JP2003287753A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JP2003287753A JP2003287753A JP2002158216A JP2002158216A JP2003287753A JP 2003287753 A JP2003287753 A JP 2003287753A JP 2002158216 A JP2002158216 A JP 2002158216A JP 2002158216 A JP2002158216 A JP 2002158216A JP 2003287753 A JP2003287753 A JP 2003287753A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置に関し、簡単な構成により中間
調における応答速度を含む全階調における応答速度を改
善するとともに、視野角特性を改善する。 【解決手段】 一対の電極の内の少なくとも一方の電極
はストライプ形状を有するとともに、前記一対の基板
１，２の内の少なくとも一方の基板２（１）上に、前記
ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走査する構
造物５（６）を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少
なくとも一方の基板１面において略垂直配向であり、且
つ、前記ストライプ状電極３の走査方向とは異なる方位
角方向にプレチルト角を有するように構成する。
調における応答速度を含む全階調における応答速度を改
善するとともに、視野角特性を改善する。 【解決手段】 一対の電極の内の少なくとも一方の電極
はストライプ形状を有するとともに、前記一対の基板
１，２の内の少なくとも一方の基板２（１）上に、前記
ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走査する構
造物５（６）を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少
なくとも一方の基板１面において略垂直配向であり、且
つ、前記ストライプ状電極３の走査方向とは異なる方位
角方向にプレチルト角を有するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
るものであり、特に、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉ
ｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表
示装置やＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）型液晶表示装置のように一方の基板側に垂
直配向規制膜を設けた液晶表示装置の高速応答化，視野
角特性の改善のための構成に特徴のある液晶表示装置に
関するものである。
るものであり、特に、ＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ−ｄｏｍａｉ
ｎ Ｖｅｒｔｉｃａｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表
示装置やＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅ
ｍａｔｉｃ）型液晶表示装置のように一方の基板側に垂
直配向規制膜を設けた液晶表示装置の高速応答化，視野
角特性の改善のための構成に特徴のある液晶表示装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は薄型・軽量、低電
圧駆動、低消費電力といった特徴をいかして、様々な用
途に広く用いられるようになってきた。しかし、液晶パ
ネルを斜めから見たときの表示特性、すなわち視野角特
性はＣＲＴに比べて劣るのが現状であるので、視野角特
性の優れた液晶パネルが要請されている。
圧駆動、低消費電力といった特徴をいかして、様々な用
途に広く用いられるようになってきた。しかし、液晶パ
ネルを斜めから見たときの表示特性、すなわち視野角特
性はＣＲＴに比べて劣るのが現状であるので、視野角特
性の優れた液晶パネルが要請されている。
【０００３】この様な要請に応える広視野角を有する液
晶表示装置としては、ＭＶＡ型やＩＰＳ（Ｉｎ−ｐｌａ
ｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）などの方式が実用化されて
おり、この内、ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、高コント
ラスト，高速応答を実現する垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術と、広視野角を実現する
配向分割（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ）技術を組み合わ
せた液晶表示装置である。
晶表示装置としては、ＭＶＡ型やＩＰＳ（Ｉｎ−ｐｌａ
ｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）などの方式が実用化されて
おり、この内、ＭＶＡ方式の液晶表示装置は、高コント
ラスト，高速応答を実現する垂直配向（Ｖｅｒｔｉｃａ
ｌ Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）技術と、広視野角を実現する
配向分割（Ｍｕｌｔｉ−Ｄｏｍａｉｎ）技術を組み合わ
せた液晶表示装置である。
【０００４】この内、配向分割を実現するために基板上
に設けられた突起や窪み等の構造物或いはストライプ状
電極等の配向規制手段は、生産性低下の大きな原因であ
るラビング処理を不要とする作用を兼備するため、高生
産性が実現されており、また、液晶パネルの両側には、
吸収軸が互いに直交するように偏光素子が配置される。
に設けられた突起や窪み等の構造物或いはストライプ状
電極等の配向規制手段は、生産性低下の大きな原因であ
るラビング処理を不要とする作用を兼備するため、高生
産性が実現されており、また、液晶パネルの両側には、
吸収軸が互いに直交するように偏光素子が配置される。
【０００５】また、このＭＶＡ型液晶表示装置において
は負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて
おり、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ
垂直に配向しており、一方、電圧印加時には、配向規制
手段により、液晶分子が斜めになる方向が各画素内にお
いて複数の方向になるように規制される。
は負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を用いて
おり、電圧無印加時には、液晶分子が基板に対してほぼ
垂直に配向しており、一方、電圧印加時には、配向規制
手段により、液晶分子が斜めになる方向が各画素内にお
いて複数の方向になるように規制される。
【０００６】ここで、図３５乃至図３６を参照して従来
のＭＶＡ型液晶表示装置の一例を説明する。 図３５（ａ）参照 図３５（ａ）は、電圧を印加しない状態における液晶分
子の配向状態を概略的に示すＭＡＶ方式液晶表示装置の
部分切り欠き斜視図であり、ガラスからなるＴＦＴ基板
８１にはＴＦＴ及びＴＦＴに接続された画素電極（いず
れも図示を省略）が形成されており、この上にレジスト
からなる突起８３が設けられると共に、全面を覆うよう
に垂直配向膜（図示を省略）が設けられている。
のＭＶＡ型液晶表示装置の一例を説明する。 図３５（ａ）参照 図３５（ａ）は、電圧を印加しない状態における液晶分
子の配向状態を概略的に示すＭＡＶ方式液晶表示装置の
部分切り欠き斜視図であり、ガラスからなるＴＦＴ基板
８１にはＴＦＴ及びＴＦＴに接続された画素電極（いず
れも図示を省略）が形成されており、この上にレジスト
からなる突起８３が設けられると共に、全面を覆うよう
に垂直配向膜（図示を省略）が設けられている。
【０００７】一方、ＴＦＴ基板８１に対向するＣＦ（カ
ラーフィルタ）基板８２は、ガラスからなるとともに、
ＣＦ基板８２の表面にはＩＴＯ等からなる対向電極（図
示を省略）が設けられており、この上にレジストからな
る突起８４がＴＦＴ基板８１側に設けた突起８３と交互
に位置するように設けられると共に、全面を覆うように
垂直配向膜（図示を省略）が設けられている。
ラーフィルタ）基板８２は、ガラスからなるとともに、
ＣＦ基板８２の表面にはＩＴＯ等からなる対向電極（図
示を省略）が設けられており、この上にレジストからな
る突起８４がＴＦＴ基板８１側に設けた突起８３と交互
に位置するように設けられると共に、全面を覆うように
垂直配向膜（図示を省略）が設けられている。
【０００８】次いで、対向するＴＦＴ基板８１とＣＦ基
板８２との間に負の誘電率異方性を有するｎ型液晶を注
入することによってＭＶＡ方式液晶表示装置の基本構成
が完成する。この場合、液晶分子８５は垂直配向膜の規
制を受けてＴＦＴ基板８１及びＣＦ基板８２に対して垂
直に配向するとともに、突起８３，８４の傾斜部におい
ては、傾斜面に垂直に配向することになる。
板８２との間に負の誘電率異方性を有するｎ型液晶を注
入することによってＭＶＡ方式液晶表示装置の基本構成
が完成する。この場合、液晶分子８５は垂直配向膜の規
制を受けてＴＦＴ基板８１及びＣＦ基板８２に対して垂
直に配向するとともに、突起８３，８４の傾斜部におい
ては、傾斜面に垂直に配向することになる。
【０００９】この様なＭＶＡ方式の直視型液晶表示装置
において、ＴＦＴ基板８１側に設ける偏光板とＣＦ基板
８２側に設ける偏光板（いずれも図示を省略）とを、ク
ロスニコルに配置することによって、電圧を印加しない
状態においては入射光が透過できずに“黒”表示にな
る。
において、ＴＦＴ基板８１側に設ける偏光板とＣＦ基板
８２側に設ける偏光板（いずれも図示を省略）とを、ク
ロスニコルに配置することによって、電圧を印加しない
状態においては入射光が透過できずに“黒”表示にな
る。
【００１０】図３５（ｂ）参照
図３５（ｂ）は電圧を印加した状態におけるＭＶＡ方式
液晶表示装置の部分切り欠き斜視図であり、電圧を印加
することによって、突起８３，８４の形状構造によって
液晶分子８５の傾斜方向が規制されながら印加電圧に応
じて水平方向に向かって傾き、出射光を透過して“白”
表示が得られることになる。この場合、液晶分子８５の
１画素内において複数の方向に配向することになるため
視野角特性は改善され、また、液晶分子８５の傾斜方向
は、突起８３，８４近傍の液晶分子８５の傾斜方向に規
制されて傾斜するので応答速度が改善されることにな
る。
液晶表示装置の部分切り欠き斜視図であり、電圧を印加
することによって、突起８３，８４の形状構造によって
液晶分子８５の傾斜方向が規制されながら印加電圧に応
じて水平方向に向かって傾き、出射光を透過して“白”
表示が得られることになる。この場合、液晶分子８５の
１画素内において複数の方向に配向することになるため
視野角特性は改善され、また、液晶分子８５の傾斜方向
は、突起８３，８４近傍の液晶分子８５の傾斜方向に規
制されて傾斜するので応答速度が改善されることにな
る。
【００１１】図３６参照
図３６は、画素８６に対する突起８３及び突起８４の配
置パターンの一例を示す平面図であり、ＴＦＴ基板側に
設けられるジグザグ状の突起８３及びＣＦ基板側に設け
られるジグザク状の突起８４は互いに一定の間隔で三角
波状に配置されている。なお、図においては、Ｒ，Ｇ，
Ｂの３画素分を概略的に図示しており、画素８６のほぼ
中央に設けた補助容量バスライン９０に対して突起８３
及び突起８４は線対称に設けられている。
置パターンの一例を示す平面図であり、ＴＦＴ基板側に
設けられるジグザグ状の突起８３及びＣＦ基板側に設け
られるジグザク状の突起８４は互いに一定の間隔で三角
波状に配置されている。なお、図においては、Ｒ，Ｇ，
Ｂの３画素分を概略的に図示しており、画素８６のほぼ
中央に設けた補助容量バスライン９０に対して突起８３
及び突起８４は線対称に設けられている。
【００１２】図に示すように、液晶分子８５は、ゲート
電極８７側においては夫々Ｃ，Ｄで示すように突起８
３，８４に対して垂直方向で且つ互いに逆向きに配向
し、一方、ゲート電極８７から離れた側においても夫々
Ａ，Ｂで示すように突起８３，８４に対して垂直方向で
且つ互いに逆向きに配向され、Ｃ，ＤとＡ，Ｂとは互い
にほぼ直交する方向となる。
電極８７側においては夫々Ｃ，Ｄで示すように突起８
３，８４に対して垂直方向で且つ互いに逆向きに配向
し、一方、ゲート電極８７から離れた側においても夫々
Ａ，Ｂで示すように突起８３，８４に対して垂直方向で
且つ互いに逆向きに配向され、Ｃ，ＤとＡ，Ｂとは互い
にほぼ直交する方向となる。
【００１３】したがって、この様なＭＶＡ方式液晶表示
装置に電圧を印加した場合には、液晶は１画素内におい
て、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４方向に配向して４つのドメイン
を形成するので、良好な視野角特性を得ることができ
る。
装置に電圧を印加した場合には、液晶は１画素内におい
て、Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの４方向に配向して４つのドメイン
を形成するので、良好な視野角特性を得ることができ
る。
【００１４】上述のようにＭＶＡ型液晶表示装置は、優
れた応答特性を有しているものの、唯一中間調の応答の
み遅いといった問題がある。即ち、配向方向を規定する
領域が突起等の配向規制体上のみであるため、ドメイン
全体にわたって液晶傾斜の伝播速度は、配向規制体上に
生じる電界の勾配の大きさに依存することになるが、中
間調では、配向規制体上の電界勾配が緩やかであるため
伝播速度が小さく、結果として応答速度は遅くなるの
で、その事情を図３７を参照して説明する。
れた応答特性を有しているものの、唯一中間調の応答の
み遅いといった問題がある。即ち、配向方向を規定する
領域が突起等の配向規制体上のみであるため、ドメイン
全体にわたって液晶傾斜の伝播速度は、配向規制体上に
生じる電界の勾配の大きさに依存することになるが、中
間調では、配向規制体上の電界勾配が緩やかであるため
伝播速度が小さく、結果として応答速度は遅くなるの
で、その事情を図３７を参照して説明する。
【００１５】図３７（ａ）参照
図３７（ａ）は、電圧印加直後の液晶分子の傾斜の伝播
の状態を示す図であり、電圧印加とともに、配向規制体
である突起８３の近傍の液晶分子８５がまず傾斜し、そ
の影響が隣接する液晶に順次伝達されることになる。
の状態を示す図であり、電圧印加とともに、配向規制体
である突起８３の近傍の液晶分子８５がまず傾斜し、そ
の影響が隣接する液晶に順次伝達されることになる。
【００１６】図３７（ｂ）参照
図３７（ｂ）は、電圧印加後一定時間経過した時におけ
る液晶分子の傾斜の伝播の状態を示す図であり、配向規
制体である突起８３の近傍の液晶分子８５がより傾斜
し、その影響がさらに隣接する液晶に順次伝達されるこ
とになる。この時、中間調では、印加電圧が小さくなる
ので、突起８３上の電界勾配が緩やかであるため伝播速
度が小さく、結果として応答速度は遅くなってしまう。
る液晶分子の傾斜の伝播の状態を示す図であり、配向規
制体である突起８３の近傍の液晶分子８５がより傾斜
し、その影響がさらに隣接する液晶に順次伝達されるこ
とになる。この時、中間調では、印加電圧が小さくなる
ので、突起８３上の電界勾配が緩やかであるため伝播速
度が小さく、結果として応答速度は遅くなってしまう。
【００１７】この様な応答速度の低下を改善するための
手段として、特に誘電率異方性が負の液晶材料を用いる
モードについてはプレチルトを大きく付与することが有
効である。上述のＭＶＡ型液晶表示装置は誘電率異方性
が負の液晶材料を用いた典型的な例であるが、基本的に
突起のエッジ部を除いて特定の方向へのプレチルトを有
していないため、電圧印加時のスイッチングにおいて傾
斜の伝播が生じ、その分応答速度が低下してしまう。
手段として、特に誘電率異方性が負の液晶材料を用いる
モードについてはプレチルトを大きく付与することが有
効である。上述のＭＶＡ型液晶表示装置は誘電率異方性
が負の液晶材料を用いた典型的な例であるが、基本的に
突起のエッジ部を除いて特定の方向へのプレチルトを有
していないため、電圧印加時のスイッチングにおいて傾
斜の伝播が生じ、その分応答速度が低下してしまう。
【００１８】また、ＭＶＡ型液晶表示装置において、プ
レチルトを付与する手段としては光硬化物を用いるもの
などがあるが、プレチルト角を大きく付与していくと
（垂直配向モードの場合、９０°から低くなる方向）、
電圧無印加時においてもリタデーションが発生してい
き、ノーマリーブラック表示において黒が黒でなくなっ
ていってしまうため、コントラストおよび視野角につい
ても大幅に低下していってしまう。
レチルトを付与する手段としては光硬化物を用いるもの
などがあるが、プレチルト角を大きく付与していくと
（垂直配向モードの場合、９０°から低くなる方向）、
電圧無印加時においてもリタデーションが発生してい
き、ノーマリーブラック表示において黒が黒でなくなっ
ていってしまうため、コントラストおよび視野角につい
ても大幅に低下していってしまう。
【００１９】また、ノーマリーホワイト表示に至って
も、最大駆動電圧において完全な一軸の水平（もしくは
水平配向モードの場合は垂直）になっていなくては同様
の理由でコントラストが取れないという問題がある。
も、最大駆動電圧において完全な一軸の水平（もしくは
水平配向モードの場合は垂直）になっていなくては同様
の理由でコントラストが取れないという問題がある。
【００２０】したがって、上述のような電圧無印加時に
もプレチルトを有し基板面に対し斜めに傾斜しているも
のについては、従来からある方式ではフィルム貼付によ
る補償があるが、視野角特性に問題があり、液晶パネル
を斜めから見た時、階調が反転したように見えたり、表
示が白茶けて見えたりするなど、表示品質を低下させる
大きな要因となるので、この事情を図３８及び図３９を
参照して説明する。
もプレチルトを有し基板面に対し斜めに傾斜しているも
のについては、従来からある方式ではフィルム貼付によ
る補償があるが、視野角特性に問題があり、液晶パネル
を斜めから見た時、階調が反転したように見えたり、表
示が白茶けて見えたりするなど、表示品質を低下させる
大きな要因となるので、この事情を図３８及び図３９を
参照して説明する。
【００２１】図３８（ａ）乃至図３９（ｄ）参照
図３８（ａ）乃至図３９（ｃ）は、ＭＶＡ方式の液晶表
示装置の視野角特性を示す図であり、液晶パネルを０°
方位、４５°方位、及び、９０°方位から見たときの透
過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの方位におい
て、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°〜８０°か
ら見たときの特性を合わせて示した図である。
示装置の視野角特性を示す図であり、液晶パネルを０°
方位、４５°方位、及び、９０°方位から見たときの透
過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの方位におい
て、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°〜８０°か
ら見たときの特性を合わせて示した図である。
【００２２】図３９（ｄ）は、図３９（ｃ）の9 ０°方
位の正面と斜め７０°から液晶パネルを見たときの特性
を改めて示した図であり、斜め７０°のＡで示される部
分は、正面に比べると透過率−電圧特性の傾きが急峻で
あり、 Ｂで示される部分は、透過率−電圧特性が波打っ
たようになっている。
位の正面と斜め７０°から液晶パネルを見たときの特性
を改めて示した図であり、斜め７０°のＡで示される部
分は、正面に比べると透過率−電圧特性の傾きが急峻で
あり、 Ｂで示される部分は、透過率−電圧特性が波打っ
たようになっている。
【００２３】液晶パネルを斜めから見たときも、正面の
透過率−電圧特性が維持されることが理想的であるが、
図におけるＡ、Ｂに示されるような特性の場合、 正面に
おける階調間の関係がくずれ、液晶パネルを斜めから見
たときに階調が反転したように見えたり、表示が白茶け
て見えたりする。
透過率−電圧特性が維持されることが理想的であるが、
図におけるＡ、Ｂに示されるような特性の場合、 正面に
おける階調間の関係がくずれ、液晶パネルを斜めから見
たときに階調が反転したように見えたり、表示が白茶け
て見えたりする。
【００２４】そこで、本発明者等は、上述の問題を改善
するために、鋭意試行の結果、液晶分子の方位角φ方向
の変化によりリタデーションの制御を行う表示方式を提
案している（必要ならば、特願２００１−９９２４３号
参照）。
するために、鋭意試行の結果、液晶分子の方位角φ方向
の変化によりリタデーションの制御を行う表示方式を提
案している（必要ならば、特願２００１−９９２４３号
参照）。
【００２５】この方式は、極角θの状態は問わないた
め、プレチルトを大きく、即ち、電界勾配を急峻にした
状態でスイッチングすることが可能であるため、液晶傾
斜の伝播が生じず、高速なスイッチングが実現される。
め、プレチルトを大きく、即ち、電界勾配を急峻にした
状態でスイッチングすることが可能であるため、液晶傾
斜の伝播が生じず、高速なスイッチングが実現される。
【００２６】ここで、図４０及び図４１を参照してこの
提案に係わるＨＡＮ型液晶表示装置を説明する。 図４０（ａ）参照 図４０（ａ）は、上記提案に係わるＨＡＮ型液晶表示装
置における電圧無印加時における液晶分子の傾き状態を
示す概念的斜視図である。このＨＡＮ型液晶表示装置に
おいては、一対の基板間に負の誘電率異方性を有するネ
マティック液晶が封入され、ストライプ状電極９１を設
けた基板界面における液晶分子９３は表面を覆う垂直配
向膜の配向規制力によってほぼ垂直に配向し、もう一方
の対向電極９２を設けた基板界面における液晶分子９３
は基板表面に設けられた水平配向膜の配向規制力によっ
て基板面に対してほぼ水平に配向し、液晶分子９３は、
セル厚方向にわたってほぼ垂直な配向からほぼ水平な配
向へと連続的に変化する。
提案に係わるＨＡＮ型液晶表示装置を説明する。 図４０（ａ）参照 図４０（ａ）は、上記提案に係わるＨＡＮ型液晶表示装
置における電圧無印加時における液晶分子の傾き状態を
示す概念的斜視図である。このＨＡＮ型液晶表示装置に
おいては、一対の基板間に負の誘電率異方性を有するネ
マティック液晶が封入され、ストライプ状電極９１を設
けた基板界面における液晶分子９３は表面を覆う垂直配
向膜の配向規制力によってほぼ垂直に配向し、もう一方
の対向電極９２を設けた基板界面における液晶分子９３
は基板表面に設けられた水平配向膜の配向規制力によっ
て基板面に対してほぼ水平に配向し、液晶分子９３は、
セル厚方向にわたってほぼ垂直な配向からほぼ水平な配
向へと連続的に変化する。
【００２７】また、水平配向側において、ストライプ状
電極９１の走査方向に対してφ°（４５°≦θ＜９０
°）方向にラビング処理等の配向処理をすることによっ
て、液晶分子の方位角をφとするとともに、プレチルト
角をθとしており、この構造によると、水平配向側は一
軸の配向処理で良いため、プロセスは簡単になる。
電極９１の走査方向に対してφ°（４５°≦θ＜９０
°）方向にラビング処理等の配向処理をすることによっ
て、液晶分子の方位角をφとするとともに、プレチルト
角をθとしており、この構造によると、水平配向側は一
軸の配向処理で良いため、プロセスは簡単になる。
【００２８】図４０（ｂ）参照
この様なＨＡＮ型液晶表示装置において、図４０（ｂ）
に示すように、基板面内での方位角φと、基板面に対す
る極角θにより液晶分子９３の配向方向を表すと、電圧
印加時に、液晶分子９３のφとθがともに印加電圧値と
ともに変化するので、この変化の様子を図４１を参照し
て説明する。
に示すように、基板面内での方位角φと、基板面に対す
る極角θにより液晶分子９３の配向方向を表すと、電圧
印加時に、液晶分子９３のφとθがともに印加電圧値と
ともに変化するので、この変化の様子を図４１を参照し
て説明する。
【００２９】図４１（ａ）乃至（ｃ）参照
図４１（ａ）乃至（ｃ）は電圧印加時の液晶分子の配向
状態変化を示す平面図と断面図であり、図４１（ａ）は
電圧無印加時、図４１（ｂ）は低電圧印加時、図４１
（ｃ）は十分高い電圧を印加した場合であり、印加電圧
値を高くするにしたがって、液晶分子９３の極角θとと
もに方位角φも変化する。なお、図示を簡素化するため
に、両方の基板界面とセル厚方向中央部の液晶分子の３
つのみを示してある。
状態変化を示す平面図と断面図であり、図４１（ａ）は
電圧無印加時、図４１（ｂ）は低電圧印加時、図４１
（ｃ）は十分高い電圧を印加した場合であり、印加電圧
値を高くするにしたがって、液晶分子９３の極角θとと
もに方位角φも変化する。なお、図示を簡素化するため
に、両方の基板界面とセル厚方向中央部の液晶分子の３
つのみを示してある。
【００３０】また、上記提案においては、１画素中に、
ストライプ状電極の幅及びストライプ状電極の相互の間
隔が異なるストライプ状群からなる２以上の領域を形成
して画素中の一部の領域の応答速度を大きくすることに
よって、画素全体の見かけの応答速度を大きくすること
も提案されている。
ストライプ状電極の幅及びストライプ状電極の相互の間
隔が異なるストライプ状群からなる２以上の領域を形成
して画素中の一部の領域の応答速度を大きくすることに
よって、画素全体の見かけの応答速度を大きくすること
も提案されている。
【００３１】
【発明が解決しようとする課題】この様なＨＡＮ型液晶
表示装置においては、液晶分子の方位角φの変化により
透過率の制御を行っているため、ＭＶＡ型液晶表示装置
に比べて、階調依存が少ない応答特性が得られるはずで
あるが、実際の応答特性は、一部の中間調領域が他の階
調と比べて２倍程度遅いといった問題がある。
表示装置においては、液晶分子の方位角φの変化により
透過率の制御を行っているため、ＭＶＡ型液晶表示装置
に比べて、階調依存が少ない応答特性が得られるはずで
あるが、実際の応答特性は、一部の中間調領域が他の階
調と比べて２倍程度遅いといった問題がある。
【００３２】
【表１】
表１は、従来のＨＡＮ型液晶表示装置における、２．０
