Standard MechanicalInterface）ＰＯＤ２０
や、図９に示すＦＯＵＰ（Front Opening Unified Po
d）２１がある。ＰＯＤ２０及びＦＯＵＰ２１は、その
内部を高いクリーン度で保ちつつ半導体ウェーハを各製
造装置に搬送する。
【０００６】図８のＳＭＩＦＰＯＤ２０は、内部にウェ
ーハカセットを収納して搬送するケースである。これに
対し、図９のＦＯＵＰ２１は、ＳＭＩＦＰＯＤ２０のよ
うにカセットを入れる構成ではなく、その内側壁に半導
体ウェーハを保持するための棚２２が一体的に形成され
ている。この棚２２には、複数段のスロット２２ａが形
成され、その棚２２の各スロット２２ａに１枚ずつ半導
体ウェーハが保持される。ＦＯＵＰ２１は、ＳＥＭＩ
（Semiconductor Equipment and Materials Internatio
nal）規格に準拠したフロントオープンタイプのポッド
であり、前面に設けられた蓋２３を開けることで、半導
体ウェーハの出し入れが可能になっている。
ーハカセットを収納して搬送するケースである。これに
対し、図９のＦＯＵＰ２１は、ＳＭＩＦＰＯＤ２０のよ
うにカセットを入れる構成ではなく、その内側壁に半導
体ウェーハを保持するための棚２２が一体的に形成され
ている。この棚２２には、複数段のスロット２２ａが形
成され、その棚２２の各スロット２２ａに１枚ずつ半導
体ウェーハが保持される。ＦＯＵＰ２１は、ＳＥＭＩ
（Semiconductor Equipment and Materials Internatio
nal）規格に準拠したフロントオープンタイプのポッド
であり、前面に設けられた蓋２３を開けることで、半導
体ウェーハの出し入れが可能になっている。
【０００７】図１０には、ＦＯＵＰ２１を用いて半導体
ウェーハＷを搬送する半導体製造装置３０の概略構成を
示している。同図に示されるように、半導体製造装置３
０の前面には、２つのロードポート３１，３２が隣設さ
れており、各ロードポート３１，３２にＦＯＵＰ２１が
載置されている。ロードポート３１，３２もＦＯＵＰ２
１と同様にＳＥＭＩ規格に準じて構成されている。ロー
ドポート３１，３２は、ＦＯＵＰ２１の蓋２３を開閉す
るためのＦＯＵＰオープナ（蓋開閉器）３３を備える。
そして、そのＦＯＵＰオープナ３３によりＦＯＵＰ２１
の蓋２３が開けられた後に、搬送ロボット３４によりＦ
ＯＵＰ２１から半導体製造装置３０に半導体ウェーハＷ
が搬入される。
ウェーハＷを搬送する半導体製造装置３０の概略構成を
示している。同図に示されるように、半導体製造装置３
０の前面には、２つのロードポート３１，３２が隣設さ
れており、各ロードポート３１，３２にＦＯＵＰ２１が
載置されている。ロードポート３１，３２もＦＯＵＰ２
１と同様にＳＥＭＩ規格に準じて構成されている。ロー
ドポート３１，３２は、ＦＯＵＰ２１の蓋２３を開閉す
るためのＦＯＵＰオープナ（蓋開閉器）３３を備える。
そして、そのＦＯＵＰオープナ３３によりＦＯＵＰ２１
の蓋２３が開けられた後に、搬送ロボット３４によりＦ
ＯＵＰ２１から半導体製造装置３０に半導体ウェーハＷ
が搬入される。
【０００８】半導体製造装置３０は、サイズが異なる半
導体ウェーハ（８インチの半導体ウェーハと１２インチ
の半導体ウェーハ）を処理することができるよう構成さ
れている。具体的に、半導体製造装置３０は、１２イン
チ（３００ｍｍ）のウェーハ用の設備をベースとして、
８インチ（２００ｍｍ）のウェーハも扱うことができる
ように構成され、ＦＯＵＰ２１を用いて半導体ウェーハ
Ｗの出し入れが行われる。ＦＯＵＰ２１は、１２インチ
のウェーハ用の搬送ポッドであり、８インチの半導体ウ
ェーハＷを保持することができない。そのため、８イン
チの半導体ウェーハＷをＦＯＵＰ２１で搬送する場合に
は、図１１に示すアダプタ２５を用いる。このアダプタ
２５は、８インチの半導体ウェーハＷに合わせて設けら
れた一対の側壁２６を有する。この側壁２６には、複数
段のスロット２６ａが形成され、各スロット２６ａに１
枚ずつ半導体ウェーハＷが保持される。そして、そのア
ダプタ２５がＦＯＵＰ２１内に収納された状態で、同Ｆ
ＯＵＰ２１が半導体製造装置３０に搬送される。
導体ウェーハ（８インチの半導体ウェーハと１２インチ
の半導体ウェーハ）を処理することができるよう構成さ
れている。具体的に、半導体製造装置３０は、１２イン
チ（３００ｍｍ）のウェーハ用の設備をベースとして、
８インチ（２００ｍｍ）のウェーハも扱うことができる
ように構成され、ＦＯＵＰ２１を用いて半導体ウェーハ
Ｗの出し入れが行われる。ＦＯＵＰ２１は、１２インチ
のウェーハ用の搬送ポッドであり、８インチの半導体ウ
ェーハＷを保持することができない。そのため、８イン
チの半導体ウェーハＷをＦＯＵＰ２１で搬送する場合に
は、図１１に示すアダプタ２５を用いる。このアダプタ
２５は、８インチの半導体ウェーハＷに合わせて設けら
れた一対の側壁２６を有する。この側壁２６には、複数
段のスロット２６ａが形成され、各スロット２６ａに１
枚ずつ半導体ウェーハＷが保持される。そして、そのア
ダプタ２５がＦＯＵＰ２１内に収納された状態で、同Ｆ
ＯＵＰ２１が半導体製造装置３０に搬送される。
【０００９】ところで、８インチの半導体ウェーハＷの
場合と１２インチの半導体ウェーハＷとでは、収納ピッ
チが異なる。また、ＦＯＵＰ２１内において、棚２２に
セットされる１２インチの半導体ウェーハと、アダプタ
２５を用いてセットされる８インチのウェーハは、製造
装置側の端部の位置を一致させるように配置されてお
り、それらのウェーハセンター（ウェーハＷの中心位
置）が異なっている。ＦＯＵＰ２１内の半導体ウェーハ
Ｗは搬送ロボット３４におけるアーム部３４ａのハンド
３４ｂに載せて搬送されるが、半導体ウェーハＷを的確
に搬送するためには、ウェーハサイズを認識し、搬送ロ
ボット３４のハンド３４ｂの中心を半導体ウェーハＷの
中心に一致させる必要がある。また、半導体製造装置に
おいては、半導体ウェーハＷに形成された位置決め用の
ノッチを検出することで該ウェーハＷのアライメントを
行う機能を有するものがある。このアライメント機能を
有する場合では、ノッチ検出のためにウェーハサイズの
認識が必要となる。
場合と１２インチの半導体ウェーハＷとでは、収納ピッ
チが異なる。また、ＦＯＵＰ２１内において、棚２２に
セットされる１２インチの半導体ウェーハと、アダプタ
２５を用いてセットされる８インチのウェーハは、製造
装置側の端部の位置を一致させるように配置されてお
り、それらのウェーハセンター（ウェーハＷの中心位
置）が異なっている。ＦＯＵＰ２１内の半導体ウェーハ
Ｗは搬送ロボット３４におけるアーム部３４ａのハンド
３４ｂに載せて搬送されるが、半導体ウェーハＷを的確
に搬送するためには、ウェーハサイズを認識し、搬送ロ
ボット３４のハンド３４ｂの中心を半導体ウェーハＷの
中心に一致させる必要がある。また、半導体製造装置に
おいては、半導体ウェーハＷに形成された位置決め用の
ノッチを検出することで該ウェーハＷのアライメントを
行う機能を有するものがある。このアライメント機能を
有する場合では、ノッチ検出のためにウェーハサイズの
認識が必要となる。
【００１０】従来では、ウェーハサイズを認識するため
に、図１０に示すように、ＣＣＤカメラ３６とそれを制
御するコントローラ３７とを半導体製造装置３０に配設
している。つまり、ＣＣＤカメラ３６が撮影した画像の
データに基づいて、ＦＯＵＰ２１内におけるアダプタ２
５の有無を検出し、その検出結果により、処理すべき半
導体ウェーハＷのサイズを認識している。
に、図１０に示すように、ＣＣＤカメラ３６とそれを制
御するコントローラ３７とを半導体製造装置３０に配設
している。つまり、ＣＣＤカメラ３６が撮影した画像の
データに基づいて、ＦＯＵＰ２１内におけるアダプタ２
５の有無を検出し、その検出結果により、処理すべき半
導体ウェーハＷのサイズを認識している。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図１０のよ
うに、ＣＣＤカメラ３６を用いてアダプタ２５の有無を
検出する場合、ＦＯＵＰ２１の色、ＦＯＵＰ２１周辺の
明るさ、ＳＥＭＩ規格に基づく設置場所等を考慮する必
要があり、アダプタ２５を検出するための構成が複雑に
なる。また、ロードポート３１，３２は、ＳＥＭＩ規格
に準じて構成されているため、そのロードポート３１，
３２側にはＣＣＤカメラ３６及びコントローラ３７を収
納するスペースを確保できない。このため、ＣＣＤカメ
ラ３６及びコントローラ３７を半導体製造装置３０側に
配置している。その結果、半導体製造装置３０の床面積
が増大し、半導体製造装置３０の大型化を招いてしま
う。
うに、ＣＣＤカメラ３６を用いてアダプタ２５の有無を
