JP2003282609A - Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof - Google Patents

Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof

Info

Publication number
JP2003282609A
JP2003282609A JP2002089533A JP2002089533A JP2003282609A JP 2003282609 A JP2003282609 A JP 2003282609A JP 2002089533 A JP2002089533 A JP 2002089533A JP 2002089533 A JP2002089533 A JP 2002089533A JP 2003282609 A JP2003282609 A JP 2003282609A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fingerprint recognition
semiconductor device
external connection
semiconductor element
sealing resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002089533A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Eiji Sakota
英治 迫田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2002089533A priority Critical patent/JP2003282609A/en
Publication of JP2003282609A publication Critical patent/JP2003282609A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Image Input (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To improve operability upon contacting a finger with a fingerprint detecting area, in a semiconductor device for effecting the fingerprint recognition by tracing a finger on the fingerprint recognition area of a semiconductor element for fingerprint recognition and the manufacturing method thereof. <P>SOLUTION: In the semiconductor device for fingerprint recognition having the semiconductor element 11 provided with the fingerprint recognition area 15 for effecting the fingerprint recognition, an external connecting terminal 13, and a wiring board 12 for electrically connecting the semiconductor element 11 to the external connecting terminal 13, the semiconductor element 11 is connected to the wiring board 12 through a flip chip. Further, an opening part 16 is formed on the wiring board 12 while the opening part 16 is constituted so as to be opposed to the fingerprint recognition area 15. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は指紋認識用半導体装
置及びその製造方法に係り、特に指紋認識用半導体素子
の指紋認識領域上を指でなぞることにより指紋認識を行
なう指紋認識用半導体装置及びその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device for fingerprint recognition and a method for manufacturing the same, and more particularly to a semiconductor device for fingerprint recognition which performs fingerprint recognition by tracing a fingerprint recognition area of a semiconductor element for fingerprint recognition with a finger. It relates to a manufacturing method.

【0002】近年、セキュリティへの関心が高くなって
きており、ラップトップタイプのパーソナルコンピュー
タや携帯端末等の小型電子機器においても、第三者の不
正使用を防止する装置が設けられるようになってきてい
る。
[0002] In recent years, there has been a growing interest in security, and even small electronic devices such as laptop type personal computers and portable terminals are provided with devices for preventing unauthorized use by third parties. ing.

【0003】このような不正使用防止装置として、指紋
認識用半導体装置を用いて指紋を認識することにより適
正使用者か或いは不正使用者かを判別し、これにより不
正使用を防止する装置が提供されている。
As such an unauthorized use prevention device, there is provided a device for identifying an appropriate user or an unauthorized user by recognizing a fingerprint by using a semiconductor device for fingerprint recognition and thereby preventing unauthorized use. ing.

【0004】上記のように指紋認識用半導体装置は小型
電子機器に組み込まれるものであるため小型化を図る必
要があり、また操作者の指紋を認識するものであるため
操作者の使用性も向上させる必要がある。
Since the semiconductor device for fingerprint recognition is incorporated in a small electronic device as described above, it is necessary to reduce the size, and since it recognizes the fingerprint of the operator, the usability of the operator is improved. Need to let.

【0005】[0005]

【従来の技術】従来、指紋照合システムを用いる指紋検
出方法には、光学式検出法と、静電容量式検出法があ
る。この内、静電容量式検出法は、指紋認識用の半導体
素子の指紋検出領域に形成された電極と指との間の静電
容量値を検知する方法である。この静電容量式検出法を
適用した指紋認識用半導体装置は、小型化を行ない易い
ため、小型電子機器等への適用が進められている。
2. Description of the Related Art Conventionally, there are an optical detection method and a capacitance detection method as a fingerprint detection method using a fingerprint collation system. Among them, the electrostatic capacitance type detection method is a method of detecting an electrostatic capacitance value between an electrode formed in a fingerprint detection area of a semiconductor element for fingerprint recognition and a finger. The semiconductor device for fingerprint recognition to which this electrostatic capacitance type detection method is applied is easy to be miniaturized, and thus is being applied to small electronic devices and the like.

【0006】この静電容量式の指紋認識用半導体装置
は、指を電極に接触させて一方向になぞる(スイープす
る)ため、半導体素子の指紋検出領域を外部に露出させ
る必要がある。このため、半導体素子を封止する封止樹
脂には開口部が形成されており、この開口部を介して上
記指紋検出領域は装置外部に露出した構成となってい
る。
In this electrostatic capacitance type fingerprint recognizing semiconductor device, since a finger is brought into contact with an electrode and traced (swept) in one direction, it is necessary to expose the fingerprint detection region of the semiconductor element to the outside. Therefore, an opening is formed in the sealing resin that seals the semiconductor element, and the fingerprint detection area is exposed to the outside of the device through the opening.

【0007】また、指紋認識用半導体装置のパッケージ
構造としては、一般の半導体装置のパッケージ構造が利
用されており、具体的にはBGA(Ball Grid Array)タ
イプのパッケージ構造が多用されている。
As the package structure of the fingerprint recognition semiconductor device, a general semiconductor device package structure is used, and specifically, a BGA (Ball Grid Array) type package structure is often used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記したように、静電
容量式の検出法では、指を半導体素子の指紋検出領域
(電極)に触れる必要があるため、指紋認識用半導体装
置に内設された半導体素子の指紋検出領域を封止樹脂よ
り露出させる必要がある。しかしながら、半導体素子の
指紋検出領域は、半導体素子の回路形成面側に形成され
ており、この回路形成面には電極も形成されている。
As described above, in the electrostatic capacitance type detection method, since it is necessary to touch the fingerprint detection area (electrode) of the semiconductor element with a finger, it is installed in the fingerprint recognition semiconductor device. It is necessary to expose the fingerprint detection area of the semiconductor element from the sealing resin. However, the fingerprint detection area of the semiconductor element is formed on the circuit formation surface side of the semiconductor element, and the electrode is also formed on this circuit formation surface.

【0009】BGAタイプのパッケージ構造の場合、半
導体素子とこれを搭載した基板とはワイヤを用いて電気
的に接続されている。このため、指紋検出領域を有した
半導体素子の回路形成面にワイヤを配設しようとした場
合、ワイヤループの高さ以上に(即ち、ワイヤが封止さ
れるよう)封止樹脂を形成する必要が生じる。
In the case of the BGA type package structure, the semiconductor element and the substrate on which the semiconductor element is mounted are electrically connected by wires. For this reason, when wires are to be arranged on the circuit formation surface of the semiconductor element having the fingerprint detection area, it is necessary to form the encapsulating resin at a height higher than the height of the wire loop (that is, so that the wires are encapsulated). Occurs.

【0010】このため、従来の指紋認識用半導体装置
は、指が挿入される開口部が深く、指を指紋検出領域
(電極)に触れさせる際の操作性が悪いという問題点が
あった。これにより、指が指紋検出領域に適正にスイー
プできない場合が発生し、この場合には指紋検出精度が
低下するおそれがあるという問題点があった。
Therefore, the conventional semiconductor device for fingerprint recognition has a problem in that the opening for inserting the finger is deep and the operability when the finger touches the fingerprint detection area (electrode) is poor. As a result, there are cases in which the finger cannot properly swipe the fingerprint detection area, and in this case, there is a problem that the fingerprint detection accuracy may decrease.

【0011】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、指を指紋検出領域に触れる際の操作性の向上を図
りうる指紋認識用半導体装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points, and an object thereof is to provide a semiconductor device for fingerprint recognition, which can improve operability when a finger touches a fingerprint detection region, and a manufacturing method thereof. To do.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴
とするものである。
In order to solve the above problems, the present invention is characterized by taking the following means.

【0013】請求項1記載の発明は、指紋認識を行なう
指紋認識領域を有した半導体素子と、外部接続端子と、
前記半導体素子と前記外部接続端子とを電気的に接続す
る接続部材とを有する指紋認識用半導体装置において、
前記接続部材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口
部を形成すると共に、該接続部材に前記半導体素子をフ
リップチップ接合したことを特徴とするものである。
According to a first aspect of the invention, a semiconductor element having a fingerprint recognition area for performing fingerprint recognition, an external connection terminal,
In a semiconductor device for fingerprint recognition, which has a connection member that electrically connects the semiconductor element and the external connection terminal,
An opening is formed at a position corresponding to the fingerprint recognition area of the connecting member, and the semiconductor element is flip-chip bonded to the connecting member.

