JP2003287888A - 壁状構造体及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高アスペクト比で、安価で製造可能なパター
ン構造体等の提供。 【解決手段】 配向軸を有する配向分子が配向軸方向に
配向されてなり、該配向分子が、重合性官能基を有する
化合物を重合させて得られることを特徴とする壁状構造
体である。配向分子の配向軸に対する配向パラメーター
が、０．５以上である態様、水平面上に配置され、該水
平面と交差し、且つ、互いに対向する壁面を有してな
り、該水平面と垂直方向であって、且つ、前記対向する
壁面と交差する平面で切断してなる断面における、前記
対向する壁面のうち少なくとも一方の長さをＡとした
時、該水平面から１／２Ａの長さの位置における該壁面
上の接線と前記水平面とのなす角度が、８５〜９５度で
ある態様等が好ましい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、厚膜レジストパタ
ーン、ＰＤＰ用リブ形成の型、マイクロマシーン用構造
体などに好適に用いられる高アスペクト比の壁状構造体
に関し、及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、高アスペクト比を持つ構造体を形
成する方法として、感光性材料を用いたフォトリソグラ
フィー等が挙げられる（例えば、特許文献１及び２参
照）。しかし、フォトリソグラフィーでは、一般的に、
露光光線が平行光であっても、感光性材料中での光の強
度がＬａｍｂｅｒｔ−Ｂｅｅｒの法則に従って減衰する
ため、深さ方向での露光量が一定にはならない。このた
め、露光部の厚み方向で光化学的な反応量に分布が発生
した結果、現像工程後の露光部と非露光部の境界が露光
光線に対して平行にならないという問題があった。又、
露光に平行光線を用いた場合でも、フォトマスクを通過
した時点で回折による光の広がりが発生し、感光性材料
中で完全に平行光線のみを照射することは困難であり、
一般には拡散光に応じたパターンが形成される傾向があ
るため問題があった。

【０００３】従って、高アスペクト比のパターン形成
は、一般的なフォトリソグラフィーでは困難であり、高
価な設備を要するイオンビーム加工やＸ線リソグラフィ
ー等が必要とされ、コスト的に非常に高いという問題が
あった。

【０００４】

【特許文献１】特開平５−２１７８７５号公報

【特許文献２】特開２００２−０３０１１８号公報

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記従来に
おける諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課
題とする。即ち、本発明は、高アスペクト比で、安価で
製造可能な壁状構造体及びその効率的な製造方法を提供
することを課題とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の手段としては、以下の通りである。即ち、 ＜１＞ 配向軸を有する配向分子が配向軸方向に配向さ
れてなり、該配向分子が、重合性官能基を有する化合物
を重合させて得られることを特徴とする壁状構造体であ
る。 ＜２＞ 配向分子の配向軸に対する配向パラメーター
が、０．５以上である＜１＞に記載の壁状構造体であ
る。 ＜３＞ 配向軸を有する配向分子からなり、該配向分子
の配向軸に対する配向パラメーターが、０．５以上であ
ることを特徴とする壁状構造体である。

【０００７】＜４＞ 水平面上に配置され、該水平面と
交差し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水
平面と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交
差する平面で切断してなる断面における、前記対向する
壁面のうち少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平
面から１／２Ａの長さ位置における該壁面上の接線と該
水平面とのなす角度が、８５〜９５度である＜１＞又は
＜３＞に記載の壁状構造体である。 ＜５＞ 水平面上に配置され、該水平面と交差し、且
つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面と垂直
方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差する平面
で切断してなる断面における、前記対向する壁面のうち
少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平面から１／
２Ａの長さ位置における該壁面上の接線と該水平面との
なす角度が、８５〜９５度である壁状構造体である。 ＜６＞ 水平面上に配置され、該水平面と交差し、且
つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面と垂直
方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差する平面
で切断してなる断面における、前記対向する壁面のうち
少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平面から１／
３Ａの長さ位置における該壁面上の接線と該水平面との
なす角度、及び、前記水平面から２／３Ａの長さの位置
における前記壁面上の接線と前記水平面のなす角度が、
８５〜９５度である＜１＞、＜３＞及び＜５＞のいずれ
かに記載の壁状構造体である。 ＜７＞ 水平面上に配置され、該水平面と交差し、且
つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面と垂直
方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差する平面
で切断してなる断面における、垂直方向の長さが、１μ
ｍ以上である＜１＞、＜３＞、及び＜５＞のいずれかに
記載の壁状構造体である。

