JP2003289064A - プラズマエッチング用多層シリコン電極板 - Google Patents
プラズマエッチング用多層シリコン電極板Info
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- JP2003289064A JP2003289064A JP2002091091A JP2002091091A JP2003289064A JP 2003289064 A JP2003289064 A JP 2003289064A JP 2002091091 A JP2002091091 A JP 2002091091A JP 2002091091 A JP2002091091 A JP 2002091091A JP 2003289064 A JP2003289064 A JP 2003289064A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来よりもスクラップとなるシリコン量の少
ないプラズマエッチング用多層シリコン電極板を提供す
る。 【解決手段】貫通細孔５を有する薄いシリコン電極板
２，２１，２２を複数枚重ね合わせて貫通細孔５を有す
る冷却板３にボルト６で固定してなるプラズマエッチン
グ用多層シリコン電極板。
ないプラズマエッチング用多層シリコン電極板を提供す
る。 【解決手段】貫通細孔５を有する薄いシリコン電極板
２，２１，２２を複数枚重ね合わせて貫通細孔５を有す
る冷却板３にボルト６で固定してなるプラズマエッチン
グ用多層シリコン電極板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、スクラップとな
るシリコン量の少ないプラズマエッチング用多層シリコ
ン電極板に関するものである。
るシリコン量の少ないプラズマエッチング用多層シリコ
ン電極板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造する際
に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハ
をエッチングするためのプラズマエッチング用シリコン
電極板として、近年、図３の一部断面説明図に示される
ようなシリコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定し
たプラズマエッチング用シリコン電極板９が用いられて
いる。このシリコン電極板１は単結晶、多結晶、または
柱状晶のシリコンからなるが、単結晶シリコンからなる
シリコン電極板が最も好ましいとされ、最も多く使用さ
れている。このシリコン電極板１を冷却板３にボルト６
で固定してなるプラズマエッチング用シリコン電極板９
を冷却板３の周囲に設けられた鍔部１０により支持させ
ることにより真空容器（図示せず）内のほぼ中央に固定
し、一方、架台８の上にウエハ４を載置し、エッチング
ガス７をシリコン電極板１および冷却板３に設けられた
貫通細孔５を通してウエハ４に向って流しながら高周波
電圧を印加することによりシリコン電極板１とウエハ４
の間にプラズマ１１を発生させ、このプラズマ１１がウ
エハ４に当ってウエハ４の表面をエッチングするように
なっている。この時、シリコン電極板１の熱は冷却板３
を通して放熱される。
に、ウエハをエッチングする必要があるが、このウエハ
をエッチングするためのプラズマエッチング用シリコン
電極板として、近年、図３の一部断面説明図に示される
ようなシリコン電極板１を冷却板３にボルト６で固定し
たプラズマエッチング用シリコン電極板９が用いられて
いる。このシリコン電極板１は単結晶、多結晶、または
柱状晶のシリコンからなるが、単結晶シリコンからなる
シリコン電極板が最も好ましいとされ、最も多く使用さ
れている。このシリコン電極板１を冷却板３にボルト６
で固定してなるプラズマエッチング用シリコン電極板９
を冷却板３の周囲に設けられた鍔部１０により支持させ
ることにより真空容器（図示せず）内のほぼ中央に固定
し、一方、架台８の上にウエハ４を載置し、エッチング
ガス７をシリコン電極板１および冷却板３に設けられた
貫通細孔５を通してウエハ４に向って流しながら高周波
電圧を印加することによりシリコン電極板１とウエハ４
の間にプラズマ１１を発生させ、このプラズマ１１がウ
エハ４に当ってウエハ４の表面をエッチングするように
なっている。この時、シリコン電極板１の熱は冷却板３
を通して放熱される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】シリコン電極板１は消
