JP2003315296A

JP2003315296A - 検出装置

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Publication number: JP2003315296A
Application number: JP2002121228A
Authority: JP
Inventors: Mizuho Morita; 瑞穂森田
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2002-04-23
Filing date: 2002-04-23
Publication date: 2003-11-06
Anticipated expiration: 2022-04-23
Also published as: JP3931294B2

Abstract

(57)【要約】【課題】高感度の検出装置を提供する。さらに、従来の
技術が検出対象としていた検出対象物の大きさより小さ
い検出対象物を高感度で検出する装置を実現する。【解決手段】電気伝導性の第１の基体と、前記第１の基
体に結合された絶縁体と、前記第１の基体から電気的に
絶縁されて前記絶縁体に結合された、電気伝導性の第２
の基体と、前記第１の基体と前記第２の基体との間に設
けられた間隙を有する検出部を備え、前記第１の基体と
前記第２の基体との距離が前記絶縁体の厚さにより規定
されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、検出装置に関し、
特に高感度化の可能な検出装置に関する。本発明は、例
えば真空度計測装置、ガス分析装置、液体分析装置、粒
子計数装置、バイオセンサ等の計測分析装置の分野に広
く利用可能な高感度化手段を有した検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の技術を、検出装置として流体中に
浮懸する粒子の計算装置を例にとり説明する。

【０００３】従来、流体中に浮懸する粒子の計算装置と
しては、米国特許第２６５６５０８号公報と特公昭３０
−５６９９公報に開示されたような粒子の計算装置が開
発され、例えば血球分析装置に使用されている。この粒
子の計算装置は、粒子が接近して通過する時に変化する
電流が流れる２個の電極を備えている。この装置の一例
は、粒子が通過する孔と、粒子が孔を通過する時に粒子
が接近して変化する電流が流れる２個の電極とを備えて
いる。直流抵抗の測定は上記公報に、高周波抵抗とリア
クタンスの測定は米国特許第３５０２９７４号公報に、
静電容量の測定と電極先端が電気絶縁物質壁中に埋没さ
れた構造は特公昭４２−２２００公報に開示されてい
る。この２個の電極の間の距離もしくは２個の電極先端
が埋没された絶縁物質壁の間の距離は、装置に高い感度
を与えるためには、粒子の大きさより大きいが同程度で
あることが望ましいことは等しく公知である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の粒子の計算装置は、２個の電極の間の距離も
しくは２個の電極先端が埋没された絶縁物質壁の間の距
離が高い精度で規定されて電極が高い精度で配置される
手段を有していないものであった。

【０００５】また、従来の粒子の計算装置は、通常、そ
の２個の電極間の距離もしくは２個の電極先端が埋没さ
れた絶縁物質壁の間の距離が、例えば５０μｍから５０
０μｍという程に大きいものであり、通常の２個の電極
の配置技術をそのまま従来の装置が検出対象としていた
粒子より小さい粒子の検出装置に適用することは、感度
が低くなるので困難であった。

【０００６】本発明は、このような従来の粒子の計算装
置が有していた問題を解決しようとするものであり、高
感度の検出装置を提供することを目的とするものであ
る。さらに本発明は、従来の技術が検出対象としていた
検出対象物の大きさより小さい検出対象物を高感度で検
出する装置を実現することを目的とするものである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明による検出装置
は、上記課題を解決するため、電気伝導性の第１の基体
と、前記第１の基体に結合された絶縁体と、前記第１の
基体から電気的に絶縁されて前記絶縁体に結合された、
電気伝導性の第２の基体と、前記第１の基体と前記第２
の基体との間に設けられた間隙を有する検出部を備え、
前記第１の基体と前記第２の基体との距離が前記絶縁体
の厚さにより規定されていることを特徴とするものであ
る。

【０００８】本発明の検出装置は、電気伝導性の第１の
基体と第２の基体との間の距離が絶縁体の厚さにより高
い精度で規定されるため、基体間の距離が検出対象物の
大きさより大きいが検出対象物の大きさに近くなるよう
に高い精度で配置でき、容易に高感度化することができ
る。さらに、従来の配置技術では実現できなかったよう
な小さい基体間距離に基体が高い精度で配置されるた
め、従来の技術が検出対象としていた検出対象物の大き
さより小さい検出対象物を高感度で検出することが可能
となった。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態および
実施例を図面に基づいて説明する。

【００１０】

【実施例１】図１は、本発明の第１の実施例を示す検出
装置の断面図である。なお、ここでは検出装置内に含ま
れる検出部のみを示す。図１で、１、２は電気伝導性の
基体、３は検出対象物、４、５は電気絶縁体、９は直流
電源、１０は交流電源、１１は直流電流測定部もしくは
交流電流測定部、１２は電気配線である。すなわち、図
１で、１、２はAl、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、
Zr、Nb、Mo、Rh、Pd、Ag、Sn、Ta、W、Ir、Pt、Au等の
金属もしくはこれらの合金、チタンシリサイド、ニッケ
ルシリサイド、モリブデンシリサイド、タンタルシリサ
イド、タングステンシリサイド等の金属半導体化合物、
窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化ハフニウム等の金
属窒化物、グラファイト、アンチモン、ビスマス等の半
金属、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコ
ン、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガリウムアルミニウ
ムヒ素、インジウムリン、インジウムアンチモン等の半
導体、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛等の透明導
電物、もしくはポリアセチレン、テトラチアフルバレン
−テトラシアノキノジメタン等の導電性有機物、４、５
はシリコン酸化物等の半導体酸化物、シリコン窒化物等
の半導体窒化物、シリコンカーバイト等の半導体炭化
物、アルミナ、サファイア、酸化チタン、酸化クロム、
酸化ジルコニウム、酸化タンタル等の金属酸化物、窒化
アルミニウム等の金属窒化物、石英、ホウ珪酸等のガラ
ス、雲母、もしくはフォトレジスト、ポリイミド、ポリ
テトラフロロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、
ポリエーテルエーテルケトン、ポリジメチルシロキサン
等の電気絶縁性有機物である。

【００１１】図１で、基体１と２は、所定の間隙をあけ
て配置されて、相互に電気的に絶縁されている。この構
造では、基体１と２は、相互に電気的に直接接触しない
ように絶縁体を介して配置されている。ここで、基体１
と２は、基体１と２との間隙を規定する厚さの絶縁体で
結合されている。図１で、直流電源９および交流電源１
０の少なくとも一方の電源によって、基体１と２との間
に直流および交流の少なくとも一方の電圧が印加される
ことにより、基体１と２との間の電流が直流電流測定部
もしくは交流電流測定部１１によって測定される。ここ
で、交流電圧は、低周波数から高周波数の正弦波電圧、
もしくはランプ電圧、三角波電圧、パルス電圧等のひず
み波電圧である。したがって、基体１と２との間の直流
抵抗もしくは交流インピーダンスが測定され、間隙中の
検出対象物３が検出される。基体間に所定の直流の電圧
を印加したときの直流抵抗、もしくは基体間に所定の交
流の電圧もしくは所定の直流と交流の電圧を印加したと
きのコンダクタンスもしくはキャパシタンスは、検出対
象物３が間隙から離れて存在するときと間隙中に存在す
るときとで変化することが可能である。コンダクタンス
とキャパシタンスはインピーダンスにより求められる。
ここで、媒質の導電率および誘電率の少なくとも一方は
検出対象物とは大きく異なることが望ましい。したがっ
て、間隙中における検出対象物３の存在もしくは通過を
検出することができる。ここで、基体１と２との間の間
隙とは、基体１と２との間に所定の電圧を印加したとき
の電気的影響範囲の空間を含んでいる。すなわち、検出
対象物が基体１もしくは基体２に接近したときに基体１
と２との間の直流電流もしくは交流電流が変化する空間
を含んでいる。さらに、検出対象物３が間隙中に存在す
るときの基体間の直流抵抗と直流電圧との関係、もしく
はコンダクタンスもしくはキャパシタンスと直流電圧も
しくは交流電圧との関係を測定することにより、検出対
象物３を分析もしくは同定できる。したがって、例えば
通常のバイオセンサは分子識別素子部とトランスデュー
サ部を有しているが、本発明の検出装置は、従来の分子
識別素子部を設けることなく分子を識別できるので、装
置を小型にすることができ、また簡単に製造することが
できる。基体１もしくは基体２と電気配線１２との電気
接触抵抗が大きい場合は、基体１もしくは基体２の所定
の表面に金属電極を形成して、電極と配線を接続するこ
とが望ましい。ここで、電極金属は、基体１もしくは基
体２との接触抵抗が小さいものが望ましい。

