JP2003288331A - 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ - Google Patents

多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ

Info

Publication number
JP2003288331A
JP2003288331A JP2002092151A JP2002092151A JP2003288331A JP 2003288331 A JP2003288331 A JP 2003288331A JP 2002092151 A JP2002092151 A JP 2002092151A JP 2002092151 A JP2002092151 A JP 2002092151A JP 2003288331 A JP2003288331 A JP 2003288331A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
output
control
input
power
power supply
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002092151A
Other languages
English (en)
Inventor
Shigeyuki Komatsu
茂行 小松
Takanori Obara
孝則 小原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP2002092151A priority Critical patent/JP2003288331A/ja
Publication of JP2003288331A publication Critical patent/JP2003288331A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Microcomputers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 I/O電源と内部電源で分離されたワンチッ
プマイクロコンピュータにおいて、I/O電源を遮断し
た時、I/OのI/Fにおいて不要な貫通電流が発生し
てしまう。また、電源立ち上げ時に、I/Oの電源より
遅れて内部電源が立ち上がる場合、上記期間I/O部に
おいて不要な貫通電流および不安定な出力信号が出力端
子より出力されてしまう。 【解決手段】 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュ
ータにおいて、電源遮断制御信号及び電源立ち上げ制御
信号を内蔵した入出力制御回路を有し、上記信号を上記
ワンチップマイクロコンピュータの制御信号及びリセッ
ト端子に接続することによって解決をはかるものであ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、任意の入出力端子
プロック毎に電源分離された入出力制御回路ブロックの
制御手段を備えた多電源内蔵ワンチップマイクロコンピ
ュータに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の入力制御回路及び出力制御回路の
ブロック図を図7、図8に示す。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような入
力制御回路及び出力制御回路では、I/O電源の電源遮
断を行うと貫通電流が流れてしまい、セットの低消費電
力化に対応出来ない。また、内部回路とI/O部の電源
が分離した複数電源を有する場合、電源立ち上げ時に不
要な貫通電流が発生したり、出力端子より不安定な値が
出力されてしまう。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明の多電源ワンチッ
プマイクロコンピュータは、I/O部に電源遮断制御及
び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力
制御ブロックを有し、上記制御ブロックの電源遮断制御
線及び電源立ち上げ制御線を上記ワンチップマイクロコ
ンピュータ上のプログラムで制御及びリセット端子を接
続する手段を有する。
【0005】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。 (実施の形態1)図1に示すように、本発明の第1の実
施の形態の電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力
制御回路ブロックは、入力端子21を含む入力制御回路
ブロック専用の高電位の第1の電源VDDHと上記入力
制御回路ブロックを除く内部回路ブロック専用の低電位
の第2の電源VDDLを備えた2電源入力制御回路ブロ
ックにおいて、上記2電源入力制御回路ブロックは、上
記入力端子からの信号を所定の入力レベル及びシュミッ
ト幅に決定する上記第1の電源VDDHに接続された入
力制御ブロック1と上記入力制御ブロック1からの出力
信号S1を上記内部回路ブロック専用の第2の電源VD
DLに電圧変換する上記第2の電源VDDLに接続され
たレベルシフター部10より構成され、上記レベルシフ
ター部10は電源遮断制御信号22を有し、上記電源遮
断制御信号22と上記第1の電源VDDHに接続された
入力制御ブロック1の出力を2入力とするNOR型回路1
1で構成され、上記NOR型回路11の出力を上記2電源
入力制御回路ブロック20の出力23に接続した電源遮
断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力制御回路ブロック
20の構成を有している。
【0006】以上のように構成された第1の実施の形態
の電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力制御回路
