JP2003297799A - Device and method for treating substrate - Google Patents

Device and method for treating substrate

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JP2003297799A
JP2003297799A JP2002093314A JP2002093314A JP2003297799A JP 2003297799 A JP2003297799 A JP 2003297799A JP 2002093314 A JP2002093314 A JP 2002093314A JP 2002093314 A JP2002093314 A JP 2002093314A JP 2003297799 A JP2003297799 A JP 2003297799A
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for treating a substrate in which the substrate can be treated uniformly by treatment liquid. <P>SOLUTION: The device for treating the surface of a substrate W by jetting treatment liquid thereto comprises a carrying shaft 4 having a roller 5 for carrying the substrate along a specified direction, and a plurality of nozzles 21 arranged at least in the direction intersecting the carrying direction of substrate out of the carrying direction and the intersecting direction at a specified interval above the substrate being carried and jetting the treatment liquid to the substrate in a rectangular pattern such that side parts of adjacent rectangular patterns are overlapped. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、たとえば液晶表
示装置用などのガラス製の基板を処理液によって処理す
る基板の処理装置及び処理方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and processing method for processing a glass substrate for a liquid crystal display device with a processing liquid.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置に用いられるガラス製の基
板には回路パターンが形成される。基板に回路パターン
を形成するにはリソグラフィープロセスが採用される。
リソグラフィープロセスは周知のように上記基板にレジ
ストを塗布し、このレジストに回路パターンが形成され
たマスクを介して光を照射する。
2. Description of the Related Art A circuit pattern is formed on a glass substrate used for a liquid crystal display device. A lithographic process is used to form a circuit pattern on a substrate.
In the lithographic process, as is well known, a resist is applied to the substrate, and the resist is irradiated with light through a mask on which a circuit pattern is formed.

【0003】つぎに、レジストの光が照射されない部分
或いは光が照射された部分を除去し、基板のレジストが
除去された部分をエッチングするなどの一連の工程を複
数回繰り返すことで、上記基板に回路パターンを形成す
る。
Next, a series of steps such as removing a portion of the resist which is not irradiated with light or a portion of which the light is irradiated and etching a portion of the substrate where the resist has been removed are repeated a plurality of times so that the above substrate is formed. Form a circuit pattern.

【0004】このようなリソグラフィープロセスにおい
ては、上記基板にエッチング液或いはエッチング後にレ
ジストを除去する剥離液、さらに除去後に基板を洗浄す
るための洗浄液などの処理液によって基板を処理する工
程が必要となる。
In such a lithographic process, a step of treating the substrate with an etching liquid or a stripping liquid for removing the resist after etching and a treating liquid such as a cleaning liquid for cleaning the substrate after the removal is required. .

【0005】従来、基板の板面を処理液によって処理す
る場合、たとえば基板を搬送ローラにより所定方向に搬
送するとともに、搬送の途中で基板の上方に位置するノ
ズル体から上記処理液を噴射して基板を処理するという
ことが行われている。
Conventionally, when a plate surface of a substrate is treated with a treatment liquid, for example, the substrate is conveyed in a predetermined direction by a conveyance roller, and the treatment liquid is jetted from a nozzle body located above the substrate during the conveyance. Processing a substrate is being done.

【0006】上記ノズル体は、基板の搬送方向及び搬送
方向に対して交差する方向に対しそれぞれ所定間隔で配
置されている。そして、上記ノズル体からは、通常、処
理液を円形パターンで噴射するとともに、処理液による
処理の斑が生じることがないよう、隣り合う処理液の円
形パターンをラップさせるということが行なわれてい
る。
The nozzle bodies are arranged at predetermined intervals in the substrate transport direction and the direction intersecting the substrate transport direction. Then, from the nozzle body, in general, the treatment liquid is jetted in a circular pattern, and the circular patterns of the adjacent treatment liquids are wrapped so that the unevenness of the treatment by the treatment liquid does not occur. .

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】ところで、処理液をノ
ズル体から円形パターンで噴射すると、基板の板面に対
して処理液が噴射されない部分が生じないようにするた
めには、基板の幅方向およびこの幅方向に対して交差す
る搬送方向において隣り合う円形パターンのラップ代を
大きく取らなければならない。
By the way, when the processing liquid is sprayed from the nozzle body in a circular pattern, in order to prevent a portion where the processing liquid is not sprayed from the plate surface of the substrate, the width direction of the substrate is adjusted. Also, the lap margins of the circular patterns adjacent to each other in the transport direction intersecting the width direction must be large.

【0008】隣り合う円形パターンのラップ代を大きく
すると、基板の幅方向に配置されるノズル体の数を多く
しなければならないから、その分、構成の複雑化や部品
点数の増大を招くということになる。とくに、基板が矩
形状の液晶表示装置用のガラス基板であると、円形パタ
ーンの場合には基板の幅方向両端部において処理液を均
一に噴射し難いということがあるため、処理状態に斑が
生じる虞がある。
When the lap margin of the adjacent circular patterns is increased, the number of nozzle bodies arranged in the width direction of the substrate must be increased, and accordingly, the structure is complicated and the number of parts is increased. become. In particular, when the substrate is a glass substrate for a liquid crystal display device having a rectangular shape, it may be difficult to evenly inject the treatment liquid at both ends in the width direction of the substrate in the case of a circular pattern, so that the treatment state may be uneven. May occur.

