JP2003303794A - 研磨パッド - Google Patents
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Abstract
れた研磨パッドを提供する。 【解決手段】 本発明は、巨視的に平坦な埋設表面と、
少なくとも1対の金属の線条と、を含む半導体ウエハを
研磨するための研磨パッド(19)であって、ベース
(20)と、ベースに連結され、ベースから間隔を隔て
て配置された外側面を有し、約4psiを超える所定の
圧縮圧力を受けたときに6ミクロン/psiよりも大き
い歪定数を有する弾性材料でできた第1の層(21)
と、外側面の少なくとも一部に連結され、外側面から間
隔を隔てて配置された研磨面を有し、所定の圧縮圧力を
受けたときに第1の層の歪定数よりも小さい歪定数を有
する弾性材料でできた第2の層(22)と、を含むこと
を特徴としている。
Description
研磨パッドに係わるものである。さらに具体的には、本
発明は半導体ウエハの内部及び表面の下に微視的な金属
の線条を形成し巨視的に平坦な表面で覆って形成された
半導体ウエハの巨視的に平坦な表面を研磨して前記金属
の線条を“露出化”し且つ平坦にするための装置に使用
する研磨パッドに係るものである。
導体ウエハの表面から硬い材質部をも柔らかい材質部を
も均等なレートで除去する事ができるところの半導体研
磨パッドに係るものである。
は文献によって、例えば、ジェイコブセン他によるアメ
リカ合衆国特許第3504457号によってよく知られてい
る。このジェイコブセン特許は、一つの弾性ポリウレタ
ンより成る研磨層またはフィルム23と、弾性コルファ
ムより成る中間層20と、化学的に不活性でより剛いニ
トリルゴムの層35を有する複合または多層構造の研磨
パッドを発表している。ジェイコブセンの複合研磨パッ
ドにおいては、より弾力的な層が半導体に隣接し、剛い
ニトリルゴム層が研磨される半導体からより遠くに設け
られている。
のような弾性パッドは長い年月に亘って半導体研磨に使
用され受け入れられてきたけれども、旧来の弾性パッド
構造では巨視的な半導体表面の大部分の全体的な部分よ
りも高い(または低い)微視的な領域を含むか、あるい
は軟質で、半導体の他のより硬い領域よりも速く摩耗し
て平坦化される領域を含む巨視的な半導体の表面を容易
に均一に平坦化するものではなかった。とりたてて云え
ば、旧来のパッドは凹み易く高い領域の周囲部分の角を
まるめる傾向があり高い部分が丸まった丘形となり易
い。半導体材料表面の平坦性はフォトリソグラフ工程に
おいて極めて重要である。典型的なフォトリソグラフ工
程においては、アルミニウム、タングステン、ポリシリ
コン、等の金属膜が半導体ウエハの表面に付着させられ
る。フォトレジストの層がスプレイ等によって金属膜に
コートされる。フォトレジストは感光性である。フォト
レジスト層の上にマスクが置かれ、光が照射される。フ
ォトレジストのマスクで隠れなかった部分は露光されて
硬化する。マスクが取り除かれて、フォトレジストの露
光されず硬化しなかった部分が薬品によって溶解除去さ
れる。フォトレジストが溶解除去されたあとの保護され
ない金属膜を別の薬品で蝕刻する。さらにまた他の薬品
で平坦な半導体ウエハの表面に残った金属の線または条
の上から露光硬化したフォトレジストを除去する。こう
して硬化したフォトレジストを除去したあとに残る金属
の線条の幅は、一般的に0.3乃至2.0ミクロンであ
り、好ましくは0.5乃至1.0ミクロンである。金属
線条の厚みもしくは高さは、やはり0.3乃至2.0ミ
クロンの範囲、好ましくは0.5乃至1.5ミクロンの
範囲である。二酸化シリコンまたは他の金属酸化物また
は絶縁材料が、平坦な半導体材料の金属線条と残りの未
架装領域の上にコーティング付着される。この金属酸化
物コーティングの厚みもしくは深さは金属線条の高さ、
例えば、0.3乃至2.0ミクロンよりも大きい。この
金属酸化物層は金属線条の頂部が“露出化”するまで研
磨される。この“露出化”は金属線条の上の金属酸化物
を全て研磨し去るまで、或いは極く微小厚の金属酸化物
層が残る程度にまで研磨し去ることをいう。金属線条は
その間隙を埋めている絶縁コーティングよりも高い硬度