検出する場合、ＦＯＵＰ２１の色、ＦＯＵＰ２１周辺の
明るさ、ＳＥＭＩ規格に基づく設置場所等を考慮する必
要があり、アダプタ２５を検出するための構成が複雑に
なる。また、ロードポート３１，３２は、ＳＥＭＩ規格
に準じて構成されているため、そのロードポート３１，
３２側にはＣＣＤカメラ３６及びコントローラ３７を収
納するスペースを確保できない。このため、ＣＣＤカメ
ラ３６及びコントローラ３７を半導体製造装置３０側に
配置している。その結果、半導体製造装置３０の床面積
が増大し、半導体製造装置３０の大型化を招いてしま
う。
【００１２】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、半導体製造装置の大型化を招くこと
なく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出することを
目的とする。
れたものであって、半導体製造装置の大型化を招くこと
なく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明によれば、アダプタ検出セン
サによりアダプタの有無が検出され、その検出結果が出
力される。この場合、半導体製造装置の大型化を招くこ
となく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出すること
ができる。
め、請求項１に記載の発明によれば、アダプタ検出セン
サによりアダプタの有無が検出され、その検出結果が出
力される。この場合、半導体製造装置の大型化を招くこ
となく、簡素な構成にてアダプタの有無を検出すること
ができる。
【００１４】請求項２に記載の発明によれば、蓋開閉器
の上部にはポッドに収納されている半導体ウェーハを検
出するウェーハ検出センサが配設され、該ウェーハ検出
センサの両側方にアダプタ検出センサが配設される。こ
のアダプタ検出センサは光学式のセンサであり、非接触
にてアダプタの有無が検出される。このように、蓋開閉
器の上部においてウェーハ検出センサの両側方にアダプ
タ検出センサを設置する場合、アダプタ検出センサの配
置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵触することない。
の上部にはポッドに収納されている半導体ウェーハを検
出するウェーハ検出センサが配設され、該ウェーハ検出
センサの両側方にアダプタ検出センサが配設される。こ
のアダプタ検出センサは光学式のセンサであり、非接触
にてアダプタの有無が検出される。このように、蓋開閉
器の上部においてウェーハ検出センサの両側方にアダプ
タ検出センサを設置する場合、アダプタ検出センサの配
置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵触することない。
【００１５】請求項３又は４に記載の発明によれば、蓋
開閉器によりポッドの蓋が開状態とされたとき、光学式
のアダプタ検出センサによりアダプタの有無が検出され
る。そして、その検出結果に基づいて、半導体ウェーハ
のサイズに応じた処理が実施される。
開閉器によりポッドの蓋が開状態とされたとき、光学式
のアダプタ検出センサによりアダプタの有無が検出され
る。そして、その検出結果に基づいて、半導体ウェーハ
のサイズに応じた処理が実施される。
【００１６】請求項５に記載の発明によれば、蓋開閉器
によりポッドの蓋が下方に開けられたときに、該蓋開閉
器の上部に設けられた光学式のセンサにより非接触にて
アダプタの有無が検出される。
によりポッドの蓋が下方に開けられたときに、該蓋開閉
器の上部に設けられた光学式のセンサにより非接触にて
アダプタの有無が検出される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
の形態を図面に従って説明する。図１及び図２には、半
導体製造装置１の概略構成を示している。図１は半導体
製造装置１を上方から見た構成図であり、図２は半導体
製造装置１を側方から見た構成図である。なお、説明の
便宜上、図１では、半導体製造装置１の筐体１ａ上部を
省略して示し、図２では、半導体製造装置１の筐体１ａ
側部を省略して示している。
の形態を図面に従って説明する。図１及び図２には、半
導体製造装置１の概略構成を示している。図１は半導体
製造装置１を上方から見た構成図であり、図２は半導体
製造装置１を側方から見た構成図である。なお、説明の
便宜上、図１では、半導体製造装置１の筐体１ａ上部を
省略して示し、図２では、半導体製造装置１の筐体１ａ
側部を省略して示している。
【００１８】図１及び図２に示すように、半導体製造装
置１は、搬送ロボット２、アライメントユニット３、チ
ャンバ（処理室）４、制御ユニット５等を備える。半導
体製造装置１において、それら搬送ロボット２、アライ
メントユニット３、チャンバ４等を囲む筐体１ａの内側
は、高いクリーン度に保持されている。また、半導体製
造装置１の前面には２つのロードポート１１，１２が隣
設されており、同ロードポート１１，１２のキャリアス
テージ１３にはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Po
d）２１ａ，２１ｂが載置される。
置１は、搬送ロボット２、アライメントユニット３、チ
ャンバ（処理室）４、制御ユニット５等を備える。半導
体製造装置１において、それら搬送ロボット２、アライ
メントユニット３、チャンバ４等を囲む筐体１ａの内側
は、高いクリーン度に保持されている。また、半導体製
造装置１の前面には２つのロードポート１１，１２が隣
設されており、同ロードポート１１，１２のキャリアス
テージ１３にはＦＯＵＰ（Front Opening Unified Po
d）２１ａ，２１ｂが載置される。
【００１９】半導体製造装置１は、８インチ（２００ｍ
ｍ）の半導体ウェーハＷと１２インチ（３００ｍｍ）の
半導体ウェーハＷとを処理することができるよう構成さ
れている。また、本実施形態で用いられるＦＯＵＰ２１
ａ，２１ｂは、図９を用いて説明した従来のＦＯＵＰ２
１と同一構成である。つまり、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂ
は、ＳＥＭＩ規格に準じて構成された１２インチの半導
体ウェーハ用の搬送ポッドであり、図１１に示すアダプ
タ２５を用いることで８インチの半導体ウェーハＷを搬
送できるようになっている。
ｍ）の半導体ウェーハＷと１２インチ（３００ｍｍ）の
半導体ウェーハＷとを処理することができるよう構成さ
れている。また、本実施形態で用いられるＦＯＵＰ２１
ａ，２１ｂは、図９を用いて説明した従来のＦＯＵＰ２
１と同一構成である。つまり、ＦＯＵＰ２１ａ，２１ｂ
は、ＳＥＭＩ規格に準じて構成された１２インチの半導
体ウェーハ用の搬送ポッドであり、図１１に示すアダプ
タ２５を用いることで８インチの半導体ウェーハＷを搬
送できるようになっている。
【００２０】搬送ロボット２は、多関節のアーム部２ａ
を備え、上下及び左右方向に移動可能に構成されてい
る。搬送ロボット２は、アーム部２ａに設けられたハン
ド２ｂに半導体ウェーハＷを載せることで、ＦＯＵＰ２
１（２１ａ，２１ｂ）とアライメントユニット３との間
で半導体ウェーハＷを移送する。
を備え、上下及び左右方向に移動可能に構成されてい
る。搬送ロボット２は、アーム部２ａに設けられたハン
ド２ｂに半導体ウェーハＷを載せることで、ＦＯＵＰ２
１（２１ａ，２１ｂ）とアライメントユニット３との間
で半導体ウェーハＷを移送する。
【００２１】具体的には、搬送ロボット２は、ＦＯＵＰ
２１ａから半導体ウェーハＷを取り出し、そのウェーハ
Ｗをアライメントユニット３に移送する。アライメント
ユニット３では、半導体ウェーハＷにおける位置決め用
のノッチが検出され、その検出結果に基づいて半導体ウ
ェーハＷの位置合わせが行われた後、同ウェーハＷがア
ライメントユニット３からチャンバ４に搬入される。チ
ャンバ４内では、例えば、配線パターン形成のためのエ
ッチング等の処理が実施される。その処理後の半導体ウ
ェーハＷがチャンバ４から搬出されると、搬送ロボット
２は、その処理後の半導体ウェーハＷを取り出し、その
ウェーハＷを元のＦＯＵＰ２１ａに収容する。同様に、
搬送ロボット２は、ＦＯＵＰ２１ｂから半導体ウェーハ
Ｗを取り出し、処理後の半導体ウェーハＷを元のＦＯＵ
Ｐ２１ｂへ収容する。
２１ａから半導体ウェーハＷを取り出し、そのウェーハ
Ｗをアライメントユニット３に移送する。アライメント
ユニット３では、半導体ウェーハＷにおける位置決め用
のノッチが検出され、その検出結果に基づいて半導体ウ
ェーハＷの位置合わせが行われた後、同ウェーハＷがア
ライメントユニット３からチャンバ４に搬入される。チ
