JP2003311457A5 - - Google Patents

Claims (7)

1. 超短パルスレーザに対してパルスのチャープ方向を制御するチャープ制御ステップと、
   上記パルスのチャープ方向を制御した超短パルスレーザを集光して被加工物に照射する集光照射ステップとを有し、
   被加工物に照射する超短パルスレーザに対するパルスのチャープ方向を制御することによって加工閾値を変化させるようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
2. 超短パルスレーザに対してパルスのチャープ量を制御するチャープ制御ステップと、
   上記パルスのチャープ量を制御した超短パルスレーザを集光して被加工物に照射する集光照射ステップとを有し、
   被加工物に照射する超短パルスレーザに対するパルスのチャープ量を制御することによって加工閾値を変化させるようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
3. 超短パルスレーザに対してパルスのチャープ方向とチャープ量を制御するチャープ制御ステップと、
   上記パルスのチャープ方向とチャープ量を制御した超短パルスレーザを集光して被加工物に照射する集光照射ステップとを有し、
   被加工物に照射する超短パルスレーザに対するパルスのチャープ方向とチャープ量を制御することによって加工閾値を変化させるようにしたことを特徴とするレーザ加工方法。
4. 紫外領域の超短パルスレーザを発生する光源と、
   上記光源から発生した超短パルスレーザに対してパルスのチャープ方向を制御するチャープ制御手段と、
   上記チャープ制御手段によりパルスのチャープ方向が制御された超短パルスレーザを集光して被加工物に照射する集光照射手段とを備え、
   被加工物に照射する超短パルスレーザに対するパルスのチャープ方向を制御することによって加工閾値を変化させるようにしたことを特徴とするレーザ加工装置。
5. 紫外領域の超短パルスレーザを発生する光源と、
   上記光源から発生した超短パルスレーザに対してパルスのチャープ量を制御するチャープ制御手段と、
   上記チャープ制御手段によりパルスのチャープ量が制御された超短パルスレーザを集光して被加工物に照射する集光照射手段とを備え、
   被加工物に照射する超短パルスレーザに対するパルスのチャープ量を制御することによって加工閾値を変化させるようにしたことを特徴とするレーザ加工装置。
6. 紫外領域の超短パルスレーザを発生する光源と、
   上記光源から発生した超短パルスレーザに対してパルスのチャープ方向とチャープ量を制御するチャープ制御手段と、
   上記チャープ制御手段によりパルスのチャープ方向とチャープ量が制御された超短パルスレーザを集光して被加工物に照射する集光照射手段とを備え、
   被加工物に照射する超短パルスレーザに対するパルスのチャープ方向とチャープ量を制御することによって加工閾値を変化させるようにしたことを特徴とするレーザ加工装置。
7. 上記チャープ制御手段は、超短パルスレーザに対してポジティブチャープを与える第１のプリズムペア及びネガティブチャープを与える第２のプリズムペアとを備え、
   第１のプリズムペア又は第２のプリズムペアの少なくとも一方を構成している石英プリズムを互いに平行に相対移動させることによって、上記石英プリズム内の光路長を操作して、チャープ量及びチャープ方向を制御することを特徴とする請求項４乃至請求項６のい ずれか１項記載のレーザ加工装置。