耗によりウエハ４との間隔および貫通細孔５の径が大き
く変化し、特に貫通細孔５のウエハ４に対抗する開口部
はラッパ状に拡大するように変化する。したがって、プ
ラズマ１１の密度を均一に保持しウエハ４のエッチング
レートを均一に保つことが要求される使用方法では、一
枚のシリコン電極板を使用する時間が極めて短く限定さ
れており、シリコン電極板１の消耗量が少ないにもかか
わらず早期に交換される。そして交換したシリコン電極
板はスクラップとなるためにシリコン電極板の大部分が
スクラップとなる。近年、シリコン電極板の使用量の増
加と共に一枚のシリコン電極板の厚さを厚くする傾向に
あるところから、スクラップとなるシリコン量は益々増
加しており、無駄な使い方がなされている。一方、プラ
ズマエッチング時間が極めて短い場合には薄いシリコン
電極板を一枚使用することが考えられるが、薄いシリコ
ン電極板を一枚使用してプラズマエッチングを行なう
と、薄いシリコン電極板は加熱されてエッチングガス７
の圧力に耐えられずに破損することがある、などの課題
があった。
耗によりウエハ４との間隔および貫通細孔５の径が大き
く変化し、特に貫通細孔５のウエハ４に対抗する開口部
はラッパ状に拡大するように変化する。したがって、プ
ラズマ１１の密度を均一に保持しウエハ４のエッチング
レートを均一に保つことが要求される使用方法では、一
枚のシリコン電極板を使用する時間が極めて短く限定さ
れており、シリコン電極板１の消耗量が少ないにもかか
わらず早期に交換される。そして交換したシリコン電極
板はスクラップとなるためにシリコン電極板の大部分が
スクラップとなる。近年、シリコン電極板の使用量の増
加と共に一枚のシリコン電極板の厚さを厚くする傾向に
あるところから、スクラップとなるシリコン量は益々増
加しており、無駄な使い方がなされている。一方、プラ
ズマエッチング時間が極めて短い場合には薄いシリコン
電極板を一枚使用することが考えられるが、薄いシリコ
ン電極板を一枚使用してプラズマエッチングを行なう
と、薄いシリコン電極板は加熱されてエッチングガス７
の圧力に耐えられずに破損することがある、などの課題
があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者等は、
かかる観点から、シリコン電極板の有効利用を図るべく
研究を行った。その結果、（イ）図１の断面図に示され
るように、薄いシリコン電極板２，２１，２２を複数枚
重ねて冷却板３にボルトで固定した多層シリコン電極板
１２を作製し、この多層シリコン電極板１２は多層にな
っているので加熱されてもエッチングガスの圧力に対し
て十分な強度を有し、使用時間が短い場合にはウエハ４
に最も近い薄いシリコン電極板２のみが消耗しているの
で、ウエハ４に最も近い薄いシリコン電極板２のみを交
換することにより使用前の多層シリコン電極板と同じ状
態にし、それによってプラズマの密度を均一に保持しウ
エハのエッチングレートを均一に保つことができ、ま
た、薄いシリコン電極板２を一枚交換するだけでその他
の薄いシリコン電極板２１，２２はそのまま利用できる
ので、スクラップとなるシリコン量を格段に少なくする
ことができる、（ロ）また、シリコン電極板における貫
通細孔の形成はシリコン電極板の厚さが厚くなるほど難
しくなりコストも高くなり、例えば、ドリル加工の場
合、シリコン電極板の厚さが厚くなるほど削りかすの排
出が困難になり目詰まりを起こしやすいために穴あけ用
のコストが高くなるが、薄いシリコン電極板は目詰まり
を起こすことが極めて少なく、したがって穴あけコスト
は格段に安くなり、薄いシリコン電極板を複数枚重ねた
多層シリコン電極板は従来の厚さの厚い１枚のシリコン
電極板よりも穴あけコストが格段に安くなる、（ハ）さ
らに、シリコン電極板における貫通細孔の形成に１穴で
も失敗するとスクラップとなるので、厚いシリコン電極
板の貫通細孔の形成に失敗した場合よりも薄いシリコン
電極板の貫通細孔の形成に失敗した場合の方がスクラッ
プとなるシリコン量が少なくなる、（ニ）薄いシリコン
電極板を複数枚重ねた多層シリコン電極板は、薄いシリ
コン電極板の枚数が多くなるほど取付け時にずれなどが
生じて取扱い難くなるところから、図２に示されるよう
に薄いシリコン電極板を複数枚重ねた多層シリコン電極
板をケース１３に収納したケース収納多層シリコン電極
板１４を作製し、このケース収納多層シリコン電極板１
４を冷却板３にボルト６で取り付けると、取り扱いが一
層簡単になる、などのという知見を得たのである。
かかる観点から、シリコン電極板の有効利用を図るべく