ャンバ４内では、例えば、配線パターン形成のためのエ
ッチング等の処理が実施される。その処理後の半導体ウ
ェーハＷがチャンバ４から搬出されると、搬送ロボット
２は、その処理後の半導体ウェーハＷを取り出し、その
ウェーハＷを元のＦＯＵＰ２１ａに収容する。同様に、
搬送ロボット２は、ＦＯＵＰ２１ｂから半導体ウェーハ
Ｗを取り出し、処理後の半導体ウェーハＷを元のＦＯＵ
Ｐ２１ｂへ収容する。
【００２２】次に、ロードポート１１の構成について図
３〜図６を用いて説明する。なお、ロードポート１２は
ロードポート１１と同一構成である。図３は、ＦＯＵＰ
２１をキャリアステージ１３上に載せた状態でのロード
ポート１１の側面図であり、図４は、ロードポート１１
の正面図である。また、図５は、図１及び図２の半導体
製造装置１側から見たロードポート１１の背面図であ
り、図６は、ＦＯＵＰ２１をキャリアステージ１３上に
載せた状態でのロードポート１１の平面図である。な
お、図３では、ＦＯＵＰ２１がロードポート１１にドッ
キングする前の状態を示し、図６では、ＦＯＵＰ２１が
ロードポート１１にドッキングした後の状態を示してい
る。
３〜図６を用いて説明する。なお、ロードポート１２は
ロードポート１１と同一構成である。図３は、ＦＯＵＰ
２１をキャリアステージ１３上に載せた状態でのロード
ポート１１の側面図であり、図４は、ロードポート１１
の正面図である。また、図５は、図１及び図２の半導体
製造装置１側から見たロードポート１１の背面図であ
り、図６は、ＦＯＵＰ２１をキャリアステージ１３上に
載せた状態でのロードポート１１の平面図である。な
お、図３では、ＦＯＵＰ２１がロードポート１１にドッ
キングする前の状態を示し、図６では、ＦＯＵＰ２１が
ロードポート１１にドッキングした後の状態を示してい
る。
【００２３】図３〜図６に示すように、ロードポート１
１の背面側（図２における半導体製造装置側）には、Ｆ
ＯＵＰ２１の蓋２３を開閉するためのＦＯＵＰオープナ
（蓋開閉器）１４が配設されている。ＦＯＵＰオープナ
１４は、駆動モータ１５を備え、同モータ１５の駆動に
より、図３及び図５に示す範囲Ａにおいて上下方向に移
動可能に構成されている。
１の背面側（図２における半導体製造装置側）には、Ｆ
ＯＵＰ２１の蓋２３を開閉するためのＦＯＵＰオープナ
（蓋開閉器）１４が配設されている。ＦＯＵＰオープナ
１４は、駆動モータ１５を備え、同モータ１５の駆動に
より、図３及び図５に示す範囲Ａにおいて上下方向に移
動可能に構成されている。
【００２４】また、図４に示すように、ＦＯＵＰオープ
ナ１４において、ＦＯＵＰ２１に対向する面（対向面）
には、ＦＯＵＰ２１の蓋２３に吸着する円形状の吸着部
１４ａがその対向面の対角となる位置に一対設けられて
いる。また、そのＦＯＵＰオープナ１４の対向面におい
て、左右両側部には上下方向中央に一対の係止レバー１
４ｂが設けられている。一方、図９（ｂ）に示すよう
に、ＦＯＵＰ２１の蓋２３には、ＦＯＵＰオープナ１４
の吸着部１４ａに対応する位置に円形状の被吸着部２３
ａが形成されている。さらに、ＦＯＵＰ２１の蓋２３に
は、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂに対応す
る位置に長方形状をなす係止穴２３ｂが形成されてい
る。
ナ１４において、ＦＯＵＰ２１に対向する面（対向面）
には、ＦＯＵＰ２１の蓋２３に吸着する円形状の吸着部
１４ａがその対向面の対角となる位置に一対設けられて
いる。また、そのＦＯＵＰオープナ１４の対向面におい
て、左右両側部には上下方向中央に一対の係止レバー１
４ｂが設けられている。一方、図９（ｂ）に示すよう
に、ＦＯＵＰ２１の蓋２３には、ＦＯＵＰオープナ１４
の吸着部１４ａに対応する位置に円形状の被吸着部２３
ａが形成されている。さらに、ＦＯＵＰ２１の蓋２３に
は、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂに対応す
る位置に長方形状をなす係止穴２３ｂが形成されてい
る。
【００２５】ＦＯＵＰ２１の蓋２３を開ける際には、Ｆ
ＯＵＰオープナ１４の吸着部１４ａがＦＯＵＰ２１の蓋
２３の被吸着部２３ａに吸着することで、ＦＯＵＰオー
プナ１４とＦＯＵＰ２１の蓋２３とが位置合わせされ
る。なお、この吸着は、例えば、真空吸着にて行われ
る。そして、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂ
がＦＯＵＰ２１の蓋２３の係止穴２３ｂに挿入されてロ
ックされた後に、ＦＯＵＰオープナ１４が移動すること
で、蓋２３がＦＯＵＰ２１から取り外される。
ＯＵＰオープナ１４の吸着部１４ａがＦＯＵＰ２１の蓋
２３の被吸着部２３ａに吸着することで、ＦＯＵＰオー
プナ１４とＦＯＵＰ２１の蓋２３とが位置合わせされ
る。なお、この吸着は、例えば、真空吸着にて行われ
る。そして、ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂ
がＦＯＵＰ２１の蓋２３の係止穴２３ｂに挿入されてロ
ックされた後に、ＦＯＵＰオープナ１４が移動すること
で、蓋２３がＦＯＵＰ２１から取り外される。
【００２６】また、図５及び図６に示すように、ＦＯＵ
Ｐオープナ１４の上部には、ウェーハ検出センサ１６及
びアダプタ検出センサ１７が設けられている。図６に示
すように、ウェーハ検出センサ１６は、レーザビームを
照射する照射部１６ａと、該レーザビームを受光する受
光部１６ｂとを有し、その照射部１６ａ及び受光部１６
ｂは、ＦＯＵＰオープナ１４上面における長手方向の端
部となる位置にそれぞれ設けられている。ウェーハ検出
センサ１６の照射部１６ａ及び受光部１６ｂは、センサ
ケース１６ｃ，１６ｄ内に収められており、ＦＯＵＰオ
ープナ１４によってＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられ後
に基端（内側の端部）を支点として略９０°回動する。
これにより、ウェーハ検出センサ１６は、照射部１６ａ
から照射されたレーザビームを受光部１６ｂにて受光す
るためにその先端がウェーハ側を向くように突出する。
このウェーハ検出センサ１６は、透過型センサを構成し
ている。
Ｐオープナ１４の上部には、ウェーハ検出センサ１６及
びアダプタ検出センサ１７が設けられている。図６に示
すように、ウェーハ検出センサ１６は、レーザビームを
照射する照射部１６ａと、該レーザビームを受光する受
光部１６ｂとを有し、その照射部１６ａ及び受光部１６
ｂは、ＦＯＵＰオープナ１４上面における長手方向の端
部となる位置にそれぞれ設けられている。ウェーハ検出
センサ１６の照射部１６ａ及び受光部１６ｂは、センサ
ケース１６ｃ，１６ｄ内に収められており、ＦＯＵＰオ
ープナ１４によってＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられ後
に基端（内側の端部）を支点として略９０°回動する。
これにより、ウェーハ検出センサ１６は、照射部１６ａ
から照射されたレーザビームを受光部１６ｂにて受光す
るためにその先端がウェーハ側を向くように突出する。
このウェーハ検出センサ１６は、透過型センサを構成し
ている。
【００２７】すなわち、ウェーハ有の場合には、ウェー
ハＷによりレーザビームＢ１が遮られるため、レーザビ
ームＢ１は受光部１６ｂに照射されない。一方、ウェー
ハ無の場合には、レーザビームＢ１が遮られることはな
く受光部１６ｂに照射される。そして、受光部１６ｂに
て、レーザビームＢ１の照射の有無を電気信号に変換す
ることにより、半導体ウェーハＷの有無が検出できるよ
うになっている。また、このウェーハ検出時にはＦＯＵ
Ｐオープナ１４が下方に移動することにより、ＦＯＵＰ
２１又はアダプタ２５における最上段のスロット２２
ａ，２６ａから最下段のスロット２２ａ，２６ａについ
て、それらスロット２２ａ，２６ａにセットされている
各半導体ウェーハＷの有無が検出される。
ハＷによりレーザビームＢ１が遮られるため、レーザビ
ームＢ１は受光部１６ｂに照射されない。一方、ウェー
ハ無の場合には、レーザビームＢ１が遮られることはな
く受光部１６ｂに照射される。そして、受光部１６ｂに
て、レーザビームＢ１の照射の有無を電気信号に変換す
ることにより、半導体ウェーハＷの有無が検出できるよ
うになっている。また、このウェーハ検出時にはＦＯＵ
Ｐオープナ１４が下方に移動することにより、ＦＯＵＰ
２１又はアダプタ２５における最上段のスロット２２
ａ，２６ａから最下段のスロット２２ａ，２６ａについ
て、それらスロット２２ａ，２６ａにセットされている
各半導体ウェーハＷの有無が検出される。
【００２８】なお、図６に示すように、ＦＯＵＰ２１内
において、棚２２にセットされる１２インチのウェーハ