ブロックについて、その動作について説明する。
【0007】図1に示す電源遮断制御内蔵レベルシフタ
機能付き入力制御回路ブロックにおいて、入力端子を含
む入力制御回路ブロック1専用の高電位の第1の電源V
DDHと上記入力制御回路ブロック1を除く内部回路ブ
ロック専用の低電位の第2の電源VDDLが共に電源供
給されている実動作状態から、電源遮断制御信号22に
VDDLレベルを設定し、上記入力端子を含む入力制御
回路ブロック1専用の高電位の第1の電源VDDHをO
FFし遮断する。この時上記VDDHに電位が印加され
ていないためVDDH系シュミット入力回路2の出力信
号S1は、Hiz状態で不安定な出力であるが、上記出
力信号S1と上記電源遮断制御信号22に接続された2
入力のNOR型回路11の出力は、上記電源遮断制御信号
22がVDDLレベルであるため、他方の入力のHiz
によらず貫通電流を阻止し、上記NOR型回路11の出力
はL出力される。
【0008】なお、上記NOR型回路11は、上記電源遮
断制御信号22により上記回路の出力を制御するもので
あるため、OR回路、AND回路、NAND回路等であ
っても同様に可能である。
【0009】(実施の形態2)図2に示すように、本発
明の第2の実施の形態の電源立ち上げ制御内蔵レベルシ
フター機能付き出力制御ブロックは、出力端子81を含
む出力制御回路ブロック専用の高電位の第1の電源VD
DHと上記出力制御回路ブロックを除く内部回路専用の
低電位の第2の電源VDDLを備えた2電源出力制御回
路ブロックにおいて、上記2電源出力制御回路ブロック
は、上記出力端子の出力信号S7及び出力制御信号S9
を制御する上記第1の電源VDDHに接続された出力制
御回路ブロック40と上記内部回路ブロックからの出力
信号83及び出力制御信号84を上記出力制御回路40
専用の第1の電源VDDHに電圧変換する上記第1と第
2の電源に接続されたレベルシフター部70より構成さ
れ、上記レベルシフター部70は電源立ち上げ制御信号
82を有する第1と第2のレベルシフターを有し、上記
第1のレベルシフター50は上記電源立ち上げ制御信号
82を入力にする高電位のソース側が第1の電源VDD
Hに接続された第1のインバータ51の出力S2におい
て、ソース側が第1の電源VDDHに接続された第1の
Pchトランジスタ52のゲートに接続され、上記第1
のPchトランジスタ52のドレインS7が上記第1の
インバータ1の出力S2をゲートとする第1のNchト
ランジスタ59のドレインに接続され、上記第1のNc
hトランジスタ59のソースはGNDに接続され、上記内
部回路ブロックからの出力信号83を入力とする第2の
インバータ57と上記第2のインバータ57の出力S3
を入力とする第3のインバータ58において、上記第2
及び第3のインバータの高電位のソース側は第2の電源
VDDLに接続され、上記第2のインバータ57の出力
S3をゲートに接続した第2のNchトランジスタ56
のソースはGNDに接続され、上記第3のインバータ58
の出力S4をゲートに接続した第3のNchトランジス
タ54のソースはGNDに接続され、上記第2のNchトラ
ンジスタ56のドレインS6は、ソースとドレインをそ
れぞれ上記第1のPchトランジスタ52のドレインS
7及び第3のNchトランジスタ54のドレインS5に
接続された第4のNchトランジスタ53のゲートに接
続され、上記第3のNchトランジスタ54のドレイン
S5は、ソースとドレインをそれぞれ上記第1のPch
トランジスタ52のドレインS7及び第2のNchトラ
ンジスタ56のドレインS6に接続された第5のNch
トランジスタ55のゲートに接続され、上記第5のNc
hトランジスタ55のドレインS7を出力とする第1の
電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター部50を構成し、
他方の第2のレベルシフター60は上記第1の電源立ち
上げ制御内蔵レベルシフター部50における上記内部回
路ブロックからの出力信号83を出力制御信号84に置
き換えた同一回路構成を有し、上記第1のレベルシフタ
ー部50の出力S7を上記第1の電源に接続された出力
制御回路ブロック40の出力信号とし、上記第2のレベ
ルシフター部60の出力信号S9を上記第1の電源に接
続された出力制御回路ブロック40の出力制御信号と接
続され、上記出力制御回路ブロック40において、上記
S7と上記S9を入力とする高電位のソース側がVDD
Hに接続された2入力のNAND型回路43の出力S8
はソース側をVDDHに接続したPch出力バッファー
41のゲートに接続され、上記Pch出力バッファー4
1のドレインは出力端子81に接続され、かつ上記S7
と上記S9を入力とする高電位のソース側がVDDHである
インバータ45の出力S10を入力とする高電位のソース
側がVDDHに接続された2入力のNOR型回路44の
出力S11はソース側をGNDに接続したNch出力バ
ッファー42のゲートに接続され、上記Nch出力バッ
ファー42のドレインは出力端子81に接続されたこと
を特徴とする電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能
付き出力制御ブロック80の構成を有している。
【0010】以上のように構成された第2の実施の形態
の電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力制御回路
ブロック80について、その動作について説明する。
【0011】図2に示す電源立ち上げ制御内蔵レベルシ
フター機能付き出力制御ブロック80において、出力端
子81を含む出力制御回路ブロック専用の高電位の第1
の電源VDDHと上記出力制御回路ブロックを除く内部
回路専用の低電位の第2の電源VDDLを備えた2電源
出力制御回路ブロックにおいて、上記VDDH、VDD
Lが共に電源OFFの状態でかつ電源立ち上げ制御信号