【0014】上記発明によれば、半導体素子を接続部材
にフリップチップ接合したことにより、半導体素子を接
続部材にワイヤーボンディングする構成に比べ、指紋認
識用半導体装置の低背化を図ることができる。また、半
導体素子に設けられた指紋認識領域と、接続部材に形成
されている開口部を近接できるため、操作者の指を指紋
認識領域に接触し易くなり、指紋認識時の操作性を向上
させることができる。
According to the above invention, since the semiconductor element is flip-chip bonded to the connecting member, the height of the semiconductor device for fingerprint recognition can be reduced as compared with the structure in which the semiconductor element is wire-bonded to the connecting member. Further, since the fingerprint recognition area provided in the semiconductor element and the opening formed in the connection member can be brought close to each other, it is easy for the operator's finger to come into contact with the fingerprint recognition area, and the operability during fingerprint recognition is improved. be able to.

【0015】また、請求項1記載の指紋認識用半導体装
置において、前記接続部材を配線基板としてもよい。
Further, in the semiconductor device for fingerprint recognition according to claim 1, the connection member may be a wiring board.

【0016】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の指紋認識用半導体装置において、前記半導体素子を
封止する封止樹脂を更に設け、かつ、前記接続部材が該
封止樹脂から露出するよう構成したことを特徴とするも
のである。
According to a second aspect of the present invention, in the semiconductor device for fingerprint recognition according to the first aspect, a sealing resin for sealing the semiconductor element is further provided, and the connecting member is made of the sealing resin. It is characterized in that it is configured to be exposed.

【0017】上記発明によれば、半導体素子が封止樹脂
によりを封止されるため、信頼性の向上を図ることがで
きる。また、樹脂封止を行なう際、接続部材が封止樹脂
から露出する構成としたため、半導体素子に設けられた
指紋認識領域は外部に近接した位置となり、操作者の指
を指紋認識領域に接触し易くなり、よって指紋認識時の
操作性を向上させることができる。
According to the above invention, since the semiconductor element is sealed with the sealing resin, the reliability can be improved. Further, since the connection member is exposed from the sealing resin when the resin is sealed, the fingerprint recognition area provided on the semiconductor element is located close to the outside, and the operator's finger touches the fingerprint recognition area. Therefore, the operability in fingerprint recognition can be improved.

【0018】また、請求項3記載の発明は、請求項2記
載の指紋認識用半導体装置において、前記外部接続端子
をポスト状端子とすると共に前記封止樹脂内に位置する
よう配設し、かつ、該外部接続端子の一部が前記封止樹
脂から露出する構成としたことを特徴とするものであ
る。
According to a third aspect of the present invention, in the semiconductor device for fingerprint recognition according to the second aspect, the external connection terminals are post-shaped terminals and are arranged so as to be located in the sealing resin, and A part of the external connection terminal is exposed from the sealing resin.

【0019】上記発明によれば、ポスト状端子とされた
外部接続端子は封止樹脂に支持されるため、外部接続端
子が封止樹脂から離脱するようなことはなく、指紋認識
用半導体装置の信頼性を向上することができる。尚、外
部接続端子の一部は封止樹脂から露出するため、この露
出部分において電気的接続を取ることができる。
According to the above-mentioned invention, the external connection terminals, which are post-shaped terminals, are supported by the sealing resin, so that the external connection terminals are not separated from the sealing resin, and the semiconductor device for fingerprint recognition is provided. The reliability can be improved. Since a part of the external connection terminal is exposed from the sealing resin, electrical connection can be established at this exposed portion.

【0020】また、請求項4記載の発明は、請求項3記
載の指紋認識用半導体装置において、前記外部接続端子
は、前記封止樹脂の前記基板が配設された面に対し反対
側の面から露出した構成であることを特徴とするもので
ある。
According to a fourth aspect of the present invention, in the semiconductor device for fingerprint recognition according to the third aspect, the external connection terminal has a surface opposite to a surface of the sealing resin on which the substrate is arranged. It is characterized in that the structure is exposed from.

【0021】上記発明によれば、外部接続端子は、封止
樹脂の基板が配設された面(即ち半導体素子の指紋検出
領域が設けられた面)ではなく、これと反対側の面に露
出した構成となる。よって、指紋認識時に指が触れる面
に外部接続端子やこれと接続される配線等が存在しない
ため、指紋認識用半導体装置の使用性を向上させること
ができる。
According to the above invention, the external connection terminal is exposed not on the surface of the encapsulating resin substrate (that is, the surface of the semiconductor element on which the fingerprint detection area is provided) but on the opposite surface. It will be the configuration. Therefore, since the external connection terminal, the wiring connected to the external connection terminal, and the like do not exist on the surface touched by the finger during fingerprint recognition, usability of the semiconductor device for fingerprint recognition can be improved.

【0022】また、請求項1記載の指紋認識用半導体装
置において、前記接続部材をリードフレームにより構成
とすると共に、該接続部材と外部接続端子とを一体的な
構成とすることができる。
Further, in the semiconductor device for fingerprint recognition according to the first aspect of the present invention, the connection member can be formed of a lead frame, and the connection member and the external connection terminal can be integrated.

【0023】この構成とした場合には、接続部材を安価
なリードフレームで実現することができ、また外部接続
端子となるリード端子をリードフレーム成形時に一括的
に形成することができる。
With this structure, the connecting member can be realized by an inexpensive lead frame, and the lead terminals to be external connection terminals can be collectively formed at the time of molding the lead frame.

【0024】また、請求項5記載の発明は、請求項4記
載の指紋認識用半導体装置を製造する指紋認識用半導体
装置の製造方法において、前記半導体素子の指紋認識を
行なう指紋認識領域と前記外部接続端子の先端部とを可
撓性部材により被覆し、該被覆状態でトランスファーモ
ールドを行ない、前記封止樹脂を形成する工程を有する
ことを特徴とするものである。
According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing a fingerprint recognition semiconductor device for manufacturing the fingerprint recognition semiconductor device according to the fourth aspect, a fingerprint recognition area for performing fingerprint recognition of the semiconductor element and the external portion are provided. The present invention is characterized by including a step of coating the tip end portion of the connection terminal with a flexible member and performing transfer molding in the coated state to form the sealing resin.

【0025】上記発明によれば、指紋認識領域を可撓性
部材で被覆しトランスファーモールドを実施するため、
封止樹脂の形成時に指紋認識領域が損傷し、また不要樹
脂が付着することがなくなり、指紋認識用半導体装置の
歩留りを向上させることができる。
According to the above invention, since the fingerprint recognition area is covered with the flexible member and the transfer molding is performed,
The fingerprint recognition area is not damaged when the sealing resin is formed, and unnecessary resin does not adhere, so that the yield of semiconductor devices for fingerprint recognition can be improved.

【0026】また、外部接続端子の先端部を可撓性部材
で被覆しトランスファーモールドを実施するため、外部
接続端子を封止樹脂から確実に露出させることができ、
これによっても指紋認識用半導体装置の歩留りを向上さ
せることができる。
Further, since transfer molding is performed by covering the tip of the external connection terminal with a flexible member, the external connection terminal can be reliably exposed from the sealing resin,
This can also improve the yield of the fingerprint recognition semiconductor device.

【0027】また、請求項5記載の指紋認識用半導体装
置の製造方法において、前記可撓性部材として、緩衝フ
ィルムを用いることができる。
Further, in the method for manufacturing a semiconductor device for fingerprint recognition according to the fifth aspect, a buffer film can be used as the flexible member.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0029】図1は、本発明の第1実施例である指紋認
識用半導体装置10A(以下、単に半導体装置という)
を示している。同図に示す半導体装置10Aは例えばパ
ーソナルコンピュータや携帯端末等の小型電子機器に搭
載され、指紋認識を行なうことにより第三者の不正使用
を防止する機能を奏するものである。この半導体装置1
0Aは、大略すると半導体素子11,配線基板12,外部
接続端子13,及び封止樹脂14等により構成されてい
る。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention, a semiconductor device 10A for fingerprint recognition (hereinafter, simply referred to as a semiconductor device).
Is shown. The semiconductor device 10A shown in the figure is mounted in a small electronic device such as a personal computer or a mobile terminal, and has a function of preventing unauthorized use by a third party by performing fingerprint recognition. This semiconductor device 1
OA is generally composed of a semiconductor element 11, a wiring board 12, external connection terminals 13, a sealing resin 14, and the like.