Ｗ１２と、アダプタ２５を用いてセットされる８インチ
のウェーハＷ８は、それら端部（製造装置側の端部）の
位置が一致するように配置されている。このウェーハ端
部にてレーザビームＢ１が遮断される構成であるため、
ウェーハサイズが１２インチと８インチのいずれであっ
ても、半導体ウェーハＷ（Ｗ８，Ｗ１２）の有無が検出
できる。
において、棚２２にセットされる１２インチのウェーハ
Ｗ１２と、アダプタ２５を用いてセットされる８インチ
のウェーハＷ８は、それら端部（製造装置側の端部）の
位置が一致するように配置されている。このウェーハ端
部にてレーザビームＢ１が遮断される構成であるため、
ウェーハサイズが１２インチと８インチのいずれであっ
ても、半導体ウェーハＷ（Ｗ８，Ｗ１２）の有無が検出
できる。
【００２９】アダプタ検出センサ１７は、光Ｂ２を照射
する照射部１７ａと、該照射部１７ａの光Ｂ２を受光す
る受光部１７ｂとを有している。このアダプタ検出セン
サ１７は、アダプタ２５の有無を非接触にて検出するレ
ーザ式等の光学式のセンサであり、照射部１７ａ及び受
光部１７ｂはアダプタ２５に対応する位置（本実施形態
ではウエハ検出センサ１６（受光部１６ｂ）の両側）に
配設されている。具体的に、アダプタ検出センサ１７
は、照射部１７ａの光（レーザビーム）Ｂ２をアダプタ
２５における側壁２６の前端に向けて照射し、その反射
光を受光部１７ｂで受光するように照射部１７ａ及び受
光部１７ｂの位置と光Ｂ２の照射角度及び受光角度が調
節されている。このアダプタ検出センサ１７は、反射型
センサを構成している。
する照射部１７ａと、該照射部１７ａの光Ｂ２を受光す
る受光部１７ｂとを有している。このアダプタ検出セン
サ１７は、アダプタ２５の有無を非接触にて検出するレ
ーザ式等の光学式のセンサであり、照射部１７ａ及び受
光部１７ｂはアダプタ２５に対応する位置（本実施形態
ではウエハ検出センサ１６（受光部１６ｂ）の両側）に
配設されている。具体的に、アダプタ検出センサ１７
は、照射部１７ａの光（レーザビーム）Ｂ２をアダプタ
２５における側壁２６の前端に向けて照射し、その反射
光を受光部１７ｂで受光するように照射部１７ａ及び受
光部１７ｂの位置と光Ｂ２の照射角度及び受光角度が調
節されている。このアダプタ検出センサ１７は、反射型
センサを構成している。
【００３０】従って、ＦＯＵＰ２１内にアダプタ２５が
ある場合（半導体製造装置１にて８インチの半導体ウェ
ーハＷ８を処理する場合）、照射部１７ａの光Ｂ２がア
ダプタ２５で反射され受光部１７ｂに照射される。一
方、ＦＯＵＰ２１内にアダプタ２５がない場合（半導体
製造装置１にて１２インチの半導体ウェーハＷ１２を処
理する場合）、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５で
反射されることはなく受光部１７ｂに照射されない。つ
まり、アダプタ検出センサ１７は、その受光部１７ｂに
照射される光Ｂ２の有無を電気信号（検出信号）に変換
することにより、アダプタ２５の有無が検出できるよう
になっている。
ある場合（半導体製造装置１にて８インチの半導体ウェ
ーハＷ８を処理する場合）、照射部１７ａの光Ｂ２がア
ダプタ２５で反射され受光部１７ｂに照射される。一
方、ＦＯＵＰ２１内にアダプタ２５がない場合（半導体
製造装置１にて１２インチの半導体ウェーハＷ１２を処
理する場合）、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５で
反射されることはなく受光部１７ｂに照射されない。つ
まり、アダプタ検出センサ１７は、その受光部１７ｂに
照射される光Ｂ２の有無を電気信号（検出信号）に変換
することにより、アダプタ２５の有無が検出できるよう
になっている。
【００３１】図７は、本実施形態における電気的なシス
テム構成を示すブロック図である。制御ユニット５は、
ＣＰＵ６、通信回路７、入出力回路８を備え、ＣＰＵ
６、通信回路７、入出力回路８は、図示しない汎用バス
を介して接続され、相互にデータのやり取りを行うこと
ができるようになっている。
テム構成を示すブロック図である。制御ユニット５は、
ＣＰＵ６、通信回路７、入出力回路８を備え、ＣＰＵ
６、通信回路７、入出力回路８は、図示しない汎用バス
を介して接続され、相互にデータのやり取りを行うこと
ができるようになっている。
【００３２】ＣＰＵ６は、図示しない記憶装置に記憶さ
れている処理プログラムを実行することにより、半導体
製造装置１における搬送ロボット２、アライメントユニ
ット３、チャンバ４、及びロードポート１１，１２を統
括的に制御する。通信回路７は、ＲＳ−２３２Ｃプロト
コルに従った通信処理を行う回路であって、ロードポー
ト１１，１２との間で通信データの授受を行うための４
つの通信端子（第１〜第４通信端子）７ａ〜７ｄを備え
る。入出力回路８は、デジタル信号の入力又は出力処理
を行う回路であって、搬送ロボット２、アライメントユ
ニット３、チャンバ４、及びロードポート１１，１２と
の間でデジタル信号の授受を行うための５つの信号端子
（第１〜第５信号端子）８ａ〜８ｅを備える。
れている処理プログラムを実行することにより、半導体
製造装置１における搬送ロボット２、アライメントユニ
ット３、チャンバ４、及びロードポート１１，１２を統
括的に制御する。通信回路７は、ＲＳ−２３２Ｃプロト
コルに従った通信処理を行う回路であって、ロードポー
ト１１，１２との間で通信データの授受を行うための４
つの通信端子（第１〜第４通信端子）７ａ〜７ｄを備え
る。入出力回路８は、デジタル信号の入力又は出力処理
を行う回路であって、搬送ロボット２、アライメントユ
ニット３、チャンバ４、及びロードポート１１，１２と
の間でデジタル信号の授受を行うための５つの信号端子
（第１〜第５信号端子）８ａ〜８ｅを備える。
【００３３】通信回路７の第１及び第２通信端子７ａ，
７ｂは、ロードポート１１における第１及び第２通信端
子１１ａ，１１ｂに接続され、通信回路７の第３及び第
４通信端子７ｃ，７ｄは、ロードポート１２における第
１及び第２通信端子１２ａ，１２ｂに接続されている。
ロードポート１１，１２は、ＲＳ−２３２Ｃプロトコル
に従った通信処理を行う通信回路（図示せず）を備え、
ＦＯＵＰ２１に付加されているＩＤ情報の送信を第１通
信端子１１ａ，１２ａを介して行う。また、ロードポー
ト１１，１２は、ＦＯＵＰオープナ１４の開閉制御等を
行うための制御情報の送受信を第２通信端子１１ｂ，１
２ｂを介して行う。
７ｂは、ロードポート１１における第１及び第２通信端
子１１ａ，１１ｂに接続され、通信回路７の第３及び第
４通信端子７ｃ，７ｄは、ロードポート１２における第
１及び第２通信端子１２ａ，１２ｂに接続されている。
ロードポート１１，１２は、ＲＳ−２３２Ｃプロトコル
に従った通信処理を行う通信回路（図示せず）を備え、
ＦＯＵＰ２１に付加されているＩＤ情報の送信を第１通
信端子１１ａ，１２ａを介して行う。また、ロードポー
ト１１，１２は、ＦＯＵＰオープナ１４の開閉制御等を
行うための制御情報の送受信を第２通信端子１１ｂ，１
２ｂを介して行う。
【００３４】入出力回路８の第１信号端子８ａは、ロー
ドポート１１の信号端子１１ｃに接続され、入出力回路
８の第２信号端子８ｂは、ロードポート１２の信号端子
１１ｃに接続されている。ロードポート１１，１２は、
前記アダプタ検出センサ１７の検出信号を出力するため
の出力回路（図示せず）を備える。ロードポート１１に
おける検出信号は、信号端子１１ｃから出力され入出力
回路８の第１信号端子８ａに取り込まれ、ロードポート
１２における検出信号は、信号端子１２ｃから出力され
入出力回路８の第２信号端子８ｂに取り込まれる。
ドポート１１の信号端子１１ｃに接続され、入出力回路
８の第２信号端子８ｂは、ロードポート１２の信号端子
１１ｃに接続されている。ロードポート１１，１２は、
前記アダプタ検出センサ１７の検出信号を出力するため
の出力回路（図示せず）を備える。ロードポート１１に
おける検出信号は、信号端子１１ｃから出力され入出力
回路８の第１信号端子８ａに取り込まれ、ロードポート
１２における検出信号は、信号端子１２ｃから出力され
入出力回路８の第２信号端子８ｂに取り込まれる。
【００３５】また、入出力回路８の第３信号端子８ｃは
搬送ロボット２の信号端子２ｃに接続され、同信号端子
２ｃから入力される制御信号によって搬送ロボット２が
制御される。入出力回路８の第４信号端子８ｄはアライ
メントユニット３の信号端子３ｃに接続され、同信号端
子３ｃから入力される制御信号によってアライメントユ
ニット３が制御される。入出力回路８の第５信号端子８
ｅはチャンバ４の信号端子４ｃに接続され、同信号端子
４ｃから入力される制御信号によってチャンバ４が制御
される。
