JP2003309403A - 高周波回路基板 - Google Patents
高周波回路基板Info
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- JP2003309403A JP2003309403A JP2002114095A JP2002114095A JP2003309403A JP 2003309403 A JP2003309403 A JP 2003309403A JP 2002114095 A JP2002114095 A JP 2002114095A JP 2002114095 A JP2002114095 A JP 2002114095A JP 2003309403 A JP2003309403 A JP 2003309403A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】低誘電率，低誘電損失の誘電体基板としては、
一般的にガラス繊維に四フッ化エチレンを含浸させたも
のが用いられ、これらは低ヤング率であるため、型によ
る打ち抜きや、ルータ等による切断の製造工程で、前記
グランド面からバリが発生する。 【解決手段】高周波回路基板のマイクロストリップ線路
のグランドを形成する面の高周波回路基板外周部は金属
が存在しないようにする。 【効果】本発明によれば、高周波回路基板のバリの発生
をなくし、基板の搭載性を向上するとともに、接着剤等
の基板への印刷性の向上、ひいては、ＧＮＤが浮くこと
なく安定した高周波特性を得ることができる誘電体共振
器への電磁気的影響度が小さく、また、送受信間のアイ
ソレーションを損なう事無く、プレス型寿命を長くでき
るフィルタカバーを作成できる。
一般的にガラス繊維に四フッ化エチレンを含浸させたも
のが用いられ、これらは低ヤング率であるため、型によ
る打ち抜きや、ルータ等による切断の製造工程で、前記
グランド面からバリが発生する。 【解決手段】高周波回路基板のマイクロストリップ線路
のグランドを形成する面の高周波回路基板外周部は金属
が存在しないようにする。 【効果】本発明によれば、高周波回路基板のバリの発生
をなくし、基板の搭載性を向上するとともに、接着剤等
の基板への印刷性の向上、ひいては、ＧＮＤが浮くこと
なく安定した高周波特性を得ることができる誘電体共振
器への電磁気的影響度が小さく、また、送受信間のアイ
ソレーションを損なう事無く、プレス型寿命を長くでき
るフィルタカバーを作成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路基板の
パターン形成方法に関する。
パターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ミリ波を使用する自動車レーダや３００
ＭＨｚ以上の周波数帯の電波を用いる高周波無線通信装
置及び無線端末機は、伝送損失を低減するため低誘電
率，低誘電損失の誘電体基板５１を用いている。高周波
回路基板５３は、前記誘電体基板５１の両面に金属５４
を具備した大きな基板一枚にホトリソグラフィー技術に
よって多数個作成され、型による打ち抜きや、ルータ等
による切断機によって分割され作成される。
ＭＨｚ以上の周波数帯の電波を用いる高周波無線通信装
置及び無線端末機は、伝送損失を低減するため低誘電
率，低誘電損失の誘電体基板５１を用いている。高周波
回路基板５３は、前記誘電体基板５１の両面に金属５４
を具備した大きな基板一枚にホトリソグラフィー技術に
よって多数個作成され、型による打ち抜きや、ルータ等
による切断機によって分割され作成される。
【０００３】この時、高周波回路基板５３にはマイクロ
ストリップ線路やコプレーナ線路が形成され、特に、マ
イクロストリップ線路５０の場合は、伝送線路の誘電体
基板５１を介した反対面にはグランド５２が形成され
る。このような構造の高周波回路基板５３の一例として
図５の特開２００１−２１７３３２号がある。
ストリップ線路やコプレーナ線路が形成され、特に、マ
イクロストリップ線路５０の場合は、伝送線路の誘電体
基板５１を介した反対面にはグランド５２が形成され
る。このような構造の高周波回路基板５３の一例として
図５の特開２００１−２１７３３２号がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、低誘電率，低
誘電損失の誘電体基板としては、一般的にガラス繊維に
