JP2003316318A - 画像表示装置及びその方法 - Google Patents
画像表示装置及びその方法Info
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Landscapes
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- Control Of El Displays (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像品質を向上し、ホールドぼけ及び動き劣
化を改善した画像表示装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 各画素１０は、所定の走査サイクルで画
素を選択するための走査線１１と、第１及び第２のデー
タ信号を与える第１及び第２のデータ線１２ａ，１２ｂ
との交差部に設けられ、発光素子１４と、データ線１２
ａ，１２ｂからのデータ信号を画素１０に書き込むＴＦ
Ｔ１，ＴＦＴ２と、このデータ信号を保持する容量素子
Ｃ１，Ｃ２と、このデータ信号に応じて発光素子１４に
供給する電流量を制御するＴＦＴ３とを有する。更に、
容量素子Ｃ１，Ｃ２に夫々ドレイン及びソースが接続さ
れたＴＦＴ４と、そのゲートに接続された結合容量制御
線１５を有する。１走査サイクルの間に、制御線１３の
信号によりＴＦＴ６がオン状態になると、容量素子Ｃ
１，Ｃ２が結合され、発光素子は、第１のデータ信号に
基づき供給される電流による第１の点灯状態から第２の
点灯状態に移行する。
化を改善した画像表示装置及びその方法を提供する。 【解決手段】 各画素１０は、所定の走査サイクルで画
素を選択するための走査線１１と、第１及び第２のデー
タ信号を与える第１及び第２のデータ線１２ａ，１２ｂ
との交差部に設けられ、発光素子１４と、データ線１２
ａ，１２ｂからのデータ信号を画素１０に書き込むＴＦ
Ｔ１，ＴＦＴ２と、このデータ信号を保持する容量素子
Ｃ１，Ｃ２と、このデータ信号に応じて発光素子１４に
供給する電流量を制御するＴＦＴ３とを有する。更に、
容量素子Ｃ１，Ｃ２に夫々ドレイン及びソースが接続さ
れたＴＦＴ４と、そのゲートに接続された結合容量制御
線１５を有する。１走査サイクルの間に、制御線１３の
信号によりＴＦＴ６がオン状態になると、容量素子Ｃ
１，Ｃ２が結合され、発光素子は、第１のデータ信号に
基づき供給される電流による第１の点灯状態から第２の
点灯状態に移行する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス型の画像表示装置及びその方法に関し、特に、画像
の改善を図ったアクティブマトリクス型の画像表示装置
及びその方法に関する。
クス型の画像表示装置及びその方法に関し、特に、画像
の改善を図ったアクティブマトリクス型の画像表示装置
及びその方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、アクティブマトリクス型の画像
表示装置では、電気光学物質を有する多数の画素をマト
リクス状に並べ、与えられた輝度情報に応じて画素毎に
光強度を制御することによって画像を表示する。電気光
学物質として液晶を用いた画像表示装置（液晶ディスプ
レイ）は、各画素に書き込まれる電圧に応じて画素の透
過率が変化する。一方、電気光学物質として有機エレク
トロルミネッセンス（以下、ＥＬ（electro luminescen
ce））材料を用いた画像表示装置（有機ＥＬディスプレ
イ）でも、基本的な動作は液晶を用いた場合と同様であ
るが、有機ＥＬディスプレイは各画素に発光素子を有す
る、所謂自発光型であり、液晶ディスプレイに比べて画
像の視認性が高い、バックライトが不要、及び応答速度
が速い等の特徴を有する。また、有機ＥＬディスプレイ
においては、個々の発光素子の輝度は電流量によって制
御される。即ち、発光素子が電流駆動型或いは電流制御
型であるという点で液晶ディスプレイ等とは大きく異な
る。
表示装置では、電気光学物質を有する多数の画素をマト
リクス状に並べ、与えられた輝度情報に応じて画素毎に
光強度を制御することによって画像を表示する。電気光
学物質として液晶を用いた画像表示装置（液晶ディスプ
レイ）は、各画素に書き込まれる電圧に応じて画素の透
過率が変化する。一方、電気光学物質として有機エレク
トロルミネッセンス（以下、ＥＬ（electro luminescen
ce））材料を用いた画像表示装置（有機ＥＬディスプレ
イ）でも、基本的な動作は液晶を用いた場合と同様であ
るが、有機ＥＬディスプレイは各画素に発光素子を有す
る、所謂自発光型であり、液晶ディスプレイに比べて画
像の視認性が高い、バックライトが不要、及び応答速度
が速い等の特徴を有する。また、有機ＥＬディスプレイ
においては、個々の発光素子の輝度は電流量によって制
御される。即ち、発光素子が電流駆動型或いは電流制御
型であるという点で液晶ディスプレイ等とは大きく異な
る。
【０００３】有機ＥＬディスプレイの駆動方式として
は、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式と
があるが、前者は構造が単純であるものの大型且つ高精
細のディスプレイの実現が困難であるため、上述のアク
ティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。
は、単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式と
があるが、前者は構造が単純であるものの大型且つ高精
細のディスプレイの実現が困難であるため、上述のアク
ティブマトリクス方式の開発が盛んに行われている。
【０００４】アクティブマトリクス方式は、各画素に設
けた発光素子に流れる電流を画素内部に設けた能動素子
（一般には、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一種
である薄膜トランジスタ、以下ＴＦＴ（thin-film tran
sistor）という。）によって制御する。
けた発光素子に流れる電流を画素内部に設けた能動素子
（一般には、絶縁ゲート型電界効果トランジスタの一種
である薄膜トランジスタ、以下ＴＦＴ（thin-film tran
sistor）という。）によって制御する。
【０００５】このような、アクティブマトリクス方式の
有機ＥＬディスプレイとして、従来、画素内部の能動素
子の設計自由度を増して良好な設計を可能たらしめると
ともに、画面輝度を自在且つ簡便に調整することが可能
な画像表示装置が開示されている（特開２００１−６０
０７６号公報、以下従来例という）。
有機ＥＬディスプレイとして、従来、画素内部の能動素
子の設計自由度を増して良好な設計を可能たらしめると
ともに、画面輝度を自在且つ簡便に調整することが可能
な画像表示装置が開示されている（特開２００１−６０
０７６号公報、以下従来例という）。
【０００６】図１４は、従来の画像表示装置の１画素分
の等価回路を示す回路図である。従来の画像表示装置
は、所定の走査サイクル（フレーム）で画素１００を選
択するために、相互に平行に設けられた複数の走査線１
０１と、この走査線１０１に垂直な方向に画素１００を
駆動するための輝度情報を与える相互に平行に設けられ
た複数のデータ線１０２とを有し、画素１００は、走査
線１０１とデータ線１０２との交差部に形成されてマト
リクス状に設けられている。更に、各画素１００は、走
査線１０１と平行に設けられ各画素１００の発光素子１
０４の発光を停止する停止制御線１０３に接続されてい
る。
の等価回路を示す回路図である。従来の画像表示装置
は、所定の走査サイクル（フレーム）で画素１００を選
択するために、相互に平行に設けられた複数の走査線１
０１と、この走査線１０１に垂直な方向に画素１００を
駆動するための輝度情報を与える相互に平行に設けられ
た複数のデータ線１０２とを有し、画素１００は、走査
線１０１とデータ線１０２との交差部に形成されてマト
リクス状に設けられている。更に、各画素１００は、走
査線１０１と平行に設けられ各画素１００の発光素子１
０４の発光を停止する停止制御線１０３に接続されてい
る。
【０００７】画素１００は、走査線１０１にそのゲート
Ｇが接続され、データ線１０２にそのソースＳが接続さ
れたＴＦＴ１１１と、このＴＦＴ１１１を介してデータ
線１０２から供給される輝度情報を保持する容量素子Ｃ
１０と、この容量素子Ｃ１０に保持される輝度情報がそ
のゲートＧに供給されるＴＦＴ１１２と、このＴＦＴ１
１２を介して輝度情報に応じた電流が供給される発光素
子１０４と、容量素子Ｃ１０とＴＦＴ１１２との間にそ
のドレインＤが接続され、そのゲートＧに停止制御線１
０３が接続されたＴＦＴ１１３とから構成されている。
Ｇが接続され、データ線１０２にそのソースＳが接続さ
れたＴＦＴ１１１と、このＴＦＴ１１１を介してデータ
線１０２から供給される輝度情報を保持する容量素子Ｃ
１０と、この容量素子Ｃ１０に保持される輝度情報がそ
のゲートＧに供給されるＴＦＴ１１２と、このＴＦＴ１
１２を介して輝度情報に応じた電流が供給される発光素
子１０４と、容量素子Ｃ１０とＴＦＴ１１２との間にそ
のドレインＤが接続され、そのゲートＧに停止制御線１
０３が接続されたＴＦＴ１１３とから構成されている。
【０００８】ＴＦＴ１１１は、そのゲートＧに接続され
た走査線から所定のサイクルで画素を選択する走査信号
が入力される。また、ＴＦＴ１１１のソースＳにはデー
タ線１０２から輝度情報に応じた電気信号が印可され
る。容量素子Ｃ１０は、ＴＦＴ１１１のドレインＤを介
して供給される輝度情報を保持する。ＴＦＴ１１２は、
容量素子Ｃ１０から供給される輝度情報に応じた電気信
号がそのゲートＧに印可され、そのドレインＤに接続さ
れた発光素子１０４に供給される電流量を制御する。発
光素子１０４は、そのカソードＫがＴＦＴ１１２に接続
され、そのアノードＡがＶｄｄに接続されており、ＴＦ
Ｔ１１２により制御される電流量により、その輝度が変
化する。ＴＦＴ１１３は、そのゲートＧに接続された停
止制御線１０３からの停止制御信号によりオン状態にな
り、ＴＦＴ１１２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを０Ｖ
とすることにより、発光素子１０４に流れる電流を遮断
する。このＴＦＴ１１３と停止制御線１０３とから停止
制御手段が構成されている。
た走査線から所定のサイクルで画素を選択する走査信号
が入力される。また、ＴＦＴ１１１のソースＳにはデー
タ線１０２から輝度情報に応じた電気信号が印可され
る。容量素子Ｃ１０は、ＴＦＴ１１１のドレインＤを介
して供給される輝度情報を保持する。ＴＦＴ１１２は、
容量素子Ｃ１０から供給される輝度情報に応じた電気信
号がそのゲートＧに印可され、そのドレインＤに接続さ
れた発光素子１０４に供給される電流量を制御する。発
光素子１０４は、そのカソードＫがＴＦＴ１１２に接続
され、そのアノードＡがＶｄｄに接続されており、ＴＦ
Ｔ１１２により制御される電流量により、その輝度が変
化する。ＴＦＴ１１３は、そのゲートＧに接続された停
止制御線１０３からの停止制御信号によりオン状態にな
り、ＴＦＴ１１２のゲート−ソース間電圧Ｖｇｓを０Ｖ
とすることにより、発光素子１０４に流れる電流を遮断
する。このＴＦＴ１１３と停止制御線１０３とから停止
制御手段が構成されている。
【０００９】図１５は、図１４に示した画素１００をマ
トリクス状に配列した画像表示装置を示す回路図であ
る。図１５に示すように、走査線１０１（Ｘ１，Ｘ２，
…，ＸＮ）が行状に配列され、データ線１０２（Ｙ，
Ｙ，…，Ｙ）が列状に配列されている。各走査線１０１
とデータ線１０２の交差部に上述の画素１００が形成さ
れている。また、走査線１０１と平行に、停止制御線１
０３（Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮ）が形成されている。
トリクス状に配列した画像表示装置を示す回路図であ
る。図１５に示すように、走査線１０１（Ｘ１，Ｘ２，
…，ＸＮ）が行状に配列され、データ線１０２（Ｙ，
Ｙ，…，Ｙ）が列状に配列されている。各走査線１０１
とデータ線１０２の交差部に上述の画素１００が形成さ
れている。また、走査線１０１と平行に、停止制御線１
０３（Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮ）が形成されている。
【００１０】また、走査線１０１は走査線駆動回路１２
１に接続され、データ線１０２はデータ線駆動回路１２
２に接続され、停止制御線１０３は停止制御線駆動回路
１２３に接続されている。更に、走査線駆動回路１２１
はシフトレジスタを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに
同期して垂直スタートパルスＶＳＰ１を順次転送するこ
とにより、走査線１０１を１走査サイクル内で順次選択
する。また、停止制御線駆動回路１２３もシフトレジス
タを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期して垂直ス
タートパルスＶＳＰ２を順次転送することにより、停止
制御線１０３に制御信号を出力する。ＶＳＰ２は遅延回
路１２４により所定時間（遅延時間Ｔ）だけＶＳＰ１か
ら遅延処理されたものである。データ線駆動回路１２２
は、走査線１０１の線順次走査に同期して、各データ線
１０２に輝度情報に対応した電気信号を出力する。
１に接続され、データ線１０２はデータ線駆動回路１２
２に接続され、停止制御線１０３は停止制御線駆動回路
１２３に接続されている。更に、走査線駆動回路１２１
はシフトレジスタを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに
同期して垂直スタートパルスＶＳＰ１を順次転送するこ
とにより、走査線１０１を１走査サイクル内で順次選択
する。また、停止制御線駆動回路１２３もシフトレジス
タを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期して垂直ス
タートパルスＶＳＰ２を順次転送することにより、停止
制御線１０３に制御信号を出力する。ＶＳＰ２は遅延回
路１２４により所定時間（遅延時間Ｔ）だけＶＳＰ１か
ら遅延処理されたものである。データ線駆動回路１２２
は、走査線１０１の線順次走査に同期して、各データ線
１０２に輝度情報に対応した電気信号を出力する。
【００１１】図１６は、図１５に示した従来の画像表示
装置の動作を示すタイミングチャートである。先ず、例
えば時間ｔ１１において、垂直スタートパルスＶＳＰ１
が走査線駆動回路１２１及び遅延回路１２４に入力され
る。走査線駆動回路１２１は、この垂直スタートパルス
ＶＳＰ１の入力を受けた後、垂直クロックＶＣＫに同期
して、時間ｔ１２で走査線１０１（例えば走査線Ｘ１）
を選択する走査信号が出力される。この走査線１０１の
走査信号に同期して、データ線１０２から輝度情報が入
力される（図示せず）。走査線駆動回路１２１は、走査
線Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮを順次選択する走査信号を出力
