JP2003316512A - ポインティングデバイス - Google Patents
ポインティングデバイスInfo
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- magnet
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マグネット外部への漏れ磁束は減らし、かつ
磁気センサ側の磁束密度は減らすことなく、逆に出力感
度を増加した磁気式ポインティングデバイスを提供する
こと。 【解決手段】 磁気センサ１１は、Ｘ軸及びＹ軸に沿っ
て２個ずつ対称に、実装基板１４に配置されている。マ
グネット１２は、鉛直方向にＮＳの着磁がされている。
ＮＳの方向については特に制限されない。シリコーン樹
脂１３と実装基板１４との対向面は接着されていない。
シリコーン樹脂１３は、外力を加えることにより容易に
変形し、その外力を除くと直ちに、外力を加えていない
初期状態に復帰する。磁気ヨーク１６を設けることによ
り、図中上方における漏れ磁束が減少し、周囲に悪影響
を及ぼすことがなくなる。
磁気センサ側の磁束密度は減らすことなく、逆に出力感
度を増加した磁気式ポインティングデバイスを提供する
こと。 【解決手段】 磁気センサ１１は、Ｘ軸及びＹ軸に沿っ
て２個ずつ対称に、実装基板１４に配置されている。マ
グネット１２は、鉛直方向にＮＳの着磁がされている。
ＮＳの方向については特に制限されない。シリコーン樹
脂１３と実装基板１４との対向面は接着されていない。
シリコーン樹脂１３は、外力を加えることにより容易に
変形し、その外力を除くと直ちに、外力を加えていない
初期状態に復帰する。磁気ヨーク１６を設けることによ
り、図中上方における漏れ磁束が減少し、周囲に悪影響
を及ぼすことがなくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パーソナルコンピ
ュータや携帯電話等の入力手段として使用されるポイン
ティングデバイスに関し、より詳細には、マグネットの
移動による周囲の磁界変化を検出することにより、座標
検知を行う磁気検出方式のポインティングデバイスに関
する。
ュータや携帯電話等の入力手段として使用されるポイン
ティングデバイスに関し、より詳細には、マグネットの
移動による周囲の磁界変化を検出することにより、座標
検知を行う磁気検出方式のポインティングデバイスに関
する。
【０００２】
【従来の技術】図５は、従来の磁気検出式ポインティン
グデバイスを示す回路ブロック図である。検出部１は、
Ｘ軸及びＹ軸に沿って２個ずつ対称に配置された４個の
磁気センサ（例えば、ホール素子）１１からなり、ホー
ル素子１１の上方に配置されたマグネットの移動による
Ｘ軸方向とＹ軸方向の各ホール素子１１の出力をそれぞ
れ差動アンプ２が差動的に増幅し、その出力（アナログ
値）を検出制御部３がＸ座標値及びＹ座標値に変換し、
これを出力制御部４が出力するように構成されている。
グデバイスを示す回路ブロック図である。検出部１は、
Ｘ軸及びＹ軸に沿って２個ずつ対称に配置された４個の
磁気センサ（例えば、ホール素子）１１からなり、ホー
ル素子１１の上方に配置されたマグネットの移動による
Ｘ軸方向とＹ軸方向の各ホール素子１１の出力をそれぞ
れ差動アンプ２が差動的に増幅し、その出力（アナログ
値）を検出制御部３がＸ座標値及びＹ座標値に変換し、
これを出力制御部４が出力するように構成されている。
【０００３】前述したマグネットを移動可能にする支持
機構の具体例としては、本発明者が特願２００１−１２
１４８３号で示したように、弾力性を有する樹脂上にマ
グネットを配設する方法がある。この方法では、ポイン
ティングデバイスの小型化を進めるため、保磁力の大き
いサマリウム−コバルト磁石やネオジ系磁石を使うこと
がある。
機構の具体例としては、本発明者が特願２００１−１２
１４８３号で示したように、弾力性を有する樹脂上にマ
グネットを配設する方法がある。この方法では、ポイン
ティングデバイスの小型化を進めるため、保磁力の大き
いサマリウム−コバルト磁石やネオジ系磁石を使うこと
がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ポ
