KR101119154B1 - Apparatus for treating substrate - Google Patents

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Abstract

본발명은 기판 처리장치와 기판 처리방법에 관한 것이다. 본발명에 따른 기판 처리장치는 일측이 하향 경사지게 기판을 이송하는 이송수단과, 상기 이송수단 상부에 위치하며, 상기 기판의 경사면 하부에 가해지는 처리액의 분사압이 상기 기판의 경사면 상부에 가해지는 처리액의 분사압보다 강하게 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함한다. 이에 의해 기판의 처리가 균일하게 이루어진다. The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method. The substrate treating apparatus according to the present invention has a conveying means for transferring a substrate to one side inclined downward, and is positioned above the conveying means, and the injection pressure of the processing liquid applied to the lower portion of the inclined surface of the substrate is applied to the upper portion of the inclined surface of the substrate. And a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid stronger than the injection pressure of the processing liquid. As a result, the substrate is treated uniformly.

Description

기판 처리장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE} Substrate Processing Equipment {APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
도 1은 본발명의 제1실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 사시도이고,1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention,
도 2는 본발명의 제1실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이고,2 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention,
도 3은 본발명의 제2실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이고,3 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a second embodiment of the present invention,
도 4는 본발명의 제3실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이고,4 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention;
도 5는 본발명의 제4실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 사시도이고,5 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention;
도 6은 본발명의 제4실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이다.6 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
* 도면의 주요부분의 부호에 대한 설명 *Explanation of Signs of Major Parts of Drawings
20 : 처리액 공급부 21 : 처리액 배관20: processing liquid supply unit 21: processing liquid piping
22 : 노즐 23 : 처리액22: nozzle 23: treatment liquid
30 : 이송수단 100 : 기판 30: transfer means 100: substrate
본 발명은 기판 처리장치와 이를 이용한 기판 처리방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same.
액정표시장치는 박막트랜지스터가 형성되어 있는 박막트랜지스터 기판과 컬 러필터층이 형성되어 있는 컬러필터 기판, 그리고 이들 사이에 액정층이 위치하고 있는 액정패널을 포함한다. 액정패널은 비발광소자이기 때문에 박막트랜지스터 기판의 후면에는 빛을 조사하기 위한 백라이트 유닛이 위치할 수 있다. 백라이트 유닛에서 조사된 빛은 액정층의 배열상태에 따라 투과량이 조절된다.The liquid crystal display device includes a thin film transistor substrate on which a thin film transistor is formed, a color filter substrate on which a color filter layer is formed, and a liquid crystal panel on which a liquid crystal layer is positioned. Since the liquid crystal panel is a non-light emitting device, a backlight unit for irradiating light may be disposed on the rear surface of the thin film transistor substrate. Light transmitted from the backlight unit is controlled according to the arrangement of the liquid crystal layer.
이외에 액정패널의 각 화소를 구동하기 위해서 구동회로와, 구동회로로부터 구동신호를 받아 표시영역내의 데이터선과 게이트선에 전압을 인가하는 데이터 드라이버와 게이트 드라이버가 마련되어 있다.In addition, in order to drive each pixel of the liquid crystal panel, a driving circuit and a data driver and a gate driver for receiving a driving signal from the driving circuit and applying a voltage to the data line and the gate line in the display area are provided.
컬러필터 기판과 박막트랜지스터 기판의 제조 과정 중에는 처리액을 기판에 공급하여 기판을 처리하는 공정이 있다. 구체적으로는 노광된 감광막으로부터 감광막 패턴을 형성하는 현상 공정, 현상 공정에서 형성된 감광막 패턴을 이용하여 금속층 패턴 또는 전극 패턴 등을 형성하는 식각 공정, 현상 공정이나 식각 공정을 거친 기판을 세척하는 세척 공정이 있다. 각 공정에서 사용되는 처리액은 각각 현상액, 식각액, DI(deionized) 워터가 된다.During the manufacturing process of the color filter substrate and the thin film transistor substrate, there is a process of processing the substrate by supplying a processing liquid to the substrate. Specifically, a developing process of forming a photoresist pattern from an exposed photoresist film, a process of forming a metal layer pattern or an electrode pattern using the photoresist pattern formed in the developing process, and a cleaning process of cleaning a substrate that has undergone a development process or an etching process have. The treating solution used in each step is a developing solution, an etching solution, and DI (deionized) water, respectively.