する。これにより、走査線単位で、データ線１０２から
入力される輝度情報が画素１００に書き込まれていく。
各画素１００は書き込まれた輝度情報に応じた強度で発
光を開始する。
装置の動作を示すタイミングチャートである。先ず、例
えば時間ｔ１１において、垂直スタートパルスＶＳＰ１
が走査線駆動回路１２１及び遅延回路１２４に入力され
る。走査線駆動回路１２１は、この垂直スタートパルス
ＶＳＰ１の入力を受けた後、垂直クロックＶＣＫに同期
して、時間ｔ１２で走査線１０１（例えば走査線Ｘ１）
を選択する走査信号が出力される。この走査線１０１の
走査信号に同期して、データ線１０２から輝度情報が入
力される（図示せず）。走査線駆動回路１２１は、走査
線Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮを順次選択する走査信号を出力
する。これにより、走査線単位で、データ線１０２から
入力される輝度情報が画素１００に書き込まれていく。
各画素１００は書き込まれた輝度情報に応じた強度で発
光を開始する。
【００１２】垂直スタートパルスＶＳＰ１は遅延回路１
２４で遅延され、遅延時間Ｔを有する垂直スタートパル
スＶＳＰ２が停止制御線駆動回路１２３に入力される。
停止制御線駆動回路１２３は垂直スタートパルスＶＳＰ
２を受けた後、垂直クロックＶＣＫに同期して、時間ｔ
１４で停止制御線Ｚ１を選択する停止制御信号を出力す
る。停止制御線駆動回路１２３は、停止制御線１０３
（Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮ）を順次選択する停止制御信号
を出力し、その選択された停止制御線１０３を有する画
素の発光が走査線単位で停止していく。
２４で遅延され、遅延時間Ｔを有する垂直スタートパル
スＶＳＰ２が停止制御線駆動回路１２３に入力される。
停止制御線駆動回路１２３は垂直スタートパルスＶＳＰ
２を受けた後、垂直クロックＶＣＫに同期して、時間ｔ
１４で停止制御線Ｚ１を選択する停止制御信号を出力す
る。停止制御線駆動回路１２３は、停止制御線１０３
（Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮ）を順次選択する停止制御信号
を出力し、その選択された停止制御線１０３を有する画
素の発光が走査線単位で停止していく。
【００１３】このように、画素１００への輝度情報の書
き込みは、走査線１０１が選択された状態で、データ線
１０２に輝度情報に応じた電気信号を印加することによ
って行われ、画素１００に書き込まれた輝度情報は走査
線１０１が非選択となった後も容量素子Ｃ１０に保持さ
れ、発光素子１０４は保持された輝度情報に応じた輝度
で点灯を維持可能である。その後、停止制御線１０３か
ら、停止制御線１０３に接続されたＴＦＴ１１３のゲー
トＧに制御信号が与えられ、ＴＦＴ１１２のゲート電位
を制御して発光素子を消灯する。ＴＦＴ１１３のゲート
Ｇは走査線１０１に対応した停止制御線１０３に共通接
続されており、停止制御線１０３単位で発光停止制御を
行うことができる。こうして、同一の走査線１０１に接
続された各画素１００の発光素子１０４を少なくとも走
査線単位で強制的に消灯し、各画素１００に輝度情報が
書き込まれてから次に新たな輝度情報が書き込まれる１
走査サイクルの間に発光素子１０４を点灯状態から消灯
状態にする。なお、消灯状態となってから次のサイクル
の点灯状態となるまでが消灯期間である。
き込みは、走査線１０１が選択された状態で、データ線
１０２に輝度情報に応じた電気信号を印加することによ
って行われ、画素１００に書き込まれた輝度情報は走査
線１０１が非選択となった後も容量素子Ｃ１０に保持さ
れ、発光素子１０４は保持された輝度情報に応じた輝度
で点灯を維持可能である。その後、停止制御線１０３か
ら、停止制御線１０３に接続されたＴＦＴ１１３のゲー
トＧに制御信号が与えられ、ＴＦＴ１１２のゲート電位
を制御して発光素子を消灯する。ＴＦＴ１１３のゲート
Ｇは走査線１０１に対応した停止制御線１０３に共通接
続されており、停止制御線１０３単位で発光停止制御を
行うことができる。こうして、同一の走査線１０１に接
続された各画素１００の発光素子１０４を少なくとも走
査線単位で強制的に消灯し、各画素１００に輝度情報が
書き込まれてから次に新たな輝度情報が書き込まれる１
走査サイクルの間に発光素子１０４を点灯状態から消灯
状態にする。なお、消灯状態となってから次のサイクル
の点灯状態となるまでが消灯期間である。
【００１４】従来の画像表示装置においては、停止制御
手段により、１フィールドに例えば５０％の消灯期間を
設けることにより、間欠的に発光させ、動画質を改善す
ることができる。
手段により、１フィールドに例えば５０％の消灯期間を
設けることにより、間欠的に発光させ、動画質を改善す
ることができる。
【００１５】一般に、アクティブマトリクス型の画像表
示装置おいては、ＣＲＴ表示と比較して、動きが劣化す
る及び輪郭がぼやける等の画質の劣化（いわゆる画像ぼ
け）という定性的な画質劣化問題（以下、ホールドぼけ
ともいう。）が生じる。この画像ぼけは、画像表示され
る１枚毎の画像がぼけているわけではなく、連続して輝
度変調することによる残像等によるもので、人間の視覚
特性に関連するものであるが、連続して発光させるので
はなく、ＣＲＴのようなインパルス型発光に近づける、
即ち、フィールド毎に表示光を間欠的にすることによ
り、画像ぼけの問題が低減されることが報告されてい
る。
示装置おいては、ＣＲＴ表示と比較して、動きが劣化す
る及び輪郭がぼやける等の画質の劣化（いわゆる画像ぼ
け）という定性的な画質劣化問題（以下、ホールドぼけ
ともいう。）が生じる。この画像ぼけは、画像表示され
る１枚毎の画像がぼけているわけではなく、連続して輝
度変調することによる残像等によるもので、人間の視覚
特性に関連するものであるが、連続して発光させるので
はなく、ＣＲＴのようなインパルス型発光に近づける、
即ち、フィールド毎に表示光を間欠的にすることによ
り、画像ぼけの問題が低減されることが報告されてい
る。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ここで、例えば、上述
の従来技術を使用して、発光割合を１フレームあたり、
２５％程度に落とし、消灯期間を長くして７５％程度設
けることにより、アクティブマトリクス型の画像表示装
置に生じる画像ぼけが低減され、ＣＲＴ表示に近づか
せ、画質劣化を許容範囲内程度に低減することが可能と
なる。
の従来技術を使用して、発光割合を１フレームあたり、
２５％程度に落とし、消灯期間を長くして７５％程度設
けることにより、アクティブマトリクス型の画像表示装
置に生じる画像ぼけが低減され、ＣＲＴ表示に近づか
せ、画質劣化を許容範囲内程度に低減することが可能と
なる。
【００１７】しかしながら、上述の従来の技術におい
て、消灯時間を長くして画像ぼけを低減するために、発
光割合を２５％程度に落として、点灯時間を短くすると
輝度（光量）が低下してしまうという問題点がある。
て、消灯時間を長くして画像ぼけを低減するために、発
光割合を２５％程度に落として、点灯時間を短くすると
輝度（光量）が低下してしまうという問題点がある。
【００１８】本発明は、このような従来の実情に鑑みて
提案されたものであり、画像品質を向上し、画像ぼけを
低減して高品質な画質を得ることができる画像表示装置
及びその方法を提供することを目的とする。
提案されたものであり、画像品質を向上し、画像ぼけを
低減して高品質な画質を得ることができる画像表示装置
及びその方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ために、本発明に係る画像表示装置は、複数の走査線
と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延設
された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線と
によりマトリクス状に形成された画素とを具備する画像
表示装置において、上記データ線は第１及び第２のデー
タ信号を供給する夫々第１及び第２のデータ線からな
り、上記画素は、上記画素を所定のサイクルで選択する
走査信号が上記走査線を介して供給される第１及び第２
の能動素子と、上記第１及び第２の能動素子を介して夫
々上記第１及び第２データ線から供給される夫々上記第
１及び第２のデータ信号を保持する夫々第１及び第２の
容量素子と、上記第１の容量素子によって保持された上
記第１のデータ信号が供給される第３の能動素子と、上
記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じ
た電流が供給され第１の点灯状態となる発光素子と、１
走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変更する変
更手段とを有し、上記変更手段は、上記第２のデータ信
号に基づいて中間データを生成し、上記中間データを上
記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の
点灯状態を、上記中間データに応じた電流による第２の
点灯状態に変更することを特徴とする。
ために、本発明に係る画像表示装置は、複数の走査線
と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延設
された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線と
によりマトリクス状に形成された画素とを具備する画像
表示装置において、上記データ線は第１及び第２のデー
タ信号を供給する夫々第１及び第２のデータ線からな
り、上記画素は、上記画素を所定のサイクルで選択する
走査信号が上記走査線を介して供給される第１及び第２
の能動素子と、上記第１及び第２の能動素子を介して夫
々上記第１及び第２データ線から供給される夫々上記第
１及び第２のデータ信号を保持する夫々第１及び第２の
容量素子と、上記第１の容量素子によって保持された上
記第１のデータ信号が供給される第３の能動素子と、上
記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じ
た電流が供給され第１の点灯状態となる発光素子と、１
走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変更する変
更手段とを有し、上記変更手段は、上記第２のデータ信
号に基づいて中間データを生成し、上記中間データを上
記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の
点灯状態を、上記中間データに応じた電流による第２の
点灯状態に変更することを特徴とする。
【００２０】本発明においては、第１のデータ線から与
えられた第１のデータ信号が書き込まれてから次に新た
な第１のデータ信号が書き込まれる１走査サイクルの間
に、発光開始時の第１の点灯状態から第２の点灯状態へ
発光状態を移行して、中間データを表示することがで
き、発光状態の急峻な変化を抑えることができ画像の品
質が向上する。
えられた第１のデータ信号が書き込まれてから次に新た
な第１のデータ信号が書き込まれる１走査サイクルの間
に、発光開始時の第１の点灯状態から第２の点灯状態へ
発光状態を移行して、中間データを表示することがで
き、発光状態の急峻な変化を抑えることができ画像の品
質が向上する。
【００２１】また、上記１走査サイクルの間に同一の走
査線に接続された各画素の発光素子を少なくとも走査線
単位で強制的に消灯する制御手段を有し、該制御手段
は、上記発光素子を上記点灯状態から消灯状態にするこ
とができ、１走査サイクルの間に消灯期間を設けること
により、点灯時間を間欠状態としてＣＲＴのようなイン
パルス型発光に近づけることができる。
査線に接続された各画素の発光素子を少なくとも走査線
単位で強制的に消灯する制御手段を有し、該制御手段
は、上記発光素子を上記点灯状態から消灯状態にするこ
とができ、１走査サイクルの間に消灯期間を設けること
により、点灯時間を間欠状態としてＣＲＴのようなイン
パルス型発光に近づけることができる。
【００２２】更に、上記変更手段は、上記第１の容量素
子と第２の容量素子とを結合する第４の能動素子からな
る生成手段を有し、上記第１の容量素子により保持され
る第１のデータ信号と第２の容量素子により保持される
第２のデータ信号とを結合して上記中間データを生成す
ることができ、１走査サイクル中に、第１の保持容量と
は別に設けた第２の保持容量を使用し、この第２の容量
素子に第１の容量素子を足し込んだ結合容量を中間デー
タとして生成することができる。
子と第２の容量素子とを結合する第４の能動素子からな
る生成手段を有し、上記第１の容量素子により保持され
る第１のデータ信号と第２の容量素子により保持される
第２のデータ信号とを結合して上記中間データを生成す
ることができ、１走査サイクル中に、第１の保持容量と
は別に設けた第２の保持容量を使用し、この第２の容量
素子に第１の容量素子を足し込んだ結合容量を中間デー
タとして生成することができる。
【００２３】更にまた、上記第１のデータ線及び第２の
データ線に夫々上記第１のデータ信号及び上記第２のデ
ータ信号を供給するデータ線駆動回路を有し、上記デー
タ線駆動回路は、上記第１のデータ信号から第２のデー
タ信号を生成する信号処理回路を有し、上記信号処理回
路は、第１のデータ信号から所定のデータを切り出すデ
ータ切り出し手段と、上記データ切り出し手段が切り出
した切出データに基づいてクラスコードを発生するクラ
ス分類手段と、上記第１のデータ信号から上記第２のデ
ータ信号へ変換するための推定式の予測係数が上記クラ
スコード毎に記憶され、上記クラスコードに対応する予
測係数を出力する予測係数記憶手段と、上記予測係数記
憶手段から出力された上記予測係数と上記切出データと
に基づいて推定演算して上記中間データを出力する推定
演算手段と、上記第１のデータ信号及び上記中間データ
から上記第２のデータ信号を生成するデータ変換部とを
有することができる。
データ線に夫々上記第１のデータ信号及び上記第２のデ
ータ信号を供給するデータ線駆動回路を有し、上記デー
タ線駆動回路は、上記第１のデータ信号から第２のデー
タ信号を生成する信号処理回路を有し、上記信号処理回
路は、第１のデータ信号から所定のデータを切り出すデ
ータ切り出し手段と、上記データ切り出し手段が切り出
した切出データに基づいてクラスコードを発生するクラ
ス分類手段と、上記第１のデータ信号から上記第２のデ
ータ信号へ変換するための推定式の予測係数が上記クラ
スコード毎に記憶され、上記クラスコードに対応する予
測係数を出力する予測係数記憶手段と、上記予測係数記
憶手段から出力された上記予測係数と上記切出データと
に基づいて推定演算して上記中間データを出力する推定
演算手段と、上記第１のデータ信号及び上記中間データ
から上記第２のデータ信号を生成するデータ変換部とを
有することができる。
【００２４】また、上記予測係数記憶手段に記憶される
