JP2003286574A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
基板処理装置および基板処理方法Info
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- JP2003286574A JP2003286574A JP2002093761A JP2002093761A JP2003286574A JP 2003286574 A JP2003286574 A JP 2003286574A JP 2002093761 A JP2002093761 A JP 2002093761A JP 2002093761 A JP2002093761 A JP 2002093761A JP 2003286574 A JP2003286574 A JP 2003286574A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】インラインガス精製器の短寿命を解決する基板
処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】インライン精製器１１、２１、３１、４１
の前後に開閉バルブ１１１、１２１、１３１、１４１、
２１１、２２１、２３１、２４１をそれぞれ取り付け
る。また、インライン精製器１１、２１、３１、４１と
並列になるようなバイパスライン４１１、４２１、４３
１、４４１をそれぞれ設け、さらに開閉バルブ３１１、
３２１、３３１、３４１をそれぞれ取り付ける。プロセ
スを行っているときは、インライン精製器１１、２１、
３１、４１によってガスを供給し、プロセス停止時、例
えば反応室の圧力を大気圧にする場合などには、バイパ
スライン４１１、４２１、４３１、４４１によってガス
を供給する。
処理装置および基板処理方法を提供する。 【解決手段】インライン精製器１１、２１、３１、４１
の前後に開閉バルブ１１１、１２１、１３１、１４１、
２１１、２２１、２３１、２４１をそれぞれ取り付け
る。また、インライン精製器１１、２１、３１、４１と
並列になるようなバイパスライン４１１、４２１、４３
１、４４１をそれぞれ設け、さらに開閉バルブ３１１、
３２１、３３１、３４１をそれぞれ取り付ける。プロセ
スを行っているときは、インライン精製器１１、２１、
３１、４１によってガスを供給し、プロセス停止時、例
えば反応室の圧力を大気圧にする場合などには、バイパ
スライン４１１、４２１、４３１、４４１によってガス
を供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板処理装置およ
び基板処理方法に関し、特に、反応室にガスを供給する
ガス供給配管にガス精製器を設けた基板処理装置および
その装置を使用する基板処理方法に関するものである。
び基板処理方法に関し、特に、反応室にガスを供給する
ガス供給配管にガス精製器を設けた基板処理装置および
その装置を使用する基板処理方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】縦型ＣＶＤ装置を一例として説明する。
図１は、一般的な縦型ＣＶＤ装置の概略断面図である。
ヒータ４の内側に反応管１を設置し、ウエハ３を搭載し
たボート２を上昇させ、シールキャップ５で反応管１の
下端を密閉する。反応管１の排気口７からポンプ等の排
気手段９を用いて、反応管１内の気体を排出する。ガス
供給手段８から各成膜に応じた原料ガスを供給し、プロ
セスガス供給ライン１５を経由してガス供給口６より反
応管１内に導入する。ヒータ４からの熱により、原料ガ
スが化学反応を起こしウエハ３上に所望の特性の膜が成
膜される。成膜後は、ウエハ３を搭載したボート２およ
びシールキャップ５を下降させ、ウエハ３を手動または
機械的動作を有する手段を用いて搬送する。また、ガス
供給手段８のベントライン５５は、ポンプ等の排気手段
９の下流側に接続されている。
図１は、一般的な縦型ＣＶＤ装置の概略断面図である。
ヒータ４の内側に反応管１を設置し、ウエハ３を搭載し
たボート２を上昇させ、シールキャップ５で反応管１の
下端を密閉する。反応管１の排気口７からポンプ等の排
気手段９を用いて、反応管１内の気体を排出する。ガス
供給手段８から各成膜に応じた原料ガスを供給し、プロ
セスガス供給ライン１５を経由してガス供給口６より反
応管１内に導入する。ヒータ４からの熱により、原料ガ
スが化学反応を起こしウエハ３上に所望の特性の膜が成
膜される。成膜後は、ウエハ３を搭載したボート２およ
びシールキャップ５を下降させ、ウエハ３を手動または
機械的動作を有する手段を用いて搬送する。また、ガス
供給手段８のベントライン５５は、ポンプ等の排気手段
９の下流側に接続されている。
【０００３】次に、このガス供給手段８について説明す
る。図３に示すように、不活性ガスによるパージライン
１０、反応ガスの供給ライン２０、キャリアガスの供給
ライン３０にインラインの精製器１１，２１，３１をそ
れぞれ設置する。その下流側にマスフローコントローラ