インティングデバイスの機構では強力なマグネットを用
いているので、信号磁束はマグネットの移動に伴う磁束
密度変化が大きくなり好適であるが、逆に外部への漏れ
磁束も発生し、磁気カードなどを近づけると記録を消失
してしまうおそれがある。
インティングデバイスの機構では強力なマグネットを用
いているので、信号磁束はマグネットの移動に伴う磁束
密度変化が大きくなり好適であるが、逆に外部への漏れ
磁束も発生し、磁気カードなどを近づけると記録を消失
してしまうおそれがある。
【０００５】また、上述した理由でマグネットを小さく
していくと、今度は磁気センサ側の磁束密度が小さくな
り、ポインティングデバイスとしての機能を満足しなく
なる問題がある。
していくと、今度は磁気センサ側の磁束密度が小さくな
り、ポインティングデバイスとしての機能を満足しなく
なる問題がある。
【０００６】本発明は、このような問題に鑑みてなされ
たもので、その目的とするところは、マグネット外部へ
の漏れ磁束は減らし、かつ磁気センサ側の磁束密度は減
らすことのない磁気検出式のポインティングデバイスを
提供することにある。
たもので、その目的とするところは、マグネット外部へ
の漏れ磁束は減らし、かつ磁気センサ側の磁束密度は減
らすことのない磁気検出式のポインティングデバイスを
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、弾力性
を有する樹脂上に、磁力を発生するマグネットと該マグ
ネットを覆う磁性体とを配設するとともに、実装基板上
に磁気センサを配設し、前記マグネットの移動によって
生じる周囲の磁束密度変化を前記磁気センサで検出し、
入力点の座標値を出力するようにしたことを特徴とする
ものである。
的を達成するために、請求項１に記載の発明は、弾力性
を有する樹脂上に、磁力を発生するマグネットと該マグ
ネットを覆う磁性体とを配設するとともに、実装基板上
に磁気センサを配設し、前記マグネットの移動によって
生じる周囲の磁束密度変化を前記磁気センサで検出し、
入力点の座標値を出力するようにしたことを特徴とする
ものである。
【０００８】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明において、前記磁性体を前記マグネットに
対し、磁気センサ側以外の面を取り囲むように配置した
ことを特徴とするものである。
に記載の発明において、前記磁性体を前記マグネットに
対し、磁気センサ側以外の面を取り囲むように配置した
ことを特徴とするものである。
【０００９】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
又は２に記載の発明において、前記磁気センサは、直交
系の２次元平面上の２軸であるＸ軸及びＹ軸に沿って対
称に配設され、前記マグネットは、前記磁気センサの中
央付近に配置されていることを特徴とするものである。
又は２に記載の発明において、前記磁気センサは、直交
系の２次元平面上の２軸であるＸ軸及びＹ軸に沿って対
称に配設され、前記マグネットは、前記磁気センサの中
央付近に配置されていることを特徴とするものである。
【００１０】また、請求項４に記載の発明は、請求項
１，２又は３に記載の発明において、前記実装基板の前
記樹脂側にスイッチを配設したことを特徴とするもので
ある。
１，２又は３に記載の発明において、前記実装基板の前
記樹脂側にスイッチを配設したことを特徴とするもので
ある。
【００１１】また、請求項５に記載の発明は、請求項４
に記載の発明において、前記スイッチに対向する前記樹
脂部分に、該スイッチを押すための突起部分を設けたこ
とを特徴とするものである。
に記載の発明において、前記スイッチに対向する前記樹
脂部分に、該スイッチを押すための突起部分を設けたこ
とを特徴とするものである。
【００１２】また、請求項６に記載の発明は、請求項４
又は５に記載の発明において、前記スイッチがタクティ
ールスイッチであることを特徴とするものである。
又は５に記載の発明において、前記スイッチがタクティ
ールスイッチであることを特徴とするものである。
【００１３】なお、磁気センサとしては、ホール素子、
ホールＩＣ、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、磁気抵抗