予測係数を予め学習する学習手段を有し、上記学習手段
は、上記第１のデータ信号のフレーム周波数が変換され
た周波数変換データ信号を上記第２のデータ信号として
生成するフレーム周波数変換手段と、上記周波数変換デ
ータ信号から所定のデータを切り出すデータ切り出し手
段と、上記データ切り出し手段が切り出した切出データ
に基づいてクラスコードを発生するクラス分類手段と、
第１のデータ信号と周波数変換データ信号から切り出さ
れた上記切出データとが入力されこの各データに基づき
予測係数を算出する予測係数演算部と、上記予測係数演
算部にて演算された上記予測係数を、上記クラスコード
と共に記憶する予測係数記憶手段とを有することがで
き、これにより、極めて正確な中間データを創造するこ
とができる。
予測係数を予め学習する学習手段を有し、上記学習手段
は、上記第１のデータ信号のフレーム周波数が変換され
た周波数変換データ信号を上記第２のデータ信号として
生成するフレーム周波数変換手段と、上記周波数変換デ
ータ信号から所定のデータを切り出すデータ切り出し手
段と、上記データ切り出し手段が切り出した切出データ
に基づいてクラスコードを発生するクラス分類手段と、
第１のデータ信号と周波数変換データ信号から切り出さ
れた上記切出データとが入力されこの各データに基づき
予測係数を算出する予測係数演算部と、上記予測係数演
算部にて演算された上記予測係数を、上記クラスコード
と共に記憶する予測係数記憶手段とを有することがで
き、これにより、極めて正確な中間データを創造するこ
とができる。
【００２５】本発明の画像表示装置は、複数の走査線
と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延設
された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線と
によりマトリクス状に形成された画素とを具備する画像
表示装置において、上記データ線は第１及び第２のデー
タ信号を供給する夫々第１及び第２のデータ線からな
り、上記画素は、上記画素を所定のサイクルで選択する
走査信号が上記走査線を介して供給される第１及び第２
の能動素子と、上記第１及び第２の能動素子を介して夫
々上記第１及び第２データ線から供給される夫々上記第
１及び第２のデータ信号を保持する夫々第１及び第２の
容量素子と、上記第１の容量素子によって保持された上
記第１のデータ信号が供給される第３の能動素子と、上
記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じ
た電流が供給され第１の点灯状態となる発光素子と、１
走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変更する変
更手段とを有し、上記変更手段は、上記第２のデータ信
号を上記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記
第１の点灯状態を、上記第２のデータ信号に応じた電流
による第２の点灯状態に変更することを特徴とする。
と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延設
された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線と
によりマトリクス状に形成された画素とを具備する画像
表示装置において、上記データ線は第１及び第２のデー
タ信号を供給する夫々第１及び第２のデータ線からな
り、上記画素は、上記画素を所定のサイクルで選択する
走査信号が上記走査線を介して供給される第１及び第２
の能動素子と、上記第１及び第２の能動素子を介して夫
々上記第１及び第２データ線から供給される夫々上記第
１及び第２のデータ信号を保持する夫々第１及び第２の
容量素子と、上記第１の容量素子によって保持された上
記第１のデータ信号が供給される第３の能動素子と、上
記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じ
た電流が供給され第１の点灯状態となる発光素子と、１
走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変更する変
更手段とを有し、上記変更手段は、上記第２のデータ信
号を上記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記
第１の点灯状態を、上記第２のデータ信号に応じた電流
による第２の点灯状態に変更することを特徴とする。
【００２６】本発明においては、第１のデータ線から与
えられた第１のデータ信号が書き込まれてから次に新た
な第１のデータ信号が書き込まれる１走査サイクルの間
に、発光開始時の第１の点灯状態から第２のデータ信号
に応じた第２の点灯状態へ発光状態を移行することによ
り、点灯状態を変更することができ、発光状態の急峻な
変化を抑えることができ画像の品質が向上する。
えられた第１のデータ信号が書き込まれてから次に新た
な第１のデータ信号が書き込まれる１走査サイクルの間
に、発光開始時の第１の点灯状態から第２のデータ信号
に応じた第２の点灯状態へ発光状態を移行することによ
り、点灯状態を変更することができ、発光状態の急峻な
変化を抑えることができ画像の品質が向上する。
【００２７】また、上記変更手段は、上記第１の容量素
子と上記第２の容量素子とに接続された第５の能動素子
と、上記第５の能動素子に制御信号を供給する選択制御
線とを有し、上記選択信号により上記第１の容量素子に
より保持される上記第１のデータ信号又は上記第２の容
量素子により保持される上記第２のデータ信号のいずれ
かを選択することができる。
子と上記第２の容量素子とに接続された第５の能動素子
と、上記第５の能動素子に制御信号を供給する選択制御
線とを有し、上記選択信号により上記第１の容量素子に
より保持される上記第１のデータ信号又は上記第２の容
量素子により保持される上記第２のデータ信号のいずれ
かを選択することができる。
【００２８】本発明に係る画像表示方法は、複数の走査
線と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延
設された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線
とによりマトリクス状に形成された画素とを具備する画
像表示装置の画像表示方法において、上記データ線は第
１及び第２のデータ信号を供給する夫々第１及び第２の
データ線からなり、上記画素を所定のサイクルで選択す
る走査信号が上記走査線を介して上記画素の第１及び第
２の能動素子供給され、上記第１及び第２の能動素子を
介して夫々上記第１及び第２データ線から夫々上記第１
及び第２のデータ信号が夫々第１及び第２の容量素子に
供給され、上記第１の容量素子によって保持された上記
第１のデータ信号が第３の能動素子に供給され、上記第
３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じた電
流が発光素子に供給されて第１の点灯状態とし、１走査
サイクルの間に、上記第２のデータ信号に基づいて中間
データを生成し、上記中間データを上記第３の能動素子
に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態を、上記
中間データに応じた電流による第２の点灯状態に変更す
る変更工程を有することを特徴とする。
線と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延
設された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線
とによりマトリクス状に形成された画素とを具備する画
像表示装置の画像表示方法において、上記データ線は第
１及び第２のデータ信号を供給する夫々第１及び第２の
データ線からなり、上記画素を所定のサイクルで選択す
る走査信号が上記走査線を介して上記画素の第１及び第
２の能動素子供給され、上記第１及び第２の能動素子を
介して夫々上記第１及び第２データ線から夫々上記第１
及び第２のデータ信号が夫々第１及び第２の容量素子に
供給され、上記第１の容量素子によって保持された上記
第１のデータ信号が第３の能動素子に供給され、上記第
３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じた電
流が発光素子に供給されて第１の点灯状態とし、１走査
サイクルの間に、上記第２のデータ信号に基づいて中間
データを生成し、上記中間データを上記第３の能動素子
に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態を、上記
中間データに応じた電流による第２の点灯状態に変更す
る変更工程を有することを特徴とする。
【００２９】本発明に係る画像表示方法は、複数の走査
線と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延
設された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線
とによりマトリクス状に形成された画素とを具備する画
像表示装置の画像表示方法において、上記データ線は第
１及び第２のデータ信号を供給する夫々第１及び第２の
データ線からなり、上記画素を所定のサイクルで選択す
る走査信号が上記走査線を介して上記画素の第１及び第
２の能動素子が供給され、上記第１及び第２の能動素子
を介して夫々上記第１及び第２データ線から夫々上記第
１及び第２のデータ信号が夫々第１及び第２の容量素子
に供給され、上記第１の容量素子によって保持された上
記第１のデータ信号が第３の能動素子に供給され、上記
第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じた
電流が発光素子に供給されて第１の点灯状態とし、１走
査サイクルの間に、上記第２のデータ信号を上記第３の
能動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態
を、上記第２のデータ信号に応じた電流による第２の点
灯状態に変更する変更工程を有することを特徴とする。
線と、この走査線の延設方向に対して交差する方向に延
設された複数のデータ線と、上記データ線と上記走査線
とによりマトリクス状に形成された画素とを具備する画
像表示装置の画像表示方法において、上記データ線は第
１及び第２のデータ信号を供給する夫々第１及び第２の
データ線からなり、上記画素を所定のサイクルで選択す
る走査信号が上記走査線を介して上記画素の第１及び第
２の能動素子が供給され、上記第１及び第２の能動素子
を介して夫々上記第１及び第２データ線から夫々上記第
１及び第２のデータ信号が夫々第１及び第２の容量素子
に供給され、上記第１の容量素子によって保持された上
記第１のデータ信号が第３の能動素子に供給され、上記
第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応じた
電流が発光素子に供給されて第１の点灯状態とし、１走
査サイクルの間に、上記第２のデータ信号を上記第３の
能動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態
を、上記第２のデータ信号に応じた電流による第２の点
灯状態に変更する変更工程を有することを特徴とする。
【００３０】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した具体的な
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。この実施の形態は、発光素子に有機ＥＬを使用した
画像表示装置に適用したものである。
実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明す
る。この実施の形態は、発光素子に有機ＥＬを使用した
画像表示装置に適用したものである。
【００３１】図１は、本発明の第１の実施の形態におけ
る画像表示装置の１画素分の等価回路図である。図１に
示すように、画素１０は、所定の走査サイクル（フレー
ム）で画素１０を選択する走査線１１と、この走査線１
１に垂直な方向に設けられて画素１０を駆動するための
輝度情報である第１及び第２のデータ信号Ｙ１，Ｙ２を
与える第１のデータ線１２ａ及び第２のデータ線１２ｂ
との交差部に形成され、マトリクス状に配設されてい
る。
る画像表示装置の１画素分の等価回路図である。図１に
示すように、画素１０は、所定の走査サイクル（フレー
ム）で画素１０を選択する走査線１１と、この走査線１
１に垂直な方向に設けられて画素１０を駆動するための
輝度情報である第１及び第２のデータ信号Ｙ１，Ｙ２を
与える第１のデータ線１２ａ及び第２のデータ線１２ｂ
との交差部に形成され、マトリクス状に配設されてい
る。
【００３２】画素１は、有機エレクトロルミネッセンス
素子からなる発光素子１４と、５つのＴＦＴ１〜５と、
２つの容量素子Ｃ１、Ｃ２とを有する。
素子からなる発光素子１４と、５つのＴＦＴ１〜５と、
２つの容量素子Ｃ１、Ｃ２とを有する。
【００３３】ＴＦＴ１及びＴＦＴ２は、画素１０を所定
のサイクルで選択する走査信号が走査線１１を介して、
そのゲートＧから供給される第１及び第２の能動素子で
ある。また、第１及び第２の容量素子である夫々容量素
子Ｃ１及びＣ２は、夫々ＴＦＴ１及びＴＦＴ２のドレイ
ンＤに夫々接続され、ＴＦＴ１及びＴＦＴ２を介して夫
々上記第１及び第２データ線１２ａ，１２ｂから供給さ
れる夫々第１及び第２のデータ信号Ｙ１，Ｙ２を保持す
る。容量素子Ｃ１及びＣ２の他端は接地されている。
のサイクルで選択する走査信号が走査線１１を介して、
そのゲートＧから供給される第１及び第２の能動素子で
ある。また、第１及び第２の容量素子である夫々容量素
子Ｃ１及びＣ２は、夫々ＴＦＴ１及びＴＦＴ２のドレイ
ンＤに夫々接続され、ＴＦＴ１及びＴＦＴ２を介して夫
々上記第１及び第２データ線１２ａ，１２ｂから供給さ
れる夫々第１及び第２のデータ信号Ｙ１，Ｙ２を保持す
る。容量素子Ｃ１及びＣ２の他端は接地されている。
【００３４】ＴＦＴ１は走査線１１からの走査信号によ
って選択され、その状態でデータ線１２ａから与えられ
た第１のデータ信号Ｙ１を容量素子Ｃ１に書き込む。同
様に、ＴＦＴ２も走査線１１からの走査信号によって選
択され、その状態でデータ線１２ｂから与えられた第２
のデータ信号Ｙ２を容量素子Ｃ２に書き込む。
って選択され、その状態でデータ線１２ａから与えられ
た第１のデータ信号Ｙ１を容量素子Ｃ１に書き込む。同
様に、ＴＦＴ２も走査線１１からの走査信号によって選
択され、その状態でデータ線１２ｂから与えられた第２
のデータ信号Ｙ２を容量素子Ｃ２に書き込む。
【００３５】第３の能動素子であるＴＦＴ３には、容量
素子Ｃ１によって保持された第１のデータ信号Ｙ１が供
給される。ＴＦＴ３はそのゲートに印可される電圧（デ
ータ信号）に応じて発光素子１４に供給する電流量を制
御する。発光素子１４には、ＴＦＴ３を介して、ＴＦＴ
３のゲートに印可されるデータ信号に応じた電流が供給
される。発光素子１４は、供給される電流量によって輝