【0030】半導体素子11は静電容量式検出法に対応
した素子であり、よって指紋認識時に指をなぞる(スイ
ープする)ための指紋認識領域15を有した構成とされ
ている。この指紋認識領域15には静電容量検出用の電
極が形成されており、よって指紋認識領域15は半導体
素子11の回路形成面(図における上面)に形成されて
いる。この回路形成面には電極パッドが形成されてお
り、この電極パッドにはバンプ17が形成されている。
このバンプ17は、例えば金バンプにより形成されてい
る。
The semiconductor element 11 is an element compatible with the electrostatic capacitance type detection method, and therefore has a fingerprint recognition area 15 for tracing (sweeping) a finger during fingerprint recognition. Electrodes for capacitance detection are formed in the fingerprint recognition area 15, and thus the fingerprint recognition area 15 is formed on the circuit formation surface (upper surface in the figure) of the semiconductor element 11. Electrode pads are formed on the circuit formation surface, and bumps 17 are formed on the electrode pads.
The bump 17 is formed of, for example, a gold bump.

【0031】配線基板12は、半導体素子11と外部接
続端子13とを電気的に接続する接続部材として機能す
るものである。前記した半導体素子11は、配線基板1
2にフリップチップ接合される。
The wiring board 12 functions as a connecting member for electrically connecting the semiconductor element 11 and the external connection terminal 13. The semiconductor element 11 is the wiring board 1
2 is flip-chip bonded.

【0032】この配線基板12は、本実施例ではガラス
エポキシ基板を用いている。しかしながら、配線基板1
2はガラスエポキシ基板に限定されものではなく、他の
樹脂基板やセラミック基板を用いることも可能である。
As the wiring board 12, a glass epoxy board is used in this embodiment. However, the wiring board 1
2 is not limited to the glass epoxy substrate, and other resin substrate or ceramic substrate can be used.

【0033】この配線基板12は、表面が後述する封止
樹脂14から露出した構成となっており、また背面は半
導体素子11と対峙した構成となっている。また、配線
基板12は、開口部16及び配線18を有した構成とさ
れている。
The surface of the wiring board 12 is exposed from the sealing resin 14 described later, and the back surface of the wiring board 12 faces the semiconductor element 11. The wiring board 12 is configured to have the opening 16 and the wiring 18.

【0034】開口部16は、半導体素子11の指紋認識
領域15と対向するよう形成されている。また、封止樹
脂14は、開口部16と指紋認識領域15との間には形
成されていない。よって、指紋認識領域15は、開口部
16を介して外部に露出した構成となっている。従っ
て、指を開口部16に挿入することにより、半導体素子
11の指紋認識領域15に指を接触することができ、指
紋の認識を行なうことができる。
The opening 16 is formed so as to face the fingerprint recognition area 15 of the semiconductor element 11. The sealing resin 14 is not formed between the opening 16 and the fingerprint recognition area 15. Therefore, the fingerprint recognition area 15 is exposed to the outside through the opening 16. Therefore, by inserting the finger into the opening 16, the finger can be brought into contact with the fingerprint recognition region 15 of the semiconductor element 11, and the fingerprint can be recognized.

【0035】配線18は、配線基板12の半導体素子1
1と対向する側の面に形成されている。この配線18は
配線基板12にプリント配線されたものであり、一端に
前記した半導体素子11がバンプ17を用いてフリップ
チップ接合されると共に、他端には外部接続端子13が
形成される。
The wiring 18 is the semiconductor element 1 of the wiring board 12.
It is formed on the surface opposite to 1. The wiring 18 is printed on the wiring board 12. The semiconductor element 11 is flip-chip bonded at one end using the bump 17 and the external connection terminal 13 is formed at the other end.

【0036】外部接続端子13は、本実施例ではポスト
状(柱状)とされており、半導体素子11の外周位置に
配設されている。また、外部接続端子13は、封止樹脂
14に埋設されることにより支持されると共に、その先
端部19が封止樹脂14の背面14aから突出した構成
となっている。この背面14aから突出した先端部19
が、半導体装置10Aが実装される実装基板に電気的に
接続される。このように本実施例では、ポスト状の外部
接続端子13は封止樹脂14に支持されるため、外部接
続端子13が封止樹脂14から離脱するようなことはな
く、半導体装置10Aの信頼性を向上することができ
る。
The external connection terminal 13 has a post shape (columnar shape) in this embodiment, and is arranged at the outer peripheral position of the semiconductor element 11. The external connection terminal 13 is supported by being embedded in the sealing resin 14, and the tip portion 19 of the external connection terminal 13 projects from the back surface 14 a of the sealing resin 14. Tip portion 19 protruding from the back surface 14a
Are electrically connected to a mounting board on which the semiconductor device 10A is mounted. As described above, in this embodiment, since the post-shaped external connection terminal 13 is supported by the sealing resin 14, the external connection terminal 13 does not come off from the sealing resin 14, and the reliability of the semiconductor device 10A is improved. Can be improved.

【0037】封止樹脂14は例えばエポキシ系の樹脂で
あり、半導体素子11を保護すると共に外部接続端子1
3を支持する機能を奏する。このように、半導体素子1
1が封止樹脂14に封止され保護されることにより、半
導体装置10Aの信頼性の向上を図ることができる。こ
の封止樹脂14は、前記したように半導体素子11の指
紋認識領域15と対向する位置には形成されていない。
The encapsulating resin 14 is, for example, an epoxy resin, protects the semiconductor element 11 and also serves as the external connection terminal 1.
It plays the function of supporting 3. In this way, the semiconductor device 1
The reliability of the semiconductor device 10A can be improved by sealing and protecting the semiconductor device 1 with the sealing resin 14. The sealing resin 14 is not formed at the position facing the fingerprint recognition area 15 of the semiconductor element 11 as described above.

【0038】上記したように、本実施例に係る半導体装
置10Aは、半導体素子11を配線基板12にフリップ
チップ接合した構成としている。この構成とすることに
より、半導体素子11と配線基板12とをワイヤーボン
ディングする構成に比べ、半導体素子11の回路形成面
上にワイヤループを形成するための空間を設ける必要が
なくなるため、半導体装置10Aの低背化を図ることが
できる。
As described above, the semiconductor device 10A according to the present embodiment has a structure in which the semiconductor element 11 is flip-chip bonded to the wiring board 12. With this configuration, it is not necessary to provide a space for forming a wire loop on the circuit formation surface of the semiconductor element 11 as compared with a configuration in which the semiconductor element 11 and the wiring board 12 are wire-bonded, and thus the semiconductor device 10A The height can be reduced.

