JP2003282903A - 太陽電池装置 - Google Patents
太陽電池装置Info
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、有効受光面積を増大させ、太陽
電池装置の出力を向上させるとともに、モジュール化の
容易な太陽電池装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面側に
ｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の非晶質を順次形
成し、ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層２及びＢＳ
Ｆ構造を有した非晶質シリコン層３を有する太陽電池装
置において、前記基板１の側端面に集電極７と接続され
る電流取り出し用電極８、９を設けた。
電池装置の出力を向上させるとともに、モジュール化の
容易な太陽電池装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 ｎ型単結晶シリコン基板１の受光面側に
ｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の非晶質を順次形
成し、ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層２及びＢＳ
Ｆ構造を有した非晶質シリコン層３を有する太陽電池装
置において、前記基板１の側端面に集電極７と接続され
る電流取り出し用電極８、９を設けた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、太陽電池装置に
関し、特に、集電極と接続される電流取り出し用電極の
取り付け構造に関する。
関し、特に、集電極と接続される電流取り出し用電極の
取り付け構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池装置は、光を吸収し電流に主に
変換する部分の半導体の種類により、単結晶系、多結晶
系、非晶質系に分類される。ところで、非晶質系半導体
薄膜と結晶系半導体の特長を生かし、両者を積層構造
としたハイブリッド型太陽電池装置が研究されている。
例えば、特開平４−１３０６７１号公報に、この種の太
陽電池装置が示されている。この太陽電池装置は、互い
に逆の導電型を有する結晶系シリコン半導体と非晶質シ
リコン系半導体とを組み合わせて半導体接合を形成する
際に、接合界面に実質的に真性の非晶質シリコン系薄膜
を介在させることにより、これらの界面特性を向上さ
せ、光電変換特性の向上を図るものである。
変換する部分の半導体の種類により、単結晶系、多結晶
系、非晶質系に分類される。ところで、非晶質系半導体
薄膜と結晶系半導体の特長を生かし、両者を積層構造
としたハイブリッド型太陽電池装置が研究されている。
例えば、特開平４−１３０６７１号公報に、この種の太
陽電池装置が示されている。この太陽電池装置は、互い
に逆の導電型を有する結晶系シリコン半導体と非晶質シ
リコン系半導体とを組み合わせて半導体接合を形成する
際に、接合界面に実質的に真性の非晶質シリコン系薄膜
を介在させることにより、これらの界面特性を向上さ
せ、光電変換特性の向上を図るものである。
【０００３】上記した太陽電池装置は、光入射側の全面
に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの透明電極を設け、
この透明電極上に銀（Ａｇ）等のフィンガー状集電極が
設けられている。そして、受光面内にこれら集電極と接
続される電流取り出し用の電極（以下、バスパー電極と
いう。）が形成されている。
に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの透明電極を設け、
この透明電極上に銀（Ａｇ）等のフィンガー状集電極が
設けられている。そして、受光面内にこれら集電極と接
続される電流取り出し用の電極（以下、バスパー電極と
いう。）が形成されている。
【０００４】図８は、上記した従来の太陽電池装置をそ
の形成工程別に示した斜視図である。
の形成工程別に示した斜視図である。
【０００５】図に示すように、ｎ型単結晶シリコン基板
１をアルカリ溶液からなるエッチング溶液に浸潰し、異
方性エッチングを施して表裏面に微細な凹凸構造（テク
スチャ構造）を形成する（図８（ａ）参照）。
１をアルカリ溶液からなるエッチング溶液に浸潰し、異
方性エッチングを施して表裏面に微細な凹凸構造（テク
スチャ構造）を形成する（図８（ａ）参照）。
【０００６】次に、ＣＶＤ法により、基板１の受光面側
にｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の非晶質を順次
形成し、ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層２及びＢ
ＳＦ構造を有した非晶質シリコン層３を有する太陽電池
素子を形成する（図８（ｂ）参照）。
にｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の非晶質を順次
形成し、ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層２及びＢ
ＳＦ構造を有した非晶質シリコン層３を有する太陽電池
素子を形成する（図８（ｂ）参照）。
【０００７】さらに、発生した電流を効率よく収集する
ため、スパッタリング法により非晶質シリコン層２、非
晶質シリコン層３に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などか
らなる透明電極膜４、５を形成する（図８（ｃ）参
照）。
ため、スパッタリング法により非晶質シリコン層２、非
晶質シリコン層３に酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などか
らなる透明電極膜４、５を形成する（図８（ｃ）参
照）。
【０００８】この透明電極膜４、５上に外部へ電流を取
り出すためにフィンガー状集電極７、７を、例えば、Ag
ペーストを用いて、スクリーン印刷法により形成する。
そして、太陽電池装置の受光面上にバスパー電極３０、
３０を有する櫛型集電極が形成されている（図８（ｄ）
参照）。
り出すためにフィンガー状集電極７、７を、例えば、Ag
ペーストを用いて、スクリーン印刷法により形成する。
そして、太陽電池装置の受光面上にバスパー電極３０、
３０を有する櫛型集電極が形成されている（図８（ｄ）
参照）。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の太陽電
池装置においては、バスパー電極３０、３０が受光面上
に設けられているため、光電変換素子表面において、遮
光部となり、発電に寄与する面積（有効受光面積）が小
さくなるという問題があった。
池装置においては、バスパー電極３０、３０が受光面上
に設けられているため、光電変換素子表面において、遮
光部となり、発電に寄与する面積（有効受光面積）が小
さくなるという問題があった。
【００１０】また、従来の太陽電池装置を複数個直列に
接続して、モジュールを構成する場合、図４（ｂ）に示
すように、タブ２１を用いて隣接する太陽電池装置２
０、２０の表面側電極と裏面側電極とを接続する。この
タブ接続の際の熱などにより、タブと基板との間でひず
みが発生するなどの問題があった。
接続して、モジュールを構成する場合、図４（ｂ）に示
すように、タブ２１を用いて隣接する太陽電池装置２
０、２０の表面側電極と裏面側電極とを接続する。この
タブ接続の際の熱などにより、タブと基板との間でひず
みが発生するなどの問題があった。
【００１１】この発明は、上記した従来の問題点に鑑み
なされたものにして、有効受光面積を増大させ、太陽電
池装置の出力を向上させるとともに、モジュール化の容
易な太陽電池装置を提供することを目的とする。
なされたものにして、有効受光面積を増大させ、太陽電
池装置の出力を向上させるとともに、モジュール化の容
易な太陽電池装置を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】この発明は、結晶系半導
体基板の表面側を受光面とした太陽電池装置において、
前記基板の側端面に集電極と接続される電流取り出し用
電極を設けたことを特徴とする。
体基板の表面側を受光面とした太陽電池装置において、
前記基板の側端面に集電極と接続される電流取り出し用
電極を設けたことを特徴とする。
【００１３】上記した構成によれば、太陽電池素子の有
効受光面積を拡大させることができる。この結果、素子
内部への入射光量が増大し素子より発生する出力が向上
する。
効受光面積を拡大させることができる。この結果、素子
内部への入射光量が増大し素子より発生する出力が向上
する。
【００１４】また、この発明は、前記電流取り出し用電
極下部の前記基板端面に、絶縁層が設けられていること
を特徴とする。
極下部の前記基板端面に、絶縁層が設けられていること
を特徴とする。
【００１５】上記したように、基板の端面に絶縁層を形
成することで、電流取り出し用電極を介して、基板と他
の半導体層との短絡を防止できる。
成することで、電流取り出し用電極を介して、基板と他
の半導体層との短絡を防止できる。
【００１６】前記電流取り出し用電極は、その厚みが１
μｍないし２ｍｍに構成すると良い。