搬送ロボット２の信号端子２ｃに接続され、同信号端子
２ｃから入力される制御信号によって搬送ロボット２が
制御される。入出力回路８の第４信号端子８ｄはアライ
メントユニット３の信号端子３ｃに接続され、同信号端
子３ｃから入力される制御信号によってアライメントユ
ニット３が制御される。入出力回路８の第５信号端子８
ｅはチャンバ４の信号端子４ｃに接続され、同信号端子
４ｃから入力される制御信号によってチャンバ４が制御
される。
【００３６】また、ロードポート１１の電源端子１１ｄ
及びロードポート１２の電源端子１２ｄには電源装置９
が接続されており、その電源装置９からの駆動電源は、
ＦＯＵＰオープナ１４の駆動モータ１５、ウェーハ検出
センサ１６、アダプタ検出センサ１７等に供給される。
及びロードポート１２の電源端子１２ｄには電源装置９
が接続されており、その電源装置９からの駆動電源は、
ＦＯＵＰオープナ１４の駆動モータ１５、ウェーハ検出
センサ１６、アダプタ検出センサ１７等に供給される。
【００３７】次に、本実施形態における半導体製造装置
１及びロードポート１１，１２の動作を説明する。今、
ＦＯＵＰ２１を載せたロードポート１１が半導体製造装
置１の前面に配置された後、図示しないスタートボタン
が押される。すると、半導体製造装置１の制御ユニット
５は、そのボタン操作に応答して通信回路７からロード
ポート１１に制御信号を出力する。同制御信号によりロ
ードポート１１が制御されＦＯＵＰ２１に収納されてい
る半導体ウェーハＷの搬入処理が実施される。
１及びロードポート１１，１２の動作を説明する。今、
ＦＯＵＰ２１を載せたロードポート１１が半導体製造装
置１の前面に配置された後、図示しないスタートボタン
が押される。すると、半導体製造装置１の制御ユニット
５は、そのボタン操作に応答して通信回路７からロード
ポート１１に制御信号を出力する。同制御信号によりロ
ードポート１１が制御されＦＯＵＰ２１に収納されてい
る半導体ウェーハＷの搬入処理が実施される。
【００３８】具体的には、ＦＯＵＰ２１を載せたキャリ
アステージ１３が前方に移動し、ＦＯＵＰオープナ１４
がＦＯＵＰ２１側（前方）に移動してＦＯＵＰ２１とロ
ードポート１１とがドッキングする。このとき、ＦＯＵ
Ｐオープナ１４の吸着部１４ａがＦＯＵＰ２１の蓋２３
の被吸着部２３ａに吸着することで、ＦＯＵＰオープナ
１４とＦＯＵＰ２１の蓋２３とが位置合わせされた後、
ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂがＦＯＵＰ２
１の蓋２３の係止穴２３ｂに挿入されてロックされる。
そして、ＦＯＵＰオープナ１４が装置内部側（後方）に
戻りＦＯＵＰ２１の蓋２３を引っ張ることでその蓋２３
がＦＯＵＰ２１から取り外される。その後、蓋２３と共
にＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動する。これによ
り、ＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられる。
アステージ１３が前方に移動し、ＦＯＵＰオープナ１４
がＦＯＵＰ２１側（前方）に移動してＦＯＵＰ２１とロ
ードポート１１とがドッキングする。このとき、ＦＯＵ
Ｐオープナ１４の吸着部１４ａがＦＯＵＰ２１の蓋２３
の被吸着部２３ａに吸着することで、ＦＯＵＰオープナ
１４とＦＯＵＰ２１の蓋２３とが位置合わせされた後、
ＦＯＵＰオープナ１４の係止レバー１４ｂがＦＯＵＰ２
１の蓋２３の係止穴２３ｂに挿入されてロックされる。
そして、ＦＯＵＰオープナ１４が装置内部側（後方）に
戻りＦＯＵＰ２１の蓋２３を引っ張ることでその蓋２３
がＦＯＵＰ２１から取り外される。その後、蓋２３と共
にＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動する。これによ
り、ＦＯＵＰ２１の蓋２３が開けられる。
【００３９】次いで、ＦＯＵＰ２１におけるアダプタ２
５の検出処理が実施される。詳述すると、先ず、アダプ
タ検出センサ１７の位置がアダプタ２５の高さの略中央
となるようＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動する。そ
の後、アダプタ検出センサ１７は、その照射部１７ａか
ら光Ｂ２を出力する。ここで、アダプタ有の場合、照射
部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５にて反射し、受光部１
７ｂはその反射光を受光する。一方、アダプタ無の場
合、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５で反射しない
ため、受光部１７ｂは照射部１７ａの光を受光しない。
アダプタ検出センサ１７は、受光部１７ｂにおける光Ｂ
２の有無を電気信号に変換し、アダプタ有の場合には検
出信号として「１」を出力し、アダプタ無の場合には検
出信号として「０」を出力する。
５の検出処理が実施される。詳述すると、先ず、アダプ
タ検出センサ１７の位置がアダプタ２５の高さの略中央
となるようＦＯＵＰオープナ１４が下方に移動する。そ
の後、アダプタ検出センサ１７は、その照射部１７ａか
ら光Ｂ２を出力する。ここで、アダプタ有の場合、照射
部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５にて反射し、受光部１
７ｂはその反射光を受光する。一方、アダプタ無の場
合、照射部１７ａの光Ｂ２はアダプタ２５で反射しない
ため、受光部１７ｂは照射部１７ａの光を受光しない。
アダプタ検出センサ１７は、受光部１７ｂにおける光Ｂ
２の有無を電気信号に変換し、アダプタ有の場合には検
出信号として「１」を出力し、アダプタ無の場合には検
出信号として「０」を出力する。
【００４０】このアダプタ検出センサ１７の検出信号
は、入出力回路８を介して制御ユニット５に取り込まれ
る。制御ユニット５は、その検出信号に基づいて、ＦＯ
ＵＰ２１に収納されている半導体ウェーハＷのサイズを
認識する。すなわち、制御ユニット５は、検出信号が
「１」である場合（アダプタ有の場合）には、半導体製
造装置１にて処理すべき半導体ウェーハＷのサイズが８
インチである旨を判定する。一方、検出信号が「０」で
ある場合（アダプタ無の場合）には、処理すべき半導体
ウェーハＷのサイズが１２インチである旨を判定する。
は、入出力回路８を介して制御ユニット５に取り込まれ
る。制御ユニット５は、その検出信号に基づいて、ＦＯ
ＵＰ２１に収納されている半導体ウェーハＷのサイズを
認識する。すなわち、制御ユニット５は、検出信号が
「１」である場合（アダプタ有の場合）には、半導体製
造装置１にて処理すべき半導体ウェーハＷのサイズが８
インチである旨を判定する。一方、検出信号が「０」で
ある場合（アダプタ無の場合）には、処理すべき半導体
ウェーハＷのサイズが１２インチである旨を判定する。
【００４１】その後、ＦＯＵＰ２１に収納されている半
導体ウェーハＷの検出処理（マッピング処理）が実施さ
れる。同検出処理において、先ず、ＦＯＵＰオープナ１
４が上方向にマッピング開始位置まで移動する。ここ
で、マッピング開始位置は、ウェーハサイズが８インチ
である場合には、ウェーハ検出センサ１６の位置がアダ
プタ２５における最上段のスロット２６ａに収納された
ウェーハＷを検出可能な位置（詳しくは下降中にそのウ
ェハＷを検出することが可能な位置）である。また、ウ
ェーハサイズが１２インチである場合のマッピング開始
位置は、ＦＯＵＰ２１の棚２２における最上段のスロッ
ト２２ａに対応する位置である。
導体ウェーハＷの検出処理（マッピング処理）が実施さ
れる。同検出処理において、先ず、ＦＯＵＰオープナ１
４が上方向にマッピング開始位置まで移動する。ここ
で、マッピング開始位置は、ウェーハサイズが８インチ
である場合には、ウェーハ検出センサ１６の位置がアダ
プタ２５における最上段のスロット２６ａに収納された
ウェーハＷを検出可能な位置（詳しくは下降中にそのウ
ェハＷを検出することが可能な位置）である。また、ウ
ェーハサイズが１２インチである場合のマッピング開始
位置は、ＦＯＵＰ２１の棚２２における最上段のスロッ
ト２２ａに対応する位置である。
【００４２】そして、ウェーハ検出センサ１６における
照射部１６ａ及び受光部１６ｂがウェーハ側を向くよう
に突出した後、ウェーハ検出センサ１６は、その照射部
１６ａからレーザビームＢ１を出力する。ウェーハ検出
センサ１６は、そのレーザビームＢ１を受光部１６ｂに
て受光することより、ＦＯＵＰ２１に収納されている半
導体ウェーハＷの有無を検出する。このウェーハ検出セ
ンサ１６による検出時には、ＦＯＵＰオープナ１４が下
方に移動することにより、最上段のスロット２２ａ，２