【0039】また、本実施例に係る半導体装置10Aで
は、配線基板12に開口部16を形成し、この開口部1
6が半導体素子11の指紋認識領域15と対向するよう
構成している。また、上記のように半導体素子11と配
線基板12をフリップチップ接合することにより、半導
体素子11と配線基板12は近接した構成となってい
る。従って、開口部16と指紋認識領域15とを近接さ
せることが可能となり、指紋認識を行なおうとする人の
指を指紋認識領域15に接触し易くなり、指紋認識時の
操作性を向上させることができる。
Further, in the semiconductor device 10A according to this embodiment, the opening 16 is formed in the wiring board 12, and the opening 1 is formed.
6 is configured to face the fingerprint recognition area 15 of the semiconductor element 11. Further, as described above, the semiconductor element 11 and the wiring board 12 are flip-chip bonded to each other, so that the semiconductor element 11 and the wiring board 12 are close to each other. Therefore, it becomes possible to bring the opening 16 and the fingerprint recognition area 15 close to each other, and it becomes easier for a finger of a person who wants to perform fingerprint recognition to come into contact with the fingerprint recognition area 15, thereby improving operability during fingerprint recognition. You can

【0040】更に、本実施例に係る半導体装置10Aで
は、外部接続端子13が封止樹脂14の背面14aか
ら、即ち封止樹脂14の配線基板12が配設された面に
対し反対側の面から露出した構成としている。この構成
とすることにより、外部接続端子13は、封止樹脂14
の配線基板12が配設された面(即ち半導体素子11の
指紋検出領域15が設けられた面)ではなく、これと反
対側の封止樹脂14の背面14aに露出した構成とな
る。
Further, in the semiconductor device 10A according to the present embodiment, the external connection terminal 13 is from the rear surface 14a of the sealing resin 14, that is, the surface of the sealing resin 14 opposite to the surface on which the wiring board 12 is arranged. The structure is exposed from. With this configuration, the external connection terminal 13 is sealed with the sealing resin 14
The surface is not exposed to the surface on which the wiring substrate 12 is provided (that is, the surface on which the fingerprint detection area 15 of the semiconductor element 11 is provided), but is exposed to the back surface 14a of the sealing resin 14 on the opposite side.

【0041】よって、半導体装置10Aは、指紋認識領
域15が形成された面側に外部接続端子13やこれと接
続される配線等が存在しない構成となる。これにより、
指紋認識領域15は配線基板12の開口部16に近接
し、指紋認識領域15を外部に近い位置で露出できるた
め、半導体装置10Aの使用性を向上させることができ
る。
Therefore, the semiconductor device 10A has a structure in which the external connection terminal 13 and the wiring connected to the external connection terminal 13 are not present on the surface side where the fingerprint recognition area 15 is formed. This allows
Since the fingerprint recognition area 15 is close to the opening 16 of the wiring board 12 and the fingerprint recognition area 15 can be exposed at a position close to the outside, usability of the semiconductor device 10A can be improved.

【0042】次に、本発明の第2乃至第4実施例につい
て説明する。図2は本発明の第2実施例である半導体装
置10Bを示しており、図3は本発明の第3実施例であ
る半導体装置10Cを示しており、図4は本発明の第4
実施例である半導体装置10Dを示している。尚、図2
乃至図4において、第1実施例の説明に用いた図1と同
一構成については同一符号を付してその説明を省略す
る。また、図5以降においても同様とする。
Next, second to fourth embodiments of the present invention will be described. 2 shows a semiconductor device 10B which is the second embodiment of the present invention, FIG. 3 shows a semiconductor device 10C which is the third embodiment of the present invention, and FIG. 4 shows the fourth embodiment of the present invention.
The semiconductor device 10D which is an example is shown. Incidentally, FIG.
4 to 4, the same components as those used in the description of the first embodiment and shown in FIG. The same applies to FIG. 5 and subsequent figures.

【0043】図2に示す第2実施例に係る半導体装置1
0Bは、図1に示した半導体装置10Aに対し、外部接
続端子13の先端部19にはんだボール20を形成した
ことを特徴とするものである。また、図3に示す半導体
装置10Cは、図1に示した半導体装置10Aに対し、
外部接続端子13の先端部19にはんだプリコート部2
1を形成したことを特徴とするものである。この第2或
いは第3実施例の半導体装置10B,10Cによれば、
はんだボール20或いははんだプリコート部21が設け
られているため、各半導体装置10B,10Cを実装基
板に実装する際の実装性を向上させることができる。
A semiconductor device 1 according to the second embodiment shown in FIG.
0B is characterized in that a solder ball 20 is formed on the tip portion 19 of the external connection terminal 13 in the semiconductor device 10A shown in FIG. Further, the semiconductor device 10C shown in FIG. 3 is different from the semiconductor device 10A shown in FIG.
The solder precoat portion 2 is provided on the tip portion 19 of the external connection terminal 13.
1 is formed. According to the semiconductor devices 10B and 10C of the second or third embodiment,
Since the solder balls 20 or the solder precoat portions 21 are provided, it is possible to improve the mountability when mounting the semiconductor devices 10B and 10C on the mounting substrate.

【0044】図4に示す第4実施例に係る半導体装置1
0Dは、第1実施例に係る半導体装置10Aで用いてい
た配線基板12,外部接続端子13に代えて、リードフ
レーム22を用いたことを特徴とするものである。この
リードフレーム22は、42アロイ等の周知のリードフ
レーム材料よりなり、複数のアウターリード部23とイ
ンナーリード部24とを一体的に形成した構成とされて
いる。
A semiconductor device 1 according to a fourth embodiment shown in FIG.
0D is characterized by using a lead frame 22 in place of the wiring board 12 and the external connection terminal 13 used in the semiconductor device 10A according to the first embodiment. The lead frame 22 is made of a well-known lead frame material such as 42 alloy and has a structure in which a plurality of outer lead portions 23 and inner lead portions 24 are integrally formed.

【0045】半導体素子11は、リードフレーム22の
インナーリード部24にフリップチップ接合されてい
る。また、アウターリード部23は、封止樹脂14の外
部に延出しており、表面実装に対応するためガルウイン
グ状に折り曲げられた構成とされている。更に、封止樹
脂14には開口部16が形成されており、この開口部1
6は半導体素子11の指紋認識領域15と対向するよう
構成されている。
The semiconductor element 11 is flip-chip bonded to the inner lead portion 24 of the lead frame 22. Further, the outer lead portion 23 extends to the outside of the sealing resin 14 and is configured to be bent in a gull wing shape in order to support surface mounting. Further, the sealing resin 14 has an opening 16 formed therein.
Reference numeral 6 is configured to face the fingerprint recognition area 15 of the semiconductor element 11.

【0046】更に、インナーリード部24は封止樹脂1
4内に埋設された状態となるが、このインナーリード部
24より上部の封止樹脂14の厚さは、機械的強度を維
持できる範囲内において可能な限り薄く設定されてい
る。これにより、開口部16の形成部位における封止樹
脂14の厚さを小さくでき、指紋認識領域15を外部に
近づけることができる。
Further, the inner lead portion 24 is made of the sealing resin 1
However, the thickness of the sealing resin 14 above the inner lead portion 24 is set to be as thin as possible within a range in which mechanical strength can be maintained. As a result, the thickness of the sealing resin 14 at the site where the opening 16 is formed can be reduced, and the fingerprint recognition area 15 can be brought closer to the outside.

【0047】また、本実施例に係る半導体装置10Dで
は、リードフレーム22として42アロイ等の安価なリ
ードフレーム材料を用いることができ、またインナーリ
ード部24とアウターリード部23はプレス加工により
一括的に加工することが可能である。このリードフレー
ム22の加工技術は既に確立した技術であり、既存の半
導体製造設備を利用して安価に加工することができる。
よって、リードフレーム22を用いることにより、半導
体装置10Dの低コスト化を図ることができる。
In the semiconductor device 10D according to this embodiment, an inexpensive lead frame material such as 42 alloy can be used as the lead frame 22, and the inner lead portion 24 and the outer lead portion 23 are collectively pressed by press working. It can be processed into The processing technique of the lead frame 22 is an already established technique, and can be processed at low cost by utilizing the existing semiconductor manufacturing equipment.
Therefore, by using the lead frame 22, the cost of the semiconductor device 10D can be reduced.

【0048】続いて、上記構成とされた半導体装置10
A〜10Dの製造方法について説明する。尚、以下の説
明では、第2実施例である半導体装置10Bの製造方法
を例に挙げて説明するものとする。
Subsequently, the semiconductor device 10 having the above structure
A method for manufacturing A to 10D will be described. In the following description, the method for manufacturing the semiconductor device 10B according to the second embodiment will be described as an example.

【0049】半導体装置10Bを製造するには、先ず配
線基板12を容易する。この配線基板12は、例えばF
R−4等のガラスエポキシ製の基板であり、その厚さは
0.1mm程度のものが選定されている。この配線基板12
は、予め開口部16と配線18が形成されている。
To manufacture the semiconductor device 10B, the wiring board 12 is first prepared. This wiring board 12 is, for example, F
It is a substrate made of glass epoxy such as R-4, and its thickness is
The thing of about 0.1 mm is selected. This wiring board 12
The openings 16 and the wirings 18 are formed in advance.