【００１２】本発明の検出装置の検出部を真空容器内に
設置して、気体分子もしくは原子を検出する際は、真空
容器内を超高真空度に真空排気したときの直流抵抗、コ
ンダクタンス、もしくはキャパシタンスを予め測定して
おけば、間隙中の気体分子もしくは原子の存在もしくは
通過を検出することができる。検出された分子もしくは
原子の個数によって、真空度もしくはガス分圧を求める
ことができる。さらに、直流抵抗、コンダクタンス、も
しくはキャパシタンスと電圧との関係を測定することに
より、間隙中の気体分子もしくは原子を分析もしくは同
定することができる。したがって、本発明の検出装置は
真空度計測装置、ガス分圧計測装置もしくはガス分析装
置として利用できる。また、本発明の検出装置は、真空
容器内の粒子の検出もしくは分析が可能であり、真空用
粒子計数装置もしくは真空用粒子分析装置として利用で
きる。

【００１３】本発明の検出装置の検出部を気体媒質容器
内に設置して、検出対象の気体分子もしくは原子を検出
する際は、容器内に気体媒質を流入したときの直流抵
抗、コンダクタンス、もしくはキャパシタンスを予め測
定しておけば、間隙中の検出対象の気体分子もしくは原
子の存在もしくは通過を検出することができる。検出さ
れた分子もしくは原子の個数によって、検出対象のガス
濃度もしくはガス分圧を求めることができる。さらに、
直流抵抗、コンダクタンス、もしくはキャパシタンスと
電圧との関係を測定することにより、間隙中の気体分子
もしくは原子を分析もしくは同定することができる。し
たがって、本発明の検出装置はガス濃度計、ガス分圧計
もしくはガス分析装置として利用できる。また、本発明
の検出装置は、気体媒質容器内の粒子の検出もしくは分
析が可能であり、気体用粒子計数装置もしくは気体用粒
子分析装置として利用できる。例えば、本発明の検出装
置は、呼気中の気体もしくは粒子を計測分析するバイオ
センサとして、また大気中の環境汚染物質を計測分析す
るセンサとして利用できる。

【００１４】本発明の検出装置の検出部を液体媒質容器
内に設置して、検出対象の液体を検出する際は、容器内
に液体媒質を流入したときの直流抵抗、コンダクタン
ス、もしくはキャパシタンスを予め測定しておけば、間
隙中の検出対象の液体の存在もしくは通過を検出するこ
とができる。検出された液体の量によって、検出対象の
液体濃度を求めることができる。さらに、直流抵抗、コ
ンダクタンス、もしくはキャパシタンスと電圧との関係
を測定することにより、間隙中の液体を分析もしくは同
定することができる。本発明の検出装置により測定を行
う際、必要に応じて検出対象物を適当な液体媒質により
希釈してもよい。したがって、本発明の検出装置は液濃
度計もしくは液分析装置として利用できる。また、本発
明の検出装置は、液体媒質容器内の粒子の検出もしくは
分析が可能であり、液体用粒子計数装置もしくは液体用
粒子分析装置として利用できる。例えば、本発明の検出
装置は、血液、デオキシリボ核酸（DNA）、もしくはた
んぱく質を計測分析するバイオセンサとして、また水中
の環境汚染物質を計測分析するセンサとして利用でき
る。液体媒質もしくは検出対象液体が間隙に流入できる
ためには、間隙の大きさを大きくすることが望ましい。
一方、感度を高くするためには、基体１と２との間の距
離を検出対象物の大きさと同等に近い大きさまで小さく
することが望ましい。したがって、基体１と２との間の
距離は、液体媒質もしくは検出対象液体が間隙に流入で
きる距離の範囲で、距離が小さくなるように選ぶことが
望ましい。また、液体媒質もしくは検出対象液体が間隙
に流入しやすくするために、必要に応じて間隙に面する
基体表面や絶縁体表面を適当な親水性の無機物もしくは
有機物で被覆することが望ましい。さらに、検出対象液
体の凝固を防ぐために、もしくは基体表面や絶縁体表面
に検出対象物が付着することを抑制するために、必要に
応じて間隙に面する基体表面や絶縁体表面を適当な無機
物もしくは有機物の不活性物質で被覆することが望まし
い。また、基体１と２との間に直流もしくは交流電圧を
印加して、電気泳動法により間隙に検出対象物を導入す
ることができる。

【００１５】本発明の検出装置の検出部を真空、気体媒
質、もしくは液体媒質容器内に設置して、基体１と２と
の間に所定の電圧を印加することにより、検出対象物を
非破壊で検出もしくは非破壊で分析することができる。
検出対象物を非破壊で検出もしくは非破壊で分析する際
は、基体１と２との間に印加する電圧は、対象物を検出
できる印加電圧範囲で、媒質もしくは検出対象物が破壊
する電圧より低くなるように選ぶことが望ましい。

【００１６】図１で、基体１と２は、基体１と２との間
隙を規定する厚さの絶縁体４、５で結合されている。こ
の構造では、基体１と２との間の距離は、絶縁体４、５
の厚さにより規定されているため、所望の距離の間隙を
容易に形成できる。図１では、基体１と２との間の距離
が絶縁体４、５の厚さと同等な例が示されているが、基
体１と２との間の距離は、絶縁体４、５の厚さと異なっ
ていても差し支えない。すなわち、基体１と２との間の
距離は、絶縁体４、５の厚さより小さくても、もしくは
大きくても差し支えない。この構造でも、基体１と２と
の間の距離は、絶縁体４、５の厚さにより規定され、所
望の距離の間隙を容易に形成できる。

【００１７】図１で、間隙は、基体１、２、および絶縁
体３、４により画定されて形成されている。すなわち、
間隙の大きさは、基体１と２との間の距離、および絶縁
体３と４との間の距離により規定されている。この構造
では、間隙を検出対象物３が通過する路である孔として
使用でき、基体および基体間距離を規定する絶縁体が孔
を形成する構造の一部であるため、検出部を小型化でき
る。また、検出装置全体の装置構成を簡素にすることも
可能である。