等の流量調整器１２，２２，３２をそれぞれ設置し、そ
の前後にエア駆動等の開閉バルブ１３，１４，２３，２
４，３３，３４をそれぞれ設置する。図３では流量調整
器１２，２２，３２の前後に開閉バルブ１３，１４，２
３，２４，３３，３４をそれぞれ設置しているが、前方
（上流側）のみ、あるいは後方（下流側）のみであって
もよい。
る。図３に示すように、不活性ガスによるパージライン
１０、反応ガスの供給ライン２０、キャリアガスの供給
ライン３０にインラインの精製器１１，２１，３１をそ
れぞれ設置する。その下流側にマスフローコントローラ
等の流量調整器１２，２２，３２をそれぞれ設置し、そ
の前後にエア駆動等の開閉バルブ１３，１４，２３，２
４，３３，３４をそれぞれ設置する。図３では流量調整
器１２，２２，３２の前後に開閉バルブ１３，１４，２
３，２４，３３，３４をそれぞれ設置しているが、前方
（上流側）のみ、あるいは後方（下流側）のみであって
もよい。
【０００４】ドーパントガスの供給ライン４０には、イ
ンラインの精製器４１、マスフローコントローラ等の流
量調整器４５、開閉バルブ４３を設置する。キャリアガ
ス供給ライン３０の精製器３１下流とドーパントガス供
給ライン４０の開閉バルブ４３下流とをバイパスライン
５０で接続し、バイパスライン５０に開閉バルブ３５を
設ける。ドーパントガス供給ライン４０とバイパスライ
ン５０の接続部下流にキャリアガスとドーパントガスを
混合するためのミキサ５１を設置し、マスフローコント
ローラ等の流量調整器４２、開閉バルブ４４を経由して
反応管１へのプロセスガス供給ライン１５に接続する。
また、ミキサ５１下流側で反応室１を経由せずに直接ガ
スを排気するためのベントライン５５を分岐させ、分岐
点より下流側にマスフローコントローラ等の流量調整器
５２、開閉バルブ５４を設置する。実際は、ガス供給ラ
インにはこの他減圧弁、圧力計、フィルタ、逆止弁等が
適宜設置されるが、ここでは図示、説明を省略する。
ンラインの精製器４１、マスフローコントローラ等の流
量調整器４５、開閉バルブ４３を設置する。キャリアガ
ス供給ライン３０の精製器３１下流とドーパントガス供
給ライン４０の開閉バルブ４３下流とをバイパスライン
５０で接続し、バイパスライン５０に開閉バルブ３５を
設ける。ドーパントガス供給ライン４０とバイパスライ
ン５０の接続部下流にキャリアガスとドーパントガスを
混合するためのミキサ５１を設置し、マスフローコント
ローラ等の流量調整器４２、開閉バルブ４４を経由して
反応管１へのプロセスガス供給ライン１５に接続する。
また、ミキサ５１下流側で反応室１を経由せずに直接ガ
スを排気するためのベントライン５５を分岐させ、分岐
点より下流側にマスフローコントローラ等の流量調整器
５２、開閉バルブ５４を設置する。実際は、ガス供給ラ
インにはこの他減圧弁、圧力計、フィルタ、逆止弁等が
適宜設置されるが、ここでは図示、説明を省略する。
【０００５】ここで用いているインラインガス精製器
は、化学吸着式精製剤を用いた精製法によるものである
ため、長時間使用することが困難であるという問題があ
った。
は、化学吸着式精製剤を用いた精製法によるものである
ため、長時間使用することが困難であるという問題があ
った。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の主な
目的は、従来技術の問題点であるインラインガス精製器
の短寿命を解決する基板処理装置および基板処理方法を
提供することにある。
目的は、従来技術の問題点であるインラインガス精製器
の短寿命を解決する基板処理装置および基板処理方法を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】化学吸着式精製剤を用い
た精製法によるインラインガス精製器は、ガスの不純物
濃度および接触時間によって、使用できる期間が大きく
変わる。より長期間使用するためには、できるだけ不純
物のないガスの使用や、短時間の使用が望ましい。
た精製法によるインラインガス精製器は、ガスの不純物
濃度および接触時間によって、使用できる期間が大きく
変わる。より長期間使用するためには、できるだけ不純
物のないガスの使用や、短時間の使用が望ましい。
【０００８】本発明は、このような考察に基づいてなさ
れたものであり、本発明によれば、反応室にガスを供給
するガス供給配管にガス精製器を設け、前記ガス精製器
の上流か下流の少なくともいずれか一方に前記ガス精製
器と直列に第１のバルブを設け、前記ガス精製器および
前記第１のバルブと並列にバイパス配管を接続し、前記
バイパス配管に第２のバルブを備えたことを特徴とする
基板処理装置が提供される。
れたものであり、本発明によれば、反応室にガスを供給
するガス供給配管にガス精製器を設け、前記ガス精製器
の上流か下流の少なくともいずれか一方に前記ガス精製
器と直列に第１のバルブを設け、前記ガス精製器および
前記第１のバルブと並列にバイパス配管を接続し、前記
バイパス配管に第２のバルブを備えたことを特徴とする
