JP2003309004A - Insulating substrate and manufacturing method of electronic component using the insulating substrate - Google Patents

Insulating substrate and manufacturing method of electronic component using the insulating substrate

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JP2003309004A
JP2003309004A JP2002116226A JP2002116226A JP2003309004A JP 2003309004 A JP2003309004 A JP 2003309004A JP 2002116226 A JP2002116226 A JP 2002116226A JP 2002116226 A JP2002116226 A JP 2002116226A JP 2003309004 A JP2003309004 A JP 2003309004A
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substrate
groove
insulating substrate
dividing
groove group
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Kentaro Matsumoto
健太郎 松本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To manufacture a large number of resistors easily from a substrate used in manufacturing resistors such as chip resistors. <P>SOLUTION: Upper and lower edges 3a, 3b wherein a primary dividing groove 201 and a secondary dividing groove 202 are not formed are provided on the periphery of a substrate 100 to be used for holding the substrate 100 in processing such as carrying, printing and baking. Since breake of the substrate 100 can be prevented by holding upper and lower edges 3a, 3b, an area of an edge required for the right and left of the substrate 100 can be reduced and the resistor can be printed in the reduced part. The primary dividing groove 201 is apart from the right and left edges of the substrate 100 by a prescribed distance L1, the primary dividing groove 201 is prevented from reaching the right and left edges of the substrate 100 so that a groove which becomes a breake start point is not present in both right and left end parts of the substrate 100. As a result, the substrate 100 can be made as hard to break as a conventional one in an electrode printing/baking process. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ抵抗器など
の電子部品を多数個形成するために用いる分割溝を有す
る絶縁基板とその絶縁基板を用いる電子部品の製造方法
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an insulating substrate having a dividing groove used for forming a large number of electronic components such as chip resistors and a method of manufacturing an electronic component using the insulating substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】[チップ抵抗器の製造方法:図1]チッ
プ抵抗器などの抵抗器における製造方法について、図1
を用いて説明する。
2. Description of the Related Art [Chip resistor manufacturing method: FIG. 1] FIG.
Will be explained.

【0003】チップ抵抗器を製造する際には、まず、絶
縁基板の原料となるセラミック粉末、バインダ樹脂、溶
媒等を混合してスラリーを作製する(S102)。
When manufacturing a chip resistor, first, a ceramic powder, a binder resin, a solvent and the like, which are raw materials for an insulating substrate, are mixed to prepare a slurry (S102).

【0004】次に、このスラリーを薄板状にしてグリー
ンシートを形成し、乾燥し(S103)、さらに、この
グリーンシートの表面および裏面に、1次分割用の溝で
ある1次分割溝、2次分割用の溝である2次分割溝をプ
レス等で形成してから(S104)、このグリーンシー
トを焼成し、セラミック基板を作製する(S105)。
Next, this slurry is formed into a thin plate to form a green sheet and dried (S103), and further, on the front surface and the back surface of this green sheet, a primary dividing groove, which is a groove for primary division, and 2 After forming a secondary dividing groove, which is a groove for the next dividing, by a press or the like (S104), the green sheet is fired to produce a ceramic substrate (S105).

【0005】なお焼成前のグリーンシート中に1次分割
溝、2次分割溝を予め形成しておくのは、焼成前のグリ
ーンシートには溝の形成が容易にできるためであり、こ
の溝を利用することにより、グリーンシートの焼成によ
り得られるセラミック基板上に後述するように抵抗膜な
どを印刷し、このセラミック基板から製品となる抵抗器
を分割する際に、分割を容易に行うようにするためであ
る。
The reason why the primary dividing groove and the secondary dividing groove are formed in the green sheet before firing is that the groove can be easily formed in the green sheet before firing. By using it, a resistive film or the like is printed on the ceramic substrate obtained by firing the green sheet as described later, and when the resistors to be the products are divided from this ceramic substrate, division is easily performed. This is because.

【0006】[セラミック基板:図2]ここで、従来製
造されているセラミック基板200の一例を図2に示
す。セラミック基板200の大きさは、グリーンシート
の製造装置やチップ抵抗器の仕様などに応じて変化する
ものであるが、小型のチップ抵抗器を製造する場合の大
きさ(縦×横×厚さ)の一例は、例えば、60×49.
5×0.275mm、70×60×0.275mmなど
のサイズが用いられる。
[Ceramic Substrate: FIG. 2] FIG. 2 shows an example of a ceramic substrate 200 manufactured conventionally. The size of the ceramic substrate 200 varies depending on the manufacturing apparatus of the green sheet, the specifications of the chip resistor, etc., but the size when manufacturing a small chip resistor (length × width × thickness). An example is, for example, 60 × 49.
Sizes such as 5 × 0.275 mm and 70 × 60 × 0.275 mm are used.

【0007】このように小型のチップ部品、例えば、1
005サイズに用いられるセラミック基板200は、そ
の肉厚が0.275mmと非常に薄いため後述する印刷
処理、焼成処理などの各工程を経て抵抗器を完成させる
までの作業中に破損してしまう場合がある。そこで、セ
ラミック基板200の作業時の破損を低減するため、セ
ラミックス基板200を保護するために図2のセラミッ
ク基板200の周囲(上下左右の端部)には、1次分割
溝201、2次分割溝202が形成されていない縁20
3a、203b、204a、204bが設けられてい
る。
Such small chip parts, for example, 1
When the ceramic substrate 200 used for the 005 size has a very thin wall thickness of 0.275 mm, it will be damaged during the work until the resistor is completed through each process such as printing process and firing process described later. There is. Therefore, in order to reduce the damage of the ceramic substrate 200 during the work, in order to protect the ceramic substrate 200, the primary dividing groove 201 and the secondary dividing groove are provided around the ceramic substrate 200 of FIG. Edge 20 without groove 202
3a, 203b, 204a, 204b are provided.

