KR101232901B1 - 플라즈마처리장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 플라즈마처리장치는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되며, 기판이 안착되는 하부전극과, 상기 하부전극의 일면에 접촉되어 상기 하부전극을 냉각하는 냉각플레이트와, 상기 냉각플레이트 하부에 위치하여, 상기 냉각플레이트를 지지하는 베이스플레이트 및 상기 베이스플레이트와 상기 챔버의 바닥면 사이에 위치하여, 상기 베이스플레이트를 지지하며 상기 챔버와 상기 베이스플레이트 간에 열 전달이 이루어지게 하는 갭블럭(gap block)을 포함하여, 버 하부과 베이스플레이트 사이의 온도차를 줄여 챔버 바닥면 및 챔버 바닥면과 베이스 플레이트 사이에 설치되는 구조물의 파괴 및 변형을 방지하고, 이에 의해 챔버 내의 밀폐상태 및 접지상태를 향상한다.

Description

플라즈마처리장치{PLASMA PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 플라즈마처리장치에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 플라즈마를 이용하여 기판에 성막처리나 에칭처리 등을 실시하기 위한 플라즈마처리장치에 관한 것이다.
최근 반도체 소자나 평판 디스플레이 장치의 제조를 위한 기판의 미세가공 공정에는 플라즈마를 응용한 기술이 많이 이용되고 있다. 즉, 플라즈마는 반도체 소자 제조용 웨이퍼나 LCD(Liquid Crystal Display) 제조용 기판의 표면을 식각하거나 그 표면 상에 소정의 물질막을 증착하는데 널리 사용되고 있다.
특히, 높은 집적도의 반도체 소자의 제조를 위한 기판의 식각 또는 박막증착 공정에는 플라즈마를 이용하는 장비가 점차로 늘어가고 있는 추세이다.
지금까지 기판의 미세가공 공정에 사용되어 왔던 플라즈마 장치로는 크게 CCP(Capacitive Coupled Plasma), ECR(Electron Cyclotron Resonance), ICP(Inductively Coupled Plasma) 등이 있으며, 이 중에 유도결합 플라즈마장치(ICP)는 다른 장치들에 비해 높은 이온밀도를 갖는 장점이 있고, 그 구조가 간단하여 많이 사용되고 있다.
그러나, 유도결합 플라즈마 처리장치는 그 특성 상 공정 부산물인 폴리머(Polymer)가 고밀도 플라즈마의 영향을 받아 재분해 및 재축적되는 현상이 발생되며, 그로 인해 챔버 내측에 폴리머가 축적되어 공정 재연성의 저하 및 파티클 발생의 문제가 있다.
따라서, 폴리머 제거를 위해 챔버를 가열하지만, 챔버의 온도상승에 따른 챔버의 열팽창으로 인해 챔버 하부와 연결된 장치의 변형 및 실링부재의 파괴로 인한 챔버 내의 진공상태 유지에 문제가 발생한다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 챔버하부와 그와 연결된 장치들의 상대적 열팽창 차이를 최소화하는 플라즈마처리장치를 제공하기 위함이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 플라즈마처리장치는, 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되며, 기판이 안착되는 하부전극과, 상기 하부전극의 일면에 접촉되어 상기 하부전극을 냉각하는 냉각플레이트와, 상기 냉각플레이트 하부에 위치하여, 상기 냉각플레이트를 지지하는 베이스플레이트 및 상기 베이스플레이트와 상기 챔버의 바닥면 사이에 위치하여, 상기 베이스플레이트를 지지하며 상기 챔버와 상기 베이스플레이트 간에 열 전달이 이루어지게 하는 갭블럭(gap block)을 포함한다.
또한 상기 갭블럭에는 고온냉매액이 유입되는 고온냉매입구와, 상기 고온냉매액이 유출되는 고온냉매출구와, 상기 갭블럭의 상단에 형성되는 고온냉매유로, 그리고 상기 고온냉매입구와 상기 고온냉매출구 및 상기 고온냉매유로를 연결하는 고온냉매채널이 구비될 수 있다.
