JP2003275887A - ビームプロファイル測定方法及びレーザビーム加工装置 - Google Patents

ビームプロファイル測定方法及びレーザビーム加工装置

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JP2003275887A
JP2003275887A JP2002079238A JP2002079238A JP2003275887A JP 2003275887 A JP2003275887 A JP 2003275887A JP 2002079238 A JP2002079238 A JP 2002079238A JP 2002079238 A JP2002079238 A JP 2002079238A JP 2003275887 A JP2003275887 A JP 2003275887A
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aperture
image
laser beam
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half mirror
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JP2002079238A
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Masayoshi Kobayashi
正嘉 小林
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】アパーチャを使ったレーザ光照射における、ビ
ームの断面分布を画面に写して直接評価したい。 【解決手段】ハーフミラー3の表面からの反射像と、裏
面からの反射像とが重なり合い、光干渉を生じることが
あるので、これらの像を分離できるように、アパーチャ
Aの口径を狭く設定し、前記狭いアパーチャAを順次移
動させながら撮像面41に像を形成し、形成された各像
の中から、いずれか一方の種類の反射像のみを選択し
て、それら選択された像を、表示画面6の上で合成す
る。 【効果】像の重畳と光干渉の影響が排除された、より正
確なレーザビーム照射スポットのプロファイルを測定す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザ加工装置に
おけるレーザビーム照射スポットのプロファイル測定に
関するものである。ここで「プロファイル測定」とは、
スポット内の照射光分布を、その強度等に基づいて再現
することをいう。
【0002】
【従来の技術】レーザ光を用いた加工技術は広く知られ
ている。この技術によれば、レーザビームを、フォーカ
シングレンズを用いて集光し、被加工基板の表面に照射
する。この場合、ビームの断面分布は、一般に、ガウス
分布に代表されるように、中央部で高く周辺になるほど
低くなっている。ところで、半導体マスク修正装置や、
半導体プロセスにおける剥膜解析装置に代表されるよう
な微細な加工を行う加工装置の場合、単純な集光スポッ
トを使ったのでは望ましい加工品質はなかなか得られな
い。
【0003】その場合には、所定形状のアパーチャにビ
ームの中心部分を照射し、そのアパーチャの像を、縮小
レンズを用いて被加工基板上に投影することによって、
レーザ光照射領域を限定しつつ、均一な強度分布の照射
スポットを得ることができるので、所望する領域のみを
均一に加工することができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前述のアパーチャを使
ったレーザ光照射における、ビーム照射スポットのプロ
ファイルを直接評価することは困難であり、現実には、
加工後の基板を見て加工形状や加工深さなどを評価する
にとどまっている。そこで、本発明は、レーザ光照射時
におけるビーム照射スポットのプロファイルを直接測定
することができるビームプロファイル測定方法及びその
方法を実施できるレーザビーム加工装置を提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】(1)本発
明のビームプロファイル測定方法は、被加工材料の設置
位置に平坦な反射板を設置し、その反射光の光路を、前
記投影レンズを通してハーフミラーで折り曲げて撮像面
に入射させ、 撮像面に形成された像を観察することに