効果ＩＣ（ＭＲＩＣ）、リードスイッチなど様々な磁気
センサの適用が可能であり、アナログ出力型のポインテ
ィングデバイスには、アナログ出力型の磁気センサが望
ましく、デジタル出力型のポインティングデバイスに
は、デジタル出力型の磁気センサが望ましい。
ホールＩＣ、磁気抵抗効果素子（ＭＲ素子）、磁気抵抗
効果ＩＣ（ＭＲＩＣ）、リードスイッチなど様々な磁気
センサの適用が可能であり、アナログ出力型のポインテ
ィングデバイスには、アナログ出力型の磁気センサが望
ましく、デジタル出力型のポインティングデバイスに
は、デジタル出力型の磁気センサが望ましい。
【００１４】また、スイッチとしては、特に種類の限定
はないが、押しボタンスイッチ、タクティールスイッ
チ、タクトスイッチ、ストロークスイッチなど様々なス
イッチが適用可能である。
はないが、押しボタンスイッチ、タクティールスイッ
チ、タクトスイッチ、ストロークスイッチなど様々なス
イッチが適用可能である。
【００１５】また、マグネットについても、特に種類の
限定はないが、通常量産されているフェライト系、サマ
リウム−コバルト系、ネオジ系など様々なマグネットが
適用可能である。ポインティングデバイスの小型化を進
める上では、マグネットの小型化が必須であるので、小
さくても強磁場を発生するサマリウム−コバルト系やネ
オジ系などのマグネットが好ましい。
限定はないが、通常量産されているフェライト系、サマ
リウム−コバルト系、ネオジ系など様々なマグネットが
適用可能である。ポインティングデバイスの小型化を進
める上では、マグネットの小型化が必須であるので、小
さくても強磁場を発生するサマリウム−コバルト系やネ
オジ系などのマグネットが好ましい。
【００１６】また、弾力性を有する樹脂についても、特
に種類の限定はないが、現在様々な用途に使われている
シリコーン樹脂が、安価で入手しやすい。
に種類の限定はないが、現在様々な用途に使われている
シリコーン樹脂が、安価で入手しやすい。
【００１７】一般的に残留磁束密度の大きい材料が好適
である。具体的にはケイ素鋼板や鉄などが好ましい。
である。具体的にはケイ素鋼板や鉄などが好ましい。
【００１８】上述した構成をとることにより、マグネッ
ト外部への漏れ磁束は減らし、かつ磁気センサ側の磁束
密度は減らすことがなく、逆に出力感度を増やすことが
できるので、多様なアプリケーションに対して好都合に
対応することが可能なポインティングデバイスとなる。
ト外部への漏れ磁束は減らし、かつ磁気センサ側の磁束
密度は減らすことがなく、逆に出力感度を増やすことが
できるので、多様なアプリケーションに対して好都合に
対応することが可能なポインティングデバイスとなる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施形態について説明する。図５は、本発明の実施形態を
示す回路ブロック図で、上述した従来回路ブロック図と
同様である。本発明は、特にマグネット周辺の構成に関
するものであり、実施形態は従来例と同様である。つま
り、検出部１は、４個の磁気センサ（例えば、ホール素
子）１１からなり、このホール素子１１は、Ｘ軸及びＹ
軸に沿って２個ずつ対称に配置されている。Ｘ軸及びＹ
軸上に対称に配設された４個のホール素子の中央付近に
マグネットが配置されている。
施形態について説明する。図５は、本発明の実施形態を
示す回路ブロック図で、上述した従来回路ブロック図と
同様である。本発明は、特にマグネット周辺の構成に関
するものであり、実施形態は従来例と同様である。つま
り、検出部１は、４個の磁気センサ（例えば、ホール素
子）１１からなり、このホール素子１１は、Ｘ軸及びＹ
軸に沿って２個ずつ対称に配置されている。Ｘ軸及びＹ
軸上に対称に配設された４個のホール素子の中央付近に
マグネットが配置されている。
【００２０】このマグネットの移動による磁界の変化に
よりホール素子１１の出力電圧が変化する。差動アンプ
２はＸ軸方向とＹ軸方向の各ホール素子１１の出力をそ
れぞれ差動的に増幅する。Ｚ軸方向の磁界が原点Ｏにつ
いて対称、すなわち、マグネットの着磁方向が鉛直方向
にあるとき、出力が０になるようにしてあり、マグネッ