【0009】この発明は、基板に処理液を効率よく、し
かも均一に噴射することができるようにした基板の処理
装置および処理方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a processing method capable of efficiently and uniformly spraying a processing liquid onto a substrate.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
の板面に処理液を噴射してこの板面を処理する処理装置
において、上記基板を所定方向に沿って搬送する搬送手
段と、搬送される基板の上方で、この基板の搬送方向及
びその搬送方向に対して交差する方向のうち、少なくと
も上記搬送方向と交差する方向に所定間隔で配置され上
記基板に対して処理液を矩形パターンで、かつ隣り合う
矩形パターンの側辺部がラップするよう噴射する複数の
ノズル体とを具備したことを特徴とする基板の処理装置
にある。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing device for spraying a processing liquid onto a plate surface of a substrate to process the plate surface, and a transfer means for transferring the substrate along a predetermined direction. Above the substrate to be transported, among the transport direction of this substrate and the direction intersecting the transport direction, at least the direction intersecting the transport direction is arranged at a predetermined interval and the processing liquid is rectangular with respect to the substrate. According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus, comprising: a plurality of nozzle bodies that spray in a pattern so that side portions of adjacent rectangular patterns overlap each other.

【0011】請求項2の発明は、処理液の隣り合う矩形
パターンのラップ代は、0パーセント以上で、30パー
セント以下であることを特徴とする請求項1記載の基板
の処理装置にある。
According to a second aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the wrap margin of the rectangular patterns adjacent to each other in the processing liquid is 0% or more and 30% or less.

【0012】請求項3の発明は、上記搬送手段は、上記
基板を上記ノズル体の下方で上記所定方向に沿って往復
動させることを特徴とする請求項1記載の基板の処理装
置にある。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first aspect, wherein the transfer means reciprocates the substrate below the nozzle body along the predetermined direction.

【0013】請求項4の発明は、上記ノズル体は、高さ
調整機構によって上記基板の板面に対して高さ調整可能
に設けられていることを特徴とする請求項1記載の基板
の処理装置にある。
According to a fourth aspect of the present invention, the nozzle body is provided so that its height can be adjusted with respect to the plate surface of the substrate by a height adjusting mechanism. On the device.

【0014】請求項5の発明は、上記ノズル体は、基板
の搬送方向及びその搬送方向に対して交差する方向に対
してそれぞれ所定間隔で配置され、上記基板の搬送方向
に対して隣り合うノズル体の位置を、搬送方向と交差す
る方向に対してずらしたことを特徴とする請求項1記載
の基板の処理装置にある。
According to a fifth aspect of the present invention, the nozzle bodies are arranged at predetermined intervals in a substrate transport direction and a direction intersecting the substrate transport direction, and the nozzle bodies are adjacent to each other in the substrate transport direction. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the position of the body is displaced with respect to a direction intersecting the transport direction.

【0015】請求項6の発明は、基板の板面に処理液を
噴射してこの板面を処理する処理方法において、上記基
板を搬送する工程と、所定位置に搬送された基板の板面
に、この基板の搬送方向及びその搬送方向に対して交差
する方向のうち、少なくとも上記搬送方向と交差する方
向に沿って処理液を複数の矩形パターンで、かつ上記基
板の板面上で隣り合う矩形パターンの側辺部がラップす
るよう噴射する工程と、を具備したことを特徴とする基
板の処理方法にある。
According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a processing method of injecting a processing liquid onto a plate surface of a substrate to process the plate surface, the step of transferring the substrate, and the plate surface of the substrate transferred to a predetermined position. Of the substrate transport direction and the direction intersecting the transport direction, the treatment liquid has a plurality of rectangular patterns along at least the direction intersecting the transport direction, and the rectangles are adjacent to each other on the plate surface of the substrate. And a step of spraying so that the side portions of the pattern wrap.

【0016】請求項7の発明は、上記処理液の噴射高さ
を変えることで、上記基板上における処理液のラップ代
を調整することを特徴とする請求項6記載の基板の処理
方法にある。
The invention according to claim 7 is the method for processing a substrate according to claim 6, characterized in that the lapping margin of the processing liquid on the substrate is adjusted by changing the injection height of the processing liquid. .

【0017】この発明によれば、処理液を矩形パターン
で噴射し、少なくとも基板の搬送方向と交差する方向に
おいて、隣り合う矩形パターンの側辺部をラップさせる
ようにしたため、少ない数のノズル体によって基板の板
面に処理液をむらなく均一に噴射することができる。
According to the present invention, the treatment liquid is jetted in a rectangular pattern, and the side portions of the adjacent rectangular patterns are overlapped at least in the direction intersecting the substrate transport direction. Therefore, a small number of nozzle bodies are used. The processing liquid can be uniformly sprayed onto the plate surface of the substrate.