度が変化する。第１のデータ信号Ｙ１に応じた電流が供
給された場合は、第１の点灯状態となる。
素子Ｃ１によって保持された第１のデータ信号Ｙ１が供
給される。ＴＦＴ３はそのゲートに印可される電圧（デ
ータ信号）に応じて発光素子１４に供給する電流量を制
御する。発光素子１４には、ＴＦＴ３を介して、ＴＦＴ
３のゲートに印可されるデータ信号に応じた電流が供給
される。発光素子１４は、供給される電流量によって輝
度が変化する。第１のデータ信号Ｙ１に応じた電流が供
給された場合は、第１の点灯状態となる。
【００３６】ＴＦＴ４は、そのドレインＤ及びソースＳ
に夫々容量素子Ｃ１及び容量素子Ｃ２が接続され、容量
素子Ｃ１及びＣ２を接続する第４の能動素子である。こ
のＴＦＴ４は、オン状態になると、容量素子Ｃ１及びＣ
２を結合する。図２は、容量素子の結合原理を説明する
ための回路図である。図２に示すように、例えば容量素
子ＣｓＡ，ＣｓＢの一端が接地され、他端が夫々ＴＦＴ
１６のソースＳ及びドレインＤに接続されている場合に
ついて説明する。ＴＦＴ１６のゲートＧには容量素子結
合制御線Ｌが接続されている。容量素子結合制御線Ｌか
らの信号により、ＴＦＴ１６のゲートＧに電圧が印可さ
れオンされた場合、容量素子ＣｓＡとＣｓＢとの容量が
結合され、ＴＦＴ１６のドレインＤの電位は、容量素子
ＣｓＡとＣｓＢとの中間電位となる。
に夫々容量素子Ｃ１及び容量素子Ｃ２が接続され、容量
素子Ｃ１及びＣ２を接続する第４の能動素子である。こ
のＴＦＴ４は、オン状態になると、容量素子Ｃ１及びＣ
２を結合する。図２は、容量素子の結合原理を説明する
ための回路図である。図２に示すように、例えば容量素
子ＣｓＡ，ＣｓＢの一端が接地され、他端が夫々ＴＦＴ
１６のソースＳ及びドレインＤに接続されている場合に
ついて説明する。ＴＦＴ１６のゲートＧには容量素子結
合制御線Ｌが接続されている。容量素子結合制御線Ｌか
らの信号により、ＴＦＴ１６のゲートＧに電圧が印可さ
れオンされた場合、容量素子ＣｓＡとＣｓＢとの容量が
結合され、ＴＦＴ１６のドレインＤの電位は、容量素子
ＣｓＡとＣｓＢとの中間電位となる。
【００３７】図１に戻って、ＴＦＴ４のゲートＧには結
合制御線１５が接続され、ＴＦＴ４のオン・オフを制御
する結合制御信号が入力される。ＴＦＴ４は結合制御線
１５から与えられる制御信号によりオン状態になると、
上述のように、容量素子Ｃ１及びＣ２を接続し、各容量
素子Ｃ１，Ｃ２に保持された第１及び第２のデータ信号
Ｙ１，Ｙ２を結合する。この容量素子Ｃ１，Ｃ２及び結
合制御線１５から発光素子１４の点灯状態を変更する変
更手段が構成されている。
合制御線１５が接続され、ＴＦＴ４のオン・オフを制御
する結合制御信号が入力される。ＴＦＴ４は結合制御線
１５から与えられる制御信号によりオン状態になると、
上述のように、容量素子Ｃ１及びＣ２を接続し、各容量
素子Ｃ１，Ｃ２に保持された第１及び第２のデータ信号
Ｙ１，Ｙ２を結合する。この容量素子Ｃ１，Ｃ２及び結
合制御線１５から発光素子１４の点灯状態を変更する変
更手段が構成されている。
【００３８】また、ＴＦＴ１のドレインＤとＴＦＴ４の
ドレインＤとの間の接点Ｐと、ＴＦＴ３のゲートＧとの
間には、ＴＦＴ６のドレインＤが接続され、そのゲート
Ｇに停止制御線１３が接続されている。この停止制御線
１３からの停止制御信号により、ＴＦＴ６のオン・オフ
が制御される。そして、停止制御線１３からの停止信号
により、発光素子１４の発光を強制的に停止する。
ドレインＤとの間の接点Ｐと、ＴＦＴ３のゲートＧとの
間には、ＴＦＴ６のドレインＤが接続され、そのゲート
Ｇに停止制御線１３が接続されている。この停止制御線
１３からの停止制御信号により、ＴＦＴ６のオン・オフ
が制御される。そして、停止制御線１３からの停止信号
により、発光素子１４の発光を強制的に停止する。
【００３９】画素１０への輝度情報の書き込みは、走査
線１１が選択された状態で、第１のデータ線１２ａに、
例えばデータ電位Ｖｄａｔａ１である所定の電気信号
（第１のデータ信号Ｙ１）を印加することによって行わ
れる。画素１０に書き込まれた第１のデータ信号Ｙ１は
走査線１１が非選択となったあとも容量素子Ｃ１に保持
され、発光素子１４は保持された輝度情報に応じた輝度
で点灯（第１の点灯状態）を維持可能である。
線１１が選択された状態で、第１のデータ線１２ａに、
例えばデータ電位Ｖｄａｔａ１である所定の電気信号
（第１のデータ信号Ｙ１）を印加することによって行わ
れる。画素１０に書き込まれた第１のデータ信号Ｙ１は
走査線１１が非選択となったあとも容量素子Ｃ１に保持
され、発光素子１４は保持された輝度情報に応じた輝度
で点灯（第１の点灯状態）を維持可能である。
【００４０】また、このとき、第２のデータ線１２ｂに
も、例えばデータ電位Ｖｄａｔａ２の所定の電気信号
（第２のデータ信号Ｙ２）を印可し、これが容量素子Ｃ
２に保持される。
も、例えばデータ電位Ｖｄａｔａ２の所定の電気信号
（第２のデータ信号Ｙ２）を印可し、これが容量素子Ｃ
２に保持される。
【００４１】そして、１フレーム期間内に、結合制御線
１５からの結合制御信号により、ＴＦＴ４がオン状態と
なると、容量素子Ｃ１とＣ２とが結合され、接点Ｐの電
圧がその結合容量に応じた電圧となる。そして、ＴＦＴ
３に印可される電圧が結合容量に応じた別電位に移行
し、これにより、発光素子１４に流れる電流が変化し、
発光状態（点灯状態）が変更される。
１５からの結合制御信号により、ＴＦＴ４がオン状態と
なると、容量素子Ｃ１とＣ２とが結合され、接点Ｐの電
圧がその結合容量に応じた電圧となる。そして、ＴＦＴ
３に印可される電圧が結合容量に応じた別電位に移行
し、これにより、発光素子１４に流れる電流が変化し、
発光状態（点灯状態）が変更される。
【００４２】また、停止制御線１３から、停止制御線１
３に接続されたＴＦＴ６のゲートＧに制御信号が与えら
れ、ＴＦＴ２のゲート電位を制御して発光素子１４を消
灯する。即ち、制御信号に応じてＴＦＴ３をオン状態に
することにより、容量素子Ｃ１，Ｃ２が放電されて、Ｔ
ＦＴ２のゲート−ソース電圧Ｖｇｓが０Ｖとなり、発光
素子１４に流れる電流を遮断することができる。ＴＦＴ
６のゲートＧは走査線１１に対応した停止制御線１３に
共通接続されており、停止制御線１３単位で発光停止制
御を行うことができる。こうして同一の走査線１３に接
続された各画素１０の発光素子１４を少なくとも走査線
単位で強制的に消灯し、各画素１０に輝度情報が書き込
まれてから次に新たな輝度情報が書き込まれる１走査サ
イクルの間に発光素子１４を点灯状態から消灯状態にす
る。
３に接続されたＴＦＴ６のゲートＧに制御信号が与えら
れ、ＴＦＴ２のゲート電位を制御して発光素子１４を消
灯する。即ち、制御信号に応じてＴＦＴ３をオン状態に
することにより、容量素子Ｃ１，Ｃ２が放電されて、Ｔ
ＦＴ２のゲート−ソース電圧Ｖｇｓが０Ｖとなり、発光
素子１４に流れる電流を遮断することができる。ＴＦＴ
６のゲートＧは走査線１１に対応した停止制御線１３に
共通接続されており、停止制御線１３単位で発光停止制
御を行うことができる。こうして同一の走査線１３に接
続された各画素１０の発光素子１４を少なくとも走査線
単位で強制的に消灯し、各画素１０に輝度情報が書き込
まれてから次に新たな輝度情報が書き込まれる１走査サ
イクルの間に発光素子１４を点灯状態から消灯状態にす
る。
【００４３】次に、このような画素１０を有する画像表
示装置について説明する。図３は本実施の形態の画像表
示装置を示す回路図である。図３に示すように、画像表
示装置２０は、走査線１１（Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮ）が
相互に平行に行状に配列され、この走査線１１とは垂直
の方向、即ち列状に第１のデータ線１２ａ及び第２のデ
ータ線１２ｂが交互に相互に平行に配列されている。各
走査線１１とデータ線１２ａ及び１２ｂとの交差部に
は、上述の画素１０が形成されている。また、走査線１
１と平行に、停止制御線１３（Ｚ１，Ｚ２，…，Ｚ
Ｎ）、及び上述の容量素子結合制御線１５（Ｌ１，Ｌ
２，…，ＬＮ）が形成されている。
示装置について説明する。図３は本実施の形態の画像表
示装置を示す回路図である。図３に示すように、画像表
示装置２０は、走査線１１（Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮ）が
相互に平行に行状に配列され、この走査線１１とは垂直
の方向、即ち列状に第１のデータ線１２ａ及び第２のデ
ータ線１２ｂが交互に相互に平行に配列されている。各
走査線１１とデータ線１２ａ及び１２ｂとの交差部に
は、上述の画素１０が形成されている。また、走査線１
１と平行に、停止制御線１３（Ｚ１，Ｚ２，…，Ｚ
Ｎ）、及び上述の容量素子結合制御線１５（Ｌ１，Ｌ
２，…，ＬＮ）が形成されている。
【００４４】走査線１１は、走査線駆動回路２１に接続
され、第１のデータ線１２ａ及び第２のデータ線１２ｂ
はデータ線駆動回路２２に接続され、停止制御線１３は
停止制御線駆動回路２３に接続され、結合制御線１５は
結合制御線駆動回路２５に接続されている。
され、第１のデータ線１２ａ及び第２のデータ線１２ｂ
はデータ線駆動回路２２に接続され、停止制御線１３は
停止制御線駆動回路２３に接続され、結合制御線１５は
結合制御線駆動回路２５に接続されている。
【００４５】走査線駆動回路２１は、シフトレジスタを
含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期して垂直スター
トパルスＶＳＰ１を順次転送することにより、走査線Ｘ
１，Ｘ２，…，ＸＮを一走査サイクル内で順次選択す
る。また、停止制御線駆動回路２３には、垂直スタート
パルスＶＰＳ１が遅延回路２４を介して所定時間Ｔ１だ
けＶＳＰ１から遅延処理された垂直スタートパルスＶＰ
Ｓ２が入力される。この停止制御線駆動回路２３もシフ
トレジスタを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期し
て垂直スタートパルスＶＳＰ２を順次転送することによ
り、停止制御線Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮに制御信号を出力
する。また、結合制御線駆動回路２５には、垂直スター
トパルスＶＰＳ１が遅延回路２６を介して所定時間Ｔ２
だけＶＳＰ１から遅延処理された垂直スタートパルスＶ
ＰＳ３が入力される。この結合制御線駆動回路２５もシ
フトレジスタを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期
して垂直スタートパルスＶＳＰ３を順次転送することに
より、容量素子結合制御線Ｌ１，Ｌ２，…，ＬＮに制御
信号を出力する。
含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期して垂直スター
トパルスＶＳＰ１を順次転送することにより、走査線Ｘ
１，Ｘ２，…，ＸＮを一走査サイクル内で順次選択す
る。また、停止制御線駆動回路２３には、垂直スタート
パルスＶＰＳ１が遅延回路２４を介して所定時間Ｔ１だ
けＶＳＰ１から遅延処理された垂直スタートパルスＶＰ
Ｓ２が入力される。この停止制御線駆動回路２３もシフ
トレジスタを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期し
て垂直スタートパルスＶＳＰ２を順次転送することによ
り、停止制御線Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮに制御信号を出力
する。また、結合制御線駆動回路２５には、垂直スター
トパルスＶＰＳ１が遅延回路２６を介して所定時間Ｔ２
だけＶＳＰ１から遅延処理された垂直スタートパルスＶ
ＰＳ３が入力される。この結合制御線駆動回路２５もシ
フトレジスタを含んでおり、垂直クロックＶＣＫに同期
して垂直スタートパルスＶＳＰ３を順次転送することに
より、容量素子結合制御線Ｌ１，Ｌ２，…，ＬＮに制御
信号を出力する。
【００４６】データ線１２ａ，１２ｂはデータ線駆動回
路２２に接続されており、走査線Ｘの線順次走査に同期
して、各第１のデータ線１２ａ及び第２のデータ線１２
ｂに夫々後述する第１のデータ信号Ｙ１及び第２のデー
タ信号Ｙ２に対応した電気信号を出力する。この場合、
データ線駆動回路２２は、いわゆる線順次駆動を行な
い、選択された画素の行に対して一斉に電気信号を供給
することができる。また、データ線駆動回路２２は、い
わゆる点順次駆動を行ない、選択された画素の行に対し
て順次電気信号を供給してもよい。いずれにしても、本
発明は、線順次駆動と点順次駆動の両者を包含してい
る。
路２２に接続されており、走査線Ｘの線順次走査に同期
して、各第１のデータ線１２ａ及び第２のデータ線１２
ｂに夫々後述する第１のデータ信号Ｙ１及び第２のデー
タ信号Ｙ２に対応した電気信号を出力する。この場合、
データ線駆動回路２２は、いわゆる線順次駆動を行な
い、選択された画素の行に対して一斉に電気信号を供給
することができる。また、データ線駆動回路２２は、い
わゆる点順次駆動を行ない、選択された画素の行に対し
て順次電気信号を供給してもよい。いずれにしても、本
発明は、線順次駆動と点順次駆動の両者を包含してい
る。
【００４７】次に、中間データを生成するための第１及
び第２のデータ信号について詳細に説明する。図４は、
図３に示すデータ線駆動回路２２に含まれる第１及び第
２のデータ信号を生成する信号処理回路を示すブロック
図である。この信号処理回路は、第１の信号データＹ１
から第２の信号データＹ２を創造するものである。図４
に示すように、データ線駆動回路２２は、結合データ生
成部３１と遅延回路３２とを有し、第１のデータ信号Ｙ
１が入力輝度信号３０として結合データ生成部３１及び
遅延回路３２に入力される。そして、結合データ生成部
３１にて第１のデータ信号Ｙ１から第２のデータ信号Ｙ
２が生成され、出力される。遅延回路３２の出力は第１
のデータ信号Ｙ１である。このデータ信号Ｙ１及びデー
タ信号Ｙ２が画素１０の夫々ＴＦＴ１及びＴＦＴ４に入
力される。
び第２のデータ信号について詳細に説明する。図４は、
図３に示すデータ線駆動回路２２に含まれる第１及び第
２のデータ信号を生成する信号処理回路を示すブロック
図である。この信号処理回路は、第１の信号データＹ１
から第２の信号データＹ２を創造するものである。図４
に示すように、データ線駆動回路２２は、結合データ生
成部３１と遅延回路３２とを有し、第１のデータ信号Ｙ
１が入力輝度信号３０として結合データ生成部３１及び
遅延回路３２に入力される。そして、結合データ生成部
３１にて第１のデータ信号Ｙ１から第２のデータ信号Ｙ
２が生成され、出力される。遅延回路３２の出力は第１
のデータ信号Ｙ１である。このデータ信号Ｙ１及びデー
タ信号Ｙ２が画素１０の夫々ＴＦＴ１及びＴＦＴ４に入
力される。
【００４８】図５は、図４に示す結合データ生成部３１
を示すブロック図である。図５に示すように、結合デー
タ生成部３１は、クラス分類適応処理部３３と、遅延回
路３４と、データ変換部３５とを有する。
を示すブロック図である。図５に示すように、結合デー