기판 처리는 통상 기판을 이송하면서 처리액을 기판에 분사하며 이루어진다. 이때 기판을 처리한 처리액이 기판으로부터 용이하게 제거되도록 하기 위하여 기판의 일측을 경사지게 이송한다. 이 경우 기판의 경사면 하부는 기판의 경사면 상부로부터 흘려 내려온 처리액에 의해 기판의 경사면 상부에 비하여 처리액이 두껍게 형성된다. 두껍게 형성된 처리액에 의해 기판 표면이 받는 처리액 분사압은 기판 경사면 하부보다 기판 경사면 상부가 더 강하게 된다.Substrate processing is usually performed by spraying the processing liquid onto the substrate while transferring the substrate. At this time, one side of the substrate is inclinedly transferred in order to easily remove the processing liquid processing the substrate from the substrate. In this case, the lower portion of the inclined surface of the substrate is formed with a thicker treatment liquid than the upper portion of the inclined surface by the treatment liquid flowing down from the upper portion of the inclined surface of the substrate. The processing liquid injection pressure received by the substrate surface by the thickly formed processing liquid is stronger than the lower surface of the substrate inclined plane.
이와 같이 기판의 위치에 따라 처리 조건이 달라지면 처리가 불균일해지는 문제가 발생하는데, 이러한 문제는 기판의 크기가 커지면 더욱 심해진다. 기판을 처리액에 침지시키는 딥핑(dipping) 방법을 사용할 경우 이러한 문제는 발생하지 않으나, 딥핑 방법은 기판이 일정크기 이상이 되면 기판을 안정적으로 이송할 수 없는 문제가 있다.As such, if the processing conditions vary depending on the position of the substrate, the processing may be uneven. This problem becomes more severe as the size of the substrate increases. This problem does not occur when the dipping method of dipping the substrate in the treatment liquid, but the dipping method has a problem that the substrate can not be stably transported when the substrate is a predetermined size or more.
최근 기판의 크기가 커지면서 배선의 선폭 및 식각 프로파일의 균일성이 매우 중요한 문제가 되었다. 기판 전체가 균일하게 처리되는 것은 이와 같은 균일성을 확보하는데 필수적이다. 그런데 종래와 같이 기판의 부분에 따라 처리 조건이 다르면 처리의 균일성을 확보할 수 없다.Recently, as the size of the substrate increases, the uniformity of the line width and the etching profile of the wiring has become a very important problem. Uniform processing of the entire substrate is essential to ensure such uniformity. By the way, if the processing conditions are different depending on the part of the substrate as in the prior art, the uniformity of the processing cannot be secured.
본발명의 목적은 기판 처리가 균일하게 이루어지는 기판 처리장치를 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus in which substrate processing is uniform.
본발명의 또 다른 목적은 기판 처리가 균일하게 이루어지는 기판 처리방법을 제공하는 것이다.Still another object of the present invention is to provide a substrate processing method in which the substrate processing is uniform.
본발명에 따른 기판 처리장치는 일측이 하향 경사지게 기판을 이송하는 이송수단과, 상기 이송수단 상부에 위치하며, 상기 기판의 경사면 하부에 가해지는 처리액의 분사압이 상기 기판의 경사면 상부에 가해지는 처리액의 분사압보다 강하게 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함한다.The substrate treating apparatus according to the present invention has a conveying means for transferring a substrate to one side inclined downward, and is positioned above the conveying means, and the injection pressure of the processing liquid applied to the lower portion of the inclined surface of the substrate is applied to the upper portion of the inclined surface of the substrate. And a processing liquid supply unit for supplying the processing liquid stronger than the injection pressure of the processing liquid.
일실시예에 따라 상기 처리액 공급부는 복수의 노즐을 포함하며, 상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 상기 노즐은 상기 기판의 경사면 상부에 처리 액을 분사하는 상기 노즐에 비해 상기 기판에 가깝게 배치되어 있을 수 있다.In one embodiment, the processing liquid supply unit includes a plurality of nozzles, and the nozzle for injecting the processing liquid under the inclined surface of the substrate is closer to the substrate than the nozzle for injecting the processing liquid over the inclined surface of the substrate. May be arranged.
일실시예에 따라 상기 처리액 공급부는 상기 기판의 이송방향에 가로방향으로 배치되어 있는 처리액 배관과, 상기 처리액 배관에 연결되어 있는 복수의 노즐을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the processing liquid supply unit may include a processing liquid pipe disposed in the transverse direction in the transfer direction of the substrate, and a plurality of nozzles connected to the processing liquid pipe.
일실시예에 따라 상기 처리액 배관은 경사 각도를 조절할 수 있도록 마련되어 있을 수 있다.According to one embodiment, the treatment liquid pipe may be provided to adjust the inclination angle.
일실시예에 따라 상기 처리액 배관은 상기 기판과 평행하게 배치되어 있으며, 상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 상기 노즐은 상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 상기 노즐에 비해 길이가 길 수 있다.In some embodiments, the treatment liquid pipe is disposed in parallel with the substrate, and the nozzle spraying the treatment liquid on the inclined surface of the substrate has a length longer than that of the nozzle spraying the treatment liquid on the inclined surface of the substrate. It can be long.
