JP2003309312A

JP2003309312A - 光モジュール

Info

Publication number: JP2003309312A
Application number: JP2002111457A
Authority: JP
Inventors: Hiroyasu Sasaki; 博康佐々木; Masanobu Okayasu; 雅信岡安; Hideyuki Kuwano; 英之桑野
Original assignee: Opnext Japan Inc
Current assignee: Opnext Japan Inc
Priority date: 2002-04-15
Filing date: 2002-04-15
Publication date: 2003-10-31
Also published as: US20030193095A1; CN1451976A; EP1355179A2

Abstract

(57)【要約】【課題】光素子と半導体ＩＣとを一つのケースに内蔵さ
せた、光通信モジュールにおいて、光素子への半導体Ｉ
Ｃからの熱の影響を遮断し、半導体ＩＣと光結合用レン
ズとの干渉無しに、高周波特性の優れた光通信モジュー
ルを構成する。【解決手段】光素子とそれを駆動する半導体ＩＣをケー
ス内に設ける光モジュールにおいて、光素子10を登載し
た金属材ステム35に配線板を11設け、光素子10を電気的
に駆動する半導体ＩＣ30と配線板11とをワイヤ16で接続
し、さらに配線板11と光素子10とをワイヤ16で接続す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光モジュール、更
に詳しく言えば、半導体光素子とそれを駆動する半導体
ＩＣ等の電子回路部品を同一のパッケージに内蔵した光
モジュール、特に通信システムに用いられる光通信モジ
ュールに関する。

【０００２】

【従来の技術】現在、基幹系の通信の伝送媒体は光ファ
イバが主流であり、近年の通信トラフィックの増大に伴
い、１本の光ファイバで多くの情報が伝送可能となるよ
うに高速化と多重化が進められてきている。この状況の
中で、通信網を構成するハードウェアには、高性能化の
みならず、小型化・低価格化が求められている。このた
め、光−電気変換を行う光通信モジュールにおいて、増
幅回路や駆動回路を光素子と共に同一のパッケージに内
蔵する必要性が高まってきている。

【０００３】電気信号を光に変換する半導体レーザや半
導体変調器等の半導体光素子は、温度によって特性や寿
命が大きく変動する。このため波長の安定性や長寿命が
必要とされる光通信モジュールでは、これらの半導体素
子はペルチェ素子の上に搭載する構造のものが使用され
ている。一方増幅回路や駆動回路等の半導体ＩＣは熱的
には発熱源であるため、通常は上記光素子と同一のケー
ス内に実装されることは少ない。

【０００４】しかし、信号の高速伝送を実現するうえで
は、増幅回路や駆動回路を構成する半導体ＩＣと上記光
素子とを近接して配置・接続したほうが高周波の信号伝
送上有利であり、同一のケースに両者を内蔵することが
望まれる。また価格の面でも、部品数が減るため有利で
ある。そのため光モジュールを、半導体光素子を登載す
る台座と半導体ＩＣを登載する台座とを別個にして半導
体ＩＣと半導体光素子とを熱的に隔離し、半導体ＩＣと
光素子とを近接して配置してその間を直接ワイヤボンデ
ィングで接続して、良好な高周波特性を確保するという
構造が提案されている。

【０００５】例えば、（１）半導体レーザダイオード
（以下ＬＤと略称）ドライバＩＣをヒートシンク上に直
接登載し、さらにＬＤとドライバＩＣとを直接ワイヤボ
ンディングする構造のモジュール。ＩＣを直接ヒートシ
ンクに登載することで、放熱性に優れ、かつ内部配線基
板の形状を工夫して、ＩＣとドライバＩＣとを近接して
配置し、直接接続することで超高速信号の伝達を可能に
する（例えば、公開特許公報、特開平10-247758号）。（２）ＬＤをペルチェ素子の後方端部に配置し、LDドラ
イバ部をペルチェ素子の後方外側に配置し、ＬＤとＬＤ
ドライバとを直接ワイヤボンディングする構造の光モジ
ュール。ＬＤとＬＤドライバとを直接接続することで、
終端抵抗を用いることなく、高速動作を可能とし、さら
に終端抵抗の発熱による熱負荷を低減する（例えば、公
開特許公報特開平10-247757号）。（３）モジュール筐体内で、光素子、増幅素子、信号入
力端子をほぼ直線上に配置し、増幅素子と光素子とを直
接金属ワイヤで接続する構造の光モジュール。増幅素子
と光素子とを短い金属ワイヤで直接接続する事で、高周
波特性を向上させる（例えば、公開特許公報、特開2000-
91695号）。