또한 상기 고온냉매액의 온도는 상기 하부전극의 온도와 상기 챔버의 온도의 사이값일 수 있다.
또한 상기 고온냉매액의 온도는 40℃ 이상 80℃ 이하일 수 있다.
또한 상기 갭블럭은 환형으로 형성되어, 상기 갭블럭의 중앙부에는 상기 냉각플레이트를 냉각하는 저온냉매액이 흐르는 저온냉매관이 구비될 수 있다.
또한 상기 고온냉매유로는 상기 저온냉매관의 단부 둘레를 따라 형성될 수 있다.
또한 상기 냉각플레이트는 상기 저온냉매액이 흐르는 저온냉각루프가 형성되고, 상기 저온냉각루프는 상기 저온냉매관과 연결될 수 있다.
또한 상기 저온냉매관은 상기 베이스플레이트를 관통하여 상기 저온냉각루프와 연결될 수 있다.
또한 상기 고온냉매입구는 상기 갭블럭의 하단에 형성되며, 상기 고온냉매액은 상기 챔버의 바닥면을 관통하여 상기 고온냉매입구로 유입될 수 있다.
또한 상기 고온냉매출구는 상기 갭블럭의 하단에 형성되며, 상기 고온냉매출구로 유출된 상기 고온냉매액은 상기 챔버의 바닥면을 관통하여 상기 챔버 외부로 유출될 수 있다.
본 발명에 따른 플라즈마처리장치는 챔버 하부과 베이스플레이트 사이의 온도차를 줄여 챔버 바닥면 및 챔버 바닥면과 베이스 플레이트 사이에 설치되는 구조물의 파괴 및 변형을 방지하고, 이에 의해 챔버 내의 밀폐상태 및 접지상태를 향상하는 효과가 있다.
이상과 같은 본 발명의 기술적 효과는 이상에서 언급한 효과로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마처리장치의 개략적 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 갭블럭을 도시한 사시도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선에 대한 단면도이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 실시예는 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 위하여 과장되게 표현된 부분이 있을 수 있으며, 도면 상에서 동일 부호로 표시된 요소는 동일 요소를 의미한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마처리장치의 개략적 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 일실시예에 따른 플라즈마처리장치(100)는 기판(101)이 처리되도록 내부에 플라즈마 처리공간 즉 밀폐된 공간을 제공하는 챔버(111)를 구비한다. 챔버(111)에는 챔버(111)를 가열할 수 있는 가열수단(미도시)이 구비된다. 가열수단으로는 챔버(111) 내측이나 외측 또는 측벽 내부에 설치되는 히터 등이 사용될 수 있다. 상기 가열수단은 플라즈마 처리공정에서 발생하는 부산물인 폴리머(polymer)가 챔버(111) 내측에 축적되는 것을 방지하기 위한 것이다.
챔버(111)의 상면은 개구되고, 그 개구부에는 유전체덮개(112)가 설치될 수 있다. 유전체덮개(112)로는 세라믹 등의 유전체판이 사용될 수 있다. 유전체덮개(112) 상부에는 ICP 안테나(113)가 설치될 수 있다. ICP 안테나(113)에는 RF 파워를 제공하는 RF 전원(114)이 연결된다. ICP 안테나(113)는 나선형으로 감긴 코일 형상일 수 있다.
RF 전원(114)에 의해 ICP 안테나(113)에 RF 전류가 흐르면, 자기장이 발생되고, 자기장의 변화에 의해 챔버(111) 내부에는 전기장이 유도된다. 챔버(111) 내부에 유도된 전기장에 의해 가속된 전자들의 충돌에 의해 반응가스가 이온화되며 플라즈마를 생성하게 된다. 이 때, 유전체덮개(112)의 유전율에 따라 챔버(111) 내에 유도되는 전기장의 상태가 달라질 수 있다.