【０００８】＜８＞ 水平面上に配置され、該水平面と
交差し、且つ、互いに対向する壁面を有してなる壁状構
造体において、該水平面と垂直方向であって、且つ、前
記対向する壁面と交差する平面で切断してなる断面にお
ける、垂直方向の長さをＢ、水平方向の長さ（前記壁状
構造体が水平面に接している部分の長さ）をＣ、とした
ときのアスペクト比（Ｂ／Ｃ）が、１以上である＜１
＞、＜３＞、及び＜５＞のいずれかに記載の壁状構造体
である。 ＜９＞ 重合性官能基を有する化合物の重合が、重合開
始剤を用いて行われる＜１＞に記載の壁状構造体であ
る。 ＜１０＞ 重合性官能基を有する化合物が、液晶性化合
物である＜１＞に記載の壁状構造体である。

【０００９】＜１１＞ 重合性官能基を有する化合物に
おいて、１分子当たりの重合性官能基数が、２以上であ
る＜１＞に記載の壁状構造体である。 ＜１２＞ 配向軸を有する配向分子が配向軸方向に配向
されてなり、該配向分子が、重合性官能基を有する化合
物を重合させて得られる壁状構造体の製造方法であっ
て、重合性官能基を有する化合物を重合させて配向軸を
有する配向分子を形成し、該配向分子を略配向軸方向に
配向させる配向工程を少なくとも含むことを特徴とする
壁状構造体の製造方法である。 ＜１３＞ 配向軸を有する配向分子からなり、該配向分
子の配向軸に対する配向パラメーターが、０．５以上で
ある壁状構造体の製造方法であって、重合性官能基を有
する化合物を重合させて配向軸を有する配向分子を形成
し、該配向分子を略配向軸方向に配向させる配向工程を
少なくとも含むことを特徴とする壁状構造体の製造方法
である。

【００１０】＜１４＞ 水平面上に配置され、該水平面
と交差し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該
水平面と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と
交差する平面で切断してなる断面における、前記対向す
る壁面のうち少なくとも一方の長さをＡとした時、該水
平面から１／２Ａの長さの位置における該壁面上の接線
と前記水平面とのなす角度が、８５〜９５度である、壁
状構造体の製造方法であって、重合性官能基を有する化
合物を重合させて配向軸を有する配向分子を形成し、該
配向分子を略配向軸方向に配向させる配向工程を少なく
とも含むことを特徴とする壁状構造体の製造方法であ
る。 ＜１５＞ 配向工程における重合が、重合開始剤により
行われる＜１２＞から＜１４＞のいずれかに記載の壁状
構造体の製造方法である。 ＜１６＞ 配向工程における配向が、配向膜により行な
われる＜１２＞から＜１４＞のいずれかに記載の壁状構
造体の製造方法である。