【0008】この縁203a、203b、204a、2
04bは、セラミック基板200を搬送する時にセラミ
ックス基板の上下左右の端部を保護することでセラミッ
クス基板を破損しにくくするとともに、セラミック基板
200上に抵抗器を形成する印刷処理、焼成処理などの
工程においてセラミック基板200を保持する保持部と
しても用いられる。また左右の縁204a、204b
は、最終的には溝207a、207bを用いて分割され
除去される。
These edges 203a, 203b, 204a, 2
04b protects the top, bottom, left, and right ends of the ceramic substrate 200 when the ceramic substrate 200 is conveyed, thereby making it difficult to damage the ceramic substrate and performing a printing process, a firing process, or the like for forming a resistor on the ceramic substrate 200. In, it is also used as a holding portion for holding the ceramic substrate 200. Also, the left and right edges 204a, 204b
Is finally divided and removed using the grooves 207a and 207b.

【0009】なお図2に示すセラミック基板200の中
央部(縁203a、203b、204a、204bを除
いた部分)には、1次分割溝201と2次分割溝202
が形成されている。1次分割溝201は、セラミック基
板200の左右の縁(4辺のうちの対向する1組)まで
の間を結ぶ平行な複数の溝によって構成されており、こ
の複数の溝を用いて後述するセラミック基板200の1
次分割を容易にする。また2次分割溝202は、セラミ
ック基板200の上下の縁(4辺のうちの対向する残り
の1組)までの間を結ぶ平行な複数の溝であり、1次分
割溝と直交し、この複数の溝を用いて後述するセラミッ
ク基板200の後述する2次分割を容易にする。
The ceramic substrate 200 shown in FIG. 2 has a primary dividing groove 201 and a secondary dividing groove 202 in the central portion (portions excluding the edges 203a, 203b, 204a and 204b).
Are formed. The primary dividing groove 201 is composed of a plurality of parallel grooves that connect up to the left and right edges (a pair of four sides facing each other) of the ceramic substrate 200, and will be described later using the plurality of grooves. Ceramic substrate 200-1
Make the next division easier. The secondary dividing grooves 202 are a plurality of parallel grooves that connect up to the upper and lower edges of the ceramic substrate 200 (the remaining one pair of four sides), and are orthogonal to the primary dividing grooves. The plurality of grooves are used to facilitate the later-described secondary division of the ceramic substrate 200 to be described later.

【0010】[抵抗器:図3]次に、図1において、セ
ラミック基板200の表面および裏面の所定位置に、そ
れぞれ電極を印刷してから焼成して電極220aおよび
電極220b(第1の電極)を形成し(S106)、さ
らに、セラミック基板200の表面の電極間を連結する
位置に抵抗を印刷してから焼成し、抵抗膜230を形成
する(S107)。さらに、抵抗膜230の1次保護膜
を形成してから、抵抗膜230の抵抗値を調整するトリ
ミングを行い(S108)、さらに抵抗膜230被覆す
る位置にオーバーコート250(2次保護膜)を印刷形
成する。S106〜S108の工程によって形成された
抵抗器の一例を図2の部分拡大図である図3に示す。
[Resistor: FIG. 3] Next, in FIG. 1, electrodes 220a and 220b (first electrodes) are printed by printing electrodes at predetermined positions on the front surface and the back surface of the ceramic substrate 200 and then firing the electrodes. Are formed (S106), and resistors are printed on the surface of the ceramic substrate 200 at positions where the electrodes are connected to each other and then fired to form the resistance film 230 (S107). Further, after forming the primary protective film of the resistive film 230, trimming for adjusting the resistance value of the resistive film 230 is performed (S108), and the overcoat 250 (secondary protective film) is further provided at the position where the resistive film 230 is covered. Print and form. An example of the resistor formed by the steps of S106 to S108 is shown in FIG. 3, which is a partially enlarged view of FIG.

【0011】次に、抵抗器が形成されたセラミック基板
200から縁204aおよび縁206bを溝207a、
207bで分割除去し(S109)、続いて、セラミッ
ク基板200を図2の矢印で示す1次分割溝201に沿
って短冊状に1次分割して1次分割品を得る(S11
0)。次に、1次分割品を分割した端面に側面電極23
0a、230b(第2の電極)をローラ印刷や浸積、ス
パッタ等で形成し必要に応じて焼成した後(S11
1)、この分割端面にさらにメッキ処理等を行ってから
(S112)、2次分割溝201に沿って1次分割品を
二次分割することにより(S113)、図2に示すセラ
ミック基板200から図3に示すチップ抵抗器250を
多数個取りすることができる。
Next, the edge 204a and the edge 206b are formed in the groove 207a from the ceramic substrate 200 on which the resistor is formed.
It is divided and removed by 207b (S109), and then the ceramic substrate 200 is linearly divided into strips along the primary dividing grooves 201 shown by arrows in FIG. 2 to obtain primary divided products (S11).
0). Next, the side surface electrode 23 is formed on the end surface of the divided primary product.
0a and 230b (second electrode) are formed by roller printing, dipping, sputtering, etc., and fired if necessary (S11
1) After further subjecting the divided end faces to plating treatment (S112), the primary divided product is divided into secondary parts along the secondary dividing grooves 201 (S113), so that the ceramic substrate 200 shown in FIG. A large number of chip resistors 250 shown in FIG. 3 can be taken.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上記説明したように、
抵抗器を形成するセラミック基板200の肉厚は非常に
薄い。そのため、セラミック基板200は、その表面に
抵抗器を形成する各種処理(搬送、電極、抵抗膜の印
刷、焼成処理など)中などで破損しやすい。そこで、抵
抗器の製造工程におけるセラミック基板200の破損を
低減するために、セラミック基板200の周囲には、縁
(203a、203b、204a、204b)が設けら
れ、この縁には、抵抗器の分割を容易にする溝(1次分
割溝201、2次分割溝202)を形成しない工夫をす
ることで、セラミック基板200が処理工程中に破損す
るのを低減していた。
DISCLOSURE OF THE INVENTION As described above,
The ceramic substrate 200 forming the resistor has a very thin wall thickness. Therefore, the ceramic substrate 200 is likely to be damaged during various treatments (conveyance, printing of electrodes, resistive film, firing treatment, etc.) for forming resistors on the surface thereof. Therefore, in order to reduce damage to the ceramic substrate 200 in the resistor manufacturing process, edges (203a, 203b, 204a, 204b) are provided around the ceramic substrate 200, and resistors are divided at the edges. By devising that the groove (primary divided groove 201, secondary divided groove 202) that facilitates the above is not formed, damage to the ceramic substrate 200 during the processing step is reduced.

