JP2003311606A - 研磨用工具プレート - Google Patents

研磨用工具プレート

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JP2003311606A
JP2003311606A JP2002126259A JP2002126259A JP2003311606A JP 2003311606 A JP2003311606 A JP 2003311606A JP 2002126259 A JP2002126259 A JP 2002126259A JP 2002126259 A JP2002126259 A JP 2002126259A JP 2003311606 A JP2003311606 A JP 2003311606A
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JP
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polishing
tool plate
polishing tool
shore hardness
plate
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JP2002126259A
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English (en)
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Yasuhiro Tani
泰弘 谷
Kenji Kawada
研治 河田
Toshiyuki Enomoto
俊之 榎本
Tokio Tonami
時夫 礪波
Chihiro Togawa
千裕 戸川
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Coorstek KK
Nihon Micro Coating Co Ltd
Original Assignee
Nihon Micro Coating Co Ltd
Toshiba Ceramics Co Ltd
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【課題】複合砥粒研磨方法に使用され、加工能率が向上
し、研磨面の高平坦化が図れ、また、スクラッチが入る
おそれがなく、さらに、加工面の摩耗が比較的少なく長
寿命の研磨用工具を提供する。 【解決手段】母粒子とその表面に保持される微細砥粒と
からなる研磨剤を用いた研磨方法に使用される研磨用工
具プレートであって、緻密でかつ母粒子のショア硬度よ
りも小さいショア硬度をもつ基材からなる研磨用工具プ
レートである。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨用工具プレー
トに係わり、特に母粒子とその表面に保持される微細砥
粒とからなる研磨剤を用いた研磨方法に使用され、緻密
でかつ母粒子のショア硬度よりも小さいショア硬度をも
つ基材からなる研磨用工具プレートに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体基板や磁気ディスク基板の
ような先端電子機器部品やその基板の仕上げ工程では、
種々の研磨布を使った遊離砥粒研磨が採用され精密研磨
が行われている。その研磨布として、近年、粗さやうね
りに対して悪影響を与えることが比較的少ない発泡体が
多く使用されるようになっている。
【0003】また、精密研磨においては、形状精度の高
い加工が要求されており、より硬質の研磨布が好まれて
いるが、硬質の研磨布を使用すると、その表面の粗さが
出にくい、被研磨体の表面にスクラッチが発生しやすい
などの問題があり、この問題の解決策として硬質樹脂層
と軟質樹脂層を重ね合わせた二層研磨布などが提案され
ている。
【0004】しかしながら、上記のような従来の研磨剤
及び研磨方法では、研磨時間とともに研磨布表面の凹凸
が少なくなり、また、切屑や研磨材が堆積して加工能率
を低下させる現象があり、これを抑制するために、ダイ
ヤモンド砥石で研磨布表面を削り直すコンデショニング
作業が行われるため、研磨布の寿命が短くなり、またダ
イヤモンド砥石からの砥粒の脱落がスクラッチを生じさ
せるなどの問題があった。
【0005】さらに、研磨布は通常2〜3mm程度の厚
みを有しているため、弾性による変形が大きく、ときと
して被研磨体の研磨面端部にダレが生じ、この形状精度
を高めることが困難であった。
【0006】しかも、近年、シリコンウェーハや液晶ガ
ラスなど被研磨体は大口径化しており、これに比例して
研磨機も大型になり、これに使用される研磨布もそれに
追従して大きくなり、その取扱いも困難になっていた。
【0007】このような従来の諸問題を解決するため
に、本願発明者等は、特開2001−300843公報
記載のように、母粒子と微細砥粒からなる研磨剤を用い
た研磨方法(以下、単に複合粒子研磨方法という。)を
提案し、研磨特性の長期安定を実現し、研磨に直接関係