トが移動すると、これに応じて差動アンプ２に出力が発
生し、その出力（アナログ値）を検出制御部３がＸ座標
値及びＹ座標値に変換し、これを出力制御部４が出力す
るように構成されている。
よりホール素子１１の出力電圧が変化する。差動アンプ
２はＸ軸方向とＹ軸方向の各ホール素子１１の出力をそ
れぞれ差動的に増幅する。Ｚ軸方向の磁界が原点Ｏにつ
いて対称、すなわち、マグネットの着磁方向が鉛直方向
にあるとき、出力が０になるようにしてあり、マグネッ
トが移動すると、これに応じて差動アンプ２に出力が発
生し、その出力（アナログ値）を検出制御部３がＸ座標
値及びＹ座標値に変換し、これを出力制御部４が出力す
るように構成されている。
【００２１】図１は、本発明のポインティングデバイス
の一実施例を示す図である。図中符号１１は磁気セン
サ、１２はマグネット、１３はシリコーン樹脂、１４は
実装基板、１５はマグネットカバー、１６は磁気ヨーク
である。
の一実施例を示す図である。図中符号１１は磁気セン
サ、１２はマグネット、１３はシリコーン樹脂、１４は
実装基板、１５はマグネットカバー、１６は磁気ヨーク
である。
【００２２】つまり、弾力性を有する樹脂１３上に、磁
力を発生するマグネット１２と磁気ヨーク１６とを配設
するとともに、実装基板１４上に磁気センサ１１を配設
し、マグネット１２の移動によって生じる周囲の磁束密
度変化を磁気センサ１１で検出し、入力点の座標値を出
力するように構成されている。
力を発生するマグネット１２と磁気ヨーク１６とを配設
するとともに、実装基板１４上に磁気センサ１１を配設
し、マグネット１２の移動によって生じる周囲の磁束密
度変化を磁気センサ１１で検出し、入力点の座標値を出
力するように構成されている。
【００２３】磁気センサ１１は、前述したようにＸ軸及
びＹ軸に沿って２個ずつ対称に、実装基板１４に配置さ
れている。マグネット１２は、鉛直方向にＮＳの着磁が
されている。ＮＳの方向については特に制限されない。
シリコーン樹脂１３と実装基板１４との対向面は接着さ
れていない。
びＹ軸に沿って２個ずつ対称に、実装基板１４に配置さ
れている。マグネット１２は、鉛直方向にＮＳの着磁が
されている。ＮＳの方向については特に制限されない。
シリコーン樹脂１３と実装基板１４との対向面は接着さ
れていない。
【００２４】シリコーン樹脂１３は、外力を加えること
により容易に変形し、その外力を除くと直ちに、外力を
加えていない初期状態に復帰する。つまり、マグネット
カバー１５を操作して、ある方向に傾けた場合、マグネ
ット１２も同様に傾くことになる。しかし、外力を取り
除くと直ちに初期状態に復帰する。
により容易に変形し、その外力を除くと直ちに、外力を
加えていない初期状態に復帰する。つまり、マグネット
カバー１５を操作して、ある方向に傾けた場合、マグネ
ット１２も同様に傾くことになる。しかし、外力を取り
除くと直ちに初期状態に復帰する。
【００２５】また、磁気ヨーク１６を設けることによ
り、図中上方における漏れ磁束が減少し、周囲に悪影響
を及ぼすことがなくなる。また磁気ヨーク１６を設ける
ことにより、磁気センサ１１側の磁束密度は磁気ヨーク
１６を設けない場合と比べ大きくなり、かつマグネット
１２の移動距離に対する磁束密度変化も大きくなる。
り、図中上方における漏れ磁束が減少し、周囲に悪影響
を及ぼすことがなくなる。また磁気ヨーク１６を設ける
ことにより、磁気センサ１１側の磁束密度は磁気ヨーク
１６を設けない場合と比べ大きくなり、かつマグネット
１２の移動距離に対する磁束密度変化も大きくなる。
【００２６】図２は、本発明のポインティングデバイス
の他の実施例を示す図で、マグネット１２と磁気ヨーク
１６の間に空間部１７を設けている。空間部１７を設け
ることにより、図中上方における漏れ磁束がさらに減少
し、さらに、磁気センサ１１側の磁束密度もより大きく
することができるので、マグネット１２の移動距離に対
する磁束密度変化もさらに増加させることができる。
の他の実施例を示す図で、マグネット１２と磁気ヨーク
１６の間に空間部１７を設けている。空間部１７を設け
ることにより、図中上方における漏れ磁束がさらに減少
し、さらに、磁気センサ１１側の磁束密度もより大きく
することができるので、マグネット１２の移動距離に対