タ生成部３１は、クラス分類適応処理部３３と、遅延回
路３４と、データ変換部３５とを有する。
【００４９】第１のデータ信号Ｙ１である入力輝度信号
３０は、結合データ生成部３１のクラス分類適応処理部
３３及び遅延回路３４に入力される。クラス分類適応処
理部３３では、時間解像度が創造された中間フレーム
（フィールド）の画像データ３６を生成し、この画像デ
ータ３６が遅延回路３４から出力された第１のデータ信
号Ｙ１である元の入力輝度信号３０と共にデータ変換部
３５に入力される。データ変換部３５では、中間フレー
ムの画像データ３６を基に結合データ（第２のデータ信
号Ｙ２）を生成する。第２のデータ信号Ｙ２は、第１の
データ信号Ｙ１である元の入力輝度信号３０と第２のデ
ータ信号Ｙ２とを結合すると中間フレームの画像データ
３６になるような輝度信号である。ここで、中間フレー
ムの画像データとして容量素子Ｃ１とＣ２との結合（単
純平均）で実現できない範囲のデータが算出された場合
は、データ変換部３４において制限する。即ち、実現で
きるデータに最も近い値に変換する。こうして生成・変
換された結合データが第２のデータ信号Ｙ２として出力
される。
３０は、結合データ生成部３１のクラス分類適応処理部
３３及び遅延回路３４に入力される。クラス分類適応処
理部３３では、時間解像度が創造された中間フレーム
（フィールド）の画像データ３６を生成し、この画像デ
ータ３６が遅延回路３４から出力された第１のデータ信
号Ｙ１である元の入力輝度信号３０と共にデータ変換部
３５に入力される。データ変換部３５では、中間フレー
ムの画像データ３６を基に結合データ（第２のデータ信
号Ｙ２）を生成する。第２のデータ信号Ｙ２は、第１の
データ信号Ｙ１である元の入力輝度信号３０と第２のデ
ータ信号Ｙ２とを結合すると中間フレームの画像データ
３６になるような輝度信号である。ここで、中間フレー
ムの画像データとして容量素子Ｃ１とＣ２との結合（単
純平均）で実現できない範囲のデータが算出された場合
は、データ変換部３４において制限する。即ち、実現で
きるデータに最も近い値に変換する。こうして生成・変
換された結合データが第２のデータ信号Ｙ２として出力
される。
【００５０】次に、クラス分類適応処理について説明す
る。図６及び図７は、図５に示すクラス分類適応処理部
における夫々予測回路及び学習回路を示す回路図であ
る。図７に示すように、予測回路４０は、第１のデータ
信号Ｙ１からクラスタップを選択するクラスタップ構築
部４１と、第１のデータ信号Ｙ１から予測タップを選択
する予測タップ構築部４２と、クラスタップからクラス
を決定するクラス分類部４３と、予測タップから第２の
データ信号Ｙ２を予測演算する予測演算部４４と、後述
する学習回路にて予め学習された予測係数を保存するＲ
ＯＭ（Read-onlymemory）等の係数メモリ４５とを有す
る。
る。図６及び図７は、図５に示すクラス分類適応処理部
における夫々予測回路及び学習回路を示す回路図であ
る。図７に示すように、予測回路４０は、第１のデータ
信号Ｙ１からクラスタップを選択するクラスタップ構築
部４１と、第１のデータ信号Ｙ１から予測タップを選択
する予測タップ構築部４２と、クラスタップからクラス
を決定するクラス分類部４３と、予測タップから第２の
データ信号Ｙ２を予測演算する予測演算部４４と、後述
する学習回路にて予め学習された予測係数を保存するＲ
ＯＭ（Read-onlymemory）等の係数メモリ４５とを有す
る。
【００５１】クラスタップ構築部４１は、第１のデータ
信号Ｙ１である入力輝度信号３０から特徴領域（例え
ば、注目画素及び該注目画素を中心とした複数の周辺画
素）を切り出し、切り出した画素データ（以下、クラス
タップという。）をクラス分類部４３に入力する。
信号Ｙ１である入力輝度信号３０から特徴領域（例え
ば、注目画素及び該注目画素を中心とした複数の周辺画
素）を切り出し、切り出した画素データ（以下、クラス
タップという。）をクラス分類部４３に入力する。
【００５２】クラス分類部４３は、切り出された各画素
データを、信号波形のパターンを少ないクラスで表現で
きるような情報圧縮手段により、例えば８ビットから２
ビットに圧縮等するような演算を行ってパターン圧縮デ
ータを生成する。このような情報圧縮手段として、例え
ばＡＤＲＣ（Adaptive Dynamic Range Coding）回路、
ＤＰＣＭ（予測符号化）及びＶＱ（ベクトル量子化）等
を使用することができる。このパターン圧縮データに基
づいてその特徴領域が属するクラスを分類したクラスコ
ードを生成し、このクラスコードをタップ構築部４２及
び係数メモリ４５に入力する。
データを、信号波形のパターンを少ないクラスで表現で
きるような情報圧縮手段により、例えば８ビットから２
ビットに圧縮等するような演算を行ってパターン圧縮デ
ータを生成する。このような情報圧縮手段として、例え
ばＡＤＲＣ（Adaptive Dynamic Range Coding）回路、
ＤＰＣＭ（予測符号化）及びＶＱ（ベクトル量子化）等
を使用することができる。このパターン圧縮データに基
づいてその特徴領域が属するクラスを分類したクラスコ
ードを生成し、このクラスコードをタップ構築部４２及
び係数メモリ４５に入力する。
【００５３】予測タップ構築部４２は、クラスタップ構
築部４１と同様に、輝度信号３０から特徴領域の画素デ
ータ（例えば、注目画素及び該注目画素を中心とした複
数の周辺画素）の切り出しを行い、切り出した画素デー
タ（以下、予測タップという。）を予測演算部４４に入
力する。
築部４１と同様に、輝度信号３０から特徴領域の画素デ
ータ（例えば、注目画素及び該注目画素を中心とした複
数の周辺画素）の切り出しを行い、切り出した画素デー
タ（以下、予測タップという。）を予測演算部４４に入
力する。
【００５４】係数メモリ４５は、後述する学習回路５０
によって予め生成された各クラスに対応する予測係数デ
ータを格納しており、クラス分類部４３から供給される
クラスコードに応じた予測係数を読み出し、これを予測
演算部４４に入力する。
によって予め生成された各クラスに対応する予測係数デ
ータを格納しており、クラス分類部４３から供給される
クラスコードに応じた予測係数を読み出し、これを予測
演算部４４に入力する。
【００５５】予測演算部４４は、予測タップ構築部４２
から入力された予測タップの画素値と、係数メモリ４５
から入力された予測係数とに基づいて、中間フレームデ
ータを生成する際に使用する第２のデータ信号Ｙ２とな
る画像データを予測演算し、出力端子ＯＵＴを介して出
力する。
から入力された予測タップの画素値と、係数メモリ４５
から入力された予測係数とに基づいて、中間フレームデ
ータを生成する際に使用する第２のデータ信号Ｙ２とな
る画像データを予測演算し、出力端子ＯＵＴを介して出
力する。
【００５６】次に、係数メモリ４５に格納される予測係
数を作成（学習）するための学習回路について説明す
る。図７に示すように、学習回路５０は、第１のデータ
信号Ｙ１である入力輝度信号３０のフレーム周波数を変
換するフレーム周波数変換部５１と、フレーム周波数が
変換された周波数変換データ信号からクラスタップを選
択するクラスタップ構築部５２と、フレーム周波数が変
換された周波数変換データ信号から予測タップを選択す
る予測タップ構築部５３と、クラスタップ５２からクラ
スを決定するクラス分類部５４と、フレーム周波数変換
前の輝度信号、即ち第１のデータ信号Ｙ１と、クラスコ
ード及び予測タップとが入力されて予測係数を算出する
予測係数算出部５５と、予測係数算出部５５にて算出さ
れた予測係数を格納する係数メモリ５６を有する。
数を作成（学習）するための学習回路について説明す
る。図７に示すように、学習回路５０は、第１のデータ
信号Ｙ１である入力輝度信号３０のフレーム周波数を変
換するフレーム周波数変換部５１と、フレーム周波数が
変換された周波数変換データ信号からクラスタップを選
択するクラスタップ構築部５２と、フレーム周波数が変
換された周波数変換データ信号から予測タップを選択す
る予測タップ構築部５３と、クラスタップ５２からクラ
スを決定するクラス分類部５４と、フレーム周波数変換
前の輝度信号、即ち第１のデータ信号Ｙ１と、クラスコ
ード及び予測タップとが入力されて予測係数を算出する
予測係数算出部５５と、予測係数算出部５５にて算出さ
れた予測係数を格納する係数メモリ５６を有する。
【００５７】中間フレームデータを生成するために使用
する予測係数を学習によって得るためには、先ず、フレ
ーム周波数変換部５１により、第１のデータ信号Ｙ１で
ある入力輝度信号３０から、そのフレーム周波数を変換
した輝度信号５７を生成する。この輝度信号５７は、第
２のデータ信号Ｙ２に相当するものである。
する予測係数を学習によって得るためには、先ず、フレ
ーム周波数変換部５１により、第１のデータ信号Ｙ１で
ある入力輝度信号３０から、そのフレーム周波数を変換
した輝度信号５７を生成する。この輝度信号５７は、第
２のデータ信号Ｙ２に相当するものである。
【００５８】クラスタップ構築部５２は、フレーム変換
された輝度信号５７から所定の特徴領域の画素データを
切り出し、この切り出した画素データ（以下、クラスタ
ップという。）をクラス分類部５４へ入力する。また、
予測タップ構築部５３は、フレーム変換された画素デー
タから所定の特徴領域の画素データを切り出し、この切
り出した画素データ（以下、予測タップという。）を予
測係数算出部５５に入力する。即ち、クラスタップ構築
部５２及び予測タップ構築部５３は、図１７に示すクラ
スタップ構築部４１及び予測タップ構築部４２と同様の
働きをするものである。
された輝度信号５７から所定の特徴領域の画素データを
切り出し、この切り出した画素データ（以下、クラスタ
ップという。）をクラス分類部５４へ入力する。また、
予測タップ構築部５３は、フレーム変換された画素デー
タから所定の特徴領域の画素データを切り出し、この切
り出した画素データ（以下、予測タップという。）を予
測係数算出部５５に入力する。即ち、クラスタップ構築
部５２及び予測タップ構築部５３は、図１７に示すクラ
スタップ構築部４１及び予測タップ構築部４２と同様の
働きをするものである。
【００５９】クラス分類部５４も、クラス分類部４３と
同様に、入力されたクラスタップからパターン圧縮デー
タを形成してクラスコードを生成し、このクラスコード
を予測係数算出部５５に入力する。
同様に、入力されたクラスタップからパターン圧縮デー
タを形成してクラスコードを生成し、このクラスコード
を予測係数算出部５５に入力する。
【００６０】予測係数算出部５５は、入力輝度信号３０
と、予測タップ構築部５３で切り出された予測タップと
から正規化方程式等を使用して予測係数を算出し、この
予測係数をクラス分類部５４から入力されたクラスコー
ドと共に係数メモリ５６に保存する。
と、予測タップ構築部５３で切り出された予測タップと
から正規化方程式等を使用して予測係数を算出し、この
予測係数をクラス分類部５４から入力されたクラスコー
ドと共に係数メモリ５６に保存する。
【００６１】このような学習を行うことにより、係数メ
モリ５６には、クラス毎に、中間フレームデータを推定
するための統計的に最も真値に近い推定ができる予測係
数が格納されることになる。
モリ５６には、クラス毎に、中間フレームデータを推定
するための統計的に最も真値に近い推定ができる予測係
数が格納されることになる。
【００６２】次に、このように構成された本実施の形態
の動作について説明する。基本的な動作は、上述の従来
例における画像表示装置と同様である。即ち、先ず、垂
直スタートパルスＶＳＰ１が走査線駆動回路２１及び遅
延回路２４，２６に入力される。走査線駆動回路２１は
ＶＳＰ１の入力を受けたあと、垂直クロックＶＣＫに同
期して走査線Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮを順次選択し、走査
線単位で第１及び第２のデータ信号に応じた輝度情報が
画素１０に書き込まれていく。垂直スタートパルスＶＳ
Ｐ１は遅延回路２４，２６で遅延され、垂直スタートパ
ルスＶＳＰ２，ＶＰＳ３として停止制御線駆動回路２
３，結合制御線駆動回路２５に入力される。
の動作について説明する。基本的な動作は、上述の従来
例における画像表示装置と同様である。即ち、先ず、垂
直スタートパルスＶＳＰ１が走査線駆動回路２１及び遅
延回路２４，２６に入力される。走査線駆動回路２１は
ＶＳＰ１の入力を受けたあと、垂直クロックＶＣＫに同
期して走査線Ｘ１，Ｘ２，…，ＸＮを順次選択し、走査
線単位で第１及び第２のデータ信号に応じた輝度情報が
画素１０に書き込まれていく。垂直スタートパルスＶＳ
Ｐ１は遅延回路２４，２６で遅延され、垂直スタートパ
ルスＶＳＰ２，ＶＰＳ３として停止制御線駆動回路２
３，結合制御線駆動回路２５に入力される。
【００６３】結合制御線駆動回路２５は、ＶＳＰ３が入
力された後、垂直クロックＶＣＫに同期して容量結合制
御線Ｌ１，Ｌ２，…，ＬＮを順次選択し、走査線単位で
発光輝度を移行させる。次に、停止制御線駆動回路２３
はＶＳＰ２が入力された後、垂直クロックＶＣＫに同期
して停止制御線Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮを順次選択し、発
光を走査線単位で停止させる。
力された後、垂直クロックＶＣＫに同期して容量結合制
御線Ｌ１，Ｌ２，…，ＬＮを順次選択し、走査線単位で
発光輝度を移行させる。次に、停止制御線駆動回路２３
はＶＳＰ２が入力された後、垂直クロックＶＣＫに同期
して停止制御線Ｚ１，Ｚ２，…，ＺＮを順次選択し、発
光を走査線単位で停止させる。
【００６４】次に、画素１０の動作について更に詳細に
説明する。図８は、画素１０の動作を示すタイミングチ
ャートである。図８において、走査信号Ｘは、図１に示
す画素１０の走査線１１に供給される走査信号であり、
ＴＦＴ１及びＴＦＴ４のゲートＧに印可される電位レベ
ルを示す。また、停止制御線Ｚは、画素１０の停止制御
線１３に供給される停止信号であり、ＴＦＴ５のゲート
Ｇに印可される電位レベルを示し、ＤａｔｅＹ１，Ｄａ
ｔａＹ２は、画素１０の夫々第１及び第２のデータ線１
２ａ，１２ｂに供給される第１及び第２のデータ信号Ｙ
１，Ｙ２、即ち、ＴＦＴ１のソースＳ，ＴＦＴ２のソー
スＳに入力される第１及び第２のデータ信号Ｙ１，Ｙ２
を示し、結合データＹ３は、画素１０のＴＦＴ３と容量
素子Ｃ１との接点Ｐにおける電位レベルを示す。結合制
御信号Ｌは、画素１０の結合制御線１５に供給される結
合制御信号、即ち、ＴＦＴ５のゲートＧに印可される電
位レベルを示す。
説明する。図８は、画素１０の動作を示すタイミングチ
ャートである。図８において、走査信号Ｘは、図１に示
す画素１０の走査線１１に供給される走査信号であり、
ＴＦＴ１及びＴＦＴ４のゲートＧに印可される電位レベ
ルを示す。また、停止制御線Ｚは、画素１０の停止制御
線１３に供給される停止信号であり、ＴＦＴ５のゲート
Ｇに印可される電位レベルを示し、ＤａｔｅＹ１，Ｄａ
ｔａＹ２は、画素１０の夫々第１及び第２のデータ線１
２ａ，１２ｂに供給される第１及び第２のデータ信号Ｙ
１，Ｙ２、即ち、ＴＦＴ１のソースＳ，ＴＦＴ２のソー
スＳに入力される第１及び第２のデータ信号Ｙ１，Ｙ２