研究を行った。その結果、（イ）図１の断面図に示され
るように、薄いシリコン電極板２，２１，２２を複数枚
重ねて冷却板３にボルトで固定した多層シリコン電極板
１２を作製し、この多層シリコン電極板１２は多層にな
っているので加熱されてもエッチングガスの圧力に対し
て十分な強度を有し、使用時間が短い場合にはウエハ４
に最も近い薄いシリコン電極板２のみが消耗しているの
で、ウエハ４に最も近い薄いシリコン電極板２のみを交
換することにより使用前の多層シリコン電極板と同じ状
態にし、それによってプラズマの密度を均一に保持しウ
エハのエッチングレートを均一に保つことができ、ま
た、薄いシリコン電極板２を一枚交換するだけでその他
の薄いシリコン電極板２１，２２はそのまま利用できる
ので、スクラップとなるシリコン量を格段に少なくする
ことができる、（ロ）また、シリコン電極板における貫
通細孔の形成はシリコン電極板の厚さが厚くなるほど難
しくなりコストも高くなり、例えば、ドリル加工の場
合、シリコン電極板の厚さが厚くなるほど削りかすの排
出が困難になり目詰まりを起こしやすいために穴あけ用
のコストが高くなるが、薄いシリコン電極板は目詰まり
を起こすことが極めて少なく、したがって穴あけコスト
は格段に安くなり、薄いシリコン電極板を複数枚重ねた
多層シリコン電極板は従来の厚さの厚い１枚のシリコン
電極板よりも穴あけコストが格段に安くなる、（ハ）さ
らに、シリコン電極板における貫通細孔の形成に１穴で
も失敗するとスクラップとなるので、厚いシリコン電極
板の貫通細孔の形成に失敗した場合よりも薄いシリコン
電極板の貫通細孔の形成に失敗した場合の方がスクラッ
プとなるシリコン量が少なくなる、（ニ）薄いシリコン
電極板を複数枚重ねた多層シリコン電極板は、薄いシリ
コン電極板の枚数が多くなるほど取付け時にずれなどが
生じて取扱い難くなるところから、図２に示されるよう
に薄いシリコン電極板を複数枚重ねた多層シリコン電極
板をケース１３に収納したケース収納多層シリコン電極
板１４を作製し、このケース収納多層シリコン電極板１
４を冷却板３にボルト６で取り付けると、取り扱いが一
層簡単になる、などのという知見を得たのである。
【０００５】この発明は、かかる知見に基づいてなされ
たものであって、（１）貫通細孔を有する複数枚の薄い
シリコン電極板を重ねて貫通細孔を有する冷却板にボル
トで固定してなるプラズマエッチング用多層シリコン電
極板、（２）貫通細孔を有する複数枚の薄いシリコン電
極板を重ねてケースに収納したケース収納多層シリコン
電極板を貫通細孔を有する冷却板にボルトで固定してな
るプラズマエッチング用多層シリコン電極板、に特徴を
有するものである。
たものであって、（１）貫通細孔を有する複数枚の薄い
シリコン電極板を重ねて貫通細孔を有する冷却板にボル
トで固定してなるプラズマエッチング用多層シリコン電
極板、（２）貫通細孔を有する複数枚の薄いシリコン電
極板を重ねてケースに収納したケース収納多層シリコン
電極板を貫通細孔を有する冷却板にボルトで固定してな
るプラズマエッチング用多層シリコン電極板、に特徴を
有するものである。
【０００６】この発明のプラズマエッチング用シリコン
電極板を図面に基づいて一層詳細に説明する。図１は、
この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板の断面
説明図であり、図１において、２、２１、２２は薄いシ
リコン電極板である。この薄いシリコン電極板２、２
１、２２を重ねてこの発明の多層シリコン電極板１２を
構成する。その他の符号は先に図３で説明したのと同じ
であるからその他の符号の説明は省略する。薄いシリコ
ン電極板は図１では３枚重ねているが、薄いシリコン電
極板の重ね枚数は特に限定されるものではない。また、
薄いシリコン電極板は単結晶からなることが好ましい
が、多結晶、または柱状晶のシリコンで構成しても良
い。前記多層シリコン電極板１２はボルト６により冷却
板３に固定されてこの発明のプラズマエッチング用シリ
コン電極板が作られる。
電極板を図面に基づいて一層詳細に説明する。図１は、
この発明のプラズマエッチング用シリコン電極板の断面
説明図であり、図１において、２、２１、２２は薄いシ
リコン電極板である。この薄いシリコン電極板２、２
１、２２を重ねてこの発明の多層シリコン電極板１２を
構成する。その他の符号は先に図３で説明したのと同じ
であるからその他の符号の説明は省略する。薄いシリコ
ン電極板は図１では３枚重ねているが、薄いシリコン電
極板の重ね枚数は特に限定されるものではない。また、
薄いシリコン電極板は単結晶からなることが好ましい