する磁束密度変化もさらに増加させることができる。
【００２７】図３は、本発明のポインティングデバイス
の他の実施形態を示す図で、図１に示した実施形態と類
似の構成であるシリコーン樹脂２３の下にスイッチ２８
を配設し、ポインティングデバイスにスイッチ機能を付
与させたものである。つまり、実装基板２４のシリコー
ン樹脂２３側にスイッチ２８を配設したものである。
の他の実施形態を示す図で、図１に示した実施形態と類
似の構成であるシリコーン樹脂２３の下にスイッチ２８
を配設し、ポインティングデバイスにスイッチ機能を付
与させたものである。つまり、実装基板２４のシリコー
ン樹脂２３側にスイッチ２８を配設したものである。
【００２８】本来、ポインティングデバイスは入力点の
座標値を出力するためのデバイスであるが、スイッチ機
能を付与することにより座標値のみならず、決定機能を
つけたポインティングデバイスになる。マグネットカバ
ー２５をマグネット２２の方向に押さえ込むことにより
スイッチ機能を満足する構成になっている。スイッチを
設けることにより、パーソナルコンピュータのマウスと
同様、座標値と決定の２信号をもつことになる。
座標値を出力するためのデバイスであるが、スイッチ機
能を付与することにより座標値のみならず、決定機能を
つけたポインティングデバイスになる。マグネットカバ
ー２５をマグネット２２の方向に押さえ込むことにより
スイッチ機能を満足する構成になっている。スイッチを
設けることにより、パーソナルコンピュータのマウスと
同様、座標値と決定の２信号をもつことになる。
【００２９】このスイッチ２８としては、押しボタンス
イッチなど、どのようなスイッチでもかまわないが、押
したことが確認しやすく（クリック感のある）、スイッ
チを押し込んだ後に自動復帰するタクティール（tactil
e）スイッチ、タクト（tact）スイッチ、タッチ（touc
h）スイッチ等、対象物との物理的接触を利用して対象
物を確認するスイッチが適している。
イッチなど、どのようなスイッチでもかまわないが、押
したことが確認しやすく（クリック感のある）、スイッ
チを押し込んだ後に自動復帰するタクティール（tactil
e）スイッチ、タクト（tact）スイッチ、タッチ（touc
h）スイッチ等、対象物との物理的接触を利用して対象
物を確認するスイッチが適している。
【００３０】上述した実施例については、磁気センサ１
１を実装基板１４のマグネット１２より遠い側に配置し
ているが、図４に示すように、マグネット１２に近い側
に配置することが可能であれば、磁気センサ１１の出力
感度が上がるので、高感度のポインティングデバイスを
つくることが可能である。
１を実装基板１４のマグネット１２より遠い側に配置し
ているが、図４に示すように、マグネット１２に近い側
に配置することが可能であれば、磁気センサ１１の出力
感度が上がるので、高感度のポインティングデバイスを
つくることが可能である。
【００３１】図３及び図４の発明においても図２の発明
と同様に、マグネットと磁気ヨークの間に空間部を設け
ると、その効果はより顕著になる。
と同様に、マグネットと磁気ヨークの間に空間部を設け
ると、その効果はより顕著になる。
【００３２】本発明は、上述した実施形態に限定される
ことなく、更に種々変形して実施することが可能であ
る。
ことなく、更に種々変形して実施することが可能であ
る。
【００３３】［実施例１］本発明の磁場解析シミュレー
ション結果を以下に説明する。図１及び図２で示した構
成のポインティングデバイスについて解析を行った。対
角に配設された磁気センサの中心間の距離は３．２ｍｍ
である。また、マグネットは３．９ｍｍ角の大きさで、
着磁方向は鉛直上向きにＮ極、下向きにＳ極の２極着磁
になっている。磁気ヨークについては、厚みが０．２５
ｍｍのケイ素鋼板を想定し、形状には曲げ加工を施しマ
グネット側面の漏れ磁束もシールドしている。マグネッ
ト下方に磁気センサがあり、磁石表面と磁気センサとの
距離は３ｍｍで計算を行った。パラメータとしては、磁
気ヨークの有り無し、磁石厚さｔと、磁石とヨーク間の
横方向ギャップｄを変更して５通りの解析を行った。表
１は、シミュレーションで用いた組合せを示すものであ
る。
ション結果を以下に説明する。図１及び図２で示した構