상기 챔버(111)의 일측에는 챔버(111) 내부로 기판(101)이 출입할 수 있도록 기판출입구(115)가 구비될 수 있으며, 기판출입구(115)에는 기판출입구(115)를 선택적으로 밀폐할 수 있는 도어(116)가 설치될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 챔버(111)의 하부에는 기판(101)이 안착되는 하부전극(121)이 구비된다. 챔버(111) 내에 발생한 플라즈마가 기판(101)에 효과적으로 인입되도록 하부전극(121)에는 하부전극용 고주파 전원(122)이 연결된다.
하부전극(121)의 하부에는 하부전극(121)의 일면과 접촉하여 하부전극(121)을 냉각하는 냉각플레이트(123)가 구비된다. 냉각플레이트(123)에 의해 냉각된 하부전극(121)은 하부전극(121) 위에 안착된 기판(101)을 냉각시킨다. 기판(101)의 냉각은 플라즈마에 의한 포토레지스트의 영향을 최소화시키게되고, 초미세 패턴이 있는 기판(101)의 이방성 식각을 용이하게 한다.
냉각플레이트(123)는 저온냉매액의 순환에 의해 저온을 유지할 수 있으며, 이 경우 도 1에 도시된 바와 같이, 저온냉매액은 냉각플레이트(123)와 연결된 저온냉매관(124, 125)을 통해 유입/유출될 수 있다.
냉각플레이트(123)의 내부 또는 상면에는 저온냉매관(124, 125)과 연결된 저온냉각루프(126)가 지그재그로 형성될 수 있다. 저온냉매액은 저온냉매관(124, 125) 중 어느 하나 또는 일부를 통해 유입되고 저온냉각루프(126)를 지나 저온냉매액 유입시 사용된 저온냉매관(124) 이외의 다른 저온냉매관(125)을 이용해 유출되는 과정을 통해 하부전극(121)을 효율적으로 냉각시킬 수 있다. 예를 들면, 하부기판(101)의 온도는 약 0℃가 되도록 냉각될 수 있다.
냉각플레이트(123)의 하부에는 절연플레이트(127)가 형성될 수 있고, 절연플레이트(127)의 하부에는 절연플레이트(127)를 지지하는 베이스플레이트(128)가 구비될 수 있다. 도 1에 도시된 바와 같이 저온냉매관(124)은 절연플레이트(127) 및 베이스플레이트(128)를 관통하도록 설치될 수 있다.
베이스플레이트(128)와 챔버(111)의 바닥면 사이에는 베이스플레이트(128)를 지지하며 챔버(111)와 베이스플레이트(128) 간 열 전달을 가능하게 하는 갭블럭(gap block)(130)이 구비된다.
챔버(111) 측벽에 폴리머가 축적되는 것을 방지하기 위해 챔버(111)는 가열되지만(예를 들면, 약 120℃) 하부전극(121)은 챔버(111)보다 낮은 온도(예를 들면, 약 0℃)로 유지됨으로 인해, 베이스플레이트(128)에 대한 챔버(111) 바닥의 상대적 열팽창이 발생하게 된다.
즉. 챔버(111)의 중앙에 위치하는 가상의 중심선을 기준으로, 챔버(111)의 바닥면은 열에 의해 좌우로 팽창하고 베이스플레이트(128)는 냉각되어 상대적으로 중심선 쪽으로 수축하게 된다.
따라서, 베이스플레이트(128)와 챔버(111)의 바닥면 사이에 위치하며 중심선에서 우측에 위치하는 구조물의 경우에는, 상단에는 중심축으로 향하는 전단력이 작용하고, 하단에는 중심축에서 멀어지는 방향으로 전단력이 작용하여 구조물이 베이스플레이트(128)를 지지하지 못하고 무너지거나 변형되며, 이로 인한 씰(seal) 부재의 파괴로 챔버(111) 내의 진공이 유지되지 않는 문제도 발생될 수 있다.