82の初期値がGNDの状態より、上記第1の電源VD
DHが先に立ち上がり、遅れて上記第2の電源VDDL
が立ち上がった場合、上記電源立ち上げ制御信号82は
GNDレベルであるため、上記電源立ち上げ制御信号8
2を入力とし、高電位のソース側がVDDHに接続され
た第1のインバータ51の出力はVDDHになり、上記
第1のPchトランジスタ52のゲートをOFFするこ
とで上記第1のレベルシフター部50の貫通電流を阻止
し、かつ第1のNchトランジスタ59のゲートをON
させるため、S7の信号出力がLレヘ゛ルに確定され、上記
を入力とするNAND型回路43の出力S8はVDDH
出力となりPch出力バッファー41をOFFし、また
上記第1のレベルシフター50の出力S7同様に上記第
2のレベルシフター60の出力S9も信号出力がLレヘ゛ル
に確定され、インバータ45の出力S10はVDDHと
なり、上記を入力とするNOR型回路44の出力S11
はLレベル出力となりNch出力バッファー42をOF
Fし、電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き出
力制御ブロック80内での不要な貫通電流を防止すると
共に、出力81は常にHizで、不要な電位の出力を防
止することが可能となる。
【0012】(実施の形態3)図3に示すように、本発
明の第3の実施の形態の電源遮断制御及び電源立ち上げ
制御内蔵レベルシフター機能付き入出力制御ブロックに
おいて、入出力端子93を含む入出力制御回路ブロック
専用の高電位の第1の電源VDDHと上記入出力制御回
路ブロックを除く内部回路ブロック専用の低電位の第2
の電源VDDLを備えた2電源入出力制御回路ブロック
92において、上記2電源入出力制御回路ブロック92
は、請求項1で記載した電源遮断制御内蔵レベルシフタ
機能付き入力制御回路ブロック90における入力端子と
請求項2で記載した電源立ち上げ制御内蔵レベルシフタ
ー機能付き出力制御ブロック91における出力端子を入
出力端子93として接続したことを特徴とする電源遮断
制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き
入出力制御ブロック92の構成を有している。
【0013】以上のように構成された第3の実施の形態
の電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフタ
ー機能付き入出力制御ブロック92について、その動作
について説明する。上記制御内蔵レベルシフター機能付
き入出力制御ブロック92は電源遮断制御内蔵レベルシ
フタ機能付き入力制御回路ブロック90の電源遮断制御
信号94と電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付
き出力制御ブロック91の電源立ち上げ制御信号96を
有しており、各々は独立に制御可能であるため、入力制
御回路ブロック専用の高電位の第1の電源VDDHの電
源を遮断しても貫通電流を防止でき、かつ上記第1の電
源VDDHと上記入出力制御回路ブロックを除く内部回
路専用の低電位の第2の電源VDDLが共に電源OFF
の状態から、上記第1の電源VDDHが先に立ち上が
り、遅れて上記第2の電源VDDLが立ち上がった場
合、上記電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベル
シフター機能付き入出力制御ブロック92内での貫通電
流を防止して、入出力端子93は常にHizで、不要な
電位の出力を防止することが可能となる。
【0014】(実施の形態4)図4に示すように、本発
明の第4の実施の形態のワンチップマイクロコンピュー
タにおいて、入力端子204を含む入力制御回路ブロッ
ク202及び入出力端子205を含む入出力制御回路ブ
ロック203専用の高電位の第1の電源VDDHと上記
入力及び入出力制御回路ブロックを除く内部回路ブロッ
ク201専用の低電位の第2の電源VDDLを備えた2
電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ206におい
て、上記ワンチップマイクロコンピュータ206の複数
ある入力端子204を上記請求項1の電源遮断制御内蔵
レベルシフタ機能付き入力制御回路ブロック20に接続
し、上記ワンチップマイクロコンピュータ206の複数
ある入出力端子205を上記請求項3の電源遮断制御及
び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力
制御ブロック92にそれぞれ接続し、上記電源遮断制御
内蔵レベルシフタ機能付き入力制御回路ブロック202
の電源遮断制御信号を上記2電源内蔵ワンチップマイク
ロコンピュータ206における内部回路201の制御信
号S20に接続し、同様に上記電源遮断制御及び電源立
ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力制御ブロ
ック203の電源遮断制御信号を上記2電源内蔵ワンチ
ップマイクロコンピュータにおける内部回路の制御信号
S20に接続し、電源立ち上げ制御信号S22をVDDHに
接続たことを特徴とするワンチップマイクロコンピュー
タの構成を有している。以上のように構成された第4の
実施の形態のワンチップマイクロコンピュータ206に
ついて、その動作について説明する。
【0015】入力端子204を含む入力制御回路ブロッ
ク及び入出力端子205を含む入出力制御回路ブロック
専用の高電位の第1の電源VDDHと上記回路ブロック
を除く内部回路ブロック専用の低電位の第2の電源VD
DLが共に電源供給されている実動作状態から、ワンチ
ップマイクロコンピュータのプログラムの実行により電
源遮断制御信号S20にVDDLレベルを設定すること
により、上記第1の電源VDDHの電源を遮断しても貫
通電流を防止することが出来る。これによりセット上で
の低消費化のための不要な電源の遮断に適用できるワン