基板処理装置が提供される。
【０００９】このようにすれば、第１のバルブと第２の
バルブとでガス精製器とバイパス配管を切り替えること
ができ、その結果、反応室で基板処理が行われていると
きにはガス精製器を経由してガスを流すが、反応室で基
板処理が行われていないときのは、バイパス配管を経由
してガスを流すことができ、ガス精製器の使用を短時間
にすることができ、ガス精製器を長寿命化することがで
きる。
バルブとでガス精製器とバイパス配管を切り替えること
ができ、その結果、反応室で基板処理が行われていると
きにはガス精製器を経由してガスを流すが、反応室で基
板処理が行われていないときのは、バイパス配管を経由
してガスを流すことができ、ガス精製器の使用を短時間
にすることができ、ガス精製器を長寿命化することがで
きる。
【００１０】また、本発明によれば、反応室にガス精製
器を介してガス供給配管が接続され、前記ガス精製器の
上流側と下流側はバイパス配管で連絡されており、前記
反応室で基板処理が行われている時には前記ガス精製器
を通してガスを流し、前記反応室のメンテナンスを行う
ため前記反応室の圧力を不活性ガスにより大気圧とする
時には切り替えて前記バイパス配管からガスを流すこと
を特徴とする基板処理方法が提供される。
器を介してガス供給配管が接続され、前記ガス精製器の
上流側と下流側はバイパス配管で連絡されており、前記
反応室で基板処理が行われている時には前記ガス精製器
を通してガスを流し、前記反応室のメンテナンスを行う
ため前記反応室の圧力を不活性ガスにより大気圧とする
時には切り替えて前記バイパス配管からガスを流すこと
を特徴とする基板処理方法が提供される。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の一実施の形態で
使用する一般的な縦型ＣＶＤ装置の概略断面図である。
図１を参照して従来の技術の欄で説明したものと同じで
あるので、ここでは、説明を省略する。
使用する一般的な縦型ＣＶＤ装置の概略断面図である。
図１を参照して従来の技術の欄で説明したものと同じで
あるので、ここでは、説明を省略する。
【００１２】図２は、本発明の一実施の形態のガス供給
手段を示す図である。本実施の形態では、インライン精
製器１１、２１、３１、４１の前後に手動または自動開
閉のできるバルブ１１１、１２１、１３１、１４１、２
１１、２２１、２３１、２４１をそれぞれ取り付ける。
また、インライン精製器１１、２１、３１、４１と並列
になるようなバイパスライン４１１、４２１、４３１、
４４１をそれぞれ設け、さらに手動または自動開閉ので
きるバルブ３１１、３２１、３３１、３４１をそれぞれ
取り付ける。その他の構成については、図３を参照して
従来の技術の欄で説明したものと同じであるので、ここ
では、説明を省略する。
手段を示す図である。本実施の形態では、インライン精
製器１１、２１、３１、４１の前後に手動または自動開
閉のできるバルブ１１１、１２１、１３１、１４１、２
１１、２２１、２３１、２４１をそれぞれ取り付ける。
また、インライン精製器１１、２１、３１、４１と並列
になるようなバイパスライン４１１、４２１、４３１、
４４１をそれぞれ設け、さらに手動または自動開閉ので
きるバルブ３１１、３２１、３３１、３４１をそれぞれ
取り付ける。その他の構成については、図３を参照して
従来の技術の欄で説明したものと同じであるので、ここ
では、説明を省略する。
【００１３】ガスの供給については、プロセス時とプロ
セス停止時で異なる。プロセスを行っているときは、高
純度のガスが必要となるため、インライン精製器１１、
２１、３１、４１によって不純物をなくしたガスが必要
となるが、プロセス停止時、例えば反応室の圧力を大気
圧にする場合など、それほど高純度のガスが必要でない
時は、インライン精製器１１、２１、３１、４１を必要
としない。よって、プロセス使用時のみインライン精製
器１１、２１、３１、４１を用いるように、バルブ１１
１、１２１、１３１、１４１、２１１、２２１、２３
１、２４１、３１１、３２１、３３１、３４１を開閉す
るように運用することで、インライン精製器１１、２
１、３１、４１の処理能力低下を極力少なくすることが
でき、長期間の使用が可能となる。
セス停止時で異なる。プロセスを行っているときは、高
純度のガスが必要となるため、インライン精製器１１、
２１、３１、４１によって不純物をなくしたガスが必要
となるが、プロセス停止時、例えば反応室の圧力を大気
圧にする場合など、それほど高純度のガスが必要でない
時は、インライン精製器１１、２１、３１、４１を必要
としない。よって、プロセス使用時のみインライン精製
器１１、２１、３１、４１を用いるように、バルブ１１
１、１２１、１３１、１４１、２１１、２２１、２３
１、２４１、３１１、３２１、３３１、３４１を開閉す
るように運用することで、インライン精製器１１、２
１、３１、４１の処理能力低下を極力少なくすることが
でき、長期間の使用が可能となる。
【００１４】また、ガス供給系のメンテナンスで、ガス