成のポインティングデバイスについて解析を行った。対
角に配設された磁気センサの中心間の距離は３．２ｍｍ
である。また、マグネットは３．９ｍｍ角の大きさで、
着磁方向は鉛直上向きにＮ極、下向きにＳ極の２極着磁
になっている。磁気ヨークについては、厚みが０．２５
ｍｍのケイ素鋼板を想定し、形状には曲げ加工を施しマ
グネット側面の漏れ磁束もシールドしている。マグネッ
ト下方に磁気センサがあり、磁石表面と磁気センサとの
距離は３ｍｍで計算を行った。パラメータとしては、磁
気ヨークの有り無し、磁石厚さｔと、磁石とヨーク間の
横方向ギャップｄを変更して５通りの解析を行った。表
１は、シミュレーションで用いた組合せを示すものであ
る。
【００３４】
【表１】
【００３５】まず、マグネット下方の信号磁束密度につ
いて解析を行った。図６は、本発明のポインティングデ
バイスに係わる、磁場解析シミュレーションモデルを示
す図である。図６中の経路Ｙ１は、マグネット下面から
３ｍｍ下方において、マグネット中心から半径方向に伸
ばした経路である。この経路Ｙ１上の縦方向磁束密度の
計算結果を図７に示す。
いて解析を行った。図６は、本発明のポインティングデ
バイスに係わる、磁場解析シミュレーションモデルを示
す図である。図６中の経路Ｙ１は、マグネット下面から
３ｍｍ下方において、マグネット中心から半径方向に伸
ばした経路である。この経路Ｙ１上の縦方向磁束密度の
計算結果を図７に示す。
【００３６】図７は、本発明のポインティングデバイス
に係わる、信号磁束密度の磁場解析シミュレーション結
果を示す図である。磁気ヨークを設けることにより、磁
気センサ側の磁束密度が大きくなっていることがわか
る。マグネットを０．４５ｍｍの厚さにしても磁気ヨー
クを設けることにより、０．７ｍｍ厚のマグネットを用
いているのと大差がないことがわかる。
に係わる、信号磁束密度の磁場解析シミュレーション結
果を示す図である。磁気ヨークを設けることにより、磁
気センサ側の磁束密度が大きくなっていることがわか
る。マグネットを０．４５ｍｍの厚さにしても磁気ヨー
クを設けることにより、０．７ｍｍ厚のマグネットを用
いているのと大差がないことがわかる。
【００３７】また、実際のポインティングデバイスの出
力信号は、２つの磁気センサの磁束密度差に比例した出
力を出すので、その値について調べた。結果を図８に示
す。磁気ヨークを設けることにより、出力感度が上がる
ことがわかる。磁気ヨークとマグネットの間に空間部を
設けると、出力感度の増加傾向が顕著である。
力信号は、２つの磁気センサの磁束密度差に比例した出
力を出すので、その値について調べた。結果を図８に示
す。磁気ヨークを設けることにより、出力感度が上がる
ことがわかる。磁気ヨークとマグネットの間に空間部を
設けると、出力感度の増加傾向が顕著である。
【００３８】次に、磁気ヨーク上方への漏れ磁束密度に
ついて解析を行った。図６中の経路Ｙ２は、磁気ヨーク
上面から１ｍｍ上方において、マグネット中心から半径
方向に伸ばした経路である。この経路Ｙ２上の横方向磁
束密度と縦方向磁束密度の計算結果をそれぞれ図９、図
１０に示す。
ついて解析を行った。図６中の経路Ｙ２は、磁気ヨーク
上面から１ｍｍ上方において、マグネット中心から半径
方向に伸ばした経路である。この経路Ｙ２上の横方向磁
束密度と縦方向磁束密度の計算結果をそれぞれ図９、図
１０に示す。
【００３９】図９は、本発明のポインティングデバイス
に係わる、磁気ヨーク上方における横方向磁束密度の磁
場解析シミュレーション結果を示す図である。また、図
１０は、本発明のポインティングデバイスに係わる、磁
気ヨーク上方における縦方向磁束密度の磁場解析シミュ
レーション結果を示す図である。
に係わる、磁気ヨーク上方における横方向磁束密度の磁
場解析シミュレーション結果を示す図である。また、図
１０は、本発明のポインティングデバイスに係わる、磁
気ヨーク上方における縦方向磁束密度の磁場解析シミュ
レーション結果を示す図である。
【００４０】いずれの漏れ磁束もヨークを設けることに
より小さくなることがわかる。磁気ヨークとマグネット
の間に空間部を設けると、漏れ磁束の減少傾向が顕著で
ある。
より小さくなることがわかる。磁気ヨークとマグネット