μｍないし２ｍｍに構成すると良い。
【００１７】また、隣り合った２辺もしくは向かい合っ
た２辺に同極性の電流取り出し用電極を設けてもよい。
た２辺に同極性の電流取り出し用電極を設けてもよい。
【００１８】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態につき図面
を参照して説明する。尚、従来例と同一部分には、同一
符号を付す。
を参照して説明する。尚、従来例と同一部分には、同一
符号を付す。
【００１９】この実施形態は、接合界面に実質的に真性
な非晶質シリコン系薄膜を介在させることにより、これ
らの界面特性を向上させたいわゆるＨＩＴ構造の太陽電
池装置に適用したものである。図１は、この発明の第１
の実施形態にかかる太陽電池装置をその形成工程別に示
した斜視図である。
な非晶質シリコン系薄膜を介在させることにより、これ
らの界面特性を向上させたいわゆるＨＩＴ構造の太陽電
池装置に適用したものである。図１は、この発明の第１
の実施形態にかかる太陽電池装置をその形成工程別に示
した斜視図である。
【００２０】図1に従いこの発明の実施形態をその形成
工程別に説明する。まず、ｎ型単結晶シリコン基板１を
水酸化ナトリウム溶液（ＮａＯＨ）などのアルカリ溶液
からなるエッチング溶液に浸潰し、異方性エッチングを
行い表裏面に微細な凹凸構造（テクスチャ構造）を形成
する（図１（ａ）参照）。
工程別に説明する。まず、ｎ型単結晶シリコン基板１を
水酸化ナトリウム溶液（ＮａＯＨ）などのアルカリ溶液
からなるエッチング溶液に浸潰し、異方性エッチングを
行い表裏面に微細な凹凸構造（テクスチャ構造）を形成
する（図１（ａ）参照）。
【００２１】次に、ＣＶＤ法により、基板１の受光面側
にｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の非晶質を順次
形成し、ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層２及びＢ
ＳＦ構造を有した非晶質シリコン層３を有する太陽電池
素子を形成する（図１（ｂ）参照）。
にｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の非晶質を順次
形成し、ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層２及びＢ
ＳＦ構造を有した非晶質シリコン層３を有する太陽電池
素子を形成する（図１（ｂ）参照）。
【００２２】さらに、発生した電流を効率よく収集する
ため、スパッタリング法により非晶質シリコン層２、非
晶質シリコン層３にＩＴＯなどからなる透明電極膜４、
５を形成する。続いて、基板１、非晶質シリコン層２、
３の側面を酸化し、酸化膜からなる絶縁層６を形成する
（図１（ｃ）参照）。
ため、スパッタリング法により非晶質シリコン層２、非
晶質シリコン層３にＩＴＯなどからなる透明電極膜４、
５を形成する。続いて、基板１、非晶質シリコン層２、
３の側面を酸化し、酸化膜からなる絶縁層６を形成する
（図１（ｃ）参照）。
【００２３】基板１の端面の絶縁層６上にＡｇペースト
を用いてバスパー電極８、９を設ける（図１（ｄ）参
照）。このバスパー電極８、９の厚みは、１μｍないし
２ｍｍ程度になるように形成している。基板１の端面に
絶縁層６を形成した後、バスパー電極を形成するのは、
バスパー電極８、９を介して、ｐ型非晶質シリコン層と
ｎ型単結晶シリコン基板、ｎ型非晶質シリコン層とｎ型
単結晶シリコン基板がそれぞれ短絡するのを防ぐためで
ある。
を用いてバスパー電極８、９を設ける（図１（ｄ）参
照）。このバスパー電極８、９の厚みは、１μｍないし
２ｍｍ程度になるように形成している。基板１の端面に
絶縁層６を形成した後、バスパー電極を形成するのは、
バスパー電極８、９を介して、ｐ型非晶質シリコン層と
ｎ型単結晶シリコン基板、ｎ型非晶質シリコン層とｎ型
単結晶シリコン基板がそれぞれ短絡するのを防ぐためで
ある。
【００２４】そして、透明電極膜４、５上に外部へ電流
を取り出すため集電極のフィンガー部７、７をAgペース
トを用いたスクリーン印刷法により形成する。この時、
太陽電池装置の表裏面のフィンガー状集電極７、７は、
基板１の側端面に設けられたバスパー電極８、９がそれ
ぞれ接続される（図１（ｅ）参照）。
を取り出すため集電極のフィンガー部７、７をAgペース
トを用いたスクリーン印刷法により形成する。この時、
太陽電池装置の表裏面のフィンガー状集電極７、７は、
基板１の側端面に設けられたバスパー電極８、９がそれ
ぞれ接続される（図１（ｅ）参照）。
【００２５】図１（ｅ）に示すように、この発明におい
ては、透明電極膜４、５上に形成するのは、櫛型集電極