【0018】[0018]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながらこの発
明の一実施の形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0019】図1に示すこの発明の処理装置はチャンバ
1を備えている。このチャンバ1は長手方向一端に搬入
口2、他端に搬出口3が形成され、内部には長手方向に
対して所定間隔で複数の搬送軸4が回転可能に設けられ
ている。搬送軸4には複数の搬送ローラ5が軸方向に所
定間隔で設けられている。
The processing apparatus of the present invention shown in FIG. 1 includes a chamber 1. The chamber 1 has a carry-in port 2 at one end in the longitudinal direction and a carry-out port 3 at the other end, and a plurality of transport shafts 4 are rotatably provided inside the chamber 1 at predetermined intervals in the longitudinal direction. A plurality of transport rollers 5 are provided on the transport shaft 4 at predetermined intervals in the axial direction.

【0020】図2と図3に示すように、各搬送軸4は両
端部が軸受6によって回転可能に支持されている。複数
の搬送軸の1本の一端部にはウオームホイール7が嵌着
されている。この搬送軸4に設けられたウオームホイー
ル7はウオームギヤ8に噛合している。ウオームギヤ8
はチャンバ1の長手方向に沿って配置された従動軸9に
嵌着されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, both ends of each conveying shaft 4 are rotatably supported by bearings 6. A worm wheel 7 is fitted to one end of each of the plurality of transport shafts. A worm wheel 7 provided on the transport shaft 4 meshes with a worm gear 8. Worm gear 8
Is fitted to a driven shaft 9 arranged along the longitudinal direction of the chamber 1.

【0021】上記従動軸9には従動プーリ11が設けら
れ、この従動プーリ11と駆動源12の回転軸12aに
嵌着された駆動プーリ13とにはチェーン14が張設さ
れている。それによって、上記駆動プーリ13が駆動源
12によって回転駆動されると、その回転に応じて上記
ウオームホイール7が設けられた搬送軸4が従動軸9を
介して回転駆動されるようになっている。
A driven pulley 11 is provided on the driven shaft 9, and a chain 14 is stretched between the driven pulley 11 and the drive pulley 13 fitted to the rotary shaft 12a of the drive source 12. Accordingly, when the drive pulley 13 is rotationally driven by the drive source 12, the transport shaft 4 provided with the worm wheel 7 is rotationally driven via the driven shaft 9 according to the rotation. .

【0022】各搬送軸4の一端部には図示しないスプロ
ケットが設けられている。各スプロケットには図示しな
いチェーンが張設されている。それによって、ウオーム
ホイール7が設けられた搬送軸4が回転駆動されると、
その回転に他の搬送軸4が連動するようになっている。
A sprocket (not shown) is provided at one end of each transport shaft 4. A chain (not shown) is stretched around each sprocket. As a result, when the transport shaft 4 provided with the worm wheel 7 is rotationally driven,
The other transport shaft 4 is interlocked with the rotation.

【0023】なお、上記駆動源12は図示しない制御装
置によって駆動が制御され、上記駆動プーリ13の回転
方向を正転方向、逆転方向及び正転方向と逆転方向とを
交互に回転させることができるようになっている。
The drive of the drive source 12 is controlled by a control device (not shown), and the rotation direction of the drive pulley 13 can be rotated in the forward rotation direction, the reverse rotation direction, and the forward rotation direction and the reverse rotation direction alternately. It is like this.

【0024】上記チャンバ1の搬入口2からは液晶表示
装置に用いられるガラス製の矩形状の基板Wが搬入され
る。チャンバ1内に搬入された基板Wは、下面を搬送軸
4に設けられた搬送ローラ5に接触させて搬送される。
From the carry-in port 2 of the chamber 1, a glass rectangular substrate W used in a liquid crystal display device is carried in. The substrate W loaded into the chamber 1 is transported with its lower surface in contact with the transport roller 5 provided on the transport shaft 4.

【0025】上記搬送軸4の上方には、両端部が軸受1
7によって回転可能に支持された押え軸18が配置され
ている。この押え軸18の両端部には、上記搬送軸4の
搬送ローラ5によって搬送される上記基板Wの幅方向の
両端部の上面を押える押えローラ19が設けられてい
る。つまり、基板Wは、幅方向両端部の下面と上面とが
上記搬送ローラ5と押えローラ19とによって保持され
て搬送されるようになっている。
Above the carrier shaft 4, both ends are bearings 1.
A pressing shaft 18 rotatably supported by 7 is arranged. At both ends of the pressing shaft 18, pressing rollers 19 for pressing the upper surfaces of the widthwise ends of the substrate W conveyed by the conveying rollers 5 of the conveying shaft 4 are provided. That is, the substrate W is configured such that the lower surface and the upper surface of both widthwise end portions are held by the carrying roller 5 and the pressing roller 19 and carried.

【0026】チャンバ1内を搬送される基板Wの上方に
は、この基板Wの上面に向けてエッチング液、レジスト
の剥離液、洗浄液などの処理液を噴射する多数のノズル
体21が配置されている。
A large number of nozzle bodies 21 for ejecting a processing liquid such as an etching liquid, a resist stripping liquid, and a cleaning liquid toward the upper surface of the substrate W are arranged above the substrate W transported in the chamber 1. There is.