【００１１】＜１７＞ 配向工程における配向が、外部
刺激により行なわれる＜１２＞から＜１４＞のいずれか
に記載の壁状構造体の製造方法である。 ＜１８＞ 外部刺激が、磁場、光、及び、電場の少なく
ともいずれかの印加である＜１７＞に記載の壁状構造体
の製造方法である。 ＜１９＞ 配向工程後、エネルギーを印加する、エネル
ギー印加工程を含む＜１２＞から＜１４＞のいずれかに
記載の壁状構造体の製造方法である。 ＜２０＞ エネルギー印加工程後、エネルギーを印加し
たエネルギー印加部、及び、エネルギーを印加していな
いエネルギー非印加部のいずれかを、溶解除去する、＜
１９＞に記載の壁状構造体の製造方法である。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 ［壁状構造体］本発明の第一の壁状構造体は、配向軸を
有する配向分子が配向軸方向に配向されてなり、該配向
分子が、重合性官能基を有する化合物を重合させて得ら
れる。本発明の第二の壁状構造体は、配向軸を有する配
向分子からなり、該配向分子の配向軸に対する配向パラ
メーターが０．５以上である。本発明の第三の壁状構造
体は、水平面上に配置され、該水平面と交差し、且つ、
互いに対向する壁面を有してなり、該水平面と垂直方向
であって、且つ、前記対向する壁面と交差する平面で切
断してなる断面における、前記対向する壁面のうち少な
くとも一方の長さをＡとした時、該水平面から１／２Ａ
の長さ位置における該壁面上の接線と前記水平面とのな
す角度が、８５〜９５度である。

【００１３】−重合性官能基を有する化合物− 前記重合性官能基を有する化合物としては、重合性官能
基を有し、かつ、重合して、配向軸を有する配向分子を
形成可能であれば特に制限はなく、例えば、液晶性化合
物のほか、アゾベンゼン類等の化合物が挙げられる。こ
れらの中でも、特に好適に配向・重合等が可能であり、
高アスペクト比の壁状構造体を形成可能である点で、液
晶性化合物等が好ましい。

【００１４】前記液晶性化合物としては、棒状液晶性化
合物、ディスコティック液晶性化合物等が挙げられる
が、高アスペクト比の壁状構造体を好適に形成可能であ
る点で、棒状液晶性化合物が好ましい。該棒状液晶性化
合物としては、ネマチック配向の液晶性化合物、コレス
テリック配向の液晶性化合物、及び、スメクチック配向
の液晶性化合物がいずれも好適に挙げられるが、配向処
理の簡便性の点で、ネマチック配向の液晶性化合物等が
特に好ましい。

【００１５】前記棒状液晶性化合物としては、公知の液
晶性分子等からなる液晶性化合物が総て好適に挙げら
れ、例えば、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェ
ニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル
類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シ
アノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピ
リジン類、フェニルジオキサン類、トラン類、アルケニ
ルシクロヘキシルベンゾニトリル類、などが好適に挙げ
られる。該液晶性分子の例示化合物を、下記構造式
（ａ）〜（ｗ）に示す。

【００１６】

【化１】

【００１７】

【化２】

【００１８】

【化３】

【００１９】前記液晶性分子の例示化合物における構造
式（ｓ）及び（ｔ）において、ｎは１〜１０００の整数
を表す。前記各例示化合物においては、その側鎖連結基
が、以下の構造であるものも同様に好適になものとして
挙げることができる。

【００２０】

【化４】

【００２１】前記液晶性化合物においては、更に重合性
官能基を導入して用いてもよい。該重合性官能基として
は、例えば、以下に示す重合性官能基（（Ｐ１）〜（Ｐ
１８））等が挙げられる。

【００２２】

【化５】

【００２３】

【化６】

【００２４】

【化７】

【００２５】

【化８】

【００２６】

【化９】

【００２７】

【化１０】

【００２８】前記重合性官能基としては、不飽和重合性
基（前記具体例において、（Ｐ１）、（Ｐ２）、（Ｐ
３）、（Ｐ７）、（Ｐ８）、（Ｐ１５）、（Ｐ１６）、
及び、（Ｐ１７）、及び、エポキシ基（前記具体例にお
いて、（Ｐ６）、及び、（Ｐ１８））が好ましく、不飽
和重合性基がより好ましく、エチレン性不飽和重合性基
（前記具体例において、（Ｐ１）、（Ｐ７）、（Ｐ
８）、（Ｐ１５）、（Ｐ１６）、及び、（Ｐ１７））が
最も好ましい。