【００１８】図１で、間隙の大きさは、検出対象物３の
大きさにより所定の大きさに選んで形成されている。こ
の構造では、基体１と２との間の距離、絶縁体４と５と
の間の距離、および検出対象物３の通過路である孔の長
さは、検出対象物３の大きさより大きく形成されてお
り、検出対象物３は間隙の中に入ることができる。そし
て、この構造では、基体１と２との間の距離は、検出対
象物３の大きさより大きく選んで形成されているが、検
出対象物３の大きさに近くすることにより、感度を高く
することができる。電気絶縁性の媒質中の電気伝導性の
検出対象物を検出する際は、基体１と２との間の距離
は、検出対象物３の大きさより大きいが、検出対象物３
の大きさに近くすることにより、基体１と２との間に所
定の電圧を印加した場合、検出対象物３は基体１もしく
は基体２に電気的に直接接触するために、もしくは検出
対象物３と基体１もしくは基体２との距離が小さいため
電子のトンネル効果による検出対象物３と基体１もしく
は基体２との間のトンネル電流が大きくなるために、検
出対象物３を流れる電流が大きくなるので、電流を容易
に測定できる。ここで、電気絶縁性の媒質中の電気伝導
性の検出対象物を検出する際は、基体１と２との間の電
流は基体１、検出対象物、および基体１を電流が流れ、
絶縁体４には電流が流れないので、検出対象物の存在も
しくは通過を検出できる。また、電気伝導性の媒質中の
電気絶縁性の検出対象物を検出する際は、基体１と２と
の間の電流は基体１、媒質、および基体２を電流が流
れ、絶縁体４には電流が流れないので、検出対象物を検
出できる。例えば、図１で、基体１と２との間の距離が
７０ｎｍ、絶縁体４と５との距離が１３０ｎｍ、孔の長
さが１ｍｍの構造の検出部をガス容器内に設置して、容
器内に窒素ガスを流入し、基体１と２との間に直流電源
９によって３Vの電圧を印加したときの電流測定部１１
によって測定される電流は１ｐAである。媒質として窒
素ガスを流入し、検出対象物３として大きさが７０ｎｍ
より小さいが同等に近い銀粒子を容器内に流入し、銀粒
子が間隙に導入されたときの３Vの電圧での電流は１０
０ｐAである。したがって、電流の変化を測定すること
により検出対象物を検出できる。

【００１９】図１で、基体１と２との間の距離、絶縁体
４と５との間の距離、および孔の長さは、検出対象物３
の大きさより大きく形成されているが、検出対象物３の
大きさと同等に近く形成されている場合は、高感度で検
出対象物３を１個ずつ検出することができる。

【００２０】図１で、孔の長さが、検出対象物３の大き
さより大きいが同等に近い基体１と２の距離および絶縁
体４と５の距離より大きく形成されている場合は、高感
度で検出対象物３を１個もしくは複数を同時に検出する
ことができる。検出された対象物の個数によって、間隙
の大きさにより検出対象物の濃度を求めることができ
る。

【００２１】図１で、絶縁体４と５との間の距離が、検
出対象物３の大きさより大きいが同等に近い基体１と２
との間の距離および孔の長さより大きく形成されている
場合は、高感度で検出対象物３を１個もしくは複数を同
時に検出することができる。

【００２２】図１で、絶縁体４と５との間の距離および
孔の長さが、検出対象物３の大きさより大きいが同等に
近い基体１と２との間の距離より大きく形成されている
場合は、高感度で検出対象物３を１個もしくは複数を同
時に検出することができる。

【００２３】図１で、基体１および２の少なくとも一方
の間隙に面する表面の面積が、基体１と２との最短距離
の二乗と同等もしくはより大きく形成されている場合
は、検出対象物３を１個もしくは複数を同時に検出する
ことができる。ここで、感度を高くするためには、基体
１と２との間の距離を検出対象物３の大きさより大きく
するが、同等に近くすることが望ましい。

【００２４】図１で、基体１が金属もしくは金属半導体
化合物、基体２が半導体で形成されている場合は、基体
１、間隙、および基体２の構造は、金属−絶縁体−半導
体（MOS）ダイオードと同様な動作が可能である。した
がって、ダイオードと同様な電流−電圧特性、コンダク
タンス−電圧特性、もしくはキャパシタンス−電圧特性
を測定することにより、間隙中の検出対象物３を検出も
しくは分析できる。

【００２５】図１で、基体１と２との間の距離が１０ｎ
ｍ程度より小さく形成されている場合、本発明の検出装
置の検出部を容器内に設置して、容器内を超高真空度に
真空排気したとき、基体１と２との間に電圧を印加する
ことにより電子のトンネル効果によって基体１と２との
間にトンネル電流が流れる。検出対象物が間隙中に導入
されたときは、基体１と２との間のトンネル抵抗が小さ
くなるために、所定の電圧でトンネル電流が大きくなる
ことが可能なので、検出対象物を検出できる。また、媒
質のみが間隙中に導入されたときも、トンネル電流が大
きくなることが可能である。媒質中の検出対象物を検出
する際は、間隙中に媒質のみが存在するときと間隙中に
検出対象物が導入されたときとでトンネル電流が変化す
ることが可能なので、間隙中における検出対象物の存在
もしくは通過を検出することができる。ここで、媒質の
トンネル抵抗は検出対象物とは大きく異なることが望ま
しい。さらに、トンネル抵抗と電圧との関係を測定する
ことにより、間隙中の検出対象物を分析もしくは同定す
ることができる。

【００２６】図１で、基体１と２との間の距離が１０μ
ｍから１００μｍに形成されている場合は、血球、花
粉、もしくは粒子が高感度で検出できる。図１で、基体
１と２との間の距離が１μｍから１０μｍに形成されて
いる場合は、大腸菌、バクテリア、もしくは粒子が高感
度で検出できる。図１で、基体１と２との間の距離が１
００ｎｍから１μｍに形成されている場合は、インフル
エンザウイルスもしくは粒子を高感度で検出できる。図
１で、基体１と２との間の距離が１０ｎｍから１００ｎ
ｍに形成されている場合は、たんぱく質、酵素、もしく
は粒子を高感度で検出できる。図１で、基体１と２との
間の距離が１ｎｍから１０ｎｍに形成されている場合
は、デオキシリボ核酸（DNA）、たんぱく質、脂肪酸分
子、もしくはフラーレン分子を高感度で検出できる。図
１で、基体１と２との間の距離が０．１ｎｍから１ｎｍ
に形成されている場合は、水素分子、窒素分子、酸素分
子、水分子、アルゴン原子、一酸化炭素分子、もしくは
ビスフェノールAが間隙に入り、高感度で検出できる。
ここで、基体１と２との間の間隙に複数の同じ物質の検
出対象物が導入されても、物質が異なると基体１と２と
の間の電流の電圧との関係が異なることが可能であるの
で、検出対象物の物質を同定できる。しかし、間隙に複
数の同じ物質の検出対象物が導入された場合は、間隙中
での複数の検出対象物の並び方により基体１と２との間
の電流の大きさが異なることが可能であるので、間隙の
大きさは検出対象物が1個ずつしか導入されない大きさ
にすることが望ましい。すなわち、高い信頼性で検出対
象物を検出するためには、間隙の大きさを検出対象物の
大きさより大きいが、同等に近くすることが望ましい。
基体１と２との間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１
００μｍであることが望ましく、０．１ｎｍから１０μ
ｍであることがより望ましく、０．１ｎｍから１μｍで
あることがより望ましく、０．１ｎｍから１００ｎｍで
あることがより望ましく、０．１ｎｍから１０ｎｍであ
ることがより望ましく、０．１ｎｍから１ｎｍであるこ
とがより望ましい。

【００２７】図１で、基体１と２との間の距離もしくは
絶縁体４と５との間の距離が孔の長さ方向に沿って変化
して形成されている場合、孔の形状により検出対象物が
孔を通過する時の電流の変化が異なることが可能であ
る。したがって、異なる形状の孔を検出対象物が通過し
た時に測定された電流の変化を比較することにより、検
出対象物を分析することができる。