配管内を大気暴露する場合も、インライン精製器１１、
２１、３１、４１の前後のバルブ１１１、１２１、１３
１、１４１、２１１、２２１、２３１、２４１を閉めた
状態で、不活性なガスを封じた状態にしてメンテナンス
することで、インライン精製器１１、２１、３１、４１
のの大気暴露を防ぐことが可能となる。
配管内を大気暴露する場合も、インライン精製器１１、
２１、３１、４１の前後のバルブ１１１、１２１、１３
１、１４１、２１１、２２１、２３１、２４１を閉めた
状態で、不活性なガスを封じた状態にしてメンテナンス
することで、インライン精製器１１、２１、３１、４１
のの大気暴露を防ぐことが可能となる。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、インライン精製器の長
期使用が可能となる。そして、長期使用が可能になるこ
とにより、メンテナンス回数の低減ができる。
期使用が可能となる。そして、長期使用が可能になるこ
とにより、メンテナンス回数の低減ができる。
【図１】本発明の一実施の形態で使用する一般的な縦型
ＣＶＤ装置の概略断面図である。
ＣＶＤ装置の概略断面図である。
【図２】本発明の一実施の形態のガス供給手段を示す図
である。
である。
【図３】従来のガス供給手段の一例を示す図である。
１…反応管
２…ボート
３…ウエハ
４…ヒータ
５…シールキャップ
６…ガス供給口
７…排気口
８、８ａ、８ｂ…ガス供給手段
１０…パージライン
１５…プロセスガス供給ライン
２０…反応ガス供給ライン
３０…キャリアガス供給ライン
４０…ドーパントガス供給ライン
５５…ガスベントライン
１１、２１、３１、４１…インラインガス精製器
１３、１４、２３、２４、３３、３４、３５、４３、４
４、５４、１１１、１２１、１３１、１４１…開閉バル
ブ ２１１、２２１、２３１、２４１、３１１、３２１、３
３１、３４１…開閉バルブ １２、２２、３２、４２、４５、５２…流量調整器 ４１１、４２１、４３１、４４１…バイパスライン
４、５４、１１１、１２１、１３１、１４１…開閉バル
ブ ２１１、２２１、２３１、２４１、３１１、３２１、３
３１、３４１…開閉バルブ １２、２２、３２、４２、４５、５２…流量調整器 ４１１、４２１、４３１、４４１…バイパスライン
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 森谷 敦
東京都中野区東中野三丁目14番20号 株式
会社日立国際電気内
Ｆターム(参考） 4K030 EA03 KA49
5F045 BB08 BB10 EC07 EE02
Claims (2)
- 【請求項１】反応室にガスを供給するガス供給配管にガ
ス精製器を設け、前記ガス精製器の上流か下流の少なく
ともいずれか一方に前記ガス精製器と直列に第１のバル
ブを設け、前記ガス精製器および前記第１のバルブと並
列にバイパス配管を接続し、前記バイパス配管に第２の
バルブを備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】反応室にガス精製器を介してガス供給配管
が接続され、前記ガス精製器の上流側と下流側はバイパ
ス配管で連絡されており、前記反応室で基板処理が行わ
れている時には前記ガス精製器を通してガスを流し、前
記反応室のメンテナンスを行うため前記反応室の圧力を
不活性ガスにより大気圧とする時には切り替えて前記バ
イパス配管からガスを流すことを特徴とする基板処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002093761A JP4361713B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002093761A JP4361713B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003286574A true JP2003286574A (ja) | 2003-10-10 |
| JP4361713B2 JP4361713B2 (ja) | 2009-11-11 |
Family
ID=29238068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002093761A Expired - Lifetime JP4361713B2 (ja) | 2002-03-29 | 2002-03-29 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4361713B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101145852B1 (ko) | 2005-11-02 | 2012-05-17 | 주식회사 케이씨텍 | 전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법 |