【0013】しかしながら、図2のセラミック基板20
0において、その上下左右にある縁の部分からは抵抗器
を形成することができない。
However, the ceramic substrate 20 of FIG.
At 0, it is not possible to form a resistor from the upper, lower, left and right edges.

【0014】一方、図2のセラミック基板の縁を無く
し、分割溝が基板の端まで形成されたセラミック基板で
は、抵抗器を形成する際に破損するセラミック基板の数
は、縁のある従来のセラミック基板に比べて増加する。
そのため、図2に示した縁のある同一寸法のセラミック
基板に比べて縁を無くしたセラミック基板から最終的に
得られる抵抗器の数は少なくなる。
On the other hand, in the ceramic substrate of FIG. 2 in which the edges of the ceramic substrate are removed and the dividing grooves are formed up to the end of the substrate, the number of ceramic substrates that are damaged when forming the resistor is the same as that of the conventional ceramic substrate with edges. Increased compared to the substrate.
Therefore, the number of resistors finally obtained from the edgeless ceramic substrate is smaller than that of the same-sized edged ceramic substrate shown in FIG.

【0015】本発明は、上記説明した従来技術の問題点
を解決することを出発点としてなされたものであり、そ
の目的は、例えば、チップ抵抗器等の電子部品を製造す
る際に用いられる基板から容易にかつ多量に抵抗器など
の電子部品を製造できる絶縁基板およびその絶縁基板を
用いる電子部品の製造方法を提供することである。
The present invention has been made as a starting point to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object thereof is a substrate used for manufacturing an electronic component such as a chip resistor. (EN) An insulating substrate capable of easily and electronically manufacturing a large amount of electronic components such as resistors, and a method of manufacturing an electronic component using the insulating substrate.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明に係る一実施形態の絶縁基板は、以下の構成を
有する。すなわち、互いに略直交する基板分割用の第1
の溝群および第2の溝群を有し、前記第1の溝群の各溝
の端と基板の端部との離間距離である第1距離は、前記
端と前記端部とが接しない程度に短く、かつ、前記第2
の溝群の各溝の端と基板の端部との離間距離である第2
距離よりも短いことを特徴とする。
An insulating substrate according to an embodiment of the present invention for achieving the above object has the following constitution. That is, the first for substrate division that is substantially orthogonal to each other
The first groove group and the second groove group, and the first distance, which is the distance between the end of each groove of the first groove group and the end of the substrate, is not in contact with the end. Short enough, and the second
The distance between the end of each groove of the groove group and the end of the substrate.
Characterized by being shorter than the distance.

【0017】ここで、例えば、前記基板の表面と裏面に
は、略同様のパターンを有する前記基板分割用の第1の
溝群および第2の溝群が形成されていることが好まし
い。
Here, for example, it is preferable that a first groove group and a second groove group for dividing the substrate having substantially the same pattern are formed on the front surface and the back surface of the substrate, respectively.

【0018】ここで、例えば、前記第1距離が、0.2
〜0.8mmの範囲となるように形成されていることが
好ましい。
Here, for example, the first distance is 0.2
It is preferably formed to have a range of 0.8 mm.

【0019】ここで、例えば、前記第1の溝群は、略等
間隔の溝間距離を有する複数の分割溝から形成されてい
ることが好ましい。
Here, for example, it is preferable that the first groove group is formed of a plurality of divided grooves having a substantially equal distance between grooves.

【0020】ここで、例えば、前記第2の溝群によっ
て、略同等の幅に区画された個片群と、前記個片群の両
側に形成され前記個片群の一単位よりも幅広の第1の縁
部と、前記第1の縁部の外側に形成され前記第1の縁部
よりも幅広の第2の縁部と、が形成されたことが好まし
い。
Here, for example, a piece group divided into approximately the same width by the second groove group and a first piece group formed on both sides of the piece group and wider than a unit of the piece group. It is preferable that one edge portion and a second edge portion that is formed outside the first edge portion and is wider than the first edge portion are formed.

【0021】上記目的を達成するための本発明に係る一
実施形態の電子部品の製造方法は、以下の構成を有す
る。すなわち、互いに略直交する基板分割用の第1の溝
群および第2の溝群が形成された絶縁基板に、電子部品
の特性に寄与する機能膜および前記機能膜と接続した第
1の電極を形成した電子部品の製造方法であって、前記
絶縁基板の端部と前記第1の溝群の各溝の端とが接しな
い程度に離間させた前記絶縁基板に、前記機能膜および
前記第1の電極を形成する工程と、前記絶縁基板を前記
第1の溝群に沿って分割する工程と、前記第1の溝群に
沿って分割された前記絶縁基板に、前記第1の電極と接
続した第2の電極を形成する工程と、前記第1の溝群に
沿って分割された絶縁基板をさらに前記第2の溝群に沿
って分割する工程と、を含むことを特徴とする。
An electronic component manufacturing method according to an embodiment of the present invention for achieving the above object has the following configuration. That is, a functional film that contributes to the characteristics of an electronic component and a first electrode connected to the functional film are provided on an insulating substrate in which a first groove group and a second groove group for dividing a substrate that are substantially orthogonal to each other are formed. In the method of manufacturing the formed electronic component, the functional film and the first film are formed on the insulating substrate separated from each other so that an end of the insulating substrate and an end of each groove of the first groove group are not in contact with each other. Forming an electrode, dividing the insulating substrate along the first groove group, and connecting the first electrode to the insulating substrate divided along the first groove group. And a step of further dividing the insulating substrate divided along the first groove group along the second groove group.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して、本発明
の好適な実施の形態である絶縁性の基板100、すなわ
ちチップ抵抗器などのチップ型の電子部品、特に160
8,1005,0603またはそれ以下のサイズの小型
のチップ部品を製造する際に容易にかつ多量の電子部品
を製造するために用いられる絶縁性の基板100および
その絶縁性の基板100の製造方法について詳細に説明
する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION With reference to the drawings, an insulating substrate 100 according to a preferred embodiment of the present invention, that is, a chip-type electronic component such as a chip resistor, particularly 160
Insulating substrate 100 used for easily manufacturing a large number of electronic components when manufacturing a small chip component having a size of 8,1005,0603 or smaller, and a method of manufacturing the insulating substrate 100. The details will be described.