【００２９】前記重合性官能基を有する化合物におい
て、１分子当たりの重合性官能基数としては、２以上で
あるのが好ましく、２〜４であるのがより好ましい。前
記重合性官能基数が、２未満であると、重合が充分でな
く、高アスペクト比の壁状構造体が得られないことがあ
る。また４を超えると、耐光性に劣ることがある。

【００３０】前記重合性官能基を有する化合物の前記壁
状構造体における含有量としては、２０〜９９．９質量
％が好ましく、８０〜９９．９質量％がより好ましい。
前記含有量が、２０質量％未満であると、高アスペクト
比の壁状構造体が得られないことがある一方、９９．９
質量％を超えると、重合感度が下がることがある。

【００３１】−重合開始剤− 本発明の壁状構造体は、前記重合性官能基を有する化合
物を円滑に重合するために、重合開始剤を含有してもよ
い。前記重合開始剤としては、前記重合性官能基を有す
る化合物を重合可能であれば特に制限はないが、特に光
重合開始剤が好ましい。該光重合開始剤としては、特に
制限はなく、公知のものの中から適宜選択することがで
き、例えば、ｐ−メトキシフェニル−２，４−ビス（ト
リクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（ｐ−ブトキ
シスチリル）−５−トリクロロメチル１，３，４−オキ
サジアゾール、９−フェニルアクリジン、９，１０−ジ
メチルベンズフェナジン、ベンゾフェノン／ミヒラーズ
ケトン、ヘキサアリールビイミダゾール／メルカプトベ
ンズイミダゾール、ベンジルジメチルケタール、チオキ
サントン／アミン等が挙げられる。これらは、１種単独
で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

【００３２】前記重合開始剤の前記壁状構造体における
含有量としては、０．１〜１０質量％が好ましく、０．
５〜５質量％がより好ましい。前記含有量が、０．１質
量％未満であると、重合が不充分となり、高アスペクト
比のパターン構造体が得られないことがある一方、１０
質量％を超えると、重合性化合物の均一な配向状態が得
られないことがある。

【００３３】−その他の成分− 前記壁状構造体を形成する配向分子に含まれる、前記重
合性官能基を有する化合物、及び、前記重合開始剤以外
の成分としては、例えば、空気界面配向剤等が挙げられ
る。該空気界面配向剤としては、例えば、下記具体例
（Ｑ１）〜（Ｑ１４）で表される化合物等が挙げられ
る。これらは、１種単独で使用してもよく、２種以上を
併用してもよい。これらの空気界面配向剤の中でも、特
に高アスペクト比の壁状壁面体が得られる点で、（Ｑ
１）、（Ｑ６）、（Ｑ７）、（Ｑ１０）〜（Ｑ１３）が
好ましく、（Ｑ６）、及び（Ｑ１０）〜（Ｑ１３）が特
に好ましい。

【００３４】

【化１１】

【００３５】

【化１２】

【００３６】

【化１３】

【００３７】

【化１４】

【００３８】

【化１５】

【００３９】

【化１６】

【００４０】＜壁状構造体の物性、形状等＞前記壁状構
造体においては、配向分子の配向軸に対する配向パラメ
ーターが、０．５以上であり、０．６以上であるのが好
ましく、０．７以上であるのがより好ましく、０．８以
上であるのが特に好ましく、１に近い程好ましい。前記
配向分子の配向パラメーターが、０．５以上であると、
高アスペクト比の壁状構造体となる。

【００４１】尚、前記「配向パラメーター」は、個々の
配向分子の配向パラメーターを指し、壁状構造体におい
て、配向軸に対する各々の配向分子における主鎖の傾き
をθ度としたとき、下記式（１）で求められる値（Ｐ）
である。 式（１）：Ｐ＝（３ｃｏｓ^２θ−１）／２

【００４２】前記「配向パラメーター」は、実際には、
ＩＲ（赤外吸収）測定やＮＭＲ（核磁気共鳴スペクト
ル）測定等により、重合性官能基を有する化合物におけ
る固有複屈折値を求めて算出することができる。