〜８．０Ｖの各印加電圧における応答速度（ｍ秒）を示
した表であり、例えば、４．０Ｖにおける応答速度が、
８．０Ｖにおける応答速度の１．７５倍になっているこ
とが理解される（表における従来例１を参照）。
〜８．０Ｖの各印加電圧における応答速度（ｍ秒）を示
した表であり、例えば、４．０Ｖにおける応答速度が、
８．０Ｖにおける応答速度の１．７５倍になっているこ
とが理解される（表における従来例１を参照）。
【００３３】この様な中間階調における応答速度の低下
の原因を考察すると、電圧印加時に両基板間に発生する
電界分布を大局的に取り扱うと、電圧を印加することに
より、ストライプパターンの走査方向に液晶分子を傾斜
させる電界が発生するが、局所的には、ストライプパタ
ーンを形成するひとつのストライプ状電極或いは絶縁性
の構造物又は導電性の構造物に発生する電界分布は、水
平配向側の基板界面の液晶分子の方位角方向を基準とし
て、ひとつのストライプの中で、内側となるエッジと外
側となるエッジで、液晶分子の方位角を変化させる力が
異なっている。
の原因を考察すると、電圧印加時に両基板間に発生する
電界分布を大局的に取り扱うと、電圧を印加することに
より、ストライプパターンの走査方向に液晶分子を傾斜
させる電界が発生するが、局所的には、ストライプパタ
ーンを形成するひとつのストライプ状電極或いは絶縁性
の構造物又は導電性の構造物に発生する電界分布は、水
平配向側の基板界面の液晶分子の方位角方向を基準とし
て、ひとつのストライプの中で、内側となるエッジと外
側となるエッジで、液晶分子の方位角を変化させる力が
異なっている。
【００３４】この内、ストライプの内側のエッジにより
発生する電界分布は、外側のエッジに発生する電界分布
よりも、液晶分子の方位角を変化させる力が小さくな
り、この液晶分子の方位角を変化させる力の違いから、
ストライプの内側のエッジで、液晶分子の方位角が安定
するのに、時間がかかってしまうことが主要因となっ
て、一部の中間調で応答が遅いといった問題が発生して
いる。
発生する電界分布は、外側のエッジに発生する電界分布
よりも、液晶分子の方位角を変化させる力が小さくな
り、この液晶分子の方位角を変化させる力の違いから、
ストライプの内側のエッジで、液晶分子の方位角が安定
するのに、時間がかかってしまうことが主要因となっ
て、一部の中間調で応答が遅いといった問題が発生して
いる。
【００３５】現在、液晶表示装置の駆動周波数は６０Ｈ
ｚであり、鮮明な動画表示を実現するには１６．７ｍ秒
以下の応答特性が理想とされており、ＨＡＮ型液晶表示
装置は従来のＭＶＡ型液晶表示装置より優れた応答特性
ではあるが、理想とされる全階調１６．７ｍ秒以下の応
答特性を満たすには至ってないため、さしあたりは、特
に、応答の遅い階調を改善する必要がある。
ｚであり、鮮明な動画表示を実現するには１６．７ｍ秒
以下の応答特性が理想とされており、ＨＡＮ型液晶表示
装置は従来のＭＶＡ型液晶表示装置より優れた応答特性
ではあるが、理想とされる全階調１６．７ｍ秒以下の応
答特性を満たすには至ってないため、さしあたりは、特
に、応答の遅い階調を改善する必要がある。
【００３６】また、上述のＨＡＮ型液晶表示装置におい
ては視野角特性が未だ充分ではないという問題があるの
で、この事情を図４２及び図４３を参照して説明する。 図４２（ａ）及び（ｂ）参照 図４２（ａ）は０°方位（右方位）から液晶パネルを見
たときの、正面から斜め８０°までの透過率−電圧特性
であり、また、図４２（ｂ）は９０°方位（上方位）か
ら液晶パネルを見たときの、正面から斜め８０°までの
透過率−電圧特性であり、０°方位において黒の透過率
が低く抑えられていないため、表示品質を著しく低下さ
せている。
ては視野角特性が未だ充分ではないという問題があるの
で、この事情を図４２及び図４３を参照して説明する。 図４２（ａ）及び（ｂ）参照 図４２（ａ）は０°方位（右方位）から液晶パネルを見
たときの、正面から斜め８０°までの透過率−電圧特性
であり、また、図４２（ｂ）は９０°方位（上方位）か
ら液晶パネルを見たときの、正面から斜め８０°までの
透過率−電圧特性であり、０°方位において黒の透過率
が低く抑えられていないため、表示品質を著しく低下さ
せている。
【００３７】図４３参照
図４３は、黒の透過率の視野角依存性を示す図であり、
最外周の円は斜め８０°を表しており、図中における曲
線或いは閉曲線は、等透過率線である。図示に示すよう
に、上下方位に比べて左右方向の透過率変化が大きいの
で、左右方位の透過率のうきが目立つことが理解され
る。
最外周の円は斜め８０°を表しており、図中における曲
線或いは閉曲線は、等透過率線である。図示に示すよう
に、上下方位に比べて左右方向の透過率変化が大きいの
で、左右方位の透過率のうきが目立つことが理解され
る。
【００３８】また、この様な視野角特性の問題を解決す
るために、配向分割構造を形成する方法として、ストラ
イプ状電極の走査方向を、水平配向側の一軸の配向処理
方向に対して±θ（４５°≦θ＜９０°）とした構造を
提案しているので、図４４を参照して説明する。
るために、配向分割構造を形成する方法として、ストラ
イプ状電極の走査方向を、水平配向側の一軸の配向処理
方向に対して±θ（４５°≦θ＜９０°）とした構造を
提案しているので、図４４を参照して説明する。
【００３９】図４４参照
図４４は、ストライプ状電極と配向処理方向の関係を示
す概念的構成図であり、対向電極９２上に設けた水平配
向膜を４５°方向にラビング処理するとともに、垂直配
向基板側に設ける幅が３μｍで間隙幅が３μｍのストラ
イプ状電極を配向処理方向に対して夫々４５°傾斜した
ストライプ状パターンとしたものであり、２つのストラ
イプ状電極９４，９５の境界には幅１０μｍの抜きパタ
ーン９６を設けたものである。
す概念的構成図であり、対向電極９２上に設けた水平配
向膜を４５°方向にラビング処理するとともに、垂直配
向基板側に設ける幅が３μｍで間隙幅が３μｍのストラ
イプ状電極を配向処理方向に対して夫々４５°傾斜した
ストライプ状パターンとしたものであり、２つのストラ
イプ状電極９４，９５の境界には幅１０μｍの抜きパタ
ーン９６を設けたものである。
【００４０】この構造の場合には、水平配向側は一軸の
配向処理で良いため、プロセスが簡単になり、視野角特
性が改善されるとともに、従来の単純構造のＨＡＮ型液
晶表示装置に比べて１．５倍程度の応答速度の改善が見
られる。
配向処理で良いため、プロセスが簡単になり、視野角特
性が改善されるとともに、従来の単純構造のＨＡＮ型液
晶表示装置に比べて１．５倍程度の応答速度の改善が見
られる。
【００４１】しかし、この様な配向分割型のＨＡＮ型液
晶表示装置においては、ドメインの境界部では液晶分子
の方位角が、ドメイン部の理想的配向方向と４５°異な
っているためリタデーションが発生せず、結果的に、ド
メイン境界部は入射光が透過しないため、暗線となって
見えてしまい、透過率ロスの大きな原因となる問題があ
る。
晶表示装置においては、ドメインの境界部では液晶分子
の方位角が、ドメイン部の理想的配向方向と４５°異な
っているためリタデーションが発生せず、結果的に、ド
メイン境界部は入射光が透過しないため、暗線となって
見えてしまい、透過率ロスの大きな原因となる問題があ
る。
【００４２】また、視野角特性は上述のように改善され
るものの、配向分割された夫々の領域が図３６に示した
様に液晶分子の配向方向がＡ〜Ｄの４つの方向に対称に
分かれる構造ではないため、全方位の視野角が均一に改
善されるのではなく、特定の方向に偏った改善になると
いう問題がある。
るものの、配向分割された夫々の領域が図３６に示した
様に液晶分子の配向方向がＡ〜Ｄの４つの方向に対称に
分かれる構造ではないため、全方位の視野角が均一に改
善されるのではなく、特定の方向に偏った改善になると
いう問題がある。
【００４３】また、高速応答化のために、上述の様に一
画素中にストライプ状電極の幅・間隙幅の少なくとも一
方が異なる２つ以上の領域を形成する場合、ストライプ
状電極の幅・間隙幅のパターニングに制約を受けるとい
う問題がある。
画素中にストライプ状電極の幅・間隙幅の少なくとも一
方が異なる２つ以上の領域を形成する場合、ストライプ
状電極の幅・間隙幅のパターニングに制約を受けるとい
う問題がある。
【００４４】即ち、ストライプ状電極の幅が極めて細い
場合は、製造上の困難性が伴い、また１画素の大きさに
よっては、電極幅・間隙幅を適当に作製することが出来
ないという問題があり、また、ストライプ状電極が延伸
方向に長い場合は、電極幅の均一性などが非常にシビア
になり、これが均等に出来ない場合は、同一電圧を印加
しても液晶の配向性に違いが生じ、液晶表示装置として
表示全体を見た場合は明るさのムラなどを招くという問
題がある。
場合は、製造上の困難性が伴い、また１画素の大きさに
よっては、電極幅・間隙幅を適当に作製することが出来
ないという問題があり、また、ストライプ状電極が延伸
方向に長い場合は、電極幅の均一性などが非常にシビア
になり、これが均等に出来ない場合は、同一電圧を印加
しても液晶の配向性に違いが生じ、液晶表示装置として
表示全体を見た場合は明るさのムラなどを招くという問
題がある。
【００４５】したがって、本発明は、簡単な構成により
中間調における応答速度を含む全階調における応答速度
を改善するとともに、視野角特性を改善することを目的
とする。
中間調における応答速度を含む全階調における応答速度
を改善するとともに、視野角特性を改善することを目的
とする。
【００４６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理的構
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上記の課題を解決するために、本発明においては、少な
くとも一方が透明な一対の基板１，２のうち、一方の基
板１上には複数の画素電極及び能動素子が設けられると
ともに、他方の基板２上には対向電極４が設けられた液
晶表示装置において、前記一対の電極の内の少なくとも
一方の電極はストライプ形状を有するとともに、前記一
対の基板１，２の内の少なくとも一方の基板２（１）上
に、前記ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走
査する構造物５（６）を有し、電圧無印加時に液晶分子
１０は少なくとも一方の基板面において略垂直配向であ
り、且つ、前記ストライプ状電極３の走査方向とは異な
る方位角方向にプレチルト角を有し、電圧印加時におけ
る液晶ダイレクタは極角方向と共に方位角方向に対して
も、その電圧の大きさにより、前記ストライプ状電極３
の走査方向に対して平行になる方向に変位することを特
徴とする。
成の説明図であり、この図１を参照して本発明における
課題を解決するための手段を説明する。 図１参照 上記の課題を解決するために、本発明においては、少な
くとも一方が透明な一対の基板１，２のうち、一方の基
板１上には複数の画素電極及び能動素子が設けられると
ともに、他方の基板２上には対向電極４が設けられた液
晶表示装置において、前記一対の電極の内の少なくとも
一方の電極はストライプ形状を有するとともに、前記一
対の基板１，２の内の少なくとも一方の基板２（１）上
に、前記ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走
査する構造物５（６）を有し、電圧無印加時に液晶分子
１０は少なくとも一方の基板面において略垂直配向であ
り、且つ、前記ストライプ状電極３の走査方向とは異な
る方位角方向にプレチルト角を有し、電圧印加時におけ
る液晶ダイレクタは極角方向と共に方位角方向に対して
も、その電圧の大きさにより、前記ストライプ状電極３
の走査方向に対して平行になる方向に変位することを特
徴とする。
【００４７】この様に、ストライプ形状の走査方向とは
異なる方向に走査する構造物５，６を設けることによっ
て、傾斜能を付与することができ、ストライプ状電極３
が液晶分子１０をライン走査方向に動かそうとする力に
合わせることによって、透過率を低減することなく、応
答性を改善することができる。なお、この液晶表示装置
においては、両方の基板１，２側における液晶分子１０
の初期配向が垂直配向であっても良い。
異なる方向に走査する構造物５，６を設けることによっ
て、傾斜能を付与することができ、ストライプ状電極３
が液晶分子１０をライン走査方向に動かそうとする力に
合わせることによって、透過率を低減することなく、応
答性を改善することができる。なお、この液晶表示装置
においては、両方の基板１，２側における液晶分子１０
の初期配向が垂直配向であっても良い。
【００４８】この場合、最大透過率を得るために液晶分
子１０を方位角方向に４５°変位させるためには、基板
１，２上に設けた構造物５，６の走査方向と同一の方位
角方向にプレチルト角を有し、ストライプ状電極３と構
造物５，６の互いの走査方向がなす角度は４５°以上９
０°未満とする必要がある。
子１０を方位角方向に４５°変位させるためには、基板
１，２上に設けた構造物５，６の走査方向と同一の方位
角方向にプレチルト角を有し、ストライプ状電極３と構
造物５，６の互いの走査方向がなす角度は４５°以上９
０°未満とする必要がある。
【００４９】また、視野角特性を改善するための配向分
割構造としては、液晶表示装置を構成する一画素中で、
上記ストライプ状電極３の走査方向を２通り以上とすれ
ば良く、その場合、各ストライプ状電極３の交差する位
置において、少なくとも一部の領域ではストライプ状電
極３同士を非接合にしても良い。
割構造としては、液晶表示装置を構成する一画素中で、
上記ストライプ状電極３の走査方向を２通り以上とすれ
ば良く、その場合、各ストライプ状電極３の交差する位
置において、少なくとも一部の領域ではストライプ状電
極３同士を非接合にしても良い。
【００５０】また、構造物５，６は透過率低下の原因と
なるので、画素電極のエッジ部の一辺と平行に配置され
ることが望ましく、それによって、画素エッジ部に生じ
る斜め電界により配向乱れの問題も同時に改善すること
ができる。
なるので、画素電極のエッジ部の一辺と平行に配置され
ることが望ましく、それによって、画素エッジ部に生じ
る斜め電界により配向乱れの問題も同時に改善すること
ができる。
【００５１】また、本発明は、少なくとも一方が透明な
一対の基板１，２のうち、一方の基板１上には複数の画
素電極及び能動素子が設けられるとともに、他方の基板
２上には対向電極４が設けられた液晶表示装置におい
て、前記一対の電極の内の少なくとも一方の電極はスト
ライプ形状を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少な
くとも一方の基板面において略垂直配向であり、且つ、
前記ストライプ状電極３の走査方向とは異なる方位角方
向にプレチルト角を有し、電圧印加時における液晶ダイ
レクタは極角方向と共に方位角方向に対しても、その電
圧の大きさにより、前記ストライプ状電極３の走査方向
に対して平行になる方向に変位し、且つ、前記方位角の
変位量が４５°以下であるとともに、ストライプ状電極
３を有する基板１上に部分的に絶縁薄層を形成したこと
を特徴とする。
一対の基板１，２のうち、一方の基板１上には複数の画
素電極及び能動素子が設けられるとともに、他方の基板
２上には対向電極４が設けられた液晶表示装置におい
て、前記一対の電極の内の少なくとも一方の電極はスト
ライプ形状を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少な
くとも一方の基板面において略垂直配向であり、且つ、
前記ストライプ状電極３の走査方向とは異なる方位角方
向にプレチルト角を有し、電圧印加時における液晶ダイ
レクタは極角方向と共に方位角方向に対しても、その電
圧の大きさにより、前記ストライプ状電極３の走査方向
に対して平行になる方向に変位し、且つ、前記方位角の
変位量が４５°以下であるとともに、ストライプ状電極
３を有する基板１上に部分的に絶縁薄層を形成したこと
を特徴とする。
【００５２】この様に、絶縁薄層を部分的に設けること
によって、絶縁薄層上に存在する液晶分子１０の印加さ
れる電圧は低減されるので、面積的に異なった透過率を
与えることになり、それによって、面積的な階調変化が
可能になる。
によって、絶縁薄層上に存在する液晶分子１０の印加さ
れる電圧は低減されるので、面積的に異なった透過率を
与えることになり、それによって、面積的な階調変化が
可能になる。
【００５３】この場合、絶縁薄層のエッジ端辺とストラ
イプ状電極３の延伸方向とが垂直にすることが望まし
く、それによって、液晶分子１０が倒れ込む方位角方向
を制御することが可能になる。
イプ状電極３の延伸方向とが垂直にすることが望まし
く、それによって、液晶分子１０が倒れ込む方位角方向
を制御することが可能になる。
【００５４】また、配向分割のために、一画素中に形成
するストライプ状電極３の延伸方向を２以上とした場
合、周期的なパターンからなる絶縁薄層を設けることに
よって、ストライプ状電極３の延伸方向と絶縁薄層のエ
ッジ端辺とを垂直にすることができる。
するストライプ状電極３の延伸方向を２以上とした場
合、周期的なパターンからなる絶縁薄層を設けることに
よって、ストライプ状電極３の延伸方向と絶縁薄層のエ
ッジ端辺とを垂直にすることができる。
【００５５】この場合、絶縁薄層によってストライプ状
電極３での電界に歪みを生じさせて液晶分子１０の配向
方向を好適にするためには、２方向以上に延伸するスト
ライプ状電極３の接合部、或いは、非接合部の近傍に
は、前記ストライプ状電極３上に形成する絶縁薄層が少
なく、前記接合部・非接合部から延伸する方向に連れて
絶縁薄層の領域が大となるようにすれば良い。
電極３での電界に歪みを生じさせて液晶分子１０の配向
方向を好適にするためには、２方向以上に延伸するスト
ライプ状電極３の接合部、或いは、非接合部の近傍に
は、前記ストライプ状電極３上に形成する絶縁薄層が少
なく、前記接合部・非接合部から延伸する方向に連れて
絶縁薄層の領域が大となるようにすれば良い。
【００５６】なお、この様な絶縁薄層の膜厚は、０．７
μｍ以下であることが望ましく、厚すぎると液晶分子１
０を配向させるために要する電圧が高くなり過ぎ、当時
に透過率の低下の原因となる。
μｍ以下であることが望ましく、厚すぎると液晶分子１
０を配向させるために要する電圧が高くなり過ぎ、当時
に透過率の低下の原因となる。
【００５７】また、本発明は、負の誘電異方性を持つ液
晶分子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂
直であり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、
かつ、垂直配向側の基板１上に電圧印加時に液晶分子１
０の傾斜方向を規定する作用を持つ、方向性を持ったス
トライプ状電極３、絶縁性の構造物、或いは、導電性の
構造物の少なくともいずれかを具備しており、水平配向
側の基板２界面における液晶分子１０の方位角方向と対
向するストライプパターンの走査方向と成す角が異な
り、電圧を印加することにより液晶分子１０の方位角を
変化させて表示を制御する液晶表示装置において、前記
液晶層９は液晶骨格を有する光硬化性組成物による光硬
化物を含んでおり、光硬化物は液晶分子１０に対し、電
圧印加時に液晶分子１０が変化する方向へ配向規制力を
付加することを特徴とする。
晶分子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂
直であり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、
かつ、垂直配向側の基板１上に電圧印加時に液晶分子１
０の傾斜方向を規定する作用を持つ、方向性を持ったス
トライプ状電極３、絶縁性の構造物、或いは、導電性の
構造物の少なくともいずれかを具備しており、水平配向
側の基板２界面における液晶分子１０の方位角方向と対
向するストライプパターンの走査方向と成す角が異な
り、電圧を印加することにより液晶分子１０の方位角を
変化させて表示を制御する液晶表示装置において、前記
液晶層９は液晶骨格を有する光硬化性組成物による光硬
化物を含んでおり、光硬化物は液晶分子１０に対し、電
圧印加時に液晶分子１０が変化する方向へ配向規制力を
付加することを特徴とする。
【００５８】この様に、光硬化性組成物が液晶分子１０
に配向規制力を付与することによって、応答速度の改善
が可能になる。
に配向規制力を付与することによって、応答速度の改善
が可能になる。
【００５９】この場合、液晶分子１０に電圧印加時と同
じ配向規制力を付与するためには、両基板１，２間に電
圧を印加して、液晶分子１０が配向している状態で光硬
化性組成物を硬化させれば良い。
じ配向規制力を付与するためには、両基板１，２間に電
圧を印加して、液晶分子１０が配向している状態で光硬
化性組成物を硬化させれば良い。
【００６０】また、視野角特性を改善するために、配向
分割構造を採用した場合、光硬化物が付加する配向規制
力の方向が、各々領域の電圧印加時に液晶分子１０が変
化する方向になるようにする必要がある。
分割構造を採用した場合、光硬化物が付加する配向規制
力の方向が、各々領域の電圧印加時に液晶分子１０が変
化する方向になるようにする必要がある。
【００６１】また、本発明は、負の誘電異方性を持つ液
晶分子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂
直であり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、
かつ、垂直配向側の基板１上に電界を歪ませる作用を持
つストライプパターンの電極の抜き、絶縁性の構造物、
或いは、導電性の構造物の少なくともいずれかを具備し
ており、水平配向側の基板２界面における液晶分子１０
のプレチルトの方位角方向と対向するストライプ状電極
３の走査方向と成す角が異なり、電圧を印加することに
より液晶分子１０の方位角を変化させて表示を制御する
液晶表示装置において、前記水平配向側の基板２側に液
晶分子１０のプレチルトの方位角が異なる二つの領域を
設け、それぞれのプレチルトの方位角が、互いに向きあ
う方向に、対向するストライプパターンの走査方向に対
して±θ°であり、且つ４５°≦θ＜９０°の条件を満
たす配向分割を形成することを特徴とする。
晶分子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂
直であり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、
かつ、垂直配向側の基板１上に電界を歪ませる作用を持
つストライプパターンの電極の抜き、絶縁性の構造物、
或いは、導電性の構造物の少なくともいずれかを具備し
ており、水平配向側の基板２界面における液晶分子１０
のプレチルトの方位角方向と対向するストライプ状電極
３の走査方向と成す角が異なり、電圧を印加することに
より液晶分子１０の方位角を変化させて表示を制御する
液晶表示装置において、前記水平配向側の基板２側に液
晶分子１０のプレチルトの方位角が異なる二つの領域を
設け、それぞれのプレチルトの方位角が、互いに向きあ
う方向に、対向するストライプパターンの走査方向に対
して±θ°であり、且つ４５°≦θ＜９０°の条件を満
たす配向分割を形成することを特徴とする。
【００６２】この様に、ＨＡＮ型液晶表示装置におい
て、水平配向側の基板２側に液晶分子１０のプレチルト
の方位角が異なる二つの領域を設けることによって、配
向分割することができ、それによって、視野角特性が改
善される。
て、水平配向側の基板２側に液晶分子１０のプレチルト
の方位角が異なる二つの領域を設けることによって、配
向分割することができ、それによって、視野角特性が改
善される。
【００６３】この場合、水平配向側の基板２側に、プレ
チルトの方位角が異なる領域の境界部に沿って、導電性
の構造物を設けることによって、ドメイン境界部に発生
する異常配向領域の発生を低減することができ、表示品
質を向上することができる。
チルトの方位角が異なる領域の境界部に沿って、導電性
の構造物を設けることによって、ドメイン境界部に発生
する異常配向領域の発生を低減することができ、表示品
質を向上することができる。
【００６４】また、ストライプ状電極３が異なった走査
方向に延伸する複数の領域に分割する場合、一方の方向
に走査するストライプパターンが属する総面積と、もう
一方の方向に走査するストライプパターンが属する総面
積を等しくすることによって均一な視野角特性を得るこ
とができる。
方向に延伸する複数の領域に分割する場合、一方の方向
に走査するストライプパターンが属する総面積と、もう
一方の方向に走査するストライプパターンが属する総面
積を等しくすることによって均一な視野角特性を得るこ
とができる。
【００６５】また、本発明は、一対の基板１，２の間に
液晶が封入され、一方の基板１の界面における液晶分子
１０は基板面に対してほぼ垂直に配向し、もう一方の基
板２の界面における液晶分子１０は基板面に対してほぼ
水平に配向し、電圧印加時に、液晶分子１０の方位角φ
と極角θが共に印加電圧値とともに変化することを特徴
とする液晶表示装置において、前記一対の基板１，２の
両側に第一および第二の偏光素子が配置され、前記第一
の偏光素子と対向する基板１との間、或いは、第二の偏
光素子と対向する基板２との間の少なくとも一方に、少
なくとも一層の光学補償フィルムが配置されることを特
徴とする。
液晶が封入され、一方の基板１の界面における液晶分子
１０は基板面に対してほぼ垂直に配向し、もう一方の基
板２の界面における液晶分子１０は基板面に対してほぼ
水平に配向し、電圧印加時に、液晶分子１０の方位角φ
と極角θが共に印加電圧値とともに変化することを特徴
とする液晶表示装置において、前記一対の基板１，２の
両側に第一および第二の偏光素子が配置され、前記第一
の偏光素子と対向する基板１との間、或いは、第二の偏
光素子と対向する基板２との間の少なくとも一方に、少
なくとも一層の光学補償フィルムが配置されることを特
徴とする。
【００６６】この様に、液晶層９を構成する液晶分子１
０の配向状態による位相差Δｎｄを、逆位相差を有する
光学補償フィルムを設けて補償することによって、視野
角特性を改善することができる。
０の配向状態による位相差Δｎｄを、逆位相差を有する
光学補償フィルムを設けて補償することによって、視野
角特性を改善することができる。
【００６７】この場合、一方の基板１界面における液晶
分子１０のプレチルト角が７０°以上９０°以下であ