【0027】すなわち、上記チャンバ1内の搬送ローラ
5によって搬送される基板Wの上方には、図1に示すよ
うに基板Wの搬送方向に沿って杆状の複数の取付け部材
22がピッチPで配置されている。各取付け部材2
2には図2に示すように複数の上記ノズル体21が長手
方向にピッチPで取付けられている。ここで、P
=Pに設定されている。
That is, the transfer roller in the chamber 1
The upper part of the substrate W carried by the substrate 5 is shown in FIG.
A plurality of rod-shaped mounting members along the transport direction of the substrate W
22 is the pitch P1It is located in. Each mounting member 2
2 has a plurality of nozzle bodies 21 as shown in FIG.
Pitch P in the directionTwoIt is installed in. Where P
1= PTwoIs set to.

【0028】図5に示すように、基板Wの搬送方向にお
いて、隣り合う取付け部材22に設けられたノズル体2
1は、基板Wの幅方向に対してピッチPの2分の1
ずれている。つまり、ノズル体21は基板Wの搬送方向
において千鳥状に配置されている。
As shown in FIG. 5, the nozzle bodies 2 provided on the attachment members 22 adjacent to each other in the transport direction of the substrate W.
1 is a half of the pitch P 2 in the width direction of the substrate W.
Deviated. That is, the nozzle bodies 21 are arranged in a zigzag pattern in the transport direction of the substrate W.

【0029】図3に示すように、各ノズル体21はノズ
ルチップ23を有し、このノズルチップ23には図4に
示すように角錐状の噴射孔24が上記ノズルチップ23
の下面に開口形成されている。噴射孔24の頂部には円
柱状の供給孔24aが連通し、処理液はこの供給孔24
aから噴射孔24に供給される。
As shown in FIG. 3, each nozzle body 21 has a nozzle tip 23, and the nozzle tip 23 has pyramidal injection holes 24 as shown in FIG.
An opening is formed on the lower surface of the. A cylindrical supply hole 24a communicates with the top of the injection hole 24, and the processing liquid is supplied through the supply hole 24a.
It is supplied to the injection hole 24 from a.

【0030】上記ノズル体21に供給された処理液は、
上記ノズルチップ23の噴射孔24の形状に対応した矩
形パタ−ンとなって基板Wの上面に噴射される。この実
施の形態ではノズルチップ23の下面に開口した噴射孔
24の形状は正方形になっている。したがって、処理液
は基板Wの板面に正方形のパターンで噴射される。
The processing liquid supplied to the nozzle body 21 is
A rectangular pattern corresponding to the shape of the injection hole 24 of the nozzle chip 23 is ejected onto the upper surface of the substrate W. In this embodiment, the injection hole 24 opened on the lower surface of the nozzle tip 23 has a square shape. Therefore, the processing liquid is sprayed on the plate surface of the substrate W in a square pattern.

【0031】上記ノズル体21は、取付け部材22の両
端部に設けられた高さ調整機構25によって基板Wの板
面に対する高さ調整ができるようになっている。この高
さ調整機構25は、図3に示すようマウントロッド27
を有する。このマウントロッド27の一端は上記取付け
部材22の両端に連結片26を介して取付けられてい
る。マウントロッド27は軸線を上記取付け部材22の
軸線と平行にして設けられている。
The height of the nozzle body 21 with respect to the plate surface of the substrate W can be adjusted by a height adjusting mechanism 25 provided at both ends of the mounting member 22. The height adjusting mechanism 25 is mounted on the mount rod 27 as shown in FIG.
Have. One end of the mount rod 27 is attached to both ends of the attachment member 22 via connecting pieces 26. The mount rod 27 is provided with its axis parallel to the axis of the mounting member 22.

【0032】上記チャンバ1内の幅方向両端にはガイド
部材28がL字状のブラケット29を介して立設されて
いる。このブラケット29の下端は上記チャンバ1の側
壁下部に固定されている。上記ガイド部材28には上下
方向に沿って細長いガイド孔31が上記ガイド部材28
の厚さ方向に貫通して形成されている。
Guide members 28 are erected on both ends in the width direction of the chamber 1 via L-shaped brackets 29. The lower end of the bracket 29 is fixed to the lower portion of the side wall of the chamber 1. The guide member 28 has an elongated guide hole 31 in the vertical direction.
Is formed so as to penetrate in the thickness direction.

【0033】上記ガイド孔31にはガイド部材28の厚
さ方向一端から上記マウントロッド27の他端部がガイ
ド孔31の長手方向に沿ってスライド可能に挿入されて
いる。上記ガイド部材28の厚さ方向他端からは、上記
マウントロッド27の端面に蝶ねじ32がワッシャ33
を介して螺合されている。
In the guide hole 31, one end of the guide member 28 in the thickness direction from the other end of the mount rod 27 is slidably inserted along the longitudinal direction of the guide hole 31. From the other end in the thickness direction of the guide member 28, a thumbscrew 32 is attached to the end surface of the mount rod 27 with a washer 33.
It is screwed through.