６ａから最下段のスロット２２ａ，２６ａについて、そ
れらスロット２２ａ，２６ａにセットされている半導体
ウェーハＷの有無が検出される。
照射部１６ａ及び受光部１６ｂがウェーハ側を向くよう
に突出した後、ウェーハ検出センサ１６は、その照射部
１６ａからレーザビームＢ１を出力する。ウェーハ検出
センサ１６は、そのレーザビームＢ１を受光部１６ｂに
て受光することより、ＦＯＵＰ２１に収納されている半
導体ウェーハＷの有無を検出する。このウェーハ検出セ
ンサ１６による検出時には、ＦＯＵＰオープナ１４が下
方に移動することにより、最上段のスロット２２ａ，２
６ａから最下段のスロット２２ａ，２６ａについて、そ
れらスロット２２ａ，２６ａにセットされている半導体
ウェーハＷの有無が検出される。
【００４３】なおここで、半導体ウェーハＷの収納ピッ
チは、ウェーハサイズ（８インチと１２インチ）に応じ
て異なる。具体的には、アダプタ２５を用いてセットさ
れる８インチの半導体ウェーハＷ８の収納ピッチ（スロ
ット２６ａの間隔）は６．３５ｍｍであり、アダプタ２
５を用いずにセットされる１２インチの半導体ウェーハ
Ｗ１２の収納ピッチ（スロット２２ａの間隔）は１０ｍ
ｍである。従って、ウェーハ検出センサ１６による検出
ピッチも、ウェーハサイズ（アダプタ２５の有無）に応
じて変更されている。
チは、ウェーハサイズ（８インチと１２インチ）に応じ
て異なる。具体的には、アダプタ２５を用いてセットさ
れる８インチの半導体ウェーハＷ８の収納ピッチ（スロ
ット２６ａの間隔）は６．３５ｍｍであり、アダプタ２
５を用いずにセットされる１２インチの半導体ウェーハ
Ｗ１２の収納ピッチ（スロット２２ａの間隔）は１０ｍ
ｍである。従って、ウェーハ検出センサ１６による検出
ピッチも、ウェーハサイズ（アダプタ２５の有無）に応
じて変更されている。
【００４４】制御ユニット５は、ウェーハ検出センサ１
６の検出信号を取り込み、その検出信号に基づいて、ど
のスロット２２ａ，２６ａに半導体ウェーハＷがセット
されているかを示すマップデータを生成する。そして、
制御ユニット５は、そのマップデータ及び半導体ウェー
ハＷのサイズに基づいて搬送ロボット２を制御し、同搬
送ロボット２によりＦＯＵＰ２１内の半導体ウェーハＷ
をアライメントユニット３に搬送する。
６の検出信号を取り込み、その検出信号に基づいて、ど
のスロット２２ａ，２６ａに半導体ウェーハＷがセット
されているかを示すマップデータを生成する。そして、
制御ユニット５は、そのマップデータ及び半導体ウェー
ハＷのサイズに基づいて搬送ロボット２を制御し、同搬
送ロボット２によりＦＯＵＰ２１内の半導体ウェーハＷ
をアライメントユニット３に搬送する。
【００４５】また、制御ユニット５は、半導体ウェーハ
Ｗのサイズに基づいてアライメントユニット３を制御し
て、半導体ウェーハＷのノッチを検出するとともに、そ
の検出結果により半導体ウェーハＷの位置合わせを行
う。このアライメントユニット３にて位置合わせが行わ
れた半導体ウェーハＷがチャンバ４内に搬入され、同チ
ャンバ４内では、半導体ウェーハＷのサイズに応じたエ
ッチング処理が実施される。そして、この処理後の半導
体ウェーハＷは、搬送ロボット２により搬送されＦＯＵ
Ｐ２１内に収納される。
Ｗのサイズに基づいてアライメントユニット３を制御し
て、半導体ウェーハＷのノッチを検出するとともに、そ
の検出結果により半導体ウェーハＷの位置合わせを行
う。このアライメントユニット３にて位置合わせが行わ
れた半導体ウェーハＷがチャンバ４内に搬入され、同チ
ャンバ４内では、半導体ウェーハＷのサイズに応じたエ
ッチング処理が実施される。そして、この処理後の半導
体ウェーハＷは、搬送ロボット２により搬送されＦＯＵ
Ｐ２１内に収納される。
【００４６】以上記述したように、上記実施形態によれ
ば、下記の効果を奏する。 （１）光学式のアダプタ検出センサ１７を用いるように
したので、従来技術のようにＣＣＤカメラ３６を用いる
場合と比較して大きな設置場所を確保する必要がない。
また、ＣＣＤカメラ３６を用いる場合のように、ＦＯＵ
Ｐ２１の色、その周辺の明るさ等を考慮することなくア
ダプタの有無を検出できる。つまり、本実施形態のよう
に、アダプタ検出センサ１７を用いることにより、半導
体製造装置１の大型化を招くことなく、簡素な構成にて
アダプタ２５の有無を検出することができる。さらに、
アダプタ検出センサ１７はＣＣＤカメラ３６よりも安価
であり、コストの低減を図ることができる。
ば、下記の効果を奏する。 （１）光学式のアダプタ検出センサ１７を用いるように
したので、従来技術のようにＣＣＤカメラ３６を用いる
場合と比較して大きな設置場所を確保する必要がない。
また、ＣＣＤカメラ３６を用いる場合のように、ＦＯＵ
Ｐ２１の色、その周辺の明るさ等を考慮することなくア
ダプタの有無を検出できる。つまり、本実施形態のよう
に、アダプタ検出センサ１７を用いることにより、半導
体製造装置１の大型化を招くことなく、簡素な構成にて
アダプタ２５の有無を検出することができる。さらに、
アダプタ検出センサ１７はＣＣＤカメラ３６よりも安価
であり、コストの低減を図ることができる。
【００４７】（２）ウェーハ検出センサ１６の両側方に
アダプタ検出センサ１７を配置することにより、アダプ
タ検出センサ１７の配置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵
触することなく、アダプタ２５の有無を検出することが
できる。
アダプタ検出センサ１７を配置することにより、アダプ
タ検出センサ１７の配置場所がＳＥＭＩ規定の制限に抵
触することなく、アダプタ２５の有無を検出することが
できる。
【００４８】（３）ロードポート１１におけるアダプタ
検出センサ１７の検出信号は制御ユニット５における入
出力回路８から取り込まれて制御ユニット５に通知され
る。それにより、制御ユニット５は、ＦＯＵＰ２１から
搬入される半導体ウェーハＷのサイズを認識でき、該半
導体ウェーハＷのサイズに応じた処理を行うことができ
る。
検出センサ１７の検出信号は制御ユニット５における入
出力回路８から取り込まれて制御ユニット５に通知され
る。それにより、制御ユニット５は、ＦＯＵＰ２１から
搬入される半導体ウェーハＷのサイズを認識でき、該半
導体ウェーハＷのサイズに応じた処理を行うことができ
る。
【００４９】上記実施の形態は、次に示すように変更す
ることもできる。 ・上記実施の形態において、アダプタ検出センサ１７
を、ＦＯＵＰオープナ１４の上部におけるウェーハ検出
センサ１６（受光部１６ｂ）の両側方に配設していた
が、例えば、半導体製造装置１に配設してもよい。
ることもできる。 ・上記実施の形態において、アダプタ検出センサ１７
を、ＦＯＵＰオープナ１４の上部におけるウェーハ検出
センサ１６（受光部１６ｂ）の両側方に配設していた
が、例えば、半導体製造装置１に配設してもよい。
【００５０】・アダプタ検出センサ１７は、光学式のセ
ンサであり、非接触にてアダプタ２５の有無を検出する
ものであったが、これに限定されるものではない。例え
ば、ＦＯＵＰ２１の下面に、接触式のセンサを設け、同
センサにてアダプタの有無を検出するように構成しても
よい。
ンサであり、非接触にてアダプタ２５の有無を検出する
ものであったが、これに限定されるものではない。例え
ば、ＦＯＵＰ２１の下面に、接触式のセンサを設け、同
センサにてアダプタの有無を検出するように構成しても
よい。
【００５１】・上記実施の形態では、アダプタ検出セン
サ１７にてアダプタ２５の有無を検出してからウェーハ
検出センサ１６によるウェーハのマッピング処理を行う
ものであったが、マッピング処理を実施しながらアダプ
タ２５の検出処理を行うようにしてもよい。
サ１７にてアダプタ２５の有無を検出してからウェーハ
検出センサ１６によるウェーハのマッピング処理を行う
ものであったが、マッピング処理を実施しながらアダプ
タ２５の検出処理を行うようにしてもよい。
【００５２】・上記実施の形態では、半導体製造装置１
のチャンバ４内において、配線パターン形成のためのエ
ッチングが行われるものであったが、これに限定される
ものではない。チャンバ内において、ＣＶＤ、ＰＶＤ等
の処理、或いはウェーハ表面の欠陥を検査する処理を行
うようにした半導体製造装置に具体化してもよい。
のチャンバ４内において、配線パターン形成のためのエ
ッチングが行われるものであったが、これに限定される
ものではない。チャンバ内において、ＣＶＤ、ＰＶＤ等
の処理、或いはウェーハ表面の欠陥を検査する処理を行
うようにした半導体製造装置に具体化してもよい。
【００５３】以上の様々な実施の形態をまとめると、以
下のようになる。 （付記１）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイ
ズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプ
のポッドが載置され、該ポッドから前記半導体ウェーハ
を取り出すために前記ポッドの蓋を開閉する蓋開閉器が
配設されたロードポートであって、前記アダプタの有無
を検出するアダプタ検出センサを備え、該アダプタ検出
センサによる検出結果を出力するようにしたことを特徴
とするロードポート。 （付記２）前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダ
プタの有無を検出する光学式のセンサであることを特徴
とする付記１に記載のロードポート。 （付記３）前記蓋開閉器の上部には、前記ポッドに収納
されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出セン
サが配設され、前記アダプタ検出センサは、非接触にて
アダプタの有無を検出する光学式のセンサであり、前記
ウェーハ検出センサの両側方に配設されることを特徴と
する請求項１に記載のロードポート。 （付記４）前記アダプタ検出センサは、前記蓋開閉器に
より前記ポッドの蓋が開けられたときに、前記アダプタ
の有無を検出することを特徴とする付記１〜付記３のい
ずれかに記載のロードポート。 （付記５）前記アダプタ検出センサは、前記ポッドの底
部に設けられた接触式のセンサであることを特徴とする
付記１に記載のロードポート。 （付記６）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイ
ズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプ
のポッドが載置されたロードポートを用い、該ロードポ
ートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開け
られた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウェ
ーハを搬入する半導体製造装置であって、前記蓋開閉器
により前記ポッドの蓋が開けられたとき、前記アダプタ
の有無を検出する光学式のアダプタ検出センサを備え、
該アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて、半導
体ウェーハのサイズに応じた処理を実施することを特徴
とする半導体製造装置。 （付記７）付記１〜付記５のいずれかに記載のロードポ
ートを用いて処理すべき半導体ウェーハを搬入する半導
体製造装置において、前記アダプタ検出センサによる検
出結果に基づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処
理を実施することを特徴とする半導体製造装置。 （付記８）前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けら
れた後に該ポッドにおける半導体ウェーハを搬送する搬
送ロボットと、前記アダプタ検出センサによる検出結果
に基づいて前記搬送ロボットを制御する制御ユニットと
を備えることを特徴とする付記６又は付記７に記載の半
導体製造装置。 （付記９）前記半導体ウェーハの位置決めを行うアライ
メントユニットを備え、前記制御ユニットは、前記アダ
プタ検出センサによる検出結果に基づいて前記アライメ
ントユニットを制御することを特徴とする付記８に記載
の半導体製造装置。 （付記１０）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサ
イズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイ
プのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロード
ポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開
けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウ
ェーハを半導体製造装置に搬入する半導体製造方法にお
いて、前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた
とき、光学式のアダプタ検出センサにて前記アダプタの
有無を検出し、その検出結果に基づいて、前記ポッド内
に収納されている前記半導体ウェーハのサイズを認識
し、前記半導体製造装置において前記半導体ウェーハの
サイズに応じた処理を実施することを特徴とする半導体
製造方法。 （付記１１）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサ
イズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイ
プのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロード
ポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開
けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウ
ェーハを搬入する半導体製造装置に適用されるアダプタ
の検出方法において、前記蓋開閉器により前記ポッドの
蓋が下方に開けられたとき、前記蓋開閉器の上部に設け
られた光学式のセンサにより、非接触にて前記アダプタ
の有無を検出することを特徴とするアダプタの検出方
法。 （付記１２）付記１〜付記５のいずれかに記載のロード
ポートを用いて半導体ウェーハを搬入する半導体製造装
置に適用され、前記ロードポートにおけるアダプタ検出
センサによって前記ポッド内のアダプタの有無を検出す
るアダプタの検出方法。
下のようになる。 （付記１）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイ
ズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプ
のポッドが載置され、該ポッドから前記半導体ウェーハ
を取り出すために前記ポッドの蓋を開閉する蓋開閉器が
配設されたロードポートであって、前記アダプタの有無
を検出するアダプタ検出センサを備え、該アダプタ検出
センサによる検出結果を出力するようにしたことを特徴
とするロードポート。 （付記２）前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダ
プタの有無を検出する光学式のセンサであることを特徴
とする付記１に記載のロードポート。 （付記３）前記蓋開閉器の上部には、前記ポッドに収納
されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出セン
サが配設され、前記アダプタ検出センサは、非接触にて
アダプタの有無を検出する光学式のセンサであり、前記
ウェーハ検出センサの両側方に配設されることを特徴と
する請求項１に記載のロードポート。 （付記４）前記アダプタ検出センサは、前記蓋開閉器に
より前記ポッドの蓋が開けられたときに、前記アダプタ
の有無を検出することを特徴とする付記１〜付記３のい
ずれかに記載のロードポート。 （付記５）前記アダプタ検出センサは、前記ポッドの底
部に設けられた接触式のセンサであることを特徴とする
付記１に記載のロードポート。 （付記６）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサイ
ズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイプ
のポッドが載置されたロードポートを用い、該ロードポ
ートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開け
られた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウェ
ーハを搬入する半導体製造装置であって、前記蓋開閉器
により前記ポッドの蓋が開けられたとき、前記アダプタ
の有無を検出する光学式のアダプタ検出センサを備え、
該アダプタ検出センサによる検出結果に基づいて、半導
体ウェーハのサイズに応じた処理を実施することを特徴
とする半導体製造装置。 （付記７）付記１〜付記５のいずれかに記載のロードポ
ートを用いて処理すべき半導体ウェーハを搬入する半導
体製造装置において、前記アダプタ検出センサによる検
出結果に基づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処