を示し、結合データＹ３は、画素１０のＴＦＴ３と容量
素子Ｃ１との接点Ｐにおける電位レベルを示す。結合制
御信号Ｌは、画素１０の結合制御線１５に供給される結
合制御信号、即ち、ＴＦＴ５のゲートＧに印可される電
位レベルを示す。
【００６５】図８に示すように、走査信号ＸがＨｉｇｈ
レベルになって画素１０が選択されてから、次に走査線
ＸがＨｉｇｈレベルになって、再び画素１０が選択され
るまで（時間ｔ１〜ｔ５）が１走査期間（１フレーム）
Ｔである。
レベルになって画素１０が選択されてから、次に走査線
ＸがＨｉｇｈレベルになって、再び画素１０が選択され
るまで（時間ｔ１〜ｔ５）が１走査期間（１フレーム）
Ｔである。
【００６６】先ず、走査線Ｘが選択されているｔ１〜ｔ
２の期間（書き込み期間Ｔ１）、データ線１２ａ及びデ
ータ線１２ｂから夫々第１のデータ信号Ｙ１及び第２の
データ信号Ｙ２が与えられる。第２のデータ信号Ｙ２
は、上述したように、データ信号Ｙ１が、クラス分類適
応処理されデータ変換されて生成されたデータ信号Ｙ２
である。
２の期間（書き込み期間Ｔ１）、データ線１２ａ及びデ
ータ線１２ｂから夫々第１のデータ信号Ｙ１及び第２の
データ信号Ｙ２が与えられる。第２のデータ信号Ｙ２
は、上述したように、データ信号Ｙ１が、クラス分類適
応処理されデータ変換されて生成されたデータ信号Ｙ２
である。
【００６７】一方、書き込み期間Ｔ１において、停止制
御線ＺはＨｉｇｈレベルであり、ＴＦＴ６はオフ状態と
なっている。また、容量素子結合制御線ＬもＨｉｇｈレ
ベルであり、ＴＦＴ４もオフ状態となっている。従っ
て、結合データＹ３は、データ線１２ａから書き込まれ
た第１のデータ信号Ｙ１であり、この第１のデータ信号
Ｙ１に基づき発光素子が発光する。また、第２のデータ
信号は、容量素子Ｃ１に保持されている。更に、走査線
Ｘが非選択状態となる時間ｔ２〜ｔ３においても、デー
タ信号Ｙ１が保持された容量素子Ｃ１により、発光素子
１４は発光を続ける。
御線ＺはＨｉｇｈレベルであり、ＴＦＴ６はオフ状態と
なっている。また、容量素子結合制御線ＬもＨｉｇｈレ
ベルであり、ＴＦＴ４もオフ状態となっている。従っ
て、結合データＹ３は、データ線１２ａから書き込まれ
た第１のデータ信号Ｙ１であり、この第１のデータ信号
Ｙ１に基づき発光素子が発光する。また、第２のデータ
信号は、容量素子Ｃ１に保持されている。更に、走査線
Ｘが非選択状態となる時間ｔ２〜ｔ３においても、デー
タ信号Ｙ１が保持された容量素子Ｃ１により、発光素子
１４は発光を続ける。
【００６８】次に、時間ｔ３において、容量素子結合制
御線ＬがＬｏｗレベルになり、ＴＦＴ４がオン状態にな
ると、容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２とが結合され、その
中間電位が生成される。これが上述のクラス分類適応処
理部にて時間解像度創造により算出された中間フレーム
データであり、これにより、接点Ｐの電位が変化し、発
光素子１４の発光輝度が変更される。
御線ＬがＬｏｗレベルになり、ＴＦＴ４がオン状態にな
ると、容量素子Ｃ１と容量素子Ｃ２とが結合され、その
中間電位が生成される。これが上述のクラス分類適応処
理部にて時間解像度創造により算出された中間フレーム
データであり、これにより、接点Ｐの電位が変化し、発
光素子１４の発光輝度が変更される。
【００６９】最後に、時間ｔ４において、停止制御線Ｚ
がＬｏｗレベルとなり、ＴＦＴ６がオン状態になると、
容量素子Ｃ１，Ｃ２が放電されて、ＴＦＴ３のゲート−
ソース間電圧Ｖｇｓが０Ｖとなるため、ＴＦＴ３がオフ
状態になり、発光素子１４に流れる電流が遮断され、発
光素子１４は消灯する。この時間ｔ４から走査線Ｘが選
択され、第１のデータ信号Ｙ１が書き込まれて発光素子
１４に電流が流れる時間ｔ５までの間が消灯期間Ｔ２と
なる。こうして、データ線Ｙ２に、所望の結合データＹ
３を得るために算出され第２のデータ信号Ｙ２を与える
ことにより、第１の及び第２のデータ信号Ｙ２から結合
データＹ３をフレーム途中で発光素子ＯＬＥＤの輝度を
変更することができる。なお、本発明においては、発光
期間を短縮する必要がないため、例えば、仮に容量素子
Ｃ１と同一の容量素子Ｃ２を用意し、結合させて輝度レ
ベルを変更しない場合でも輝度は低下することがない。
がＬｏｗレベルとなり、ＴＦＴ６がオン状態になると、
容量素子Ｃ１，Ｃ２が放電されて、ＴＦＴ３のゲート−
ソース間電圧Ｖｇｓが０Ｖとなるため、ＴＦＴ３がオフ
状態になり、発光素子１４に流れる電流が遮断され、発
光素子１４は消灯する。この時間ｔ４から走査線Ｘが選
択され、第１のデータ信号Ｙ１が書き込まれて発光素子
１４に電流が流れる時間ｔ５までの間が消灯期間Ｔ２と
なる。こうして、データ線Ｙ２に、所望の結合データＹ
３を得るために算出され第２のデータ信号Ｙ２を与える
ことにより、第１の及び第２のデータ信号Ｙ２から結合
データＹ３をフレーム途中で発光素子ＯＬＥＤの輝度を
変更することができる。なお、本発明においては、発光
期間を短縮する必要がないため、例えば、仮に容量素子
Ｃ１と同一の容量素子Ｃ２を用意し、結合させて輝度レ
ベルを変更しない場合でも輝度は低下することがない。
【００７０】また、上述のクラス分類適応処理を含む信
号処理回路にて第２のデータ信号Ｙ２を生成することな
く、例えば、第２のデータ信号Ｙ２として、第１のデー
タ信号Ｙ１を１フレームずらした信号を使用し、中間デ
ータとして、第１のデータ信号Ｙ１の所定のフレームの
データ信号と、次のフレームのデータ信号を足して平均
したものとしてもよい。
号処理回路にて第２のデータ信号Ｙ２を生成することな
く、例えば、第２のデータ信号Ｙ２として、第１のデー
タ信号Ｙ１を１フレームずらした信号を使用し、中間デ
ータとして、第１のデータ信号Ｙ１の所定のフレームの
データ信号と、次のフレームのデータ信号を足して平均
したものとしてもよい。
【００７１】本実施の形態においては、発光期間後半
に、通常の輝度レベルを保持する容量素子Ｃ１とは別に
設けられた容量素子Ｃ２と、容量素子Ｃ１とを結合する
ことにより、発光開始時の輝度レベルとは異なる輝度レ
ベルへの発光を移行することができる。このように、発
光途中で、別電位に移行させることにより、１フレーム
の中間のフレーム（フィールド）データを生成し、時間
解像度創造により、ホールドぼけ等の時間特性を改善す
ることができる。
に、通常の輝度レベルを保持する容量素子Ｃ１とは別に
設けられた容量素子Ｃ２と、容量素子Ｃ１とを結合する
ことにより、発光開始時の輝度レベルとは異なる輝度レ
ベルへの発光を移行することができる。このように、発
光途中で、別電位に移行させることにより、１フレーム
の中間のフレーム（フィールド）データを生成し、時間
解像度創造により、ホールドぼけ等の時間特性を改善す
ることができる。
【００７２】また、輝度信号を発光の移行時間に合わせ
て発光開始時点の第１のデータ信号Ｙ１から、発光移行
時点のレベル（中間データのレベル）へ変換する第２の
データ信号Ｙ２を生成し、中間フレームにおける中間デ
ータを創造するための第２のデータ信号Ｙ２として入力
することができる。この中間フレームのデータ生成に
は、クラス分類適応処理を使用するため、極めて正確な
中間フレームデータ（中間画像）を得るこができ、この
中間フレームデータを得るための結合差分の足し込み用
の第２のデータ信号Ｙ２は、データ線駆動回路の信号処
理回路において、中間画像を画素１０内の容量素子Ｃ
１、Ｃ２の結合によって実現可能なデータに予め変換し
画素１０に入力することができる。こうして、時間解像
度創造により得られた中間画像を従来の１フレーム期間
中に表示することにより、時間解像度を上げて画像品質
を向上させ、動き劣化及び偽輪郭等を改善することがで
き、更に、パネル発光の急峻な発光を抑えることがで
き、ホールドぼけ等の画質劣化を改善することができ
る。
て発光開始時点の第１のデータ信号Ｙ１から、発光移行
時点のレベル（中間データのレベル）へ変換する第２の
データ信号Ｙ２を生成し、中間フレームにおける中間デ
ータを創造するための第２のデータ信号Ｙ２として入力
することができる。この中間フレームのデータ生成に
は、クラス分類適応処理を使用するため、極めて正確な
中間フレームデータ（中間画像）を得るこができ、この
中間フレームデータを得るための結合差分の足し込み用
の第２のデータ信号Ｙ２は、データ線駆動回路の信号処
理回路において、中間画像を画素１０内の容量素子Ｃ
１、Ｃ２の結合によって実現可能なデータに予め変換し
画素１０に入力することができる。こうして、時間解像
度創造により得られた中間画像を従来の１フレーム期間
中に表示することにより、時間解像度を上げて画像品質
を向上させ、動き劣化及び偽輪郭等を改善することがで
き、更に、パネル発光の急峻な発光を抑えることがで
き、ホールドぼけ等の画質劣化を改善することができ
る。
【００７３】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。図１０は、本発明の第２の実施の形態におけ
る画像表示装置の１画素分の一部分を示す等価回路図で
ある。なお、図９は、図１に示す画素１０の容量素子Ｃ
１,Ｃ２及びＴＦＴ４に対応する部分の等価回路のみ示
し、その他の画素構成及び図３に示す画像表示装置の回
路構成は第１の実施の形態と同様の構成とし、その詳細
な説明は省略する。
説明する。図１０は、本発明の第２の実施の形態におけ
る画像表示装置の１画素分の一部分を示す等価回路図で
ある。なお、図９は、図１に示す画素１０の容量素子Ｃ
１,Ｃ２及びＴＦＴ４に対応する部分の等価回路のみ示
し、その他の画素構成及び図３に示す画像表示装置の回
路構成は第１の実施の形態と同様の構成とし、その詳細
な説明は省略する。
【００７４】図９に示すように、本実施の形態において
は、ＴＦＴ４のソースＳ及びドレインＤに夫々容量素子
Ｃ１及びＣ３の一端が接続されている。ここで、容量素
子Ｃ１の他端は接地され、Ｃ３の他端はＶｉｎ電位に接
続されている。即ち、ＴＦＴ４のソースＳに接続される
容量素子Ｃ３の他端が接地されず、電圧Ｖｉｎが供給さ
れている点が第１の実施の形態とは異なる。その他の構
成は、第１の実施の形態と同様であって、容量素子Ｃ３
とＴＦＴ４のソースＳとの接点は、ＴＦＴ２を介して第
２のデータ線１２ｂに接続され、ＴＦＴ４のゲートＧに
は容量素子結合制御線１５が接続され、更に、容量素子
Ｃ１とＴＦＴ４のドレインＤとの接点はＴＦＴ２のゲー
トＧに接続されている。
は、ＴＦＴ４のソースＳ及びドレインＤに夫々容量素子
Ｃ１及びＣ３の一端が接続されている。ここで、容量素
子Ｃ１の他端は接地され、Ｃ３の他端はＶｉｎ電位に接
続されている。即ち、ＴＦＴ４のソースＳに接続される
容量素子Ｃ３の他端が接地されず、電圧Ｖｉｎが供給さ
れている点が第１の実施の形態とは異なる。その他の構
成は、第１の実施の形態と同様であって、容量素子Ｃ３
とＴＦＴ４のソースＳとの接点は、ＴＦＴ２を介して第
２のデータ線１２ｂに接続され、ＴＦＴ４のゲートＧに
は容量素子結合制御線１５が接続され、更に、容量素子
Ｃ１とＴＦＴ４のドレインＤとの接点はＴＦＴ２のゲー
トＧに接続されている。
【００７５】図１０は、本実施の形態の動作を示すタイ
ミングチャートである。本実施の形態において、容量素
子Ｃ３の一端はＴＦＴ２を介して第２のデータ線１２ｂ
に、他端はＶｉｎに接続されているため、図１０に示す
ように、第２のデータ信号Ｙ２として、容量素子Ｃ３に
負の電位を与え、第１のデータ信号Ｙ１（ＤａｔｅＹ
１）に、第２のデータ信号Ｙ２（ＤａｔｅＹ２）から容
量素子Ｃ３に与えられた保持電荷を足し込む際、負の電
位を足し込むことが可能である。本実施の形態において
も、発光素子の発光途中に別電位に移行させることによ
り、発光素子の点灯状態を変更することができて第１の
実施の形態と同様の効果を奏すると共に、負の電荷を足
し込むことができるため、結合データＹ３の生成自由度
が増し、画像品質を向上させることができる。
ミングチャートである。本実施の形態において、容量素
子Ｃ３の一端はＴＦＴ２を介して第２のデータ線１２ｂ
に、他端はＶｉｎに接続されているため、図１０に示す
ように、第２のデータ信号Ｙ２として、容量素子Ｃ３に
負の電位を与え、第１のデータ信号Ｙ１（ＤａｔｅＹ
１）に、第２のデータ信号Ｙ２（ＤａｔｅＹ２）から容
量素子Ｃ３に与えられた保持電荷を足し込む際、負の電
位を足し込むことが可能である。本実施の形態において
も、発光素子の発光途中に別電位に移行させることによ
り、発光素子の点灯状態を変更することができて第１の
実施の形態と同様の効果を奏すると共に、負の電荷を足
し込むことができるため、結合データＹ３の生成自由度
が増し、画像品質を向上させることができる。
【００７６】図１１は、本発明の第３の実施の形態にお
ける画像表示装置の１画素の一部を示す等価回路図であ
る。なお、図１１は、図１に示す画素１０の容量素子Ｃ
１,Ｃ２及びＴＦＴ４に対応する部分の等価回路のみ示
し、その他の画素構成及び図４に示す画像表示装置の回
路構成は、第１の実施の形態と同様とし、その詳細な説
明は省略する。
ける画像表示装置の１画素の一部を示す等価回路図であ
る。なお、図１１は、図１に示す画素１０の容量素子Ｃ
１,Ｃ２及びＴＦＴ４に対応する部分の等価回路のみ示
し、その他の画素構成及び図４に示す画像表示装置の回
路構成は、第１の実施の形態と同様とし、その詳細な説
明は省略する。
【００７７】図１１に示すように、容量素子Ｃ１，Ｃ４
の一端は接地され、他端は、容量素子Ｃ１，Ｃ４を選択
するセレクタ６０に接続されている。セレクタ６０の出
力は、ＴＦＴ２のゲートＧに接続される。また、容量素
子Ｃ１の他端は、ＴＦＴ４のソースＳに接続され、容量
素子Ｃ４の他端はＴＦＴ５のソースＳに接続されてい
る。第１の実施の形態と同様に、ＴＦＴ１及びＴＦＴ２
のゲートＧには、走査線が接続され、ＴＦＴ１及びＴＦ
Ｔ２のオン・オフを制御し、各ソースＳには、夫々第１
のデータ信号Ｙ１及び第２のデータ信号Ｙ２が供給され
る夫々第１のデータ線及び第２のデータ線に接続されて
いる。
の一端は接地され、他端は、容量素子Ｃ１，Ｃ４を選択
するセレクタ６０に接続されている。セレクタ６０の出
力は、ＴＦＴ２のゲートＧに接続される。また、容量素
子Ｃ１の他端は、ＴＦＴ４のソースＳに接続され、容量
素子Ｃ４の他端はＴＦＴ５のソースＳに接続されてい
る。第１の実施の形態と同様に、ＴＦＴ１及びＴＦＴ２
のゲートＧには、走査線が接続され、ＴＦＴ１及びＴＦ
Ｔ２のオン・オフを制御し、各ソースＳには、夫々第１
のデータ信号Ｙ１及び第２のデータ信号Ｙ２が供給され
る夫々第１のデータ線及び第２のデータ線に接続されて
いる。
【００７８】セレクタ６０は、ＴＦＴ４と、ＴＦＴ５
と、ＣＭＯＳ（complementary mental-oxide semicondu
ctor）等のスイッチング素子６１とから構成されてい
る。ＴＦＴ４のソースＳは容量素子Ｃ１に接続され、そ
のドレインＤはＴＦＴ５のドレインＤに接続されてい
る。ここで、ＴＦＴ５のゲートＧは容量素子選択制御線
６２に接続されている。この容量素子選択制御線６２
は、第１及び第２の実施の形態においては容量素子結合
制御線に相当するものである。更に、ＴＦＴ４のゲート
Ｇは、スイッチング素子６１を介して容量素子選択制御