【０００６】上記の従来例は、いずれもドライバＩＣと
ＬＤとを直接ワイヤボンディングで接続することで、高
速信号の伝達を可能としている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上記の従来例の光モジ
ュールでは、半導体ＩＣから光素子へ直接接続されてい
るワイヤを伝わる熱量について、ワイヤの熱抵抗が高い
ため無視できるとしている。しかし、より高い周波数の
信号で用いる場合には、ワイヤのインダクタンス成分低
減のため断面が円形ではなくリボン形状のワイヤが用い
られ、さらにそのワイヤ長を更に短くすることが必要で
ある。リボン形状のワイヤの熱抵抗は小さくなりワイヤ
を伝って光素子に流入する熱量は大きくなる。以下、ワ
イヤを伝導する熱量の影響を概算する。

【０００８】通常良く用いられる直径25オｍ、長さ１mm
の金ワイヤの熱抵抗は約6500（Ｋ／Ｗ）であるが、断面
25ｘ50オｍ、長さ1ｍｍの金リボンワイヤの熱抵抗は約26
00（Ｋ／Ｗ）である。高周波の伝送特性を良くするため
に、ワイヤの長さを短くした場合には、熱抵抗はさらに
小さくなる。

【０００９】ワイヤを伝導する熱の大部分は光素子接続
パッド下の素子能動領域（ＬＤでは発光する領域）以外
を流れ、一部が光素子の能動領域に流入する。能動領域
に流入する熱量を、能動領域に接続する電極とパッドを
含む電極の面積の比率相当とすると５ないし10％と見積
もられる。能動領域から光素子を登載している基板まで
の熱抵抗はおよそ60〜120（Ｋ／Ｗ）であり、光素子と
半導体ＩＣとの温度差が60度ある場合には、円断面の金
ワイヤ接続では、ワイヤによる熱流入による素子の能動
領域の温度上昇分は100分の数度から0.1度程度である。
この値は上記従来例に記載されている文献に記述されて
いるように無視できる値である。しかし、高周波の伝送
特性を良くするため、長さ0.5ｍｍの金リボンによる接
続を用いた場合には、この温度上昇分が0.1ないし0.5度
となる。

【００１０】ＤＦＢ構造の半導体レーザ素子では、温度
１度あたり0.1nmの波長変動が生じるので、最大で0.05n
mの波長変動が生じる。この値は、波長多重の光通信で
通常用いられる波長間隔である0.8ないし0.4nmに対し
て、無視できない大きさである。このように短い.リボ
ンワイヤを用いる光モジュールでは、ワイヤによる熱の
光素子への流入は、光素子の特性に影響を及ぼすように
なるため、光素子へ熱流入を除去又は低減する必要があ
る。この熱流入は、従来例では問題とはならなかったた
め、考慮されていない。

【００１１】また従来例では、図７に示すように、光結
合用レンズ19を配置した光軸方向17を前方として、光素
子10の斜め後方（ａ）か横（ｂ）に半導体ＩＣ20を配置
し、半導体ＩＣ20の四角形のチップの頂点付近から、接
続ワイヤ16ａを光素子10に接続しており、光素子10の周
辺にレンズ19や光量モニタ用ホトダイオード15を配置す
る構成となっている。