【００４３】前記壁状構造体の概略断面図を図１に示
す。図１において、壁状構造体１０は、壁面１を有し、
水平面２上に立設されている。壁状構造体１０の水平面
２と垂直方向の断面において、壁面１の高さ方向の長さ
をＡとしたとき、１／２Ａの位置における接線と水平面
２とのなす角度αとしては、８５〜９５度であり、９０
〜９５度であるのが好ましい。更に、１／３Ａの位置に
おける接線と水平面２とのなす角度、及び、２／３Ａの
位置における接線と水平面２とのなす角度としては、８
５〜９５度であり、９０〜９５度であるのが好ましい。

【００４４】前記壁状構造体を、水平面上に立設させた
場合における該水平面と垂直方向の断面における高さ方
向の長さＢとしては、１μｍ以上であり、２μｍ以上で
あるのが好ましい。前記長さＢが、１μｍ以上であれ
ば、高アスペクト比の壁状構造体が容易に得られる。

【００４５】前記壁状構造体のアスペクト比としては、
１以上であり、３以上であるのが好ましい。尚、前記
「アスペクト比」は、水平面上に配置され、該水平面と
交差し、且つ、互いに対向する壁面を有してなる本発明
の壁状構造体において、該水平面と垂直方向であって、
且つ、前記対向する壁面と交差する平面で切断してなる
断面における、垂直方向の長さＢ、水平面方向の長さ
（前記壁状構造体が水平面に接している部分の長さ）を
Ｃ、としたとき、Ｂ／Ｃで表される比を指す。図１にお
いて、壁状構造体１０のアスペクト比は、水平面２上に
配置させた場合における水平面２と垂直方向の断面にお
ける高さ方向の長さをＢとし、該断面における厚み（壁
状構造体が水平面と接している部分の長さ）をＣとした
とき、Ｂ／Ｃで表される比である。

【００４６】［壁状構造体の製造方法］本発明の壁状構
造体の製造方法は、重合性官能基を有する化合物を重合
させて配向軸を有する配向分子を形成し、該配向分子を
略配向軸方向に配向させる配向工程を含む。詳細には、
本発明の壁状構造体の製造方法では、重合性官能基を有
する化合物等を基材上に塗布し、前記配向工程及びエネ
ルギーを印加するエネルギー印加工程を経て、エネルギ
ーを印加したエネルギー印加部、及び、エネルギーを印
加してないエネルギー非印加部のいずれかを溶解除去処
理を行うのが好ましい。

【００４７】前記重合性官能基を有する化合物は、前記
本発明の壁状構造体で述べたのと同様のものが総て好適
に用いられる。

【００４８】−基材− 前記基材の材質としては、特に制限はなく、壁状構造体
を形成する際に用いられる公知の基材が総て好適に挙げ
られる。例えば、ガラス基板、セラミック基板、及びプ
ラスチック基板等が挙げられる。該基材の厚みとして
は、１０μｍ〜１０ｍｍ程度が好ましい。

【００４９】−塗布− 前記塗布の方法としては、特に制限はなく、例えば、ス
ピンコート法、バーコート法等の公知の方法が総て好適
に挙げられる。

【００５０】−配向− 前記配向工程においては、重合性官能基を有する化合物
を重合させて配向軸を有する配向分子を形成し、該配向
分子を略配向軸方向に配向させる。該配向としては、配
向膜により行なわれるもののほか、外部刺激により行な
われるもの等が好適に挙げられる。

【００５１】前記配向膜の材質としては、例えば、ポリ
ビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド、ポリアミ
ド、ナイロン、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリエチ
レンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチルテレフタレ
ート（ＰＢＴ）、ポリエステル、ポリシクロヘキシルメ
タクリレート、ポリビニルシンナメート、ポリブレン、
及び、ポリアセタール等が挙げられる。これらは、１種
単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。前
記配向膜の厚みとしては、０．０１〜５μｍが好まし
く、０．０１〜１μｍがより好ましい。該配向膜は、表
面をラビング処理等の公知の方法によって配向処理を施
したものであってもよい。