よって、被加工材料位置でのレーザビーム照射スポット
のプロファイルを測定する方法である。
【0006】この方法によれば、実際に被加工材料の設
置位置に照射されたレーザビーム照射スポットのプロフ
ァイルを、撮像面に形成された像に基づいて直接測定す
ることができる。前記方法では、前記撮像面上でハーフ
ミラーの表面からの反射像と裏面からの反射像とが重な
り合ってしまい、またレーザ光の干渉縞もできるので、
これらの像を分離できるように、前記アパーチャの口径
を狭く設定し、前記狭いアパーチャを順次移動させなが
ら撮像面に像を形成し、形成された各像の中から、いず
れか一方の種類の反射像のみを選択して、それら選択さ
れた像を合成することが好ましい。
【0007】この方法によれば、像の重畳と光干渉の影
響が排除された、より正確なレーザビーム照射スポット
のプロファイルを測定することができる。 (2)本発明のレーザビーム加工装置は、レーザ光をアパ
ーチャに照射し、投影レンズを通して被加工材料の上に
アパーチャの像を投影することによってレーザ光の照射
領域を限定し、被加工材料の加工を行う装置において、
アパーチャと投影レンズとの間に、被加工材料の設置位
置からの、投影レンズを通した反射光の光路を折り曲げ
るハーフミラーを挿入し、ハーフミラーで折り曲げられ
た光を撮像面に入射させるカメラを備えている。
【0008】このレーザビーム加工装置を使って、実際
に被加工材料の設置位置に平坦な反射板を設置し、レー
ザビームを照射すれば、照射されたレーザビーム照射ス
ポットのプロファイルを、カメラの撮像面に形成された
像に基づいて直接測定することができる。このレーザビ
ーム加工装置において、撮像面上で、ハーフミラーの表
面からの反射像と、裏面からの反射像とが分離できるよ
うに、前記アパーチャの口径の設が可能であり、アパー
チャを移動させる移動手段と、移動手段によりアパーチ
ャを移動させながら撮像面に形成された各像の中から、
一方の反射像のみを選択して、合成する画像処理装置と
を備えることが望ましい。
【0009】前記アパーチャの口径を、ハーフミラーの
表面からの反射像と、裏面からの反射像とが分離できる
ように狭く設定し、前記狭いアパーチャを順次移動させ
ながら撮像面に像を形成し、形成された各像の中から、
いずれか一方の種類の反射像のみを選択して、それら選
択された像を合成すれば、像の重畳と光干渉の影響が排
除された、より正確なレーザビーム照射スポットのプロ
ファイルを測定することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、添
付図面を参照しながら詳細に説明する。図1は、本発明
のビームプロファイル測定方法を実施することができる
レーザビーム加工装置の概略図である。開口部1に照射
されるレーザ光Lは、レーザ発振装置(YAGレーザ装
置、エキシマレーザ装置など。図示せず)から出力さ
れ、所定の光学部材で平行光線にされた光である。この
レーザ光Lの中心部を、開口部1のアパーチャAに照射
している。
【0011】開口部1のアパーチャAを通過した光は、
縮小レンズ2を通って、被処理基板に照射される。縮小
レンズ2は、アパーチャAの像を、被処理基板上に所定
の縮小倍率で結像する。開口部1と縮小レンズ2との間
には、ハーフミラー(ビームスプリッタ)3が挿入され
ている。このハーフミラー3は、被処理基板からの反射
光の一部を、カメラ4の受光面41上に結像させる機能
を有する。カメラ4の受光面41は、CCDなどの受光
素子を多数並べた平面となっている。受光素子の出力信
号は、画像処理装置5により画像処理され、被処理基板
又はその位置に設置されたリファレンス板上にできた照
射スポットが、表示画面6に表示される。
【0012】ハーフミラー3は、図1に示すように、厚
みDを持っているので、被処理基板からの反射光のう
ち、ハーフミラー3の表面で反射される光(以下「表面
反射光」という)B1と、ハーフミラー3の裏面で反射
される光(以下「裏面反射光」という)B2とでは、光路
が異なる。従って、カメラ4の受光面41では、表面反
射光B1と裏面反射光B2とは、別々に像を結ぶことに
なる。カメラ4は表面反射光B1に焦点を合わせている
ので、表面反射光B1からの像は明確に写り、裏面反射
光B2からの像は、ぼけて写る。
【0013】アパーチャAを形成する開口部1の構造を
図2(A)〜(C)に示す。図2(B)で、右方向をX、上方向
をYとする。開口部1は、左右に配列されたナイフエッ