【００１２】高い周波数で用いるには、下述の理由によ
り、半導体ＩＣの信号端子（電極パッド）が、チップの
辺の中央に配置される場合が多く、その場合、図７に示
す配置は困難となる。回路として差動増幅の回路形式を
用いるため、正相逆相用の信号回路の素子を半導体ＩＣ
内部で対称に配置し、これにともない接続端子は正相と
逆相の２本の信号線を設ける。さらに半導体ＩＣの機能
部分、これは放熱及び配線の利便性のためＩＣチップ中
央に配置されるが、この機能部分からＩＣチップ外縁の
接続パッドまでの配線部分は、グラウンドラインが信号
端子の両側に対称に配置されたコプレーナ形伝送線路と
なるよう、配線パターンを形成する。

【００１３】このため、細い配線ルールのＩＣの機能部
分から接続パッドまでの配線は、徐々に太くなるくさび
形の複数の配線パターンとなる。正逆両相の信号をコプ
レーナ形伝送線路で配線すると５本の配線が必要であ
り、正逆両相の信号を同等に扱いかつ信号とグラウンド
の配線長さをほぼ等しくなるようにすると、信号接続パ
ッドは、図８に示すように、ＩＣチップ20縁の中央に配
置することが必要となる。チップの右側にグラウンド端
子22Ｇ−逆相信号端子22Ｒ−グラウンド端子22Ｇ−正相
信号端子22Ｓ−グラウンド端子22Ｇの5個の電極からな
る出力電極パッド22があり、チップ左側には同様の構成
の入力電極パッド23がある。チップ中央には信号増幅等
の機能を担う機能領域21があり、機能領域21内での配線
の幅は1μｍ前後である。出力電極パッド22ならびに入
力電極パッド23のサイズは数10μｍから100μｍ程度で
あり、このため、機能領域21から出力電極パッド22なら
びに入力電極パッド23へは、徐々に幅が太くなる楔形の
配線パターン（図示せず）で接続され、その配線パター
ンはコプレーナ伝送線路を形成する。チップの上と下側
には、電源供給や制御用の電極パッド24が配置される。

【００１４】このような半導体ＩＣを用いて、光素子と
直接ワイヤボンディングで、ワイヤ長さが短くすると、
下述の様に、ＩＣと光素子前面に配置された光結合用レ
ンズとが干渉を生じる。図６はこの干渉を説明するため
の図である。（１）半導体ＩＣ20の光素子10への出力端子のある側の
辺長が例えば２mmであり、光素子への出力端子パッド22
がその辺の中央にある（２）光素子10の長さが0.6mmでその中央位置に接続電
極パッド22がある（３）光素子10の前面に配置する光結合用レンズ19とし
て、半導体レーザ向き光結合専用のレンズを用いると、
光素子側の作動距離すなわち光素子端面とレンズ表面の
間隔は0.2mmから0.4mmである。

【００１５】光素子とＩＣとを接続するワイヤが最短と
なるよう接続するには、光素子の接続パッドとＩＣの接
続パッドの両者を、光素子の光軸に対し垂直に配置する
必要がある。このように配置する上記の（１）と（２）
とから、ＩＣの横側の端辺は光素子の前面から0.7mmの
ところに位置することになる。このような場合、上記
（３）よりこのＩＣとレンズとが同一位置を占めること
になり、実際にはこのような配置はレンズを加工しなけ
れば実現不可能である。

【００１６】本発明は、半導体ＩＣから接続用ワイヤを
伝って光素子へ流入する熱による特性変動を除去し、さ
らにチップの辺の中央に信号出力端子パッドがある半導
体ＩＣと光素子との接続を、レンズとの干渉無しに実現
する高速動作に適した半導体ＩＣ内蔵型の光モジュール
を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明による光モジュールは、半導体ＩＣと光素子
との間に信号接続用の配線板を配設して、上記半導体Ｉ
Ｃの出力を上記配線板の配線を介して上記光素子の電極
パッドに接続し、上記配線板を上記光素子とともに金属
ベース(ステム)に搭載する。