り、 上記もう一方の基板２界面における液晶分子１０の
プレチルト角が０°以上２０°以下にすることが望まし
く、それによって、応答速度を向上することができる。
分子１０のプレチルト角が７０°以上９０°以下であ
り、 上記もう一方の基板２界面における液晶分子１０の
プレチルト角が０°以上２０°以下にすることが望まし
く、それによって、応答速度を向上することができる。
【００６８】また、印加電圧に対する液晶分子１０のφ
の変位量は、０°より大きく９０°以下であることが望
ましく、また、用いる液晶は、典型的には負の誘電率異
方性を有するネマティック液晶である。
の変位量は、０°より大きく９０°以下であることが望
ましく、また、用いる液晶は、典型的には負の誘電率異
方性を有するネマティック液晶である。
【００６９】また、この様に光学補償フィルムを設ける
場合にも、視野角特性をさらに改善するためには、配向
分割構造を採用することが望ましい。
場合にも、視野角特性をさらに改善するためには、配向
分割構造を採用することが望ましい。
【００７０】上述のように、液晶層９を構成する液晶分
子１０の配向状態による位相差Δｎｄを補償するために
は、光学補償フィルムは、光学的に負の一軸性を有する
物質からなり、該物質の光軸のフィルム面に対する角度
が、前記位相差フィルムの厚さ方向にわたって変化して
いる必要がある。
子１０の配向状態による位相差Δｎｄを補償するために
は、光学補償フィルムは、光学的に負の一軸性を有する
物質からなり、該物質の光軸のフィルム面に対する角度
が、前記位相差フィルムの厚さ方向にわたって変化して
いる必要がある。
【００７１】また、光学補償フィルムの構成を最適化す
るためには、光学補償フィルムのリタデーションＲfilm
を、ｎ1 、ｎ2 、ｎ3 を前記光学補償フィルムを構成す
る物質の３軸方向屈折率（但し、ｎ1 ≧ｎ2 ≧ｎ3 、ｎ
1 ＝ｎ2 ＝ｎ3 は除く）とし、且つ、ｄfilmを前記光学
補償フィルムの厚みとして、Ｒfilm≡｛( ｎ1+ｎ2)／２
−ｎ3)｝×ｄfilmで定義し、上記液晶層９のリタデーシ
ョンをＲlcとするとともに、前記光学補償フィルムを構
成する物質の光軸のフィルム面に対する角度が、フィル
ムの厚さ方向にわたって変化しており、前記光学補償フ
ィルムを構成する物質の光軸がフィルム面に対してなす
角度の厚さ方向にわたる平均値αと液晶分子１０の光軸
が基板面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値β
とすると、 β−２０°≦α≦β＋２０° ０．５×Ｒlc≦Ｒfilm≦１．５×Ｒlc の関係が成り立つようにする必要がある。
るためには、光学補償フィルムのリタデーションＲfilm
を、ｎ1 、ｎ2 、ｎ3 を前記光学補償フィルムを構成す
る物質の３軸方向屈折率（但し、ｎ1 ≧ｎ2 ≧ｎ3 、ｎ
1 ＝ｎ2 ＝ｎ3 は除く）とし、且つ、ｄfilmを前記光学
補償フィルムの厚みとして、Ｒfilm≡｛( ｎ1+ｎ2)／２
−ｎ3)｝×ｄfilmで定義し、上記液晶層９のリタデーシ
ョンをＲlcとするとともに、前記光学補償フィルムを構
成する物質の光軸のフィルム面に対する角度が、フィル
ムの厚さ方向にわたって変化しており、前記光学補償フ
ィルムを構成する物質の光軸がフィルム面に対してなす
角度の厚さ方向にわたる平均値αと液晶分子１０の光軸
が基板面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値β
とすると、 β−２０°≦α≦β＋２０° ０．５×Ｒlc≦Ｒfilm≦１．５×Ｒlc の関係が成り立つようにする必要がある。
【００７２】この場合、光学補償フィルムを構成する物
質の光軸がフィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわ
たる平均値αの傾斜方位と、上記液晶分子１０の光軸が
基板面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値βの
傾斜方位とが一致するように、前記光学補償フィルムを
配置する必要がある。
質の光軸がフィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわ
たる平均値αの傾斜方位と、上記液晶分子１０の光軸が
基板面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値βの
傾斜方位とが一致するように、前記光学補償フィルムを
配置する必要がある。
【００７３】この様な光学補償フィルムとしては、フィ
ルム法線方向またはフィルム面内方向のいずれかに光軸
を有する透明フィルムを用いることができる。
ルム法線方向またはフィルム面内方向のいずれかに光軸
を有する透明フィルムを用いることができる。
【００７４】また、光学補償フィルムとしては、所望の
特性が得られるように、フィルム法線方向またはフィル
ム面内方向のいずれかに光軸を有する透明フィルムと、
光学的に一軸性を有する物質からなる薄膜を組み合わせ
ても良いものである。
特性が得られるように、フィルム法線方向またはフィル
ム面内方向のいずれかに光軸を有する透明フィルムと、
光学的に一軸性を有する物質からなる薄膜を組み合わせ
ても良いものである。
【００７５】この様な光学的に一軸性を有する物質とし
ては、ディスコティック構造単位を有する化合物が典型
的なものである。
ては、ディスコティック構造単位を有する化合物が典型
的なものである。
【００７６】また、本発明は、一対の基板の間に液晶が
封入され、一方の基板界面における液晶分子は基板面に
対してほぼ垂直に配向し、もう一方の基板界面における
液晶分子は基板面に対してほぼ水平に配向し、電圧印加
時に、液晶分子の方位角と極角が共に印加電圧値ととも
に変化する液晶表示装置において、前記一対の基板の両
側に吸収軸が互いに直交するように第一および第二の偏
光素子が配置されるとともに、フィルム面内方向に光学
的に正の一軸性を有する少なくとも一層の正の一軸性フ
ィルムと、液晶パネルと前記第一および第二の偏光素子
の少なくともどちらか一方との間に配置され屈折率異方
性が正の物質がフィルム厚み方向にわたってほぼ垂直か
らほぼ水平にハイブリッド配向した少なくとも一層のハ
イブリッド配向フィルムとを有することを特徴とする。
封入され、一方の基板界面における液晶分子は基板面に
対してほぼ垂直に配向し、もう一方の基板界面における
液晶分子は基板面に対してほぼ水平に配向し、電圧印加
時に、液晶分子の方位角と極角が共に印加電圧値ととも
に変化する液晶表示装置において、前記一対の基板の両
側に吸収軸が互いに直交するように第一および第二の偏
光素子が配置されるとともに、フィルム面内方向に光学
的に正の一軸性を有する少なくとも一層の正の一軸性フ
ィルムと、液晶パネルと前記第一および第二の偏光素子
の少なくともどちらか一方との間に配置され屈折率異方
性が正の物質がフィルム厚み方向にわたってほぼ垂直か
らほぼ水平にハイブリッド配向した少なくとも一層のハ
イブリッド配向フィルムとを有することを特徴とする。
【００７７】この様に、正の一軸性フィルムとハイブリ
ッド配向フィルムを組み合わせることにより、Δｎ＜０
の光学補償フィルムと同等の機能を有する光学補償フィ
ルムを構成することができ、それによって、所望のハイ
ブリッド配向性を有する光学補償フィルムを容易に且つ
低コストで構成することができるので、視野角特性を向
上することができる。
ッド配向フィルムを組み合わせることにより、Δｎ＜０
の光学補償フィルムと同等の機能を有する光学補償フィ
ルムを構成することができ、それによって、所望のハイ
ブリッド配向性を有する光学補償フィルムを容易に且つ
低コストで構成することができるので、視野角特性を向
上することができる。
【００７８】この場合、第一及び第二の偏光素子の吸収
軸は、液晶パネルの水平配向方向と平行または直交方向
に揃えることが望ましい。また、一軸性フィルムの光軸
方向は、液晶パネルの水平配向方向と直交するように配
置することが望ましく、それによって、上記の正の一軸
性フィルムとハイブリッド配向フィルムを組み合わせた
光学補償フィルムを設けたことによる効果を最大限に発
揮することができる。
軸は、液晶パネルの水平配向方向と平行または直交方向
に揃えることが望ましい。また、一軸性フィルムの光軸
方向は、液晶パネルの水平配向方向と直交するように配
置することが望ましく、それによって、上記の正の一軸
性フィルムとハイブリッド配向フィルムを組み合わせた
光学補償フィルムを設けたことによる効果を最大限に発
揮することができる。
【００７９】また、液晶パネルの水平配向の方向と、ハ
イブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互いに
逆向きであり、且つ、液晶パネルの水平配向側とハイブ
リッド配向フィルムの垂直配向側とが、直接または他の
フィルムを介して向かい合って配置することが望まし
く、その場合には、液晶パネルの垂直配向側に第一の偏
光素子が配置され、液晶パネルの水平配向側に、液晶パ
ネルに近いほうから順に、一軸性フィルム、ハイブリッ
ド配向フィルム、第二の偏光素子を配置することが望ま
しい。
イブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互いに
逆向きであり、且つ、液晶パネルの水平配向側とハイブ
リッド配向フィルムの垂直配向側とが、直接または他の
フィルムを介して向かい合って配置することが望まし
く、その場合には、液晶パネルの垂直配向側に第一の偏
光素子が配置され、液晶パネルの水平配向側に、液晶パ
ネルに近いほうから順に、一軸性フィルム、ハイブリッ
ド配向フィルム、第二の偏光素子を配置することが望ま
しい。
【００８０】また、液晶パネルの水平配向の方向と、ハ
イブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互いに
逆向きであり、且つ、液晶パネルの垂直配向側とハイブ
リッド配向フィルムの水平配向側とが、直接または他の
フィルムを介して向かい合って配置するほうがより望ま
しく、その場合には、液晶パネルの水平配向側に第一の
偏光素子が配置されるとともに、液晶パネルの垂直配向
側に、液晶パネルに近い方から順に、正の一軸性フィル
ム、ハイブリッド配向フィルム、第二の偏光素子を配置
することが望ましい。
イブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互いに
逆向きであり、且つ、液晶パネルの垂直配向側とハイブ
リッド配向フィルムの水平配向側とが、直接または他の
フィルムを介して向かい合って配置するほうがより望ま
しく、その場合には、液晶パネルの水平配向側に第一の
偏光素子が配置されるとともに、液晶パネルの垂直配向
側に、液晶パネルに近い方から順に、正の一軸性フィル
ム、ハイブリッド配向フィルム、第二の偏光素子を配置
することが望ましい。
【００８１】また、液晶パネル及びハイブリッド配向フ
ィルムの両界面における分子のチルト角の差は理想的に
は９０°であるが、４５°以上９０°以下であれば所期
の効果を得ることができるものである。
ィルムの両界面における分子のチルト角の差は理想的に
は９０°であるが、４５°以上９０°以下であれば所期
の効果を得ることができるものである。
【００８２】また、正の一軸性フィルムとハイブリッド
配向フィルムとは、貼り合わせではなく、一体形成され
たフィルムでも良く、また、一軸性フィルムとしては一
軸延伸フィルムを用いても良く、且つ、ハイブリッド配
向フィルムとしては液晶性高分子ポリマーからなるもの
であっても良い。なお、ハイブリッド配向フィルムは、
液晶性高分子ポリマーと透明基材フィルムとからなる場
合が一般的である。
配向フィルムとは、貼り合わせではなく、一体形成され
たフィルムでも良く、また、一軸性フィルムとしては一
軸延伸フィルムを用いても良く、且つ、ハイブリッド配
向フィルムとしては液晶性高分子ポリマーからなるもの
であっても良い。なお、ハイブリッド配向フィルムは、
液晶性高分子ポリマーと透明基材フィルムとからなる場
合が一般的である。
【００８３】
【発明の実施の形態】ここで、図２を参照して、本発明
の第１の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図２（ａ）及び（ｂ）参照 図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図２（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に画素電極を構成す
る幅３μｍ、間隙幅４μｍのＩＴＯからなるストライプ
状電極１２をＶ字状に形成するとともに、全面に垂直配
向膜１３（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗
布する。
の第１の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図２（ａ）及び（ｂ）参照 図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図２（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に画素電極を構成す
る幅３μｍ、間隙幅４μｍのＩＴＯからなるストライプ
状電極１２をＶ字状に形成するとともに、全面に垂直配
向膜１３（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗
布する。
【００８４】一方、対向基板１４にはベタ状のＩＴＯ電
極１５を形成したのち、画素のエッジ部に沿って突起状
構造物１６を形成し、次いで、全面に水平配向膜１７
（ＪＡＬＳ−１０８３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布した
のち、配向方向が突起状構造物１６の主走査方向と同一
とし、ストライプ状電極１２の走査方向と８０°になる
ようにラビング処理を施す。
極１５を形成したのち、画素のエッジ部に沿って突起状
構造物１６を形成し、次いで、全面に水平配向膜１７
（ＪＡＬＳ−１０８３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布した
のち、配向方向が突起状構造物１６の主走査方向と同一
とし、ストライプ状電極１２の走査方向と８０°になる
ようにラビング処理を施す。
【００８５】次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶を注入し
て熱硬化性シールを用いて貼り合わせることによって液
晶表示装置を形成し、次いで、電圧を印加して液晶分子
１８の配向状態を観察したところ、応答速度に改善が見
られた。
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶を注入し
て熱硬化性シールを用いて貼り合わせることによって液
晶表示装置を形成し、次いで、電圧を印加して液晶分子
１８の配向状態を観察したところ、応答速度に改善が見
られた。
【００８６】即ち、突起状構造物１６を設けることによ
って、突起状構造物１６の近傍の液晶分子１８は、電圧
印加時に突起状構造物１６の走査方向に対してほぼ垂直
方向に傾斜させられる。
って、突起状構造物１６の近傍の液晶分子１８は、電圧
印加時に突起状構造物１６の走査方向に対してほぼ垂直
方向に傾斜させられる。
【００８７】この液晶分子１８を傾斜させようとする力
を、ストライプ状電極１２が液晶分子１８をライン走査
方向に動かそうとする力に合わせることによって、応答
速度を改善することが可能になる。なお、この第１の実
施の形態においては、ストライプ状電極１２の走査方向
と、突起状構造物１６の走査方向のなす角度θを８０°
としているが、４５°≦θ＜９０°であれば良い。
を、ストライプ状電極１２が液晶分子１８をライン走査
方向に動かそうとする力に合わせることによって、応答
速度を改善することが可能になる。なお、この第１の実
施の形態においては、ストライプ状電極１２の走査方向
と、突起状構造物１６の走査方向のなす角度θを８０°
としているが、４５°≦θ＜９０°であれば良い。
【００８８】また、最大透過率を得るためには、液晶分
子１８を初期配向方向から４５°方位角方向にシフトさ
せる必要があり、プレチルト角が突起状構造物１６の走
査方向と同じ方位角方向に付与されている場合、お互い
の走査方向のなす角度が４５°未満では原理的に４５°
シフトさせることができない。
子１８を初期配向方向から４５°方位角方向にシフトさ
せる必要があり、プレチルト角が突起状構造物１６の走
査方向と同じ方位角方向に付与されている場合、お互い
の走査方向のなす角度が４５°未満では原理的に４５°
シフトさせることができない。
【００８９】また、それ以上においても、角度が浅い場
合にはシフト量が少なく透過率が低くなると共に、突起
状構造物１６による液晶分子１８の傾斜方向とストライ
プ状電極１２が安定させようとする方位角方向の位置の
ずれが大きくなり、透過率のオーバーシュート、即ち、
電圧印加の瞬間は透過率が高く、定常状態ではそれより
も下がった透過率が安定となる現象が生じ易くなる。
合にはシフト量が少なく透過率が低くなると共に、突起
状構造物１６による液晶分子１８の傾斜方向とストライ
プ状電極１２が安定させようとする方位角方向の位置の
ずれが大きくなり、透過率のオーバーシュート、即ち、
電圧印加の瞬間は透過率が高く、定常状態ではそれより
も下がった透過率が安定となる現象が生じ易くなる。
【００９０】また、突起状構造物１６は表示画素領域中
に配置すると、その分だけ透過率が低下してしまうた
め、第１の実施の形態に示す様に画素電極のエッジ部
に、エッジラインと平行になるように配置することが望
ましく、そうすることで、画素エッジ部に生じる斜め電
界による配向の乱れの問題も同時に改善することが出来
る。
に配置すると、その分だけ透過率が低下してしまうた
め、第１の実施の形態に示す様に画素電極のエッジ部
に、エッジラインと平行になるように配置することが望
ましく、そうすることで、画素エッジ部に生じる斜め電
界による配向の乱れの問題も同時に改善することが出来
る。
【００９１】次に、図３を参照して、本発明の第２の実
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図３（ａ）及び（ｂ）参照 図３（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図３（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に幅３μｍ、間隙幅
４μｍのＩＴＯからなるストライプ状電極１９をＶ字の
屈曲部で交わらないように幅が例えば１０μｍの電極の
抜き２０を形成するとともに、全面に垂直配向膜１３
（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布する。
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図３（ａ）及び（ｂ）参照 図３（ａ）は、本発明の第２の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図３（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に幅３μｍ、間隙幅
４μｍのＩＴＯからなるストライプ状電極１９をＶ字の
屈曲部で交わらないように幅が例えば１０μｍの電極の
抜き２０を形成するとともに、全面に垂直配向膜１３
（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布する。
【００９２】一方、対向基板１４には、上記の第１の実
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、画素のエッジ部に沿って突起状構造物１６を形成
し、次いで、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、配向方向が突
起状構造物１６の主走査方向と同一とし、ストライプ状
電極１２の走査方向と８０°になるようにラビング処理
を施す。
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、画素のエッジ部に沿って突起状構造物１６を形成
し、次いで、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、配向方向が突
起状構造物１６の主走査方向と同一とし、ストライプ状
電極１２の走査方向と８０°になるようにラビング処理
を施す。
【００９３】次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶を注入し
て熱硬化性シールで貼り合わせて液晶表示装置を形成し
たのち、電圧を印加して液晶分子１８の配向状態を観察
したところ、上記の第１の実施の形態より応答速度に改
善が見られた。
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶を注入し
て熱硬化性シールで貼り合わせて液晶表示装置を形成し
たのち、電圧を印加して液晶分子１８の配向状態を観察
したところ、上記の第１の実施の形態より応答速度に改
善が見られた。
【００９４】また、ストライプ状電極１９の走査方向の
違いによって形成される２つの異なるドメイン間に生じ
るディスクリネーションを含む境界部については、上記
第１の実施の形態より細くしっかりと形成されていた。
違いによって形成される２つの異なるドメイン間に生じ
るディスクリネーションを含む境界部については、上記
第１の実施の形態より細くしっかりと形成されていた。
【００９５】次に、図４を参照して、本発明の第３の実
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図４（ａ）及び（ｂ）参照 図４（ａ）は、本発明の第３の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図４（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に幅３μｍ、間隙幅
４μｍのＩＴＯからなるストライプ状電極１２をＶ字状
に形成したのち、Ｖ字の中央部に突起状構造物２１し、
次いで、全面に垂直配向膜１３（ＪＡＬＳ−６８４：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布する。
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図４（ａ）及び（ｂ）参照 図４（ａ）は、本発明の第３の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図４（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に幅３μｍ、間隙幅
４μｍのＩＴＯからなるストライプ状電極１２をＶ字状
に形成したのち、Ｖ字の中央部に突起状構造物２１し、
次いで、全面に垂直配向膜１３（ＪＡＬＳ−６８４：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布する。
【００９６】一方、対向基板１４には、上記の第１の実
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、画素のエッジ部に沿って突起状構造物１６を形成
し、次いで、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、配向方向が突
起状構造物１６の主走査方向と同一とし、ストライプ状
電極１２の走査方向と８０°になるようにラビング処理
を施す。
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、画素のエッジ部に沿って突起状構造物１６を形成
し、次いで、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、配向方向が突
起状構造物１６の主走査方向と同一とし、ストライプ状
電極１２の走査方向と８０°になるようにラビング処理
を施す。
【００９７】次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶を注入し
て熱硬化性シールを用いて貼り合わせて液晶表示装置を
形成し、次いで、電圧を印加して液晶分子１８の配向状
態を観察したところ、従来のＨＡＮ型液晶表示装置に比
べて、黒表示−中間調−白表示の各透過率において、大
幅な改善が見られた。
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶を注入し
て熱硬化性シールを用いて貼り合わせて液晶表示装置を
形成し、次いで、電圧を印加して液晶分子１８の配向状
態を観察したところ、従来のＨＡＮ型液晶表示装置に比
べて、黒表示−中間調−白表示の各透過率において、大
幅な改善が見られた。
【００９８】
【表２】
表２は、突起状構造物を配置していない従来のＨＡＮ型
液晶表示装置における応答速度を１とした時に、各透過
率における応答速度の割合を示した表であり、１００
％、即ち、白表示は５．４Ｖ印加時の透過率であり、突
起状構造物を配置することにより、最大で約３倍ほど高
速な応答速度を得ることができた。また、同時にこのス
トライプ状電極パターンを採用することにより、配向分
割をも実現することが可能となり、視野角特性の改善も
見られた。
液晶表示装置における応答速度を１とした時に、各透過
率における応答速度の割合を示した表であり、１００
％、即ち、白表示は５．４Ｖ印加時の透過率であり、突
起状構造物を配置することにより、最大で約３倍ほど高
速な応答速度を得ることができた。また、同時にこのス
トライプ状電極パターンを採用することにより、配向分
割をも実現することが可能となり、視野角特性の改善も
見られた。
【００９９】次に、図５を参照して、本発明の第４の実
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図５（ａ）及び（ｂ）参照 図５（ａ）は、本発明の第４の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図５（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上にＩＴＯからなるス