のフィンガー部分のみであり、個々のフィンガー状集電
極７、７を接続するバスパー電極８、９は形成していな
い。この結果、受光面内の無効部面積を極力狭くするこ
とができ、出力向上を図ることができる。
ては、透明電極膜４、５上に形成するのは、櫛型集電極
のフィンガー部分のみであり、個々のフィンガー状集電
極７、７を接続するバスパー電極８、９は形成していな
い。この結果、受光面内の無効部面積を極力狭くするこ
とができ、出力向上を図ることができる。
【００２６】次に、図８に示した従来の構造の太陽電池
と、図１に示したこの発明による太陽電池の有効受光部
面積と出力を比較した結果を表１に示す。
と、図１に示したこの発明による太陽電池の有効受光部
面積と出力を比較した結果を表１に示す。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１に示すように、この発明においては、
有効受光部面積が９０％から９５％に拡大したことに伴
い、短絡電流が増加し、太陽電池の出力が約５％向上し
た。
有効受光部面積が９０％から９５％に拡大したことに伴
い、短絡電流が増加し、太陽電池の出力が約５％向上し
た。
【００２９】また、この発明においては、バスパー電極
８、９を基板１の端面に形成するため、基板の表裏面上
に形成する場合に比べ、基板に反りが生じにくく、製造
工程時に割れによる生産歩留まりの低下も抑えられる。
８、９を基板１の端面に形成するため、基板の表裏面上
に形成する場合に比べ、基板に反りが生じにくく、製造
工程時に割れによる生産歩留まりの低下も抑えられる。
【００３０】次に、上記した基板１の端面の絶縁層６を
設ける方法の例を説明する。図２に示す方法は、基板１
の表裏に非晶質シリコン層２、３及び透明電極膜４、５
を形成した太陽電池素子（図２（ａ）参照）を、図２
（ｂ）に示すように、複数個段積みする。その後、図２
（ｃ）に示すように、熱酸化などの方法により、端面を
酸化し、絶縁層６を形成する。図２（ｄ）に示すよう
に、それぞれ、端面に絶縁層６が形成された基板１が得
られる。
設ける方法の例を説明する。図２に示す方法は、基板１
の表裏に非晶質シリコン層２、３及び透明電極膜４、５
を形成した太陽電池素子（図２（ａ）参照）を、図２
（ｂ）に示すように、複数個段積みする。その後、図２
（ｃ）に示すように、熱酸化などの方法により、端面を
酸化し、絶縁層６を形成する。図２（ｄ）に示すよう
に、それぞれ、端面に絶縁層６が形成された基板１が得
られる。
【００３１】図３に示す方法は、単結晶シリコンがイン
ゴットの状態で酸化膜を形成する方法である。すなわ
ち、図３（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコンのイ
ンゴット１０を用意する。図３（ｂ）に示すように、イ
ンゴット１０の表面に熱酸化などの方法により、酸化膜
１１を形成する。その後、図３（ｃ）に示すように、イ
ンゴット１０をスライスすると、端面にシリコン酸化膜
からなる絶縁層６ａが形成された基板１ａが得られる。
ゴットの状態で酸化膜を形成する方法である。すなわ
ち、図３（ａ）に示すように、ｎ型単結晶シリコンのイ
ンゴット１０を用意する。図３（ｂ）に示すように、イ
ンゴット１０の表面に熱酸化などの方法により、酸化膜
１１を形成する。その後、図３（ｃ）に示すように、イ
ンゴット１０をスライスすると、端面にシリコン酸化膜
からなる絶縁層６ａが形成された基板１ａが得られる。
【００３２】上記した図３に示す方法において、酸化膜
１１を形成した後、端面にＡｇペーストによるバスパー
電極部を形成する。その後、インゴット１０をワイヤー
ソーヤ外周刃等により、スライスする。このように、基
板１端面に絶縁層を介してバスパー電極を予め形成する
ようにしてもよい。その後、上記した方法と同様に、表
裏面に微細な凹凸構造（テクスチャ構造）を形成し、基
板の受光面側にｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の
非晶質を順次形成する。そして、スパッタリング法によ
り透明電極膜を形成し、バスパー電極と接続されるフィ
ンガー部を設けることにより、この発明にかかる太陽電
池装置を得ることができる。尚、上記のように形成する
場合には、バスパー電極は耐酸・耐アルカリ性の導電ペ
ーストにより形成する方がよい。
１１を形成した後、端面にＡｇペーストによるバスパー
電極部を形成する。その後、インゴット１０をワイヤー
ソーヤ外周刃等により、スライスする。このように、基
板１端面に絶縁層を介してバスパー電極を予め形成する
ようにしてもよい。その後、上記した方法と同様に、表
裏面に微細な凹凸構造（テクスチャ構造）を形成し、基
板の受光面側にｉ型及びｐ型、裏面側にｉ型及びｎ型の