【００１８】本発明による光モジュールの好ましい実施
形態では、光素子はその特性安定化のためペルチェ素子
上に配置された金属ステム上に登載されており、その金
属ステム上には、上記光素子からの出射光を光ファイバ
に入力するための光結合用のレンズと、上記金属ステム
温度を検出して一定温度となるようペルチェ素子を制御
するためのサーミスタが登載されている。また上記光素
子が半導体レーザ等の発光素子の場合には、発光素子の
後方に、光量を検出して光出力を制御するモニタ用のホ
トダイオードが設置される。上記光素子が、光を入力し
て変調して出力する光変調素子の場合には、上記発光形
素子の場合に設置してあったホトダイオードは不要で、
替わりに光素子に変調対象となる連続光を入射するため
の光結合用のレンズが設置される。

【００１９】また、半導体ＩＣの周囲には、その半導体
ＩＣへの電源供給や制御信号等の接続配線を行うための
配線基板が設けられる。上記半導体ＩＣと上記配線基板
は、光素子を登載してあるステム（金属材）とは別の金
属ブロックに登載され、光送信モジュールのケースの中
ではケース底板上に、光素子等を登載済みのステムの載
ったペルチェ素子と、半導体ＩＣ登載金属ブロックとを
配置する構成とする。これにより、半導体ＩＣと光素子
側との熱の分離を行う。ケース底板は放熱器に固定さ
れ、当該光通信モジュールを含む通信装置の中で強制送
風等により冷却される。本発明は、光通信モジュールに
特に８０GHzを超える使用周波数の信号を扱う光通信モ
ジュールに有効であるが、他の用途の光モジュールにも
適用できる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図を用いて
説明する。図１は本発明による光通信モジュールの一実
施例の構成を示す側断面図である。光通信モジュールの
ケース34の内部には、金属ステム35が登載されている光
素子ペルチェ素36と、光素子駆動用の半導体ＩＣ20と基
板30とを登載した金属ブロック31とを内蔵している。ス
テム35上には半導体レーザなどの光素子10、配線板11及
びサーミスタ14を登載した基板12が登載されている。ケ
ース34外部にはコネクタ32とリード線33が設けられてい
る。基板30、半導体ＩＣ20、配線板11、光素子10、サー
ミスタ14等は金属細線又は細金属リボンの接続ワイヤ１
６で電気的に接続される。

【００２１】コネクタ32は光通信モジュールへの信号を
入力するための接続コネクタであり、高周波伝送に適し
た同軸コネクタが用いられる。コネクタ32の信号導体
は、ケース34内部で基板30に接続され、信号は基板30を
介して半導体ＩＣ20に入力される。ケース34には他の電
気的接続を行うリード線33が複数本設けてあり、ケース
34内部のサーミスタ14、ペルチェ素子36等に接続され
る。

【００２２】本実施例の特徴は、光素子10を登載したス
テム35上に配線板11を設け、半導体ＩＣ20から光素子10
への配線接続は、一旦この配線板11を介して行うように
構成され、配線板11を搭載しているステム35と金属ブロ
ックが分離して構成されていることである。

【００２３】半導体ＩＣ20から配線板11への接続ワイヤ
16から配線板11には、電気信号と共に半導体ＩＣ20から
の熱も伝わる。高周波特性を良くするため、配線ワイヤ1
1を太く、短く、多本で接続する場合には、従来例で示
した場合よりも多くの熱が伝わる。しかし、本実施例の
構造では、接続ワイヤ16を伝って流れる熱は、配線板１
１からステム３５に流れ、光素子10に流れ込むことは無
い。従って半導体ＩＣ２０からの熱による温度上昇での
光素子10の特性変動は生ぜず、安定した動作を確保でき
る。

【００２４】配線板11は誘電体損失が小さく、高周波信
号の伝送特性が良好なセラミックスが望ましい。配線板
11上の配線パターンはホトリソグラヒィによって形成さ
れる。配線板11とステムとの固定ははんだ(例えば高温
の融点をもつAuSn等)で固定される。