トライプ状電極１２をＶ字状に形成したのち、全面にレ
ジスト（Ｓ１８０８：シプレイ社製商品名）を塗布し、
次いで、ストライプ状電極１２の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するようにパターニングしたのち、例えば、１
２０℃で３０分間のポストベーク処理を施し、次いで、
２００℃で４０分間の熱処理を施して厚さが０．７μｍ
以下、例えば、０．５μｍの絶縁薄層２２を形成する。
次いで、全面に垂直配向膜１３（ＪＡＬＳ−６８４：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布する。
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図５（ａ）及び（ｂ）参照 図５（ａ）は、本発明の第４の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図５（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上にＩＴＯからなるス
トライプ状電極１２をＶ字状に形成したのち、全面にレ
ジスト（Ｓ１８０８：シプレイ社製商品名）を塗布し、
次いで、ストライプ状電極１２の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するようにパターニングしたのち、例えば、１
２０℃で３０分間のポストベーク処理を施し、次いで、
２００℃で４０分間の熱処理を施して厚さが０．７μｍ
以下、例えば、０．５μｍの絶縁薄層２２を形成する。
次いで、全面に垂直配向膜１３（ＪＡＬＳ−６８４：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布する。
【０１００】一方、対向基板１４には、上記の第１の実
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８３：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布し、次いで、両基板を貼り合わ
せたときストライプ状電極１２とのなす角が４５°なる
ように一軸の配向性を有するようにラビンク処理を施
す。
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８３：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布し、次いで、両基板を貼り合わ
せたときストライプ状電極１２とのなす角が４５°なる
ように一軸の配向性を有するようにラビンク処理を施
す。
【０１０１】次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶（ＭＪ９
５７８５：メルク・ジャパン社製商品名）を注入して熱
硬化性シールを用いて貼り合わせて液晶パネルを形成
し、次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４との外側に
一対の偏光板をクロスニコルで貼り付けて表示装置を形
成したのち、電圧を印加して液晶分子１８の配向状態を
観察したところ、従来のＨＡＮ型液晶表示装置に比べ
て、黒表示−中間調−白表示の各透過率において、大幅
な改善が見られた。
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶（ＭＪ９
５７８５：メルク・ジャパン社製商品名）を注入して熱
硬化性シールを用いて貼り合わせて液晶パネルを形成
し、次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４との外側に
一対の偏光板をクロスニコルで貼り付けて表示装置を形
成したのち、電圧を印加して液晶分子１８の配向状態を
観察したところ、従来のＨＡＮ型液晶表示装置に比べ
て、黒表示−中間調−白表示の各透過率において、大幅
な改善が見られた。
【０１０２】図６（ａ）及び（ｂ）参照
図６（ａ）は、電圧を印加しない状態における液晶分子
１８の傾きの状態を示す概略的断面図であり、また、図
６（ｂ）は、電圧を印加した状態における液晶分子１８
の傾きの状態を示す概略的断面図である。図に示すよう
に、電圧Ｖを印加すると、絶縁薄層２２が形成されてい
ない部分から液晶分子１８は配向し、絶縁薄層２２を形
成した領域においては、絶縁薄層２２を形成していない
領域の後から配向することで、面積的に異なる透過率を
与えることが可能になる。
１８の傾きの状態を示す概略的断面図であり、また、図
６（ｂ）は、電圧を印加した状態における液晶分子１８
の傾きの状態を示す概略的断面図である。図に示すよう
に、電圧Ｖを印加すると、絶縁薄層２２が形成されてい
ない部分から液晶分子１８は配向し、絶縁薄層２２を形
成した領域においては、絶縁薄層２２を形成していない
領域の後から配向することで、面積的に異なる透過率を
与えることが可能になる。
【０１０３】また、絶縁薄層２２のエッジとストライプ
状電極１２の延伸方向と直交になるように形成している
ので、ＴＦＴ基板１１上における液晶分子１８が倒れ込
む方位角を制御することが可能になる。
状電極１２の延伸方向と直交になるように形成している
ので、ＴＦＴ基板１１上における液晶分子１８が倒れ込
む方位角を制御することが可能になる。
【０１０４】この様に、本発明の第４の実施の形態にお
いては、ストライプ状電極１２の幅や間隙幅に頼ること
なく、面積的に階調の異なる領域を設けているので、面
積応答的な効果から、液晶表示装置を高速化することが
できる。
いては、ストライプ状電極１２の幅や間隙幅に頼ること
なく、面積的に階調の異なる領域を設けているので、面
積応答的な効果から、液晶表示装置を高速化することが
できる。
【０１０５】次に、図７を参照して、本発明の第５の実
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図７（ａ）及び（ｂ）参照 図７（ａ）は、本発明の第５の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図７（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上にＩＴＯからなるス
トライプ状電極１２をＶ字状に形成したのち、全面にレ
ジスト（Ｓ１８０８：シプレイ社製商品名）を塗布し、
次いで、ストライプ状電極１２の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するようにパターニングしたのち、例えば、１
２０℃で３０分間のポストベーク処理を施し、次いで、
２００℃で４０分間の熱処理を施して厚さが０．７μｍ
以下、例えば、０．５μｍの抜きパターンからなる絶縁
薄層２３を形成する。次いで、全面に垂直配向膜１３
（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布する。
施の形態の液晶表示装置を説明する。 図７（ａ）及び（ｂ）参照 図７（ａ）は、本発明の第５の実施の形態の液晶表示装
置の画素の要部平面図であり、また、図７（ｂ）は要部
断面図であり、ＴＦＴ基板側１１上にＩＴＯからなるス
トライプ状電極１２をＶ字状に形成したのち、全面にレ
ジスト（Ｓ１８０８：シプレイ社製商品名）を塗布し、
次いで、ストライプ状電極１２の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するようにパターニングしたのち、例えば、１
２０℃で３０分間のポストベーク処理を施し、次いで、
２００℃で４０分間の熱処理を施して厚さが０．７μｍ
以下、例えば、０．５μｍの抜きパターンからなる絶縁
薄層２３を形成する。次いで、全面に垂直配向膜１３
（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布する。
【０１０６】一方、対向基板１４には、上記の第１の実
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８３：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布し、次いで、両基板を貼り合わ
せたときストライプ状電極１２とのなす角が４５°なる
ように一軸の配向性を有するようにラビンク処理を施
す。
施の形態と同様に、ベタ状のＩＴＯ電極１５を形成した
のち、全面に水平配向膜１７（ＪＡＬＳ−１０８３：Ｊ
ＳＲ社製商品名）を塗布し、次いで、両基板を貼り合わ
せたときストライプ状電極１２とのなす角が４５°なる
ように一軸の配向性を有するようにラビンク処理を施
す。
【０１０７】次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶（ＭＪ９
５７８５：メルク・ジャパン社製商品名）を注入して熱
硬化性シールを用いて貼り合わせて液晶パネルを形成
し、次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４との外側に
一対の偏光板をクロスニコルで貼り付けて表示装置を形
成したのち、電圧を印加して液晶分子１８の配向状態を
観察したところ、より高速応答性が見られた。
を対向させたのち、負の誘電異方性を持つ液晶（ＭＪ９
５７８５：メルク・ジャパン社製商品名）を注入して熱
硬化性シールを用いて貼り合わせて液晶パネルを形成
し、次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４との外側に
一対の偏光板をクロスニコルで貼り付けて表示装置を形
成したのち、電圧を印加して液晶分子１８の配向状態を
観察したところ、より高速応答性が見られた。
【０１０８】これは、ストライプ状電極１２の集合部に
おいて絶縁薄層２３が少なくなり、ストライプ状電極１
２の集合部においてしっかり電圧がかかるので液晶分子
１８の方位が安定化するためと考えられる。
おいて絶縁薄層２３が少なくなり、ストライプ状電極１
２の集合部においてしっかり電圧がかかるので液晶分子
１８の方位が安定化するためと考えられる。
【０１０９】次に、図８を参照して、本発明の第６及び
第７の実施の形態の液晶表示装置を説明するがストライ
プ状電極パターンが異なるだけ、他の構成は上記第４或
いは第５の実施の形態と同様であるので、平面図のみを
示し、詳細な説明は省略する。 図８（ａ）参照 図８（ａ）は、上記の第４の実施の形態に対応する本発
明の第６の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極１９をＶ字
の交点で非接合に形成したのち、ストライプ状電極１９
の延伸方向に垂直にエッジが交差するように絶縁薄層２
２を形成したものである。この場合も上記の第４の実施
の形態と同様の効果が得られる。
第７の実施の形態の液晶表示装置を説明するがストライ
プ状電極パターンが異なるだけ、他の構成は上記第４或
いは第５の実施の形態と同様であるので、平面図のみを
示し、詳細な説明は省略する。 図８（ａ）参照 図８（ａ）は、上記の第４の実施の形態に対応する本発
明の第６の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極１９をＶ字
の交点で非接合に形成したのち、ストライプ状電極１９
の延伸方向に垂直にエッジが交差するように絶縁薄層２
２を形成したものである。この場合も上記の第４の実施
の形態と同様の効果が得られる。
【０１１０】図８（ｂ）参照
図８（ｂ）は、上記の第５の実施の形態に対応する本発
明の第７の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極１９をＶ字
の交点で非接合に形成したのち、ストライプ状電極１９
の延伸方向に垂直にエッジが交差するように抜きパター
ンの絶縁薄層２３を形成したものである。この場合も上
記の第５の実施の形態と同様の効果が得られる。
明の第７の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極１９をＶ字
の交点で非接合に形成したのち、ストライプ状電極１９
の延伸方向に垂直にエッジが交差するように抜きパター
ンの絶縁薄層２３を形成したものである。この場合も上
記の第５の実施の形態と同様の効果が得られる。
【０１１１】次に、図９を参照して、本発明の第８及び
第９の実施の形態の液晶表示装置を説明するがストライ
プ状電極パターンが異なるだけ、他の構成は上記第４或
いは第５の実施の形態と同様であるので、平面図のみを
示し、詳細な説明は省略する。 図９（ａ）参照 図９（ａ）は、上記の第４の実施の形態に対応する本発
明の第８の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極部２５と背
骨状電極部２６とからなる魚の骨状電極２４を形成した
のち、ストライプ状電極部２５の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するように絶縁薄層２２を形成したものであ
る。この場合も上記の第４の実施の形態と同様に応答速
度の改善が見られる。
第９の実施の形態の液晶表示装置を説明するがストライ
プ状電極パターンが異なるだけ、他の構成は上記第４或
いは第５の実施の形態と同様であるので、平面図のみを
示し、詳細な説明は省略する。 図９（ａ）参照 図９（ａ）は、上記の第４の実施の形態に対応する本発
明の第８の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極部２５と背
骨状電極部２６とからなる魚の骨状電極２４を形成した
のち、ストライプ状電極部２５の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するように絶縁薄層２２を形成したものであ
る。この場合も上記の第４の実施の形態と同様に応答速
度の改善が見られる。
【０１１２】図９（ｂ）参照
図９（ｂ）は、上記の第５の実施の形態に対応する本発
明の第９の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極部２５と背
骨状電極部２６とからなる魚の骨状電極２４を形成した
のち、ストライプ状電極部２５の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するように抜きパターンの絶縁薄層２３を形成
したものである。この場合は、電圧が一番印加される背
骨状電極部２６上の絶縁薄層２３が少ないので、より電
圧が印加され、それによって液晶分子１８の方位が安定
化するので、優れた高速応答性が得られる。
明の第９の実施の形態の液晶表示装置の画素の要部平面
図であり、ＩＴＯからなるストライプ状電極部２５と背
骨状電極部２６とからなる魚の骨状電極２４を形成した
のち、ストライプ状電極部２５の延伸方向に垂直にエッ
ジが交差するように抜きパターンの絶縁薄層２３を形成
したものである。この場合は、電圧が一番印加される背
骨状電極部２６上の絶縁薄層２３が少ないので、より電
圧が印加され、それによって液晶分子１８の方位が安定
化するので、優れた高速応答性が得られる。
【０１１３】次に、図１０を参照して、本発明の第４及
び第５の実施の形態の液晶表示装置に対する比較例を説
明するが、絶縁薄層のパターンが異なるだけ、他の構成
は上記第４或いは第５の実施の形態と同様であるので、
平面図のみを示し、詳細な説明は省略する。 図１０（ａ）参照 図１０（ａ）は、上記の第４の実施の形態に対応する比
較例の画素の要部平面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に
ＩＴＯからなるストライプ状電極１２をＶ字状に形成し
たのち、中央にストライプ状の絶縁薄層２７を形成した
ものである。この場合は、絶縁薄層２７のエッジとスト
ライプ状電極１２の延伸方向とは直交していないので、
応答速度の改善は不十分であった。
び第５の実施の形態の液晶表示装置に対する比較例を説
明するが、絶縁薄層のパターンが異なるだけ、他の構成
は上記第４或いは第５の実施の形態と同様であるので、
平面図のみを示し、詳細な説明は省略する。 図１０（ａ）参照 図１０（ａ）は、上記の第４の実施の形態に対応する比
較例の画素の要部平面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に
ＩＴＯからなるストライプ状電極１２をＶ字状に形成し
たのち、中央にストライプ状の絶縁薄層２７を形成した
ものである。この場合は、絶縁薄層２７のエッジとスト
ライプ状電極１２の延伸方向とは直交していないので、
応答速度の改善は不十分であった。
【０１１４】図１０（ｂ）参照
図１０（ｂ）は、上記の第５の実施の形態に対応する比
較例の画素の要部平面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に
ＩＴＯからなるストライプ状電極１２をＶ字状に形成し
たのち、周辺部に２本の平行なストライプ状の絶縁薄層
２８を形成したものである。この場合も、絶縁薄層２８
のエッジとストライプ状電極１２の延伸方向とは直交し
ていないので、応答速度の改善は不十分であった。
較例の画素の要部平面図であり、ＴＦＴ基板側１１上に
ＩＴＯからなるストライプ状電極１２をＶ字状に形成し
たのち、周辺部に２本の平行なストライプ状の絶縁薄層
２８を形成したものである。この場合も、絶縁薄層２８
のエッジとストライプ状電極１２の延伸方向とは直交し
ていないので、応答速度の改善は不十分であった。
【０１１５】次に、図１１を参照して、本発明の第１０
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１１（ａ）参照 図１１（ａ）は、本発明の第１０の実施の形態の液晶表
示装置の画素の概念的斜視図であり、ＴＦＴ基板側には
ＩＴＯからなる幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μ
ｍで、間隙幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍの
ストライプ状電極３１を設けるとともに垂直配向膜（Ｊ
ＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布し、一方、
対向基板側にはべた状のＩＴＯ電極３２を設けるととも
に水平配向膜（ＪＡＬＳ−１０８３：ＪＳＲ社製商品
名）を塗布する。
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１１（ａ）参照 図１１（ａ）は、本発明の第１０の実施の形態の液晶表
示装置の画素の概念的斜視図であり、ＴＦＴ基板側には
ＩＴＯからなる幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μ
ｍで、間隙幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍの
ストライプ状電極３１を設けるとともに垂直配向膜（Ｊ
ＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布し、一方、
対向基板側にはべた状のＩＴＯ電極３２を設けるととも
に水平配向膜（ＪＡＬＳ−１０８３：ＪＳＲ社製商品
名）を塗布する。
【０１１６】一方、水平配向基板側に、フォトレジスト
（Ｓ１８０８：シプレイ・ファー・イースト社製商品
名）を用いて、対象とする領域以外を覆い、選択的にラ
ビング処理を行う作業を２度繰り返すことにより、所望
の２方向のプレチルトを得た。
（Ｓ１８０８：シプレイ・ファー・イースト社製商品
名）を用いて、対象とする領域以外を覆い、選択的にラ
ビング処理を行う作業を２度繰り返すことにより、所望
の２方向のプレチルトを得た。
【０１１７】次いで、垂直配向側の基板のストライプ状
電極３１の走査方向を基準に、水平配向側の基板におけ
る２方向のプレチルトの方位角が±４５°となるように
対向させ、熱硬化性シールを用いて両基板を貼り合わせ
て、ｎ型液晶（ＭＪ９５７８５：メルク・ジャパン社製
商品名）を充填する。なお、水平配向側の基板の配向処
理方向に、クロスニコルとして貼付した。
電極３１の走査方向を基準に、水平配向側の基板におけ
る２方向のプレチルトの方位角が±４５°となるように
対向させ、熱硬化性シールを用いて両基板を貼り合わせ
て、ｎ型液晶（ＭＪ９５７８５：メルク・ジャパン社製
商品名）を充填する。なお、水平配向側の基板の配向処
理方向に、クロスニコルとして貼付した。
【０１１８】この様な液晶表示装置について、配向観察
したところ、上述の図３６に示した配向分割を行った従
来例ではドメイン境界部に一本の暗線が生じていたが、
この本発明の第１０の実施の形態においては、ドメイン
境界部に暗線が発生しないことが確認された。
したところ、上述の図３６に示した配向分割を行った従
来例ではドメイン境界部に一本の暗線が生じていたが、
この本発明の第１０の実施の形態においては、ドメイン
境界部に暗線が発生しないことが確認された。
【０１１９】また、この第１０の実施の形態において
は、ドメイン境界線に対して垂直方向から見た視野角特
性は対称であり、上述の従来例以上に優れた視野角特性
が得られることが確認された。
は、ドメイン境界線に対して垂直方向から見た視野角特
性は対称であり、上述の従来例以上に優れた視野角特性
が得られることが確認された。
【０１２０】図１１（ｂ）参照
図１１（ｂ）は、本発明の第１０の実施の形態における
ドメイン境界近傍における液晶分子の配向状態を示す概
念的断面図であり、図１１（ａ）に示した配向分割構造
を用いると、ドメイン境界部において、液晶分子の方位
角はドメイン部の理想配向方向と一致するため、透過率
のロスは発生しない。また、配向分割されるそれぞれの
領域が、ドメイン境界部に対して対称であるため、スト
ライプパターンの走査方向の視野角特性が均一に改善さ
れる。
ドメイン境界近傍における液晶分子の配向状態を示す概
念的断面図であり、図１１（ａ）に示した配向分割構造
を用いると、ドメイン境界部において、液晶分子の方位
角はドメイン部の理想配向方向と一致するため、透過率
のロスは発生しない。また、配向分割されるそれぞれの
領域が、ドメイン境界部に対して対称であるため、スト
ライプパターンの走査方向の視野角特性が均一に改善さ
れる。
【０１２１】なお、この第１０の実施の形態において
は、垂直配向側の基板のストライプパターンの走査方向
と、水平配向側の基板における２方向のプレチルトの方
位角との角度を±４５°としたが、この角度θは、４５
°≦θ＜９０°の範囲で、角度が大きい方が、応答特性
は若干悪くなるが、より高い透過率が得られる。
は、垂直配向側の基板のストライプパターンの走査方向
と、水平配向側の基板における２方向のプレチルトの方
位角との角度を±４５°としたが、この角度θは、４５
°≦θ＜９０°の範囲で、角度が大きい方が、応答特性
は若干悪くなるが、より高い透過率が得られる。
【０１２２】但し、この角度が４５°でない場合は、電
圧無印加時のリタデーションの発生を防ぐため、水平配
向基板のプレチルト方位角を変えるのではなく、ストラ
イプパターンの方向を変える必要がある。即ち、ストラ
イプパターンを図に示すような一軸である必要はない。
圧無印加時のリタデーションの発生を防ぐため、水平配
向基板のプレチルト方位角を変えるのではなく、ストラ
イプパターンの方向を変える必要がある。即ち、ストラ
イプパターンを図に示すような一軸である必要はない。
【０１２３】また、この第１０の実施の形態において
は、１画素を２分割しているが、２分割に限られるもの
ではなく、複数の領域に分け、ドメイン境界線が互いに
直交するように、本配向分割構造を形成することによ
り、上下左右で均一なより優れた視野角特性が得られ
る。
は、１画素を２分割しているが、２分割に限られるもの
ではなく、複数の領域に分け、ドメイン境界線が互いに
直交するように、本配向分割構造を形成することによ
り、上下左右で均一なより優れた視野角特性が得られ
る。
【０１２４】例えば、１画素を２分し、それぞれの領域
で本配向分割構造を、９０°異なる角度で形成すること
により、４方位とも視野角が対称な優れた視野角特性が
得られると考えられる。
で本配向分割構造を、９０°異なる角度で形成すること
により、４方位とも視野角が対称な優れた視野角特性が
得られると考えられる。
【０１２５】次に、図１２を参照して、本発明の第１１
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、上記の第１
０の実施の形態においてドメイン境界部の突起状構造物
を設けたものである。 図１２参照 図１２は、本発明の第１１の実施の形態の液晶表示装置
の画素の概念的斜視図であり、ＴＦＴ基板側にはＩＴＯ
からなる幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍで、
間隙幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍのストラ
イプ状電極３１を設けたのち、フォトレジスト（Ｓ１８
０８：シプレイ・ファー・イースト社製商品名）を用い
てドメイン境界部に高さが０．１〜０．７μｍ、例え
ば、０．３μｍの突起状構造物３３を形成し、次いで、
突起状構造物３３の表面に透明電極（図示を省略）を設
けることによって導電性突起物としたのち、全面に垂直
配向膜（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布
する。
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、上記の第１
０の実施の形態においてドメイン境界部の突起状構造物
を設けたものである。 図１２参照 図１２は、本発明の第１１の実施の形態の液晶表示装置
の画素の概念的斜視図であり、ＴＦＴ基板側にはＩＴＯ
からなる幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍで、
間隙幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍのストラ
イプ状電極３１を設けたのち、フォトレジスト（Ｓ１８
０８：シプレイ・ファー・イースト社製商品名）を用い
てドメイン境界部に高さが０．１〜０．７μｍ、例え
ば、０．３μｍの突起状構造物３３を形成し、次いで、
突起状構造物３３の表面に透明電極（図示を省略）を設
けることによって導電性突起物としたのち、全面に垂直