しない不要な摩擦抵抗を軽減し、さらに研磨布の張替え
の必要のない研磨方法を実現する複合砥粒研磨方法を提
案した。
【0008】しかしながら、上記のような複合粒子研磨
方法において、研磨用工具プレートとしてガラス、アル
ミナセラミックス、鋳鉄、SUS等を用い、その加工面
粗さが非常に小さい平滑面では、加工域への母粒子の供
給が適切に行われ難い場合があり、加工能率が低下し、
研磨面の高平坦化が阻害され、また、加工面と定盤の接
触により被加工物にスクラッチが入るおそれがあり、さ
らに、加工面が摩耗して寿命を縮めるなど改良を必要と
する点があった。
【0009】そこで、母粒子とその表面に保持される微
細砥粒とからなる研磨剤を用いた研磨方法に使用される
研磨用工具プレートであって、加工能率が向上し、研磨
面の高平坦化が図れ、また、スクラッチが入るおそれが
なく、さらに、加工面の摩耗が比較的少なく長寿命の研
磨用工具プレートが要望されていた。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
を考慮してなされたもので、母粒子とその表面に保持さ
れる微細砥粒とからなる研磨剤を用いた研磨方法に使用
される研磨用工具プレートであって、加工能率が向上
し、研磨面の高平坦化が図れ、また、スクラッチが入る
おそれがなく、さらに、加工面の摩耗が比較的少なく長
寿命の研磨用工具プレートを提供することを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の1つの態様によれば、母粒子とその表面に
保持される微細砥粒とからなる研磨剤を用いた研磨方法
に使用される研磨用工具プレートであって、緻密でかつ
前記母粒子のショア硬度よりも小さいショア硬度をもつ
基材からなることを特徴とする研磨用工具プレートが提
供される。これにより、研磨用工具プレートは、上記母
粒子に対して弾性変形を有する構造となり、母粒子の動
きが適度に制御されることによって、加工能率が向上
し、研磨面の高平坦化が図れ、また、スクラッチが入る
おそれがなく、さらに、加工面の摩耗が比較的少なく長
寿命の研磨用工具プレートが実現される。
【0012】好適な一例では、上記基材のショア硬度
は、母粒子のショア硬度の2/3以下である。これによ
り、加工時、被研磨体及び研磨用工具プレート間に働く
押圧力は、研磨用工具プレートが弾性変形することによ
って適度に吸収され、研磨用工具プレートの摩耗が軽減
されて、研磨用定盤の長寿命化が実現される。
【0013】他の好適な一例では、上記研磨用工具プレ
ートの加工面は、算術平均粗さ(Ra)で0.5〜10
μm、かつ、加工面の粗さの凹凸の平均間隔(Sm)が
50〜1000μmの表面粗さとなる不連続性凹凸面で
ある。これにより、母粒子の動きはさらに適度に制御さ
れ、加工能率が向上し、研磨面の高平坦化が図れ、さら
に、スクラッチが入るおそれがない研磨が実現できる。
【0014】他の好適な一例では、上記研磨用工具プレ
ートは、加工面の形状偏差が20μm以下の板状体から
なる。これにより、研磨面の高平坦化が可能な研磨用工
具プレートが実現される。
【0015】他の好適な一例では、上記基材は樹脂から
なる。これにより、工具プレートの加工面の摩耗を比較
的少なくすることができ、安価で研磨面の高平坦化が可
能な研磨用工具プレートが実現される。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる研磨用工具
プレートの一実施形態としての研磨用定盤について添付
図面を参照して説明する。
【0017】図1は、本発明に係わる研磨用定盤及びこ
れを用いた研磨方法の概念図である。
【0018】図1に示すように、本発明に係わる研磨用
定盤1は、母粒子2とその表面に保持される微細砥粒3
とからなる研磨剤4を用いた研磨方法に用いられ、緻密
でかつ母粒子2のショア硬度よりも小さいショア硬度を
もつ基材からなっている。これにより、研磨用定盤1
は、母粒子に対して弾性変形を有する構造となり、母粒
子2の移動自由度が適度に制御されることで、特に加工
能率の向上が図れるとともに、研磨面の高平坦化が図
れ、また、スクラッチが入るおそれがなくなる。
【0019】上記研磨用定盤1の基材は、そのショア硬
度が母粒子2のショア硬度の2/3以下になるような材
質を用いるのが好ましく、例えば、天然ゴム、ウレタン
ゴム、シリコンゴム、ブチルゴム、多硫化ゴム、フッ素
ゴム、クロロプレンゴム、エチレン・プロピレンゴム、
ポリブタジエンゴム、ニトリルゴムなどの合成ゴム等あ
るいは、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレ
ン、ポリ塩化ビニル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリ
カーボネート、ポリエステル、シリコーンなどの樹脂で
単独あるいは複数種類の共重合体であって、分子量の調
整や、硬化剤、可塑剤、フィラー、短繊維などの添加に
よりそのショア硬度を40Hs程度に調整したものが好