四フッ化エチレンを含浸させたものが用いられ、これら
は低ヤング率であるため、型による打ち抜きや、ルータ
等による切断の製造工程で、前記グランド面からバリが
発生する。
誘電損失の誘電体基板としては、一般的にガラス繊維に
四フッ化エチレンを含浸させたものが用いられ、これら
は低ヤング率であるため、型による打ち抜きや、ルータ
等による切断の製造工程で、前記グランド面からバリが
発生する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、前記高周波回路基板のマイクロストリップ線路のグ
ランドを形成する面の高周波回路基板外周部は金属が存
在しないようにする。
に、前記高周波回路基板のマイクロストリップ線路のグ
ランドを形成する面の高周波回路基板外周部は金属が存
在しないようにする。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１，図２を用い、本発明の高周
波回路基板を説明する。
波回路基板を説明する。
【０００７】まず、構成を説明する。
【０００８】図１（ａ），（ｂ），（ｃ）はミリ波レー
ダ用の高周波回路基板１６を上，横，下から見た図であ
る。誘電体基板１はガラス繊維を交互におりこんだもの
に四フッ化エチレンを含浸させて成る。その両面にＣｕ
箔２を熱圧着し、両面を貫通するスルービア５を作成
し、Ｃｕメッキ２することによりスルービア５に導通を
とる。Ｃｕ箔２をホトリソグラフィプロセスにより一方
の面にマイクロストリップ線路１８の高周波回路１９
を、他方の面にグラウンド３を形成する。ソルダーレジ
ストを印刷した後に更に無電解Ｎｉ，Ａｕメッキ２を行
う。高周波回路１９を形成する面には、ＶＣＯ７（Volt
age Control Oscillator），ＰＡ８(PowerAmp），Mixer
６等のＭＭＩＣ(Microwave Monolithic Integrated Cir
cuit）を搭載できるようにパターンニングしている。ま
た、各ＭＭＩＣにバイアス電圧を供給するためのバイア
ス線路９もパターンニングしている。高周波回路１９を
形成する面のグランド３と他方の面のグランド３とは多
数のスルービア５によりつながっている。この高周波回
路基板１６は、図２に示すようにおおきな誘電体シート
１０から多数個取りできる構成となっており、回路がパ
ターンニングされると最後に高周波回路基板１６の外周
を型により打ち抜くか、ルータ等により切断する。
ダ用の高周波回路基板１６を上，横，下から見た図であ
る。誘電体基板１はガラス繊維を交互におりこんだもの
に四フッ化エチレンを含浸させて成る。その両面にＣｕ
箔２を熱圧着し、両面を貫通するスルービア５を作成
し、Ｃｕメッキ２することによりスルービア５に導通を
とる。Ｃｕ箔２をホトリソグラフィプロセスにより一方
の面にマイクロストリップ線路１８の高周波回路１９
を、他方の面にグラウンド３を形成する。ソルダーレジ
ストを印刷した後に更に無電解Ｎｉ，Ａｕメッキ２を行
う。高周波回路１９を形成する面には、ＶＣＯ７（Volt
age Control Oscillator），ＰＡ８(PowerAmp），Mixer
６等のＭＭＩＣ(Microwave Monolithic Integrated Cir
cuit）を搭載できるようにパターンニングしている。ま
た、各ＭＭＩＣにバイアス電圧を供給するためのバイア
ス線路９もパターンニングしている。高周波回路１９を
形成する面のグランド３と他方の面のグランド３とは多
数のスルービア５によりつながっている。この高周波回
路基板１６は、図２に示すようにおおきな誘電体シート
１０から多数個取りできる構成となっており、回路がパ
ターンニングされると最後に高周波回路基板１６の外周
を型により打ち抜くか、ルータ等により切断する。
【０００９】この時、高周波回路１９の他方の面である
グランド３は全面グランドとすると、誘電体基板１はヤ
ング率が小さいので打ち抜き加工時もしくはルータ加工
時にバリが発生することになり、高周波回路基板１６の
搭載性が悪くなったり、また、高周波回路基板１６の接
合には、マイクロストリップ線路１８全体のグランド電
位レベルを均一に得るために導電性の接着剤を２０μｍ
程度と極めて薄くぬる必要があるので、印刷することに
なるが、前記バリにより印刷のマスクが破れてしまった
りするという問題が生じる。
グランド３は全面グランドとすると、誘電体基板１はヤ
ング率が小さいので打ち抜き加工時もしくはルータ加工