線６２に接続されている。そして、ＴＦＴ４のドレイン
ＤとＴＦＴ５のドレインＤとの接点Ｑは、発光素子の発
光を制御するＴＦＴ２のゲートＧに接続されている。本
実施の形態においては、第１のデータ信号Ｙ１及び第２
のデータ信号Ｙ２とを結合（合成）して中間データを得
るものではなく、中間フレーム時間において、容量素子
選択制御線６２により、ＴＦＴ４又はＴＦＴ５のオン・
オフを切りかえて、第１のデータ信号Ｙ１から第２のデ
ータ信号Ｙ２へと発光を移行するものである。即ち、第
２のデータ信号Ｙ２がそのまま中間フレームデータとな
る例である。
と、ＣＭＯＳ（complementary mental-oxide semicondu
ctor）等のスイッチング素子６１とから構成されてい
る。ＴＦＴ４のソースＳは容量素子Ｃ１に接続され、そ
のドレインＤはＴＦＴ５のドレインＤに接続されてい
る。ここで、ＴＦＴ５のゲートＧは容量素子選択制御線
６２に接続されている。この容量素子選択制御線６２
は、第１及び第２の実施の形態においては容量素子結合
制御線に相当するものである。更に、ＴＦＴ４のゲート
Ｇは、スイッチング素子６１を介して容量素子選択制御
線６２に接続されている。そして、ＴＦＴ４のドレイン
ＤとＴＦＴ５のドレインＤとの接点Ｑは、発光素子の発
光を制御するＴＦＴ２のゲートＧに接続されている。本
実施の形態においては、第１のデータ信号Ｙ１及び第２
のデータ信号Ｙ２とを結合（合成）して中間データを得
るものではなく、中間フレーム時間において、容量素子
選択制御線６２により、ＴＦＴ４又はＴＦＴ５のオン・
オフを切りかえて、第１のデータ信号Ｙ１から第２のデ
ータ信号Ｙ２へと発光を移行するものである。即ち、第
２のデータ信号Ｙ２がそのまま中間フレームデータとな
る例である。
【００７９】図１２は、本実施の形態の動作を示すタイ
ミングチャートである。図１２に示すように、容量素子
選択制御信号Ｌ’が時間ｔ３でＬｏｗレベルになると、
ＴＦＴ５がオン状態となり、接点Ｑの電位を示す結合デ
ータＹ３は、第１のデータ信号Ｙ１から、第２のデータ
信号Ｙ２へと切り替えられる。そして、停止制御信号Ｚ
が時間ｔ４でＬｏｗレベルになるまで、第２のデータ信
号Ｙ２に基づき発光素子が発光する。中間フレームデー
タである時間ｔ３〜ｔ４の結合データＹ３は、第２のデ
ータ信号Ｙ２であるため、図６に示すデータ変換部３５
が不要となり、クラス分類適応処理部３３にて創造され
た中間フレームデータをそのまま第２のデータ信号Ｙ２
として使用することができる。
ミングチャートである。図１２に示すように、容量素子
選択制御信号Ｌ’が時間ｔ３でＬｏｗレベルになると、
ＴＦＴ５がオン状態となり、接点Ｑの電位を示す結合デ
ータＹ３は、第１のデータ信号Ｙ１から、第２のデータ
信号Ｙ２へと切り替えられる。そして、停止制御信号Ｚ
が時間ｔ４でＬｏｗレベルになるまで、第２のデータ信
号Ｙ２に基づき発光素子が発光する。中間フレームデー
タである時間ｔ３〜ｔ４の結合データＹ３は、第２のデ
ータ信号Ｙ２であるため、図６に示すデータ変換部３５
が不要となり、クラス分類適応処理部３３にて創造され
た中間フレームデータをそのまま第２のデータ信号Ｙ２
として使用することができる。
【００８０】本実施の形態においては、発光素子の発光
途中で別電位に移行させることにより、第１の実施の形
態と同様の効果を奏すると共に、容量素子を結合して中
間フレームデータを得ず、容量素子Ｃ４に保持された第
２のデータ信号Ｙ２をそのまま中間フレームデータとし
て使用するため、中間フレームデータの生成自由度が更
に向上する。また、停止制御線からの制御信号Ｚを１フ
レームの後半にＬｏｗレベルにして発光素子を消灯する
ものとしたが、例えば、第１のデータ信号Ｙ１により発
光素子を発光させた後、第１の消灯期間を設け、更に第
２のデータ信号により発光素子を発光させた後、第２の
消灯期間を設ける等することにより、フィールド周波数
を２倍にすることができ、画像表示装置の時間特性が更
に改善される。
途中で別電位に移行させることにより、第１の実施の形
態と同様の効果を奏すると共に、容量素子を結合して中
間フレームデータを得ず、容量素子Ｃ４に保持された第
２のデータ信号Ｙ２をそのまま中間フレームデータとし
て使用するため、中間フレームデータの生成自由度が更
に向上する。また、停止制御線からの制御信号Ｚを１フ
レームの後半にＬｏｗレベルにして発光素子を消灯する
ものとしたが、例えば、第１のデータ信号Ｙ１により発
光素子を発光させた後、第１の消灯期間を設け、更に第
２のデータ信号により発光素子を発光させた後、第２の
消灯期間を設ける等することにより、フィールド周波数
を２倍にすることができ、画像表示装置の時間特性が更
に改善される。
【００８１】次に、上述の第１乃至第３の本実施の形態
における発光素子１４について更に詳細に説明する。発
光素子１４としては、例えば本願出願人等が先に出願し
た特開２０００−４３９８０号公報に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子等を使用することができる。図
１３は、有機エレクトロルミネッセンス素子を示す断面
図である。
における発光素子１４について更に詳細に説明する。発
光素子１４としては、例えば本願出願人等が先に出願し
た特開２０００−４３９８０号公報に記載の有機エレク
トロルミネッセンス素子等を使用することができる。図
１３は、有機エレクトロルミネッセンス素子を示す断面
図である。
【００８２】図１３に示すように、有機エレクトロルミ
ネッセンス素子７０は、陽極７２と、陰極７４と、この
両者の間に保持された有機層７３とからなる。有機層７
３は陽極７２から供給される正孔と陰極７４から供給さ
れる電子との再結合によって発光する有機発光層７３ａ
を含んでいる。更に、正孔注入層７３ｃと正孔輸送層７
３ｂを含んでいる。陰極７４は、極薄の電子注入金属層
７４ａと透明導電層７４ｂとの積層構造である。
ネッセンス素子７０は、陽極７２と、陰極７４と、この
両者の間に保持された有機層７３とからなる。有機層７
３は陽極７２から供給される正孔と陰極７４から供給さ
れる電子との再結合によって発光する有機発光層７３ａ
を含んでいる。更に、正孔注入層７３ｃと正孔輸送層７
３ｂを含んでいる。陰極７４は、極薄の電子注入金属層
７４ａと透明導電層７４ｂとの積層構造である。
【００８３】また、陽極７２は、少なくとも有機層７３
に接する部分に周期律表の５族または６族に属する金属
を含む。好ましくは、陽極金属はクロム、モリブデン、
タングステン、タンタル及びニオブからなる群から選択
される１以上の金属を有する。また、陽極金属は仕事関
数が４．８ｅＶ未満である。例えばクロム及びタングス
テンの仕事関数は、夫々４．５ｅＶ及び４．６ｅＶであ
る。これらの金属からなる陽極Ａは反射率が４０％以上
である。即ち、陽極７２は光反射性であり、陰極７４は
光透過性であり、発光が主として陰極７４側から放出さ
れる。上から順に、陰極７４、有機層７３及び陽極７２
が基板７１に対して積層されている。なお、陽極７２
は、単層純金属の他、積層若しくは合金であってもよ
い。基本的に、有機層７３に接する部分に周期律表の５
族または６族に属する金属を含んでいれば良い。陽極７
２は、金属又は合金、或いはこれらの積層体である。
に接する部分に周期律表の５族または６族に属する金属
を含む。好ましくは、陽極金属はクロム、モリブデン、
タングステン、タンタル及びニオブからなる群から選択
される１以上の金属を有する。また、陽極金属は仕事関
数が４．８ｅＶ未満である。例えばクロム及びタングス
テンの仕事関数は、夫々４．５ｅＶ及び４．６ｅＶであ
る。これらの金属からなる陽極Ａは反射率が４０％以上
である。即ち、陽極７２は光反射性であり、陰極７４は
光透過性であり、発光が主として陰極７４側から放出さ
れる。上から順に、陰極７４、有機層７３及び陽極７２
が基板７１に対して積層されている。なお、陽極７２
は、単層純金属の他、積層若しくは合金であってもよ
い。基本的に、有機層７３に接する部分に周期律表の５
族または６族に属する金属を含んでいれば良い。陽極７
２は、金属又は合金、或いはこれらの積層体である。
【００８４】このような有機ＥＬの製造方法としては、
例えば、ガラス基板７１上に陽極７２としてクロムを膜
厚が例えば２００ｎｍになるよに成膜し、陰極７４とし
て、Ｍｇ：Ａｇの合金からなる極薄の電子注入金属層７
４ａを膜厚が例えば１０ｎｍで形成し、更に重ねて透明
導電層７４ｂを例えば２００ｎｍになるように成膜する
等することができる。このように構成された発光素子に
おいては、発光層で発生した光を効率よく取り出すこと
ができ、良好な発光効率を得ることができる。
例えば、ガラス基板７１上に陽極７２としてクロムを膜
厚が例えば２００ｎｍになるよに成膜し、陰極７４とし
て、Ｍｇ：Ａｇの合金からなる極薄の電子注入金属層７
４ａを膜厚が例えば１０ｎｍで形成し、更に重ねて透明
導電層７４ｂを例えば２００ｎｍになるように成膜する
等することができる。このように構成された発光素子に
おいては、発光層で発生した光を効率よく取り出すこと
ができ、良好な発光効率を得ることができる。
【００８５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば、複数の走査線と、この走査線の延設方向に対して交
差する方向に延設された複数のデータ線と、上記データ
線と上記走査線とによりマトリクス状に形成された画素
とを具備する画像表示装置において、上記データ線は第
１及び第２のデータ信号を供給する夫々第１及び第２の
データ線からなり、上記画素は、上記画素を所定のサイ
クルで選択する走査信号が上記走査線を介して供給され
る第１及び第２の能動素子と、上記第１及び第２の能動
素子を介して夫々上記第１及び第２データ線から供給さ
れる夫々第１及び第２のデータ信号を保持する夫々第１
及び第２の容量素子と、上記第１の容量素子によって保
持された上記第１のデータ信号が供給される第３の能動
素子と、上記第３の能動素子を介して上記第１のデータ
信号に応じた電流が供給され第１の点灯状態となる発光
素子と１走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変
更する変更手段とを有し、上記変更手段は、上記第２の
データ信号に基づいて中間データを生成し、上記中間デ
ータを上記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上
記第１の点灯状態を、上記中間データに応じた電流によ
る第２の点灯状態に変更するか、上記第２のデータ信号
を上記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記第
１の点灯状態を、上記第２のデータ信号に応じた電流に
よる第２の点灯状態に変更する発光期間中に、発光開始
時の輝度レベルとは異なる輝度レベルへの発光を移行す
るか、することができ、発光期間を短縮する必要がない
ため、輝度は低下せず、１フレーム期間中に中間フレー
ム（フィールド）データを表示することができ、時間解
像度を上げて画像品質を向上させ、動き劣化及び偽輪郭
を改善することができ、更に、パネル発光の急峻な発光
を抑えることができ、ホールドぼけ、動き劣化及び偽輪
郭等を改善することができる。
ば、複数の走査線と、この走査線の延設方向に対して交
差する方向に延設された複数のデータ線と、上記データ
線と上記走査線とによりマトリクス状に形成された画素
とを具備する画像表示装置において、上記データ線は第
１及び第２のデータ信号を供給する夫々第１及び第２の
データ線からなり、上記画素は、上記画素を所定のサイ
クルで選択する走査信号が上記走査線を介して供給され
る第１及び第２の能動素子と、上記第１及び第２の能動
素子を介して夫々上記第１及び第２データ線から供給さ
れる夫々第１及び第２のデータ信号を保持する夫々第１
及び第２の容量素子と、上記第１の容量素子によって保
持された上記第１のデータ信号が供給される第３の能動
素子と、上記第３の能動素子を介して上記第１のデータ
信号に応じた電流が供給され第１の点灯状態となる発光
素子と１走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変
更する変更手段とを有し、上記変更手段は、上記第２の
データ信号に基づいて中間データを生成し、上記中間デ
ータを上記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上
記第１の点灯状態を、上記中間データに応じた電流によ
る第２の点灯状態に変更するか、上記第２のデータ信号
を上記第３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記第
１の点灯状態を、上記第２のデータ信号に応じた電流に
よる第２の点灯状態に変更する発光期間中に、発光開始
時の輝度レベルとは異なる輝度レベルへの発光を移行す
るか、することができ、発光期間を短縮する必要がない
ため、輝度は低下せず、１フレーム期間中に中間フレー
ム（フィールド）データを表示することができ、時間解
像度を上げて画像品質を向上させ、動き劣化及び偽輪郭
を改善することができ、更に、パネル発光の急峻な発光
を抑えることができ、ホールドぼけ、動き劣化及び偽輪
郭等を改善することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態における画像表示装
置の１画素分の等価回路図である。
置の１画素分の等価回路図である。
【図２】容量素子の結合原理を説明するための回路図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第１の実施の形態の画像表示装置を示
す回路図である
す回路図である
【図４】第１及び第２のデータ信号を生成する信号処理
回路を示すブロック図である。
回路を示すブロック図である。
【図５】信号処理回路に含まれる結合データ生成部を示
すブロック図である。
すブロック図である。
【図６】信号処理回路に含まれるクラス分類適応処理部
における予測回路を示す回路図である。
における予測回路を示す回路図である。
【図７】信号処理回路に含まれるクラス分類適応処理部
における学習回路を示す回路図である。
における学習回路を示す回路図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態の動作を示すタイミ
ングチャートである。
ングチャートである。
【図９】本発明の第２の実施の形態における画像表示装
置の１画素の一部分を示す等価回路図である。
置の１画素の一部分を示す等価回路図である。
【図１０】同画像表示装置の動作を示すタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図１１】本発明の第３の実施の形態における画像表示
装置の１画素の一部分を示す等価回路図である。
装置の１画素の一部分を示す等価回路図である。
【図１２】同画表示像装置の動作を示すタイミングチャ
ートである。
ートである。
【図１３】有機エレクトロルミネッセンス素子を示す断
面図である。
面図である。
【図１４】従来の画像表示装置の１画素分の等価回路を