【００２８】図１で、絶縁体４、５は光が透過するの
で、検出部の外部から検出対象物もしくは媒質に光を照
射することができる。また、基体１および２の少なくと
も一方が透明導電物で形成されている場合は、光を透明
な基体を透過させて検出対象物もしくは媒質に照射する
ことができる。アルゴンレーザ、半導体レーザ、キセノ
ンランプ、水銀ランプ等の光源からの適当な波長の光を
検出対象物もしくは媒質に照射することにより、光導電
効果によって基体１と２との間の電流を大きくできるの
で、感度を高くすることができる。さらに、電流と光の
波長との関係を測定することにより、検出対象物を分析
することができる。また、検出対象物もしくは媒質から
の光を検出部の外部の光検出装置により受光できるの
で、検出対象物の光吸収もしくは蛍光を測定でき、光学
顕微鏡観察もできるので、検出対象物の分析が容易にな
る。

【００２９】

【実施例２】図２は、本発明の第２の実施例を示す検出
装置の断面図である。図２で、６、７は電気絶縁膜であ
る。すなわち、６、７は、シリコン酸化物等の半導体酸
化物、シリコン窒化物等の半導体窒化物、シリコンカー
バイト等の半導体炭化物、アルミナ、サファイア、酸化
チタン、酸化クロム、酸化ジルコニウム、酸化タンタル
等の金属酸化物、窒化アルミニウム等の金属窒化物、も
しくはフォトレジスト、ポリイミド、ポリテトラフロロ
エチレン等の電気絶縁性有機物である。

【００３０】図２で、絶縁膜６、７は不活性膜もしくは
不動態膜であるため、検出対象物３と化学反応しにく
い、検出対象物の構造が崩れにくい、もしくは検出対象
物３が付着しにくいために、絶縁膜６、７の間隙に接す
る表面は安定であるので、信頼性の高い検出装置とな
る。この構造では、絶縁膜を流れる電流が小さいため
に、媒質および検出対象物がキャパシタンスを測定する
ために十分な電気絶縁性を有していない際に、基体１と
２との間のキャパシタンスを測定することにより検出対
象物３を検出することができる。

【００３１】図２で、絶縁膜６、７の厚さが０．２ｎｍ
から１０ｎｍに形成されている場合は、絶縁膜６、７を
電子のトンネル効果による電流が流れることができるの
で、媒質もしくは検出対象物３を流れる基体１と２との
間の電流を測定することにより検出対象物３を検出する
ことができる。また、基体１と２との間に所定の電圧を
印加した場合、基体１、絶縁膜６と間隙中の電気絶縁性
の媒質、電気伝導性の検出対象物３、間隙中の電気絶縁
性の媒質と絶縁膜７、および基体２の間を電子の共鳴ト
ンネル効果による電流、もしくは基体１、絶縁膜６、間
隙中の電気伝導性の媒質、絶縁膜７、および基体２の間
を電子の共鳴トンネル効果による電流が流れるので、検
出対象物３を検出することができる。絶縁膜６、７の厚
さが薄いほど、絶縁膜６，７を流れる電流が大きいの
で、絶縁膜６、７の厚さが０．２ｎｍから５ｎｍが望ま
しく、０．２ｎｍから１ｎｍがより望ましい。

【００３２】

【実施例３】図３は、本発明の第３の実施例を示す検出
装置の断面図である。図３で、基体１に正の電圧を、基
体２に負の電圧を印加した場合、絶縁膜６は不活性膜で
あるために、検出対象物３と化学反応しにくく、陽極の
みで反応しやすい検出対象物を検出する際、信頼性の高
い検出装置となる。また、基体１に負の電圧を、基体２
に正の電圧を印加した場合、陰極のみで反応しやすい検
出対象物を検出する際、信頼性の高い検出装置となる。

【００３３】

【実施例４】図４は、本発明の第４の実施例を示す検出
装置の断面図である。図４で、１、２ａ、２ｂ、・・
・、２ｎは電気伝導性の基体、３ａ、３ｂ、・・・、３
ｎは各々大きさの異なる検出対象物、４ａ、４ｂ、・・
・、４ｎ、５ａ、５ｂ、・・・、５ｎは絶縁体、９ａ、
９ｂ、・・・、９ｎは直流電源、１０ａ、１０ｂ、・・
・、１０ｎは交流電源、１１ａ、１１ｂ、・・・、１１
ｎは直流電流測定部もしくは交流電流測定部、１２は電
気配線である。

【００３４】図４で、基体２ａと基体２ｂとの間の距離
は、基体１と２ａとの間の距離より小さく形成されてい
る。この構造では、検出対象物３ａは、基体１と２ａ、
および絶縁体４ａと５ａで形成される間隙に入ることが
できるが、基体２ａと２ｂ、および絶縁体４ｂと５ｂで
形成される間隙に入ることができない。一方、検出対象
物３ｂは、基体１と２ａ、および絶縁体４ａと５ａで形
成される間隙に入ることができ、基体２ａと２ｂ、およ
び絶縁体４ｂと５ｂで形成される間隙に入ることができ
る。しかし、検出対象物３ｂが基体１と２ａ、および絶
縁体４ａと５ａで形成される間隙に入った場合、検出対
象物３ｂと基体１もしくは基体２ａとの距離が、検出対
象物３ａと基体１もしくは基体２ａとの距離より大き
く、媒質より電気伝導性の高い検出対象物を検出する
際、検出対象物３ｂを流れる基体１と２ａとの間の電流
が、検出対象物３ａを流れる基体１と２ａとの間の電流
より小さくなるために、検出対象物３ｂの大きさが検出
対象物３ａとは異なることを検出できる。また、媒質よ
り電気伝導性の低い検出対象物を検出する際は、検出対
象物３ｂが間隙に入った場合の基体１と２ａとの間の電
流が、検出対象物３ａが間隙に入った場合より大きくな
るために、検出対象物３ｂの大きさが検出対象物３ａと
は異なることを検出できる。したがって、直流電源９
ａ、９ｂ、・・・、９ｎおよび交流電源１０ａ、１０
ｂ、・・・、１０ｎの少なくとも一方の電源によって、
基体１と２ａ、基体２ａと２ｂ、・・・の間に所定の電
圧を印加して、各々の間の電流を直流電流測定部もしく
は交流電流測定部１１ａ、１１ｂ、・・・、１１ｎによ
って測定することにより、大きさの異なる検出対象物を
同時に検出できる検出装置となる。

【００３５】

【実施例５】図５は、本発明の第５の実施例を示す検出
装置の断面図である。図５で、間隙は基体１、２および
絶縁体４により画定されて形成されているために、検出
対象物３が入りやすい検出装置となる。また、液体媒質
中の検出対象物を検出する際は、液体媒質中に絶縁体４
を浸漬せずに、基体１と２のみを浸漬することにより、
間隙に面する絶縁体４の表面に沿って流れる漏れ電流を
小さくできるので、感度の高い検出装置となる。図５で
は、基体１と２との間の距離が絶縁体４の厚さと同等な
例が示されているが、間隙に面する基体１と２との間の
距離は、絶縁体４の厚さと異なっていてもよく、絶縁体
４の厚さより小さくても、もしくは大きくてもよい。ま
た、基体１の表面の一部とこの一部と相面する基体２の
一部の表面との距離は、絶縁体４の厚さより小さくて
も、もしくは大きくてもよい。この構造では、基体１と
２との間の距離が最も小さい領域の間で電流が流れ、こ
の領域の間の検出対象物を検出できる。例えば、基体１
および２の先端部に近い領域の表面間の距離が絶縁体４
の厚さより小さい構造では、この領域の表面間の検出対
象物を検出できる。また、基体１および２の表面間の距
離が、絶縁体４に近い領域では絶縁体４の厚さと同等で
あり、絶縁体４から離れた領域では離れる距離に応じて
段階的に大きくなるように、基体１および２の間隙に面
する表面が階段状に形成された構造では、検出対象物の
大きさに近い表面間距離の領域の間で電流が流れ、検出
対象物を検出できる。この構造では、各領域の表面間の
距離によって高い感度で検出できる検出対象物の大きさ
の範囲を設定できるので、所定の範囲の大きさの検出対
象物を高感度で検出できる検出装置となる。この構造に
おいて、絶縁体４から離れる距離に応じて表面間の距離
が段階的に大きくなるように、基体１および２の一方の
厚さが階段状に薄く形成されていればよく、他方の厚さ
は均一でもよい。