が、多結晶、または柱状晶のシリコンで構成しても良
い。前記多層シリコン電極板１２はボルト６により冷却
板３に固定されてこの発明のプラズマエッチング用シリ
コン電極板が作られる。
【０００７】図２は、この発明におけるその他のプラズ
マエッチング用シリコン電極板の断面説明図であり、図
２において、１３は２、２１，２２は薄いシリコン電極
板を収納するためのケースである。ケース１３の中に薄
いシリコン電極板２、２１、２２を重ねて装入し、ケー
ス収納多層シリコン電極板１４を構成している。その他
の符号は先に図１および図３で説明したのと同じである
から、符号の説明は省略する。ケース収納多層シリコン
電極板１４は図２に示されるように薄いシリコン電極板
を３枚重ねてケース１３に収納してボルト６により冷却
板３に固定されているので運搬が容易である。薄いシリ
コン電極板の重ね枚数は特に限定されるものではない。
薄いシリコン電極板２、２１，２２およびケース１３は
いずれも単結晶、多結晶、または柱状晶のシリコンから
なるものである。
マエッチング用シリコン電極板の断面説明図であり、図
２において、１３は２、２１，２２は薄いシリコン電極
板を収納するためのケースである。ケース１３の中に薄
いシリコン電極板２、２１、２２を重ねて装入し、ケー
ス収納多層シリコン電極板１４を構成している。その他
の符号は先に図１および図３で説明したのと同じである
から、符号の説明は省略する。ケース収納多層シリコン
電極板１４は図２に示されるように薄いシリコン電極板
を３枚重ねてケース１３に収納してボルト６により冷却
板３に固定されているので運搬が容易である。薄いシリ
コン電極板の重ね枚数は特に限定されるものではない。
薄いシリコン電極板２、２１，２２およびケース１３は
いずれも単結晶、多結晶、または柱状晶のシリコンから
なるものである。
【０００８】多層シリコン電極板を構成する薄いシリコ
ン電極板２、２１，２２の内でも被エッチング物である
ウエハに最も近い薄いシリコン電極板２が最も早く消耗
するので最も頻繁に交換される。また薄いシリコン電極
板２にはボルト６の頭が入るザグリ穴１５を設けること
が好ましい。また、図示はされていないが、均一な厚さ
の薄いシリコン電極板２、２１，２２を重ねると所望の
厚さよりも厚くなったりまたは所望の厚さよりも薄くな
ることがある。このような場合にこの発明のプラズマエ
ッチング用シリコン電極板では厚さの異なったスペーサ
を挿入して厚さを調整し、所定の厚さの多層シリコン電
極板を作ることもできる。
ン電極板２、２１，２２の内でも被エッチング物である
ウエハに最も近い薄いシリコン電極板２が最も早く消耗
するので最も頻繁に交換される。また薄いシリコン電極
板２にはボルト６の頭が入るザグリ穴１５を設けること
が好ましい。また、図示はされていないが、均一な厚さ
の薄いシリコン電極板２、２１，２２を重ねると所望の
厚さよりも厚くなったりまたは所望の厚さよりも薄くな
ることがある。このような場合にこの発明のプラズマエ
ッチング用シリコン電極板では厚さの異なったスペーサ
を挿入して厚さを調整し、所定の厚さの多層シリコン電
極板を作ることもできる。
【０００９】
【発明の実施の形態】実施例１
直径：２５０mm、厚さ：２．５mmの寸法を有し、直径：
０．５mmの貫通細孔を設けた薄いシリコン電極板を４枚
用意した。さらに直径：３mmの貫通細孔を設けた鍔部を
有するＡｌ製冷却板を用意した。 前記薄いシリコン電極板とＡｌ製冷却板を貫通細孔が一
致するようにボルトで固定して図１に示される構造の本
発明プラズマエッチング用多層シリコン電極板を作製し
た。
０．５mmの貫通細孔を設けた薄いシリコン電極板を４枚
用意した。さらに直径：３mmの貫通細孔を設けた鍔部を
有するＡｌ製冷却板を用意した。 前記薄いシリコン電極板とＡｌ製冷却板を貫通細孔が一
致するようにボルトで固定して図１に示される構造の本
発明プラズマエッチング用多層シリコン電極板を作製し
た。
【００１０】この本発明プラズマエッチング用シリコン
多層電極板をプラズマエッチング装置にセットし、さら
にウエハをセットし、周波数：１３．５ＭＨｚ，出力：
８００Ｗ，プラズマ発生ガス：Ａｒガスの条件でプラズ
マを発生させプラズマエッチングを行った。５０時間経
過後、プラズマに不均一なところが発生したので本発明
プラズマエッチング用シリコン多層電極板の内のウエハ
に最も近い薄いシリコン電極板を交換したところ、不均
一なプラズマの発生がなくなった。
多層電極板をプラズマエッチング装置にセットし、さら
にウエハをセットし、周波数：１３．５ＭＨｚ，出力：