をもつことがあるので、この様な場合には、層間の誘電
層平坦化プロセスや金属線条と絶縁材の研磨プロセスに
おいて、線条コーティングは金属線条の間隙部が削り込
まれるために平坦な表面が得られない傾向がある。反対
に金属線条が、その間隙を埋めている絶縁コーティング
材料よりも低い硬度をもつこともあり、このような場合
には金属線条の上の絶縁物質が研磨により全部除去され
た後も研磨を続けると、金属線条が削り込まれてしまう
傾向がある。
質を付着させるのであるから、付着物質を研磨する主目
的はこうした材料を平坦化或いは平面化する事であり、
平滑化する事ではない。これに反して金属を研磨する主
目的は基本的に金属の表面を平滑する事である。平滑な
表面を目的とする研磨と平坦な面を目的とする研磨との
区別は重要な事であり、選ばれる研磨パッドの特性に影
響する。滑らかな表面を得るのに効果的な研磨パッドが
必ずしも、半導体材料に要求される高精度に平坦な平面
を得るのに有用ではないだろう。
物質を有する半導体の表面を精確に平坦化する事が出来
るところの改良された研磨パッドを提供する事が強く望
まれている。
な表面をつくり出すことの出来る改良された研磨パッド
を提供する事にある。さらに本発明の第二の目的は、異
なった硬度をもつ複合物から成る半導体材料の表面を効
率的に高い精度に平坦化する事が出来るところの改良さ
れた研磨パッドを提供する事にある。
なる弾性係数の材料層をもった複合材から成る改良され
た研磨パッドを提供する事にある。さらに本発明の第四
の目的は、弾性圧縮と回復のヒステリシスの影響を小さ
くしたところの改良された研磨パッドを提供する事にあ
る。
を研磨する改良された研磨パッドを提供する。本発明の
研磨パッドは、半導体ウエハであって、該半導体ウエハ
は、巨視的に平坦な埋設表面と、少なくとも1対の金属
の線条と、を含み、金属の線条の各々は、埋設表面に連
結され、金属の線条の各々は、埋設表面から離れるよう
に実質的に等しい距離だけ延びており、対になった金属
の線条は、500ミクロンよりも小さい距離だけ互いに
間隔を隔てて配置されており、半導体ウエハは、金属の
線条および埋設表面に亘って広がり、金属の線条および
埋設表面を覆うコーティングをさらに含み、コーティン
グの上面が、巨視的には平坦で、かつ、微視的には凹凸
を有する加工表面を構成している半導体ウエハを研磨す
るための研磨パッドであって、該研磨パッドは、対にな
った金属の線条を露出させるように加工表面を微視的に
平坦化し、研磨パッドは、(a)ベースと、(b)ベー
スに連結され、ベースから間隔を隔てて配置された外側
面を有し、約4psiを超える所定の圧縮圧力を受けた
ときに6ミクロン/psiよりも大きい歪定数を有する
弾性材料でできた第1の層と、(c)外側面の少なくと
も一部に連結され、外側面から間隔を隔てて配置された
研磨面を有し、所定の圧縮圧力を受けたときに第1の層
の歪定数よりも小さい歪定数を有する弾性材料でできた
第2の層と、を含み、研磨パッドは、金属の線条および
コーティングが、すべての点で金属の線条およびコーテ
ィングを通る中央平面から500オングストロームより
も小さい量の偏差を有するように研磨することを特徴と
している。
は、以下に記述する手段によって明らかである。以下こ
れを図面に基づいて説明する。ここで、図面に即して本
発明の実施例について説明するが実施例は本来本発明の
説明の目的のために示すもので、本発明をこれに限定す
るものでは無い。図中各要素を示す番号は全図を通して
対応する同一要素を示している。
性パッドの圧縮量Dの関係を示すグラフである。図1に
おいて、P2はP1より大きくD2はD1より大きい。
ポリウレタン材料では、一般的にD2はP1が4psi
の時に約70ミクロンである。グラフにおいて線13は
直線部12と曲線部11を含んでいる。グラフに見られ
るように多くの弾性材料はパッドにかかる圧力がある一
定の値を超えると、圧縮量Dと圧力Pの関係はほぼ直線
的なものとなる。直線部12の傾斜は歪定数を示し、受け
た圧力に応じた圧縮量を与える。曲線部11は表面のけ
ばが押しつぶされることによって現れるものであろう。
体材料その他の円筒状被加工物或いはウエハ23が取り
付けられている状態を示す。ヘッド24は円形の支持面
24Aがありウエハ23の巨視的に平坦な底面23Aを