【００３６】

【実施例６】図６は、本発明の第６の実施例を示す検出
装置の断面図である。図６で、絶縁膜６、７は不活性膜
であるために、信頼性の高い検出装置となる。

【００３７】

【実施例７】図７は、本発明の第７の実施例を示す検出
装置の断面図である。図７で、基体１に正の電圧を、基
体２に負の電圧を印加した場合、絶縁膜６は不活性膜で
あるために、陽極のみで反応しやすい検出対象物を検出
する際、信頼性の高い検出装置となる。また、基体１に
負の電圧を、基体２に正の電圧を印加した場合、陰極の
みで反応しやすい検出対象物を検出する際、信頼性の高
い検出装置となる。

【００３８】

【実施例８】図８は、本発明の第８の実施例を示す検出
装置の断面図である。図８で、３ａは検出対象物、３ｂ
は検出対象物３ａより大きさが小さい検出対象物であ
る。図８で、基体２ａと基体２ｂとの間の距離は、基体
１と２ａとの距離より小さく形成されている。この構造
では、検出対象物が間隙に入りやすく、かつ大きさの異
なる検出対象物を同時に検出できる検出装置となる。

【００３９】

【実施例９】図９は、本発明の第９の実施例を示す検出
装置の断面図である。図９で、間隙は基体１、２および
絶縁体４により画定されて形成されているために、基体
１と２との最短距離より大きな検出対象物を検出できる
ので、大きさの異なる検出対象物を検出できる検出装置
となる。図９では、間隙に面する基体１の表面と間隙に
面する絶縁体４および基体２の表面とがなす角が直角の
例が示されているが、直角より大きくてもよく、小さく
てもよい。

【００４０】

【実施例１０】図１０は、本発明の第１０の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１０で、絶縁膜６、７は
不活性膜であるために、信頼性の高い検出装置となる。

【００４１】

【実施例１１】図１１は、本発明の第１１の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１１で、基体１に正の電
圧を、基体２に負の電圧を印加した場合、絶縁膜６は不
活性膜であるために、陽極のみで反応しやすい検出対象
物を検出する際、信頼性の高い検出装置となる。また、
基体１に負の電圧を、基体２に正の電圧を印加した場
合、陰極のみで反応しやすい検出対象物を検出する際、
信頼性の高い検出装置となる。

【００４２】

【実施例１２】図１２は、本発明の第１２の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１２で、基体１に正の電
圧を、基体２に負の電圧を印加した場合、絶縁膜７は不
活性膜であるために、陰極のみで反応しやすい検出対象
物を検出する際、信頼性の高い検出装置となる。また、
基体１に負の電圧を、基体２に正の電圧を印加した場
合、陽極のみで反応しやすい検出対象物を検出する際、
信頼性の高い検出装置となる。

【００４３】

【実施例１３】図１３は、本発明の第１３の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１３で、基体１と２ａお
よび基体１と２ｂとの間に所定の電圧を印加することに
より各々の間の電流を同時に測定できるので、検出対象
物３の大きさを検出できる検出装置となる。

【００４４】

【実施例１４】図１４は、本発明の第１４の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１４で、基体１と２との
間の距離を絶縁体４、５と絶縁膜６および７の厚さによ
り規定でき、検出対象物３の大きさに近い所望の距離の
間隙を容易に形成できるため、感度の高い検出装置とな
る。

【００４５】

【実施例１５】図１５は、本発明の第１５の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１５で、１ｏ、１ｐ、２
ｏ、２ｐは電気伝導性の基体である。図１５で、基体１
ｏと１ｐとによりおよび基体２ｏと２ｐとにより構造物
もしくは結合物が形成されている。この構造では、基体
１ｏ、２ｏは、検出対象物３に合わせて検出対象物３と
基体１ｏもしくは基体２ｏとの間で大きな電流が流れる
金属、金属半導体化合物、もしくは半導体で形成されて
いるために、感度の高い検出装置となる。また、基体１
ｐ、２ｐは、剛性の高い金属、金属半導体化合物、もし
くは半導体で形成されているために、間隙の基体１ｏと
基体２ｏとの間の距離の変動が小さく、雑音が小さいの
で、感度の高い検出装置となる。ここで、検出対象物に
よりもしくは印加電圧の極性により、基体１ｏと１ｐお
よび基体２ｏと２ｐの少なくとも一方が構造物もしくは
結合物であればよく、他方が単体でもよい。

【００４６】

【実施例１６】図１６は、本発明の第１６の実施例を示
す検出装置の断面図である。図１６で、基体１ｐの間隙
側の表面が基体１ｏの層で被覆され、および基体２ｐの
間隙側の表面が基体２ｏの層で被覆されて、基体１ｏと
１ｐとによりおよび基体２ｏと２ｐとにより構造物もし
くは結合物が形成されている。この構造では、基体１
ｐ、２ｐは、剛性の高い金属、金属半導体化合物、もし
くは半導体で形成され、剛性の高い絶縁体４で結合され
ているために、間隙の基体１ｏと基体２ｏとの間の距離
の変動が小さく、雑音が小さいので、感度の高い検出装
置となる。

【００４７】

【実施例１７】図１７は、本発明の第１７の実施例を示
す検出装置の正面図および断面図である。図１７で、１
ａ、１ｂ、・・・、１ｎ、２ａ、２ｂ、・・・、２ｎは
電気伝導性の基体、３ａ、３ｂ、・・・、３ｎは各々大
きさの異なる検出対象物、４ａ、４ｂ、・・・、４ｎは
絶縁体、８は電気絶縁性の支持体である。すなわち、８
は、シリコン酸化物等の半導体酸化物、シリコン窒化物
等の半導体窒化物、シリコンカーバイト等の半導体炭化
物、アルミナ、サファイア、酸化チタン、酸化クロム、
酸化ジルコニウム、酸化タンタル等の金属酸化物、窒化
アルミニウム等の金属窒化物、石英、ホウ珪酸等のガラ
ス、雲母、もしくはポリテトラフロロエチレン、ポリエ
チレンテレフタレート、ポリエーテルエーテルケトン、
ポリジメチルシロキサン等の電気絶縁性有機物である。

【００４８】図１７で、基体１ｂと基体２ｂとの間の距
離は、基体１ａと基体２ａとの間の距離より小さく形成
されている。この構造では、基体１ａと２ａ、基体１ｂ
と２ｂ、・・・の間に所定の電圧を印加して、各々の間
の電流を測定することにより、大きさの異なる検出対象
物を同時に検出できる検出装置となる。

【００４９】

【実施例１８】図１８は、本発明の第１８の実施例を示
す検出装置の正面図および断面図である。図１８で、８
は絶縁性の支持体である。図１８で、基体１、２は剛性
の高い支持体８上に形成されているために、間隙の基体
１と２との間の距離の変動が小さく、雑音が小さいの
で、感度の高い検出装置となる。

【００５０】

【実施例１９】図１９は、本発明の第１９の実施例を示
す検出装置の正面図および断面図である。図１９で、絶
縁膜６、７は不活性膜であるために、信頼性の高い検出
装置となる。