【0034】したがって、上記蝶ねじ32を緩めれば、
上記取付け部材22をガイド部材28のガイド孔31に
沿って上下方向にスライドさせることができ、上記蝶ね
じ32を締め込めば、上記取付け部材22を所定の位置
で固定できるようになっている。
Therefore, if the thumbscrew 32 is loosened,
The mounting member 22 can be vertically slid along the guide hole 31 of the guide member 28, and the mounting member 22 can be fixed at a predetermined position by tightening the thumbscrew 32.

【0035】上記マウントロッド27にはアジャストね
じ34が螺合されている。このアジャストねじ34は、
上端部が上記ガイド部材28の上端に設けられた支持部
材35に回転可能に挿通され、下端が上記ガイド部材2
8を取付けたブラケット29の上面に回転可能に支持さ
れている。
An adjusting screw 34 is screwed onto the mount rod 27. This adjustment screw 34 is
The upper end portion is rotatably inserted into a support member 35 provided on the upper end of the guide member 28, and the lower end portion is the guide member 2
It is rotatably supported on the upper surface of a bracket 29 to which 8 is attached.

【0036】上記アジャストねじ34には、上記支持部
材35の上面側と下面側とに位置するナット36が螺合
されている。一対のナット36のどちらか一方と上記マ
ウントロッド27に螺合された蝶ねじ32とを緩め、上
記アジャストねじ34を回転させれば、上記マウントロ
ッド27を介して上記取付け部材22の高さを上方或い
は下方に微調整することができる。つまり、上記取付け
部材22に取付けられたノズル体21は上記高さ調整機
構25によって上記基板Wの板面に対する高さを調整で
きるようになっている。
Nuts 36 located on the upper surface side and the lower surface side of the supporting member 35 are screwed into the adjusting screw 34. By loosening either one of the pair of nuts 36 and the thumbscrew 32 screwed to the mount rod 27 and rotating the adjusting screw 34, the height of the mounting member 22 can be increased via the mount rod 27. It can be finely adjusted upward or downward. That is, the height of the nozzle body 21 attached to the attachment member 22 can be adjusted by the height adjustment mechanism 25 with respect to the plate surface of the substrate W.

【0037】ノズル体21の高さを変えることで、各ノ
ズル体21から噴射されて基板Wの上面に到達する処理
液の正方形の面積を変えることができる。たとえば、基
板Wの上面に対するノズル体21の距離、つまりノズル
体21の高さを高くすれば、その高さに応じて基板Wの
板面に到達する処理液の正方形のパターンF(図5に示
す)が大きくなる。
By changing the height of the nozzle bodies 21, it is possible to change the area of the square of the processing liquid ejected from each nozzle body 21 and reaching the upper surface of the substrate W. For example, if the distance of the nozzle body 21 to the upper surface of the substrate W, that is, the height of the nozzle body 21 is increased, a square pattern F of the processing liquid that reaches the plate surface of the substrate W according to the height (see FIG. 5). (Shown) becomes larger.

【0038】したがって、基板Wに到達する処理液の正
方形のパターンFの大きさを変えることで、基板Wの幅
方向及びこの幅方向と交差する搬送方向において、隣り
合うパターンFのラップ代を調整できるようになってい
る。基板Wの幅方向及びこの幅方向と交差する搬送方向
において隣り合うパターンFのラップ代は、0パーセン
ト以上で、30パーセント以下になるよう設定される。
この実施の形態では、ラップ代が20パーセントになる
よう、ノズル体21の高さが設定される。つまり、ノズ
ル体21は高さ調整機構25によって高さ調整できるよ
うになっているから、高さ調整することで、基板Wの板
面上における処理液の隣り合う正方形のパターンFのラ
ップ代を変えることができる。
Therefore, by changing the size of the square pattern F of the processing liquid reaching the substrate W, the lap margin of the adjacent patterns F is adjusted in the width direction of the substrate W and the transport direction intersecting this width direction. You can do it. The lap margins of the patterns F adjacent to each other in the width direction of the substrate W and the transport direction intersecting the width direction are set to be 0% or more and 30% or less.
In this embodiment, the height of the nozzle body 21 is set so that the lap margin is 20%. That is, since the height of the nozzle body 21 can be adjusted by the height adjusting mechanism 25, the height of the nozzle body 21 is adjusted so that the lap margin of the square patterns F adjacent to the processing liquid on the plate surface of the substrate W can be adjusted. Can be changed.

【0039】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
Wを処理する手順を説明する。まず、駆動源12を作動
させて基板Wをチャンバ1の搬入口2から内部に搬入す
る。それと同時に、チャンバ1内に設けられたノズル体
21から処理液を基板Wの板面に向けて噴射する。
Next, a procedure for processing the substrate W by the processing apparatus having the above configuration will be described. First, the drive source 12 is operated to load the substrate W into the chamber 1 through the carry-in port 2. At the same time, the processing liquid is jetted toward the plate surface of the substrate W from the nozzle body 21 provided in the chamber 1.