【００２５】図2は図1の光モジュールのケース内の部分
上面図である。半導体ＩＣ30の入力電極パッド23と出力
電極パッド22は、正逆両方の位相の信号端子とそれらを
挟み込むように配置されたグラウンド端子の５個のパッ
ドが設けられている。半導体ＩＣ20の他辺には、電源や
制御用のその他の電極パッド２４が設けられている。入
力電極パッド23とその他の電極パッド24は、基板20と金
属ワイヤ等（図示せず）で接続される。なお本実施例で
は、半導体ＩＣ20の信号入力部と出力部のそれぞれの電
極パッド数を5個としたが、この個数に限られるもので
はない。

【００２６】半導体ＩＣ20の出力電極パッド２２と配線
板１１とは、接続ワイヤ１６ａで電気的に接続される。
接続ワイヤ１６ａは、円断面ワイヤよりリボン形状のワ
イヤのほうが、インダクタンス成分が小さくなるので望
ましい。また半導体ＩＣ20の入力電極パッド２３と基板
30との接続も、同様にリボン形状のワイヤが望ましい。
接続ワイヤ１６ａは、図2では3本示してあるが、これは
信号をコプレーナ伝送線路の形状で接続するためであ
る。

【００２７】また、半導体ＩＣ20の出力電極パッド２２
から配線板11への配線は、同一平面上に信号線と信号線
をはさむようにグラウンド線とを配置したコプレーナ伝
送線路であるが、光素子10では信号を光素子10上面で入
力し、光素子10下面がそのリターンとなる構造であるた
め、光素子10への接続はマイクロストリップ伝送線路で
の接続が望ましい。従って半導体ＩＣ20の出力電極パッ
ド22から光素子10までの信号配線の途中で、コプレーナ
伝送線路からマイクロストリップ伝送線路への変換を設
置することが、高周波信号伝送特性上好ましい。図2の
配線板11上に形成したコプレーナ−マイクロストリップ
変換領域は、そのために形成した配線パターン領域であ
る。すなわち、本実施例での配線板11上の配線パター
ンは、半導体ＩＣ20側から、コプレーナ伝送線路の形
状、次にコプレーナ−マイクロストリップ変換領域11
a、そして光素子まではマイクロストリップ伝送線路領
域11bをもつ配線パターンとしてあり、これにより高周
波信号の良好な伝送特性を実現する。配線板上の配線パ
ターンはインピーダンス整合した伝送線路である。配線
板11の信号線路と光素子10とは、接続ワイヤ16ｂで接続
される。ワイヤ16ｂも前述のように高周波伝送特性上円
断面よりもリボン形状のワイヤが好ましい。

【００２８】光素子10は光軸17の方向に光を射出し、矢
印で示す方向が前方となる。光素子10の前方には、ファ
イバへ光を入射するため，射出光を平行光又は収束光に
変換するための光結合用レンズ19が配置される。レンズ
19と光素子10との間隔は、一般に用いられる光結合用の
レンズで0.2ないし0.4ｍｍである。配線板11は、長方形
のような長手形状であり、配線パターンの方向が、光軸
17方向と略垂直方向になるように配置されており、配線
板11の光軸側側面の位置は、光素子10の全面とほぼ同位
置となるようにステム12上に登載されている。このため
レンズ19及びレンズ鏡筒（又はレンズホルダ）（図示せ
ず）と配線板11とは干渉することは無い。もし従来例の
ように半導体ＩＣから光素子へ直接ワイヤで配線するこ
とにすると、図2で示したような出力電極パッドがＩＣ
チップの辺の中央に配置してある場合には、ＩＣとレン
ズとの干渉を防止するため,ＩＣをレンズ又はレンズ鏡
筒の半径以上の遠方に配置して、そこからワイヤで接続
することになる。このような場合の接続ワイヤの長さは
最低で1ｍｍ（レンズ半径1ｍｍの場合）であり、鏡筒の
ある場合には2ｍｍにも達する。このような長さのワイ
ヤのインダクタンスは0.8ないし1.6ｎＨに達し、このイ
ンダクタンスのインピーダンスは周波数5GHzで25ないし
50Ωになり、高周波伝送上、使用困難なものとなる。