【００５１】

【実施例２０】図２０は、本発明の第２０の実施例を示
す検出装置の正面図および断面図である。図２０で、１
ａ、１ｂ、・・・、１ｎ、２ａ、２ｂ、・・・、２ｎは
電気伝導性の基体、３は検出対象物、４、４ａ、・・
・、４ｍ、５ａ、・・・、５ｍは絶縁体、８は絶縁性の
支持体である。図２０で、基体１ｂと基体２ｂとの間の
距離は、基体１ａと基体２ａとの間の距離と同等に形成
されているために、基体１ａと２ａ、１ｂと２ｂ、・・
・、１ｎと２ｎとの間に所定の電圧を印加して、各々の
間の電流を測定することにより、検出対象物３の位置、
検出対象物の空間分布、もしくは検出対象物の濃度を測
定できる検出装置となる。図２０では、基体１ａと２
ａ、１ｂと２ｂ、・・・、１ｎと２ｎとの間の距離が同
等な例が示されているが、異なっていてもよい。例え
ば、基体１ｂと２ｂとの間の距離は、基体１ａと２ａと
の間の距離より大きく、支持板８から離れる距離に応じ
て基体間の距離が段階的に大きくなるように形成された
構造では、大きさの異なる検出対象物を同時に検出でき
る検出装置となる。ここで、各基体間の距離は、絶縁体
４の厚さを支持板８から離れる距離に応じて基体間の距
離が段階的に大きくなるように厚く形成することによっ
て規定できる。

【００５２】

【実施例２１】図２１は、本発明の第２１の実施例を示
す検出装置の正面図および断面図である。図２１で、絶
縁性の支持体８に検出対象物３の流路となる孔が形成さ
れ、基体１および２は孔の近傍に形成されているため
に、感度の高い検出装置となる。

【００５３】

【実施例２２】図２２は、本発明の第２２の実施例を示
す検出装置の正面図および断面図である。図２２で、絶
縁体４に検出対象物３の流路となる孔が形成され、基体
２は絶縁体４の基体１とは反対側に絶縁体４に接触して
形成され、かつ基体１および２は孔の近傍に形成されて
いるために、感度の高い検出装置となる。

【００５４】

【実施例２３】図２３は、本発明の第２３の実施例を示
す検出装置の断面図である。図２３で、１、２ｑ、２ｒ
は電気伝導性の基体、３は検出対象物、４、５は絶縁体
である。この構造では、基体１と２ｑとの間の距離は、
後述するように製造工程で絶縁体の薄膜の厚さにより規
定されて形成され、また絶縁体４と５との間の距離は、
基体１、２ｑの厚さにより規定されているため、所望の
大きさの間隙を容易に形成できる。図２３では、絶縁体
４と５との間の距離が、基体１、２ｑの厚さと同等な例
が示されているが、絶縁体４と５との間の間隙を通る距
離は、基体１、２ｑの厚さより小さくてもよく、もしく
は大きくてもよい。絶縁体４と５との間の間隙を通る距
離が、基体１、２ｑの厚さより小さく形成されている場
合は、基体１と２ｑとの間の一部に絶縁体が残り、基体
１と２ｑは基体１と２ｑとの間の距離を規定する厚さの
絶縁体によっても結合されている。また、図２３で、
基体２ｒは基体２ｑと接触して形成されているために、
基体２ｒは２ｑの電極となり、安定な配線となり、信頼
性の高い検出装置となる。

【００５５】次に、図１の検出装置を製作するための製
造工程の一例を図２４に示す。基体１および２にシリコ
ン基板を用いた場合につき説明する。図２４（ａ）に示
すようにシリコン基板１の表面を熱酸化により所定の厚
さのシリコン酸化物層を形成した後、図２４（ｂ）の間
隙に相当する領域の酸化物をリソグラフィおよびドライ
エッチングもしくはウェットエッチングにより除去す
る。ここで、シリコン酸化物は、化学気相堆積（CVD）
法により形成してもよい。シリコン酸化物４の厚さが１
００ｎｍから１００μｍ程度の場合は、板状の１００μ
ｍ程度より厚さが厚いシリコン酸化物を基体１に接着し
た後、化学的機械研磨（ＣＭＰ）法もしくはプラズマエ
ッチング法により所定の厚さまでシリコン酸化物を除去
することにより形成できる。シリコン酸化物４の厚さが
１０ｎｍから１０μｍ程度の場合は、熱ＣＶＤ法、プラ
ズマＣＶＤ法、スパッタリング堆積法、もしくは塗布法
により基体１の上に堆積できる。シリコン酸化物４の厚
さが０．１ｎｍから１μｍ程度の場合は、熱酸化法によ
り形成でき、０．１ｎｍから１０ｎｍ程度の場合は、プ
ラズマ酸化法により形成できる。次に、図２４（ｃ）に
示すようにシリコン基板１とウェットクリーニングによ
り洗浄したシリコン基板２を相互の表面を向かい合わせ
て貼り合わせる。続いて、図１の検出装置の構造は、貼
り合わせた基板を窒素ガス、酸素ガス、もしくは水分を
含有する窒素ガスもしくは酸素ガス中で熱処理すること
により、基板２の表面と酸化物４および５の表面とを結
合もしくは接着することにより製作できる。基板１もし
くは基板２の間隙に面する表面に熱酸化膜が形成された
場合は、熱酸化膜をドライエッチングもしくはウェット
エッチングにより除去する。ここで、基板２と酸化物４
および５との接着は、図２４（ｃ）に示していない金属
もしくは有機物の接着剤を用いて接着してもよい。基板
１もしくは基板２と電気配線との電気接触抵抗が大きい
場合は、基板１もしくは基板２の所定の表面近傍に不純
物のイオン注入および活性化アニールで低抵抗領域を形
成し、リソグラフィ、エッチング、およびクリーニング
により所定の基板表面を露出して真空蒸着法もしくはス
パッタリング堆積法で金属電極を形成し、ワイヤボンデ
ィング法で電極とアルミニウム線もしくは金線とを接続
する。ここで、電極金属は、基体１もしくは基体２の低
抵抗領域との接触抵抗が小さいものを選ぶことが望まし
い。図２４では、基板１と２との間の距離が酸化物４、
５の厚さと同等な例が示されているが、基板１と２との
間の間隙を通る距離は、酸化物４、５の厚さと異なって
いても差し支えない。すなわち、基板１と２との間の間
隙を通る距離は、酸化物４、５の厚さより小さくても、
もしくは大きくても差し支えない。基板１と２との間の
間隙を通る距離が酸化物４、５の厚さより小さい構造
は、基板１もしくは基板２の酸化物４、５に面する領域
をリソグラフィおよびエッチングにより所定の深さまで
除去した後、上記の工程により製造できる。また、基板
１と２との間の間隙を通る距離が酸化物４、５の厚さよ
り大きい構造は、基板１もしくは基板２の間隙に面する
領域をリソグラフィおよびエッチングにより所定の深さ
まで除去した後、上記の工程により製造できる。図１の
検出装置の構造は、図２４（ａ）の構造を製作し、基体
２を接着した後、リソグラフィおよびエッチングもしく
はレーザーアブレーション加工により絶縁体４の間隙に
相当する部分を除去することによっても製造できる。

【００５６】図２の検出装置は、図２４（ｃ）に示す構
造を形成した後、熱酸化により基板１および２の間隙に
面する表面に所定の厚さのシリコン酸化膜を形成するこ
とにより製造できる。ここで、シリコン酸化膜は、化学
気相堆積法により形成してもよい。

【００５７】図３の検出装置は、図２４（ｂ）に示す構
造を形成した後、熱酸化により基板１の間隙に面する表
面に所定の厚さのシリコン酸化膜を形成することにより
製造できる。

【００５８】図４の検出装置は、図２４（ｃ）に示す構
造の基板２の表面と、図２４（ｂ）に示す構造と同様な
構造の酸化物４および５の表面とを向かい合わせて接着
し、この接着工程を繰り返すことにより製造できる。