【0040】上記基板Wがチャンバ1内のほぼ中央部ま
で搬送されたならば、この基板Wを搬送方向に沿って所
定のストロークで往復動させる。つまり、基板Wを、図
5にRで示すノズル体21から噴射される処理液の噴射
領域から外れることのない範囲で往復動させる。
When the substrate W is transported to the substantially central portion in the chamber 1, the substrate W is reciprocated with a predetermined stroke along the transport direction. That is, the substrate W is reciprocated within a range that does not deviate from the ejection region of the processing liquid ejected from the nozzle body 21 indicated by R in FIG.

【0041】基板Wを所定のストロークで往復動させる
と、基板Wの板面に噴射された処理液が流動し、処理液
が基板Wの板面に均一に接触するから、基板Wの板面が
処理液によって均一に処理されることになる。
When the substrate W is reciprocated with a predetermined stroke, the processing liquid jetted onto the plate surface of the substrate W flows and the processing liquid uniformly contacts the plate surface of the substrate W. Will be uniformly treated by the treatment liquid.

【0042】しかも、図5に示すように、基板Wの搬送
方向において隣り合うパターンFのラップ部分nは、基
板Wを往復動させることで、基板Wの移動方向に位置が
ずれ、さらに基板Wの幅方向において隣り合うパターン
Fのラップ部分mは、基板Wの搬送方向においてピッチ
/2千鳥状に位置をずらしているから、このラッ
プ部分mも基板Wを往復動させることで、基板Wの移動
方向に位置がずれる。
Moreover, as shown in FIG. 5, the lap portions n of the pattern F adjacent to each other in the transport direction of the substrate W are displaced in the moving direction of the substrate W by reciprocating the substrate W, and the substrate W is further moved. Since the lap portions m of the patterns F adjacent to each other in the width direction of the pattern are displaced in the pitch P 2 / zigzag pattern in the transport direction of the substrate W, the lap portions m also reciprocate the substrate W, The position shifts in the moving direction of W.

【0043】つまり、基板Wを往復動させることで、上
記ラップ部分nとmとが基板Wの板面上の所定箇所だけ
に留まるのが防止される。そのため、処理液のパターン
Fをラップさせても、そのラップ部分n、mによって基
板Wの処理が不均一になるのを防止できる。
That is, by reciprocating the substrate W, it is possible to prevent the lap portions n and m from staying only at predetermined positions on the plate surface of the substrate W. Therefore, even if the pattern F of the processing liquid is wrapped, the processing of the substrate W can be prevented from becoming non-uniform due to the wrap portions n and m.

【0044】基板Wの板面に噴射される処理液は正方形
のパターンで、基板Wの搬送方向及び搬送方向と交差す
る方向に対して隣り合うパターンFは、20パーセント
のラップ代でラップしている。そのため、チャンバ1内
で所定のストロークで往復駆動される基板Wには、その
上面の全体にわたってむらなく処理液を供給することが
できるから、その供給状態に応じて基板Wを処理するこ
とができる。
The processing liquid sprayed on the plate surface of the substrate W has a square pattern, and the pattern F adjacent to the transport direction of the substrate W and the direction intersecting the transport direction is wrapped with a lap margin of 20%. There is. Therefore, since the processing liquid can be uniformly supplied to the entire upper surface of the substrate W that is reciprocally driven in the chamber 1 with a predetermined stroke, the substrate W can be processed according to the supply state. .

【0045】処理液の供給圧力や粘度が変動すると、基
板Wの板面上におけるパターンFが小さくなり、隣り合
うパターンFのラップ代が減少したり、ラップしなくな
るということがある。
When the supply pressure and the viscosity of the processing liquid fluctuate, the pattern F on the plate surface of the substrate W becomes small, and the lap margin of the adjacent patterns F may be reduced or may not be lapped.

【0046】しかしながら、基板Wの搬送方向及び搬送
方向と交差する方向に対して隣り合うパターンFのラッ
プ代を20パーセントに設定したから、処理液の供給圧
力や粘度が変動して基板Wの板面上におけるパターンF
が小さくなっても、ラップ代の減少はほとんどの場合2
0パーセント以内に収まるから、隣り合うパターンFが
ラップしなくなるということがない。
However, since the lap margin of the pattern F adjacent to the transfer direction of the substrate W and the direction intersecting the transfer direction is set to 20%, the supply pressure and the viscosity of the processing liquid are changed and the plate of the substrate W is changed. Pattern F on the surface
Even if the size becomes smaller, the decrease in the lap cost is almost 2
Since it falls within 0%, the adjacent patterns F do not overlap each other.

【0047】そのため、基板Wには処理液の供給圧力や
粘度の変動に係わらず、板面全体にわたって常にむらな
く処理液を供給できるから、そのことによっても処理の
均一化が図れる。
Therefore, the processing liquid can always be uniformly supplied to the substrate W over the entire plate surface irrespective of fluctuations in the supply pressure and viscosity of the processing liquid, which also makes the processing uniform.