非晶質を順次形成する。そして、スパッタリング法によ
り透明電極膜を形成し、バスパー電極と接続されるフィ
ンガー部を設けることにより、この発明にかかる太陽電
池装置を得ることができる。尚、上記のように形成する
場合には、バスパー電極は耐酸・耐アルカリ性の導電ペ
ーストにより形成する方がよい。
【００３３】図４に太陽電池装置を複数個直列に接続し
た場合を示す。図４（ａ）は、この発明による太陽電池
装置を複数個直列に接続した場合を示す模式的断面図、
図４（ｂ）は、従来構造の太陽電池装置を複数個直列に
接続した場合を示す模式的断面図である。
た場合を示す。図４（ａ）は、この発明による太陽電池
装置を複数個直列に接続した場合を示す模式的断面図、
図４（ｂ）は、従来構造の太陽電池装置を複数個直列に
接続した場合を示す模式的断面図である。
【００３４】図４に示すように、従来のものでは、タブ
２１と呼ばれる銅箔等により太陽電池装置２０、２０間
を接続していた（同図（ｂ）参照）。これに対して、こ
の発明においては、バスパー電極８、９同士を直接接続
することができる（同図（ａ）参照）。このように、こ
の発明の構造においては、タブを必要としない低コスト
かつ簡略化されたプロセスとなる。
２１と呼ばれる銅箔等により太陽電池装置２０、２０間
を接続していた（同図（ｂ）参照）。これに対して、こ
の発明においては、バスパー電極８、９同士を直接接続
することができる（同図（ａ）参照）。このように、こ
の発明の構造においては、タブを必要としない低コスト
かつ簡略化されたプロセスとなる。
【００３５】上記した実施形態では、バスパー電極８、
９をＡｇペーストのみを使用して形成したが、複数の太
陽電池を接続する際の接続性をさらに向上させるため
に、さらに銅箔等の金属箔８ａ、９ａをそれぞれＡｇペ
ーストからなるバスパー電極８、９に接着してもよい
（図５参照）。
９をＡｇペーストのみを使用して形成したが、複数の太
陽電池を接続する際の接続性をさらに向上させるため
に、さらに銅箔等の金属箔８ａ、９ａをそれぞれＡｇペ
ーストからなるバスパー電極８、９に接着してもよい
（図５参照）。
【００３６】また、この発明には、例えば、方形のシリ
コンウェハを用いる場合、向かい合った辺に沿ってのみ
正（＋）極及び負（−）極のバスパーを形成するだけで
なく、図６、図７に示すように、隣り合った２辺、もし
くは向かい合った２辺を同一の極とするバスパー電極構
造を構成しても良い。
コンウェハを用いる場合、向かい合った辺に沿ってのみ
正（＋）極及び負（−）極のバスパーを形成するだけで
なく、図６、図７に示すように、隣り合った２辺、もし
くは向かい合った２辺を同一の極とするバスパー電極構
造を構成しても良い。
【００３７】さらに、この発明は、上記したＨＩＴ構造
太陽電池装置以外にも、熱拡散法により基板にｐｎ接合
を形成することによって得られる単結晶半導体、多結晶
半導体の太陽電池装置についても適用可能である。
太陽電池装置以外にも、熱拡散法により基板にｐｎ接合
を形成することによって得られる単結晶半導体、多結晶
半導体の太陽電池装置についても適用可能である。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように、バスパー電極を太
陽電池素子の端面に設けたことにより、太陽電池素子の
有効受光面積が拡大され、素子内部への入射光量が増大
し、太陽電池素子より発生する出力が向上する。
陽電池素子の端面に設けたことにより、太陽電池素子の
有効受光面積が拡大され、素子内部への入射光量が増大
し、太陽電池素子より発生する出力が向上する。
【図１】この発明の第１の実施形態にかかる太陽電池装
置をその形成工程別に示した斜視図である。
置をその形成工程別に示した斜視図である。
【図２】段積みした太陽電池素子の端面に絶縁膜を形成
する方法をその形成工程別に示した斜視図である。
する方法をその形成工程別に示した斜視図である。
【図３】インゴット状態で絶縁膜を形成する方法をその
形成工程別に示した斜視図である。
形成工程別に示した斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、この発明による太陽電池装置を
複数個直列に接続した場合を示す模式的断面図、図４
（ｂ）は、従来構造の太陽電池装置を複数個直列に接続
した場合を示す模式的断面図である。
複数個直列に接続した場合を示す模式的断面図、図４
（ｂ）は、従来構造の太陽電池装置を複数個直列に接続
した場合を示す模式的断面図である。
【図５】この発明による他の実施形態の太陽電池装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図６】この発明による他の実施形態の太陽電池装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図７】この発明による他の実施形態の太陽電池装置を