일실시예에 따라 상기 처리액 배관은 상기 기판과 평행하게 배치되어 있으며, 상기 노즐의 길이는 상기 기판의 경사면 하부에 가까워질수록 길어질 수 있다.According to an embodiment, the treatment liquid pipe is disposed in parallel with the substrate, and the length of the nozzle may be longer as it approaches the lower portion of the inclined surface of the substrate.
일실시예에 따라 상기 처리액 배관은 상기 기판의 경사면 상부보다 상기 기판의 경사면 하부에 가깝게 배치되어 있을 수 있다.In some embodiments, the treatment liquid pipe may be disposed closer to the lower surface of the inclined surface than the upper surface of the inclined surface of the substrate.
일실시예에 따라 상기 처리액 공급부는, 상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 제1노즐과 상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 제2노즐을 포함하는 노즐과, 상기 제1노즐과 연결되어 있는 제1처리액 배관과 제2노즐과 연결되어 있는 제2처리액 배관을 포함하는 처리액 배관을 포함할 수 있다.According to an embodiment, the processing liquid supply unit may include a nozzle including a first nozzle spraying the processing liquid on the inclined surface of the substrate and a second nozzle spraying the processing liquid on the lower of the inclined surface of the substrate, and the first nozzle. And a processing liquid pipe including a first processing liquid pipe connected to and a second processing liquid pipe connected to a second nozzle.
일실시예에 따라 상기 처리액 공급부는 상기 기판의 이송방향과 나란히 배치되어 있는 복수의 처리액 배관과, 상기 처리액 배관에 연결되어 있는 복수의 노즐을 포함할 수 있다.According to one embodiment, the processing liquid supply unit may include a plurality of processing liquid pipes arranged in parallel with a transfer direction of the substrate, and a plurality of nozzles connected to the processing liquid pipe.
일실시예에 따라 상기 기판의 경사면 상부와 인접한 상기 처리액 배관 간의 거리는 상기 기판의 경사면 하부와 인접한 상기 처리액 배관 간의 거리보다 클 수 있다.In some embodiments, a distance between an upper portion of the inclined surface of the substrate and the processing liquid pipe adjacent to the substrate may be greater than a distance between a lower portion of the inclined surface of the substrate and the adjacent processing liquid pipe.
일실시예에 따라 상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 상기 노즐은 상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 상기 노즐에 비해 상기 기판에 가깝게 배치되어 있을 수 있다.In some embodiments, the nozzle for injecting the treatment liquid under the inclined surface of the substrate may be disposed closer to the substrate than the nozzle for injecting the treatment liquid over the inclined surface of the substrate.
본발명에 따른 기판 처리방법은 기판을 이송방향의 가로방향으로 경사지게 이송하는 단계와, 상기 기판의 경사면 하부에 가해지는 처리액의 분사압이 상기 기판의 경사면 상부에 가해지는 처리액의 분사압보다 강하도록 처리액을 공급하는 단계를 포함한다.The substrate processing method according to the present invention comprises the steps of transferring the substrate inclined in the transverse direction of the transfer direction, the injection pressure of the processing liquid applied to the lower portion of the inclined surface of the substrate than the injection pressure of the processing liquid applied to the upper surface of the inclined surface of the substrate Supplying the treatment liquid to be strong.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본발명을 더욱 상세히 설명하겠다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.
여러 실시예에서 반복되는 구성요소에 대하여는 동일한 번호를 부여하였으며, 대표적으로 제1실시예에서 설명하고 다른 실시예에서는 생략될 수 있다.The same reference numerals are used to designate repeating elements in various embodiments, which are representatively described in the first embodiment and may be omitted in other embodiments.
도 1은 본발명의 제1실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 사시도이고 도 2는 본발명의 제1실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이다.1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention.
제1실시예에 따른 기판처리장치(1)는 기판(100)에 처리액(23)을 공급하는 처리액 공급부(20)와 기판(100)을 이송하는 이송수단(30)을 포함한다.The substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment includes a processing liquid supply unit 20 for supplying a processing liquid 23 to the substrate 100 and a transfer means 30 for transferring the substrate 100.
처리액(23)은 처리의 종류에 따라 식각액, 현상액, 세척수 중 어느 하나일 수 있다.The treatment liquid 23 may be any one of an etching solution, a developing solution, and washing water, depending on the type of treatment.
처리액(23)이 현상액일 경우, 메탈 성분이 포함되지 않는 유기 알카라인 용 액 계열이 사용될 수 있으며 세척 공정을 통하여 알카라인 성분은 완전 제거된다. When the treatment solution 23 is a developer, an organic alkaline solution series containing no metal component may be used, and the alkaline component is completely removed through the washing process.