チップマイクロコンピュータを実現することが出来る。
【0016】(実施の形態5)図5に示すように、本発
明の第5の実施の形態のワンチップマイクロコンピュー
タにおいて、出力端子216を含む出力制御回路ブロッ
ク212及び入出力端子217を含む入出力制御回路ブ
ロック213専用の高電位の第1の電源VDDHと上記
出力及び入出力制御回路ブロックを除く内部回路ブロッ
ク211専用の低電位の第2の電源VDDLを備えた2
電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ218におい
て、上記ワンチップマイクロコンピュータ218の複数
ある出力端子216を上記請求項2の電源立ち上げ制御
内蔵レベルシフター機能付き出力制御ブロック80に接
続し、上記ワンチップマイクロコンピュータ218の複
数ある入出力端子217を上記請求項3の電源遮断制御
及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出
力制御ブロック92にそれぞれ接続し、上記電源立ち上
げ制御内蔵レベルシフター機能付き出力制御ブロック2
12の電源立ち上げ制御信号を上記2電源内蔵ワンチッ
プマイクロコンピュータ218におけるリセット端子2
15の出力信号S26に接続し、同様に上記電源遮断制
御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入
出力制御ブロック213の電源立ち上げ制御信号を上記
2電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータにおけるリ
セット端子の出力信号S26に接続し、電源遮断制御信
号S27をGNDに接続したことを特徴とするワンチッ
プマイクロコンピュータの構成を有している。
【0017】以上のように構成された第5の実施の形態
のワンチップマイクロコンピュータ218について、そ
の動作について説明する。
【0018】出力端子216を含む出力制御回路ブロッ
ク及び入出力端子217を含む入出力制御回路ブロック
専用の高電位の第1の電源VDDHと上記回路ブロック
を除く内部回路211ブロック専用の低電位の第2の電
源VDDLが共にOFFし、リセット端子はGNDレベ
ルである初期状態から考える。この時、リセット端子は
通常セット上において、対GNDに対して外付けに容量
を接続して電源端子の電源立ち上がりに遅れて後にリセ
ット信号が立ち上がってリセットが解除される様に設計
している。上記初期状態から上記第1の電源VDDHが
先に立ち上がり、遅れて上記第2の電源VDDLが立ち
上がった場合、リセット端子は上記外付けの容量により
電源端子の電源立ち上がりよりリセット信号が遅延し、
GNDレベルを維持しているため、リセット端子215
を受けた電源立ち上げ制御信号S26はGNDのままの
ため、上記に接続された電源立ち上げ制御内蔵レベルシ
フター機能付き出力制御ブロック212及び電源遮断制
御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入
出力制御ブロック213内での不要な貫通電流を防止す
ると共に、出力端子216及び入出力端子217は常に
Hizで、不要な電位の出力を防止することが可能とな
る。
【0019】上記により複数電源における電源立ち上げ
時の不要な貫通電流及び不要な電位の出力を防止するこ
とが可能となるワンチップマイクロコンピュータを実現
することが出来る。
【0020】(実施の形態6)図6に示すように、本発
明の第6の実施の形態の多電源内蔵ワンチップマイクロ
コンピュータにおいて、任意の入出力端子プロック22
0、224、225毎に分離された入出力制御回路ブロ
ック専用の高電位の複数電源VDDH1,VDDH2、
VDDH3及び上記入出力制御回路ブロックを除く内部
回路ブロック221専用の低電位の電源VDDLを備え
た多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ228に
おいて、上記ワンチップマイクロコンピュータ228の
複数ある入出力端子227を上記請求項3の電源遮断制
御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入
出力制御ブロック92にそれぞれ接続し、上記電源遮断
制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き
入出力制御ブロック222は、上記の任意に電源分離さ
れた入出力端子プロック毎に分離され、上記電源遮断制
御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入
出力制御ブロック222の電源遮断制御信号を上記多電
源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ228における
内部回路の制御信号S33に接続し、同様に上記電源遮
断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付
き入出力制御ブロック222の電源立ち上げ制御信号を
上記多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ228
におけるリセット端子226の出力信号S32に接続し
たことを特徴とする多電源ワンチップマイクロコンピュ
ータの構成を有している。
【0021】以上のように構成された第6の実施の形態
のワンチップマイクロコンピュータ228について、そ
の動作について説明する。上記多電源ワンチップマイク
ロコンピュータ228において、上記の任意の入出力端
子プロック220、224、225毎に共通に電源立ち
上げ制御信号S32がリセット端子226と接続され、
かつ上記任意の入出力端子プロック220、224、2
25毎に共通にまたは分離されて電源遮断制御信号S3