理を実施することを特徴とする半導体製造装置。 （付記８）前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けら
れた後に該ポッドにおける半導体ウェーハを搬送する搬
送ロボットと、前記アダプタ検出センサによる検出結果
に基づいて前記搬送ロボットを制御する制御ユニットと
を備えることを特徴とする付記６又は付記７に記載の半
導体製造装置。 （付記９）前記半導体ウェーハの位置決めを行うアライ
メントユニットを備え、前記制御ユニットは、前記アダ
プタ検出センサによる検出結果に基づいて前記アライメ
ントユニットを制御することを特徴とする付記８に記載
の半導体製造装置。 （付記１０）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサ
イズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイ
プのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロード
ポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開
けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウ
ェーハを半導体製造装置に搬入する半導体製造方法にお
いて、前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられた
とき、光学式のアダプタ検出センサにて前記アダプタの
有無を検出し、その検出結果に基づいて、前記ポッド内
に収納されている前記半導体ウェーハのサイズを認識
し、前記半導体製造装置において前記半導体ウェーハの
サイズに応じた処理を実施することを特徴とする半導体
製造方法。 （付記１１）アダプタの装着時と非装着時とで異なるサ
イズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタイ
プのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロード
ポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開
けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体ウ
ェーハを搬入する半導体製造装置に適用されるアダプタ
の検出方法において、前記蓋開閉器により前記ポッドの
蓋が下方に開けられたとき、前記蓋開閉器の上部に設け
られた光学式のセンサにより、非接触にて前記アダプタ
の有無を検出することを特徴とするアダプタの検出方
法。 （付記１２）付記１〜付記５のいずれかに記載のロード
ポートを用いて半導体ウェーハを搬入する半導体製造装
置に適用され、前記ロードポートにおけるアダプタ検出
センサによって前記ポッド内のアダプタの有無を検出す
るアダプタの検出方法。
【００５４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
半導体製造装置の大型化を招くことなく、簡素な構成に
てアダプタの有無を検出することができる。
半導体製造装置の大型化を招くことなく、簡素な構成に
てアダプタの有無を検出することができる。
【図１】一実施形態の半導体製造装置を示す概略平面図
である。
である。
【図２】一実施形態の半導体製造装置を示す概略側面図
である。
である。
【図３】ロードポートを示す側面図である。
【図４】ロードポートを示す正面図である。
【図５】ロードポートを示す背面図である。
【図６】ロードポートを示す平面図である。
【図７】電気的システム構成を示すブロック図である。
【図８】ＳＭＩＦＰＯＤの側面図である。
【図９】（ａ）はＦＯＵＰの側面図、（ｂ）は同ＦＯＵ
Ｐの正面図である。
Ｐの正面図である。
【図１０】従来の半導体製造装置を示す概略平面図であ
る。
る。
【図１１】アダプタの斜視図である。
１ 半導体製造装置
１１，１２ ロードポート
１４ 蓋開閉器としてのＦＯＵＰオープナ
１６ ウェーハ検出センサ
１７ アダプタ検出センサ
２１，２１ａ，２１ｂ パッドとしてのＦＯＵＰ
２３ 蓋
２５ アダプタ
Ｗ，Ｗ８，Ｗ１２ 半導体ウェーハ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 川瀬 重則
愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番２
富士通ヴィエルエスアイ株式会社内
Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA08 EA14 EA19 FA01
FA07 FA11 FA12 FA15 GA43
GA48 GA49 JA02 JA05 JA06
JA21 JA23 JA32 JA51 KA14
MA28 MA29 MA32 MA33 NA02
NA10 PA18
Claims (5)
- 【請求項１】 アダプタの装着時と非装着時とで異なる
サイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタ
イプのポッドが載置され、該ポッドから前記半導体ウェ
ーハを取り出すために前記ポッドの蓋を開閉する蓋開閉
器が配設されたロードポートであって、 前記アダプタの有無を検出するアダプタ検出センサを備
え、該アダプタ検出センサによる検出結果を出力するよ
うにしたことを特徴とするロードポート。 - 【請求項２】 前記蓋開閉器の上部には、前記ポッドに
収納されている半導体ウェーハを検出するウェーハ検出
センサが配設され、 前記アダプタ検出センサは、非接触にてアダプタの有無
を検出する光学式のセンサであり、前記ウェーハ検出セ
ンサの両側方に配設されることを特徴とする請求項１に
記載のロードポート。 - 【請求項３】 アダプタの装着時と非装着時とで異なる
サイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタ
イプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロー
ドポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が
開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体
ウェーハを搬入する半導体製造装置であって、 前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられたとき、
前記アダプタの有無を検出する光学式のアダプタ検出セ
ンサを備え、該アダプタ検出センサによる検出結果に基
づいて、半導体ウェーハのサイズに応じた処理を実施す
ることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 アダプタの装着時と非装着時とで異なる
サイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタ
イプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロー
ドポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が
開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体
ウェーハを半導体製造装置に搬入する半導体製造方法に
おいて、 前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が開けられたとき、
光学式のアダプタ検出センサにて前記アダプタの有無を
検出し、その検出結果に基づいて、前記ポッド内に収納
されている前記半導体ウェーハのサイズを認識し、前記
半導体製造装置において前記半導体ウェーハのサイズに
応じた処理を実施することを特徴とする半導体製造方
法。 - 【請求項５】 アダプタの装着時と非装着時とで異なる
サイズの半導体ウェーハを収納するフロントオープンタ
イプのポッドが載置されたロードポートを用い、該ロー
ドポートに配設された蓋開閉器により前記ポッドの蓋が
開けられた後に該ポッド内に収納されている前記半導体
ウェーハを搬入する半導体製造装置に適用されるアダプ
タの検出方法において、 前記蓋開閉器により前記ポッドの蓋が下方に開けられた
とき、前記蓋開閉器の上部に設けられた光学式のセンサ
により、非接触にて前記アダプタの有無を検出すること
を特徴とするアダプタの検出方法。
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