처리액(23)이 식각액일 경우 식각 대상에 따라 그 성분이 달라진다. 알루미늄(Al)이나 몰리브덴(Mo)을 식각할 경우 처리액(23)은 인산, 질산, 아세트산을 포함할 수 있다. 탄탈(Ta)을 식각할 경우 처리액(23)은 불산과 질산을 포함할 수 있다. 크롬(Cr)을 식각할 경우 처리액(23)은 질산암모니움세슘과 질산을 포함할 수 있다. 또한 ITO(indium tin oxide)를 식각할 경우 처리액(23)은 염산, 질산, 염화철을 포함할 수 있다.When the treatment liquid 23 is an etching liquid, its components vary depending on the etching target. When etching aluminum (Al) or molybdenum (Mo), the treatment liquid 23 may include phosphoric acid, nitric acid, acetic acid. When the tantalum Ta is etched, the treatment liquid 23 may include hydrofluoric acid and nitric acid. When etching chromium (Cr), the treatment solution 23 may include ammonium cesium nitrate and nitric acid. In addition, when etching indium tin oxide (ITO), the treatment solution 23 may include hydrochloric acid, nitric acid, and iron chloride.
처리액(23)이 세척수일 경우 처리액(23)은 통상 DI(deionized)워터이다.When the treatment liquid 23 is wash water, the treatment liquid 23 is usually DI (deionized) water.
처리액 공급부(20)는 기판(100) 이송방향에 수직방향으로 연장되어 있으며 서로 평행한 복수의 처리액 배관(21)과 각 처리액 배관(21)에 연결되어 있는 복수의 노즐(22)을 포함한다. 처리액(23)은 도시하지 않은 처리액 탱크와 처리액 펌프를 통해 처리액 배관(21)으로 공급될 수 있다. 처리액 배관(21)에 공급된 처리액(23)은 노즐(22)을 통해 기판(100) 표면에 분사된다. 도 1과 같이 기판(100)의 이송방향이 기판(100)의 장변과 평행할 경우, 처리액 배관(21)은 기판(100)의 단변과 평행하게 배치된다. 처리액 배관(21) 간의 간격은, 이에 한정되지 않으나, 일정하다. 노즐(22)간의 간격도, 이에 한정되지 않으나, 일정하다.The processing liquid supply unit 20 extends in a direction perpendicular to the transfer direction of the substrate 100 and includes a plurality of processing liquid piping 21 parallel to each other and a plurality of nozzles 22 connected to the processing liquid piping 21. Include. The treatment liquid 23 can be supplied to the treatment liquid piping 21 through a treatment liquid tank and a treatment liquid pump (not shown). The processing liquid 23 supplied to the processing liquid pipe 21 is sprayed onto the surface of the substrate 100 through the nozzle 22. As shown in FIG. 1, when the transfer direction of the substrate 100 is parallel to the long side of the substrate 100, the processing liquid pipe 21 is disposed parallel to the short side of the substrate 100. The interval between the processing liquid pipes 21 is not limited to this, but is constant. The interval between the nozzles 22 is also not limited to this, but is constant.
이송수단(30)은 콘베이어 벨트 타입으로 되어 있다. 이송수단(30)은 정회전, 또는 역회전할 수 있으며 일렬로 배열된 다수의 롤러(31)와, 롤러(31)와 결합되어 기판(100)의 배면과 직접 접촉하는 지지부(32), 그리고 기판(100)의 운동에 의해 회전하며 기판(100)의 측면과 접촉하며 지지하여 기판(100)이 이송수단(30)으로부터 이탈되는 것을 방지하는 사이드 롤러(33)가 있다. 이송수단(30)은 처리액(23)에 의해 변질되지 않는 재질로 되어 있으며, 이 중 지지부(32)는 기판(100)에 충격을 주지 않아야 하므로 플라스틱 재질로 제조되어 있는 것이 바람직하다. 이송부(30)는 이 밖에 롤러(31)의 회전여부, 회전방향을 제어하는 제어부(도시하지 않음)를 더 포함한다.The conveying means 30 is of a conveyor belt type. The conveying means 30 may be rotated forward or reverse, and has a plurality of rollers 31 arranged in a line, a support part 32 coupled to the rollers 31 to directly contact the rear surface of the substrate 100, and There is a side roller 33 which rotates by the movement of the substrate 100 and contacts and supports the side surface of the substrate 100 to prevent the substrate 100 from being separated from the transfer means 30. The transfer means 30 is made of a material which is not deteriorated by the treatment liquid 23, and the support part 32 is preferably made of a plastic material because the support part 32 should not impact the substrate 100. The transfer unit 30 further includes a controller (not shown) for controlling whether the roller 31 is rotated and the rotation direction.