3が内部回路ブロック221に接続されているため、同
様に任意の多電源ワンチップマイクロコンピュータにお
いても上記第1の電源VDDHの電源を遮断しても貫通
電流を防止でき、かつ上記第1の電源VDDHと上記内
部回路ブロック221専用の低電位の第2の電源VDD
Lが共に電源OFFの状態から、上記第1の電源VDD
Hが先に立ち上がり、遅れて上記第2の電源VDDLが
立ち上がった場合でも、入出力端子227は常にHiz
で、不要な電位の出力を防止することが可能となる。
【0022】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の多電源ワ
ンチップマイクロコンピュータは、I/O部に電源遮断
制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き
入出力制御ブロックを有し、上記制御ブロックの電源遮
断制御線及び電源立ち上げ制御線を上記ワンチップマイ
クロコンピュータ上のプログラムで制御及びリセット端
子を接続する手段を有することにより、不要なI/O電
源を遮断した場合、不要な貫通電流が発生せずセットの
低消費電力に対応でき、また内部回路の電源と分離した
複数のI/O電源を搭載するワンチップマイクロコンピ
ュータにおいて、電源立ち上げ時の不要な貫通電流及び
出力端子への不安定な出力を防止する高い動作信頼性を
持った多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータを提
供することが出来るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態の電源遮断制御内蔵
レベルシフタ機能付き入力制御回路ブロックを示すブロ
ック図
【図2】本発明の第2の実施の形態の電源立ち上げ制御
内蔵レベルシフター機能付き出力制御ブロックを示すブ
ロック図
【図3】本発明の第3の実施の形態の電源遮断制御及び
電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力制
御ブロックを示すブロック図
【図4】本発明の第4の実施の形態のワンチップマイク
ロコンピュータを示すブロック図
【図5】本発明の第5の実施の形態のワンチップマイク
ロコンピュータを示すブロック図
【図6】本発明の第6の実施の形態の多電源内蔵ワンチ
ップマイクロコンピュータを示すブロック図
【図7】本発明の第1の実施の形態の従来のブロック図
【図8】本発明の第2の実施の形態の従来のブロック図
【符号の説明】
VDDH 入力制御回路ブロック専用の高電位の第1の
電源 VDDL 入力制御回路ブロックを除く内部回路ブロッ
ク専用の低電位の第2の電源 1 VDDH系入力制御回路ブロック 2 VDDH系シュミット入力回路 10 電源遮断制御内蔵レベルシフター部 11 VDDL系NOR型回路 20 電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力
制御回路ブロック 21 VDDH系入力端子 S1 VDDH系シュミット入力回路2の出力信号 22 VDDL系電源遮断制御信号 23 VDDL系NOR型回路11の出力 40 VDDH系出力制御ブロック 41 VDDH系Pch出力バッファ 42 VDDH系Nch出力バッファー 43 VDDH系NAND型回路 44 VDDH系NOR型回路 45 VDDH系インバータ回路 50 VDDL系出力信号83に接続された第1の
電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター部 51 第1のVDDH系インバータ回路 52 第1のVDDH系Pchトランジスタ 53 第4のVDDH系Nchトランジスタ 54 第3のVDDH系Nchトランジスタ 55 第5のVDDH系Nchトランジスタ 56 第2のVDDH系Nchトランジスタ 57 第2のVDDL系インバータ回路 58 第3のVDDL系インバータ回路 59 第1のVDDH系Nchトランジスタ 60 VDDL系出力制御信号84に接続された第
2の電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター部 70 電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター部 80 電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付
き出力制御ブロック 81 VDDH系出力端子 82 電源立ち上げ制御信号 83 VDDL系出力信号 84 VDDL系出力制御信号 S2 VDDH系インバータ回路51の出力信号 S3 VDDL系インバータ回路57の出力信号 S4 VDDL系インバータ回路58の出力信号 S5 VDDH系Nchトランジスタ54のドレイ
ン出力信号 S6 VDDH系Nchトランジスタ56のドレイ
ン出力信号 S7 VDDH系Pchトランジスタ52のドレイ
ン出力信号 S8 VDDH系NAND型回路43の出力信号 S9 電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター部60
の出力信号 S10 VDDH系インバータ回路45の出力信号 S11 VDDH系NOR型回路44の出力信号 90 電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力
制御ブロック20と同一の入力制御ブロック 91 電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付
き出力制御ブロック80と同一の出力制御ブロック 92 電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベ
ルシフター機能付き入出力制御ブロック 93 VDDH系入出力端子 94 VDDL系電源遮断制御信号 95 VDDH系入出力端子93のVDDL系入力
