JP2003272896A - プラズマ発生装置 - Google Patents
プラズマ発生装置Info
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- JP2003272896A JP2003272896A JP2002069836A JP2002069836A JP2003272896A JP 2003272896 A JP2003272896 A JP 2003272896A JP 2002069836 A JP2002069836 A JP 2002069836A JP 2002069836 A JP2002069836 A JP 2002069836A JP 2003272896 A JP2003272896 A JP 2003272896A
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- gas
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- reaction tube
- cylindrical electrode
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- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 簡単な構造でコストアップを招くことなく、
プラズマの発生量を増大できるようにする。 【解決手段】 反応管２内にガスを導入し、このガスに
高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発
生装置であって、上記のガスを反応管２に導く導入管１
を反応管２内に鉛直方向に設ける。この導入管１の下端
１ａに、円筒形の電極４を導入管１と同心状に且つ導入
管１と連通状に設ける。この円筒形の電極４を、網目状
に形成する。
プラズマの発生量を増大できるようにする。 【解決手段】 反応管２内にガスを導入し、このガスに
高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発
生装置であって、上記のガスを反応管２に導く導入管１
を反応管２内に鉛直方向に設ける。この導入管１の下端
１ａに、円筒形の電極４を導入管１と同心状に且つ導入
管１と連通状に設ける。この円筒形の電極４を、網目状
に形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ発生装置
に関し、更に詳しくは高周波エネルギーを利用してプラ
ズマを発生させ、例えば被処理物の表面に薄膜を形成し
たり、反応管の内壁面のドライエッチング処理に利用で
きるよう形成したプラズマ発生装置に関するものであ
る。
に関し、更に詳しくは高周波エネルギーを利用してプラ
ズマを発生させ、例えば被処理物の表面に薄膜を形成し
たり、反応管の内壁面のドライエッチング処理に利用で
きるよう形成したプラズマ発生装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の装置は、通常、ガスが導入
される反応管と、この反応管内のガスに高周波電圧を印
加してプラズマを発生させるための電極等を備えて形成
されている。この場合、プラズマ発生用の電極として
は、例えば帯状や線状に形成され、反応管の長手方向に
沿って多数設けられているものがある（例えば特公平７
ー５４８０１号公報等参照）。
される反応管と、この反応管内のガスに高周波電圧を印
加してプラズマを発生させるための電極等を備えて形成
されている。この場合、プラズマ発生用の電極として
は、例えば帯状や線状に形成され、反応管の長手方向に
沿って多数設けられているものがある（例えば特公平７
ー５４８０１号公報等参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところでこの種の装置
は、半導体の成膜工程等において、反応管内に導入する
ガスをプラズマ化させるため、反応管の内壁に例えば多
結晶シリコン等が付着するのを避けられない。この付着
物を除去するため従来この種の装置は、エッチングガス
を反応管内に導入し、電極に高周波電圧を印加してプラ
ズマ化し、このプラズマのエッチング作用で付着物を除
去している。
は、半導体の成膜工程等において、反応管内に導入する
ガスをプラズマ化させるため、反応管の内壁に例えば多
結晶シリコン等が付着するのを避けられない。この付着
物を除去するため従来この種の装置は、エッチングガス
を反応管内に導入し、電極に高周波電圧を印加してプラ
ズマ化し、このプラズマのエッチング作用で付着物を除
去している。
【０００４】従ってこの種の装置は、成膜作業の効率を
上げるため、又付着物を短時間で効率良く除去するため
にも、プラズマの発生量を増加できるよう形成されてい
るのが望ましい。但しそのために構造が複雑化するので
は、部品数や製造コストの増加を招き、コストアップの
弊害が生じることになる。