기판(100)은 이송수단(30)에 안착되어 일방향으로 이송되거나 왕복운동한다. 기판(100)은 처리액 공급부(20)로부터 분사되는 처리액(23)을 공급받기 위해 처리액 공급부(20)의 하부에 위치하며, 처리액(23)으로 처리될 부분을 노출하고 있다. 처리가 현상일 경우에는 노광 처리된 감광막이 노출되어 있다. 처리가 식각일 경우에는 식각될 금속층, 투명전극층, 절연층 등이 노출되어 있으며, 식각이 되지 않을 부분은 감광막으로 덮여 있다. 처리가 세척일 경우, 현상액 또는 식각액 그리고 현상되어 분리된 감광층, 식각되어 분리된 금속층 등이 노출되어 있다.The substrate 100 is seated on the conveying means 30 to be conveyed or reciprocated in one direction. The substrate 100 is positioned below the processing liquid supply unit 20 to receive the processing liquid 23 injected from the processing liquid supply unit 20, and exposes a portion to be processed by the processing liquid 23. When the treatment is a development, the exposed photosensitive film is exposed. When the treatment is etched, the metal layer to be etched, the transparent electrode layer, the insulating layer, etc. are exposed, and the portion that will not be etched is covered with a photosensitive film. When the treatment is washing, the developer or etching solution and the developed photosensitive layer, the etched and separated metal layer are exposed.
이하 기판(100)에 가해지는 처리액(23)의 분사압에 대하여 살펴본다. Hereinafter, the injection pressure of the processing liquid 23 applied to the substrate 100 will be described.
도 2와 같이 이송수단(30)에 안착되어 이송되는 기판(100)은 일측이 소정각도(θ1) 경사지어 있다. 이는 처리액(23)이 기판(100)에서 신속히 제거되도록 하기 위해서이다. 여기서 기판(100)의 경사각( θ1)은 3 내지 7도 사이일 수 있다. 경사각이 3도보다 작으면 처리액(22)의 제거속도가 너무 느리며, 반대로 7도보다 크면 처리액(23)이 기판(100)에 머무는 시간이 너무 짧게 된다. As shown in FIG. 2, one side of the substrate 100 seated on the conveying means 30 is inclined at a predetermined angle θ1. This is for the treatment liquid 23 to be quickly removed from the substrate 100. Here, the inclination angle θ1 of the substrate 100 may be between 3 and 7 degrees. If the inclination angle is smaller than 3 degrees, the removal rate of the processing liquid 22 is too slow. If the inclination angle is larger than 7 degrees, the time for which the processing liquid 23 stays on the substrate 100 becomes too short.
기판(100)의 상부에 위치한 처리액 배관(21)도 경사지게 배치되어 있는데 그 경사각( θ2)은 기판(100)의 경사각( θ1)보다 크다. 처리액 배관(21)은 경사각( θ2)을 변경할 수 있도록 마련되어 있을 수 있다. 경사각의 차이에 의해 기판(100) 경사면 상부(A)와 노즐(22)과의 거리(d1)는 기판(100) 경사면 하부(B)와 노즐(22)과의 거리(d2)보다 크다. 각 노즐(22)에서 동일한 분사압으로 처리액(23)을 분사할 경우, 경사면 하부(B)는 경사면 상부(A)에 비하여 강한 분사압을 받게 된다.The treatment liquid pipe 21 positioned on the upper portion of the substrate 100 is also inclined, and the inclination angle θ2 is greater than the inclination angle θ1 of the substrate 100. The treatment liquid pipe 21 may be provided to change the inclination angle θ2. Due to the difference in the inclination angle, the distance d1 between the top surface A of the inclined surface A of the substrate 100 and the nozzle 22 is greater than the distance d2 between the bottom surface B of the inclined surface of the substrate 100 and the nozzle 22. When injecting the processing liquid 23 at the same injection pressure in each nozzle 22, the inclined surface lower portion B receives a stronger injection pressure than the inclined surface upper portion A.
제1실시예에 따른 기판처리장치(1)를 이용한 기판 처리과정을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the substrate processing process using the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment is as follows.
기판(100)이 이송수단(30)에 의해 처리액 공급부(20) 하부로 이송되면 노즐(22)을 통해 처리액(23)이 기판(100) 전체에 균일하게 분사된다. 경사면 상부(A)에 분사되는 처리액(23)은 경사면 상부(A)를 처리한 후 기판(100) 경사면 하부(B)로 흘러 내려간다. 또한 경사면 상부(A)와 경사면 하부(B) 사이에 분사되는 처리액(23)도 기판(100)을 처리한 후 경사면 하부(B)로 흘러 내려간다. 이에 의해 경사면 하부(B)에는 처리액(23)이 두껍게 형성되어 처리액(23)에 잠겨 있는(dipping) 상태가 된다. 이 상태에서 경사면 하부(B)로 분사되는 처리액(23)은 기판(100) 처리에 적절히 사용되지 못하게 된다. 즉 경사면 상부(A)는 처리액(23) 분사에 의한 처리가 이루어지는 반면 경사면 하부(B)는 처리액(23) 디핑에 의한 처리가 이루어져 기판(100) 처리가 불균일해지는 것이다.When the substrate 100 is transferred to the lower portion of the processing liquid supply unit 20 by the transfer means 30, the processing liquid 23 is uniformly sprayed on the entire substrate 100 through the nozzle 22. The processing liquid 23 sprayed on the inclined surface upper portion A flows down the inclined surface lower portion B after processing the upper surface of the inclined surface A. FIG. In addition, the processing liquid 23 sprayed between the inclined surface A and the inclined bottom B also flows down the inclined surface B after processing the substrate 100. As a result, the processing liquid 23 is thickly formed in the lower portion B of the inclined surface, and the processing liquid 23 is in a dipping state. In this state, the processing liquid 23 injected to the lower portion of the inclined surface B cannot be used properly for processing the substrate 100. That is, the upper surface of the inclined surface A is processed by spraying the processing liquid 23, whereas the lower surface of the inclined surface B is processed by dipping the processing liquid 23, resulting in uneven treatment of the substrate 100.