信号 96 電源立ち上げ制御信号 97 VDDL系出力信号 98 VDDL系出力制御信号 200 入力及び入出力制御ブロック 201 VDDL系内部回路ブロック 202 電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力
制御ブロック 203 電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベ
ルシフター機能付き入出力制御ブロック 204 VDDH系入力端子 205 VDDH系入出力端子 206 ワンチップマイクロコンピュータ S20 VDDL系電源遮断制御信号 S21 VDDH系入力端子204のVDDL系入力
信号 S22 電源立ち上げ制御信号 S23 VDDL系出力信号 S24 VDDL系出力制御信号 S25 VDDL電源ライン 210 出力及び入出力制御ブロック 211 VDDL系内部回路ブロック 212 電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付
き出力制御ブロック 213 電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベ
ルシフター機能付き入出力制御ブロック 214 リセット回路ブロック 215 VDDH系リセット端子 216 VDDH系出力端子 217 VDDH系入出力端子 218 ワンチップマイクロコンピュータ S26 VDDH系リセット信号 S27 VDDL系電源遮断制御信号 S28 VDDH系入出力端子217のVDDL系入
力信号 S29 VDDH系入出力端子217のVDDL系出
力信号 S30 VDDH系入出力端子217のVDDL系出
力制御信号 S31 VDDL電源ライン 220 VDDH1系入出力ブロック 221 VDDL系内部回路ブロック 222 電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベ
ルシフター機能付き入出力制御ブロック 223 リセット回路ブロック 224 VDDH2系入出力ブロック 225 VDDH3系入出力ブロック 226 VDDH系リセット端子 227 VDDH系入出力端子 S32 VDDH系リセット信号 S33 VDDL系電源遮断制御信号 S34 VDDH系入出力端子227のVDDL系入
力信号 S35 VDDL系出力信号 S36 VDDL系出力制御信号 S37 VDDL電源ライン

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力端子を含む入力制御回路ブロック専
    用の高電位の第1の電源と上記入力制御回路ブロックを
    除く内部回路ブロック専用の低電位の第2の電源を備え
    た2電源入力制御回路ブロックにおいて、上記2電源入
    力制御回路ブロックは、上記入力端子からの信号を所定
    の入力レベル及びシュミット幅に決定する上記第1の電
    源に接続された入力制御ブロックと上記入力制御ブロッ
    クからの出力信号を上記内部回路ブロック専用の第2の
    電源に電圧変換する上記第2の電源に接続されたレベル
    シフター部より構成され、上記レベルシフター部は電源
    遮断制御信号を有し、上記電源遮断制御信号と上記第1
    の電源に接続された入力制御ブロックの出力を2入力と
    するNOR型回路で構成され、上記NOR型回路の出力を上記
    2電源入力制御回路ブロックの出力に接続されたことを
    特徴とする電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力
    制御回路ブロック
  2. 【請求項2】 出力端子を含む出力制御回路ブロック専
    用の高電位の第1の電源と上記出力制御回路ブロックを
    除く内部回路専用の低電位の第2の電源を備えた2電源
    出力制御回路ブロックにおいて、上記2電源出力制御回
    路ブロックは、上記出力端子の出力信号及び出力制御信
    号を制御する上記第1の電源に接続された出力制御回路
    ブロックと上記内部回路ブロックからの出力及び出力制
    御信号を上記出力制御回路専用の第1の電源に電圧変換
    する上記第1と第2の電源に接続されたレベルシフター
    部より構成され、上記レベルシフター部は電源立ち上げ
    制御信号を有する第1と第2のレベルシフターを有し、
    上記第1のレベルシフターは上記電源立ち上げ制御信号
    を入力にする高電位のソース側が第1の電源に接続され
    た第1のインバータの出力において、ソース側が第1の
    電源に接続された第1のPchトランジスタのゲートに
    接続され、上記第1のPchトランジスタのドレインが
    上記第1のインバータの出力をゲートとする第1のNc
    hトランジスタのドレインに接続され、上記第1のNc
    hトランジスタのソースはGNDに接続され、上記内部回
    路ブロックからの出力信号を入力とする第2のインバー
    タと上記第2のインバータの出力を入力とする第3のイ
    ンバータにおいて、上記第2及び第3のインバータの高
    電位のソース側は第2の電源に接続され、上記第2のイ
    ンバータの出力をゲートに接続した第2のNchトラン
    ジスタのソースはGNDに接続され、上記第3のインバー
    タの出力をゲートに接続した第3のNchトランジスタ
    のソースはGNDに接続され、上記第2のNchトランジス
    タのドレインは、ソースとドレインをそれぞれ上記第1
    のPchトランジスタのドレイン及び第3のNchトラン
    ジスタのドレインに接続された第4のNchトランジス
    タのゲートに接続され、上記第3のNchトランジスタ
    のドレインは、ソースとドレインをそれぞれ上記第1の
    Pchトランジスタのドレイン及び第2のNchトランジ