【0050】開口部16は、配線基板12の製造時にプ
レス加工により打ち抜き加工される。また、配線18は
銅配線であり、エッチング技術を用いることにより、前
記した半導体素子11の接合位置(バンプ17の接合位
置)と外部接続端子13の形成位置とを接続する所定の
パターンで形成される。
The opening 16 is punched by press working when the wiring board 12 is manufactured. The wiring 18 is a copper wiring and is formed in a predetermined pattern for connecting the above-mentioned bonding position of the semiconductor element 11 (bonding position of the bump 17) and the formation position of the external connection terminal 13 by using an etching technique. It

【0051】尚、図示及び説明の便宜上、図5乃至図1
0では一つの半導体装置10Bに対応する部分を拡大し
て示すが、実際はいわゆる多数個取りを行なうため、図
11に示すダイシング処理を実施するまでは、一つの配
線基板に複数の半導体装置10Bが同時に複数個形成さ
れる。
For convenience of illustration and description, FIGS.
In FIG. 0, a portion corresponding to one semiconductor device 10B is shown in an enlarged manner. However, in reality, so-called multi-cavity fabrication is performed. Therefore, until the dicing process shown in FIG. A plurality are formed at the same time.

【0052】上記の配線基板12が容易されると、続い
てこの配線基板12上にレジスト(図示せず)が塗布さ
れる。このレジストの高さは、後述するように半導体素
子11が実装された際、この半導体素子11の高さより
も高くなるよう設定されている。具体的には、接合され
た状態の半導体素子11の高さよりも、例えば150μm
以上高くなるよう設定される。
After the wiring board 12 is prepared, a resist (not shown) is subsequently applied onto the wiring board 12. The height of the resist is set to be higher than the height of the semiconductor element 11 when the semiconductor element 11 is mounted as described later. Specifically, the height is, for example, 150 μm greater than the height of the semiconductor element 11 in the joined state.
It is set to be higher than the above.

【0053】続いて、このレジストの露光現像処理が実
施され、外部接続端子13の形成位置のみレジストが除
去される。続いて、このレジストをマスクとして、外部
接続端子13の形成処理が実施される。この外部接続端
子13の形成は、メッキ法を用いて実施される。尚、メ
ッキ法は電界メッキ法を用いても無電解メッキ法を用い
ても良い。電界メッキ法を適用する場合には、配線18
を給電用の配線として使用する。
Subsequently, the resist is exposed and developed, and the resist is removed only at the positions where the external connection terminals 13 are formed. Then, the formation process of the external connection terminal 13 is performed using this resist as a mask. The formation of the external connection terminal 13 is performed by using a plating method. The plating method may be either electroplating or electroless plating. When the electric field plating method is applied, the wiring 18
Is used as wiring for power supply.

【0054】上記のようにして外部接続端子13が形成
されると、アッシング処理を行なうことによりレジスト
が除去される。上記処理を行なうことにより、図5に示
すように、配線基板12の配線18上に外部接続端子1
3が形成される。
When the external connection terminal 13 is formed as described above, the resist is removed by performing an ashing process. By performing the above processing, as shown in FIG. 5, the external connection terminal 1 is formed on the wiring 18 of the wiring board 12.
3 is formed.

【0055】上記のように外部接続端子13が形成され
ると、続いて半導体素子11を配線基板12に接合する
処理が実施される。具体的には、半導体素子11の電極
部にバンプ17を予め形成しておき、チップマウンター
を用いてこの半導体素子11を配線基板12にフリップ
チップ接合する。図6は半導体素子11が配線基板12
にフリップチップ接合される直前の状態を、また図7は
半導体素子11が配線基板12にフリップチップ接合さ
れた状態を示している。
After the external connection terminals 13 are formed as described above, a process of joining the semiconductor element 11 to the wiring board 12 is subsequently performed. Specifically, the bumps 17 are formed in advance on the electrode portions of the semiconductor element 11, and the semiconductor element 11 is flip-chip bonded to the wiring board 12 using a chip mounter. In FIG. 6, the semiconductor element 11 is the wiring board 12.
7 shows a state immediately before the flip chip bonding, and FIG. 7 shows a state in which the semiconductor element 11 is flip chip bonded to the wiring substrate 12.

【0056】前記したように半導体素子11は静電容量
式検出法に対応した素子であり、よって回路形成面に指
紋認識時に指をなぞるための指紋認識領域15が形成さ
れた構成とされている。この指紋認識領域15は、半導
体素子11を配線基板12にフリップチップ接合した
際、配線基板12に形成された開口部16と対向するよ
う構成されている。
As described above, the semiconductor element 11 is an element compatible with the electrostatic capacitance type detection method, and therefore, the fingerprint recognition area 15 for tracing the finger at the time of fingerprint recognition is formed on the circuit formation surface. . The fingerprint recognition area 15 is configured to face the opening 16 formed in the wiring board 12 when the semiconductor element 11 is flip-chip bonded to the wiring board 12.

【0057】上記のように半導体素子11の搭載処理が
終了すると、図8に示すように半導体素子11が搭載さ
れた配線基板12は金型25に装着され、封止樹脂14
を形成するためのトランスファーモールドが実施され
る。金型25は、上型26と下型27とにより構成され
ており、また下型27には入れ子28が組み込まれた構
成とされている。この入れ子28は、矢印で示すように
図中上下方向に移動可能な構成とされている。
When the mounting process of the semiconductor element 11 is completed as described above, the wiring board 12 on which the semiconductor element 11 is mounted is mounted on the mold 25 as shown in FIG.
Transfer molding is performed to form the. The mold 25 includes an upper mold 26 and a lower mold 27, and the lower mold 27 has a nest 28 incorporated therein. The nest 28 is configured to be movable in the vertical direction in the figure as shown by the arrow.

【0058】配線基板12は、金型25に装着される
際、半導体素子11の指紋認識領域15が開口部16を
介して入れ子28と対向するよう装着される。従って、
金型25に装着された状態において、外部接続端子13
は上方に延出した構成となる。
When the wiring board 12 is mounted on the mold 25, the fingerprint recognition area 15 of the semiconductor element 11 is mounted so as to face the nest 28 through the opening 16. Therefore,
The external connection terminal 13 when mounted on the mold 25
Has a structure extending upward.

【0059】本実施例では、配線基板12を金型25内
に装着する際、上型26のキャビティに第1の緩衝フィ
ルム30を配設し、よって配線基板12の装着状態にお
いて外部接続端子13が第1の緩衝フィルム30に当接
するよう構成されている。また、下型27のキャビティ
には第2の緩衝フィルム31が配設されており、よって
配線基板12の装着状態において配線基板12は第2の
緩衝フィルム31に当接するよう構成されている。ま
た、配線基板12が金型25内に装着されると入れ子2
8は上動し、これにより第2の緩衝フィルム31は開口
部16を介して半導体素子11の指紋認識領域15に接
触する。
In this embodiment, when the wiring board 12 is mounted in the mold 25, the first buffer film 30 is provided in the cavity of the upper die 26, so that the external connection terminal 13 is mounted in the mounted state of the wiring board 12. Are configured to come into contact with the first cushioning film 30. Further, the second buffer film 31 is provided in the cavity of the lower mold 27, so that the wiring board 12 is configured to contact the second buffer film 31 when the wiring board 12 is mounted. When the wiring board 12 is mounted in the mold 25, the nest 2
8 moves upward, whereby the second buffer film 31 comes into contact with the fingerprint recognition area 15 of the semiconductor element 11 through the opening 16.