【００５２】前記外部刺激としては、重合性官能基を有
する化合物が配向可能であれば特に制限はなく、例え
ば、磁場の印加、光の印加、電場の印加等のほか、圧力
の印加、加熱、等が挙げられる。これらの中でも、磁場
の印加、光の印加、及び、電場の印加等が好ましい。

【００５３】前記外部刺激が、前記磁場の印加である場
合、該磁場の強さとしては、１〜３０ｋＧが好ましく、
３〜１０ｋＧがより好ましい。前記磁場の強さが、前記
数値範囲内であれば、良好に配向が行なわれ、高アスペ
クト比の壁状構造体を効率的に得ることができる。

【００５４】前記外部刺激が、前記光の印加である場
合、該光の波長としては、１００ｎｍ〜４００ｎｍが好
ましく、２００ｎｍ〜４００ｎｍがより好ましい。また
該光の強さとしては、１０〜１０００（ｍＪ／ｃｍ^２）
が好ましく、１０〜１００（ｍＪ／ｃｍ^２）がより好ま
しい。前記光の強さが、前記数値範囲内であれば、良好
に配向が行なわれ、高アスペクト比の壁状構造体を効率
的に得ることができる。尚、前記光を印加する場合、光
の作用により配向する光配向剤を、前記配向分子中に含
有させて配向させてもよい。

【００５５】前記外部刺激が電場の印加である場合、該
電場の強さとしては、０．１〜１００Ｖが好ましく、１
〜１０Ｖがより好ましい。前記電場の強さが、前記数値
範囲内であれば、良好に配向が行なわれ、高アスペクト
比の壁状構造体を効率的に得ることができる。

【００５６】−エネルギーの印加− 前記本発明の壁状構造体の製造方法においては、前述の
ように配向させた後、エネルギーを印加する。前記エネ
ルギーを印加することにより、配向した重合性官能基を
有する化合物を重合させ、配向を固定するのが好まし
い。該重合の方法としては、特に制限はなく、適宜、前
記重合開始剤等を選択し、熱、光等の印加により重合さ
せることができる。光を印加する場合には、重合開始剤
吸収波長である光を印加するのが特に好ましい。

【００５７】前記本発明のパターン構造体の製造方法に
おいては、前述のようにしてエネルギーを印加した後、
エネルギーを印加したエネルギー印加部、及び、エネル
ギーを印加していないエネルギー非印加部のいずれか
を、溶解除去するのが好ましい。このように溶解除去を
行なうことにより、所望形状の壁状構造体を効率良く得
ることができる。

【００５８】前記溶解除去に用いる溶剤としては、例え
ば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、及びクロロホルム等が挙げられる。これらは、１種
単独で使用してもよく、２種以上を併用してもよい。

【００５９】

【実施例】以下、本発明を、実施例を用いて詳細に説明
するが、本発明は、下記実施例に何ら限定されるもので
はない。

【００６０】（実施例１）前記構造式（ｗ）で表される
ネマチック配向の液晶性化合物３９２質量部と、重合開
始剤（商品名；ＡＳ−８４２、ヨドリ化学（株）製）８
質量部と、前記具体例（Ｑ１３）で表される空気界面配
向剤（ＮＬＯ−１６９５）０．８質量部とを含む配向分
子を、溶剤（シクロヘキサノン）１６００質量部に配合
し、スピンコーターを用いて、配向膜（材質：ポリイミ
ド、厚み；０．１μｍ）が形成されたガラス基板（厚
み：７００μｍ）上に塗布した。これを、ネマチック相
温度（９０℃）条件において、前記重合開始剤吸収波長
（λ＝３３０ｎｍ）の光をフォトマスク上から照射し、
一部の領域のみに露光することにより紫外線重合させ
た。その後、溶剤（メチルエチルケトン）を用いて非露
光部を洗い流し、前記配向膜が形成されたガラス基板上
に、壁状構造体を形成した。