    スタのドレインに接続された第5のNchトランジスタ
    のゲートに接続され、上記第5のNchトランジスタの
    ドレインを出力とする第1の電源立ち上げ制御内蔵レベ
    ルシフター部を構成し、他方の第2のレベルシフターは
    上記第1の電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター部にお
    ける上記内部回路ブロックからの出力信号を出力制御信
    号に置き換えた同一回路構成を有し、上記第1のレベル
    シフター部の出力を上記第1の電源に接続された出力制
    御回路ブロックの出力信号とし、上記第2のレベルシフ
    ター部の出力信号を上記第1の電源に接続された出力制
    御回路ブロックの出力制御信号と接続されたことを特徴
    とする電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き出
    力制御ブロック
  3. 【請求項3】 入出力端子を含む入出力制御回路ブロッ
    ク専用の高電位の第1の電源と上記入出力制御回路ブロ
    ックを除く内部回路ブロック専用の低電位の第2の電源
    を備えた2電源入出力制御回路ブロックにおいて、上記
    2電源入出力制御回路ブロックは、請求項1で記載した
    電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力制御回路ブ
    ロックにおける入力端子と請求項2で記載した電源立ち
    上げ制御内蔵レベルシフター機能付き出力制御ブロック
    における出力端子を入出力端子として接続したことを特
    徴とする電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベル
    シフター機能付き入出力制御ブロック
  4. 【請求項4】 入力端子を含む入力制御回路ブロック及
    び入出力端子を含む入出力制御回路ブロック専用の高電
    位の第1の電源と上記入力及び入出力制御回路ブロック
    を除く内部回路ブロック専用の低電位の第2の電源を備
    えた2電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータにおい
    て、上記ワンチップマイクロコンピュータの複数ある入
    力端子を上記請求項1の電源遮断制御内蔵レベルシフタ
    機能付き入力制御回路ブロックに接続し、上記ワンチッ
    プマイクロコンピュータの複数ある入出力端子を上記請
    求項3の電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベル
    シフター機能付き入出力制御ブロックにそれぞれ接続
    し、上記電源遮断制御内蔵レベルシフタ機能付き入力制
    御回路ブロックの電源遮断制御信号を上記2電源内蔵ワ
    ンチップマイクロコンピュータにおける内部回路の制御
    信号に接続し、同様に上記電源遮断制御及び電源立ち上
    げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力制御ブロック
    の電源遮断制御信号を上記2電源内蔵ワンチップマイク
    ロコンピュータにおける内部回路の制御信号に接続した
    ことを特徴とするワンチップマイクロコンピュータ
  5. 【請求項5】 出力端子を含む出力制御回路ブロック及
    び入出力端子を含む入出力制御回路ブロック専用の高電
    位の第1の電源と上記出力及び入出力制御回路ブロック
    を除く内部回路ブロック専用の低電位の第2の電源を備
    えた2電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータにおい
    て、上記ワンチップマイクロコンピュータの複数ある出
    力端子を上記請求項2の電源立ち上げ制御内蔵レベルシ
    フター機能付き出力制御ブロックに接続し、上記ワンチ
    ップマイクロコンピュータの複数ある入出力端子を上記
    請求項3の電源遮断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベ
    ルシフター機能付き入出力制御ブロックにそれぞれ接続
    し、上記電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き
    出力制御ブロックの電源立ち上げ制御信号を上記2電源
    内蔵ワンチップマイクロコンピュータにおけるリセット
    端子の出力信号に接続し、同様に上記電源遮断制御及び
    電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力制
    御ブロックの電源立ち上げ制御信号を上記2電源内蔵ワ
    ンチップマイクロコンピュータにおけるリセット端子の
    出力信号に接続したことを特徴とするワンチップマイク
    ロコンピュータ。
  6. 【請求項6】 任意の入出力端子プロック毎に分離され
    た入出力制御回路ブロック専用の高電位の複数電源及び
    上記入出力制御回路ブロックを除く内部回路ブロック専
    用の低電位の電源を備えた多電源内蔵ワンチップマイク
    ロコンピュータにおいて、上記ワンチップマイクロコン
    ピュータの複数ある入出力端子を上記請求項3の電源遮
    断制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付
    き入出力制御ブロックにそれぞれ接続し、上記電源遮断
    制御及び電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き
    入出力制御ブロックは、上記の任意に電源分離された入
    出力端子プロック毎に分離され、上記電源遮断制御及び