【００５９】図５、６、７、８、９、１１、および１３
の検出装置は、上記の方法により製造できる。

【００６０】図１０および１２の検出装置は、熱酸化に
より基板２の間隙に面する表面に所定の厚さのシリコン
酸化膜を形成することにより製造できる。

【００６１】図１４の検出装置は、熱酸化により基板１
および２の表面に所定の厚さのシリコン酸化膜を形成す
ることにより製造できる。

【００６２】図１５の検出装置は、化学気相堆積法もし
くはスパッタリング堆積法により基板１および２の表面
に基体材料の層を形成して基体の構造物を製作すること
により製造できる。基体構造物と酸化物の結合もしくは
接着は、水素ガス、窒素ガス、もしくはアルゴンガス中
で熱処理することにより接着してもよく、接着剤を用い
て接着してもよい。

【００６３】図１６の検出装置は、化学気相堆積法もし
くはスパッタリング堆積法により基板１および２の表面
に基体材料の層を形成した後、層の酸化物に面する領域
をリソグラフィおよびエッチングにより除去して基体の
構造物を製作することにより製造できる。

【００６４】図１７の検出装置は、図５に示す構造と同
様な構造で酸化物の厚さが異なる、すなわち基板間の距
離が異なる構造を複数個製作した後、支持板に各々の基
板の一方を接着することにより製造できる。

【００６５】図１８の検出装置は、図５に示す構造と同
様な構造を製作した後、支持板に基体の両方を接着する
ことにより製造できる。

【００６６】図１９の検出装置は、図５に示す構造と同
様な構造を製作し、熱酸化により基板の間隙に面する表
面を含む表面に所定の厚さのシリコン酸化膜を形成し、
基板の支持板に面する表面を含む表面上のシリコン酸化
膜をエッチングにより除去した後、支持板に基板の両方
を接着することにより製造できる。ここで、図１９の検
出装置は、図５に示す構造と同様な構造を製作し、支持
板に基体の両方を接着した後、熱酸化により基板の間隙
に面する表面を含む表面に所定の厚さのシリコン酸化膜
を形成してもよい。

【００６７】図２０の検出装置は、図１８に示す構造と
同様な構造を製作した後、図５に示す構造と同様な構造
を複数個製作し、各々の基板の両方を酸化物を介して接
着することにより製造できる。

【００６８】図２１の検出装置は、リソグラフィおよび
エッチングにより、もしくはレーザーアブレーション加
工により、支持板に貫通孔を形成した後、図１８の検出
装置を製造する方法と同様な方法により製造できる。

【００６９】図２２の検出装置は、リソグラフィおよび
エッチングにより、もしくはレーザーアブレーション加
工により、板状の絶縁体に貫通孔を形成した後、基板を
絶縁体板の両側の表面に接着することにより製造でき
る。

【００７０】図２３の検出装置を製作するための製造工
程の一例を図２３を用いて説明する。シリコン酸化物も
しくは石英の板状の絶縁体４に、所定の厚さのシリコン
の板状の基体１を接着した後、熱酸化法、化学気相堆積
法、もしくはスパッタリング堆積法により基体１の間隙
に面する表面を含む表面に所定の厚さのシリコン酸化物
の絶縁体の薄膜を形成する。次に、シリコンの基体２ｑ
を絶縁体４と絶縁体薄膜に接着し、エッチングにより基
体１の絶縁体５に面する表面上の絶縁体薄膜を除去し、
間隙に相当する領域の絶縁体薄膜を所定の深さまで除去
した後、シリコン酸化物もしくは石英の絶縁体５を基体
１と２ｑに接着する。続いて、図２３の検出装置の構造
は、絶縁体５、基体２ｑ、および絶縁体４の表面上に、
化学気相堆積法もしくはスパッタリング堆積法によりシ
リコンの基体材料２ｒを堆積することにより製作でき
る。絶縁体４と５との間の間隙を通る距離が、基体１、
２ｑの厚さより小さい構造は、間隙に相当する領域の絶
縁体の絶縁体４に面する領域を残すことにより製造でき
る。また、絶縁体４と５との間の間隙を通る距離が、基
体１、２ｑの厚さより大きい構造は、間隙に相当する領
域の絶縁体および間隙に面する絶縁体４の領域を除去す
ることにより製造できる。

【００７１】以上のようにして本発明の検出装置が製作
されるが、以上の方法に限らず他のいかなる方法で形成
してもよい。

【００７２】図２５は、第１の実施例の検出装置の検出
電流変化量と検出印加電圧との関係を示す図である。図
２５の横軸は検出印加電圧を表し、縦軸は検出電流変化
量を表している。ここで、検出電流変化量は、検出装置
の検出部をガス容器内に設置して、容器内に９９．９９
９％の純度の窒素ガスを１気圧で流入したときの所定の
印加電圧での検出電流を測定しておき、容器内の酸素ガ
スが２０％と水分が２％になるように窒素ガス、酸素ガ
スおよび水分を１気圧で流入したときに同じ印加電圧で
の検出電流の増加変化量である。基体はリンドープドｎ
型シリコン基板である。絶縁体はシリコン酸化物の薄膜
である。シリコン酸化物の厚さは４．４ｎｍであり、間
隙を通る基体間の距離は４．４ｎｍである。ここで、シ
リコン酸化物の薄膜は、例えば酸素ガス中のシリコン基
板の９００°Cでの熱酸化により形成され、シリコン酸
化物の厚さは図２６に示すように熱酸化工程のシリコン
酸化膜厚と熱酸化時間との関係によって熱酸化時間によ
り制御され、形成されている。間隙を通る絶縁体間の距
離は５ｍｍであり、間隙の孔としての長さは１０ｍｍで
ある。基体電極としてはアルミニウムが使用されてい
る。第１の実施例の検出装置は、所定の印加電圧で検出
電流が変化を示し、気体分子を検出していることがわか
る。さらに、検出電流変化量が検出印加電圧による変化
を示し、気体分子を分析できる。

【００７３】なお、第２から第２３の実施例の検出装置
においても、図２５に示すものと同様な結果が得られて
いる。

【００７４】

【発明の効果】本発明の検出装置は、以上説明したよう
に、基体間の距離が絶縁体の厚さにより高い精度で規定
されるため、基体間の距離が検出対象物の大きさより大
きいが検出対象物の大きさに近くなるように基体を高い
精度で配置できるので、容易に高感度化することができ
る。また、従来の技術では実現できなかったような小さ
い基体間距離に基体が高い精度で配置できるので、従来
の技術が検出対象としていた検出対象物の大きさより小
さい検出対象物を高感度で容易に検出できる。さらに、
基体間の距離が絶縁体の厚さにより高い精度で規定され
るため、基体間の距離を規定する絶縁体の大きさを小さ
くできるので、検出部もしくは検出装置全体を小型にす
ることも可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図２】本発明の第２の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図３】本発明の第３の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図４】本発明の第４の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図５】本発明の第５の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図６】本発明の第６の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図７】本発明の第７の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図８】本発明の第８の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図９】本発明の第９の実施例の検出装置の断面構造図
である。

【図１０】本発明の第１０の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１１】本発明の第１１の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１２】本発明の第１２の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１３】本発明の第１３の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１４】本発明の第１４の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１５】本発明の第１５の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１６】本発明の第１６の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図１７】本発明の第１７の実施例の検出装置の正面図
および断面構造図である。