上げるため、又付着物を短時間で効率良く除去するため
にも、プラズマの発生量を増加できるよう形成されてい
るのが望ましい。但しそのために構造が複雑化するので
は、部品数や製造コストの増加を招き、コストアップの
弊害が生じることになる。
【０００５】本発明は、このような従来の実状に鑑み、
提案されたものである。従って本発明の技術的課題は、
簡単な構造でコストアップを招くことなく、プラズマの
発生量を増大できるよう形成したプラズマ発生装置を提
供することにある。
提案されたものである。従って本発明の技術的課題は、
簡単な構造でコストアップを招くことなく、プラズマの
発生量を増大できるよう形成したプラズマ発生装置を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、次のような技術的手段を採る。
解決するために、次のような技術的手段を採る。
【０００７】即ち本発明は、図１等に示されるように、
反応管２内にガスが導入され、このガスに高周波電圧を
印加してプラズマを発生させるプラズマ発生装置であっ
て、上記のガスを反応管２に導く導入管１が反応管２内
に鉛直方向に設けられ、この導入管１の下端１ａに、円
筒形の電極４が導入管１と同心状に且つ導入管１と連通
状に設けられ、この円筒形の電極４が網目状に形成され
ていることを特徴とする（請求項１）。
反応管２内にガスが導入され、このガスに高周波電圧を
印加してプラズマを発生させるプラズマ発生装置であっ
て、上記のガスを反応管２に導く導入管１が反応管２内
に鉛直方向に設けられ、この導入管１の下端１ａに、円
筒形の電極４が導入管１と同心状に且つ導入管１と連通
状に設けられ、この円筒形の電極４が網目状に形成され
ていることを特徴とする（請求項１）。
【０００８】ここで、導入管１と同心状に且つ導入管１
と連通状に設けられ、とは、導入管１から円筒形の電極
４内にガスが導かれ、導かれたガスが円筒形の電極４に
万遍なく接触する状態に形成されている、ということを
意味する。本発明の場合、円筒形の電極４は、上記の通
り、導入管１の下端１ａに設けられている。従ってこれ
によれば、円筒形の電極４を反応管２内に支持させるた
めの特別な機構や手段を省略できる。
と連通状に設けられ、とは、導入管１から円筒形の電極
４内にガスが導かれ、導かれたガスが円筒形の電極４に
万遍なく接触する状態に形成されている、ということを
意味する。本発明の場合、円筒形の電極４は、上記の通
り、導入管１の下端１ａに設けられている。従ってこれ
によれば、円筒形の電極４を反応管２内に支持させるた
めの特別な機構や手段を省略できる。
【０００９】又本発明の場合、円筒形の電極４は、耐久
性が良くなるよう、焼結金属で形成されているのが好ま
しい（請求項２）。
性が良くなるよう、焼結金属で形成されているのが好ま
しい（請求項２）。
【００１０】焼結金属としては、例えばステンレス鋼の
焼結体が好ましい。なぜならこの場合は、電気抵抗が小
さく、しかも耐熱性が良いことからである。なお本発明
の場合、電極のメッシュの大きさは任意であるが、通
常、２〜１０（μｍ）に選定される。
焼結体が好ましい。なぜならこの場合は、電気抵抗が小
さく、しかも耐熱性が良いことからである。なお本発明
の場合、電極のメッシュの大きさは任意であるが、通
常、２〜１０（μｍ）に選定される。
【００１１】又本発明は、円筒形の電極４に対応する反
応管２の外周面位置に、接地電極６が周方向に巡らされ
て形成されているのが好ましい（請求項３）。
応管２の外周面位置に、接地電極６が周方向に巡らされ
て形成されているのが好ましい（請求項３）。
【００１２】なぜならこの場合は、円筒形の電極４と接
地電極６との間で効率良くガスをプラズマ化させること
ができるからである。
地電極６との間で効率良くガスをプラズマ化させること
ができるからである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な一実施形態
を添付図面に従って説明する。
を添付図面に従って説明する。
【００１４】図１等において、１は、反応ガスやエッチ
ングガスを、例えば石英製の反応管２に導くための導入
管である。この導入管１は、反応管２内に鉛直方向に設
けられている。又反応管２の上部は、継ぎ手３で密閉さ
れ、下端側はガスの排出口（図示せず）を備えて閉塞さ
れている。
ングガスを、例えば石英製の反応管２に導くための導入
管である。この導入管１は、反応管２内に鉛直方向に設
けられている。又反応管２の上部は、継ぎ手３で密閉さ
れ、下端側はガスの排出口（図示せず）を備えて閉塞さ
れている。
【００１５】４は、上記の導入管１の下端１ａに設けら
れているプラズマ発生用の円筒形の電極である。この円
筒形の電極４は、この実施形態では焼結金属としてのス
テンレス鋼の焼結体で形成され、導入管１と同心状に且
つ導入管１と連通状に設けられている。又この円筒形の
電極４は、網目状に形成され、この実施形態では直径が
５０（ｍｍ）、縦が１００（ｍｍ）に形成されている。
又メッシュの大きさは、１０（μｍ）に選定されてい