    電源立ち上げ制御内蔵レベルシフター機能付き入出力制
    御ブロックの電源遮断制御信号を上記多電源内蔵ワンチ
    ップマイクロコンピュータにおける内部回路の制御信号
    に接続し、同様に上記電源遮断制御及び電源立ち上げ制
    御内蔵レベルシフター機能付き入出力制御ブロックの電
    源立ち上げ制御信号を上記多電源内蔵ワンチップマイク
    ロコンピュータにおけるリセット端子の出力信号に接続
    したことを特徴とする多電源ワンチップマイクロコンピ
    ュータ
JP2002092151A 2002-03-28 2002-03-28 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ Pending JP2003288331A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002092151A JP2003288331A (ja) 2002-03-28 2002-03-28 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002092151A JP2003288331A (ja) 2002-03-28 2002-03-28 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003288331A true JP2003288331A (ja) 2003-10-10

Family

ID=29237064

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002092151A Pending JP2003288331A (ja) 2002-03-28 2002-03-28 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003288331A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1504988A2 (en) 2003-08-07 2005-02-09 Shimano Inc. Bicycle sprocket
US7598791B2 (en) 2005-11-30 2009-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated apparatus using two or more types of power supplies

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1504988A2 (en) 2003-08-07 2005-02-09 Shimano Inc. Bicycle sprocket
US7598791B2 (en) 2005-11-30 2009-10-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor integrated apparatus using two or more types of power supplies

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3657235B2 (ja) レベルシフタ回路及び該レベルシフタ回路を備えた半導体装置
US9979282B2 (en) Charge pump for low power consumption apparatus and associated methods
JP5026438B2 (ja) 電力制御回路
JP4852598B2 (ja) 集積回路、電子デバイス及び集積回路制御方法
JP7228389B2 (ja) 半導体装置および半導体システム
JP5211889B2 (ja) 半導体集積回路
JPH07312546A (ja) 入力バッファおよび入力バッファの動作方法
JP5398257B2 (ja) 半導体装置及びそのスイッチトランジスタの制御方法
US6577153B2 (en) Semiconductor integrated circuit
US20060076987A1 (en) Multi-threshold CMOS system having short-circuit current prevention circuit
JP2004191333A (ja) 2値電源電圧検出回路
US20050035782A1 (en) Programmable logic device with reduced power consumption
US7847441B2 (en) Semiconductor integrated circuit
JP2009027632A (ja) レベルシフト回路
JP3719671B2 (ja) レベルシフタ回路
JP3910124B2 (ja) レベルシフト回路
JP2003288331A (ja) 多電源内蔵ワンチップマイクロコンピュータ
TW201712997A (zh) 電源啟動重置電路、電源啟動重置方法及其電子裝置
JPH0919085A (ja) 電源切換回路
JP2005045873A (ja) 電源装置
KR20080014531A (ko) 전원 전압 제어 및 파워 게이팅(powergating)을 이용한 누설 전류 감소 방법 및 그방법을 이용한 반도체 장치.
JP4730356B2 (ja) 電源制御装置
JP4347661B2 (ja) スイッチングレギュレータ
GB2411059A (en) A CMOS level converter with a gated output to reduce power consumption in following circuits and in the converter itself
JP2001118993A (ja) 電源電圧検知回路