８００Ｗ，プラズマ発生ガス：Ａｒガスの条件でプラズ
マを発生させプラズマエッチングを行った。５０時間経
過後、プラズマに不均一なところが発生したので本発明
プラズマエッチング用シリコン多層電極板の内のウエハ
に最も近い薄いシリコン電極板を交換したところ、不均
一なプラズマの発生がなくなった。
【００１１】実施例２
外径：２９０mm、内径：２５０mm、底部厚さ：１０ｍ
ｍ、キャビティの深さ：１０mmの寸法を有する単結晶製
のケースを用意し、実施例１で用意した４枚の薄いシリ
コン電極板をケースに収納してケース収納多層シリコン
電極板を作製し、このケース収納多層シリコン電極板
を、直径：３mmの貫通細孔を設けた鍔部を有するＡｌ製
冷却板にボルトで固定して図２に示される構造の本発明
プラズマエッチング用多層シリコン電極板を作製した。
ｍ、キャビティの深さ：１０mmの寸法を有する単結晶製
のケースを用意し、実施例１で用意した４枚の薄いシリ
コン電極板をケースに収納してケース収納多層シリコン
電極板を作製し、このケース収納多層シリコン電極板
を、直径：３mmの貫通細孔を設けた鍔部を有するＡｌ製
冷却板にボルトで固定して図２に示される構造の本発明
プラズマエッチング用多層シリコン電極板を作製した。
【００１２】この本発明プラズマエッチング用多層シリ
コン電極板をプラズマエッチング装置にセットし、さら
にウエハをセットし、周波数：１３．５ＭＨｚ，出力：
８００Ｗ，プラズマ発生ガス：Ａｒガスの条件でプラズ
マを発生させプラズマエッチングを行った。５０時間経
過後、プラズマに不均一なところが発生したので本発明
プラズマエッチング用シリコン多層電極板の内のウエハ
に最も近い薄いシリコン電極板を交換したところ、不均
一なプラズマの発生がなくなった。
コン電極板をプラズマエッチング装置にセットし、さら
にウエハをセットし、周波数：１３．５ＭＨｚ，出力：
８００Ｗ，プラズマ発生ガス：Ａｒガスの条件でプラズ
マを発生させプラズマエッチングを行った。５０時間経
過後、プラズマに不均一なところが発生したので本発明
プラズマエッチング用シリコン多層電極板の内のウエハ
に最も近い薄いシリコン電極板を交換したところ、不均
一なプラズマの発生がなくなった。
【００１３】
【発明の効果】上述のように、この発明のプラズマエッ
チング用多層シリコン電極板によりウエハを均一にむら
なくエッチングするに際し、プラズマに不均一なところ
が発生した場合、ただちに一枚の薄いシリコン電極板を
交換することにより不均一なプラズマの発生がなくな
り、一枚の薄いシリコン電極板がスクラップになるだけ
であるからスクラップになるシリコン量を格段に少なく
することができ、コストが削減できて、半導体装置産業
の発展に大いに貢献しうるものである。
チング用多層シリコン電極板によりウエハを均一にむら
なくエッチングするに際し、プラズマに不均一なところ
が発生した場合、ただちに一枚の薄いシリコン電極板を
交換することにより不均一なプラズマの発生がなくな
り、一枚の薄いシリコン電極板がスクラップになるだけ
であるからスクラップになるシリコン量を格段に少なく
することができ、コストが削減できて、半導体装置産業
の発展に大いに貢献しうるものである。
【図１】この発明のプラズマエッチング用多層シリコン
電極板を説明するための断面説明図である。
電極板を説明するための断面説明図である。
【図２】この発明のプラズマエッチング用多層シリコン
電極板を説明するための断面説明図である。
電極板を説明するための断面説明図である。
【図３】従来のプラズマエッチング用シリコン電極板の
使用状態を説明するための一部断面側面説明図である。
使用状態を説明するための一部断面側面説明図である。
１ シリコン電極板
２ 薄いシリコン電極板
２１ 薄いシリコン電極板
２２ 薄いシリコン電極板
３ 冷却板
４ ウエハ
５ 貫通細孔
６ ボルト
７ エッチングガス
８ 架台
９ プラズマエッチング用シリコン電極板
１０ 鍔
１１ プラズマ
１２ 多層シリコン電極板
１３ ケース
１４ ケース収納多層シリコン電極板
Claims (2)
- 【請求項１】貫通細孔を有する薄いシリコン電極板を複
数枚重ね合わせて貫通細孔を有する冷却板にボルトで固
定してなることを特徴とするプラズマエッチング用多層
シリコン電極板。 - 【請求項２】貫通細孔を有する薄いシリコン電極板を複
数枚重ね合わせてケースに収納したケース収納多層シリ
コン電極板を貫通細孔を有する冷却板にボルトで固定し
てなることを特徴とするプラズマエッチング用多層シリ