【００２９】金属ステム35上で、光素子10に対して配線
板11と反対側には、基板12を介してサーミスタ14が配置
されている。また、金属ステム35上で光素子10に対して
レンズ19と反対側にはモニタ用のホトダイオード15が設
けられている。

【００３０】本実施例によれば、接続ワイヤ１６を伝っ
て流れる半導体ＩＣ20から熱は、配線板１１からステム
３５に流れ、光素子10に流れ込むことは無い。従って半
導体ＩＣ２０からの熱による温度上昇での光素子10の特
性変動は生ぜず、安定した動作を確保できる。高周波特
性を良くするため、配線ワイヤ11を太く、短く、多本で
接続することがれきる。

【００３１】また、本実施例による配線板を使用した場
合、配線板上の配線がインピーダンス整合されていれ
ば、その配線の長さによる問題は生じない。従って、本
実施例によれば半導体ＩＣ20をレンズ19との干渉を考慮
する必要無く配置でき、光モジュール内での各部品を無
理なく実装できる。なお、配線板11の長さはＩＣとレン
ズ（又はレンズ鏡筒）との干渉を防止するという観点か
ら、最短の長さが決まり、その最短の長さはレンズ又は
レンズ鏡筒の半径となる。

【００３２】図3は本発明による光通信モジュールの他
の実施例の部分上面図である。本実施例は光素子10がレ
ーザ素子と一体となった電界吸収形変調素子と一体とな
ったものを使用し、光素子10と並列に抵抗を接続した実
施例である。光素子10がレーザ素子と電界吸収形変調素
子とが一体となった場合には、図3に示すように、光素
子10上面の接続用電極がレーザ部接続端子10bと変調器
接続端子10ａの少なくとも2個必要となる。

【００３３】光通信モジュールで用いられる光素子のイ
ンピーダンスは、通常伝送線路のインピーダンスとは異
なるため，抵抗等の回路素子を並列又は直列に接続し
て、配線板11上の配線のインピーダンスと合わせること
がしばしば行われる。高速の信号伝送には電界吸収形変
調素子が用いられるが、この素子の場合そのインピーダ
ンスは、良く用いられる伝送線路のインピーダンスであ
る50Ωよりも高い場合が多い。したがって素子と並列に
抵抗を接続してインピーダンスを合わせるが、その実現
手段として、素子の周辺に負荷整合用の抵抗素子を配置
し、素子の上面接続パッドからさらにその抵抗素子の電
極パッドへとワイヤを接続することが、通常用いられ
る。

【００３４】本実施例では、負荷整合用の終端抵抗12a
を基板12に形成し、光素子10の変調素子接続端子aから
ワイヤで接続を行っている。本実施例では、負荷整合用
の終端抵抗12aは基板12に形成されているが、この抵抗
は配線板11に形成又は登載してもよい。なお、図1及び2
に示した実施例の構成要素と実質的に同一機能部につい
ては同じ番号を付してその説明は省略する。他の実施例
についても同様である。

【００３５】図4は本発明による光通信モジュールの更
に他の実施例の部分上面図である。半導体ＩＣ20から配
線板11への接続が5本のワイヤでなされているところが
特徴である。正逆両相の出力を有する半導体ＩＣ20に
は、正逆両方の出力が同等の負荷に接続してある状態の
方が、電気特性や安定性が向上する場合がある。このよ
うな場合は、光素子10に接続する出力は片方のみである
から、光素子10に接続しないもう一方の出力を負荷とな
る抵抗に接続することが、半導体ＩＣ20の動作上好まし
い。半導体ＩＣ20の正逆両相の出力端子22は近接して配
置されているから、半導体ＩＣ20と光素子10との間に介
在する配線板に、この負荷となる抵抗を形成すること
で、容易に接続可能となる。すなわち本実施例では、配
線板11上に回路素子である終端抵抗11cを形成すること
によって、半導体ＩＣ20の電気特性や安定性を向上す
る。

