JP2003306729A - マンガン又はマンガン酸化物の析出方法 - Google Patents

マンガン又はマンガン酸化物の析出方法

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Yoshika Sekine
嘉香 関根
Ayumi Tatsuoka
歩 立岡
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Tokai University
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Tokai University
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 マンガン又はマンガン酸化物を光照射により
光半導体粉末に光析出させる。 【解決手段】 過マンガン酸塩水溶液に、光半導体活性
を有する金属化合物の粉末を懸濁させ、この懸濁液に光
を照射して、金属化合物粉末の表面にマンガン又はマン
ガン酸化物を析出させるマンガン又はマンガン酸化物の
析出方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属又は金属酸化
物を光析出させる方法に関し、更に詳しくは光半導体活
性を有する粉末の表面にマンガン又はマンガン酸化物を
光析出させる方法に関する。
【0002】
【従来の技術】光半導体粉末を金属塩の水溶液に懸濁さ
せて光を照射すると粉末の表面に金属又は金属酸化物が
析出してくる反応は1920年頃から知られている(例
えばG.Tamman,Z.Anorg.Chem.,
114,151(1920)参照)。1970年代以
降、半導体電極上への光析出による画像形成や粉末上へ
の光析出による白金の担持を中心にこの分野の研究は活
発になされている(例えば大谷文章、化学工業、199
8(3)、219−226(1998)参照)。光析出
は、金属イオンが光半導体の伝導体から供与される電子
を受け取って析出する還元析出と、価電子帯に電子を放
出して析出する酸化析出とに大別される。前者の例とし
てはAg2+→Ag,Cu2+→Cu,Pt+2→Ptなど
が、後者の例としてはPb2+→PbO2 などがそれぞ
れ、知られている。しかしながら、光析出は金属イオン
の酸化還元電位によって起こるかどうかが決定され、光
半導体にTiO2 を用いた場合では、Ag,Cu,P
t,Pd,Ru,RuO2 ,PbO2,Rh,Ir,H
g,Cr及びAuについてのみ析出例が報告されている
(大谷文章、化学工業、1998(3)、219−22
6(1998)、M.R.Prairie et a
l.,Environ.Sci.Technol.,2
7,1776(1993)参照)。マンガンについて
は、Tanakaらが酸素雰囲気下での析出を試みてい
るが、その生成物に関して詳しい報告はなされていない
(K.Tanaka et al.,Solar En
ergy,36,159(1986)参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、マン
ガン又はマンガン酸化物を光半導体化合物粉末上に光析
出させることにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、過マン
ガン酸塩水溶液に、光半導体活性を有する金属化合物の
粉末を懸濁させ、この懸濁液に光を照射して、金属化合
物粉末の表面にマンガン又はマンガン酸化物を析出させ
ることを含んでなるマンガン又はマンガン酸化物の析出
方法が提供される。
【0005】
【発明の実施の形態】上記課題を解決するために、本発
明者らは出発物質として種々のマンガン化合物の水溶液
を検討し、過マンガン酸水溶液にTiO2 などの金属酸
化物を懸濁させて光を照射することによってマンガン又
はマンガン酸化物が析出する方法を見出し、本発明を完
成した。
【0006】本発明方法によれば、出発物質として過マ
ンガン酸塩水溶液を調製する。使用する過マンガン酸塩
の種類は特に限定されないが、過マンガン酸カリウムを
好適に用いることができる。過マンガン酸塩水溶液の濃
度にも特に限定はないが、濃度が濃すぎると粘性が高く
なる傾向にあり、後で光半導体粉末を添加した際に溶液
の均一性を保ちにくくなるおそれがあることから、1×
10-6〜1×10-3 mol/L程度の濃度が好ましい。
【0007】本発明に従えば、この過マンガン酸水溶液
に光半導体粉末を添加する。光半導体粉末としては、過
マンガン酸塩の還元析出に必要な電気化学ポテンシャル
を有しているものであればよく、例えばTiO2 ,Sr
TiO3 ,ZnO,FeO3などの金属化合物粉末があ
げられる。これらの光半導体粉末の中でTiO2 粉末の
使用が好適に用いられる。光半導体粉末の粒子径は、大
きすぎると光半導体活性が低下するおそれがあり、また
逆に小さすぎると凝集を起こしやすくなるおそれがある
ため、好ましくは1〜100ナノメートル(nm)、更に
好ましくは1〜10nmである。
【0008】本発明に従えば、次に、光半導体活性を有
する金属化合物粉末を加えた懸濁液を攪拌しながら、光
半導体のバンドギャップ以上のエネルギーに相当する波
長を有する光を照射する。このような光としては、具体
的には、ブラックライト、紫外線ランプ、蛍光灯、殺菌
等などの人工光、太陽光などをあげることができる。