コン電極板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091091A JP3873277B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | プラズマエッチング用多層シリコン電極板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002091091A JP3873277B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | プラズマエッチング用多層シリコン電極板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003289064A true JP2003289064A (ja) | 2003-10-10 |
| JP3873277B2 JP3873277B2 (ja) | 2007-01-24 |
Family
ID=29236263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002091091A Expired - Lifetime JP3873277B2 (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | プラズマエッチング用多層シリコン電極板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3873277B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141104A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 耐割れ性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP2009016668A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用凸型シリコン電極板 |
| JP2011171763A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
| KR20160026770A (ko) * | 2014-08-29 | 2016-03-09 | 램 리써치 코포레이션 | 이온 빔 에칭을 위한 이온 주입기 전극 어셈블리 |
| CN112030110A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-12-04 | 无锡爱尔华光电科技有限公司 | 一种基材可分离的真空镀膜设备 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008141104A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Mitsubishi Materials Corp | 耐割れ性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 |
| JP2009016668A (ja) * | 2007-07-06 | 2009-01-22 | Mitsubishi Materials Corp | プラズマエッチング用凸型シリコン電極板 |
| JP2011171763A (ja) * | 2011-05-09 | 2011-09-01 | Tokyo Electron Ltd | 電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 |
| KR20160026770A (ko) * | 2014-08-29 | 2016-03-09 | 램 리써치 코포레이션 | 이온 빔 에칭을 위한 이온 주입기 전극 어셈블리 |
| KR102514467B1 (ko) | 2014-08-29 | 2023-03-24 | 램 리써치 코포레이션 | 이온 빔 에칭을 위한 이온 주입기 전극 어셈블리 |
| CN112030110A (zh) * | 2020-08-21 | 2020-12-04 | 无锡爱尔华光电科技有限公司 | 一种基材可分离的真空镀膜设备 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3873277B2 (ja) | 2007-01-24 |
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