の間に空間部を設けると、漏れ磁束の減少傾向が顕著で
ある。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、弾
力性を有する樹脂上に磁力を発生するマグネットと磁気
ヨークとを配設するとともに、実装基板上に磁気センサ
を配設し、前記マグネットの移動によって生じる周囲の
磁束密度変化を前記磁気センサで検出し、入力点の座標
値を出力するようにしたので、磁気検出式ポインティン
グデバイスにおいて、マグネット外部への漏れ磁束は減
らし、かつ磁気センサ側の磁束密度は減らすことがな
く、逆に出力感度を増やすことができるので、多様なア
プリケーションに対して好都合に対応することが可能な
ポインティングデバイスとなる。
力性を有する樹脂上に磁力を発生するマグネットと磁気
ヨークとを配設するとともに、実装基板上に磁気センサ
を配設し、前記マグネットの移動によって生じる周囲の
磁束密度変化を前記磁気センサで検出し、入力点の座標
値を出力するようにしたので、磁気検出式ポインティン
グデバイスにおいて、マグネット外部への漏れ磁束は減
らし、かつ磁気センサ側の磁束密度は減らすことがな
く、逆に出力感度を増やすことができるので、多様なア
プリケーションに対して好都合に対応することが可能な
ポインティングデバイスとなる。
【図１】本発明におけるポインティングデバイスの一実
施例を示す図である。
施例を示す図である。
【図２】本発明におけるポインティングデバイスの他の
一実施例を示す図である。
一実施例を示す図である。
【図３】本発明におけるポインティングデバイスの他の
一実施例を示す図である。
一実施例を示す図である。
【図４】本発明におけるポインティングデバイスの他の
一実施例を示す図である。
一実施例を示す図である。
【図５】本発明のポインティングデバイスに係る従来
例、及び本発明におけるポインティングデバイスの一例
を示す回路ブロック図である。
例、及び本発明におけるポインティングデバイスの一例
を示す回路ブロック図である。
【図６】本発明のポインティングデバイスに係わる、磁
場解析シミュレーションモデルを示す図である。
場解析シミュレーションモデルを示す図である。
【図７】本発明のポインティングデバイスに係わる、信
号磁束密度の磁場解析シミュレーション結果を示す図で
ある。
号磁束密度の磁場解析シミュレーション結果を示す図で
ある。
【図８】本発明のポインティングデバイスに係わる、磁
気センサ部の磁束密度差の磁場解析シミュレーション結
果を示す図である。
気センサ部の磁束密度差の磁場解析シミュレーション結
果を示す図である。
【図９】本発明のポインティングデバイスに係わる、磁
気ヨーク上方における横方向磁束密度の磁場解析シミュ
レーション結果を示す図である。
気ヨーク上方における横方向磁束密度の磁場解析シミュ
レーション結果を示す図である。
【図１０】本発明のポインティングデバイスに係わる、
磁気ヨーク上方における縦方向磁束密度の磁場解析シミ
ュレーション結果を示す図である。
磁気ヨーク上方における縦方向磁束密度の磁場解析シミ
ュレーション結果を示す図である。
１ 検出部
２ 差動アンプ
３ 検出制御部
４ 出力制御部
１１、２１ 磁気センサ
１２、２２ マグネット
１３、２３ シリコーン樹脂
１４、２４ 実装基板
１５、２５ マグネットケース
１６、２６ 磁気ヨーク
１７ 空間部
２８ スイッチ
Claims (6)
- 【請求項１】 弾力性を有する樹脂上に、磁力を発生す
るマグネットと該マグネットを覆う磁性体とを配設する
とともに、実装基板上に磁気センサを配設し、前記マグ
ネットの移動によって生じる周囲の磁束密度変化を前記
磁気センサで検出し、入力点の座標値を出力するように
したことを特徴とするポインティングデバイス。 - 【請求項２】 前記磁性体を前記マグネットに対し、磁
気センサ側以外の面を取り囲むように配置したことを特
徴とする請求項１に記載のポインティングデバイス。 - 【請求項３】 前記磁気センサは、直交系の２次元平面
上の２軸であるＸ軸及びＹ軸に沿って対称に配設され、
前記マグネットは、前記磁気センサの中央付近に配置さ
れていることを特徴とする請求項１又は２に記載のポイ
ンティングデバイス。 - 【請求項４】 前記実装基板の前記樹脂側にスイッチを