配向膜（ＪＡＬＳ−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布
する。
【０１２６】一方、対向基板側にはべた状のＩＴＯ電極
３２を設けるとともに水平配向膜（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、フォトレジス
ト（Ｓ１８０８：シプレイ・ファー・イースト社製商品
名）を用いて、対象とする領域以外を覆い、選択的にラ
ビング処理を行う作業を２度繰り返すことにより、所望
の２方向のプレチルトを得た。
３２を設けるとともに水平配向膜（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、フォトレジス
ト（Ｓ１８０８：シプレイ・ファー・イースト社製商品
名）を用いて、対象とする領域以外を覆い、選択的にラ
ビング処理を行う作業を２度繰り返すことにより、所望
の２方向のプレチルトを得た。
【０１２７】次いで、垂直配向側の基板のストライプ状
電極３１の走査方向を基準に、水平配向側の基板におけ
る２方向のプレチルトの方位角が±４５°となるように
対向させ、熱硬化性シールを用いて両基板を貼り合わせ
て、ｎ型液晶（ＭＪ９５７８５：メルク・ジャパン社製
商品名）を充填する。なお、水平配向側の基板の配向処
理方向に、クロスニコルとして貼付した。
電極３１の走査方向を基準に、水平配向側の基板におけ
る２方向のプレチルトの方位角が±４５°となるように
対向させ、熱硬化性シールを用いて両基板を貼り合わせ
て、ｎ型液晶（ＭＪ９５７８５：メルク・ジャパン社製
商品名）を充填する。なお、水平配向側の基板の配向処
理方向に、クロスニコルとして貼付した。
【０１２８】この本発明の第１１の実施の形態について
配向観察したところ、上記の第１０の実施の形態におい
ては発生していた、ドメイン境界部での配向異常部がほ
とんど存在せず、全体の液晶配向は、ほぼ理想状態であ
ることが確認できた。
配向観察したところ、上記の第１０の実施の形態におい
ては発生していた、ドメイン境界部での配向異常部がほ
とんど存在せず、全体の液晶配向は、ほぼ理想状態であ
ることが確認できた。
【０１２９】また、閾値については、５％程度低下した
ことが確認され、この様な導電性の突起状構造物３３の
高さ，幅を大きくし、導電性の突起状構造物３３が電界
に与える影響を大きくすることにより、更に閾値を低く
することが可能であると考えられる。
ことが確認され、この様な導電性の突起状構造物３３の
高さ，幅を大きくし、導電性の突起状構造物３３が電界
に与える影響を大きくすることにより、更に閾値を低く
することが可能であると考えられる。
【０１３０】この様に、本発明の第１１の実施の形態に
おいては、水平配向側の基板上に、ドメイン境界部に沿
って導電性の突起状構造物３３を設けているので、導電
性の突起状構造物３３により付加される電界分布は、ド
メイン境界部周辺の液晶分子を所望の方向に傾斜させる
作用が働くと同時に、ドメイン部以上の電界がドメイン
境界部に印加されるため、ドメイン境界部の配向をより
安定に実現することができ、結果として、表示不良の原
因となる、ドメイン境界部に発生する異常配向領域の発
生を低減することができる。
おいては、水平配向側の基板上に、ドメイン境界部に沿
って導電性の突起状構造物３３を設けているので、導電
性の突起状構造物３３により付加される電界分布は、ド
メイン境界部周辺の液晶分子を所望の方向に傾斜させる
作用が働くと同時に、ドメイン部以上の電界がドメイン
境界部に印加されるため、ドメイン境界部の配向をより
安定に実現することができ、結果として、表示不良の原
因となる、ドメイン境界部に発生する異常配向領域の発
生を低減することができる。
【０１３１】さらに、導電性の突起状構造物の代わりに
ストライプパターンの電極の抜きを適用した場合、実効
電圧の低下により発生する閾値の上昇を抑制する効果も
働くため、低電圧駆動化も同時に実現される。
ストライプパターンの電極の抜きを適用した場合、実効
電圧の低下により発生する閾値の上昇を抑制する効果も
働くため、低電圧駆動化も同時に実現される。
【０１３２】なお、上記の第１０及び第１１の実施の形
態においては、垂直配向側の基板上に設ける電界を歪ま
せる作用を持つ一軸の方向性を持ったストライプパター
ンは、ストライプ状電極或いは見方を変えると電極の抜
きであるが、ストライプパターンを絶縁性の突起状構造
物或いは導電性の突起状構造物で形成した場合も、同様
の効果が得られる。
態においては、垂直配向側の基板上に設ける電界を歪ま
せる作用を持つ一軸の方向性を持ったストライプパター
ンは、ストライプ状電極或いは見方を変えると電極の抜
きであるが、ストライプパターンを絶縁性の突起状構造
物或いは導電性の突起状構造物で形成した場合も、同様
の効果が得られる。
【０１３３】なお、上記の第１０及び第１１の実施の形
態における構成の２分割の配向分割構造では、４方位と
の視野角が対称である優れた視野角特性が実現されない
が、１画素を少なくとも２つの分け、夫々の領域で上述
の分割配向構造を９０°異なる角度で形成することによ
り４方位との視野角が対称である優れた視野角特性が得
られる。その際、点対称である優れた視野角特性実現す
るためには、１画素を等分割に分け、夫々の領域に上述
の配向分割構造を適用すれば良い。
態における構成の２分割の配向分割構造では、４方位と
の視野角が対称である優れた視野角特性が実現されない
が、１画素を少なくとも２つの分け、夫々の領域で上述
の分割配向構造を９０°異なる角度で形成することによ
り４方位との視野角が対称である優れた視野角特性が得
られる。その際、点対称である優れた視野角特性実現す
るためには、１画素を等分割に分け、夫々の領域に上述
の配向分割構造を適用すれば良い。
【０１３４】次に、図１３を参照して、本発明の第１２
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１３参照 図１３は、本発明の第１２の実施の形態の液晶表示装置
の画素の概念的斜視図であり、ＴＦＴ基板側にはＩＴＯ
からなる幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍで、
間隙幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍのストラ
イプ状電極３１を設けるとともに垂直配向膜（ＪＡＬＳ
−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布する。
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１３参照 図１３は、本発明の第１２の実施の形態の液晶表示装置
の画素の概念的斜視図であり、ＴＦＴ基板側にはＩＴＯ
からなる幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍで、
間隙幅が０．５〜５．０μｍ、例えば、３μｍのストラ
イプ状電極３１を設けるとともに垂直配向膜（ＪＡＬＳ
−６８４：ＪＳＲ社製商品名）を塗布する。
【０１３５】一方、対向基板側にはべた状のＩＴＯ電極
３２を設けるとともに水平配向膜（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、ラビング処理
を行うことにより所望のプレチルトを得た。
３２を設けるとともに水平配向膜（ＪＡＬＳ−１０８
３：ＪＳＲ社製商品名）を塗布したのち、ラビング処理
を行うことにより所望のプレチルトを得た。
【０１３６】次いで、垂直配向側の基板のストライプ状
電極３１の走査方向を基準に、水平配向側の基板におけ
るプレチルトの方位角が６５°となるように対向させ、
熱硬化性シールを用いて両基板を貼り合わせて、例え
ば、光硬化性組成物（ＵＣＬ−００１−Ｋ１：大日本イ
ンク社製商品名）を１．０重量％添加したｎ型液晶（Ｍ
Ｊ９５７８５：メルク・ジャパン社製商品名）を充填す
る。次いで、液晶セルに５．０Ｖの電圧を印加した状態
で、紫外線を照射することによって、光硬化性組成物を
硬化する。
電極３１の走査方向を基準に、水平配向側の基板におけ
るプレチルトの方位角が６５°となるように対向させ、
熱硬化性シールを用いて両基板を貼り合わせて、例え
ば、光硬化性組成物（ＵＣＬ−００１−Ｋ１：大日本イ
ンク社製商品名）を１．０重量％添加したｎ型液晶（Ｍ
Ｊ９５７８５：メルク・ジャパン社製商品名）を充填す
る。次いで、液晶セルに５．０Ｖの電圧を印加した状態
で、紫外線を照射することによって、光硬化性組成物を
硬化する。
【０１３７】この様な液晶表示装置について、応答特
性、透過率、及び、コントラストを調べた結果を纏めた
のが、上記の表１である。この表１は上述のように従来
例の結果も合わせて示したものであり、応答時間の出発
電圧０Ｖ、透過率は８．０Ｖ、コントラストは０Ｖと
８．０Ｖの透過率比であるので、ここで、再び表１を参
照して本発明の第１２の実施の形態における作用効果を
説明する。
性、透過率、及び、コントラストを調べた結果を纏めた
のが、上記の表１である。この表１は上述のように従来
例の結果も合わせて示したものであり、応答時間の出発
電圧０Ｖ、透過率は８．０Ｖ、コントラストは０Ｖと
８．０Ｖの透過率比であるので、ここで、再び表１を参
照して本発明の第１２の実施の形態における作用効果を
説明する。
【０１３８】表から明らかなように、透過率とコントラ
ストに関しては、従来例１と比較し若干低下したが、
４．０Ｖを中心とした応答の遅い領域が改善し、全体的
に階調依存の少ない優れた応答特性が得られた。
ストに関しては、従来例１と比較し若干低下したが、
４．０Ｖを中心とした応答の遅い領域が改善し、全体的
に階調依存の少ない優れた応答特性が得られた。
【０１３９】これは、液晶層中の光硬化物が、両基板上
の配向膜が液晶分子に及ぼす配向規制力とは異なる方向
に配向規制力を与えるため、液晶分子３３には、両基板
上の配向膜による配向規制力に加え、第二の配向規制力
が加わり、この第二の配向規制力の方向を、電圧印加時
に液晶分子が傾斜する方向と等しくすることにより、高
速化が得られるためである。
の配向膜が液晶分子に及ぼす配向規制力とは異なる方向
に配向規制力を与えるため、液晶分子３３には、両基板
上の配向膜による配向規制力に加え、第二の配向規制力
が加わり、この第二の配向規制力の方向を、電圧印加時
に液晶分子が傾斜する方向と等しくすることにより、高
速化が得られるためである。
【０１４０】詳細には、液晶分子３３の方位角が変化す
る方向に、光硬化物が方向性を持たせるため、ストライ
プパターンを形成しているストライプ電極の内側のエッ
ジと外側のエッジが発する配向制御能の差を小さくする
ことができ、結果的に、ひとつのストライプの内側と外
側のエッジでの配向制御能の違いによって生じる液晶配
向が安定するまでの時間を短くすることができ、階調依
存が少ない優れた応答特性が得られるものと考えられ
る。
る方向に、光硬化物が方向性を持たせるため、ストライ
プパターンを形成しているストライプ電極の内側のエッ
ジと外側のエッジが発する配向制御能の差を小さくする
ことができ、結果的に、ひとつのストライプの内側と外
側のエッジでの配向制御能の違いによって生じる液晶配
向が安定するまでの時間を短くすることができ、階調依
存が少ない優れた応答特性が得られるものと考えられ
る。
【０１４１】また、同時に液晶分子の極角方向の配向も
保持されるため、より液晶分子が傾いた状態でスイッチ
ングが可能となる。結果的に、同時に視野角特性も改善
され、より高品位な液晶表示パネルが得られる。
保持されるため、より液晶分子が傾いた状態でスイッチ
ングが可能となる。結果的に、同時に視野角特性も改善
され、より高品位な液晶表示パネルが得られる。
【０１４２】次に、図１４を参照して、本発明の第１３
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、ＴＦＴ基板
側のストライプ状電極パターンを上述の図３６に示した
構造を採用して配向分割したものであり、その他の構成
は上記の第１２の実施の形態の液晶表示装置と全く同様
であるので、詳細な説明は省略する。 図１４参照 図１４は本発明の第１３の実施の形態の液晶表示装置の
画素の概略的斜視図であり、垂直配向基板側に幅が３μ
ｍで間隙幅が３μｍのストライプ状電極を配向処理方向
に対して夫々４５°傾斜したストライプ状電極３５，３
６を設けたものであり、２つのストライプ状電極３５，
３６の境界に幅１０μｍの抜きパターンを設けたもので
ある。
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、ＴＦＴ基板
側のストライプ状電極パターンを上述の図３６に示した
構造を採用して配向分割したものであり、その他の構成
は上記の第１２の実施の形態の液晶表示装置と全く同様
であるので、詳細な説明は省略する。 図１４参照 図１４は本発明の第１３の実施の形態の液晶表示装置の
画素の概略的斜視図であり、垂直配向基板側に幅が３μ
ｍで間隙幅が３μｍのストライプ状電極を配向処理方向
に対して夫々４５°傾斜したストライプ状電極３５，３
６を設けたものであり、２つのストライプ状電極３５，
３６の境界に幅１０μｍの抜きパターンを設けたもので
ある。
【０１４３】この様な液晶表示装置について、応答特
性、透過率、及び、コントラストを調べた結果も上記の
表１に纏めて示している。なお、表１においては、図３
６に示した従来例を従来例２として示している。表１か
ら明らかなように、２分割の配向分割を行ったことによ
る応答改善効果に、光硬化物により第二の配向規制力を
付加した応答改善効果が加わり、更に優れた応答特性が
得られた。
性、透過率、及び、コントラストを調べた結果も上記の
表１に纏めて示している。なお、表１においては、図３
６に示した従来例を従来例２として示している。表１か
ら明らかなように、２分割の配向分割を行ったことによ
る応答改善効果に、光硬化物により第二の配向規制力を
付加した応答改善効果が加わり、更に優れた応答特性が
得られた。
【０１４４】なお、この第１２及び第１３の実施の形態
においては、垂直配向側の基板のストライプパターンの
走査方向と、水平配向側の基板におけるプレチルトの方
位角との角度を６５°としたが、６５°に限られるもの
ではなく、４５°≦θ＜９０°の範囲で、目的や用途に
応じて選択することができる。この場合、応答特性と透
過率は、トレードオフの関係にあり、角度が小さい方が
より優れた応答特性が得られ、角度が大きい方がより高
い透過率が得られる。
においては、垂直配向側の基板のストライプパターンの
走査方向と、水平配向側の基板におけるプレチルトの方
位角との角度を６５°としたが、６５°に限られるもの
ではなく、４５°≦θ＜９０°の範囲で、目的や用途に
応じて選択することができる。この場合、応答特性と透
過率は、トレードオフの関係にあり、角度が小さい方が
より優れた応答特性が得られ、角度が大きい方がより高
い透過率が得られる。
【０１４５】また、この第１２及び第１３の実施の形態
における光硬化性組成物の添加量或いは紫外線照射によ
り硬化する際の印加電圧については、応答速度に対し、
コントラストはトレードオフの関係にあり、目的や用途
に応じて選択することができる。例えば、添加量は５．
０重量％以内の範囲で、添加量が多いほどより優れた応
答特性が得られ、添加量が少ないほど高いコントラスト
が得られ、一方、硬化時の印加電圧については、高い電
圧ほどより優れた応答特性が得られ、低い電圧ほど高い
コントラストが得られる。
における光硬化性組成物の添加量或いは紫外線照射によ
り硬化する際の印加電圧については、応答速度に対し、
コントラストはトレードオフの関係にあり、目的や用途
に応じて選択することができる。例えば、添加量は５．
０重量％以内の範囲で、添加量が多いほどより優れた応
答特性が得られ、添加量が少ないほど高いコントラスト
が得られ、一方、硬化時の印加電圧については、高い電
圧ほどより優れた応答特性が得られ、低い電圧ほど高い
コントラストが得られる。
【０１４６】さらに、この第１２及び第１３の実施の形
態における垂直配向側の基板上に設ける電界を歪ませる
作用を持つストライプパターンは、一軸の方向性を持っ
たストライプ電極であるが、ストライプパターンを絶縁
性の構造物，もしくは導電性の構造物で形成した場合
も、同様の効果が得られる。
態における垂直配向側の基板上に設ける電界を歪ませる
作用を持つストライプパターンは、一軸の方向性を持っ
たストライプ電極であるが、ストライプパターンを絶縁
性の構造物，もしくは導電性の構造物で形成した場合
も、同様の効果が得られる。
【０１４７】次に、図１５を参照して、本発明の第１４
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１５（ａ）及び（ｂ）参照 図１５（ａ）は、本発明の第１４の実施の形態の画素の
概略的平面図であり、また、図１５（ｂ）は概略的断面
図である。まず、ＴＦＴ、ゲートバスライン、及び、デ
ータバスライン等（いずれも図示を省略）が形成された
ＴＦＴ基板１１上に、画素電極として、例えば、３μｍ
／３μｍのライン・アンド・スペースの微細なストライ
プ状電極部２５と背骨状電極部２６とからなる魚の骨状
電極２４を形成したのち、垂直配向膜１３を形成する。
この場合、１画素はストライプ状パターンの方向が４５
°と１３５°の２つの領域に分割されている。
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１５（ａ）及び（ｂ）参照 図１５（ａ）は、本発明の第１４の実施の形態の画素の
概略的平面図であり、また、図１５（ｂ）は概略的断面
図である。まず、ＴＦＴ、ゲートバスライン、及び、デ
ータバスライン等（いずれも図示を省略）が形成された
ＴＦＴ基板１１上に、画素電極として、例えば、３μｍ
／３μｍのライン・アンド・スペースの微細なストライ
プ状電極部２５と背骨状電極部２６とからなる魚の骨状
電極２４を形成したのち、垂直配向膜１３を形成する。
この場合、１画素はストライプ状パターンの方向が４５
°と１３５°の２つの領域に分割されている。
【０１４８】一方、カラーフィルタ（図示を省略）を設
けた対向基板１４上に、べた状のＩＴＯ電極１５を設け
るとともに、水平配向膜１７を塗布し、水平配向膜１７
に対して、ラビングあるいは紫外線照射による光配向技
術などにより配向処理を施し、 対向基板１４上において
水平から若干傾いた方向に配向するようにする。例え
ば、水平配向膜１７を設けた対向基板１４側においては
プレチルト角が０°＜θ≦２０°となるようにする。
けた対向基板１４上に、べた状のＩＴＯ電極１５を設け
るとともに、水平配向膜１７を塗布し、水平配向膜１７
に対して、ラビングあるいは紫外線照射による光配向技
術などにより配向処理を施し、 対向基板１４上において
水平から若干傾いた方向に配向するようにする。例え
ば、水平配向膜１７を設けた対向基板１４側においては
プレチルト角が０°＜θ≦２０°となるようにする。
【０１４９】次いで、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と
対向させてスペーサを介して貼り合わせ、負の誘電率異
方性を有するネマティック液晶を封入して、液晶パネル
を作製し、液晶パネルの両側に、吸収軸が互いに直交す
るように一対の偏光素子３７，３８を配置する。
対向させてスペーサを介して貼り合わせ、負の誘電率異
方性を有するネマティック液晶を封入して、液晶パネル
を作製し、液晶パネルの両側に、吸収軸が互いに直交す
るように一対の偏光素子３７，３８を配置する。
【０１５０】図１６参照
この時、図１６に示すように、一方の偏光素子と液晶パ
ネルとの間に、例えば、対向基板１４と偏光素子３７と
の間に、光学的に負の一軸性を有するディスコティック
液晶からなり、その光軸のフィルム面に対する角度が、
フィルムの厚さ方向にわたって変化している位相差フィ
ルム３９を一層配置する。
ネルとの間に、例えば、対向基板１４と偏光素子３７と
の間に、光学的に負の一軸性を有するディスコティック
液晶からなり、その光軸のフィルム面に対する角度が、
フィルムの厚さ方向にわたって変化している位相差フィ
ルム３９を一層配置する。
【０１５１】図に示すように、電圧無印加時には、液晶
分子１８は両基板間において、ネマティック液晶の液晶
分子１８の光軸がほぼ垂直配向からほぼ水平配向へと連
続的に変化するモノドメイン配向となっており、一方、
位相差フィルム３９においてはディスコティック液晶分
子４０の光軸がほぼ水平方向から垂直方向に変化してお
り、液晶分子１８の配向状態とディスコティック液晶分
子４０の対向状態が、鏡面対称となっているので、大き
な光学的補償効果を得ることができる。
分子１８は両基板間において、ネマティック液晶の液晶
分子１８の光軸がほぼ垂直配向からほぼ水平配向へと連
続的に変化するモノドメイン配向となっており、一方、
位相差フィルム３９においてはディスコティック液晶分
子４０の光軸がほぼ水平方向から垂直方向に変化してお
り、液晶分子１８の配向状態とディスコティック液晶分
子４０の対向状態が、鏡面対称となっているので、大き
な光学的補償効果を得ることができる。
【０１５２】図１７参照
図１７（ａ）乃至（ｃ）参照
図１７（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第１４の実施の形
態の液晶表示装置の視野角特性を示す図であり、液晶パ
ネルを０°方位、４５°方位、及び、９０°方位から見
たときの透過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの
方位において、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°
〜８０°から見たときの特性を合わせて示した図であ
る。
態の液晶表示装置の視野角特性を示す図であり、液晶パ
ネルを０°方位、４５°方位、及び、９０°方位から見
たときの透過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの
方位において、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°
〜８０°から見たときの特性を合わせて示した図であ
る。
【０１５３】図から明らかなように、従来のように、斜
めから液晶パネルを見た時に、透過率−電圧特性が波打
つようなこともなく、透過率−電圧特性の変形が小さ
い。したがって、斜めから液晶パネルを見た時に、正面
における階調間の関係が維持され、階調が反転したよう
に見えたり、表示が白茶けて見えたりするなどの表示品
質を低下させる現象は大幅に低減される。
めから液晶パネルを見た時に、透過率−電圧特性が波打
つようなこともなく、透過率−電圧特性の変形が小さ
い。したがって、斜めから液晶パネルを見た時に、正面
における階調間の関係が維持され、階調が反転したよう
に見えたり、表示が白茶けて見えたりするなどの表示品
質を低下させる現象は大幅に低減される。
【０１５４】次に、図１８を参照して、本発明の第１５
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１８（ａ）及び（ｂ）参照 図１８（ａ）は、本発明の第１５の実施の形態の画素の
概略的平面図であり、また、図１８（ｂ）は概略的断面
図である。まず、ＴＦＴ、ゲートバスライン、及び、デ
ータバスライン等（いずれも図示を省略）が形成された
ＴＦＴ基板１１上に、画素電極として、例えば、３μｍ
／３μｍのライン・アンド・スペースの微細なストライ
プ状電極部４２と背骨状電極部４３とからなる魚の骨状
電極４１を形成したのち、垂直配向膜１３を形成する。
この場合、１画素はストライプ状パターンの方向が４５
°、１３５°、２２５°、及び、３１５°の４つの領域
に分割されている。
の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図１８（ａ）及び（ｂ）参照 図１８（ａ）は、本発明の第１５の実施の形態の画素の
概略的平面図であり、また、図１８（ｂ）は概略的断面
図である。まず、ＴＦＴ、ゲートバスライン、及び、デ
ータバスライン等（いずれも図示を省略）が形成された
ＴＦＴ基板１１上に、画素電極として、例えば、３μｍ
／３μｍのライン・アンド・スペースの微細なストライ
プ状電極部４２と背骨状電極部４３とからなる魚の骨状
電極４１を形成したのち、垂直配向膜１３を形成する。
この場合、１画素はストライプ状パターンの方向が４５
°、１３５°、２２５°、及び、３１５°の４つの領域
に分割されている。
【０１５５】一方、カラーフィルタ（図示を省略）を設
けた対向基板１４上に、べた状のＩＴＯ電極１５を設け
るとともに、上記のストライプ状電極部４２の中央線に
対向する位置にフォトレジストを用いて突起状構造物４
４を形成したのち、水平配向膜１７を塗布し、この水平
配向膜１７に対して、ラビングあるいは紫外線照射によ
る光配向技術などにより配向処理を施し、 対向基板１４
上において水平から若干傾いた方向に配向するようにす
る。この場合も、水平配向膜１７を設けた対向基板１４
側においてはプレチルト角が０°＜θ≦２０°となるよ
うにする。
けた対向基板１４上に、べた状のＩＴＯ電極１５を設け
るとともに、上記のストライプ状電極部４２の中央線に
対向する位置にフォトレジストを用いて突起状構造物４
４を形成したのち、水平配向膜１７を塗布し、この水平
配向膜１７に対して、ラビングあるいは紫外線照射によ
る光配向技術などにより配向処理を施し、 対向基板１４
上において水平から若干傾いた方向に配向するようにす
る。この場合も、水平配向膜１７を設けた対向基板１４
側においてはプレチルト角が０°＜θ≦２０°となるよ
うにする。
【０１５６】以降は、上記の第１４の実施の形態と同様
に、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と対向させてスペー
サを介して貼り合わせ、負の誘電率異方性を有するネマ
ティック液晶を封入して、液晶パネルを作製し、液晶パ
ネルの両側に、吸収軸が互いに直交するように一対の偏
光素子３７，３８を配置するとともに、一方の偏光素子
と液晶パネルとの間に、例えば、対向基板１４と偏光素
子３７との間に、光学的に負の一軸性を有するディスコ
ティック液晶からなり、その光軸のフィルム面に対する
角度が、フィルムの厚さ方向にわたって変化している位
相差フィルム３９を一層配置する。
に、ＴＦＴ基板１１と対向基板１４と対向させてスペー
サを介して貼り合わせ、負の誘電率異方性を有するネマ
ティック液晶を封入して、液晶パネルを作製し、液晶パ