ジの組11,12、上下に配列されたナイフエッジの組
13,14からなる。左右に配列されたナイフエッジ1
1,12の座標をX1,X2で表し、上下に配列されたナ
イフエッジ13,14の座標をY1,Y2で表す。これら
のナイフエッジ11〜14は、例えばステッピングモー
タと、ラック&ピニオン機構とによって構成される駆動
部(図示せず)により、移動可能となっている。具体的
には、上下に配列されたナイフエッジ13,14の各片
を、Y方向又は−Y方向に動かして、アパーチャAのY
方向の口径ay(ay=Y2−Y1)を調整することができ
る。左右に配列されたナイフエッジ11,12の各片
を、X方向又は−X方向に動かして、アパーチャAのX
方向の口径ax(ax=X2−X1)を調整することができ
る。
【0014】図3(a)〜(c)は、口径ayと口径axとを、
実際のレーザ加工で用いるサイズに設定した場合に、カ
メラ4の受光面41に結像し、表示画面6に表示された
像を示している。開口部1の座標系X、Yに対応する受
光面41の座標系を、X′、Y′で示す。図3(a)は表
面反射光B1の像、図3(b)は裏面反射光B2の像を示
す。これらの像は受光面41上で合成されるので、実際
にできる像は、図3(c)に示すように、B1の像とB2
の像がハーフミラーに依存した距離だけY方向にずれて
重なり合い、その2重像の部分には光干渉による縞もで
きる。この干渉縞が現れた2重像は、ビームの断面分布
を正確に表しているとはいえない。
【0015】そこで以下、本発明のビームプロファイル
測定方法を説明する。被処理基板に代えて平坦な反射板
を、リファレンス板Rとして設置する(図1参照)。ア
パーチャAの前記口径ayと口径axのいずれか一方、例
えば口径axをN分の1に縮小する(Nは2以上の整
数)。縮小後の口径ax/Nがあるしきい値よりも小さ
くなるようにNを選ぶと、カメラ4の受光面41にでき
た、表面反射光B1の像と裏面反射光B2の像とは、分
離する。前記しきい値は、ハーフミラー3の厚さDとそ
の屈折率、傾斜角度等の関数となる。
【0016】Nが大きすぎて口径ax/Nがレーザ光L
の波長と同程度になってくると、受光面41上での像
は、回折により広がってしまい、ビームの分布を測定す
るのに都合が悪い。したがって、口径ax/Nが波長の
10倍程度よりも大きくなるようにax/Nに下限を設
けることが望ましい。図2(B)の右側に配列されたナイ
フエッジ12を、X方向又は−X方向に平行移動させて
いくと同時に、左側に配列されたナイフエッジ11を、
同方向に同じ速度で平行移動させていく。これによっ
て、アパーチャAの口径をax/Nに保ちながら、アパ
ーチャAを平行移動させることができる。平行移動範囲
はプロファイルを測定したいビームの照射サイズに対応
する範囲とする。
【0017】こうすると、分離した表面反射光B1の像
と裏面反射光B2の像とは、分離状態を保ちながら、カ
メラ4の受光面41上を移動していく。図4(a)に、こ
のようにカメラ4の受光面41上を移動する表面反射光
B1の像と裏面反射光B2の像とを示す。画像処理装置
5は、アパーチャAが平行移動した距離ax/Nごとに
カメラ4の受光面41上の表面反射光B1の像のみを選
択して取り込み、画像処理装置5の中の画像用RAMに
保存する。
【0018】保存した表面反射光B1の像を合成する
と、図4(b)に示すように、アパーチャAの表面反射光
B1の像に相当する合成画像ができる。ここで表面反射
光B1の像の信号だけを選択するする方法を説明する。
図2で左右に配列されたナイフエッジの位置座標X1
2と、上下に配列されたナイフエッジの位置座標Y1
2とが分かれば、カメラ4の受光面41上にできる表
面反射光B1によるアパーチャAの結像位置と、裏面反
射光B2によるアパーチャAの結像位置とは、それぞれ
計算で求まる。表面反射光B1の像と裏面反射光B2の
像とは、分離しているのであるから、表面反射光B1の
結像位置にあるCCDの出力信号のみを選択すれば、裏
面反射光B2の像を取り除き、表面反射光B1の像のみ
を選択することができる。
【0019】なお、表面反射光B1の結像位置にあるC
CD出力信号を選択するときに、表面反射光B1の結像
位置の外側に広がる回折光に対応する信号も、同時に取
り除くことができる。この合成画像は、図4(b)に示す
ように、干渉縞の影響がない、アパーチャAの像となっ
ている。この像の信号に基づいて、ビームの分布を正確
に評価することができる。