제1실시예와 같이 경사면 하부(B)와 노즐(22)간의 거리(d2)를 감소시켜 기판(100)에 가해지는 처리액(23) 분사압을 증가시키면 경사면 하부(B)도 분사에 의 한 처리가 이루어진다. 또한 처리액(23)의 강한 분사압에 의해 경사면 하부(B)에 쌓여 있는 처리액(23)도 기판(100)에서 빠르게 제거된다. 이와 같이 기판(100) 전체가 처리액(23) 분사에 의해 처리되어 기판(100)의 처리가 균일하게 이루어진다.As in the first embodiment, when the distance d2 between the lower slope B and the nozzle 22 is decreased to increase the injection pressure of the processing liquid 23 applied to the substrate 100, the lower slope B is also caused by the injection. One treatment takes place. In addition, due to the strong injection pressure of the processing liquid 23, the processing liquid 23 accumulated on the lower slope B is also quickly removed from the substrate 100. In this way, the entire substrate 100 is processed by spraying the processing liquid 23, so that the substrate 100 is treated uniformly.
이와 같이 기판(100) 전체에 대한 처리가 완료되면 기판(100)은 다음 공정으로 이송된다. 처리가 현상 공정이면 세척 또는 식각 공정으로, 처리가 식각 공정이면 세척 공정으로, 처리가 세척 공정이면 건조 공정으로 이송될 수 있다.As such, when the entire process of the substrate 100 is completed, the substrate 100 is transferred to the next process. If the treatment is a developing process, it may be transferred to a washing or etching process, if the treatment is an etching process to a washing process, and if the treatment is a washing process to a drying process.
도 3은 본발명의 제2실시예에 따른 기판 처리장치(1)를 나타낸 측면도이다. 기판(100)의 경사각( θ1)과 처리액 배관(21)의 경사각( θ3)은 동일하다. 반면 노즐(22)의 길이는 경사면 하부(B)로 갈수록 길어지게 형성되어 있다. 이러한 구성에 의해 경사면 상부(A)와 노즐(22)과의 거리(d3)는 경사면 하부(B)와 노즐(22)과의 거리(d4)보다 크다. 각 노즐(22)에서 동일한 분사압으로 처리액(23)을 분사할 경우, 경사면 하부(B)는 경사면 상부(A)에 비하여 강한 분사압을 받게 되고 기판(100)의 처리는 균일해 진다.3 is a side view showing the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment of the present invention. The inclination angle θ1 of the substrate 100 and the inclination angle θ3 of the processing liquid pipe 21 are the same. On the other hand, the length of the nozzle 22 is formed to be longer toward the lower slope (B). By this structure, the distance d3 between the inclined surface upper portion A and the nozzle 22 is larger than the distance d4 between the inclined surface lower portion B and the nozzle 22. When injecting the processing liquid 23 at the same injection pressure at each nozzle 22, the lower portion B of the inclined surface receives a stronger injection pressure than the upper portion A of the inclined surface, and the processing of the substrate 100 becomes uniform.