受けている。ここにいう“巨視的に平坦" とは目視的に
平面であることを意味し、“微視的に平坦" とは顕微鏡
的に平面であることを意味する。ウエハの上側の加工表
面23Bは巨視的に平坦であり面24Aと概ね平行であ
る。加工表面23Bは顕微鏡的には凹凸があり、概して
完全な平面は無い。加工表面23Bの凹凸は小さく、加
工表面23Bの中央平面に対して0.1乃至4.0ミクロンの
偏差の範囲内にある。例えば、図2のD5の寸法は一般
的に2.0乃至3.0ミクロンのオーダーにある。
面のウエハ中央平面からの偏差について説明する。すな
わち図4において、ウエハ230は円筒形のヘッド24
に装着されている、ヘッド24の円形の受け座面24A
はウエハ230の円形の巨視的に平坦な底面230Aを
受けている。ウエハ230の上側の加工表面230Bも
また巨視的に平坦で概ね面24Aに平行である。加工表
面230Bは顕微鏡的に見れば全面的に凹凸がある。こ
の全面的にある凹凸は、図2の加工表面230Bにもあ
るように、図4において加工表面230Bに示されてい
る。この図4の加工表面230B及び図2の加工表面2
3Bの凹凸は明らかに説明の為に誇張して表している、
図4の1点鎖線15は中央平面を表している。図4の中
央平面15は、概ね面24Aに平行でありまた図の紙面
に対して垂直である。中央平面15は面230Bと交わ
り、加工表面230Bの中央平面15の上下に存在する
全ての点と中央平面15との寸法の総和は零である。中
央平面15の下の点との寸法は負の値として扱われ、上
方の点との寸法は正の値として扱われる。従って、図4
において矢印Gで示される寸法は負の値となり、矢印F
で示される寸法は正の値となる。実際において、図4に
おいて矢印F及びGで示される寸法は約 0.1ミクロン乃
至 4.0ミクロンの範囲にあり、中央平面15は完全に平
面である。
形の表面20Aを有する円筒形の金属べ一ス20を含ん
でおり、弾性パッド21は巨視的に平坦な底面21Aで
べ一スの表面20Aに一般に接着剤層を介して付けられ
ている。上側の巨視的に平坦な表面21Bは可撓性パッ
ドの巨視的に平坦な下面22Aに接している。通常この
面21Bと22Aを接合するために接着剤が用いられ
る。可撓性パッド22の上側の研磨面22Bは巨視的に
平坦であり、表面20A、21A、21B、22A及び
22Bは任意の形状寸法を与えられる。
と半導体ウエハ23のより詳細な構造を示すものであ
る。ウエハ23は巨視的に平坦な埋設表面35を包含し
ている、金属の線条31、32、33、34、36、及
び38が各々埋設表面35に連結され、埋設表面から離
れるように実質的に等しい距離だけ延びている。金属の
線条31−34は、前に述べたフォトリソグラフ工程に
おいて埋設表面35上に形成される金属線或いは条をあ
らわすものである。埋設表面35に連結された金属の線
条を形成する別の方法はトレンチ36および38を作る
ものである。図3において、コーティング30が金属の
線条31から34及び36、38、を覆い埋設表面35
を覆っている。コーティング30の金属の線条31から
34を覆っている盛り上がった領域は、金属の線条31
と32、32と33のような中間領域とは異なる速度で
研磨される。矢印Tで示すコーティング30の最小厚み
は、各金属の線条31−34が埋設表面35からの寸法
より大きい。各金属の線条31−34は概ね同様な形状
と寸法であるから加工物表面23Bはどの点においても
埋設表面35からの寸法は金属の線条31−34の最上
点と埋設表面35の寸法よりも大きい。トレンチ36及
び38は一般に金属の線条31−34と同様な形状寸法
である。ここで金属の線条31−34、36、38には
任意の形状寸法を与え得るものである。本発明の研磨パ
ッドは、金属の線条31−34の最上面の部分のみを
“露出化" させるために、コーティング30の充分な厚
みを除去して加工表面23Bを平坦化する必要がある場
合において、特に有用である。このようにコーティング
30の部分を除去するに当たり望ましくは、研磨された
コーティング30の表面が平坦化されており、巨視的に
平坦な埋設表面35に全般的に平行に倣うことである。
図3には、説明のために埋設表面35及び加工表面23
Bの凹凸を大きく誇張して描いてある。