【００３６】図5は本発明による光通信モジュールの更
に別の実施例の部分上面図である。本実施例は光素子10
が光変調素子であり、素子10の後方(図面の上側)にも光
結合用のレンズが配置された点が前述の実施例と異な
る。光変調形の光素子10では、素子10の前後に光結合用
のレンズ19が配置されるため、光素子10に接続する部材
は、この前後のレンズ19の間に配置しなければならな
い。前後のレンズ19の間隔は光素子の長さにレンズの作
動距離の２倍を加えた値であり、例えば光素子の長さを
0.6ｍｍとすると、前後のレンズ間隔は1ｍｍ強となる。
この間隔に半導体ＩＣを配置することは、通常きわめて
困難であるが、本発明による実装形態、すなわち配線板
を間に実装することは可能であり、光通信モジュールを
容易に構成することが可能となる。

【００３７】

【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
光素子が半導体ＩＣからの熱による影響を受けず、かつ
半導体ＩＣと光結合用のレンズとが干渉することなく、
光素子と半導体ＩＣとを一つのケースに内蔵させた高周
波特性の優れた光通信用モジュールを構成することがで
きる。また、実施例は有効な利用分野である光通信モジ
ュールについて説明したが、高速動作を必要とする分野
の光モジュールとして利用できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光通信用モジュールの一実施例の
構成を示す側断面図である。

【図２】本発明による光通信用モジュールの他の実施例
の構成を示す上面図である。

【図３】本発明による光通信用モジュールの更に他の実
施例の構成を示す上面図である。

【図４】本発明による光通信用モジュールの別の実施例
の構成を示す上面図である。

【図５】本発明による光通信用モジュールの別の実施例
の構成を示す上面図である。

【図６】半導体ＩＣとレンズとの干渉発生を説明する図
である。

【図７】従来例による光モジュール内の光素子、ＩＣ等
の配置の概要図である。

【図８】高周波動用の半導体ＩＣの外観図である。

【符号の説明】

10……光素子、10ａ……変調素子接続端子、10ｂ……レ
ーザ部接続端子 11……配線板、11ａ……コプレーナ−マイクロストリッ
プ変換領域 11ｂ……マイクロストリップ伝送線路領域、11ｃ……終
端抵抗 12……基板、14……サーミスタ、15……ホトダイオー
ド、16……接続ワイヤ 17……光軸、19……レンズ 20……半導体ＩＣ、21……半導体ＩＣの機能領域、22…
…出力電極パッド 23……入力電極パッド、24……その他の電極パッド 30……基板Ａ、31……ブロック、32……コネクタ、33…
…リード線 34……ケース、35……ステム、36……ペルチェ素子。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者桑野英之神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地日本オプネクスト株式会社内Ｆターム(参考） 5F073 AB27 AB28 BA02 EA14 FA02 FA25 FA27 FA28 FA30 GA12 GA14

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光素子と前記光素子を駆動する半導体ＩＣ
とを同一ケース内に内蔵する光モジュールであって、上
記光素子と上記半導体ＩＣとの間に信号を接続する配線
板が金属材ステムに搭載されて設けられたことを特徴と
する光モジュール。
【請求項２】上記金属材ステムと上記半導体ＩＣが搭載
された金属ブロックとが別個の部品として分離して構成
されたことを特徴とする請求項１記載の光モジュール。
【請求項３】上記半導体ＩＣと上記配線板とを接続する
ワイヤの本数が複数本あることを特徴とする請求項1又
は2記載の光モジュール。
【請求項４】上記配線板が上記複数本のワイヤに接続さ
れたコプレーナ線路と、一方が上記コプレーナ線路に結
合され、他方が上記光素子の電極に接続されるマイクロ
ストリップ線路であることを特徴とする請求項３記載の
光モジュール。
【請求項５】上記配線板が長手形状であり、上記配線板
の長手方向が光素子の光軸と略直交する方位に配置され
たことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一つに
記載の記載の光モジュール。
【請求項６】上記配線板の配線構造がインピーダンス整
合した伝送線路であることを特徴とする請求項1ないし
５の光モジュール。
【請求項７】上記配線板に更に回路素子を登載したこと
を特徴とする請求項請求項1ないし６のいずれか一つに
記載の光モジュール。