도 4는 본발명의 제3실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이다. 기판(100)의 경사각( θ1)과 처리액 배관(21)의 경사각( θ4)은 동일하다. 처리액 배관(21)은 경사면 상부(A)에 처리액(23)을 공급하는 제1처리액 배관(21a)과 경사면 하부(B)에 처리액(23)을 공급하는 제2처리액 배관(21b)을 포함한다. 노즐(22)은 제1처리액 배관(21a)에 연결되어 있는 제1노즐(22a)과 제2처리액 배관(21b)에 연결되어 있는 제2노즐(22b)을 포함한다. 도시하지는 않았지만 제1처리액 배관(21a)과 제2처리액 배관(22b)은 처리액 공급압력이 상이한 각각의 처리액 펌프에 연결되어 있다. 제3실시예에서는 제2처리액 배관(21b)에 연결되어 있는 제2노즐(22b)에서 분사되는 처리액(23)의 분사압력이 제1처리액 배관(21a)에 연결되어 있는 제1노즐(22a)에서 분사되는 처리액(23)의 분사압력보다 강하다. 따라서 경사면 하부(B)는 경사면 상부(A)에 비하여 강한 처리액(23)의 분사압을 받아, 기판(100)의 처리가 균일하게 이루어진다.4 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a third embodiment of the present invention. The inclination angle θ1 of the substrate 100 and the inclination angle θ4 of the processing liquid pipe 21 are the same. The processing liquid pipe 21 is a first processing liquid pipe 21a for supplying the processing liquid 23 to the upper surface A of the inclined surface and a second processing liquid piping for supplying the processing liquid 23 to the lower surface of the inclined surface B ( 21b). The nozzle 22 includes a first nozzle 22a connected to the first processing liquid pipe 21a and a second nozzle 22b connected to the second processing liquid pipe 21b. Although not shown, the first processing liquid pipe 21a and the second processing liquid pipe 22b are connected to respective processing liquid pumps having different processing liquid supply pressures. In the third embodiment, the first nozzle in which the injection pressure of the processing liquid 23 injected from the second nozzle 22b connected to the second processing liquid pipe 21b is connected to the first processing liquid pipe 21a. It is stronger than the injection pressure of the processing liquid 23 injected at 22a. Accordingly, the lower surface B of the inclined surface receives the injection pressure of the processing liquid 23 that is stronger than the upper surface A of the inclined surface, and thus the substrate 100 is treated uniformly.
도 5는 본발명의 제4실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 사시도이고, 도 6은 본발명의 제4실시예에 따른 기판 처리장치를 나타낸 측면도이다.5 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a side view showing a substrate processing apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
처리액 배관(21)은 기판(100)의 이송방향과 평행하게 즉 기판(100)의 장변과 평행하게 배치되어 있다. 처리액 배관(21) 간의 간격은, 이에 한정되지 않으나, 서로 일정하다. 노즐(22)간의 간격도, 이에 한정되지 않으나, 서로 일정하다.The processing liquid pipe 21 is disposed in parallel with the transfer direction of the substrate 100, that is, in parallel with the long side of the substrate 100. The interval between the treatment liquid pipes 21 is not limited to this, but is constant with each other. The interval between the nozzles 22 is also not limited to this, but is constant with each other.
처리액 배관(21)은 경사면 하부(B)로 갈수록 기판(100)과의 간격이 작게 배치되어 있다. 즉 경사면 상부(A)와 노즐(22)간의 거리(d5)는 경사면 하부(B)와 노즐(22)간의 거리(d6)보다 크다. 이에 따라 경사면 하부(B)는 경사면 상부(A)에 비하여 강한 처리액(23) 분사압을 받게 되어 기판(100) 처리가 균일해진다.The processing liquid pipe 21 is arranged to have a smaller distance from the substrate 100 toward the lower portion B of the inclined surface. That is, the distance d5 between the inclined plane upper portion A and the nozzle 22 is greater than the distance d6 between the inclined plane lower portion B and the nozzle 22. As a result, the lower surface B of the inclined surface receives a stronger injection pressure of the processing liquid 23 than the upper surface A of the inclined surface, and thus the substrate 100 is treated uniformly.
이상의 실시예는 다양하게 변형될 수 있다. 여러 실시예는 같이 적용될 수 있는데, 예를 들어, 기판과 처리액 배관의 경사각이 서로 다르면서 동시에 노즐의 길이도 달라질 수 있다. 처리액 분사 시에 기판이 일방향으로 이송되는 것으로 설명하였으나 기판은 처리액 분사 시에 정지해 있거나 왕복 운동할 수 있다. 기판의 경사각은 고정되지 않고 변화될 수 있으며 처리 중에 경사의 방향이 반대로 변화하는 것도 가능하다.The above embodiments may be variously modified. Various embodiments may be applied together. For example, the inclination angles of the substrate and the processing liquid pipe may be different, and at the same time, the length of the nozzle may be different. Although the substrate has been described as being transported in one direction when the treatment liquid is injected, the substrate may be stopped or reciprocate during the treatment liquid injection. The inclination angle of the substrate can be changed without being fixed and it is also possible for the direction of the inclination to change in reverse during processing.
실시예에서는 액정표시장치용 기판에 대하여만 설명하였으나, 본 발명에서의 기판은 유기전기발광장치(organic light emitting diode)와 같은 평판표시장치에 사용되는 기판과 반도체 웨이퍼(wafer)를 모두 포함한다.In the embodiment, only the liquid crystal display substrate has been described, but the substrate in the present invention includes both a substrate and a semiconductor wafer used in a flat panel display such as an organic light emitting diode.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 기판의 처리가 균일하게 이루어지는 기판처리장치가 제공된다. As described above, according to the present invention, there is provided a substrate processing apparatus in which the substrate is treated uniformly.
또한 본발명에 따르면 기판의 처리가 균일하게 이루어지는 기판처리방법이 제공된다.According to the present invention, there is also provided a substrate treating method in which the substrate is treated uniformly.