【0023】なお、本実施の形態に記載されている基板
100およびその上に形成される溝や抵抗器の形状は一
例であり、特に特定的な記載がない限りは、この発明の
範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではなく、基板
上に形成される抵抗器の特性や仕様に応じて決定される
ものである。
The shapes of the substrate 100 and the grooves and resistors formed on the substrate 100 described in the present embodiment are merely examples, and unless otherwise specified, the scope of the present invention is not limited thereto. It is not intended to be limited only to this, and is determined according to the characteristics and specifications of the resistor formed on the substrate.

【0024】また以下の基板100およびその製造方法
についての説明では、図1〜図3を用いて説明した従来
の基板200と共通する部分があるが、以下の説明で
は、共通する部分の説明は重複するのでそれらの説明は
省略し、異なる点についてのみ説明するものとする。
Further, in the following description of the substrate 100 and the manufacturing method thereof, there is a part common to the conventional substrate 200 described with reference to FIGS. 1 to 3, but in the following description, the description of the common part will be omitted. Since they are duplicated, their explanations are omitted and only different points will be explained.

【0025】[基板の構造、抵抗器の構造:図4、図
5、図3]本実施形態の抵抗器を製造する際に容易にか
つ多量の抵抗器を製造するために用いられる絶縁性の基
板100の一例を図4に示す。
[Structure of Substrate, Structure of Resistor: FIG. 4, FIG. 5 and FIG. 3] Insulating material used to easily and in large quantity produce resistors of the present embodiment. An example of the substrate 100 is shown in FIG.

【0026】基板100の中央部には、従来の基板と同
様に基板100を図4に示すように1次分割するための
複数の平行な溝(水平方向の溝)で構成される1次分割
溝1と、1次分割溝1と直交する方向に複数の平行な溝
(垂直方向の溝)で構成される2次分割溝2とが形成さ
れている。
At the center of the substrate 100, as in the conventional substrate, the primary division is made up of a plurality of parallel grooves (horizontal grooves) for primary division of the substrate 100 as shown in FIG. A groove 1 and a secondary divided groove 2 composed of a plurality of parallel grooves (vertical grooves) are formed in a direction orthogonal to the primary divided groove 1.

【0027】なお、図4は、基板100の表面を示して
いるが、基板100の裏面にも図は省略するが図4と同
様のパターンの1次分割溝および2次分割溝が形成され
ている。
Although FIG. 4 shows the front surface of the substrate 100, the rear surface of the substrate 100 is also provided with primary dividing grooves and secondary dividing grooves having the same pattern as that of FIG. 4 although not shown. There is.

【0028】また、1次分割溝1と2次分割溝2が形成
されている基板100の中央部の上下方向の外側の部分
には、縁3a、3bが形成されている。この縁3a、3
bには、1次分割溝1と2次分割溝2とが形成されてい
ないため、1次分割溝1と2次分割溝2とが形成されて
る左右の縁に比べて破損しにくい。そこで、この縁3
a、3bは、基板100を搬送したり各種処理をしたり
するときに、基板100を保持するために用いられる。
Edges 3a and 3b are formed on the outer portion in the vertical direction of the central portion of the substrate 100 where the primary dividing groove 1 and the secondary dividing groove 2 are formed. This edge 3a, 3
Since the primary dividing groove 1 and the secondary dividing groove 2 are not formed in b, it is less likely to be damaged than the left and right edges where the primary dividing groove 1 and the secondary dividing groove 2 are formed. So, this edge 3
The symbols a and 3b are used to hold the substrate 100 when the substrate 100 is transported or various treatments are performed.

【0029】また、1次分割溝1の端部から基板100
の左端6aまたは右端6bまでの距離はL1である。な
お、基板100を1次分割溝1を用いて短冊状に分割し
たときの1次分割された基板の部分拡大図を図5に示
す。1次分割された基板は、図5に示すように、第1の
パターン(製品:個片群)、第2のパターン(ダミーパ
ターン:第1の縁部)および第3のパターン(保持部
用:第2の縁部)の3種類から形成されている。
Further, from the end of the primary dividing groove 1 to the substrate 100
The distance to the left end 6a or the right end 6b is L1. Note that FIG. 5 shows a partially enlarged view of the primary-divided substrate when the substrate 100 is divided into strips using the primary dividing grooves 1. As shown in FIG. 5, the primary-divided substrate has a first pattern (product: piece group), a second pattern (dummy pattern: first edge portion), and a third pattern (for holding portion). : Second edge portion).