配設したことを特徴とする請求項１，２又は３に記載の
ポインティングデバイス。 - 【請求項５】 前記スイッチに対向する前記樹脂部分
に、該スイッチを押すための突起部分を設けたことを特
徴とする請求項４に記載のポインティングデバイス。 - 【請求項６】 前記スイッチがタクティールスイッチで
あることを特徴とする請求項４又は５に記載のポインテ
ィングデバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002123163A JP2003316512A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | ポインティングデバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002123163A JP2003316512A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | ポインティングデバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003316512A true JP2003316512A (ja) | 2003-11-07 |
Family
ID=29538584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002123163A Pending JP2003316512A (ja) | 2002-04-24 | 2002-04-24 | ポインティングデバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003316512A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005242325A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Pentax Corp | 像ブレ補正装置 |
| JP2005242326A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Pentax Corp | 像ブレ補正装置 |
| JP2005242324A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Pentax Corp | 像ブレ補正装置 |
| JP2007017874A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sony Corp | 像ぶれ補正装置、レンズ装置及び撮像装置 |
| KR101038483B1 (ko) | 2009-11-17 | 2011-06-01 | 파코스(주) | 포인팅 장치 |
-
2002
- 2002-04-24 JP JP2002123163A patent/JP2003316512A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005242325A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Pentax Corp | 像ブレ補正装置 |
| JP2005242326A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Pentax Corp | 像ブレ補正装置 |
| JP2005242324A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Pentax Corp | 像ブレ補正装置 |
| JP2007017874A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Sony Corp | 像ぶれ補正装置、レンズ装置及び撮像装置 |
| KR101038483B1 (ko) | 2009-11-17 | 2011-06-01 | 파코스(주) | 포인팅 장치 |
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