Claims (12)

  1. 이송방향과 수직한 방향으로 하향 경사지게 기판을 이송하는 이송수단과;Transfer means for transferring the substrate inclined downward in a direction perpendicular to the transfer direction;
    상기 이송수단 상부에 위치하며, 상기 기판의 경사면 하부에 가해지는 처리액의 분사압이 상기 기판의 경사면 상부에 가해지는 처리액의 분사압보다 강하게 처리액을 공급하는 처리액 공급부를 포함하는 기판 처리장치.A substrate processing part disposed above the transfer means and including a processing liquid supply unit configured to supply the processing liquid with an injection pressure of the processing liquid applied to the lower portion of the inclined surface of the substrate higher than the injection pressure of the processing liquid applied to the upper surface of the inclined surface of the substrate; Device.
  2. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 처리액 공급부는 복수의 노즐을 포함하며,The treatment liquid supply unit includes a plurality of nozzles,
    상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 상기 노즐은 상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 상기 노즐에 비해 상기 기판에 가깝게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And the nozzle for injecting the treatment liquid under the inclined surface of the substrate is disposed closer to the substrate than the nozzle for injecting the treatment liquid over the inclined surface of the substrate.
  3. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 처리액 공급부는 상기 기판의 이송방향에 가로방향으로 배치되어 있는 처리액 배관과, 상기 처리액 배관에 연결되어 있는 복수의 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And the processing liquid supplying unit includes a processing liquid pipe arranged in a transverse direction in the transfer direction of the substrate, and a plurality of nozzles connected to the processing liquid pipe.
  4. 제3항에 있어서,The method of claim 3,
    상기 처리액 배관은 경사 각도를 조절할 수 있도록 마련되어 있는 것을 특 징으로 하는 기판 처리장치.The processing liquid pipe is substrate processing apparatus, characterized in that provided to be able to adjust the inclination angle.
  5. 제3항에 있어서,The method of claim 3,
    상기 처리액 배관은 상기 기판과 평행하게 배치되어 있으며,The treatment liquid pipe is arranged in parallel with the substrate,
    상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 상기 노즐은 상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 상기 노즐에 비해 길이가 긴 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And the nozzle for injecting the processing liquid onto the inclined surface of the substrate is longer than the nozzle for injecting the processing liquid onto the inclined surface of the substrate.
  6. 제3항에 있어서,The method of claim 3,
    상기 처리액 배관은 상기 기판과 평행하게 배치되어 있으며,The treatment liquid pipe is arranged in parallel with the substrate,
    상기 노즐의 길이는 상기 기판의 경사면 하부에 가까워질수록 길어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.The length of the nozzle is characterized in that the longer the closer to the lower portion of the inclined surface of the substrate processing apparatus.
  7. 제3항에 있어서,The method of claim 3,
    상기 처리액 배관은 상기 기판의 경사면 상부보다 상기 기판의 경사면 하부에 가깝게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.The processing liquid pipe is disposed closer to the lower surface of the substrate than the upper surface of the inclined surface of the substrate.
  8. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 처리액 공급부는,The treatment liquid supply unit,
    상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 제1노즐과 상기 기판의 경사 면 하부에 처리액을 분사하는 제2노즐을 포함하는 노즐과;A nozzle including a first nozzle for injecting the processing liquid onto the inclined surface of the substrate and a second nozzle for injecting the processing liquid into the lower surface of the inclined surface of the substrate;
    상기 제1노즐과 연결되어 있는 제1처리액 배관과 제2노즐과 연결되어 있는 제2처리액 배관을 포함하는 처리액 배관을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And a processing liquid pipe including a first processing liquid pipe connected to the first nozzle and a second processing liquid pipe connected to the second nozzle.
  9. 제1항에 있어서,The method of claim 1,
    상기 처리액 공급부는,The treatment liquid supply unit,
    상기 기판의 이송방향과 나란히 배치되어 있는 복수의 처리액 배관과, 상기 처리액 배관에 연결되어 있는 복수의 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And a plurality of processing liquid pipes arranged in parallel with a transfer direction of the substrate, and a plurality of nozzles connected to the processing liquid pipe.
  10. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9,
    상기 기판의 경사면 상부와 인접한 상기 처리액 배관 간의 거리는 상기 기판의 경사면 하부와 인접한 상기 처리액 배관 간의 거리보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And a distance between an upper portion of the inclined surface of the substrate and the processing liquid pipe adjacent to the lower surface of the substrate is greater than a distance between the lower portion of the substrate and the adjacent processing liquid pipe.
  11. 제9항에 있어서,10. The method of claim 9,
    상기 기판의 경사면 하부에 처리액을 분사하는 상기 노즐은 상기 기판의 경사면 상부에 처리액을 분사하는 상기 노즐에 비해 상기 기판에 가깝게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.And the nozzle for injecting the treatment liquid under the inclined surface of the substrate is disposed closer to the substrate than the nozzle for injecting the treatment liquid over the inclined surface of the substrate.
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