【0048】ノズル体21から基板Wの板面に噴射され
る処理液のパターンFは正方形である。そのため、処理
液の供給圧力や粘度に変動がないとすれば、基板Wの幅
方向と長手方向において、隣り合うパターンFを0以上
のラップ代でラップさせれば、板面全体に処理液をむら
なく噴射することができる。
The pattern F of the processing liquid sprayed from the nozzle body 21 onto the plate surface of the substrate W is square. Therefore, if there is no fluctuation in the supply pressure or viscosity of the processing liquid, if the adjacent patterns F in the width direction and the longitudinal direction of the substrate W are wrapped with a lap margin of 0 or more, the processing liquid is spread over the entire plate surface. It can be sprayed evenly.

【0049】つまり、処理液のパターンFを正方形とす
ることで、隣り合うパターンFのラップ代がわずかであ
っても、基板Wの板面に処理液をむらなく噴射すること
ができるから、その分、ノズル体21の数を少なくする
ことができる。
That is, by making the pattern F of the processing liquid square, the processing liquid can be uniformly sprayed onto the plate surface of the substrate W even if the lap margin of the adjacent patterns F is small. Accordingly, the number of nozzle bodies 21 can be reduced.

【0050】とくに、基板Wが矩形状であると、基板W
の幅方向両端部を正方形のパターンFによって確実にカ
バーできるから、そのことによっても基板Wの全面を均
一に処理することが可能となる。
Particularly, when the substrate W has a rectangular shape, the substrate W
Since both end portions in the width direction can be surely covered with the square pattern F, it is possible to uniformly process the entire surface of the substrate W.

【0051】なお、隣り合うパターンFのラップ代が3
0パーセント以上になると、ラップ部分における処理液
が干渉し合い、処理状態が均一にならないことがある。
したがって、隣り合うパターンFのラップ代は、0パー
セント以上で、30パーセント以下がよく、とくに20
パーセントとすることで、処理液の供給圧力や粘度など
が変動しても、処理を均一に行なうことが可能となる。
The lap margin of the adjacent pattern F is 3
If it is 0% or more, the processing liquids in the lap portion may interfere with each other and the processing state may not be uniform.
Therefore, the lap margin of the adjacent patterns F is preferably 0% or more and 30% or less, particularly 20%.
By setting the percentage, it becomes possible to perform the treatment uniformly even if the supply pressure of the treatment liquid, the viscosity, and the like change.

【0052】上記一実施の形態では、ノズル体21を基
板Wの搬送方向と交差する方向及び搬送方向の両方向に
沿って所定のピッチで配置したが、処理液の種類などに
よって基板Wをチャンバ1の搬入口2から搬入し、搬出
口3から搬出する場合には、搬送方向と交差する方向に
だけ所定のピッチでノズル体を配置するようにしてもよ
い。
In the above-described embodiment, the nozzle bodies 21 are arranged at a predetermined pitch along both the direction intersecting the substrate W transport direction and the transport direction. When carrying in from the carry-in port 2 and carrying out from the carry-out port 3, the nozzle bodies may be arranged at a predetermined pitch only in the direction intersecting the carrying direction.

【0053】また、処理液のパターンは正方形だけでな
く、長方形であってもよく、要は矩形パタン−ンであれ
ばよい。さらに、基板Wの処理時に、この基板Wを搬送
方向に沿って所定のストロークで往復動させたが、それ
とともにノズル体21を基板Wの搬送方向と交差する方
向に所定のストロークで揺動させるようにしてもよく、
そのようにすれば基板Wの処理をより一層、均一化する
ことができる。
Further, the pattern of the treatment liquid is not limited to a square, but may be a rectangle, and the point is that it is a rectangular pattern. Further, when the substrate W is processed, the substrate W is reciprocated along the transport direction with a predetermined stroke, and at the same time, the nozzle body 21 is swung with a predetermined stroke in a direction intersecting the transport direction of the substrate W. You may try
By doing so, the processing of the substrate W can be made more uniform.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、処理液
を矩形パターンで噴射し、少なくとも基板の搬送方向と
交差する方向において、隣り合う矩形パターンの側辺部
をラップさせるようにした。
As described above, according to the present invention, the treatment liquid is jetted in a rectangular pattern, and the side portions of the adjacent rectangular patterns are wrapped at least in the direction intersecting the substrate transport direction.

【0055】そのため、少ない数のノズル体によって基
板の板面に処理液をむらなく均一に噴射することができ
るから、噴射状態に応じて基板の処理を均一に行なうこ
とが可能となる。
Therefore, since the processing liquid can be uniformly sprayed onto the plate surface of the substrate by a small number of nozzle bodies, the substrate can be uniformly processed according to the spraying state.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施の形態に係る処理槽の長手方
向に沿う概略的構成を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration along a longitudinal direction of a processing tank according to an embodiment of the present invention.

【図2】処理槽の幅方向に沿う拡大断面図。FIG. 2 is an enlarged sectional view taken along the width direction of the processing tank.

【図3】処理槽の幅方向一端部の拡大図。FIG. 3 is an enlarged view of one end in the width direction of the processing tank.

【図4】ノズル体のノズルチップの斜視図。FIG. 4 is a perspective view of a nozzle tip of a nozzle body.