【0030】なお、基板100の中央部に形成される第
1のパターンは、製品となる抵抗器の個々の基板となる
パターンであり、図3に示す抵抗器と同じ形状のもので
ある。第2のパターンは、第1のパターンの外側の両側
に形成されるものであり、図5に示す1次分割品を2次
分割して抵抗器を完成させる場合に、この部分の形状が
悪くなり、使用できなくなる場合が多いため、実際の商
品とは大きさや形状が異なるダミー形状品とすることに
より実際の商品とダミー形状品とを容易に分離できるよ
うにするためである。第3のパターンは、第2のパター
ンの外側の両側に形成されるものであり、1次分割した
1次分割品の端面に側面電極やメッキを行う場合に保持
するための部分として用意されたものであり、抵抗膜な
どは印刷されていない部分である。
The first pattern formed in the central portion of the substrate 100 is a pattern of individual substrates of resistors as products, and has the same shape as the resistors shown in FIG. The second pattern is formed on both outer sides of the first pattern, and when the primary divided product shown in FIG. 5 is secondarily divided to complete the resistor, the shape of this portion is bad. This is because, in many cases, the product cannot be used, so that the actual product and the dummy product can be easily separated by using a dummy product having a size and shape different from that of the actual product. The third pattern is formed on both sides of the outer side of the second pattern, and is prepared as a side electrode or a portion to be held when plating is performed on the end surface of the primary divided product. The resistance film and the like are not printed.

【0031】[基板の特徴]基板100の第1の特徴
は、抵抗器を基板上に形成する際に、従来の基板と同様
に基板が破損しにくい構造となっている点、および従来
より多くの抵抗器を形成できる点である。
[Characteristics of Substrate] The first characteristic of the substrate 100 is that the substrate is not easily damaged when a resistor is formed on the substrate, like the conventional substrate. That is, the resistor can be formed.

【0032】すなわち、基板100は、上下の縁を残す
ことで、従来の基板と同様に基板の搬送、基板への印刷
処理、焼成処理などで基板が破損するのを低減すること
ができるともに、従来の基板では、基板の破損を低減す
るために必要とした左右の縁部分の面積を極力低減し、
その縁に抵抗器を形成することにより、従来より多量の
抵抗器の製造を可能とした点である。
That is, by leaving the upper and lower edges of the substrate 100, it is possible to reduce the damage of the substrate due to the transportation of the substrate, the printing process on the substrate, the baking process, etc., as in the conventional substrate. In the conventional board, the area of the left and right edge parts required to reduce the damage of the board is reduced as much as possible,
By forming a resistor on the edge, it is possible to manufacture a larger amount of resistors than before.

【0033】基板100では、上下の縁3a、3bを、
その搬送や印刷処理、焼成処理などの処理時に基板10
0の保持に用いる。そのため従来と同様の各種処理を行
っても、保持される縁の部分から基板100が破損する
ことを防止することができる。そのため基板100の左
右端の縁を低減することができる。
In the substrate 100, the upper and lower edges 3a and 3b are
The substrate 10 is used during the transportation, printing process, baking process, and the like.
Used to hold 0. Therefore, it is possible to prevent the substrate 100 from being damaged from the edge portion to be held even if various kinds of processing similar to the conventional processing are performed. Therefore, the left and right edges of the substrate 100 can be reduced.

【0034】しかしながら、基板100において、左右
2カ所の縁の部分を完全に無くして、1次分割溝201
を左端6a、右端6bまで形成してしまうと、従来の基
板と同様の破損しにくい基板とすることができない。そ
こで、1次分割溝201を基板100の左右の縁から所
定距離L1(例えば、L1=0.2〜0.8mm)だけ
離して形成するようにして、1次分割溝201を基板1
00の左右の縁に到達させないようにする。このように
基板100の左右の端部には破壊の起点となる溝を存在
させない構造とすることにより、たとえ各種処理中に基
板100の左右端部に応力が負荷されても、破壊の起点
となる溝が基板100の左右の端部に存在しないため、
基板100は、電極印刷・焼成工程で従来と同様程度の
破損しにくい基板とすることができる。
However, in the substrate 100, the two edge portions on the left and right sides are completely removed, and the primary dividing groove 201 is removed.
If the left end 6a and the right end 6b are formed, it is impossible to make a substrate which is not easily damaged like the conventional substrate. Therefore, the primary dividing groove 201 is formed by separating it from the left and right edges of the substrate 100 by a predetermined distance L1 (for example, L1 = 0.2 to 0.8 mm).
Do not reach the left and right edges of 00. In this way, by adopting a structure in which the groove which becomes the starting point of the destruction does not exist at the left and right ends of the substrate 100, even if stress is applied to the left and right ends of the substrate 100 during various processes, the starting point of the destruction becomes Groove does not exist at the left and right ends of the substrate 100,
The substrate 100 can be a substrate that is not easily damaged during the electrode printing / firing process as in the conventional case.

【0035】また基板100の第2の特徴は、基板から
1次分割によって短冊状の分割された基板を形成する際
に、従来必要とされた分割工程(図1のS109)を減
らすことができる点である。すなわち、従来では、基板
200から抵抗器を形成する際に、予めS109の溝A
で縁の部分を分割してから次にS110で1次分割溝1
を用いて基板200を分割していたが、基板100の場
合には、図1のS109の溝Aで縁の部分を分割する工
程を不要にできる点である。従来は、絶縁性基板を分割
する工程が、少なくとも3工程であったのに対して、本
発明を用いれば、2工程で足りることになる。
The second characteristic of the substrate 100 is that it is possible to reduce the dividing step (S109 in FIG. 1) conventionally required when forming a strip-shaped divided substrate by primary division from the substrate. It is a point. That is, conventionally, when the resistor is formed from the substrate 200, the groove A of S109 is previously formed.
The edge portion is divided with and then the primary dividing groove 1 is added in S110.
Although the substrate 200 is divided by using, in the case of the substrate 100, the step of dividing the edge portion by the groove A in S109 of FIG. 1 can be omitted. In the past, the process of dividing the insulating substrate was at least three steps, but if the present invention is used, two steps will be sufficient.