【0060】第1及び第2の緩衝フィルム30,31
は、可撓性及び耐熱性を有した樹脂フィルムである。よ
って、金型25内に第1及び第2の緩衝フィルム30,
31配設しても、第1及び第2の緩衝フィルム30,3
1が損傷するようなことはない。また、第1及び第2の
緩衝フィルム30,31は上記のように可撓性を有する
ため、上型26と下型27とをクランプする際に緩衝効
果を発揮する。このため、上記クランプ時において、配
線基板12及び外部接続端子13が損傷することを防止
することができる。
First and second buffer films 30, 31
Is a resin film having flexibility and heat resistance. Therefore, the first and second buffer films 30,
Even if 31 is provided, the first and second buffer films 30, 3
1 is not damaged. Further, since the first and second cushioning films 30 and 31 have flexibility as described above, they exert a cushioning effect when the upper die 26 and the lower die 27 are clamped. Therefore, it is possible to prevent the wiring board 12 and the external connection terminals 13 from being damaged during the clamping.

【0061】また、第1の緩衝フィルム30の厚さは、
上記のクランプ時において、外部接続端子13が100μ
m程度食い込む厚さに設定されている。このように、外
部接続端子13の先端部が第1の緩衝フィルム30に食
い込んだ状態で、樹脂が金型25内に圧縮注入されトラ
ンスファーモールドが行なわれる。これにより、半導体
素子11を保護すると共に、外部接続端子13を支持す
る封止樹脂14が形成される。
The thickness of the first buffer film 30 is
During the above clamping, the external connection terminal 13 is 100μ
It is set to a thickness of about m. In this way, the resin is compression-injected into the mold 25 and the transfer molding is performed in a state in which the tip portion of the external connection terminal 13 bites into the first buffer film 30. As a result, the sealing resin 14 that protects the semiconductor element 11 and supports the external connection terminals 13 is formed.

【0062】図9は、封止樹脂14が形成された配線基
板12を示している。図8を用いて説明したように、外
部接続端子13の先端部は第1の緩衝フィルム30に食
い込んだ状態で封止樹脂14が形成される。いま、外部
接続端子13の第1の緩衝フィルム30に食い込み量を
hとすると、この外部接続端子13の第1の緩衝フィル
ム30に食い込んだ部分hは封止樹脂14に埋設されな
い。このため、外部接続端子13の先端部19は、封止
樹脂14の背面14aから寸法hだけ突出する。
FIG. 9 shows the wiring board 12 on which the sealing resin 14 is formed. As described with reference to FIG. 8, the sealing resin 14 is formed in a state where the tip portion of the external connection terminal 13 bites into the first buffer film 30. Now, assuming that the amount of biting into the first buffer film 30 of the external connection terminal 13 is h, the portion h of the external connection terminal 13 that bites into the first buffer film 30 is not embedded in the sealing resin 14. Therefore, the tip portion 19 of the external connection terminal 13 projects from the back surface 14a of the sealing resin 14 by the dimension h.

【0063】また、封止樹脂14の形成時において、指
紋認識領域15は第2の緩衝フィルム31に接触した状
態となっている。このため、トランスファーモールド時
において、指紋認識領域15は第2の緩衝フィルム31
により確実に保護されるため、半導体装置10Bの製造
歩留りの向上を図ることができる。また、第2の緩衝フ
ィルム31により指紋認識領域15が覆われた状態で封
止樹脂14の形成を行なうため、この形成時に不要樹脂
が指紋認識領域15に付着することを防止できる。
When the sealing resin 14 is formed, the fingerprint recognition area 15 is in contact with the second buffer film 31. Therefore, during transfer molding, the fingerprint recognition area 15 becomes the second buffer film 31.
As a result, the production yield of the semiconductor device 10B can be improved. Further, since the sealing resin 14 is formed in a state where the fingerprint recognition area 15 is covered with the second buffer film 31, it is possible to prevent unnecessary resin from adhering to the fingerprint recognition area 15 during this formation.

【0064】続いて、図10に示すように、外部接続端
子13の封止樹脂14から露出した先端部19にはんだ
ボール20が形成される。この際、外部接続端子13に
コプラナリティにバラツキが存在していても、はんだボ
ール20によりコプラナリティの均一化を図ることがで
きる。尚、はんだボール20を形成する前に、外部接続
端子13に対して研磨処理を実施し、これによりコプラ
ナリティの均一化を図る構成としてもよい。
Then, as shown in FIG. 10, solder balls 20 are formed on the tip portions 19 of the external connection terminals 13 exposed from the sealing resin 14. At this time, even if the external connection terminals 13 have variations in coplanarity, the solder balls 20 can make the coplanarities uniform. Note that the external connection terminals 13 may be subjected to a polishing treatment before the solder balls 20 are formed, so that the coplanarity is made uniform.

【0065】上記のようにはんだボール20の形成処理
が終了すると、配線基板12はダイシング装置に装着さ
れ、図11に示されるようにダイシングブレード32を
用いて個片化処理が行なわれる。これにより、配線基板
12は個々の半導体装置10Bに個片化され、これによ
り図2に示す半導体装置10Bが製造される。
When the formation process of the solder balls 20 is completed as described above, the wiring board 12 is mounted on the dicing device, and the dicing blade 32 is used to perform the individualizing process as shown in FIG. As a result, the wiring board 12 is divided into individual semiconductor devices 10B, and the semiconductor device 10B shown in FIG. 2 is manufactured.

【0066】尚、上記した製造方法では外部接続端子1
3をメッキ法により形成した構成としたが、外部接続端
子13の形成はメッキ法に限定されるものではなく、他
の方法を適用することも可能である。例えば、ポール状
の外部接続端子13を予め製造しておき、これを配線1
8に溶接することにより固定する構成としてもよい。
In the manufacturing method described above, the external connection terminal 1
Although 3 is formed by the plating method, the formation of the external connection terminals 13 is not limited to the plating method, and other methods can be applied. For example, the pole-shaped external connection terminal 13 is manufactured in advance, and this is connected to the wiring 1
8 may be fixed by welding.

【0067】以上の説明に関し、更に以下の項を開示す
る。
Regarding the above description, the following items will be further disclosed.

【0068】(付記1) 指紋認識を行なう指紋認識領
域を有した半導体素子と、外部接続端子と、前記半導体
素子と前記外部接続端子とを電気的に接続する接続部材
とを有する指紋認識用半導体装置において、前記接続部
材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口部を形成す
ると共に、該接続部材に前記半導体素子をフリップチッ
プ接合したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 1) A semiconductor for fingerprint recognition having a semiconductor element having a fingerprint recognition area for fingerprint recognition, an external connection terminal, and a connecting member for electrically connecting the semiconductor element and the external connection terminal. In the device, a semiconductor device for fingerprint recognition, characterized in that an opening is formed at a position corresponding to the fingerprint recognition region of the connection member, and the semiconductor element is flip-chip bonded to the connection member.

【0069】(付記2) 付記1記載の指紋認識用半導
体装置において、前記接続部材を配線基板により構成し
たことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 2) The semiconductor device for fingerprint recognition according to Supplementary Note 1, wherein the connection member is formed of a wiring board.

【0070】(付記3) 付記2記載の指紋認識用半導体
装置において、前記半導体素子を封止する封止樹脂を更
に設け、かつ、前記接続部材が該封止樹脂から露出する
よう構成したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 3) In the semiconductor device for fingerprint recognition according to Supplementary Note 2, a sealing resin for sealing the semiconductor element is further provided, and the connecting member is exposed from the sealing resin. Characteristic semiconductor device for fingerprint recognition.

【0071】(付記4) 付記3記載の指紋認識用半導体
装置において、前記外部接続端子をポスト状端子とする
と共に前記封止樹脂内に位置するよう配設し、かつ、該
外部接続端子の一部が前記封止樹脂から露出する構成と
したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 4) In the semiconductor device for fingerprint recognition according to Supplementary Note 3, the external connection terminal is a post-shaped terminal and is disposed so as to be located in the sealing resin, and one of the external connection terminals is disposed. A semiconductor device for fingerprint recognition, wherein a part is exposed from the sealing resin.