時にバリが発生することになり、高周波回路基板１６の
搭載性が悪くなったり、また、高周波回路基板１６の接
合には、マイクロストリップ線路１８全体のグランド電
位レベルを均一に得るために導電性の接着剤を２０μｍ
程度と極めて薄くぬる必要があるので、印刷することに
なるが、前記バリにより印刷のマスクが破れてしまった
りするという問題が生じる。
【００１０】そこで、グランド面において、高周波回路
基板１６外周部４はＣｕ箔／Ｃｕメッキ／Ｎｉメッキ／
Ａｕメッキ２がないようにパターニングしておくことに
より前記不具合は発生せず、また費用も発生することな
く対策できるので非常にすぐれた構造となる。
基板１６外周部４はＣｕ箔／Ｃｕメッキ／Ｎｉメッキ／
Ａｕメッキ２がないようにパターニングしておくことに
より前記不具合は発生せず、また費用も発生することな
く対策できるので非常にすぐれた構造となる。
【００１１】第２実施例
次に第２実施例について図３を用い説明する。
【００１２】図３はミリ波レーダ用のアンテナ基板１３
である。構成は第１実施例における高周波回路基板１６
と同じでありメッキが無電解メッキでなく電解メッキで
ある。この時第１実施例と同じ効果を得るためにアンテ
ナ基板のグランド３面の外周部４はＣｕ箔／Ｃｕメッキ
／Ｎｉメッキ／Ａｕメッキ２がないようにパターニング
をしておく。
である。構成は第１実施例における高周波回路基板１６
と同じでありメッキが無電解メッキでなく電解メッキで
ある。この時第１実施例と同じ効果を得るためにアンテ
ナ基板のグランド３面の外周部４はＣｕ箔／Ｃｕメッキ
／Ｎｉメッキ／Ａｕメッキ２がないようにパターニング
をしておく。
【００１３】この時、メッキは電解メッキであり、フォ
トリソグラフィー工程において、外周部４は一部メッキ
が存在するようにしておかなければ次のＮｉ，Ａｕメッ
キ工程においてグランドパターン面に電流がながれずメ
ッキが生成せず問題が生じる。
トリソグラフィー工程において、外周部４は一部メッキ
が存在するようにしておかなければ次のＮｉ，Ａｕメッ
キ工程においてグランドパターン面に電流がながれずメ
ッキが生成せず問題が生じる。
【００１４】そこで、フォトリソグラフィー工程におい
て、外周部４は一部のみメッキ用電極１１を設ければ、
第１実施例と同じ効果を電解メッキを使用するアンテナ
基板１３においても得ることができるので非常に優れて
いる。
て、外周部４は一部のみメッキ用電極１１を設ければ、
第１実施例と同じ効果を電解メッキを使用するアンテナ
基板１３においても得ることができるので非常に優れて
いる。
【００１５】第１実施例，第２実施例については、基板
が１枚の場合について説明したが、これらは複数の基板
を重ねる場合についてもバリの存在は問題となるので外
周部に金属を設けないことにより第１実施例，第２実施
例と同じく優れた効果を得ることができる。
が１枚の場合について説明したが、これらは複数の基板
を重ねる場合についてもバリの存在は問題となるので外
周部に金属を設けないことにより第１実施例，第２実施
例と同じく優れた効果を得ることができる。
【００１６】また、第１実施例，第２実施例について
は、マイクロストリップ線路の場合について説明した
が、これらは何ら本発明を制限するものではなく、コプ
レーナ線路についても同様のことがいえる。
は、マイクロストリップ線路の場合について説明した
が、これらは何ら本発明を制限するものではなく、コプ
レーナ線路についても同様のことがいえる。
【００１７】また、第１実施例，第２実施例について
は、外周部のみＣｕ箔／Ｃｕメッキ／Ｎｉメッキ／Ａｕ
メッキ２がないようにパターニングすると説明したが、
高周波回路基板やアンテナ基板の基板内にキャビティが
存在する場合については、そのキャビティについても外
周と同じ扱いである。
は、外周部のみＣｕ箔／Ｃｕメッキ／Ｎｉメッキ／Ａｕ
メッキ２がないようにパターニングすると説明したが、
高周波回路基板やアンテナ基板の基板内にキャビティが
存在する場合については、そのキャビティについても外
周と同じ扱いである。
【００１８】また、高周波回路基板は非常に柔らかく、
外周の型の抜き方向に関係なくバリは発生するので本特
許は有効である。
外周の型の抜き方向に関係なくバリは発生するので本特
許は有効である。
【００１９】ミリ波レーダの説明図４を用いて本発明に
よる高周波回路基板１６とアンテナ基板１３を用いたミ
リ波レーダについて説明する。ミリ波レーダは高周波部
１２と制御部１７により構成される。