矢印Sの方向に加工表面23Bに対して(または互いに
逆に)押し付けられるとき、パッド22と21は圧縮さ
れる。このときパッド22と21によってB位置におい
て加工表面23Bに対して発生する圧力はA位置におい
てパッド22と21によって加工表面23Bに対して発
生する圧力よりも小さい、それはパッド22及び21が
加工表面23Bに対してA位置において圧縮される量が
B位置においてよりも大きく圧縮されることから明らか
である。
して作用する力F1及びF2はF3及びF4より大き
い、これも同様にパッドが力F1、F2を発生する場所
のほうが力F3、F4を発生する場所よりも多く圧縮さ
れているからである。図3において、研磨パッドの研磨
面22Bは加工表面23Bに対して摺動しながら回転す
る。シリカ、アルミナ、或いは他の研磨剤を懸濁させた
水溶液が研磨面22B上に供給され、加工表面23Bを
緩やかに研磨し平坦化する。研磨面22Bの加工表面2
3Bに対する回転の態様については図7に示す。図7に
おいて、円形の面22Bは矢印Wの方向に回転する。静
止しているヘッド24が加工表面23Bを研磨面22B
に対して押し付ける。ヘッド24はそれ自身回転したり
面22Bに対して移動したりする事が出来る。
にほぼ平行な巨視的に平坦な面を作ることであり、さら
にまたコーティング30を研磨して得られる加工表面2
3Bが、4ミリ角すなわち16平方ミリメートルの方形
のなかで、平面度偏差(以下TIRと略記する)が+或
いは−200乃至500オングストロームの範囲内にあ
る微視的に実質的に平坦な研磨面を得ることである。こ
こでTIR200オングストロームということは、加工
表面23Bの16平方ミリメートルの範囲内が最高点と
最低点の差が200オングストロームあるということで
ある。TIRが200乃至500オングストロームであ
るということは、16平方ミリメートルの範囲内におい
て中央平面からの+または−の偏差が100乃至250
オングストロームの範囲内にあるということである。本
発明の研磨パッドは16平方ミリメートルの範囲でTI
R200−500オングストロームをつくり出すとき、
このパッドは、好ましくは加工表面23Bの少なくとも
4平方ミリメートルの範囲内でTIR200−500オ
ングストロームを得るのに使用される。実際には本発明
または改良された実施例では加工表面23Bの20ミリ
メートル角すなわち400平方ミリメートルの範囲内で
TIR200−500オングストロームを得ることが望
まれる。コーティング30を研磨する際に問題となるの
は、金属の線条31−34がしばしばコーティング30
の材質とは異なる硬さと被研磨性を有するからである。
例えば、もしコーティング30が金属の線条31、32
よりも被研磨性が大きければ金属の線条31と32の間
のコーティング部分は削り込まれて31と32の間は凹
状の領域となる。コーティング30を研磨する上でもう
一つの重大な問題は、コーティングが非常に薄く一般に
2乃至3ミクロンであることで、重要なことはパッドの
研磨面22Bがコーティング30の加工表面23Bの全
体的な凹凸に倣う性質が在るということである。その様
な全体的な凹凸は図4の矢印Gで示すように中央平面1
5から0.1−4.0ミクロンのオーダーにある。高い
点は金属の線条31−34に起因し加工表面23Bの全
体的な凹凸のうちで極く小さい部分を占める。コーティ
ング30は概ね均等な厚みであるから、加工表面23B
の全体的な凹凸は埋設表面35の全体的な凹凸に概ね平
行に倣う。もし表面22Bが完全に平坦で且つ完全に剛
体であれば、図3における金属の線条31を覆っている
コーティング30は、金属の線条33や34の上のコー
ティングが全く除去されないでも金属の線条31の辺り
は埋設表面35まで研磨し去られるだろう。本発明の研
磨装置は半導体材料上の軟質部が削り込まれることを最
小に防止するもので、重要な点は、半導体材料の加工表
面内にある全体的凹凸面から高い(あるいは低い)点の
材料を削りとることを防止或いは最小にとどめることに
ある。例えば、高い金属の線条31および32の間の距
離が500乃至600ミクロンまでであり、31と32
は金属線であり、コーティング30が金属酸化物絶縁材
料または他の金属であって金属の線条31及び32より