【0020】以上で、本発明の実施の形態を説明した
が、本発明の実施は、前記の形態に限定されるものでは
なく、本発明の範囲内で種々の変更を施すことが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のレーザビーム加工装置の概略図であ
る。
【図2】開口部1の構造を示す図である。(A)は平面
図、(B)は正面図、(C)は側面図を示す。
【図3】アパーチャAの口径を、実際のレーザ加工で用
いるサイズに設定した場合にできる表面反射光B1の像
(a)、裏面反射光B2の像(b)、及びカメラ4の受光面4
1に写される合成画像(c)を示す図である。
【図4】カメラ4の受光面41上を移動する表面反射光
B1の像及び裏面反射光B2の像(a)、並びに表示画面
6に表示される合成画像(b)を示す図である。
【符号の説明】
1 開口部 2 縮小レンズ 3 ハーフミラー 4 カメラ 5 画像処理装置 6 表示画面 11〜14 ナイフエッジ 41 受光面 A アパーチャ B1 表面反射光 B2 裏面反射光 L レーザ光
フロントページの続き Fターム(参考) 2F065 AA52 CC00 FF04 GG04 GG09 JJ03 JJ26 LL00 LL04 LL30 UU07 4E068 CA01 CB09 CC01

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レーザ光をアパーチャに照射し、投影レン
    ズを通して被加工材料の上にアパーチャの像を投影する
    ことによってレーザ光の照射領域を限定し、被加工材料
    の加工を行うレーザ加工装置を用いて、レーザビーム照
    射スポットのプロファイルを測定する方法であって、 被加工材料の設置位置に平坦な反射板を設置し、 その反射光の光路を、前記投影レンズを通してハーフミ
    ラーで折り曲げて撮像面に入射させ、 撮像面に形成された像を観察することによって、被加工
    材料位置でのレーザビーム照射スポットのプロファイル
    を測定することを特徴とするビームプロファイル測定方
    法。
  2. 【請求項2】前記撮像面上で、ハーフミラーの表面から
    の反射像と、裏面からの反射像とが分離できるように、
    前記アパーチャの口径を設定し、 前記アパーチャを移動させながら撮像面に像を逐次形成
    し、 形成された各像の中から、一方の種類の反射像のみを選
    択して、合成することによって、被加工材料位置でのレ
    ーザビーム照射スポットのプロファイルを測定すること
    を特徴とする請求項1記載のビームプロファイル測定方
    法。
  3. 【請求項3】レーザ光をアパーチャに照射し、投影レン
    ズを通して被加工材料の上にアパーチャの像を投影する
    ことによってレーザ光の照射領域を限定し、被加工材料
    の加工を行うレーザビーム加工装置であって、 アパーチャと投影レンズとの間に挿入され、被加工材料
    の設置位置からの、投影レンズを通した反射光の光路を
    折り曲げるハーフミラーと、 ハーフミラーで折り曲げられた光を撮像面に入射させる
    カメラとを備えることを特徴とするレーザビーム加工装
    置。
  4. 【請求項4】撮像面上で、ハーフミラーの表面からの反
    射像と、裏面からの反射像とが分離できるように、前記
    アパーチャの口径の設定が可能であり、 アパーチャを移動させる移動手段と、 移動手段によりアパーチャを移動させながら撮像面に形
    成された各像の中から、一方の反射像のみを選択して、
    合成する画像処理装置とを備えることを特徴とする請求
    項3記載のレーザビーム加工装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103389048A (zh) * 2012-05-10 2013-11-13 康耐视公司 用于视觉系统照相机的激光轮廓探测附件
JP2017185523A (ja) * 2016-04-05 2017-10-12 浜松ホトニクス株式会社 レーザ光照射装置、及び、プロファイル取得方法
CN107702664A (zh) * 2017-10-24 2018-02-16 北京信息科技大学 一种基于半导体激光准直的反射式垂直度检测系统及方法

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