よる高周波回路基板１６とアンテナ基板１３を用いたミ
リ波レーダについて説明する。ミリ波レーダは高周波部
１２と制御部１７により構成される。
【００２０】高周波部１２について説明する。７６.５
ＧＨｚ で発振するＶＣＯ７から信号が伝送され、ＰＡ
８により増幅された信号は、同軸線１５を介して送信ア
ンテナ１３．１に給電される。そして目標物からの反射
波は受信アンテナ１３．２にはいりMixer６によりＶＣ
Ｏ７の信号と混合されてＩＦ(Intermediate frequenc
y）信号が生成される。この時、高周波回路基板１６や
アンテナ基板１３のグランドにバリがあると、基板がケ
ースに密着して接合されず、浮くこととなる。従って、
信号の波長と比較して大きくＧＮＤ不定の領域がでるこ
とになり特性が大きく劣化することになる。
ＧＨｚ で発振するＶＣＯ７から信号が伝送され、ＰＡ
８により増幅された信号は、同軸線１５を介して送信ア
ンテナ１３．１に給電される。そして目標物からの反射
波は受信アンテナ１３．２にはいりMixer６によりＶＣ
Ｏ７の信号と混合されてＩＦ(Intermediate frequenc
y）信号が生成される。この時、高周波回路基板１６や
アンテナ基板１３のグランドにバリがあると、基板がケ
ースに密着して接合されず、浮くこととなる。従って、
信号の波長と比較して大きくＧＮＤ不定の領域がでるこ
とになり特性が大きく劣化することになる。
【００２１】参考までに信号の波長は基板の比誘電率が
２.２とすると７６.５ＧＨｚの時２.６mmとなり、その
１／４波長である約０.６mm以上の基板浮きは問題とな
ってくる。
２.２とすると７６.５ＧＨｚの時２.６mmとなり、その
１／４波長である約０.６mm以上の基板浮きは問題とな
ってくる。
【００２２】従って、本発明はミリ波レーダの特性の上
からも有効で非常に優れた発明といえる。
からも有効で非常に優れた発明といえる。
【００２３】制御部１７は、ＩＦ信号から信号解析を行
い、相対速度情報，角度情報，距離情報をえる。
い、相対速度情報，角度情報，距離情報をえる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、高周波回路基板のバリ
の発生をなくし、基板の搭載性を向上するとともに、接
着剤等の基板への印刷性の向上、ひいては、ＧＮＤが浮
くことなく安定した高周波特性を得ることができる。
の発生をなくし、基板の搭載性を向上するとともに、接
着剤等の基板への印刷性の向上、ひいては、ＧＮＤが浮
くことなく安定した高周波特性を得ることができる。
【図１】本発明の第１実施例を示す図。
【図２】本発明の第１実施例を説明補足する図。
【図３】本発明の第２実施例。
【図４】本発明の応用例。
【図５】従来例。
１…誘電体基板、２…Ｃｕ箔／Ｃｕメッキ／Ｎｉメッキ
／Ａｕメッキ、３…グランド、４…外周部、５…スルー
ビア、６…Mixer 、７…ＶＣＯ、８…ＰＡ、９…バイア
ス線路、１０…誘電体シート、１１…メッキ用電極、１
２…高周波部、１３…アンテナ基板、１３．１…送信ア
ンテナ、１３．２…受信アンテナ、１４…ケース、１５
…同軸線、１６…高周波回路基板、１７…制御部、１８
…マイクロストリップ線路、１９…高周波回路。
／Ａｕメッキ、３…グランド、４…外周部、５…スルー
ビア、６…Mixer 、７…ＶＣＯ、８…ＰＡ、９…バイア
ス線路、１０…誘電体シート、１１…メッキ用電極、１
２…高周波部、１３…アンテナ基板、１３．１…送信ア
ンテナ、１３．２…受信アンテナ、１４…ケース、１５
…同軸線、１６…高周波回路基板、１７…制御部、１８
…マイクロストリップ線路、１９…高周波回路。
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フロントページの続き
(72)発明者 磯野 忠
茨城県ひたちなか市高場2477番地 株式会
社日立カーエンジニアリング内
(72)発明者 松浦 一雄
茨城県ひたちなか市大字高場2520番地 株
式会社日立製作所自動車機器グループ内
Ｆターム(参考） 5J014 CA53 CA56
Claims (4)
- 【請求項１】低誘電率かつ低ヤング率の誘電体基板とそ
の両面にＣｕ等の金属を具備し、マイクロストリップ線
路を構成することにより高周波回路を形成する高周波回
路基板において、前記高周波回路基板は前記高周波回路
基板よりおおきな基板から多数個取りできる構成となっ
ており、前記高周波回路基板のマイクロストリップ線路