ましい。これにより、被研磨体5及び定盤1間に押圧力
が働き、定盤1が弾性変形することで、母粒子2が定盤
1に押し込まれ、定盤1に対する母粒子2の運動が制限
されることによって、定盤1の摩耗が軽減されて、定盤
1が長寿命になる。定盤1のショア硬度が母粒子のショ
ア硬度の2/3を超えると、被研磨体及び定盤間に押圧
力が働いても、定盤1が弾性変形し難く、母粒子での運
動が過度に制御されず、定盤の摩耗が増して、定盤の寿
命が短くなる。
【0020】また、研磨用定盤1の加工面6は、凹部7
及び凸部8が形成され、JISB0601−1994に
基づく算術平均粗さ(Ra)で0.5〜10μmの表面
粗さとなる不連続性凹凸面であるのが好ましい。これに
より、母粒子の動きは制御され、加工能率が向上し、研
磨面の高平坦化が図れ、さらに、スクラッチが入るおそ
れがない研磨が実現できる。算術平均粗さ(Ra)が
0.5未満の表面粗さであると、定盤1の母粒子2を保
持する力が不充分になって、加工能力が小さくなり、特
にRaが極めて小さい場合には、母粒子が定盤と被研磨
体の間に滞留することなく、被研磨体が定盤に接触し、
多数のスクラッチが生じてしまう不具合がある。また、
(Ra)が10μmを超えると、定盤1の加工面6の凹
部7に母粒子2が入ってしまい、凸部8が直接被研磨体
5に接触して、直接被研磨体5の研磨面にスクラッチを
発生させ、また、母粒子2が沈んでしまい、加工能力が
小さくなる。
【0021】さらに、加工面6の粗さの凹凸の平均間隔
(Sm:JIS B0601−1994)が50〜10
00μmであるのが好ましい。これにより、適切に母粒
子2を保持し、高い加工能率が実現する。(Sm)が5
0μm未満だと母粒子を保持する力が低下することで加
工に作用する母粒子数が減少してしまい、また、(S
m)が1000μmを超えると凹部での母粒子の保持す
る力が小さいため加工に作用する母粒子が減少し、加工
能率が低下する。
【0022】上記不連続性凹凸とは、例えば、フェイシ
ング加工、放射溝付け加工等により形成される連続性の
ある溝等による凹凸面ではなく、ランダムな凹凸面を意
味するが、より好ましくは、任意な2点の断面曲線の形
状が同じとなることがないような不連続性凹凸面であ
る。これにより、研磨面で母粒子が面内一様に保持さ
れ、被研磨体の加工能率の向上、高平坦化等の効果が得
られる。なお、例えば研削加工面は目視により加工条痕
が直線、曲線等の連続性が一見あるように見えるが、任
意の2点での断面曲線の形状は同じとならないため、同
等の効果が得られる。これに対して、例えば、加工面が
数カ所の断面形状が同一となるような高さ数十μmの山
と谷からなる同心円状の連続性のある凹凸面であると、
母粒子が選択的に保持されるため被研磨体に形状が転写
され高平坦化が実現できない。
【0023】また、研磨用定盤1は、加工面6の形状偏
差(JIS B0621−1984)が20μm以下の
板状体で形成されるのが好ましい。形状偏差が20μm
を超えるとプレート凸部により被研磨体の一部が選択的
に研磨されるため研磨面の高平坦化が実現し難い。な
お、形状偏差とは、加工面が平面である場合には平面度
を、また、球面、曲面などの場合には面の輪郭度を意味
する。
【0024】また、加工面6はラッピングあるいは化学
的処理によって粗されて、凹凸が形成され、所定の粗さ
と形状偏差になる。
【0025】次に本発明に係わる研磨用工具プレートを
用いた複合粒子研磨方法について説明する。
【0026】図1に示すように、本発明に係わる研磨用
工具プレートを用いた複合粒子研磨方法は、被研磨体5
と上述した本発明の研磨用定盤1間に母粒子2とその表
面に保持される微細砥粒3とからなる研磨剤4を所定量
供給して、研磨用定盤1の加工面6を被研磨体5に対し
て接触させながら相対運動させて研磨するものである。
微細砥粒3は静電気力、ファンデルワールス力または機
械的な力によって母粒子2の表面に保持される。
【0027】上記母粒子2は、真球状微粒子ポリマーで
あり、この真球状微粒子ポリマーは弾性を有するためラ
ップ加工において被研磨体5の研磨面に傷痕を残すこと
はない。また、真球状微粒子ポリマーは200〜100
0Åの細孔を有する多孔質であってもよく、具体的に
は、真球状微粒子ポリマーは、少なくとも一種類のウレ
タン、ナイロン、ポリイミドまたはポリエステルから形
成される。また、母粒子2は、粒径が例えば0.5〜5
0μmの真球状微粒子ポリマーであり、そのショア硬度
は80Hs程度である。母粒子として上記微粒子ポリマ
ー以外のマイクロビーズを使用することもできる。具体
的にはマイクロビーズは少なくとも一種類のカーボンマ
イクロビーズ、ガラスビーズ、アクリルビーズ、メソカ
ーボンビーズから形成される。
【0028】上記微細砥粒3は、少なくとも一種類のコ
ロイダルシリカ、アルミナまたは酸化セリウムから形成
される。
【0029】スペーシング9は実質的に母粒子2の粒径
値にするのが好ましい。また、研磨剤と研磨剤の間の空
間はチップポケットとして作用し、これによりスクラッ
チが防止される。
【0030】上述のように本発明に係わる研磨用工具プ