【0072】(付記5) 付記4記載の指紋認識用半導体
装置において、前記外部接続端子は、前記封止樹脂の前
記基板が配設された面に対し反対側の面から露出した構
成であることを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 5) In the semiconductor device for fingerprint recognition according to Supplementary Note 4, the external connection terminals are exposed from the surface of the sealing resin opposite to the surface on which the substrate is provided. A semiconductor device for fingerprint recognition, which is characterized by:

【0073】(付記6) 付記1記載の指紋認識用半導体
装置において、前記接続部材をリードフレームにより構
成とすると共に、該接続部材と外部接続端子とを一体的
な構成としたことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 6) In the semiconductor device for fingerprint recognition described in Supplementary Note 1, the connection member is formed of a lead frame, and the connection member and the external connection terminal are integrally formed. Fingerprint recognition semiconductor device.

【0074】(付記7) 付記1乃至6のいずれか1項に
記載の指紋認識用半導体装置において、前記半導体素子
は、静電容量式検出法にて指紋認識を行なう構成である
ことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
(Supplementary Note 7) In the semiconductor device for fingerprint recognition according to any one of Supplementary Notes 1 to 6, the semiconductor element is configured to perform fingerprint recognition by a capacitance type detection method. Fingerprint recognition semiconductor device.

【0075】(付記8) 付記5記載の指紋認識用半導体
装置を製造する指紋認識用半導体装置の製造方法におい
て、前記半導体素子の指紋認識を行なう指紋認識領域と
前記外部接続端子の先端部とを可撓性部材により被覆
し、該被覆状態でトランスファーモールドを行ない、前
記封止樹脂を形成する工程を有することを特徴とする指
紋認識用半導体装置の製造方法。
(Supplementary Note 8) In the method for manufacturing a fingerprint recognizing semiconductor device for producing the fingerprint recognizing semiconductor device according to Supplementary Note 5, a fingerprint recognizing region for recognizing a fingerprint of the semiconductor element and a tip portion of the external connecting terminal are provided. A method of manufacturing a semiconductor device for fingerprint recognition, comprising the steps of covering with a flexible member, performing transfer molding in the covered state, and forming the sealing resin.

【0076】(付記9) 付記8記載の指紋認識用半導体
装置の製造方法において、前記可撓性部材は、緩衝フィ
ルムであることを特徴とする指紋認識用半導体装置の製
造方法。
(Supplementary Note 9) In the method for producing a semiconductor device for fingerprint recognition according to supplementary note 8, the flexible member is a buffer film.

【0077】[0077]

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。
As described above, according to the present invention, various effects described below can be realized.

【0078】請求項1記載の発明によれば、指紋認識用
半導体装置の低背化を図ることができると共に、操作者
の指を指紋認識領域に接触し易くなるため操作性を向上
させることができる。
According to the first aspect of the invention, the height of the semiconductor device for fingerprint recognition can be reduced, and the operability can be improved because the operator's finger can easily come into contact with the fingerprint recognition area. it can.

【0079】また、請求項2記載の発明によれば、半導
体素子に設けられた指紋認識領域が外部に近接するた
め、操作者の指を指紋認識領域に接触し易くなり、よっ
て指紋認識時の操作性を向上させることができる。
According to the second aspect of the present invention, since the fingerprint recognition area provided on the semiconductor element is close to the outside, it is easy for the operator's finger to come into contact with the fingerprint recognition area. Operability can be improved.

【0080】また、請求項3記載の発明によれば、ポス
ト状端子とされた外部接続端子は封止樹脂に支持される
ため、外部接続端子が封止樹脂から離脱するようなこと
はなく、指紋認識用半導体装置の信頼性を向上すること
ができる。
According to the third aspect of the invention, since the external connection terminals that are post-shaped terminals are supported by the sealing resin, the external connection terminals do not separate from the sealing resin. The reliability of the semiconductor device for fingerprint recognition can be improved.

【0081】また、請求項4記載の発明によれば、指紋
認識時に指が触れる面に外部接続端子やこれと接続され
る配線等が存在しない構成にできるため、指紋認識用半
導体装置の使用性を向上させることができる。
Further, according to the invention of claim 4, since the external connection terminal and the wiring connected to the external connection terminal are not present on the surface touched by the finger during fingerprint recognition, the usability of the semiconductor device for fingerprint recognition is improved. Can be improved.

【0082】また、接続部材をリードフレームにより構
成とすると共に、この接続部材と外部接続端子とを一体
的な構成とした場合には、接続部材を安価なリードフレ
ームで実現することができ、また外部接続端子となるリ
ード端子をリードフレーム成形時に一括的に形成するこ
とができる。
When the connecting member is formed of a lead frame and the connecting member and the external connection terminal are integrally formed, the connecting member can be realized by an inexpensive lead frame. The lead terminals to be the external connection terminals can be collectively formed at the time of molding the lead frame.

【0083】また、請求項5記載の発明によれば、指紋
認識領域を可撓性部材で被覆しトランスファーモールド
を実施するため、封止樹脂の形成時に指紋認識領域が損
傷し、また不要樹脂が付着することがなくなり、また外
部接続端子を封止樹脂から確実に露出させることができ
るため、指紋認識用半導体装置の歩留りを向上させるこ
とができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the fingerprint recognition area is covered with the flexible member and the transfer molding is performed, the fingerprint recognition area is damaged at the time of forming the sealing resin, and unnecessary resin is removed. Since the adhesion does not occur and the external connection terminals can be reliably exposed from the sealing resin, the yield of the semiconductor device for fingerprint recognition can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor device for fingerprint recognition which is a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a semiconductor device for fingerprint recognition which is a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a fingerprint recognition semiconductor device according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4実施例である指紋認識用半導体装
置を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a semiconductor device for fingerprint recognition which is a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、外部接続端子を形成する工程を説明す
るための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining a step of forming an external connection terminal in the method of manufacturing the semiconductor device for fingerprint recognition which is an embodiment of the present invention.

【図6】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、半導体素子を配線基板に搭載する工程
を説明するための図である(その1)。
FIG. 6 is a diagram for explaining a step of mounting a semiconductor element on a wiring board in the method of manufacturing a semiconductor device for fingerprint recognition which is an embodiment of the present invention (No. 1).

【図7】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、半導体素子を配線基板に搭載する工程
を説明するための図である(その2)。
FIG. 7 is a diagram for explaining the step of mounting the semiconductor element on the wiring board in the method of manufacturing the semiconductor device for fingerprint recognition which is an embodiment of the present invention (No. 2).

【図8】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、封止樹脂を形成する工程を説明するた
めの図である(その1)。
FIG. 8 is a diagram for explaining a step of forming a sealing resin in the method of manufacturing the semiconductor device for fingerprint recognition which is an embodiment of the present invention (No. 1).

【図9】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装置
の製造方法の内、封止樹脂を形成する工程を説明するた
めの図である(その2)。
FIG. 9 is a diagram for explaining a step of forming a sealing resin in the method of manufacturing the semiconductor device for fingerprint recognition which is an embodiment of the present invention (No. 2).

【図10】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装
置の製造方法の内、はんだボールを外部接続端子に配設
する工程を説明するための図である。
FIG. 10 is a diagram for explaining a step of disposing solder balls on the external connection terminals in the method of manufacturing the semiconductor device for fingerprint recognition which is an embodiment of the present invention.