【００６１】＜壁状構造体の形状・物性等の測定＞ ＜＜配向パラメーターの測定・算出＞＞形成された壁状
構造体について、ＩＲ（赤外吸収）測定を行い、配向パ
ラメーターを測定・算出したところ、配向パラメーター
は、０．７であった。

【００６２】＜＜１／２Ａの位置における接線と水平面
（ガラス面）とのなす角度の測定＞＞得られた壁状構造
体を水平面上に該壁状構造体の互いに対向する壁面が該
水平面と交差するように配置し、前記水平面（ガラス
面）と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交
差する平面で切断してなるの断面において、前記対向す
る壁面の少なくとも一方の長さをＡとしたとき、前記水
平面から１／２Ａの位置における前記壁面上の接線と、
水平面（ガラス面）とのなす角度を、断面を切り出し走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による撮影から幾何学的に算
出したところ、８５度であった。

【００６３】＜＜壁状構造体の高さ方向の長さの測定＞
＞得られた壁状構造体を水平面上に該壁状構造体の互い
に対向する壁面が該水平面と交差するように配置し、前
記水平面（ガラス面）と垂直方向であって、且つ、前記
対向する壁面と交差する平面で切断してなる断面におけ
る、垂直方向の長さＢを、同様にして走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）による撮影から幾何学的に算出したところ、
５０μｍであった。

【００６４】＜＜アスペクト比の測定・算出＞＞得られ
た壁状構造体を水平面上に該壁状構造体の互いに対向す
る壁面が該水平面と交差するように配置し、前記水平面
（ガラス面）と垂直方向であって、且つ、前記対向する
壁面と交差する平面で切断してなる断面における、垂直
方向の長さＢと、水平面方向の長さ（前記壁状構造体が
水平面に接している部分の長さ）をＣとを、同様にして
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による撮影から幾何学的に
算出し、アスペクト比（Ｂ／Ｃ）を求めたところ、５で
あった。

【００６５】

【発明の効果】本発明によれば、高アスペクト比で、安
価で製造可能な壁状構造体、及び、その効率的な製造方
法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本発明の壁状構造体の概略断面図であ
る。

【符号の説明】

１ 壁面 ２ 水平面 １０ 壁状構造体

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AA03 AB14 AB16 AB17 AB20 AC01 AD01 BC14 BC42 BC83 BD23 BJ10 CA00 EA03 FA15 5C027 AA09 AA10 5C040 FA10 GF02 GF03 GF18 GF19 JA02 JA15 KA16 LA14 MA22 MA26