示す回路図である。
示す回路図である。
【図１５】従来の画像表示装置を示す回路図である。
【図１６】従来の画像表示装置の動作を示すタイミング
チャートである。
チャートである。
１０ 画素、 １１ 走査線、 １２ａ 第１のデータ
線、 １２ｂ 第２のデータ線、 １３ 停止制御線、
１４ 発光素子、 １５ 結合制御線、 ２１ 走査
線駆動回路、 ２２ データ線駆動回路、 ２３ 停止
制御線駆動回路、 ２４，２６，３４ 遅延回路、 ２
５ 結合制御線駆動回路、 ３０，５７入力輝度信号、
３１ 結合データ生成部、 ３２ 遅延回路、 ３３
クラス分類適応処理部、 ３５ データ変換部、 ３
６ 画像データ、 ３７ 結合データ、 ４０ 予測回
路、 ４１，５２ クラスタップ構築部、 ４２，５３
予測タップ構築部、 ４３，５４ クラス分類部、 ４
４ 予測演算部、 ４５，５６ 係数メモリ、 ５０
学習回路、 ５１ フレーム周波数変換部、５５ 予測
係数算出部、
線、 １２ｂ 第２のデータ線、 １３ 停止制御線、
１４ 発光素子、 １５ 結合制御線、 ２１ 走査
線駆動回路、 ２２ データ線駆動回路、 ２３ 停止
制御線駆動回路、 ２４，２６，３４ 遅延回路、 ２
５ 結合制御線駆動回路、 ３０，５７入力輝度信号、
３１ 結合データ生成部、 ３２ 遅延回路、 ３３
クラス分類適応処理部、 ３５ データ変換部、 ３
６ 画像データ、 ３７ 結合データ、 ４０ 予測回
路、 ４１，５２ クラスタップ構築部、 ４２，５３
予測タップ構築部、 ４３，５４ クラス分類部、 ４
４ 予測演算部、 ４５，５６ 係数メモリ、 ５０
学習回路、 ５１ フレーム周波数変換部、５５ 予測
係数算出部、
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０９Ｇ 3/20 ６６０ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６６０Ｖ
Ｈ０４Ｎ 5/70 Ｈ０４Ｎ 5/70 Ａ
Ｂ
Ｆターム(参考） 5C058 AA12 BA02 BA25 BA35 BB11
BB21 BB25
5C080 AA06 BB05 CC03 DD01 EE19
EE29 FF11 GG08 GG12 JJ02
JJ03 JJ04 JJ06
Claims (17)
- 【請求項１】 複数の走査線と、この走査線の延設方向
に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、
上記データ線と上記走査線とによりマトリクス状に形成
された画素とを具備する画像表示装置において、 上記データ線は第１及び第２のデータ信号を供給する夫
々第１及び第２のデータ線からなり、 上記画素は、上記画素を所定のサイクルで選択する走査
信号が上記走査線を介して供給される第１及び第２の能
動素子と、 上記第１及び第２の能動素子を介して夫々上記第１及び
第２データ線から供給される夫々上記第１及び第２のデ
ータ信号を保持する夫々第１及び第２の容量素子と、 上記第１の容量素子によって保持された上記第１のデー
タ信号が供給される第３の能動素子と、 上記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応
じた電流が供給され第１の点灯状態となる発光素子と、 １走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変更する
変更手段とを有し、 上記変更手段は、上記第２のデータ信号に基づいて中間
データを生成し、上記中間データを上記第３の能動素子
に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態を、上記
中間データに応じた電流による第２の点灯状態に変更す
ることを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項２】 上記１走査サイクルの間に同一の走査線
に接続された各画素の上記発光素子を少なくとも走査線
単位で強制的に消灯する制御手段を有し、該制御手段
は、上記発光素子を上記点灯状態から消灯状態にするこ
とを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項３】 上記変更手段は、上記第１の容量素子に
より保持される上記第１のデータ信号と上記第２の容量
素子により保持される上記第２のデータ信号とを結合し
て上記中間データを生成する合成手段を有することを特
徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項４】 上記合成手段は、上記第１の容量素子と
上記第２の容量素子とを結合する第４の能動素子であ
り、 上記変更手段は、上記第４の能動素子に制御信号を供給
する結合制御線を有することを特徴とする請求項３記載
の画像表示装置。 - 【請求項５】 上記第１のデータ線及び上記第２のデー
タ線に夫々上記第１のデータ信号及び上記第２のデータ
信号を供給するデータ線駆動回路を有し、 上記データ線駆動回路は、上記第１のデータ信号から上
記第２のデータ信号を生成する信号処理回路を有し、 上記信号処理回路は、上記第１のデータ信号から所定の
データを切り出すデータ切り出し手段と、 上記データ切り出し手段が切り出した切出データに基づ
いてクラスコードを発生するクラス分類手段と、 上記第１のデータ信号から上記第２のデータ信号へ変換
するための推定式の予測係数が上記クラスコード毎に記
憶され、上記クラスコードに対応する予測係数を出力す
る予測係数記憶手段と、 上記予測係数記憶手段から出力された上記予測係数と上
記切出データとに基づいて推定演算して上記中間データ
を出力する推定演算手段と、 上記第１のデータ信号及び上記中間データから上記第２
のデータ信号を生成するデータ変換部とを有することを
特徴とする請求項１記載の画像表示装置。 - 【請求項６】 上記予測係数記憶手段に記憶される予測
係数を予め学習する学習手段を有し、 上記学習手段は、上記第１のデータ信号のフレーム周波
数が変換された周波数変換データ信号を上記第２のデー
タ信号として生成するフレーム周波数変換手段と、 上記周波数変換データ信号から所定のデータを切り出す
データ切り出し手段と、 上記データ切り出し手段が切
り出した切出データに基づいてクラスコードを発生する
クラス分類手段と、 上記第１のデータ信号と上記周波数変換データ信号から
切り出された上記切出データとが入力されこの各データ
に基づき予測係数を算出する予測係数演算部と、 上記予測係数演算部にて演算された上記予測係数を、上
記クラスコードと共に記憶する予測係数記憶手段とを有
することを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。 - 【請求項７】 複数の走査線と、この走査線の延設方向
に対して交差する方向に延設された複数のデータ線と、
上記データ線と上記走査線とによりマトリクス状に形成
された画素とを具備する画像表示装置において、 上記データ線は第１及び第２のデータ信号を供給する夫
々第１及び第２のデータ線からなり、 上記画素は、上記画素を所定のサイクルで選択する走査
信号が上記走査線を介して供給される第１及び第２の能
動素子と、 上記第１及び第２の能動素子を介して夫々上記第１及び
第２データ線から供給される夫々上記第１及び第２のデ
ータ信号を保持する夫々第１及び第２の容量素子と、 上記第１の容量素子によって保持された上記第１のデー
タ信号が供給される第３の能動素子と、 上記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応
じた電流が供給され第１の点灯状態となる発光素子と、 １走査サイクルに、上記発光素子の点灯状態を変更する
変更手段とを有し、 上記変更手段は、上記第２のデータ信号を上記第３の能
動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態
を、上記第２のデータ信号に応じた電流による第２の点
灯状態に変更することを特徴とする画像表示装置。 - 【請求項８】 上記１走査サイクルの間に同一の走査線
に接続された各画素の発光素子を少なくとも走査線単位
で強制的に消灯する制御手段を有し、該制御信号は、上
記発光素子を上記点灯状態から消灯状態にすることを特
徴とする請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項９】 上記変更手段は、上記第１の容量素子と
上記第２の容量素子とに接続された第５の能動素子と、
上記第５の能動素子に制御信号を供給する選択制御線と
を有し、上記選択信号により上記第１の容量素子により
保持される上記第１のデータ信号又は上記第２の容量素
子により保持される上記第２のデータ信号のいずれかを
選択することを特徴とする請求項７記載の画像表示装
置。 - 【請求項１０】 上記第１のデータ線及び上記第２のデ
ータ線に夫々上記第１のデータ信号及び上記第２のデー
タ信号を供給するデータ線駆動回路を有し、 上記データ線駆動回路は、上記第１のデータ信号から上
記第２のデータ信号を生成する信号処理回路を有し、 上記信号処理回路は、上記第１のデータ信号から所定の
データを切り出すデータ切り出し手段と、 上記データ切り出し手段が切り出した切出データに基づ
いてクラスコードを発生するクラス分類手段と、 上記第１のデータ信号から上記第２のデータ信号へ変換
するための推定式の予測係数が上記クラスコード毎に記
憶され、上記クラスコードに対応する予測係数を出力す
る予測係数記憶手段と、 上記予測係数記憶手段から出力された上記予測係数と上
記切出データとに基づいて推定演算して上記第２のデー
タ信号を出力する推定演算手段とを有することを特徴と
する請求項７記載の画像表示装置。 - 【請求項１１】 上記予測係数記憶手段に記憶される予
測係数を予め学習する学習手段を有し、 上記学習手段は、上記第１のデータ信号のフレーム周波
数が変換された周波数変換データ信号を上記第２のデー
タ信号として生成するフレーム周波数変換手段と、 上記周波数変換データ信号から所定のデータを切り出す
データ切り出し手段と、 上記データ切り出し手段が切
り出した切出データに基づいてクラスコードを発生する
クラス分類手段と、 上記第１のデータ信号と上記周波数変換データ信号から
切り出された上記切出データとが入力されこの各データ
に基づき予測係数を算出する予測係数演算部と、 上記予測係数演算部にて演算された上記予測係数を、上
記クラスコードと共に記憶する予測係数記憶手段とを有
することを特徴とする請求項１０記載の画像表示装置。 - 【請求項１２】 複数の走査線と、この走査線の延設方
向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線
と、上記データ線と上記走査線とによりマトリクス状に
形成された画素とを具備する画像表示装置の画像表示方
法において、 上記データ線は第１及び第２のデータ信号を供給する夫
々第１及び第２のデータ線からなり、上記画素を所定の
サイクルで選択する走査信号が上記走査線を介して上記
画素の第１及び第２の能動素子に供給され、 上記第１及び第２の能動素子を介して夫々上記第１及び
第２データ線から夫々上記第１及び第２のデータ信号が
夫々第１及び第２の容量素子に供給され、 上記第１の容量素子によって保持された上記第１のデー
タ信号が第３の能動素子に供給され、 上記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応
じた電流が発光素子に供給されて第１の点灯状態とし、 １走査サイクルの間に、上記第２のデータ信号に基づい
て中間データを生成し、上記中間データを上記第３の能
動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯状態
を、上記中間データに応じた電流による第２の点灯状態
に変更する変更工程を有することを特徴とする画像表示
方法。 - 【請求項１３】 上記１走査サイクルの間に同一の走査
線に接続された各画素の発光素子を少なくとも走査線単
位で強制的に消灯し、上記発光素子を上記点灯状態から
消灯状態にする工程を有することを特徴とする請求項１
２記載の画像表示方法。 - 【請求項１４】 上記変更工程は、上記第１の容量素子
と上記第２の容量素子とを結合する第４の能動素子に制
御信号が供給され、上記第１の容量素子及び上記第２の
容量素子に保持される夫々第１及び第２のデータ信号を
結合して上記中間データを生成する工程を有することを
有する請求項１２記載の画像表示方法。 - 【請求項１５】 複数の走査線と、この走査線の延設方
向に対して交差する方向に延設された複数のデータ線
と、上記データ線と上記走査線とによりマトリクス状に
形成された画素とを具備する画像表示装置の画像表示方
法において、 上記データ線は第１及び第２のデータ信号を供給する夫
々第１及び第２のデータ線からなり、上記画素を所定の
サイクルで選択する走査信号が上記走査線を介して上記
画素の第１及び第２の能動素子に供給され、 上記第１及び第２の能動素子を介して夫々上記第１及び
第２データ線から夫々上記第１及び第２のデータ信号が
夫々第１及び第２の容量素子に供給され、 上記第１の容量素子によって保持された上記第１のデー
タ信号が第３の能動素子に供給され、 上記第３の能動素子を介して上記第１のデータ信号に応
じた電流が発光素子に供給されて第１の点灯状態とし、 １走査サイクルの間に、上記第２のデータ信号を上記第
３の能動素子に供給し、上記発光素子の上記第１の点灯
状態を、上記第２のデータ信号に応じた電流による第２
の点灯状態に変更する変更工程を有することを特徴とす
る画像表示方法。 - 【請求項１６】 上記１走査サイクルの間に同一の走査
線に接続された各画素の発光素子を少なくとも走査線単
位で強制的に消灯し、上記発光素子を上記点灯状態から
消灯状態にする工程を有することを特徴とする請求項１
５記載の画像表示方法。 - 【請求項１７】 上記変更工程は、上記第１及び第２の
容量素子並びに上記第３の能動素子に接続された第５の
能動素子に制御信号を供給し、上記第５の能動素子によ
り、上記第１の容量素子と上記第３の能動信号との間の
接続、又は、上記第２の容量素子と上記第３の能動素子
との間の接続のいずれかを選択し、上記第１のデータ信
号又は上記第２のデータ信号を上記第３の能動素子に供
給する工程を有することを特徴とする請求項１６記載の
画像表示方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002119659A JP4082076B2 (ja) | 2002-04-22 | 2002-04-22 | 画像表示装置及びその方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| WO2005081217A1 (ja) * | 2004-02-19 | 2005-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | 映像表示装置 |
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