【図5】ノズル体から基板に処理液を正方形のパターン
で噴射した状態を上方から見た説明図。
FIG. 5 is an explanatory view showing a state in which the processing liquid is sprayed from the nozzle body onto the substrate in a square pattern as viewed from above.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

4…搬送軸 5…搬送ローラ 12…駆動源 21…ノズル体 25…高さ調整手段 W…基板 4 ... Transport axis 5 ... Conveyor roller 12 ... Drive source 21 ... Nozzle body 25 ... Height adjusting means W ... substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯 明典 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目5番1号 芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 (72)発明者 末吉 秀樹 神奈川県横浜市栄区笠間二丁目5番1号 芝浦メカトロニクス株式会社横浜事業所内 Fターム(参考) 2H096 AA27 GA21 HA19 LA02 5F043 DD13 EE07 EE36 5F046 MA06 MA10    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Akinori Iso             2-5-1 Kasama, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Shibaura Mechatronics Co., Ltd. Yokohama Office (72) Inventor Hideki Sueyoshi             2-5-1 Kasama, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa             Shibaura Mechatronics Co., Ltd. Yokohama Office F term (reference) 2H096 AA27 GA21 HA19 LA02                 5F043 DD13 EE07 EE36                 5F046 MA06 MA10

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の板面に処理液を噴射してこの板面
を処理する処理装置において、 上記基板を所定方向に沿って搬送する搬送手段と、 搬送される基板の上方で、この基板の搬送方向及びその
搬送方向に対して交差する方向のうち、少なくとも上記
搬送方向と交差する方向に所定間隔で配置され上記基板
に対して処理液を矩形パターンで、かつ隣り合う矩形パ
ターンの側辺部がラップするよう噴射する複数のノズル
体とを具備したことを特徴とする基板の処理装置。
1. A processing apparatus for injecting a processing liquid onto a plate surface of a substrate to process the plate surface, wherein a transfer means for transferring the substrate along a predetermined direction, and the substrate above the transferred substrate. Of the transport direction and the direction intersecting the transport direction, the treatment liquid is arranged in a rectangular pattern at least in a direction intersecting the transport direction, and the processing liquid is in a rectangular pattern on the substrate, and a side of an adjacent rectangular pattern. And a plurality of nozzle bodies for spraying so that the parts overlap each other.
【請求項2】 処理液の隣り合う矩形パターンのラップ
代は、0パーセント以上で、30パーセント以下である
ことを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
2. The apparatus for processing a substrate according to claim 1, wherein a lap margin of the rectangular patterns adjacent to each other in the processing liquid is 0% or more and 30% or less.
【請求項3】 上記搬送手段は、上記基板を上記ノズル
体の下方で上記所定方向に沿って往復動させることを特
徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transporting means reciprocates the substrate below the nozzle body along the predetermined direction.
【請求項4】 上記ノズル体は、高さ調整機構によって
上記基板の板面に対して高さ調整可能に設けられている
ことを特徴とする請求項1記載の基板の処理装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the nozzle body is provided so that its height can be adjusted with respect to the plate surface of the substrate by a height adjusting mechanism.
【請求項5】 上記ノズル体は、基板の搬送方向及びそ
の搬送方向に対して交差する方向に対してそれぞれ所定
間隔で配置され、上記基板の搬送方向に対して隣り合う
ノズル体の位置を、搬送方向と交差する方向に対してず
らしたことを特徴とする請求項1記載の基板の処理装
置。
5. The nozzle bodies are arranged at predetermined intervals with respect to a substrate transport direction and a direction intersecting the substrate transport direction, respectively, and positions of nozzle bodies adjacent to each other in the substrate transport direction are defined by: 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the substrate processing apparatus is offset with respect to a direction intersecting the transport direction.
【請求項6】 基板の板面に処理液を噴射してこの板面
を処理する処理方法において、 上記基板を搬送する工程と、 所定位置に搬送された基板の板面に、この基板の搬送方
向及びその搬送方向に対して交差する方向のうち、少な
くとも上記搬送方向と交差する方向に沿って処理液を複
数の矩形パターンで、かつ上記基板の板面上で隣り合う
矩形パターンの側辺部がラップするよう噴射する工程
と、 を具備したことを特徴とする基板の処理方法。
6. A treatment method for treating a substrate surface by injecting a treatment liquid onto the substrate surface, the step of transporting the substrate, and transporting the substrate to the substrate surface transported to a predetermined position. Of the plurality of rectangular patterns of the processing liquid along at least the direction intersecting the transport direction and the transport direction, and the side portions of the rectangular patterns adjacent to each other on the plate surface of the substrate. And a step of spraying so as to wrap the substrate.
【請求項7】 上記処理液の噴射高さを変えることで、
上記基板上における処理液のラップ代を調整することを
特徴とする請求項6記載の基板の処理方法。
7. By changing the injection height of the processing liquid,
7. The method for processing a substrate according to claim 6, wherein a lap amount of the processing liquid on the substrate is adjusted.
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JP2011054790A (en) * 2009-09-02 2011-03-17 Shibaura Mechatronics Corp Device and method for processing substrate
JP2012066176A (en) * 2010-09-22 2012-04-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate treatment apparatus

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