【0036】これは、1次分割溝1の両端部から基板1
00の左端6aまたは右端6bまでの距離L1(溝が形
成されていない距離)が1mm以下と非常に小さいた
め、図4に示す1次分割溝1を用いて基板100を短冊
状に分割する工程(図1のS110)で、所定以上の応
力が基板100に負荷されると、基板100は1次分割
溝の方向に沿って正確に分割することができ、抵抗器と
して使用できないようなバリを発生させる不正確な分割
を防止することができるからである。このため、図1の
S109を無くしても、不良品の発生を低減できる。
This is because the substrate 1 is formed from both ends of the primary dividing groove 1.
Since the distance L1 (distance where no groove is formed) to the left end 6a or the right end 6b of 00 is as small as 1 mm or less, the step of dividing the substrate 100 into strips using the primary dividing groove 1 shown in FIG. In (S110 of FIG. 1), when a stress equal to or larger than a predetermined value is applied to the substrate 100, the substrate 100 can be accurately divided along the direction of the primary dividing groove, and a burr that cannot be used as a resistor is formed. This is because it is possible to prevent inaccurate division that occurs. Therefore, even if S109 of FIG. 1 is eliminated, the occurrence of defective products can be reduced.

【0037】[抵抗器の製造可能数量]上記説明した本
実施形態の基板100の第1の特徴について、以下詳細
に説明する。
[Manufacturable Quantity of Resistor] The first characteristic of the substrate 100 of the present embodiment described above will be described in detail below.

【0038】まず、図4に示す基板100を用いて小型
のチップ抵抗器を製造する際に、製造できる抵抗器の数
量を従来の基板200と比較して説明する。
First, the number of resistors that can be manufactured when a small chip resistor is manufactured using the substrate 100 shown in FIG. 4 will be described in comparison with the conventional substrate 200.

【0039】図4において、基板100の大きさ(縦×
横×厚さ)は、60×49.5×0.275mmとし、
上下の縁は2.14mmであり、左右の縁は、L1(L
1=0.2〜0.8mm)であるとする。また基板10
0の上記説明した第1パターンの部分には、縁0.98
×0.49mmの抵抗器が形成されるものとする。
In FIG. 4, the size of the substrate 100 (vertical x
Width × thickness) is 60 × 49.5 × 0.275 mm,
The upper and lower edges are 2.14 mm, and the left and right edges are L1 (L
1 = 0.2 to 0.8 mm). Also the substrate 10
The first pattern portion of 0 described above has an edge of 0.98
A resistor of × 0.49 mm shall be formed.

【0040】なお、従来の基板200の大きさ(縦×横
×厚さ)も基板100の大きさと同じく60×49.5
×0.275mmであるとし、基板200の上下の縁は
2.14mmであり、左右の縁は3.74mmであると
する。
The size of the conventional substrate 200 (length × width × thickness) is the same as the size of the substrate 100, 60 × 49.5.
X0.275 mm, the upper and lower edges of the substrate 200 are 2.14 mm, and the left and right edges are 3.74 mm.

【0041】以上の条件で、1枚の基板から製造できる
抵抗器の数を本実施形態の基板100と従来例である基
板200とで比較した結果を示す。
Under the above conditions, the results of comparing the number of resistors that can be manufactured from one substrate between the substrate 100 of this embodiment and the conventional substrate 200 are shown.

【0042】本実施形態の基板100では、製造できる
チップ抵抗器の製造数は上下方向に55列、左右方向に
93列で計5115個である。一方、従来の基板200
では、縁を上下左右の4カ所有しているため製造できる
チップ抵抗器の製造数は4300である。従って、本実
施形態の基板100で製造できるチップ抵抗器の製造数
は、従来の基板200の約1.2倍(5115/429
0≒1.2)となり、本実施形態の基板100を用いる
ことにより、従来に比べてチップ抵抗器の製造数を約2
0%増加可能であることがわかる。
In the substrate 100 of this embodiment, the number of chip resistors that can be manufactured is 55 rows in the vertical direction and 93 rows in the horizontal direction, for a total of 5115 pieces. On the other hand, the conventional substrate 200
Then, the number of chip resistors that can be manufactured is 4,300 because the four edges are owned in the vertical and horizontal directions. Therefore, the number of chip resistors that can be manufactured on the substrate 100 of this embodiment is about 1.2 times that of the conventional substrate 200 (5115/429).
0≈1.2), and by using the substrate 100 of this embodiment, the number of chip resistors manufactured is about 2 as compared with the conventional one.
It can be seen that the amount can be increased by 0%.

【0043】[基板の割れ及び1次分割時に端部に発生
するバリ:図6,7]次に、本実施形態の基板100を
用いて、チップ抵抗器を製造する際に、チップ抵抗器の
製造数を20%増加することが実際の製造工程で可能で
あるか否かについて調べた結果を図6および図7を用い
て詳細に説明する。
[Breaking of the Substrate and Burrs Occurring at Ends at Primary Division: FIGS. 6 and 7] Next, when the chip resistor is manufactured using the substrate 100 of the present embodiment, the chip resistor The result of the investigation as to whether or not it is possible to increase the manufacturing number by 20% in the actual manufacturing process will be described in detail with reference to FIGS. 6 and 7.

【0044】図6は、各工程での基板割れを測定するた
めに製造された、1次分割溝1から基板端部までの距離
L1の異なる基板(実施例1〜3、比較例)を説明する
図であり、図7は、図6の各基板を用いて抵抗器を形成
を形成する際に、各工程で破損する基板の数および1次
分割時に基板の端部に発生するバリ(L2)の大きさを
比較した結果を示した図である。
FIG. 6 illustrates substrates (Examples 1 to 3 and Comparative Example) having different distances L1 from the primary dividing groove 1 to the edge of the substrate, which are manufactured to measure the substrate crack in each process. FIG. 7 is a diagram illustrating the number of substrates damaged in each process and a burr (L2) generated at the end of the substrate during the primary division when forming a resistor using each substrate of FIG. It is the figure which showed the result of having compared the magnitude | size of).