硬い或いは柔らかい或いは同等の硬さであるとき、本発
明の研磨パッドは金属の線条31と32の頂点の間に展
開する表面にまで平坦化し、200−300オングスト
ローム以内に平坦化する。
9の弾性層22は層21より剛いもので、歪定数Dは層
21に対して4乃至20psiの圧力が加えられたとき
0.25−3.0ミクロン/psiの範囲にあるもの
で、層21の歪定数は6.0ミクロン/psiまたはそ
れ以上のものである。層21の歪定数はここでは4−2
0psiの圧力の時好ましくは6.0−12.0ミクロ
ン/psiである。普通は、歪定数は図1における線1
3の概ね直線となる部分12の傾斜角を示す。層21の
大きい歪定数はコーティング30の高低に従って弾性的
に圧縮変形することを可能ならしめる。
ら軟質の部分例えば金属の線条31と32の中間の部分
を削り込むのを防止する。層22の低い歪定数Dは金属
の線条31と32の間の様な領域を層22によって橋掛
けするような作用をする。さきに述べたように、パッド
22は図3において矢印Eで示したような約500乃至
600ミクロンまでの距離離れた領域に効果的に橋掛け
を行う。本発明の実施にあたっては発泡ポリウレタンそ
の他の発泡或いは弾性体等望ましい歪定数を持った材料
が使用できる。
れるべき研磨の態様とパッドに使用される材料が重要で
ある。第1に、コーティング30を研磨する第1の目的
は平坦化である。これは多くの研磨作業が面を平滑にす
る事を第1目的としているのとは対照的である。第2
に、本発明の研磨パッドは、加工物の巨視的に平坦な表
面の全て、もしくは大部分の点に同時に接触して表面を
研磨し平坦化する。このタイプの研磨は、他の加工物の
限定された範囲のみを研磨する。従って、点接触型研磨
と言われるものとは異なるものである。第3に、本発明
複合パッドの重要な特性はパッドに用いられる弾性層材
料の歪定数Dである。しばしば材料の歪定数は融点、密
度、柔軟性、硬さ、その他の物性に依存するとされるけ
れども、こうした仮定は正しく無い。以下に表1に物性
比較表によって示す。
ドはフルフリルアルコールと硬さが同じであるのに弾性
係数ははっきりと差がある。また、塩化ビニールはフル
フリルアルコールよりも比重が小さいのに硬さが高い。
弾性係数とは、歪と応力の比であり、物体がそれを歪ま
せようとする力に抵抗する度合いである。
は経路P2に比してパッドの1回転中にウエハ23の下
で圧接されている時間が長い。しかしながらパッド22
の経路のP1、P2に関係なくパッド21及び22(図
3及び図4をも参照)がウエハ23の下で圧縮される時
間はおおよそ同じである。これは図5にさらに詳細に示
される、すなわち、研磨パッド手段19を構成する弾性
パッドが圧縮されるに要する時間はパッド21および2
2がD4の距離を移動するに要する時間で示される。研
磨面22Bがウエハ23の丸みを帯びた緑50に接触し
てからウエハの下を矢印D4で示す距離を移動すること
により研磨パッド手段19は矢印D3で示す寸法だけ圧
縮される。表面22BがD3の寸法だけ圧縮されるに要
する時間は一般的に0.001乃至0.003秒で標準的
には0.002秒である。しかしながらその様な時間は
0.003秒程度以下である。現在は、距離D3は約7
0ミクロンである。0.002秒の間に70ミクロンを
圧縮することは圧縮変形速度が約1インチ毎秒というこ
とになる。材料を早い速度で圧縮変形させれば材料は剛
さを増すので圧縮に要する力も増加する。図6のグラフ
はこの現象を説明するものである。図6において、時間
軸の0秒において図5の点60がウェハ23の加工表面
23Bの下に進入しようとして丁度ウエハ23の外縁の
位置に来ている。時間軸の0.002秒の位置ではパッ
ド手段19の点60がウエハ23の下へ距離D4だけ移
動し寸法D3だけ圧縮されている。理論上、点60がウ
エハの下へ距離D4だけ移動した時点において、パッド
手段19がウエハ23に対して及ぼす力が第6図のグラ
フの点61で示す最大値をとる。パッド手段19上の点
60がウエハ23の下をさらに進んで行くと、圧縮され
たパッド21及び22がウエハ23に及ぼす力は次第に
減少して行き、力の大きさは点60がウエハ23の下に
移動して0.1秒の後になって図6のグラフの点62で
示す大きさにまで減少する。このパッド21及び22の