【0009】本発明に従えば、またこの懸濁液に、水溶
性の被酸化剤を添加することによって、光半導体の電子
−正孔の再結合が防止でき、光析出反応の反応速度を速
くすることができる。かかる水溶性の被酸化剤として
は、アルコール類(例えばエタノール、メタノール、1
−プロパノールなど)、ケトン類(例えばアセトン、2
−ブタノンなど)などを好適に用いることができるが、
過マンガン酸イオンと反応性を有するカルボン酸類(ギ
酸、酢酸、シュウ酸など)は用いることができない。
【0010】本発明方法の反応温度は特に限定はない
が、好ましい反応濃度は5〜60℃であり、更に好まし
くは10〜40℃である。
【0011】
【実施例】以下、実施例に従って本発明を具体的に説明
するが、本発明の範囲をこれらに限定するものでないこ
とはいうまでもない。
【0012】実施例1 ガラス製ビーカーに7×10-5 mol/Lの過マンガン酸
カリウム水溶液100mLを加え、これにTiO2 (石原
テクノ製ST−01、アナターゼ型、粒径7nm、比表面
積320m2 /g)0.2gを加えて、マグネチックス
ターラーで攪拌し、室温下UVランプによって光を照射
した。光照射に伴い添加TiO2 粉末の色が白から茶色
に変化した。また溶液中のマンガンおよびカリウム濃度
を5分毎に測定したところ、図1に示すように、溶液中
のカリウム濃度には変化がなく、マンガン濃度は経時的
に低下して25分後には検出されなくなった。
【0013】実施例2 ガラス製ビーカーに7×10-5 mol/Lの過マンガン酸
カリウム水溶液100mLを加え、これにTiO2 (石原
テクノ製ST−01、アナターゼ型、粒径7nm、比表面
積320m2 /g)0.2gを加えてマグネチックスタ
ーラーで攪拌し、これにアセトンを0.022mL又は
0.1mL添加した。この溶液に室温下UVランプによっ
て光を照射した。光照射に伴いTiO2 粉末の色が白か
ら茶色に変化した。また図2に示すように、アセトンを
添加したときの方が、溶液中のマンガン濃度の減少が大
きく、光析出反応が速く進行した。
【0014】実施例3 ガラス製ビーカーに7×10-5 mol/Lの過マンガン酸
カリウム水溶液100mLを加え、これにTiO2 (石原
テクノ製ST−01、アナターゼ型、粒径7nm、比表面
積320m2 /g)0.2gを加えてマグネチックスタ
ーラーで攪拌し、これにギ酸、エタノール、メタノー
ル、1−プロパノール又は2−ブタノンをそれぞれ0.
0136mmol/Lとなるように添加した。この溶液に室
温下UVランプによって光を照射した。この光照射に伴
う溶液中のマンガン濃度の経時変化は図3に示す通りで
あった。ギ酸を加えた場合には、溶液の色は紫色から黄
色に変化したが溶液中のマンガン濃度は変化しておら
ず、TiO2 粉末の色にも変化が見られなかった。ギ酸
以外の化合物を添加した場合には、光照射に伴いTiO
2 粉末の色が白から茶色に変化した。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、マンガン又はマンガン
酸化物を光照射により光半導体化合物の粉末に光析出さ
せることができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に従った光析出反応中の水溶液中のマン
ガンおよびカリウムの濃度変化である。
【図2】アセトンの添加の有無による溶液中マンガン濃
度の変化の違いを示す図である。
【図3】各種被酸化剤を添加した時の溶液中マンガン濃
度の経時変化である。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 過マンガン酸塩水溶液に、光半導体活性
    を有する金属化合物の粉末を懸濁させ、この懸濁液に光
    を照射して、金属化合物粉末の表面にマンガン又はマン
    ガン酸化物を析出させることを特徴とするマンガン又は
    マンガン酸化物の析出方法。
  2. 【請求項2】 光半導体活性を有する金属化合物が酸化
    チタンである請求項1に記載のマンガン又はマンガン酸
    化物の析出方法。
  3. 【請求項3】 懸濁液に、過マンガン酸イオンと非反応
    性の水溶性被酸化剤を添加する請求項1又は2に記載の
    マンガン又はマンガン酸化物の析出方法。
  4. 【請求項4】 光半導体活性を有する金属化合物の粉末
    の粒子径が1〜10nmである請求項1〜3のいずれか1
    項に記載のマンガン又はマンガン酸化物の析出方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007216197A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Univ Kinki 光触媒皮膜及び光触媒材料並びにこれらの製造方法
JP2007325995A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Univ Kinki 光触媒皮膜及びその製造方法
JP2021511442A (ja) * 2018-01-24 2021-05-06 ナノガップ スブ−エネエメ−パウダー ソシエダッド アノニマ 原子量子クラスターの生成方法

Cited By (4)

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