【図１８】本発明の第１８の実施例の検出装置の正面図
および断面構造図である。

【図１９】本発明の第１９の実施例の検出装置の正面図
および断面構造図である。

【図２０】本発明の第２０の実施例の検出装置の正面図
および断面構造図である。

【図２１】本発明の第２１の実施例の検出装置の正面図
および断面構造図である。

【図２２】本発明の第２２の実施例の検出装置の正面図
および断面構造図である。

【図２３】本発明の第２３の実施例の検出装置の断面構
造図である。

【図２４】本発明の検出装置の製造工程を示す断面図で
ある。

【図２５】本発明の第１の実施例の検出装置の検出電流
変化量と検出印加電圧との関係を示す図である。

【図２６】本発明の検出装置の製造工程のシリコン酸化
膜厚と熱酸化時間との関係を示す図である。

【符号の説明】

１基体２基体３検出対象物４絶縁体５絶縁体６絶縁膜７絶縁膜８支持体９直流電源１０交流電源１１電流測定部１２電気配線

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｇ０１Ｎ 27/22 Ｇ０１Ｎ 27/22 Ｃ 27/416 Ｇ０１Ｌ 21/00 Ｚ // Ｇ０１Ｌ 21/00 Ｇ０１Ｎ 27/46 ３１１Ｊ３２１

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電気伝導性の第１の基体と、前記第１の
基体に結合された絶縁体と、前記第１の基体から電気的
に絶縁されて前記絶縁体に結合された、電気伝導性の第
２の基体と、前記第１の基体と前記第２の基体との間に
設けられた間隙を有する検出部を備え、前記第１の基体
と前記第２の基体との距離が前記絶縁体の厚さにより規
定されていることを特徴とする検出装置。
【請求項２】前記絶縁体が直方体もしくは立方体であ
ることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】前記間隙が前記第１の基体の表面と前記
第２の基体の表面とで規定されていることを特徴とする
請求項１または２に記載の検出装置。
【請求項４】前記間隙が前記第１の基体の表面と、前
記第１の基体の表面に平行な前記第２の基体の表面とで
規定されていることを特徴とする請求項１ないし３のい
ずれか１項に記載の検出装置。
【請求項５】前記第１および第２の基体の少なくとも
一方の少なくとも前記間隙側の前記基体の表面が電気絶
縁膜で被覆されていることを特徴とする請求項１ないし
４のいずれか1項に記載の検出装置。
【請求項６】前記第１および第２の基体は、前記第１
の基体と前記第２の基体との前記間隙を規定する厚さの
前記絶縁体および前記絶縁膜の少なくとも一方で結合さ
れていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか
1項に記載の検出装置。
【請求項７】前記検出装置は、複数の前記第１および
第２の基体の少なくとも一方を有することを特徴とする
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項８】前記検出装置は、一つもしくは複数の前
記第１の基体と前記第２の基体の対を有することを特徴
とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載の検出装
置。
【請求項９】前記第１および第２の基体の少なくとも
一方が電気絶縁性の支持体に固定されていることを特徴
とする請求項１ないし８のいずれか１項に記載の検出装
置。
【請求項１０】前記絶縁体および前記絶縁膜の少なく
とも一方が孔を有することを特徴とする請求項１ないし
９のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１１】前記第１および第２の基体の少なくと
も一方が孔を有する前記支持体に固定されていることを
特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の
検出装置。
【請求項１２】前記第１および第２の基体の少なくと
も一方が前記孔近傍に配置されていることを特徴とする
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１３】前記第１の基体と前記第２の基体との
間に流れる電流、もしくは前記第１および第２の基体の
少なくとも一方と検出対象物との間に流れる電流がトン
ネル電流であることを特徴とする請求項１ないし１２の
いずれか1項に記載の検出装置。
【請求項１４】前記第１の基体もしくは前記第２の基
体は、同じ物質もしくは異なる物質の構造物もしくは結
合物であることを特徴とする請求項１ないし１３のいず
れか１項に記載の検出装置。
【請求項１５】前記第１の基体もしくは前記第２の基
体は、金属、半金属、半導体、金属半導体化合物、もし
くはこれらの構造物もしくは結合物であることを特徴と
する請求項１ないし１４のいずれか１項に記載の検出装
置。
【請求項１６】前記第１および第２の基体の一方は、
金属、半金属、もしくは金属半導体化合物、他方は半導
体であることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれ
か１項に記載の検出装置。
【請求項１７】前記第１および第２の基体の一方、前
記間隙、および前記第１および第２の基体の他方がＭＯ
Ｓダイオード動作することを特徴とする請求項１ないし
１６のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１８】前記第１の基体もしくは前記第２の基
体は、電気伝導性の有機物であることを特徴とする請求
項１ないし１７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１９】前記金属は、アルミニウム、ニッケ
ル、銀、タングステン、白金、もしくは金であることを
特徴とする請求項１ないし１８のいずれか１項に記載の
検出装置。
【請求項２０】前記半導体は、単結晶シリコン、多結
晶シリコン、もしくは非晶質シリコンであることを特徴
とする請求項１ないし１９のいずれか１項に記載の検出
装置。
【請求項２１】前記絶縁体もしくは前記絶縁膜は、同
じ物質もしくは異なる物質の構造物もしくは結合物であ
ることを特徴とする請求項１ないし２０のいずれか１項
に記載の検出装置。
【請求項２２】前記絶縁体もしくは前記絶縁膜は、電
気絶縁性の有機物であることを特徴とする請求項１ない
し２１のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２３】前記絶縁体もしくは前記絶縁膜は、シ
リコン酸化物、シリコン窒化物、シリコンカーバイト、
アルミナ、サファイア、窒化アルミニウム、もしくは石
英であることを特徴とする請求項１ないし２２のいずれ
か１項に記載の検出装置。
【請求項２４】前記第１および第２の基体の少なくと
も一方の前記間隙に面する表面の面積は、前記第１の基
体と前記第２の基体との最短距離の二乗と同等もしくは
より大きいことを特徴とする請求項１ないし２３のいず
れか１項に記載の検出装置。
【請求項２５】前記絶縁膜の厚さが０．２ｎｍから１
０ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし２４のい
ずれか１項に記載の検出装置。
【請求項２６】前記絶縁膜の厚さが０．２ｎｍから５
ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし２５のいず
れか１項に記載の検出装置。
【請求項２７】前記絶縁膜の厚さが０．２ｎｍから１
ｎｍであることを特徴とする請求項１ないし２６のいず
れか１項に記載の検出装置。
【請求項２８】前記第１の基体と前記第２の基体との
前記間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１００μｍで
あることを特徴とする請求項１ないし２７のいずれか１
項に記載の検出装置。
【請求項２９】前記第１の基体と前記第２の基体との
前記間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１０μｍであ
ることを特徴とする請求項１ないし２８のいずれかの１
項に記載の検出装置。
【請求項３０】前記第１の基体と前記第２の基体との
前記間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１μｍである
ことを特徴とする請求項１ないし２９のいずれか１項に
記載の検出装置。
【請求項３１】前記第１の基体と前記第２の基体との
前記間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１００ｎｍで
あることを特徴とする請求項１ないし３０のいずれかの
１項に記載の検出装置。
【請求項３２】前記第１の基体と前記第２の基体との
前記間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１０ｎｍであ
ることを特徴とする請求項１ないし３１のいずれかの１
項に記載の検出装置。
【請求項３３】前記第１の基体と前記第２の基体との
前記間隙を通る最短距離が０．１ｎｍから１ｎｍである
ことを特徴とする請求項１ないし３２のいずれか１項に
記載の検出装置。
【請求項３４】前記検出装置は、相互に所定の間隙を
あけて配置された第１および第２の絶縁体とを有し、前
記第１および第２の絶縁体は前記第１および第２の絶縁
体との間隙を規定する厚さの前記第１および第２の基体
の少なくとも一方で結合されていることを特徴とする請
求項１ないし３３に記載の検出装置。
【請求項３５】前記検出装置は、直流電源および交流
電源の少なくとも一方と、直流電流測定部もしくは交流
電流測定部とをさらに備えることを特徴とする請求項１
ないし３４のいずれか１項に記載の検出装置。