示す斜視図である。
示す斜視図である。
【図８】従来の太陽電池装置をその形成工程別に示した
斜視図である。
斜視図である。
１ 基板
２ ｐｎ接合を形成した非晶質シリコン層
３ ＢＳＦ構造を有した非晶質シリコン層
４、５ 透明電極
６ 絶縁層
７ 集電極（フィンガー）
８、９ バスパー電極（電流取り出し用電極）
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 5F051 AA02 AA05 BA12 BA14 CA14
DA04 DA20 FA04 FA14 FA15
GA02 GA15 JA06
Claims (4)
- 【請求項１】 結晶系半導体基板の表面側を受光面とし
た太陽電池装置において、前記基板の側端面に集電極と
接続される電流取り出し用電極を設けたことを特徴とす
る太陽電池装置。 - 【請求項２】 前記電流取り出し用電極下部の前記基板
端面に、絶縁層が設けられていることを特徴とする請求
項１に記載の太陽電池装置。 - 【請求項３】 前記電流取り出し用電極は、その厚みが
１μｍないし２ｍｍであることを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の太陽電池装置。 - 【請求項４】 隣り合った２辺もしくは向かい合った２
辺に同極性の電流取り出し用電極を設けたことを特徴と
する１ないし３のいずれかに記載の太陽電池装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002084400A JP2003282903A (ja) | 2002-03-25 | 2002-03-25 | 太陽電池装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011060971A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Kaneka Corp | 結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| CN102122679A (zh) * | 2009-04-15 | 2011-07-13 | 朱慧珑 | 薄膜太阳能电池结构、薄膜太阳能电池阵列及其制造方法 |
| JP2012524386A (ja) * | 2009-04-17 | 2012-10-11 | トランスフォーム ソーラー ピーティワイ リミテッド | 細長太陽電池及びエッジ接触部 |
| JP2012524387A (ja) * | 2009-04-15 | 2012-10-11 | スノベル（ソシュウ） テクノロジーズ リミテッド | 薄膜太陽電池構造、薄膜太陽電池アレイ及びその製造方法 |
| JP2013058702A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
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-
2002
- 2002-03-25 JP JP2002084400A patent/JP2003282903A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102122679A (zh) * | 2009-04-15 | 2011-07-13 | 朱慧珑 | 薄膜太阳能电池结构、薄膜太阳能电池阵列及其制造方法 |
| JP2012524387A (ja) * | 2009-04-15 | 2012-10-11 | スノベル（ソシュウ） テクノロジーズ リミテッド | 薄膜太陽電池構造、薄膜太陽電池アレイ及びその製造方法 |
| JP2012524386A (ja) * | 2009-04-17 | 2012-10-11 | トランスフォーム ソーラー ピーティワイ リミテッド | 細長太陽電池及びエッジ接触部 |
| JP2011060971A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Kaneka Corp | 結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 |
| JP2013058702A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池セルおよびその製造方法、太陽電池モジュールおよびその製造方法 |
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