【0045】すなわち、図6に示すように、1次分割溝
1の両端部から基板100の左端6aまたは右端6bま
での距離L1を0.2、0.5、0.8mmに変化させ
た本実施形態の基板100の実施例1〜実施例3を各2
00個づつ作製した。また、本実施形態の基板100の
比較例として、L1=0、すなわち1次分割溝が基板の
両端部まで達するように形成した基板を、比較例1とし
て200個作製した。
That is, as shown in FIG. 6, the distance L1 from both ends of the primary dividing groove 1 to the left end 6a or the right end 6b of the substrate 100 is changed to 0.2, 0.5 and 0.8 mm. Each of Example 1 to Example 3 of the substrate 100 of the embodiment is 2
00 pieces were produced. In addition, as a comparative example of the substrate 100 of the present embodiment, L1 = 0, that is, 200 substrates formed so that the primary dividing grooves reach both ends of the substrate were manufactured as Comparative Example 1.

【0046】次に図1のS106〜S108に対応す
る、裏電極印刷工程(S106)→表電極印刷工程(S
106)→抵抗印刷工程(S107)→第1保護膜作製
工程(S108)→第2保護膜作製工程(S108)に
おける基板割れ発生枚数および1次分割時に端部に発生
するバリL2(μm)を測定した結果を図7に示す。
Next, the back electrode printing step (S106) → the front electrode printing step (S) corresponding to S106 to S108 in FIG.
106) → resistive printing step (S107) → first protective film forming step (S108) → second protective film forming step (S108) in which the number of substrate cracks and burrs L2 (μm) generated at the end portion during the primary division are eliminated. The measurement result is shown in FIG.

【0047】図7から明らかなように、溝が基板端部ま
で達している比較例の場合には、裏電極印刷工程(破損
基板数:29枚)→表電極印刷工程(破損基板数:13
枚)→抵抗印刷工程(破損基板数:2枚)までの工程
で、200件中44件、すなわち全基板のうちの22%
に相当する基板(44/200)が破損している。
As is apparent from FIG. 7, in the case of the comparative example in which the groove reaches the end of the substrate, the back electrode printing step (the number of damaged substrates: 29) → the front electrode printing step (the number of damaged substrates: 13)
44 sheets out of 200, that is, 22% of all the boards in the process from the resistance printing process (the number of damaged substrates: 2)
The substrate (44/200) corresponding to is damaged.

【0048】一方、本実施形態の基板である実施例1〜
3(溝を形成しなかった部分の距離L1が0.2〜0.
8mmの場合)では、裏電極印刷工程→表電極印刷工程
→抵抗印刷工程までの工程では全く基板は破損しなかっ
た。また、1次分割時に端部に発生する図6に示すバリ
L2(μm)は、実施例1の場合に最大6μmであり、
実施例2の場合に最大22μmであり、実施例3の場合
に最大50μmであった。また実施例1〜実施例3に示
すバリL2(μm)=6〜50μmの範囲であれば、最
終的に形成される抵抗器に対して損傷を与えないことが
分かった。
On the other hand, Example 1 which is the substrate of the present embodiment
3 (distance L1 of the portion where the groove is not formed is 0.2 to 0.
In the case of 8 mm), the substrate was not damaged at all in the steps from the back electrode printing step → the front electrode printing step → the resistance printing step. Further, the burr L2 (μm) shown in FIG. 6 generated at the end portion in the primary division is 6 μm at maximum in the case of the first embodiment,
In the case of Example 2, the maximum was 22 μm, and in the case of Example 3, the maximum was 50 μm. Further, it was found that if the burr L2 (μm) shown in Examples 1 to 3 is in the range of 6 to 50 μm, the finally formed resistor is not damaged.

【0049】このことから、図4で示す構造の基板10
0を用いて、チップ抵抗器を製造すると、従来に比べて
抵抗器の製造数を20%増加することが可能であること
が分かる。また基板100の製造工程では、従来のチッ
プ抵抗器の製造工程と比較して、従来必要であった左右
の縁を分割する分割工程が不要となり、製造工程を簡略
化することができる。
From this, the substrate 10 having the structure shown in FIG.
It can be seen that if the chip resistor is manufactured by using 0, the number of manufactured resistors can be increased by 20% as compared with the related art. Further, in the manufacturing process of the substrate 100, compared with the manufacturing process of the conventional chip resistor, the dividing process for dividing the left and right edges, which is conventionally required, is unnecessary, and the manufacturing process can be simplified.

【0050】以上、絶縁基板に抵抗膜を形成してチップ
抵抗器を製造する例を述べたが、抵抗器の他電子部品の
特性に寄与する機能膜の種類を変更すれば、コンデン
サ、サーミスタ、ヒューズなど他の電子部品に適用可能
である。
The example of manufacturing the chip resistor by forming the resistance film on the insulating substrate has been described above. However, if the type of the functional film that contributes to the characteristics of the electronic component other than the resistor is changed, the capacitor, the thermistor, It can be applied to other electronic components such as fuses.

【0051】[0051]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば、チップ抵抗器等の電子部品を製造する際に用い
られる基板から容易にかつ多量に抵抗器等の電子部品を
製造できる絶縁性の基板およびその基板を用いる電子部
品の製造方法を提供することができる。
As described above, according to the present invention,
For example, to provide an insulative substrate capable of easily and electronically producing a large amount of electronic components such as resistors from a substrate used for producing electronic components such as chip resistors, and a method for producing electronic components using the substrate. You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】基板およびその基板を用いる抵抗器の製造法を
説明する図である。
FIG. 1 is a diagram illustrating a method of manufacturing a substrate and a resistor using the substrate.

【図2】従来の基板に形成される1次および2次次分割
溝と縁を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating primary and secondary division grooves and edges formed on a conventional substrate.