ネルの両側に、吸収軸が互いに直交するように一対の偏
光素子３７，３８を配置するとともに、一方の偏光素子
と液晶パネルとの間に、例えば、対向基板１４と偏光素
子３７との間に、光学的に負の一軸性を有するディスコ
ティック液晶からなり、その光軸のフィルム面に対する
角度が、フィルムの厚さ方向にわたって変化している位
相差フィルム３９を一層配置する。
【０１５７】この第１５の実施の形態においては、電圧
無印加時には、液晶分子１８は両基板間において、ほぼ
垂直配向からほぼ水平配向へと連続的に変化する配向と
なるが、突起状構造物４４の斜面において液晶分子１８
がチルトして配向する影響、および水平配向膜１７に与
えたチルトの影響により、 突起状構造物４４を境にして
液晶分子１８の傾斜方向が互いに逆向きとなる２ドメイ
ン配向となる。
無印加時には、液晶分子１８は両基板間において、ほぼ
垂直配向からほぼ水平配向へと連続的に変化する配向と
なるが、突起状構造物４４の斜面において液晶分子１８
がチルトして配向する影響、および水平配向膜１７に与
えたチルトの影響により、 突起状構造物４４を境にして
液晶分子１８の傾斜方向が互いに逆向きとなる２ドメイ
ン配向となる。
【０１５８】印加電圧を徐々に上げていくと、まず最初
は、突起状構造物４４の斜面および水平配向膜１７上に
おけるチルトの影響により、液晶分子１８は突起状構造
物１４に対して垂直な方向に傾斜し始め、次いで、十分
高い電圧を印加したときには、液晶分子１８はストライ
プ状電極４２に平行な方向に傾斜する。
は、突起状構造物４４の斜面および水平配向膜１７上に
おけるチルトの影響により、液晶分子１８は突起状構造
物１４に対して垂直な方向に傾斜し始め、次いで、十分
高い電圧を印加したときには、液晶分子１８はストライ
プ状電極４２に平行な方向に傾斜する。
【０１５９】したがって、印加電圧値とともに、液晶分
子１８の方位角φと極角θがともに変化し、方位角φが
９０°から４５°へと変化する領域、９０°から１３５
°へと変化する領域、２７０°から２２５°へと変化す
る領域、２７０°から３１５°へと変化する領域の４ド
メインに分割されるので、視野角特性がさらに改善され
ることになる。
子１８の方位角φと極角θがともに変化し、方位角φが
９０°から４５°へと変化する領域、９０°から１３５
°へと変化する領域、２７０°から２２５°へと変化す
る領域、２７０°から３１５°へと変化する領域の４ド
メインに分割されるので、視野角特性がさらに改善され
ることになる。
【０１６０】次に、図１９を参照して、本発明の第１６
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、上記第１５
の実施の形態における画素電極を更に細かくしただけ
で、基本的構成は上記第１５の実施の形態と全く同様で
あるので平面図のみ示す。 図１９参照 図１９は、本発明の第１６の実施の形態の画素の概略的
平面図であり、ストライプ状パターンの方向が４５°、
１３５°、２２５°、及び、３１５°の４つの領域に分
割されたストライプ状電極部４２を３個直列に配置し、
背骨状電極部４３で一体化したものである。
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、上記第１５
の実施の形態における画素電極を更に細かくしただけ
で、基本的構成は上記第１５の実施の形態と全く同様で
あるので平面図のみ示す。 図１９参照 図１９は、本発明の第１６の実施の形態の画素の概略的
平面図であり、ストライプ状パターンの方向が４５°、
１３５°、２２５°、及び、３１５°の４つの領域に分
割されたストライプ状電極部４２を３個直列に配置し、
背骨状電極部４３で一体化したものである。
【０１６１】この第１６の実施の形態における基本的動
作原理は、上記の第１５の実施の形態と全く同様であ
り、この様な細かな配向分割構造を採用することによっ
て、さらに均一な視野角特性を得ることができる。
作原理は、上記の第１５の実施の形態と全く同様であ
り、この様な細かな配向分割構造を採用することによっ
て、さらに均一な視野角特性を得ることができる。
【０１６２】なお、上記の第１５及び第１６の実施の形
態に示した配向分割構造は、位相差フィルムを設けない
場合にも当然に適用されるものであり、さらに、細かな
他の配向分割構造を採用しても良いことは言うまでもな
い。
態に示した配向分割構造は、位相差フィルムを設けない
場合にも当然に適用されるものであり、さらに、細かな
他の配向分割構造を採用しても良いことは言うまでもな
い。
【０１６３】次に、図２４を参照して、本発明の第１７
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、その前に、
図２０及び図２３を参照して、光学補償フィルムの条件
の最適化方法を説明する。 図２０（ａ）参照 図２０（ａ）は、位相差フィルムを構成する光学補償フ
ィルムの概念的構成を示す構成図であり、光学補償フィ
ルム５１を構成する物質の光軸のフィルム面に対する角
度が、フィルムの厚さ方向にわたってθ1 からθ2 に変
化している。この場合、光学補償フィルム５１は、光学
的に正の一軸性を有する液晶層５２の液晶分子５３に対
して、負の一軸性を有する物質、例えば、ディスコティ
ック構造単位を有する化合物により構成している。
の実施の形態の液晶表示装置を説明するが、その前に、
図２０及び図２３を参照して、光学補償フィルムの条件
の最適化方法を説明する。 図２０（ａ）参照 図２０（ａ）は、位相差フィルムを構成する光学補償フ
ィルムの概念的構成を示す構成図であり、光学補償フィ
ルム５１を構成する物質の光軸のフィルム面に対する角
度が、フィルムの厚さ方向にわたってθ1 からθ2 に変
化している。この場合、光学補償フィルム５１は、光学
的に正の一軸性を有する液晶層５２の液晶分子５３に対
して、負の一軸性を有する物質、例えば、ディスコティ
ック構造単位を有する化合物により構成している。
【０１６４】図２０（ｂ）参照
ここで、光学補償フィルム５１のリタデーションＲfilm
をＲfilm≡｛( ｎ1+ｎ 2)/2−ｎ3)｝×ｄfilmで定義する
とともに、液晶層５２のリタデーションをＲlcとする。
但し、ｎ1 、ｎ2 、ｎ3 は夫々光学補償フィルム５１を
構成する物質の３軸方向屈折率であり、ｎ1 ≧ｎ2 ≧ｎ
3 （ｎ1 ＝ｎ2 ＝ｎ3 は除く）の関係が成り立つもので
あり、また、ｄfilmは光学補償フィルムの厚みである。
をＲfilm≡｛( ｎ1+ｎ 2)/2−ｎ3)｝×ｄfilmで定義する
とともに、液晶層５２のリタデーションをＲlcとする。
但し、ｎ1 、ｎ2 、ｎ3 は夫々光学補償フィルム５１を
構成する物質の３軸方向屈折率であり、ｎ1 ≧ｎ2 ≧ｎ
3 （ｎ1 ＝ｎ2 ＝ｎ3 は除く）の関係が成り立つもので
あり、また、ｄfilmは光学補償フィルムの厚みである。
【０１６５】図２１（ａ）乃至図２３（ｉ）参照
図２１（ａ）乃至図２３（ｉ）は、Ｒlcが２８０ｎｍの
場合に、Ｒfilm、θ1、θ2 を変化させたときの、０°
方位の斜め８０°における黒の透過率を示した図であ
り、図においては、負の一軸性を有する物質の光軸がフ
ィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値を
αとし、αが同一となるθ1 、θ2 の組み合わせを一つ
のグラフに図示してある。
場合に、Ｒfilm、θ1、θ2 を変化させたときの、０°
方位の斜め８０°における黒の透過率を示した図であ
り、図においては、負の一軸性を有する物質の光軸がフ
ィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値を
αとし、αが同一となるθ1 、θ2 の組み合わせを一つ
のグラフに図示してある。
【０１６６】なお、例えば、図２１（ａ）における０°
及び１５°はθ1 及びθ2 を表しており、したがって、
負の一軸性を有する物質の光軸がフィルム面に対してな
す角度の厚さ方向にわたる平均値αは、 α＝（θ1 ＋θ2 ）／２＝７．５° となる。
及び１５°はθ1 及びθ2 を表しており、したがって、
負の一軸性を有する物質の光軸がフィルム面に対してな
す角度の厚さ方向にわたる平均値αは、 α＝（θ1 ＋θ2 ）／２＝７．５° となる。
【０１６７】また、液晶分子５３の光軸が基板面に対し
てなす角度の厚さ方向にわたる平均値をβとすると、ほ
ぼ垂直から水平へと変化するので、β＝４５°である。
上述の図４３において、０°方位の斜め８０°の透過率
は０．０７であるので、光学補償フィルム５１を配置す
ることにより、０°方位の斜め８０°の透過率が０．０
７より小さくなれば、光学補償フィルムを配置した効果
があると言える。
てなす角度の厚さ方向にわたる平均値をβとすると、ほ
ぼ垂直から水平へと変化するので、β＝４５°である。
上述の図４３において、０°方位の斜め８０°の透過率
は０．０７であるので、光学補償フィルム５１を配置す
ることにより、０°方位の斜め８０°の透過率が０．０
７より小さくなれば、光学補償フィルムを配置した効果
があると言える。
【０１６８】但し、実用的なコントラストを得るために
は、０°方位の斜め８０°の透過率が約０．０２以下で
ある必要があるので、図２１（ａ）乃至図２３（ｉ）か
ら、この条件を満たすためには、α、Ｒfilmに関して少
なくとも以下の、 β−２０°≦α≦β＋２０° ０．５×Ｒlc≦Ｒfilm≦１．５×Ｒlc の条件を満たす必要があり、特に、α＝βになるように
光学補償フィルム５１を配置した場合、光学補償の効果
が最も大きくなる。
は、０°方位の斜め８０°の透過率が約０．０２以下で
ある必要があるので、図２１（ａ）乃至図２３（ｉ）か
ら、この条件を満たすためには、α、Ｒfilmに関して少
なくとも以下の、 β−２０°≦α≦β＋２０° ０．５×Ｒlc≦Ｒfilm≦１．５×Ｒlc の条件を満たす必要があり、特に、α＝βになるように
光学補償フィルム５１を配置した場合、光学補償の効果
が最も大きくなる。
【０１６９】なお、図２０（ａ）は、光学補償フィルム
５１が一層配置された場合であるが、複数配置された場
合には、αはそれら全ての平均値とし、Ｒfilmはそれら
全ての合計値とする
５１が一層配置された場合であるが、複数配置された場
合には、αはそれら全ての平均値とし、Ｒfilmはそれら
全ての合計値とする
【０１７０】図２４（ａ）参照
図２４（ａ）は、本発明の第１７の実施の形態の液晶表
示装置の画素の概略的断面図であり、この場合の光学補
償フィルム以外の構成は、上記の第１４の実施の形態と
全く同様である。この本発明の第１７の実施の形態にお
いては、光学補償フィルム５５は、ＷＶフィルム（富士
写真フィルム製商品名）を二層積層させて配置して、上
記のαとβの関係及びＲlcとＲfilmの関係を満たすよう
にしたものである。
示装置の画素の概略的断面図であり、この場合の光学補
償フィルム以外の構成は、上記の第１４の実施の形態と
全く同様である。この本発明の第１７の実施の形態にお
いては、光学補償フィルム５５は、ＷＶフィルム（富士
写真フィルム製商品名）を二層積層させて配置して、上
記のαとβの関係及びＲlcとＲfilmの関係を満たすよう
にしたものである。
【０１７１】図２４（ｂ）参照
図２４（ｂ）は、ＷＶフィルム（富士写真フィルム製商
品名）の概念的構成図であり、ディスコティック層５６
とＴＡＣ５７とから形成されている。
品名）の概念的構成図であり、ディスコティック層５６
とＴＡＣ５７とから形成されている。
【０１７２】この様に、上記のαとβの関係及びＲlcと
Ｒfilmの関係を満たすように光学補償フィルム５５を配
置しているので、図２１（ａ）乃至図２３（ｉ）から明
らかなように視野角特性を改善することができる。
Ｒfilmの関係を満たすように光学補償フィルム５５を配
置しているので、図２１（ａ）乃至図２３（ｉ）から明
らかなように視野角特性を改善することができる。
【０１７３】次に、図２５乃至図２７を参照して、本発
明の第１８の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図２５参照 図２５は、本発明の第１８の実施の形態の液晶表示装置
に用いる光学補償フィルム５８の概念的構成図であり、
その他の構成は上記の第１７の実施の形態の液晶表示装
置と全く同様である。
明の第１８の実施の形態の液晶表示装置を説明する。 図２５参照 図２５は、本発明の第１８の実施の形態の液晶表示装置
に用いる光学補償フィルム５８の概念的構成図であり、
その他の構成は上記の第１７の実施の形態の液晶表示装
置と全く同様である。
【０１７４】図に示すように、光学補償フィルム５８
は、ディスコティック層５６とＴＡＣ５７とからなるＷ
Ｖフィルム（富士写真フィルム製商品名）と、ＮＲＺフ
ィルム（日東電工製商品名）５９とから構成するもので
あり、このＮＲＺフィルム（日東電工製商品名）５９
は、ＷＶフィルム（富士写真フィルム製商品名）だけで
は足りないαを補うために設けたものである。なお、Ｎ
ＲＺフィルム（日東電工製商品名）５９においては、 ｎx ＝ｎz ＞ｎy の関係を満たしている。
は、ディスコティック層５６とＴＡＣ５７とからなるＷ
Ｖフィルム（富士写真フィルム製商品名）と、ＮＲＺフ
ィルム（日東電工製商品名）５９とから構成するもので
あり、このＮＲＺフィルム（日東電工製商品名）５９
は、ＷＶフィルム（富士写真フィルム製商品名）だけで
は足りないαを補うために設けたものである。なお、Ｎ
ＲＺフィルム（日東電工製商品名）５９においては、 ｎx ＝ｎz ＞ｎy の関係を満たしている。
【０１７５】図２６参照
図２６は、本発明の第１８の実施の形態における光学補
償フィルムによる光学的補償原理の説明図であり、液晶
層５２に用いられるネマティック液晶の液晶分子５３
は、屈折率異方性Δｎが正であるから、補償フィルムと
しては、Δｎが負であるディスコティック化合物等の物
質、例えば、ディスクコティック液晶分子５４を同様に
ハイブリッド配向させた光学補償フィルム５８を用いる
ことが有効となる。
償フィルムによる光学的補償原理の説明図であり、液晶
層５２に用いられるネマティック液晶の液晶分子５３
は、屈折率異方性Δｎが正であるから、補償フィルムと
しては、Δｎが負であるディスコティック化合物等の物
質、例えば、ディスクコティック液晶分子５４を同様に
ハイブリッド配向させた光学補償フィルム５８を用いる
ことが有効となる。
【０１７６】この場合、図２６に示すように、液晶層５
２と光学補償フィルム５８の界面を境として、矢印で結
ばれた対応する液晶分子５３とディスクコティック液晶
分子５４同士の光軸が互いに同じ方向を向くように、光
学補償フィルム５８を配置する。
２と光学補償フィルム５８の界面を境として、矢印で結
ばれた対応する液晶分子５３とディスクコティック液晶
分子５４同士の光軸が互いに同じ方向を向くように、光
学補償フィルム５８を配置する。
【０１７７】図２７（ａ）及び（ｂ）参照
図２７（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１８の実施の形
態における透過率−電圧特性の視野角依存性を示す図で
あり、液晶パネルを０°方位及び９０°方位から見たと
きの透過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの方位
において、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°〜８
０°から見たときの特性を合わせて示した図であり、透
過率−電圧特性が波打つようなこともなく、透過率−電
圧特性の変形が小さい。したがって、斜めから液晶パネ
ルを見た時に、正面における階調間の関係が維持され、
階調が反転したように見えたり、表示が白茶けて見えた
りするなどの表示品質を低下させる現象は大幅に低減さ
れる。
態における透過率−電圧特性の視野角依存性を示す図で
あり、液晶パネルを０°方位及び９０°方位から見たと
きの透過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの方位
において、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°〜８
０°から見たときの特性を合わせて示した図であり、透
過率−電圧特性が波打つようなこともなく、透過率−電
圧特性の変形が小さい。したがって、斜めから液晶パネ
ルを見た時に、正面における階調間の関係が維持され、
階調が反転したように見えたり、表示が白茶けて見えた
りするなどの表示品質を低下させる現象は大幅に低減さ
れる。
【０１７８】図２７（ｃ）参照
図２７（ｃ）は、黒の透過率の視野角依存性を示す図で
あり、最外周の円は斜め８０°を表しており、図中にお
ける曲線或いは閉曲線は、等透過率線である。図示に示
すように、左右方位も上下方位と同等の視野角特性が得
られていることが理解される。
あり、最外周の円は斜め８０°を表しており、図中にお
ける曲線或いは閉曲線は、等透過率線である。図示に示
すように、左右方位も上下方位と同等の視野角特性が得
られていることが理解される。
【０１７９】この様に、光学補償フィルムの条件を最適
化することによって、高応答速度のＨＡＮ型液晶表示装
置において、さらに優れた視野角特性を得ることができ
る。
化することによって、高応答速度のＨＡＮ型液晶表示装
置において、さらに優れた視野角特性を得ることができ
る。
【０１８０】但し、上述の光学補償フィルム５８に用い
るディスコティック化合物などのΔｎが負である分子は
円盤状の形状をしており、所望するとおりのハイブリッ
ド配向を得ることが困難である場合が多く、製造性やコ
ストパフォーマンスの点で若干の問題があるので、次
に、図２８乃至図３４を参照してこの様な問題を解決し
た本発明の実施の形態の液晶表示装置を説明する。
るディスコティック化合物などのΔｎが負である分子は
円盤状の形状をしており、所望するとおりのハイブリッ
ド配向を得ることが困難である場合が多く、製造性やコ
ストパフォーマンスの点で若干の問題があるので、次
に、図２８乃至図３４を参照してこの様な問題を解決し
た本発明の実施の形態の液晶表示装置を説明する。
【０１８１】図２８参照
図２８は、本発明の第１９の実施の形態における光学補
償フィルムによる光学的補償の基本原理の説明図であ
り、図に示すように、光学的には、光軸が紙面に対して
垂直な方向にあるΔｎ＜０であるディスコティック液晶
分子５４は、光軸が紙面と平行な方向にあるΔｎ＞０で
ある分子６０，６１を光軸が互いに直交するように配置
した場合により近似できる。
償フィルムによる光学的補償の基本原理の説明図であ
り、図に示すように、光学的には、光軸が紙面に対して
垂直な方向にあるΔｎ＜０であるディスコティック液晶
分子５４は、光軸が紙面と平行な方向にあるΔｎ＞０で
ある分子６０，６１を光軸が互いに直交するように配置
した場合により近似できる。
【０１８２】即ち、Δｎ＜０であるディスコティック液
晶分子５４においては、各方位の屈折率ｎx ，ｎy ，ｎ
z は、 ｎx ＝ｎy ＞ｎz であり、一方、Δｎ＞０である分子６０，６１において
は、それぞれ、 ｎx ＞ｎy ＝ｎz であるので、Δｎ＞０である分子６０，６１の光軸を互
いに直交させることにより、 ｎx ＞ｎy ＝ｎz ｎy ＞ｎx ＝ｎz となるので、この屈折率の関係を合わせることによっ
て、ｎx ＝ｎy ＞ｎz の関係を近似することができる。
晶分子５４においては、各方位の屈折率ｎx ，ｎy ，ｎ
z は、 ｎx ＝ｎy ＞ｎz であり、一方、Δｎ＞０である分子６０，６１において
は、それぞれ、 ｎx ＞ｎy ＝ｎz であるので、Δｎ＞０である分子６０，６１の光軸を互
いに直交させることにより、 ｎx ＞ｎy ＝ｎz ｎy ＞ｎx ＝ｎz となるので、この屈折率の関係を合わせることによっ
て、ｎx ＝ｎy ＞ｎz の関係を近似することができる。
【０１８３】したがって、Δｎ＜０のディスコティック
液晶分子５４を、光軸が互いに直交するΔｎ＞０の分子
６０，６１により置き換えることができるので、その結
果を図２９に示す。 図２９（ａ）乃至（ｃ）参照 図２９（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第１９の実施の形
態における光学補償フィルムによる光学的補償原理の説
明図であり、図２９（ａ）に示す光学補償フィルム５８
におけるハイブリッド配向したΔｎ＜０の各ディスコテ
ィック液晶分子５４は、図２９（ｂ）示す様にそれぞ
れ、ハイブリッド配向したΔｎ＞０の分子６１とホモジ
ニアス配向したΔｎ＞０の分子６０を互いに光軸が直交
するように組み合わせたものに相当する。
液晶分子５４を、光軸が互いに直交するΔｎ＞０の分子
６０，６１により置き換えることができるので、その結
果を図２９に示す。 図２９（ａ）乃至（ｃ）参照 図２９（ａ）乃至（ｃ）は、本発明の第１９の実施の形
態における光学補償フィルムによる光学的補償原理の説
明図であり、図２９（ａ）に示す光学補償フィルム５８
におけるハイブリッド配向したΔｎ＜０の各ディスコテ
ィック液晶分子５４は、図２９（ｂ）示す様にそれぞ
れ、ハイブリッド配向したΔｎ＞０の分子６１とホモジ
ニアス配向したΔｎ＞０の分子６０を互いに光軸が直交
するように組み合わせたものに相当する。
【０１８４】また、図２９（ｂ）の構成は、図２９
（ｃ）に示す、Δｎ＞０の分子６１がハイブリッド配向
したハイブリッド配向フィルム６２と、Δｎ＞０の分子
６０がホモジニアス配向したホモジニアス配向フィルム
６３の組み合わせにより置き換えることができる。
（ｃ）に示す、Δｎ＞０の分子６１がハイブリッド配向
したハイブリッド配向フィルム６２と、Δｎ＞０の分子
６０がホモジニアス配向したホモジニアス配向フィルム
６３の組み合わせにより置き換えることができる。
【０１８５】なお、Δｎ＞０の分子６０がホモジニアス
配向したホモジニアス配向フィルム６３とは、いわゆる
フィルム面内方向に光学的に正の一軸性を有するフィル
ムと同等であり、延伸により容易に低コストに量産でき
る。また、Δｎ＞０の分子６０，６１としては、例え
ば、液晶性高分子ポリマーなどを用いることができ、こ
の液晶性高分子ポリマーなどの棒状分子は、ディスコテ
ィック化合物などの円盤状分子に比べて配向制御が容易
であり、製造性が優れる。
配向したホモジニアス配向フィルム６３とは、いわゆる
フィルム面内方向に光学的に正の一軸性を有するフィル
ムと同等であり、延伸により容易に低コストに量産でき
る。また、Δｎ＞０の分子６０，６１としては、例え
ば、液晶性高分子ポリマーなどを用いることができ、こ
の液晶性高分子ポリマーなどの棒状分子は、ディスコテ
ィック化合物などの円盤状分子に比べて配向制御が容易
であり、製造性が優れる。
【０１８６】図３０（ａ）乃至（ｆ）参照
図３０（ａ）乃至（ｆ）は、本発明の第１９の実施の形
態における可能なパネル構成の説明図であり、Δｎ＞０
の分子６１がハイブリッド配向したハイブリッド配向フ
ィルム６２と、Δｎ＞０の分子６０がホモジニアス配向
した正の一軸性フィルム６４とを、液晶層、偏光素子に
対してどのように配置するかは、図３０に示す通り６通
りが考えられ、偏光素子の吸収軸や補償フィルムの光軸
などの方向により、さらに場合分けができる。
態における可能なパネル構成の説明図であり、Δｎ＞０
の分子６１がハイブリッド配向したハイブリッド配向フ
ィルム６２と、Δｎ＞０の分子６０がホモジニアス配向
した正の一軸性フィルム６４とを、液晶層、偏光素子に
対してどのように配置するかは、図３０に示す通り６通
りが考えられ、偏光素子の吸収軸や補償フィルムの光軸
などの方向により、さらに場合分けができる。
【０１８７】これら全ての場合について視野角特性を調
べた結果、 ４種類の配置の場合に、特に、視野角特性改
善の効果があることがわかったので、図３１及び図３２
を参照して説明する。 図３１（ａ）乃至図３２（ｄ）参照 図３１（ａ）乃至図３２（ｄ）は、本発明の第１９の実
施の形態における実施効果が確認されたパネル構成の説
明図であり、図３１（ａ）及び（ｂ）は、図３０（ｄ）
の配置に対応するものであり、図３２（ｃ）及び（ｄ）
は、図３０（ｆ）に対応するものである。
べた結果、 ４種類の配置の場合に、特に、視野角特性改
善の効果があることがわかったので、図３１及び図３２
を参照して説明する。 図３１（ａ）乃至図３２（ｄ）参照 図３１（ａ）乃至図３２（ｄ）は、本発明の第１９の実
施の形態における実施効果が確認されたパネル構成の説
明図であり、図３１（ａ）及び（ｂ）は、図３０（ｄ）
の配置に対応するものであり、図３２（ｃ）及び（ｄ）
は、図３０（ｆ）に対応するものである。
【０１８８】いずれの場合も、液晶層５２とハイブリッ
ド配向フィルム６２との間に正の一軸性フィルム６４を
配置する構成となり、それによって、特に、優れた視野
角特性改善を得ることができる。なお、他の配置場合に
も、補償フィルムを設けない場合よりは視野角特性改善
効果が得られる。
ド配向フィルム６２との間に正の一軸性フィルム６４を
配置する構成となり、それによって、特に、優れた視野
角特性改善を得ることができる。なお、他の配置場合に
も、補償フィルムを設けない場合よりは視野角特性改善
効果が得られる。
【０１８９】図３３参照
図３３は、本発明の第１９の実施の形態の液晶表示装置
のＴＦＴの電極パターンを示す平面図であり、ＴＦＴ基
板７１上には、ゲートバスライン７２、データバスライ
ン７３、補助容量バスライン７４、及び、画素電極７５
が設けられている。
のＴＦＴの電極パターンを示す平面図であり、ＴＦＴ基
板７１上には、ゲートバスライン７２、データバスライ
ン７３、補助容量バスライン７４、及び、画素電極７５
が設けられている。
【０１９０】この画素電極７５は、例えば、ライン／ス
ペースが３μｍ／３μｍの微細なストライプ電極７６か
らなる抜きパターンで形成されており、一画素は、例え
ば、１００μｍ×３００μｍであり、ストライプ電極７
６のスリットの方向が１０°と１７０°の２つの領域に
分割されている。なお、図示は省略したが、ＴＦＴ基板
７１に対向するＣＦ基板上には、ベタ状の対向電極及び
カラーフィルタが形成されている。
ペースが３μｍ／３μｍの微細なストライプ電極７６か
らなる抜きパターンで形成されており、一画素は、例え
ば、１００μｍ×３００μｍであり、ストライプ電極７
６のスリットの方向が１０°と１７０°の２つの領域に
分割されている。なお、図示は省略したが、ＴＦＴ基板
７１に対向するＣＦ基板上には、ベタ状の対向電極及び
カラーフィルタが形成されている。
【０１９１】このＣＦ基板上に水平配向膜を形成すると
ともに、ＴＦＴ基板７１上に垂直配向膜を形成し、水平
配向膜に対して、ラビングあるいは紫外線照射による光
