JP2003303813A5 - - Google Patents

Claims (13)

1. プラズマを発生させて被処理体にプラズマ処理を行う真空処理室と、
   内部に熱媒体の流路を有する導電性材料で形成されるブロックと、
   前記ブロックに接するように配置され少なくとも一部が絶縁性材料で形成された真空処理室内部品とを有し、
   前記流路内に熱媒体としての絶縁性流体を流して前記真空処理室内部品を温度制御するプラズマ処理装置において、
   前記被処理体が前記真空処理室内になく、且つプラズマを発生させない状態で前記流路に前記絶縁性流体を流す時に、不活性ガスを前記真空処理室内に供給しつつ前記真空処理室内を所定の圧力に制御することにより、前記真空処理室内部品の帯電圧の上昇を抑制することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
2. 請求項１記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記絶縁性流体はフッ素系冷媒であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
3. 請求項１又は２記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記絶縁性材料の体積抵抗率は１０⁹ Ω・ｃｍ以上であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
4. 請求項３記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記絶縁性材料はセラミックであることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
5. 請求項４記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記真空処理室内部品は静電チャックであり、前記ブロックはアルミニウムで形成される下部電極であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
6. 請求項５記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記真空処理室には、前記下部電極と所定の距離だけ離れた位置に平行に配置される上部電極を有し、前記所定の圧力は、前記不活性ガスの種類に対応して求められるパッシェンカーブの最小火花条件から放電距離を前記所定距離とした場合に算出される圧力に対して、０．６倍以上、２．０倍以下であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
7. 請求項１〜６いずれか一項記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記不活性ガスは窒素ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
8. 請求項７記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記所定の圧力は、略１３Ｐａ以上、略４０Ｐａ以下であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
9. 請求項１〜８いずれか一項記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
   前記所定の圧力は間欠的に制御することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
10. 請求項９記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
    前記間欠的な圧力の制御は、前記不活性ガスの流量を変化させて行うことを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
11. 請求項９記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
    前記間欠的な圧力の制御は、前記不活性ガスの流量を一定とし、圧力制御装置で行うことを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
12. 請求項１記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
    前記真空処理室内への不活性ガスの供給開始後、所定時間経過した後に、前記真空処理室内の圧力制御を開始することを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。
13. 請求項１２記載のプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法において、
    前記所定時間が５分であることを特徴とするプラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法。