【図3】基板に形成されるチップ抵抗器を説明する図で
ある。
FIG. 3 is a diagram illustrating a chip resistor formed on a substrate.

【図4】本実施形態の基板に形成される1次および2次
次分割溝と縁を説明する図である。
FIG. 4 is a diagram illustrating primary and secondary division grooves and edges formed on the substrate of the present embodiment.

【図5】本実施形態の1次分割された基板に形成される
第1〜第3パターンを説明する図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining first to third patterns formed on the primary-divided substrate of the present embodiment.

【図6】各工程での基板割れの測定用に製造された、1
次分割溝1から基板端部までの距離の異なる基板の形状
を説明する図である。
FIG. 6 is a schematic view of a 1 manufactured to measure a substrate crack at each step.
It is a figure explaining the shape of the board | substrate from which the distance from the next division | segmentation groove | channel 1 to a board | substrate edge part differs.

【図7】各工程で破損する基板の数および1次分割時に
基板の端部に発生するバリの大きさを比較した図であ
る。
FIG. 7 is a diagram comparing the number of substrates that are damaged in each process and the size of burrs that occur at the edge of the substrate during primary division.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

L1 1次分割溝の端部から基板の端部まで 1 1次分割溝 2 2次分割溝 3a 縁 3b 縁 5a 上端 5b 下端 6a 左端 6b 右端 10 第1のパターン(製品) 11a 第2のパターン(ダミーパターン) 11b 第2のパターン(ダミーパターン) 12a 第3のパターン(保持部) 12b 第3のパターン(保持部) 10 第1のパターン(製品) 100 基板 L1 From the end of the primary dividing groove to the end of the substrate 1 Primary dividing groove 2 Secondary split groove 3a edge 3b edge 5a upper end 5b bottom 6a Left edge 6b right edge 10 First pattern (product) 11a Second pattern (dummy pattern) 11b Second pattern (dummy pattern) 12a Third pattern (holding part) 12b Third pattern (holding part) 10 First pattern (product) 100 substrates

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 互いに略直交する基板分割用の第1の溝
群および第2の溝群を有し、 前記第1の溝群の各溝の端と基板の端部との離間距離で
ある第1距離は、前記端と前記端部とが接しない程度に
短く、かつ、前記第2の溝群の各溝の端と基板の端部と
の離間距離である第2距離よりも短いことを特徴とする
絶縁基板。
1. A first groove group and a second groove group for dividing a substrate, which are substantially orthogonal to each other, and is a distance between an end of each groove of the first groove group and an end of the substrate. The first distance is so short that the end and the end do not come into contact with each other, and is shorter than a second distance which is a distance between the end of each groove of the second groove group and the end of the substrate. An insulating substrate characterized by.
【請求項2】 前記基板の表面と裏面には、略同様のパ
ターンを有する前記基板分割用の第1の溝群および第2
の溝群が形成されていることを特徴とする請求項1に記
載の絶縁基板。
2. A first groove group and a second groove for dividing the substrate, which have substantially the same pattern on the front surface and the back surface of the substrate.
2. The insulating substrate according to claim 1, wherein the groove group is formed.
【請求項3】 前記第1距離が、0.2〜0.8mmの
範囲となるように形成されていることを特徴とする請求
項1に記載の絶縁基板。
3. The insulating substrate according to claim 1, wherein the first distance is formed in a range of 0.2 to 0.8 mm.
【請求項4】 前記第1の溝群は、略等間隔の溝間距離
を有する複数の分割溝から形成されていることを特徴と
する請求項1に記載の絶縁基板。
4. The insulating substrate according to claim 1, wherein the first groove group is formed of a plurality of divided grooves having a substantially equal distance between grooves.
【請求項5】 前記第2の溝群によって、略同等の幅に
区画された個片群と、前記個片群の両側に形成され前記
個片群の一単位よりも幅広の第1の縁部と、前記第1の
縁部の外側に形成され前記第1の縁部よりも幅広の第2
の縁部と、が形成されたことを特徴とする請求項1に記
載の絶縁基板。
5. A piece group divided into substantially equal widths by the second groove group, and a first edge formed on both sides of the piece group and wider than one unit of the piece group. And a second portion formed outside the first edge portion and wider than the first edge portion.
The insulating substrate according to claim 1, wherein an edge portion of the insulating substrate is formed.
【請求項6】 互いに略直交する基板分割用の第1の溝
群および第2の溝群が形成された絶縁基板に、電子部品
の特性に寄与する機能膜および前記機能膜と接続した第
1の電極を形成した電子部品の製造方法であって、 前記絶縁基板の端部と前記第1の溝群の各溝の端とが接
しない程度に離間させた前記絶縁基板に、前記機能膜お
よび前記第1の電極を形成する工程と、 前記絶縁基板を前記第1の溝群に沿って分割する工程
と、 前記第1の溝群に沿って分割された前記絶縁基板に、前
記第1の電極と接続した第2の電極を形成する工程と、 前記第1の溝群に沿って分割された絶縁基板をさらに前
記第2の溝群に沿って分割する工程と、 を含むことを特徴とする電子部品の製造方法。
6. A functional film that contributes to the characteristics of an electronic component and a first film connected to the functional film on an insulating substrate having a first groove group and a second groove group for dividing the substrate which are substantially orthogonal to each other. A method of manufacturing an electronic component in which the electrode is formed, in which the functional film and the functional film are formed on the insulating substrate separated from each other so that an end of the insulating substrate and an end of each groove of the first groove group do not contact each other. The step of forming the first electrode, the step of dividing the insulating substrate along the first groove group, the step of dividing the insulating substrate along the first groove group with the first A step of forming a second electrode connected to the electrode, and a step of further dividing the insulating substrate divided along the first groove group along the second groove group. Electronic component manufacturing method.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2005045856A1 (en) * 2003-11-11 2005-05-19 Minowa Koa Inc. Electronic component manufacturing method

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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