圧縮変形速度に基づいて、パッド手段19がウエハ23
に対して及ぼす力が増加する現象は高い歪定数を持つ、
従って、厚みの大きい弾性材料の効用を減殺する。また
一方、高い歪定数は、それがウエハ23の加工表面23
Bの凹凸に対して迅速に反応しそしてウエハ23に対し
てより均一な圧力を維持しながらウエハ23の加工面2
3Bの凹凸に対して良く順応するパッド21の性能を高
めるのに望ましいのである。
るもう一つの問題はヒステリシスである。ヒステリシス
とは、パッドの圧縮圧力を除いた後も元の形状に弾性的
に回復しない傾向をいうものである。
して弾性材料の圧縮応力の圧縮速度による増加の問題を
軽減するために、発明者は図8に示す複合パッドを発見
した。このパッドは、弾性発泡材料22を含み、弾性発
泡材料22は、その下に配置したガスを内包した気泡状
中空体よりも非常に小さい歪定数を有する。空気、窒
素、その他任意のガスが個々の気泡状中空体70に充填
される。気泡状中空体70は相互に連結されても良いし
また1個ずつ積み重ね、あるいは詰め込まれても良い
し、1個、或いはもっと多くの気泡状中空体が使用され
ても良い。個々の気泡状中空体70はガスまたは他の流
体を完全に密封してある。またもし望むならば、一つの
気泡状中空体は隣の気泡状中空体と連通しておりガスが
相互に流通し得るようになってどの気泡状中空体も単独
に密封はされていないようにする事もできる、したがっ
て一つの気泡状中空体が圧縮されるとき、ガスは隣の気
泡状中空体のほうへ圧入される。このように気泡状中空
体70の中のガスは圧縮変形速度に起因する圧力の増加
及びヒステリシスの影響を最小にすることが出来る。本
発明の実施技術の態様の一つとして、気泡状中空体70
を円筒状の室71から取り除き、パッド22を室71の
上部に気密的に且つ摺動可能にピストンのようにはめ込
み、室71をガスで満たしパッド22が矢印Xの方向に
圧縮されたとき、室71内の空気が圧縮されてパッドの
研磨面22Bをウエハ表面の全体的凹凸に実質的に平行
に倣う力を及ぼすようにすることができる。
ラフである。
導体材料表面を平坦化するために使用される複合研磨パ
ッドの側面を示す図である。
な構造を示す部分断面側面図である。
示す断面図である。
動して来たときの圧縮状態を示す断面図である。
た最初からの時間経過と、パッドが半導体材料に及ぼす
圧力の関係を示すグラフである。
具を上から見た平面図である。
である。
Claims (4)
- 【請求項1】 半導体ウエハであって、該半導体ウエハ
は、 巨視的に平坦な埋設表面と、 少なくとも1対の金属の線条と、を含み、 前記金属の線条の各々は、前記埋設表面に連結され、 前記金属の線条の各々は、前記埋設表面から離れるよう
に実質的に等しい距離だけ延びており、 前記対になった金属の線条は、500ミクロンよりも小
さい距離だけ互いに間隔を隔てて配置されており、 前記半導体ウエハは、前記金属の線条および前記埋設表
面に亘って広がり、前記金属の線条および前記埋設表面
を覆うコーティングをさらに含み、前記コーティングの
上面が、巨視的には平坦で、かつ、微視的には凹凸を有
する加工表面を構成している半導体ウエハを研磨するた
めの研磨パッドであって、 該研磨パッドは、前記対になった金属の線条を露出させ
るように前記加工表面を微視的に平坦化し、前記研磨パ
ッドは、(a) ベースと、(b) 前記ベースに連結
され、前記ベースから間隔を隔てて配置された外側面を
有し、約4psiを超える所定の圧縮圧力を受けたとき
に6ミクロン/psiよりも大きい歪定数を有する弾性
材料でできた第1の層と、(c) 前記外側面の少なく
とも一部に連結され、前記外側面から間隔を隔てて配置
された研磨面を有し、前記所定の圧縮圧力を受けたとき
に前記第1の層の歪定数よりも小さい歪定数を有する弾
性材料でできた第2の層と、を含み、前記研磨パッド
は、前記金属の線条および前記コーティングが、すべて
の点で前記金属の線条および前記コーティングを通る中
央平面から500オングストロームよりも小さい量の偏
差を有するように研磨することを特徴とする研磨パッ
ド。 - 【請求項2】 半導体ウエハであって、該半導体ウエハ
は、 巨視的に平坦な加工表面と、 前記加工表面にある隣接した金属の線条およびコーティ