| KR101275890B1 (ko) * | 2006-09-18 | 2013-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 가스분배 공급장치 |
| CN112447498A (zh) * | 2019-08-29 | 2021-03-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 降低双极型器件正向导通SFs拓展的SiC外延层生长方法、结构及生长方法供气管路 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1380856B (zh) * | 2000-04-19 | 2012-07-04 | 西铁城控股株式会社 | 餐具及其表面处理方法、有硬质装饰镀膜的基材、基材的制造方法和刀叉餐具 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60108312A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | けい化水素の超精製方法 |
| WO1999041010A1 (fr) * | 1998-02-17 | 1999-08-19 | Kanebo, Limited | Carbone active pour adsorption et stockage d'un compose gazeux |
| JPH11312640A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Canon Inc | 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2001284213A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| JP2002004054A (ja) * | 2000-04-14 | 2002-01-09 | Asm Microchemistry Oy | 基板上に薄膜を成長させる方法 |
-
2002
- 2002-03-29 JP JP2002093761A patent/JP4361713B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
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|---|---|---|---|---|
| JPS60108312A (ja) * | 1983-11-15 | 1985-06-13 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | けい化水素の超精製方法 |
| WO1999041010A1 (fr) * | 1998-02-17 | 1999-08-19 | Kanebo, Limited | Carbone active pour adsorption et stockage d'un compose gazeux |
| JPH11312640A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-11-09 | Canon Inc | 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法 |
| JP2001284213A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Canon Inc | 露光装置、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法 |
| JP2002004054A (ja) * | 2000-04-14 | 2002-01-09 | Asm Microchemistry Oy | 基板上に薄膜を成長させる方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101145852B1 (ko) | 2005-11-02 | 2012-05-17 | 주식회사 케이씨텍 | 전자소재 제조용 가스공급장치 및 방법 |
| KR101275890B1 (ko) * | 2006-09-18 | 2013-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 가스분배 공급장치 |
| CN112447498A (zh) * | 2019-08-29 | 2021-03-05 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 降低双极型器件正向导通SFs拓展的SiC外延层生长方法、结构及生长方法供气管路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4361713B2 (ja) | 2009-11-11 |
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