のグランドを形成する面の高周波回路基板外周部は金属
が存在しないことを特徴とする高周波回路基板。 - 【請求項２】請求項第１項記載の金属はＣｕ，Ｎｉ，Ａ
ｕ等の多層構造で、金属の一部もしくは全部が電解メッ
キにより構成される高周波回路基板において、マイクロ
ストリップ線路のグランドを形成する面の外周部は一部
のみ金属が存在することを特徴とする高周波回路基板。 - 【請求項３】請求項１項及び請求項２項に記載の高周波
回路基板は、誘電体基板と金属が交互に複数重ねられた
多層構造であることを特徴とする高周波回路基板。 - 【請求項４】請求項１〜３項記載のマイクロストリップ
線路がコプレーナ線路であり、前記コプレーナ線路と誘
電体基板を介した反対面がグランドであることを特徴と
する高周波回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002114095A JP2003309403A (ja) | 2002-04-17 | 2002-04-17 | 高周波回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002114095A JP2003309403A (ja) | 2002-04-17 | 2002-04-17 | 高周波回路基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006000014A Division JP2006101562A (ja) | 2006-01-04 | 2006-01-04 | ミリ波レーダ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003309403A true JP2003309403A (ja) | 2003-10-31 |
Family
ID=29396036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002114095A Pending JP2003309403A (ja) | 2002-04-17 | 2002-04-17 | 高周波回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003309403A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952365B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-05-31 | Nec Corporation | Resonator, printed board, and method for measuring complex dielectric constant |
| CN109375215A (zh) * | 2018-10-09 | 2019-02-22 | 深圳卓影科技有限公司 | 车内生命体探测方法、装置、计算机设备及存储介质 |
| US10326489B2 (en) | 2011-06-21 | 2019-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module |
-
2002
- 2002-04-17 JP JP2002114095A patent/JP2003309403A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7952365B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-05-31 | Nec Corporation | Resonator, printed board, and method for measuring complex dielectric constant |
| US10326489B2 (en) | 2011-06-21 | 2019-06-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Circuit module |
| CN109375215A (zh) * | 2018-10-09 | 2019-02-22 | 深圳卓影科技有限公司 | 车内生命体探测方法、装置、计算机设备及存储介质 |
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