ングと、を含み、前記金属の線条は、前記コーティング
と異なる速度で摩耗する半導体ウエハを研磨する研磨パ
ッドであって、 該研磨パッドは、(a) ベースと、(b) 前記ベー
スに連結され、前記ベースから間隔を隔てて配置された
外側面を有し、約4psiを超える所定の圧縮圧力を受
けたときに6ミクロン/psiよりも大きい歪定数を有
する弾性材料でできた第1の層と、(c) 前記外側面
の少なくとも一部に連結され、前記外側表面から間隔を
隔てて配置された研磨面を有し、前記所定の圧縮圧力を
受けたときに約3ミクロン/psiよりも小さい歪定数
を有する弾性可撓性材料でできた第2の層と、を含み、 前記研磨パッドは、前記金属の線条および前記コーティ
ングが、すべての点で前記金属の線条および前記コーテ
ィングを通る中央平面から500オングストロームより
も小さい量の偏差を有するように研磨することを特徴と
する研磨パッド。 - 【請求項3】 半導体ウエハの加工表面であって、該加
工表面は、 巨視的に平坦でかつ、前記加工表面がすべての点で、前
記加工表面を通る中央平面から4ミクロンよりも小さい
量の偏差を有する概して微視的に平坦である加工表面を
研磨する研磨パッドであって、(a) ベースと、
(b) 前記ベースに連結され、前記ベースから間隔を
隔てて配置された外側面を有し、約4psiを超える所
定の圧縮圧力を受けたときに6ミクロン/psiよりも
大きい歪定数を有する弾性材料でできた第1の層と、
(c) 前記外側面の少なくとも一部に連結され、前記
外側表面から間隔を隔てて配置された研磨面を有し、前
記所定の圧縮圧力を受けたときに前記第1の層の歪定数
よりも小さい歪定数を有する弾性材料でできた第2の層
と、を含み、 前記研磨パッドは、前記金属の線条および前記コーティ
ングが、すべての点で前記金属の線条および前記コーテ
ィングを通る中央平面から500オングストロームより
も小さい量の偏差を有するように研磨することを特徴と
する研磨パッド。 - 【請求項4】 前記金属の線条および前記コーティング
を合わせた全領域は、16平方ミリメートルよりも小さ
いことを特徴とする請求項2に記載の研磨パッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US49755190A | 1990-03-22 | 1990-03-22 | |
US497,551 | 1990-03-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50664891A Division JP3442772B2 (ja) | 1990-03-22 | 1991-03-22 | 半導体材料の中間層平坦化のための装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004064401A Division JP3660933B2 (ja) | 1990-03-22 | 2004-03-08 | 半導体製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003303794A true JP2003303794A (ja) | 2003-10-24 |
JP3560961B2 JP3560961B2 (ja) | 2004-09-02 |
Family
ID=23977323
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50664891A Expired - Lifetime JP3442772B2 (ja) | 1990-03-22 | 1991-03-22 | 半導体材料の中間層平坦化のための装置 |
JP2003127128A Expired - Lifetime JP3560961B2 (ja) | 1990-03-22 | 2003-05-02 | 研磨パッド |