갭블럭(130)은 베이스플레이트(128)와 챔버(111)의 바닥면 사이에 위치하여 양자 간 열교환이 가능하게 함으로 챔버(111) 하부의 상대적 열팽창을 최소화한다. 갭블럭(130)은 베이스플레이트(128)와 챔버(111)의 바닥면 사이의 열교환이 효율적으로 이루어지도록 열전도율이 좋은 재질로 형성될 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 갭블럭(130)은 환형으로 형성되고, 빈 공간을 형성하는 갭블럭(130)의 중앙부에는 냉각플레이트(127)로 유입/유출되는 저온냉매액이 지나는 저온냉매관(124, 125)이 위치될 수 있다. 즉, 저온냉매관(124, 125)은 챔버(111) 바닥면을 관통하여 갭블럭(130)의 중앙부를 지나 베이스플레이트(128) 및 절연플레이트(127)를 관통하여 냉각플레이트(127)에 구비된 저온냉각루프(126)와 연결될 수 있다.
도 2는 갭블럭(130)을 도시한 사시도이며, 도 3은 도 2의 A-A' 선에 대한 단면도이다. 본 발명의 실시예에 따른 갭블럭(130)은 베이스플레이트(128)와 챔버(111) 바닥면 사이의 온도 버퍼의 역할을 효율적으로 수행할 수 있도록 고온냉매액이 유입/유출 되도록 형성될 수 있다. 갭블럭(130)에 유입/유출되는 고온냉매액과 냉각플레이트(127)에 유입/유출되는 저온냉매액는 서로 다른 온도영역을 가질 수 있으며, 또는 종류가 다른 냉매액일 수 있다.
도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 갭블럭(130)의 하단에는 고온냉매액이 유입되는 고온냉매입구(131)와 고온냉매액이 유출되는 고온냉매출구(132), 갭블럭(130)의 상단에 갭블럭(130)의 둘레를 따라 형성된 고온냉매유로(133) 및 갭블럭(130)의 내부에 형성되어 고온냉매입구(131), 고온냉매출구(132) 그리고 고온냉매유로(133)를 연결하는 고온냉매채널(134)이 구비될 수 있다.
고온냉매입구(131) 및 고온냉매출구(132)는 챔버(111) 바닥면을 관통하도록 연장되어 챔버(111) 외부로부터 고온냉매액이 유입되도록 구성될 수 있다.
갭블럭(130)에 유입되는 고온냉매액은 그 온도가 하부전극(121)의 온도와 챔버(111)의 온도의 사이값을 갖는 것일 수 있다. 예를 들면, 하부전극(121)의 온도가 약 0℃ 이고, 챔버(111)의 온도가 약 120℃이라면, 유입되는 고온냉매액의 온도는 대략 40℃ 이상 80℃ 이하의 범위 내에 있을 수 있다. 더욱 바람직하게는 약 50℃ 이상 60℃ 이하의 범위 내 일 수 있다.
베이스플레이트(128)와 챔버(111) 바닥면 사이에 위치하는 갭블럭(130) 내부로 베이스플레이트(128)와 챔버(111)의 대략 중간 정도의 온도를 갖는 고온냉매액을 유입시킴으로 인해, 챔버(111) 바닥면의 열이 고온냉매액 및 갭블럭(130)을 통해 베이스플레이트(128)로 전달되어 챔버(111) 바닥면의 온도를 낮추어 챔버(111) 바닥의 열팽창을 감소시킬 수 있다.
고온냉매액은 갭블럭(130)의 상단에 형성된 고온냉매유로(133)를 지나며 베이스플레이트(128)의 저면과 열교환을 한다. 베이스플레이트(128)는 인접한 냉각플레이트(127)에 의해 온도가 낮아지지만 갭블럭(130) 상단을 지나는 고온냉매액으로부터 열 전달이 이루어져, 챔버(111) 바닥면과의 온도차가 줄어들게 된다.