【図11】本発明の一実施例である指紋認識用半導体装
置の製造方法の内、半導体装置を個片化する工程を説明
するための図である。
FIG. 11 is a diagram for explaining a step of dividing the semiconductor device into individual pieces in the method of manufacturing the fingerprint recognition semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10A〜10D 半導体装置 12 配線基板 13 外部接続端子 14 封止樹脂 15 指紋認識領域 16 開口部 17 バンプ 18 配線 20 はんだボール 21 はんだプリコート部 22 リードフレーム 25 金型 28 入れ子 30 第1の緩衝フィルム 31 第2の緩衝フィルム 32 ダイシングブレード 10A to 10D semiconductor device 12 wiring board 13 External connection terminal 14 Sealing resin 15 Fingerprint recognition area 16 openings 17 bumps 18 wiring 20 solder balls 21 Solder precoat part 22 Lead frame 25 mold 28 Nesting 30 First buffer film 31 Second buffer film 32 dicing blade

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 指紋認識を行なう指紋認識領域を有した
半導体素子と、 外部接続端子と、 前記半導体素子と前記外部接続端子とを電気的に接続す
る接続部材とを有する指紋認識用半導体装置において、 前記接続部材の前記指紋認識領域と対応する位置に開口
部を形成すると共に、該接続部材に前記半導体素子をフ
リップチップ接合したことを特徴とする指紋認識用半導
体装置。
1. A semiconductor device for fingerprint recognition, comprising: a semiconductor element having a fingerprint recognition area for fingerprint recognition; an external connection terminal; and a connection member electrically connecting the semiconductor element and the external connection terminal. A semiconductor device for fingerprint recognition, characterized in that an opening is formed at a position corresponding to the fingerprint recognition area of the connection member, and the semiconductor element is flip-chip bonded to the connection member.
【請求項2】 請求項1記載の指紋認識用半導体装置に
おいて、 前記半導体素子を封止する封止樹脂を更に設け、 かつ、前記接続部材が該封止樹脂から露出するよう構成
したことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
2. The semiconductor device for fingerprint recognition according to claim 1, further comprising a sealing resin that seals the semiconductor element, and the connection member is exposed from the sealing resin. A semiconductor device for fingerprint recognition.
【請求項3】 請求項2記載の指紋認識用半導体装置に
おいて、 前記外部接続端子をポスト状端子とすると共に前記封止
樹脂内に位置するよう配設し、 かつ、該外部接続端子の一部が前記封止樹脂から露出す
る構成としたことを特徴とする指紋認識用半導体装置。
3. The semiconductor device for fingerprint recognition according to claim 2, wherein the external connection terminal is a post-shaped terminal and is arranged so as to be located in the sealing resin, and a part of the external connection terminal. A semiconductor device for fingerprint recognition, wherein the semiconductor device is exposed from the sealing resin.
【請求項4】 請求項2または3記載の指紋認識用半導
体装置において、 前記外部接続端子は、前記封止樹脂の前記基板が配設さ
れた面に対し反対側の面から露出した構成であることを
特徴とする指紋認識用半導体装置。
4. The semiconductor device for fingerprint recognition according to claim 2, wherein the external connection terminal is exposed from a surface of the sealing resin opposite to a surface on which the substrate is provided. A semiconductor device for fingerprint recognition, which is characterized in that
【請求項5】 請求項4記載の指紋認識用半導体装置を
製造する指紋認識用半導体装置の製造方法において、 前記半導体素子の指紋認識を行なう指紋認識領域を有し
た指紋認識領域と前記外部接続端子の先端部とを可撓性
部材により被覆し、該被覆状態でトランスファーモール
ドを行ない、前記封止樹脂を形成する工程を有すること
を特徴とする指紋認識用半導体装置の製造方法。
5. The method of manufacturing a semiconductor device for fingerprint recognition according to claim 4, wherein the semiconductor device for fingerprint recognition is manufactured by a fingerprint recognition region having a fingerprint recognition region for performing fingerprint recognition of the semiconductor element and the external connection terminal. The method for manufacturing a semiconductor device for fingerprint recognition, comprising: a step of coating the tip end of the above with a flexible member, performing transfer molding in the coated state, and forming the sealing resin.
JP2002089533A 2002-03-27 2002-03-27 Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof Pending JP2003282609A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002089533A JP2003282609A (en) 2002-03-27 2002-03-27 Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002089533A JP2003282609A (en) 2002-03-27 2002-03-27 Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003282609A true JP2003282609A (en) 2003-10-03

Family

ID=29235090

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002089533A Pending JP2003282609A (en) 2002-03-27 2002-03-27 Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003282609A (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005346271A (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Fujitsu Ltd Fingerprint sensor package
JP2006128625A (en) * 2004-09-30 2006-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2008235488A (en) * 2007-03-19 2008-10-02 Fujitsu Ltd Resin sealing method of electronic component, resin sealing die, and manufacturing process of semiconductor device
JP2012238667A (en) * 2011-05-10 2012-12-06 Seiko Instruments Inc Optical sensor and method for manufacturing optical sensor
WO2013172604A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 크루셜텍(주) Fingerprint sensor package and method for manufacturing same
WO2013172609A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 크루셜텍(주) Fingerprint sensor package and method for manufacturing same
JP2015133388A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 新光電気工業株式会社 Semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP2016076617A (en) * 2014-10-07 2016-05-12 新光電気工業株式会社 Semiconductor device for fingerprint recognition, manufacturing method of semiconductor device for fingerprint recognition, and semiconductor device
KR20180116918A (en) * 2017-04-18 2018-10-26 하나 마이크론(주) Semiconductor package comprising electrostatic discharge and impact protecting structure
US10824835B2 (en) 2017-10-12 2020-11-03 Fujitsu Connected Technologies Limited Electronic device

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005346271A (en) * 2004-06-01 2005-12-15 Fujitsu Ltd Fingerprint sensor package
JP2006128625A (en) * 2004-09-30 2006-05-18 Oki Electric Ind Co Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP2008235488A (en) * 2007-03-19 2008-10-02 Fujitsu Ltd Resin sealing method of electronic component, resin sealing die, and manufacturing process of semiconductor device
JP2012238667A (en) * 2011-05-10 2012-12-06 Seiko Instruments Inc Optical sensor and method for manufacturing optical sensor
KR101362348B1 (en) 2012-05-15 2014-02-13 크루셜텍 (주) Finger Print Sensor Package and Method for Fabricating The Same
WO2013172609A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 크루셜텍(주) Fingerprint sensor package and method for manufacturing same
WO2013172604A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 크루셜텍(주) Fingerprint sensor package and method for manufacturing same
JP2015133388A (en) * 2014-01-10 2015-07-23 新光電気工業株式会社 Semiconductor device, and method of manufacturing the same
JP2016076617A (en) * 2014-10-07 2016-05-12 新光電気工業株式会社 Semiconductor device for fingerprint recognition, manufacturing method of semiconductor device for fingerprint recognition, and semiconductor device
EP3007102A3 (en) * 2014-10-07 2016-07-20 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9490233B2 (en) 2014-10-07 2016-11-08 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Fingerprint recognition semiconductor device and semiconductor device
KR20180116918A (en) * 2017-04-18 2018-10-26 하나 마이크론(주) Semiconductor package comprising electrostatic discharge and impact protecting structure
KR102452631B1 (en) * 2017-04-18 2022-10-11 하나 마이크론(주) Semiconductor package comprising electrostatic discharge and impact protecting structure
US10824835B2 (en) 2017-10-12 2020-11-03 Fujitsu Connected Technologies Limited Electronic device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4160851B2 (en) Semiconductor device for fingerprint recognition
US6670221B2 (en) Semiconductor device having a built-in contact-type sensor and manufacturing method thereof
EP1639644B1 (en) Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor
US7282693B2 (en) Camera module for compact electronic equipments
US20040142505A1 (en) Semiconductor package free of substrate and fabrication method thereof
US7342318B2 (en) Semiconductor package free of substrate and fabrication method thereof
JP2002057241A (en) Semiconductor package including transplantable conductive pattern, and manufacturing method thereof
JPH0964247A (en) Package of chip scale with circuit base board of metal
JP2003282609A (en) Semiconductor device for fingerprint recognition and manufacturing method thereof
KR100426330B1 (en) Ultra-Thin Semiconductor Package Device Using a Support Tape
JP2003086724A (en) Semiconductor device and fingerprint detector
EP2884242B1 (en) Sensor Package And Manufacturing Method
US11404361B2 (en) Method for fabricating package structure having encapsulate sensing chip
JPH08236665A (en) Resin sealed semiconductor device and manufacture thereof
JPH10335366A (en) Semiconductor device
TWI615928B (en) Package structure and method for fabricating the same
JP4243178B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
TW201705039A (en) A method of packaging fingerprint sensing module
JP2003273311A (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor, circuit substrate, and electronic apparatus
CN115547991A (en) Manufacturing method of packaging structure, storage system and electronic equipment
JP2001015669A (en) Lead frame, resin sealed semiconductor device using the same, and its manufacture
JP3007533B2 (en) Resin-sealed semiconductor device and method of manufacturing the same
JP3439890B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2005101252A (en) Semiconductor device, its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment
JPH09232365A (en) Semiconductor device and its manufacture

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041006

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061017

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20070227