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 配向軸を有する配向分子が配向軸方向に
   配向されてなり、該配向分子が、重合性官能基を有する
   化合物を重合させて得られることを特徴とする壁状構造
   体。
2. 【請求項２】 配向分子の配向軸に対する配向パラメー
   ターが、０．５以上である請求項１に記載の壁状構造
   体。
3. 【請求項３】 配向軸を有する配向分子からなり、該配
   向分子の配向軸に対する配向パラメーターが、０．５以
   上であることを特徴とする壁状構造体。
4. 【請求項４】 水平面上に配置され、該水平面と交差
   し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面
   と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差す
   る平面で切断してなる断面における、前記対向する壁面
   のうち少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平面か
   ら１／２Ａの長さ位置における該壁面上の接線と該水平
   面とのなす角度が、８５〜９５度である請求項１又は３
   に記載の壁状構造体。
5. 【請求項５】 水平面上に配置され、該水平面と交差
   し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面
   と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差す
   る平面で切断してなる断面における、前記対向する壁面
   のうち少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平面か
   ら１／２Ａの長さ位置における該壁面上の接線と該水平
   面とのなす角度が、８５〜９５度である壁状構造体。
6. 【請求項６】 水平面上に配置され、該水平面と交差
   し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面
   と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差す
   る平面で切断してなる断面における、前記対向する壁面
   のうち少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平面か
   ら１／３Ａの長さ位置における該壁面上の接線と該水平
   面とのなす角度、及び、前記水平面から２／３Ａの長さ
   の位置における前記壁面上の接線と前記水平面のなす角
   度が、８５〜９５度である、請求項１、３及び５のいず
   れかに記載の壁状構造体。
7. 【請求項７】 水平面上に配置され、該水平面と交差
   し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面
   と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差す
   る平面で切断してなる断面における、垂直方向の長さ
   が、１μｍ以上である請求項１、３、及び５のいずれか
   に記載の壁状構造体。
8. 【請求項８】 水平面上に配置され、該水平面と交差
   し、且つ、互いに対向する壁面を有してなる壁状構造体
   において、該水平面と垂直方向であって、且つ、前記対
   向する壁面と交差する平面で切断してなる断面におけ
   る、垂直方向の長さをＢ、水平方向の長さ（前記壁状構
   造体が水平面に接している部分の長さ）をＣ、としたと
   きのアスペクト比（Ｂ／Ｃ）が、１以上である請求項
   １、３、及び５のいずれかに記載の壁状構造体。
9. 【請求項９】 重合性官能基を有する化合物の重合が、
   重合開始剤を用いて行われる請求項１に記載の壁状構造
   体。
10. 【請求項１０】 重合性官能基を有する化合物が、液晶
    性化合物である請求項１に記載の壁状構造体。
11. 【請求項１１】 重合性官能基を有する化合物におい
    て、１分子当たりの重合性官能基数が、２以上である、
    請求項１に記載の壁状構造体。
12. 【請求項１２】 配向軸を有する配向分子が配向軸方向
    に配向されてなり、該配向分子が、重合性官能基を有す
    る化合物を重合させて得られる壁状構造体の製造方法で
    あって、重合性官能基を有する化合物を重合させて配向
    軸を有する配向分子を形成し、該配向分子を略配向軸方
    向に配向させる配向工程を少なくとも含むことを特徴と
    する壁状構造体の製造方法。
13. 【請求項１３】 配向軸を有する配向分子からなり、該
    配向分子の配向軸に対する配向パラメーターが、０．５
    以上である壁状構造体の製造方法であって、重合性官能
    基を有する化合物を重合させて配向軸を有する配向分子
    を形成し、該配向分子を略配向軸方向に配向させる配向
    工程を少なくとも含むことを特徴とする壁状構造体の製
    造方法。
14. 【請求項１４】 水平面上に配置され、該水平面と交差
    し、且つ、互いに対向する壁面を有してなり、該水平面
    と垂直方向であって、且つ、前記対向する壁面と交差す
    る平面で切断してなる断面における、前記対向する壁面
    のうち少なくとも一方の長さをＡとした時、該水平面か
    ら１／２Ａの長さの位置における該壁面上の接線と前記
    水平面とのなす角度が、８５〜９５度である、壁状構造
    体の製造方法であって、重合性官能基を有する化合物を
    重合させて配向軸を有する配向分子を形成し、該配向分
    子を略配向軸方向に配向させる配向工程を少なくとも含
    むことを特徴とする壁状構造体の製造方法。
15. 【請求項１５】 配向工程における重合が、重合開始剤
    により行われる請求項１２から１４のいずれかに記載の
    壁状構造体の製造方法。
16. 【請求項１６】 配向工程における配向が、配向膜によ
    り行なわれる、請求項１２から１４のいずれかに記載の
    壁状構造体の製造方法。
17. 【請求項１７】 配向工程における配向が、外部刺激に
    より行なわれる、請求項１２から１４のいずれかに記載
    の壁状構造体の製造方法。
18. 【請求項１８】 外部刺激が、磁場、光、及び、電場の
    少なくともいずれかの印加である請求項１７に記載の壁
    状構造体の製造方法。
19. 【請求項１９】 配向工程後、エネルギーを印加する、
    エネルギー印加工程を含む請求項１２から１４のいずれ
    かに記載の壁状構造体の製造方法。
20. 【請求項２０】 エネルギー印加工程後、エネルギーを
    印加したエネルギー印加部、及び、エネルギーを印加し
    ていないエネルギー非印加部のいずれかを溶解除去する
    請求項１９に記載の壁状構造体の製造方法。