配向技術などにより配向処理を施し、 電圧無印加時には
ハイブリッド配向が得られるようにする。
ともに、ＴＦＴ基板７１上に垂直配向膜を形成し、水平
配向膜に対して、ラビングあるいは紫外線照射による光
配向技術などにより配向処理を施し、 電圧無印加時には
ハイブリッド配向が得られるようにする。
【０１９２】次いで、両基板をスペーサを介して貼り合
わせ、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を封
入して、液晶パネルを作製する。次いで、液晶パネルの
両側に、吸収軸が互いに直交するように偏光素子を配置
し、一方の偏光素子と液晶パネルとの間に、液晶パネル
に近い方から順に、ＮＲＦフィルム（日東電工製）から
なる正の一軸性フィルム、及び、ＮＨフィルム（日石三
菱製）からなるハイブリッド配向フィルムを配置するこ
とによって、本発明の第１９の実施の形態の液晶表示装
置の基本構成が完成する。
わせ、負の誘電率異方性を有するネマティック液晶を封
入して、液晶パネルを作製する。次いで、液晶パネルの
両側に、吸収軸が互いに直交するように偏光素子を配置
し、一方の偏光素子と液晶パネルとの間に、液晶パネル
に近い方から順に、ＮＲＦフィルム（日東電工製）から
なる正の一軸性フィルム、及び、ＮＨフィルム（日石三
菱製）からなるハイブリッド配向フィルムを配置するこ
とによって、本発明の第１９の実施の形態の液晶表示装
置の基本構成が完成する。
【０１９３】電圧無印加時には、液晶分子は両基板間に
おいて、ほぼ垂直配向からほぼ水平配向へと連続的に変
化するモノドメイン配向となる。印加電圧を徐々に上げ
ていく場合、 まず最初は液晶分子は両基板界面に与えた
チルトの方向に傾斜し始め、十分高い電圧を印加したと
きには、液晶分子は微細はストライプ電極７６のスリッ
トに平行な方向に傾斜する。
おいて、ほぼ垂直配向からほぼ水平配向へと連続的に変
化するモノドメイン配向となる。印加電圧を徐々に上げ
ていく場合、 まず最初は液晶分子は両基板界面に与えた
チルトの方向に傾斜し始め、十分高い電圧を印加したと
きには、液晶分子は微細はストライプ電極７６のスリッ
トに平行な方向に傾斜する。
【０１９４】したがって、印加電圧値とともに、液晶分
子のφとθがともに変化し、電圧印加時には、 φが９０
°から１０°へと変化する領域と、９０°から１７０°
へと変化する領域の２ドメインに分割される。
子のφとθがともに変化し、電圧印加時には、 φが９０
°から１０°へと変化する領域と、９０°から１７０°
へと変化する領域の２ドメインに分割される。
【０１９５】図３４（ａ）及び（ｂ）参照
図３４（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第１９の実施の形
態における透過率−電圧特性の視野角依存性を示す図で
あり、液晶パネルを０°方位及び９０°方位から見たと
きの透過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの方位
において、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°〜８
０°から見たときの特性を合わせて示した図であり、透
過率−電圧特性が波打つようなこともなく、優れた透過
率−電圧特性が得られた。
態における透過率−電圧特性の視野角依存性を示す図で
あり、液晶パネルを０°方位及び９０°方位から見たと
きの透過率−電圧特性であり、各図は、それぞれの方位
において、液晶パネルを正面（０°）、斜め１０°〜８
０°から見たときの特性を合わせて示した図であり、透
過率−電圧特性が波打つようなこともなく、優れた透過
率−電圧特性が得られた。
【０１９６】図３４（ｃ）参照
図３４（ｃ）は、黒の透過率の視野角依存性を示す図で
あり、最外周の円は斜め８０°を表しており、図中にお
ける曲線或いは閉曲線は、等透過率線である。図示に示
すように、左右方位におけるの透過率のうきが抑えら
れ、コントラスが高く、非常に優れた視野角特性が得ら
れていることが理解される。
あり、最外周の円は斜め８０°を表しており、図中にお
ける曲線或いは閉曲線は、等透過率線である。図示に示
すように、左右方位におけるの透過率のうきが抑えら
れ、コントラスが高く、非常に優れた視野角特性が得ら
れていることが理解される。
【０１９７】この様に、光学補償フィルムとして、Δｎ
＞０の分子６１がハイブリッド配向したハイブリッド配
向フィルム６２と、Δｎ＞０の分子６０がホモジニアス
配向した正の一軸性フィルム６４の組み合わせを用いて
いるので、高視野角特性の液晶表示装置を低コストで構
成することが可能になる。
＞０の分子６１がハイブリッド配向したハイブリッド配
向フィルム６２と、Δｎ＞０の分子６０がホモジニアス
配向した正の一軸性フィルム６４の組み合わせを用いて
いるので、高視野角特性の液晶表示装置を低コストで構
成することが可能になる。
【０１９８】なお、液晶パネル、ハイブリッド配向フィ
ルムの両界面における分子のチルト角の差は理想的には
９０°であるが、９０°である必要はなく、少なくとも
４５°以上９０°以下であれば視野角特性改善の効果が
得られる。
ルムの両界面における分子のチルト角の差は理想的には
９０°であるが、９０°である必要はなく、少なくとも
４５°以上９０°以下であれば視野角特性改善の効果が
得られる。
【０１９９】また、上記の実施の形態の説明において
は、正の一軸性フィルム６４とハイブリッド配向フィル
ム６２とを貼り合わせているが、液晶性高分子ポリマー
などにより一体形成されたフィルムを用いても良い。
は、正の一軸性フィルム６４とハイブリッド配向フィル
ム６２とを貼り合わせているが、液晶性高分子ポリマー
などにより一体形成されたフィルムを用いても良い。
【０２００】例えば、液晶性高分子ポリマーをハイブリ
ッド配向させてハイブリッド配向フィルム６２を形成
し、引き続いて液晶性高分子ポリマーをホモジニアス配
向させてホモジニアス配向フィルム６３を一体形成して
も良いものである。或いは、正の一軸性フィルム６４を
ベースとして、その上に液晶性高分子ポリマーをハイブ
リッド配向させてハイブリッド配向フィルム６２を一体
形成しても良いものである。
ッド配向させてハイブリッド配向フィルム６２を形成
し、引き続いて液晶性高分子ポリマーをホモジニアス配
向させてホモジニアス配向フィルム６３を一体形成して
も良いものである。或いは、正の一軸性フィルム６４を
ベースとして、その上に液晶性高分子ポリマーをハイブ
リッド配向させてハイブリッド配向フィルム６２を一体
形成しても良いものである。
【０２０１】また、偏光素子やハイブリッド配向フィル
ムなどは、通常ＴＡＣなどの厚さが、例えば、１００μ
ｍ程度の透明基材フィルム上、あるいは透明基材フィル
ム間に挟んだ形で提供されることが多く、この様な透明
基材フィルムを有する形で用いても良いものであり、視
野角特性改善の効果は変わらない。
ムなどは、通常ＴＡＣなどの厚さが、例えば、１００μ
ｍ程度の透明基材フィルム上、あるいは透明基材フィル
ム間に挟んだ形で提供されることが多く、この様な透明
基材フィルムを有する形で用いても良いものであり、視
野角特性改善の効果は変わらない。
【０２０２】なお、上記の各実施の形態においては、夫
々の個々課題を解決するための構成を説明しているが、
夫々の構成を組み合わせて用いても良いものであり、そ
れによって、さらに優れた特性を得ることが可能にな
る。
々の個々課題を解決するための構成を説明しているが、
夫々の構成を組み合わせて用いても良いものであり、そ
れによって、さらに優れた特性を得ることが可能にな
る。
【０２０３】ここで、再び、図１を参照して、改めて本
発明の詳細な特徴を説明する。 図１参照 （付記１） 少なくとも一方が透明な一対の基板１，２
のうち、一方の基板１上には複数の画素電極及び能動素
子が設けられるとともに、他方の基板２上には対向電極
４が設けられた液晶表示装置において、前記一対の電極
の内の少なくとも一方の電極はストライプ形状を有する
とともに、前記一対の基板１，２の内の少なくとも一方
の基板２（１）上に、前記ストライプ形状の走査方向と
は異なる方向に走査する構造物５（６）を有し、電圧無
印加時に液晶分子１０は少なくとも一方の基板面におい
て略垂直配向であり、且つ、前記ストライプ状電極３の
走査方向とは異なる方位角方向にプレチルト角を有し、
電圧印加時における液晶ダイレクタは極角方向と共に方
位角方向に対しても、その電圧の大きさにより、前記ス
トライプ状電極３の走査方向に対して平行になる方向に
変位することを特徴とする液晶表示装置。 （付記２） 上記基板１，２上に設けた構造物５，６の
走査方向と同一の方位角方向にプレチルト角を有し、ス
トライプ状電極３と構造物５，６の互いの走査方向がな
す角度は４５°以上９０°未満であることを特徴とする
付記１記載の液晶表示装置。 （付記３） 上記液晶表示装置を構成する一画素中で、
上記ストライプ状電極３の走査方向を２通り以上とし、
各ストライプ状電極３の交差する位置において、少なく
とも一部の領域ではストライプ状電極３同士が非接合で
あることを特徴とする付記１または２に記載の液晶表示
装置。 （付記４） 上記少なくとも一方に配置する構造物５
（６）は、上記画素電極のエッジ部の一辺と平行に配置
されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記
載の液晶表示装置。
発明の詳細な特徴を説明する。 図１参照 （付記１） 少なくとも一方が透明な一対の基板１，２
のうち、一方の基板１上には複数の画素電極及び能動素
子が設けられるとともに、他方の基板２上には対向電極
４が設けられた液晶表示装置において、前記一対の電極
の内の少なくとも一方の電極はストライプ形状を有する
とともに、前記一対の基板１，２の内の少なくとも一方
の基板２（１）上に、前記ストライプ形状の走査方向と
は異なる方向に走査する構造物５（６）を有し、電圧無
印加時に液晶分子１０は少なくとも一方の基板面におい
て略垂直配向であり、且つ、前記ストライプ状電極３の
走査方向とは異なる方位角方向にプレチルト角を有し、
電圧印加時における液晶ダイレクタは極角方向と共に方
位角方向に対しても、その電圧の大きさにより、前記ス
トライプ状電極３の走査方向に対して平行になる方向に
変位することを特徴とする液晶表示装置。 （付記２） 上記基板１，２上に設けた構造物５，６の
走査方向と同一の方位角方向にプレチルト角を有し、ス
トライプ状電極３と構造物５，６の互いの走査方向がな
す角度は４５°以上９０°未満であることを特徴とする
付記１記載の液晶表示装置。 （付記３） 上記液晶表示装置を構成する一画素中で、
上記ストライプ状電極３の走査方向を２通り以上とし、
各ストライプ状電極３の交差する位置において、少なく
とも一部の領域ではストライプ状電極３同士が非接合で
あることを特徴とする付記１または２に記載の液晶表示
装置。 （付記４） 上記少なくとも一方に配置する構造物５
（６）は、上記画素電極のエッジ部の一辺と平行に配置
されることを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記
載の液晶表示装置。
【０２０４】（付記５） 少なくとも一方が透明な一対
の基板１，２のうち、一方の基板１上には複数の画素電
極及び能動素子が設けられるとともに、他方の基板２上
には対向電極４が設けられた液晶表示装置において、前
記一対の電極の内の少なくとも一方の電極はストライプ
形状を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少なくとも
一方の基板面において略垂直配向であり、且つ、前記ス
トライプ状電極３の走査方向とは異なる方位角方向にプ
レチルト角を有し、電圧印加時における液晶ダイレクタ
は極角方向と共に方位角方向に対しても、その電圧の大
きさにより、前記ストライプ状電極３の走査方向に対し
て平行になる方向に変位し、且つ、前記方位角の変位量
が４５°以下であるとともに、ストライプ状電極３を有
する基板１，２上に部分的に絶縁薄層を形成したことを
特徴とする液晶表示装置。 （付記６） 上記絶縁薄層のエッジ端辺と上記ストライ
プ状電極３の延伸方向とが垂直であることを特徴とする
付記５記載の液晶表示装置。 （付記７） 上記液晶表示装置を構成する一画素中に形
成するストライプ状電極３の延伸方向を２以上とし、各
ストライプ状電極３の交差する位置において、少なくと
も一部の領域ではストライプ状電極３同士が非接合であ
り、ストライプ状電極３上部に形成する絶縁膜とストラ
イプ状電極３との重なり領域の面積が大から小まで混在
し、その重なり領域を繰り返していることを特徴とする
付記５または６に記載の液晶表示装置。 （付記８） 上記２方向以上に延伸するストライプ状電
極３の接合部、或いは、非接合部の近傍には、前記スト
ライプ状電極３上に形成する絶縁薄層が少なく、前記接
合部・非接合部から延伸する方向に連れて絶縁薄層の領
域が大となり、電圧印加時にストライプ状電極３側の液
晶分子１０の配向方位を制御することを特徴とする付記
７記載の液晶表示装置。
の基板１，２のうち、一方の基板１上には複数の画素電
極及び能動素子が設けられるとともに、他方の基板２上
には対向電極４が設けられた液晶表示装置において、前
記一対の電極の内の少なくとも一方の電極はストライプ
形状を有し、電圧無印加時に液晶分子１０は少なくとも
一方の基板面において略垂直配向であり、且つ、前記ス
トライプ状電極３の走査方向とは異なる方位角方向にプ
レチルト角を有し、電圧印加時における液晶ダイレクタ
は極角方向と共に方位角方向に対しても、その電圧の大
きさにより、前記ストライプ状電極３の走査方向に対し
て平行になる方向に変位し、且つ、前記方位角の変位量
が４５°以下であるとともに、ストライプ状電極３を有
する基板１，２上に部分的に絶縁薄層を形成したことを
特徴とする液晶表示装置。 （付記６） 上記絶縁薄層のエッジ端辺と上記ストライ
プ状電極３の延伸方向とが垂直であることを特徴とする
付記５記載の液晶表示装置。 （付記７） 上記液晶表示装置を構成する一画素中に形
成するストライプ状電極３の延伸方向を２以上とし、各
ストライプ状電極３の交差する位置において、少なくと
も一部の領域ではストライプ状電極３同士が非接合であ
り、ストライプ状電極３上部に形成する絶縁膜とストラ
イプ状電極３との重なり領域の面積が大から小まで混在
し、その重なり領域を繰り返していることを特徴とする
付記５または６に記載の液晶表示装置。 （付記８） 上記２方向以上に延伸するストライプ状電
極３の接合部、或いは、非接合部の近傍には、前記スト
ライプ状電極３上に形成する絶縁薄層が少なく、前記接
合部・非接合部から延伸する方向に連れて絶縁薄層の領
域が大となり、電圧印加時にストライプ状電極３側の液
晶分子１０の配向方位を制御することを特徴とする付記
７記載の液晶表示装置。
【０２０５】（付記９） 負の誘電異方性を持つ液晶分
子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂直で
あり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、か
つ、垂直配向側の基板１上に電圧印加時に液晶分子１０
の傾斜方向を規定する作用を持つ、方向性を持ったスト
ライプ状電極３、絶縁性の構造物５，６、或いは、導電
性の構造物５，６の少なくともいずれかを具備してお
り、水平配向側の基板２界面における液晶分子１０の方
位角方向と対向するストライプパターンの走査方向と成
す角が異なり、電圧を印加することにより液晶分子１０
の方位角を変化させて表示を制御する液晶表示装置にお
いて、前記液晶層９は液晶骨格を有する光硬化性組成物
による光硬化物を含んでおり、光硬化物は液晶分子１０
に対し、電圧印加時に液晶分子１０が変化する方向へ配
向規制力を付加することを特徴とする液晶表示装置。 （付記１０） 上記光硬化物は、上記両基板１，２間に
電圧を印加して、液晶分子１０が配向している状態で硬
化させたものであることを特徴とする付記９記載の液晶
表示装置。 （付記１１） 上記ストライプパターンの走査方向を複
数設け、電圧印加時に液晶分子１０の方位角が変化する
方向を異ならせることにより配向分割を形成するととも
に、前記各々のストライプパターンの走査方向が異なる
領域において、光硬化物が付加する配向規制力の方向
が、各々領域の電圧印加時に液晶分子１０が変化する方
向であることを特徴とする付記９または１０に記載の液
晶表示装置。
子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂直で
あり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、か
つ、垂直配向側の基板１上に電圧印加時に液晶分子１０
の傾斜方向を規定する作用を持つ、方向性を持ったスト
ライプ状電極３、絶縁性の構造物５，６、或いは、導電
性の構造物５，６の少なくともいずれかを具備してお
り、水平配向側の基板２界面における液晶分子１０の方
位角方向と対向するストライプパターンの走査方向と成
す角が異なり、電圧を印加することにより液晶分子１０
の方位角を変化させて表示を制御する液晶表示装置にお
いて、前記液晶層９は液晶骨格を有する光硬化性組成物
による光硬化物を含んでおり、光硬化物は液晶分子１０
に対し、電圧印加時に液晶分子１０が変化する方向へ配
向規制力を付加することを特徴とする液晶表示装置。 （付記１０） 上記光硬化物は、上記両基板１，２間に
電圧を印加して、液晶分子１０が配向している状態で硬
化させたものであることを特徴とする付記９記載の液晶
表示装置。 （付記１１） 上記ストライプパターンの走査方向を複
数設け、電圧印加時に液晶分子１０の方位角が変化する
方向を異ならせることにより配向分割を形成するととも
に、前記各々のストライプパターンの走査方向が異なる
領域において、光硬化物が付加する配向規制力の方向
が、各々領域の電圧印加時に液晶分子１０が変化する方
向であることを特徴とする付記９または１０に記載の液
晶表示装置。
【０２０６】（付記１２） 負の誘電異方性を持つ液晶
分子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂直
であり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、か
つ、垂直配向側の基板１上に電界を歪ませる作用を持つ
ストライプパターンの電極の抜き、絶縁性の構造物５，
６、或いは、導電性の構造物５，６の少なくともいずれ
かを具備しており、水平配向側の基板２界面における液
晶分子１０のプレチルトの方位角方向と対向するストラ
イプ状電極３の走査方向と成す角が異なり、電圧を印加
することにより液晶分子１０の方位角を変化させて表示
を制御する液晶表示装置において、前記水平配向側の基
板２側に液晶分子１０のプレチルトの方位角が異なる二
つの領域を設け、それぞれのプレチルトの方位角が、互
いに向きあう方向に、対向するストライプパターンの走
査方向に対して±θ°であり、且つ ４５°≦θ＜９０° の条件を満たす配向分割を形成することを特徴とする液
晶表示装置。 （付記１３） 上記配向分割構造において、上記水平配
向側の基板２側に、プレチルトの方位角が異なる領域の
境界部に沿って、導電性の構造物５を設けることを特徴
とする付記１２に記載の液晶表示装置。 （付記１４） 上記液晶表示装置を構成する１画素内を
複数の領域に分割し、各々領域におけるストライプパタ
ーンの走査方向が、他の領域におけるストライプパター
ンの走査方向と平行或いは垂直のいずれかであり、前記
各々の領域において上記配向分割構造を形成するととも
に、一方の方向に走査するストライプパターンが属する
総面積と、もう一方の方向に走査するストライプパター
ンが属する総面積が等しいことを特徴とする付記１２ま
たは１３に記載の液晶表示装置。
分子１０の初期配向が、一方の基板１界面ではほぼ垂直
であり、もう一方の基板２界面ではほぼ水平であり、か
つ、垂直配向側の基板１上に電界を歪ませる作用を持つ
ストライプパターンの電極の抜き、絶縁性の構造物５，
６、或いは、導電性の構造物５，６の少なくともいずれ
かを具備しており、水平配向側の基板２界面における液
晶分子１０のプレチルトの方位角方向と対向するストラ
イプ状電極３の走査方向と成す角が異なり、電圧を印加
することにより液晶分子１０の方位角を変化させて表示
を制御する液晶表示装置において、前記水平配向側の基
板２側に液晶分子１０のプレチルトの方位角が異なる二
つの領域を設け、それぞれのプレチルトの方位角が、互
いに向きあう方向に、対向するストライプパターンの走
査方向に対して±θ°であり、且つ ４５°≦θ＜９０° の条件を満たす配向分割を形成することを特徴とする液
晶表示装置。 （付記１３） 上記配向分割構造において、上記水平配
向側の基板２側に、プレチルトの方位角が異なる領域の
境界部に沿って、導電性の構造物５を設けることを特徴
とする付記１２に記載の液晶表示装置。 （付記１４） 上記液晶表示装置を構成する１画素内を
複数の領域に分割し、各々領域におけるストライプパタ
ーンの走査方向が、他の領域におけるストライプパター
ンの走査方向と平行或いは垂直のいずれかであり、前記
各々の領域において上記配向分割構造を形成するととも
に、一方の方向に走査するストライプパターンが属する
総面積と、もう一方の方向に走査するストライプパター
ンが属する総面積が等しいことを特徴とする付記１２ま
たは１３に記載の液晶表示装置。
【０２０７】（付記１５） 一対の基板１，２の間に液
晶が封入され、一方の基板１界面における液晶分子１０
は基板面に対してほぼ垂直に配向し、もう一方の基板２
界面における液晶分子１０は基板面に対してほぼ水平に
配向し、電圧印加時に、液晶分子１０の方位角と極角が
共に印加電圧値とともに変化する液晶表示装置におい
て、前記一対の基板１，２の両側に第一および第二の偏
光素子が配置され、前記第一の偏光素子と対向する基板
１との間、或いは、第二の偏光素子と対向する基板２と
の間の少なくとも一方に、少なくとも一層の光学補償フ
ィルムが配置されることを特徴とする液晶表示装置。 （付記１６） 上記一方の基板１界面における液晶分子
１０のプレチルト角が７０°以上９０°以下であり、 上
記もう一方の基板２界面における液晶分子１０のプレチ
ルト角が０°以上２０°以下であることを特徴とする付
記１５項記載の液晶表示装置。 （付記１７） 上記印加電圧に対する液晶分子１０のφ
の変位量が０°より大きく９０°以下であることを特徴
とする付記１５または１６に項記載の液晶表示装置。 （付記１８） 上記液晶として、負の誘電率異方性を有
するネマティック液晶を用いることを特徴とする付記１
５乃至１７のいずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記１９） 上記一対の基板１，２の少なくとも一方
の表面に、突起、窪み、または、電極に設けた抜けの構
造物５，６なるドメイン規制手段、或いは、ラビング処
理または光配向処理よりなるドメイン規制手段の少なく
ともいずれか一つのドメイン規制手段を備えるととも
に、電圧印加時に液晶分子１０の方位角φと極角θの変
位する方向が、各画素内において複数の方向になるよう
に規制することを特徴とする付記１５乃至１８のいずれ
か１に記載の液晶表示装置。 （付記２０） 上記光学補償フィルムが、光学的に負の
一軸性を有する物質からなり、該物質の光軸のフィルム
面に対する角度が、前記位相差フィルムの厚さ方向にわ
たって変化している位相差フィルムであることを特徴と
する付記１５乃至１９のいずれか１に記載の液晶表示装
置。
晶が封入され、一方の基板１界面における液晶分子１０
は基板面に対してほぼ垂直に配向し、もう一方の基板２
界面における液晶分子１０は基板面に対してほぼ水平に
配向し、電圧印加時に、液晶分子１０の方位角と極角が
共に印加電圧値とともに変化する液晶表示装置におい
て、前記一対の基板１，２の両側に第一および第二の偏
光素子が配置され、前記第一の偏光素子と対向する基板
１との間、或いは、第二の偏光素子と対向する基板２と
の間の少なくとも一方に、少なくとも一層の光学補償フ
ィルムが配置されることを特徴とする液晶表示装置。 （付記１６） 上記一方の基板１界面における液晶分子
１０のプレチルト角が７０°以上９０°以下であり、 上
記もう一方の基板２界面における液晶分子１０のプレチ
ルト角が０°以上２０°以下であることを特徴とする付
記１５項記載の液晶表示装置。 （付記１７） 上記印加電圧に対する液晶分子１０のφ
の変位量が０°より大きく９０°以下であることを特徴
とする付記１５または１６に項記載の液晶表示装置。 （付記１８） 上記液晶として、負の誘電率異方性を有
するネマティック液晶を用いることを特徴とする付記１
５乃至１７のいずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記１９） 上記一対の基板１，２の少なくとも一方
の表面に、突起、窪み、または、電極に設けた抜けの構
造物５，６なるドメイン規制手段、或いは、ラビング処
理または光配向処理よりなるドメイン規制手段の少なく
ともいずれか一つのドメイン規制手段を備えるととも
に、電圧印加時に液晶分子１０の方位角φと極角θの変
位する方向が、各画素内において複数の方向になるよう
に規制することを特徴とする付記１５乃至１８のいずれ
か１に記載の液晶表示装置。 （付記２０） 上記光学補償フィルムが、光学的に負の
一軸性を有する物質からなり、該物質の光軸のフィルム
面に対する角度が、前記位相差フィルムの厚さ方向にわ
たって変化している位相差フィルムであることを特徴と
する付記１５乃至１９のいずれか１に記載の液晶表示装
置。
【０２０８】（付記２１） 上記光学補償フィルムのリ
タデーションＲfilmを、ｎ1 、ｎ2、ｎ3 を前記光学補
償フィルムを構成する物質の３軸方向屈折率（但し、ｎ
1 ≧ｎ2 ≧ｎ3 、ｎ1 ＝ｎ2 ＝ｎ3 は除く）とし、且
つ、ｄfilmを前記光学補償フィルムの厚みとして、Ｒ
film≡｛( ｎ1+ｎ2)／２−ｎ3)｝×ｄfilmで定義し、上
記液晶層９のリタデーションをＲlcとするとともに、前
記光学補償フィルムを構成する物質の光軸のフィルム面
に対する角度が、フィルムの厚さ方向にわたって変化し
ており、前記光学補償フィルムを構成する物質の光軸が
フィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値
αと液晶分子１０の光軸が基板１，２面に対してなす角