レートを用いて複合粒子研磨を行うことにより、研磨用
工具プレートが母粒子のショア硬度よりも小さいショア
硬度をもつので、研磨用定盤の加工面は摩耗を比較的少
なくするとともに、被研磨体の算術平均粗さRaが3n
m以下の表面粗さとなる鏡面研磨を実現することができ
る。
【0031】
【実施例】試験1:本発明に係わる複合粒子研磨方法を
用いてシリコンウェーハを研磨し、研磨状態と研磨能率
を調べ、比較する。
【0032】
【外1】
【0033】
【表1】
【0034】(測定)上記条件により実施し、被研磨体
加工面をテーラー・ホブソン社製表面形状粗さ測定装置
フォームタリサーフ2型を用い規定の測定方法により数
カ所測定した。なお、測定時のカットオフ値及び評価長
さは、JIS B−0601−1994の表1に基づき
設定を行った。
【0035】(結果)研磨用定盤のウレタンゴムプレー
トがショア硬度40Hs、母粒子のアクリルのショア硬
度が80Hsの実施例は、表面粗さRa2〜2.5nm
の鏡面加工が達成でき、さらに20時間加工を行った後
の加工能率も変化はなかった。これに対して同条件で加
工したソーダガラス工具定盤の比較例では、表面粗さR
a2ないし2.5nmという鏡面加工が達成できたが、
さらに20時間加工を行った後の加工能率(μm/mi
n)は約10%の低下が見られた。
【0036】
【発明の効果】本発明に係わる研磨用工具プレートによ
れば、母粒子とその表面に保持される微細砥粒とからな
る研磨剤を用いた研磨方法に使用される研磨用工具プレ
ートであって、加工能率が向上し、研磨面の高平坦化が
図れ、また、スクラッチが入るおそれがなく、さらに、
加工面の摩耗が比較的少なく長寿命の研磨用工具プレー
トを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる研磨用工具プレートの実施形態
の研磨用定盤及びこれを用いた研磨方法の概念図。
【符号の説明】
1 研磨用定盤 2 母粒子 3 微細砥粒 4 研磨剤 5 被研磨体 6 加工面 7 凹部 8 凸部 9 スペーシング
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷 泰弘 東京都世田谷区宮坂3丁目47番12号 (72)発明者 河田 研治 神奈川県横浜市泉区和泉町7407−1−306 (72)発明者 榎本 俊之 東京都世田谷区赤堤1−19−16 (72)発明者 礪波 時夫 東京都昭島市武蔵野3丁目4番1号 日本 ミクロコーティング株式会社内 (72)発明者 戸川 千裕 神奈川県秦野市曽屋30番地 東芝セラミッ クス株式会社秦野事業所内 Fターム(参考) 3C058 AA07 AA11 CB01 CB03 DA17

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 母粒子とその表面に保持される微細砥粒
    とからなる研磨剤を用いた研磨方法に使用される研磨用
    工具プレートであって、緻密でかつ前記母粒子のショア
    硬度よりも小さいショア硬度をもつ基材からなることを
    特徴とする研磨用工具プレート。
  2. 【請求項2】 上記基材のショア硬度は、母粒子のショ
    ア硬度の2/3以下であることを特徴とする請求項1に
    記載の研磨用工具プレート。
  3. 【請求項3】 上記研磨用工具プレートの加工面は、算
    術平均粗さ(Ra)が0.5〜10μm、かつ、加工面
    の粗さの凹凸の平均間隔(Sm)が50〜1000μm
    の表面粗さとなる不連続性凹凸面であることを特徴とす
    る請求項1または2に記載の研磨用工具プレート。
  4. 【請求項4】 上記研磨用工具プレートは、加工面の形
    状偏差が20μm以下の板状体からなることを特徴とす
    る請求項1ないし3のいずれか1項に記載の研磨用工具
    プレート。
  5. 【請求項5】 上記基材は樹脂からなることを特徴とす
    る請求項1ないし4のいずれか1項に記載の研磨用工具
    プレート。
JP2002126259A 2002-04-26 2002-04-26 研磨用工具プレート Withdrawn JP2003311606A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2005322788A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005322788A (ja) * 2004-05-10 2005-11-17 Toyo Tire & Rubber Co Ltd 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法
JP4514199B2 (ja) * 2004-05-10 2010-07-28 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッド及び半導体デバイスの製造方法

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