JP2004064401A Expired - Lifetime JP3660933B2 (ja) | 1990-03-22 | 2004-03-08 | 半導体製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP50664891A Expired - Lifetime JP3442772B2 (ja) | 1990-03-22 | 1991-03-22 | 半導体材料の中間層平坦化のための装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004064401A Expired - Lifetime JP3660933B2 (ja) | 1990-03-22 | 2004-03-08 | 半導体製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0521102B1 (ja) |
JP (3) | JP3442772B2 (ja) |
DE (1) | DE69110456T2 (ja) |
WO (1) | WO1991014538A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1991
- 1991-03-22 DE DE69110456T patent/DE69110456T2/de not_active Revoked
- 1991-03-22 JP JP50664891A patent/JP3442772B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-22 EP EP91907378A patent/EP0521102B1/en not_active Revoked
- 1991-03-22 WO PCT/US1991/001945 patent/WO1991014538A1/en not_active Application Discontinuation
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2003
- 2003-05-02 JP JP2003127128A patent/JP3560961B2/ja not_active Expired - Lifetime
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2004
- 2004-03-08 JP JP2004064401A patent/JP3660933B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69110456D1 (de) | 1995-07-20 |
JPH05505769A (ja) | 1993-08-26 |
JP2004221611A (ja) | 2004-08-05 |
EP0521102B1 (en) | 1995-06-14 |
JP3560961B2 (ja) | 2004-09-02 |
JP3660933B2 (ja) | 2005-06-15 |
DE69110456T2 (de) | 1995-12-14 |
EP0521102A1 (en) | 1993-01-07 |
JP3442772B2 (ja) | 2003-09-02 |
WO1991014538A1 (en) | 1991-10-03 |
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---|---|---|---|
A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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|
A521 | Written amendment |
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A711 | Notification of change in applicant |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
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EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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