따라서 갭블럭(130)은 챔버(111) 바닥면과 베이스플레이트(128) 사이에서 온도버퍼역할을 담당하여, 챔버(111) 바닥면과 베이스플레이트(128)의 급격한 온도 차에 따른 열팽창 차이에 의해 양자 사이에 위치하는 구조물에 작용하는 전단력을 줄이고, 전단력에 의한 구조물 변형 및 파괴를 방지할 수 있다.
앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는, 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.
100: 플라즈마처리장치 101: 기판
111: 챔버 121: 하부전극
122: 하부전극용 고주파 전원 123: 냉각플레이트
124, 125: 저온냉매관 127: 절연플레이트
128: 베이스 플레이트 130: 갭블럭
131: 고온냉매입구 132: 고온냉매출구
133: 고온냉매유로

Claims (10)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내에 설치되며, 기판이 안착되는 하부전극;
    상기 하부전극의 일면에 접촉되어 상기 하부전극을 냉각하는 냉각플레이트;
    상기 냉각플레이트 하부에 위치하여, 상기 냉각플레이트를 지지하는 베이스플레이트;
    상기 베이스플레이트와 상기 챔버의 바닥면 사이에 위치하여, 상기 베이스플레이트를 지지하는 갭블럭(gap block)을 포함하고,
    상기 갭블럭은 상기 갭블럭의 온도를 상기 챔버 바닥면의 온도와 상기 냉각플레이트의 온도 사이로 유지하는 온도버퍼수단을 구비하는 플라즈마처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 갭블럭은 상기 온도버퍼수단으로서,
    고온냉매액이 유입되는 고온냉매입구와, 상기 고온냉매액이 유출되는 고온냉매출구와, 상기 고온냉매입구와 상기 고온냉매출구를 연결하는 고온냉매유로를 구비하되, 상기 고온냉매액의 온도는 상기 냉각플레이트의 온도와 상기 챔버 바닥면의 온도의 사이값으로 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  3. 삭제
  4. 제2항에 있어서,
    상기 고온냉매액의 온도는 40℃ 이상 80℃ 이하인 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 갭블럭은 환형으로 형성되어, 상기 갭블럭의 중앙부에는 상기 냉각플레이트를 냉각하는 저온냉매액이 흐르는 저온냉매관이 구비되되, 상기 저온냉매액의 온도는 상기 고온냉매액의 온도 이하로 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 고온냉매유로는 상기 저온냉매관의 둘레를 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 냉각플레이트는 상기 저온냉매액이 흐르는 저온냉각루프가 형성되고, 상기 저온냉각루프는 상기 저온냉매관과 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 저온냉매관은 상기 베이스플레이트를 관통하여 상기 저온냉각루프와 연결되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  9. 제2항에 있어서,
    상기 고온냉매입구는 상기 갭블럭의 하단에 형성되며, 상기 고온냉매액은 상기 챔버의 바닥면을 관통하여 상기 고온냉매입구로 유입되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 고온냉매출구는 상기 갭블럭의 하단에 형성되며, 상기 고온냉매출구로 유출된 상기 고온냉매액은 상기 챔버의 바닥면을 관통하여 상기 챔버 외부로 유출되는 것을 특징으로 하는 플라즈마처리장치.
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20070035172A (ko) * 2005-09-27 2007-03-30 주식회사 래디언테크 냉각 유로
KR20070111899A (ko) * 2006-05-19 2007-11-22 주식회사 아이피에스 진공처리장치
KR20080006848A (ko) * 2006-07-14 2008-01-17 주식회사 아이피에스 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치
JP4115155B2 (ja) 2002-04-11 2008-07-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4115155B2 (ja) 2002-04-11 2008-07-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置の真空処理室内部品の帯電抑制方法
KR20070035172A (ko) * 2005-09-27 2007-03-30 주식회사 래디언테크 냉각 유로
KR20070111899A (ko) * 2006-05-19 2007-11-22 주식회사 아이피에스 진공처리장치
KR20080006848A (ko) * 2006-07-14 2008-01-17 주식회사 아이피에스 진공처리장치용 전극 및 그를 가지는 진공처리장치

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