度の厚さ方向にわたる平均値βとすると、 β−２０°≦α≦β＋２０° ０．５×Ｒlc≦Ｒfilm≦１．５×Ｒlc の関係が成り立つことを特徴とする付記１５乃至２０の
いずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記２２） 上記光学補償フィルムを構成する物質の
光軸がフィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわたる
平均値αの傾斜方位と、上記液晶分子１０の光軸が基板
面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値βの傾斜
方位とが一致するように、前記光学補償フィルムを配置
することを特徴とする付記２１記載の液晶表示装置。 （付記２３） 上記光学補償フィルムが、フィルム法線
方向またはフィルム面内方向のいずれかに光軸を有する
透明フィルムから構成されることを特徴とする付記２１
または２２に記載の液晶表示装置。 （付記２４） 上記光学補償フィルムが、フィルム法線
方向またはフィルム面内方向のいずれかに光軸を有する
透明フィルムと、光学的に一軸性を有する物質からなる
薄膜の組み合わせにより構成されることを特徴とする付
記２３記載の液晶表示装置。
タデーションＲfilmを、ｎ1 、ｎ2、ｎ3 を前記光学補
償フィルムを構成する物質の３軸方向屈折率（但し、ｎ
1 ≧ｎ2 ≧ｎ3 、ｎ1 ＝ｎ2 ＝ｎ3 は除く）とし、且
つ、ｄfilmを前記光学補償フィルムの厚みとして、Ｒ
film≡｛( ｎ1+ｎ2)／２−ｎ3)｝×ｄfilmで定義し、上
記液晶層９のリタデーションをＲlcとするとともに、前
記光学補償フィルムを構成する物質の光軸のフィルム面
に対する角度が、フィルムの厚さ方向にわたって変化し
ており、前記光学補償フィルムを構成する物質の光軸が
フィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値
αと液晶分子１０の光軸が基板１，２面に対してなす角
度の厚さ方向にわたる平均値βとすると、 β−２０°≦α≦β＋２０° ０．５×Ｒlc≦Ｒfilm≦１．５×Ｒlc の関係が成り立つことを特徴とする付記１５乃至２０の
いずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記２２） 上記光学補償フィルムを構成する物質の
光軸がフィルム面に対してなす角度の厚さ方向にわたる
平均値αの傾斜方位と、上記液晶分子１０の光軸が基板
面に対してなす角度の厚さ方向にわたる平均値βの傾斜
方位とが一致するように、前記光学補償フィルムを配置
することを特徴とする付記２１記載の液晶表示装置。 （付記２３） 上記光学補償フィルムが、フィルム法線
方向またはフィルム面内方向のいずれかに光軸を有する
透明フィルムから構成されることを特徴とする付記２１
または２２に記載の液晶表示装置。 （付記２４） 上記光学補償フィルムが、フィルム法線
方向またはフィルム面内方向のいずれかに光軸を有する
透明フィルムと、光学的に一軸性を有する物質からなる
薄膜の組み合わせにより構成されることを特徴とする付
記２３記載の液晶表示装置。
【０２０９】（付記２５） 一対の基板の間に液晶が封
入され、一方の基板界面における液晶分子は基板面に対
してほぼ垂直に配向し、もう一方の基板界面における液
晶分子は基板面に対してほぼ水平に配向し、電圧印加時
に、液晶分子の方位角と極角が共に印加電圧値とともに
変化する液晶表示装置において、前記一対の基板の両側
に吸収軸が互いに直交するように第一および第二の偏光
素子が配置されるとともに、フィルム面内方向に光学的
に正の一軸性を有する少なくとも一層の正の一軸性フィ
ルムと、液晶パネルと前記第一および第二の偏光素子の
少なくともどちらか一方との間に配置され屈折率異方性
が正の物質がフィルム厚み方向にわたってほぼ垂直から
ほぼ水平にハイブリッド配向した少なくとも一層のハイ
ブリッド配向フィルムとを有することを特徴とする液晶
表示装置。 （付記２６） 上記第一及び第二の偏光素子の吸収軸
が、上記液晶パネルの水平配向方向と平行または直交で
あることを特徴とする付記２５記載の液晶表示装置。 （付記２７） 上記一軸性フィルムの光軸方向が、前記
した液晶パネルの水平配向方向と直交するように配置さ
れていることを特徴とする付記２６記載の液晶表示装
置。 （付記２８） 上記液晶パネルの水平配向の方向と、上
記ハイブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互
いに逆向きであり、且つ、前記液晶パネルの水平配向側
と前記ハイブリッド配向フィルムの垂直配向側とが、直
接または他のフィルムを介して向かい合って配置されて
いることを特徴とする付記２７記載の液晶表示装置。 （付記２９） 上記液晶パネルの垂直配向側に上記第一
の偏光素子が配置され、前記液晶パネルの水平配向側
に、前記液晶パネルに近いほうから順に、上記一軸性フ
ィルム、ハイブリッド配向フィルム、第二の偏光素子が
配置されていることを特徴とする付記２８記載の液晶表
示装置。 （付記３０） 上記液晶パネルの水平配向の方向と、上
記ハイブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互
いに逆向きであり、且つ、前記液晶パネルの垂直配向側
と前記ハイブリッド配向フィルムの水平配向側とが、直
接または他のフィルムを介して向かい合って配置されて
いることを特徴とする付記２９記載の液晶表示装置。 （付記３１） 上記液晶パネルの水平配向側に上記第一
の偏光素子が配置されるとともに、前記液晶パネルの垂
直配向側に、前記液晶パネルに近い方から順に、上記正
の一軸性フィルム、ハイブリッド配向フィルム、第二の
偏光素子が配置されていることを特徴とする付記３０記
載の液晶表示装置。 （付記３２） 上記液晶パネル及び上記ハイブリッド配
向フィルムの両界面における分子のチルト角の差が、４
５°以上９０°以下であることを特徴とする付記２５乃
至３１のいずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記３３） 上記正の一軸性フィルムと、上記ハイブ
リッド配向フィルムとが、一体形成されたフィルムであ
ることを特徴とする付記２５乃至３２のいずれか１に記
載の液晶表示装置。 （付記３４） 上記正の一軸性フィルムが、一軸延伸フ
ィルムであることを特徴とする付記２５乃至３３のいず
れか１に記載の液晶表示装置。 （付記３５） 上記ハイブリッド配向フィルムが、液晶
性高分子ポリマーからなることを特徴とする付記２５乃
至３３のいずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記３６） 上記ハイブリッド配向フィルムが、上記
液晶性高分子ポリマーと透明基材フィルムとからなるこ
とを特徴とする付記３５に記載の液晶表示装置。
入され、一方の基板界面における液晶分子は基板面に対
してほぼ垂直に配向し、もう一方の基板界面における液
晶分子は基板面に対してほぼ水平に配向し、電圧印加時
に、液晶分子の方位角と極角が共に印加電圧値とともに
変化する液晶表示装置において、前記一対の基板の両側
に吸収軸が互いに直交するように第一および第二の偏光
素子が配置されるとともに、フィルム面内方向に光学的
に正の一軸性を有する少なくとも一層の正の一軸性フィ
ルムと、液晶パネルと前記第一および第二の偏光素子の
少なくともどちらか一方との間に配置され屈折率異方性
が正の物質がフィルム厚み方向にわたってほぼ垂直から
ほぼ水平にハイブリッド配向した少なくとも一層のハイ
ブリッド配向フィルムとを有することを特徴とする液晶
表示装置。 （付記２６） 上記第一及び第二の偏光素子の吸収軸
が、上記液晶パネルの水平配向方向と平行または直交で
あることを特徴とする付記２５記載の液晶表示装置。 （付記２７） 上記一軸性フィルムの光軸方向が、前記
した液晶パネルの水平配向方向と直交するように配置さ
れていることを特徴とする付記２６記載の液晶表示装
置。 （付記２８） 上記液晶パネルの水平配向の方向と、上
記ハイブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互
いに逆向きであり、且つ、前記液晶パネルの水平配向側
と前記ハイブリッド配向フィルムの垂直配向側とが、直
接または他のフィルムを介して向かい合って配置されて
いることを特徴とする付記２７記載の液晶表示装置。 （付記２９） 上記液晶パネルの垂直配向側に上記第一
の偏光素子が配置され、前記液晶パネルの水平配向側
に、前記液晶パネルに近いほうから順に、上記一軸性フ
ィルム、ハイブリッド配向フィルム、第二の偏光素子が
配置されていることを特徴とする付記２８記載の液晶表
示装置。 （付記３０） 上記液晶パネルの水平配向の方向と、上
記ハイブリッド配向フィルムの水平配向の方向とが、互
いに逆向きであり、且つ、前記液晶パネルの垂直配向側
と前記ハイブリッド配向フィルムの水平配向側とが、直
接または他のフィルムを介して向かい合って配置されて
いることを特徴とする付記２９記載の液晶表示装置。 （付記３１） 上記液晶パネルの水平配向側に上記第一
の偏光素子が配置されるとともに、前記液晶パネルの垂
直配向側に、前記液晶パネルに近い方から順に、上記正
の一軸性フィルム、ハイブリッド配向フィルム、第二の
偏光素子が配置されていることを特徴とする付記３０記
載の液晶表示装置。 （付記３２） 上記液晶パネル及び上記ハイブリッド配
向フィルムの両界面における分子のチルト角の差が、４
５°以上９０°以下であることを特徴とする付記２５乃
至３１のいずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記３３） 上記正の一軸性フィルムと、上記ハイブ
リッド配向フィルムとが、一体形成されたフィルムであ
ることを特徴とする付記２５乃至３２のいずれか１に記
載の液晶表示装置。 （付記３４） 上記正の一軸性フィルムが、一軸延伸フ
ィルムであることを特徴とする付記２５乃至３３のいず
れか１に記載の液晶表示装置。 （付記３５） 上記ハイブリッド配向フィルムが、液晶
性高分子ポリマーからなることを特徴とする付記２５乃
至３３のいずれか１に記載の液晶表示装置。 （付記３６） 上記ハイブリッド配向フィルムが、上記
液晶性高分子ポリマーと透明基材フィルムとからなるこ
とを特徴とする付記３５に記載の液晶表示装置。
【０２１０】
【発明の効果】本発明によれば、液晶分子の方位角制御
によるスイッチング方式において、配向制御力を高める
構成を付加しているので、全階調にわたって高速応答特
性を得ることができるともに、分割配向構造を設けるこ
とにより視野角特性も改善することができ、高表示品質
の高速動作液晶表示装置の実現に寄与するところが大き
い。
によるスイッチング方式において、配向制御力を高める
構成を付加しているので、全階調にわたって高速応答特
性を得ることができるともに、分割配向構造を設けるこ
とにより視野角特性も改善することができ、高表示品質
の高速動作液晶表示装置の実現に寄与するところが大き
い。
【図１】本発明の原理的構成の説明図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の液晶表示装置の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態の液晶表示装置の説
明図である。
明図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態の液晶表示装置の説
明図である。
明図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態の液晶表示装置の説
明図である。
明図である。
【図６】本発明の第４の実施の形態における液晶分子の
配向状態の説明図である。
配向状態の説明図である。
【図７】本発明の第５の実施の形態の液晶表示装置の説
明図である。
明図である。
【図８】本発明の第６及び第７の実施の形態の液晶表示
装置の要部平面図である。
装置の要部平面図である。
【図９】本発明の第８及び第９の実施の形態の液晶表示
装置の要部平面図である。
装置の要部平面図である。
【図１０】本発明の第４及び第５の実施の形態に対応す
る比較例の要部平面図である。
る比較例の要部平面図である。
【図１１】本発明の第１０の実施の形態の液晶表示装置
の説明図である。
の説明図である。
【図１２】本発明の第１１の実施の形態の液晶表示装置
の概念的斜視図である。
の概念的斜視図である。
【図１３】本発明の第１２の実施の形態の液晶表示装置
の概念的斜視図である。
の概念的斜視図である。
【図１４】本発明の第１３の実施の形態の液晶表示装置
の概念的斜視図である。
の概念的斜視図である。
【図１５】本発明の第１４の実施の形態の液晶表示装置
の説明図である。
の説明図である。
【図１６】本発明の第１４の実施の形態の液晶表示装置
における位相差フィルムの構成の説明図である。
における位相差フィルムの構成の説明図である。
【図１７】本発明の第１４の実施の形態の液晶表示装置
の視野角特性の説明図である。
の視野角特性の説明図である。
【図１８】本発明の第１５の実施の形態の液晶表示装置
の説明図である。
の説明図である。
【図１９】本発明の第１６の実施の形態の液晶表示装置
の概略的平面図である。
の概略的平面図である。
【図２０】光学補償フィルムによる光学的補償原理の説
明図である。
明図である。
【図２１】透過率のＲfilm及びα（７．５°，１５°，
２５°）依存性の説明図である。
２５°）依存性の説明図である。
【図２２】透過率のＲfilm及びα（３５°，４５°，５
５°）依存性の説明図である。
５°）依存性の説明図である。
【図２３】透過率のＲfilm及びα（６５°，７５°，８
２．５°）依存性の説明図である。
２．５°）依存性の説明図である。
【図２４】本発明の第１７の実施の形態の液晶表示装置
の説明図である。
の説明図である。
【図２５】本発明の第１８の実施の形態の液晶表示装置
を構成する光学補償フィルムの概念的構成図である。
を構成する光学補償フィルムの概念的構成図である。
【図２６】本発明の第１８の実施の形態における光学補
償フィルムによる光学的補償原理の説明図である。
償フィルムによる光学的補償原理の説明図である。
【図２７】本発明の第１８の実施の形態の液晶表示装置
の視野角特性の説明図である。
の視野角特性の説明図である。
【図２８】本発明の第１９の実施の形態における光学補
償フィルムによる光学的補償の基本原理の説明図であ
る。
償フィルムによる光学的補償の基本原理の説明図であ
る。
【図２９】本発明の第１９の実施の形態における光学補
償フィルムによる光学的補償原理の説明図である。
償フィルムによる光学的補償原理の説明図である。
【図３０】本発明の第１９の実施の形態における可能な
パネル構成の説明図である。
パネル構成の説明図である。
【図３１】本発明の第１９の実施の形態における実施効
果が確認されたパネル構成の説明図である。
果が確認されたパネル構成の説明図である。
【図３２】本発明の第１９の実施の形態における実施効
果が確認された他のパネル構成の説明図である。
果が確認された他のパネル構成の説明図である。
【図３３】本発明の第１９の実施の形態の液晶表示装置
のＴＦＴの電極パターンを示す平面図である。
のＴＦＴの電極パターンを示す平面図である。
【図３４】本発明の第１９の実施の形態の液晶表示装置
の視野角特性の説明図である。
の視野角特性の説明図である。
【図３５】ＭＶＡ方式液晶表示装置の概念的構成図であ
る。
る。
【図３６】ＭＶＡ方式液晶表示装置における液晶分子の
傾斜方向の説明図である。
傾斜方向の説明図である。
【図３７】液晶分子の傾斜の伝播の状態を示す説明図で
ある。
ある。
【図３８】ＭＶＡ方式液晶表示装置の視野角特性（０°
方位，４５°方位）の説明図である。
方位，４５°方位）の説明図である。
【図３９】ＭＶＡ方式液晶表示装置の視野角特性（９０
°方位）の説明図である。
°方位）の説明図である。
【図４０】ＨＡＮ型液晶表示装置の説明図である。
【図４１】ＨＡＮ型液晶表示装置における液晶分子の配
向状態変化の説明図である。
向状態変化の説明図である。
【図４２】ＨＡＮ型液晶表示装置における透過率−電圧
特性の視野角依存性の説明図である。
特性の視野角依存性の説明図である。
【図４３】ＨＡＮ型液晶表示装置における黒の透過率の
視野角依存性の説明図である。
視野角依存性の説明図である。
【図４４】配向分割構造のＨＡＮ型液晶表示装置の概念
的斜視図である。
的斜視図である。
１ 基板
２ 基板
３ ストライプ状電極
４ 対向電極
５ 構造物
６ 構造物
７ 配向規制膜
８ 配向規制膜
９ 液晶層
１０ 液晶分子
１１ ＴＦＴ基板
１２ ストライプ状電極
１３ 垂直配向膜
１４ 対向基板
１５ ＩＴＯ電極
１６ 突起状構造物
１７ 水平配向膜
１８ 液晶分子
１９ ストライプ状電極
２０ 電極の抜け
２１ 突起状構造物
２２ 絶縁薄層
２３ 絶縁薄層
２４ 魚の骨状電極
２５ ストライプ状電極部
２６ 背骨状電極部
２７ 絶縁薄層
２８ 絶縁薄層
３１ ストライプ状電極
３２ ＩＴＯ電極
３３ 液晶分子
３４ 突起状構造物
３５ ストライプ状電極
３６ ストライプ状電極
３７ 偏光素子
３８ 偏光素子
３９ 位相差フィルム
４０ ディスコティック液晶分子
４１ 魚の骨状電極
４２ ストライプ状電極部
４３ 背骨状電極部
４４ 突起状構造物
５１ 光学補償フィルム
５２ 液晶層
５３ 液晶分子
５４ ディスコティック液晶分子
５５ 光学補償フィルム
５６ ディスコティック層
５７ ＴＡＣ
５８ 光学補償フィルム
５９ ＮＲＺフィルム
６０ Δｎ＞０の分子
６１ Δｎ＞０の分子
６２ ハイブリッド配向フィルム
６３ ホモジニアス配向フィルム
６４ 正の一軸性フィルム
７１ ＴＦＴ基板
７２ ゲートバスライン
７３ データバスライン
７４ 補助容量バスライン
７５ 画素電極
７６ ストライプ状電極
８１ ＴＦＴ基板
８２ ＣＦ基板
８３ 突起
８４ 突起
８５ 液晶分子
８６ 画素
８７ ゲート電極
８８ ゲートバスライン
８９ データバスライン
９０ 補助容量バスライン
９１ ストライプ状電極
９２ 対向電極
９３ 液晶分子
９４ ストライプ状電極
９５ ストライプ状電極
９６ 抜きパターン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ０２Ｆ 1/139 Ｇ０２Ｆ 1/139
(72)発明者 上田 一也
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 津田 英昭
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 笹林 貴
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
(72)発明者 小池 善郎
神奈川県川崎市中原区上小田中４丁目１番
１号 富士通株式会社内
Ｆターム(参考） 2H088 EA02 GA02 HA02 HA03 HA04
HA08 HA16 HA18 JA12 KA27
LA04 MA07 MA10
2H089 HA15 QA16 RA08 SA16 TA02
TA04 TA05 TA09 TA14 TA15
2H090 HA03 HB07 HC19 JA03 JA05
KA07 LA01 LA04 LA06 LA09
MA03 MA16 MB01 MB14
2H091 FA08X FA08Z FA11X FA11Z
FB02 FD10 GA02 GA06 GA07
GA13 HA09 KA10 LA19
2H092 GA13 JA24 JB05 NA05 PA02
PA10 PA11 QA09
Claims (7)
- 【請求項１】 少なくとも一方が透明な一対の基板のう
ち、一方の基板上には複数の画素電極及び能動素子が設
けられるとともに、他方の基板上には対向電極が設けら
れた液晶表示装置において、前記一対の電極の内の少な
くとも一方の電極はストライプ形状を有するとともに、
前記一対の基板の内の少なくとも一方の基板上に、前記
ストライプ形状の走査方向とは異なる方向に走査する構
造物を有し、電圧無印加時に液晶分子は少なくとも一方
の基板面において略垂直配向であり、且つ、前記ストラ
イプ状電極の走査方向とは異なる方位角方向にプレチル
ト角を有し、電圧印加時における液晶ダイレクタは極角
方向と共に方位角方向に対しても、その電圧の大きさに
より、前記ストライプ状電極の走査方向に対して平行に
なる方向に変位することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 少なくとも一方が透明な一対の基板のう
ち、一方の基板上には複数の画素電極及び能動素子が設
けられるとともに、他方の基板上には対向電極が設けら
れた液晶表示装置において、前記一対の電極の内の少な
くとも一方の電極はストライプ形状を有し、電圧無印加
時に液晶分子は少なくとも一方の基板面において略垂直
配向であり、且つ、前記ストライプ状電極の走査方向と
は異なる方位角方向にプレチルト角を有し、電圧印加時
における液晶ダイレクタは極角方向と共に方位角方向に
対しても、その電圧の大きさにより、前記ストライプ状
電極の走査方向に対して平行になる方向に変位し、且
つ、前記方位角の変位量が４５°以下であるとともに、
ストライプ状電極を有する基板上に部分的に絶縁薄層を
形成したことを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】 負の誘電異方性を持つ液晶分子の初期配
向が、一方の基板界面ではほぼ垂直であり、もう一方の
基板界面ではほぼ水平であり、かつ、垂直配向側の基板
上に電圧印加時に液晶分子の傾斜方向を規定する作用を
持つ、方向性を持ったストライプ状電極、絶縁性の構造
物、或いは、導電性の構造物の少なくともいずれかを具
備しており、水平配向側の基板界面における液晶分子の
方位角方向と対向するストライプパターンの走査方向と
成す角が異なり、電圧を印加することにより液晶分子の
方位角を変化させて表示を制御する液晶表示装置におい
て、前記液晶層は液晶骨格を有する光硬化性組成物によ
る光硬化物を含んでおり、光硬化物は液晶分子に対し、
電圧印加時に液晶分子が変化する方向へ配向規制力を付
加することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 負の誘電異方性を持つ液晶分子の初期配
向が、一方の基板界面ではほぼ垂直であり、もう一方の
基板界面ではほぼ水平であり、かつ、垂直配向側の基板
上に電界を歪ませる作用を持つストライプパターンの電
極の抜き、絶縁性の構造物、或いは、導電性の構造物の
少なくともいずれかを具備しており、水平配向側の基板
界面における液晶分子のプレチルトの方位角方向と対向
するストライプ状電極の走査方向と成す角が異なり、電
圧を印加することにより液晶分子の方位角を変化させて
表示を制御する液晶表示装置において、前記水平配向側
の基板側に液晶分子のプレチルトの方位角が異なる二つ
の領域を設け、それぞれのプレチルトの方位角が、互い
に向きあう方向に、対向するストライプパターンの走査
方向に対して±θ°であり、且つ ４５°≦θ＜９０° の条件を満たす配向分割を形成することを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項５】一対の基板の間に液晶が封入され、一方の
基板界面における液晶分子は基板面に対してほぼ垂直に
配向し、もう一方の基板界面における液晶分子は基板面
に対してほぼ水平に配向し、電圧印加時に、液晶分子の
方位角と極角が共に印加電圧値とともに変化する液晶表
示装置において、前記一対の基板の両側に第一および第
二の偏光素子が配置され、前記第一の偏光素子と対向す
る基板との間、或いは、第二の偏光素子と対向する基板
との間の少なくとも一方に、少なくとも一層の位相差フ
ィルムが配置されることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 一対の基板の間に液晶が封入され、一方
の基板界面における液晶分子は基板面に対してほぼ垂直
に配向し、もう一方の基板界面における液晶分子は基板
面に対してほぼ水平に配向し、電圧印加時に、液晶分子
の方位角と極角が共に印加電圧値とともに変化する液晶
表示装置において、前記一対の基板の両側に吸収軸が互
いに直交するように第一および第二の偏光素子が配置さ
れるとともに、フィルム面内方向に光学的に正の一軸性
を有する少なくとも一層の正の一軸性フィルムと、液晶
パネルと前記第一および第二の偏光素子の少なくともど
ちらか一方との間に配置され屈折率異方性が正の物質が
フィルム厚み方向にわたってほぼ垂直からほぼ水平にハ
イブリッド配向した少なくとも一層のハイブリッド配向
フィルムとを有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項７】 上記液晶パネルの水平配向側に上記第一
の偏光素子が配置されるとともに、前記液晶パネルの垂
直配向側に、前記液晶パネルに近い方から順に、上記正
の一軸性フィルム、ハイブリッド配向フィルム、第二の
偏光素子が配置されていることを特徴とする請求項６記
載の液晶表示装置。
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|---|---|---|---|
| JP2002158216A JP4112286B2 (ja) | 2002-01-28 | 2002-05-30 | 液晶表示装置 |
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|---|---|---|---|
| JP2002018470 | 2002-01-28 | ||
| JP2002-18470 | 2002-01-28 | ||
| JP2002158216A JP4112286B2 (ja) | 2002-01-28 | 2002-05-30 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
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|---|---|
| JP2003287753A true JP2003287753A (ja) | 2003-10-10 |
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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