る。なおこの円筒形の電極４の底面４ａ（図２参照）
は、この実施形態では閉塞されている。
れているプラズマ発生用の円筒形の電極である。この円
筒形の電極４は、この実施形態では焼結金属としてのス
テンレス鋼の焼結体で形成され、導入管１と同心状に且
つ導入管１と連通状に設けられている。又この円筒形の
電極４は、網目状に形成され、この実施形態では直径が
５０（ｍｍ）、縦が１００（ｍｍ）に形成されている。
又メッシュの大きさは、１０（μｍ）に選定されてい
る。なおこの円筒形の電極４の底面４ａ（図２参照）
は、この実施形態では閉塞されている。
【００１６】５は高周波電源であり、６は接地電極であ
る。本発明装置は、高周波電源５から円筒形の電極４と
接地電極６間に高周波の電圧が印加され、円筒形の電極
４のメッシュを通り抜けるガスがプラズマ化されるよう
形成されている。又上記の接地電極６は、円筒形の電極
４に対応する反応管２の外周面位置に、周方向に巡らさ
れて形成されている。
る。本発明装置は、高周波電源５から円筒形の電極４と
接地電極６間に高周波の電圧が印加され、円筒形の電極
４のメッシュを通り抜けるガスがプラズマ化されるよう
形成されている。又上記の接地電極６は、円筒形の電極
４に対応する反応管２の外周面位置に、周方向に巡らさ
れて形成されている。
【００１７】次に本発明の作用を説明する。
【００１８】先ず例えば多結晶シリコン等の薄膜７（図
３参照）を、被処理物８としての半導体ウエハに形成す
る場合は、反応管２内に半導体ウエハを収納させ、反応
管２内を減圧する。次に導入管１から反応ガスを、図１
に矢示されるように供給し、反応管２の圧力を所定圧に
維持して高周波電源５から円筒形の電極４に電圧を印加
する。
３参照）を、被処理物８としての半導体ウエハに形成す
る場合は、反応管２内に半導体ウエハを収納させ、反応
管２内を減圧する。次に導入管１から反応ガスを、図１
に矢示されるように供給し、反応管２の圧力を所定圧に
維持して高周波電源５から円筒形の電極４に電圧を印加
する。
【００１９】本発明の場合、上記のガスは、導入管１を
経て円筒形の電極４内に流れ込み、側方に均等に導かれ
て周面のメッシュを通り付け、高周波電圧によってプラ
ズマ化される。そしてこのプラズマによって被処理物８
としての半導体ウエハに、例えば多結晶シリコンの薄膜
７が形成される。
経て円筒形の電極４内に流れ込み、側方に均等に導かれ
て周面のメッシュを通り付け、高周波電圧によってプラ
ズマ化される。そしてこのプラズマによって被処理物８
としての半導体ウエハに、例えば多結晶シリコンの薄膜
７が形成される。
【００２０】又反応管２の内壁面の付着物を洗浄する場
合は、反応ガスに代え、エッチングガスを導入管１から
反応管２内に供給し、高周波電圧を印加する。エッチン
グガスは、円筒形の電極４内から、その周面の網目を通
過する過程でプラズマ化され、このプラズマ化されたガ
スが反応管２の内壁面に付着している有機物をラジカル
化して除去し、反応管２の内壁面を洗浄する。なお本発
明の場合は、反応管２内の電極が円筒形であり、周面が
網目状に形成されているから、これによると円筒形の電
極４がフィルターとして機能し、ガス中の不純物を、こ
の円筒形の電極４のメッシュで捕捉することができる。
合は、反応ガスに代え、エッチングガスを導入管１から
反応管２内に供給し、高周波電圧を印加する。エッチン
グガスは、円筒形の電極４内から、その周面の網目を通
過する過程でプラズマ化され、このプラズマ化されたガ
スが反応管２の内壁面に付着している有機物をラジカル
化して除去し、反応管２の内壁面を洗浄する。なお本発
明の場合は、反応管２内の電極が円筒形であり、周面が
網目状に形成されているから、これによると円筒形の電
極４がフィルターとして機能し、ガス中の不純物を、こ
の円筒形の電極４のメッシュで捕捉することができる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応管内
にガスを導入し、このガスに高周波電圧を印加してプラ
ズマを発生させるプラズマ発生装置において、上記のガ
スを反応管に導く導入管を反応管内に鉛直方向に設け、
この導入管の下端に、円筒形の電極を導入管と同心状に
且つ導入管と連通状に設け、この円筒形の電極を網目状
に形成しているものである。
にガスを導入し、このガスに高周波電圧を印加してプラ
ズマを発生させるプラズマ発生装置において、上記のガ
スを反応管に導く導入管を反応管内に鉛直方向に設け、
この導入管の下端に、円筒形の電極を導入管と同心状に
且つ導入管と連通状に設け、この円筒形の電極を網目状
に形成しているものである。
【００２２】従って本発明の場合は、簡単な構造で電極
とガスとの接触面積を増加させることができるから、こ
れによればコストアップを招くことなく、プラズマの発
生量を増大できる。
とガスとの接触面積を増加させることができるから、こ
れによればコストアップを招くことなく、プラズマの発
生量を増大できる。
【００２３】又本発明は、円筒形の電極が導入管と同心
状に且つ導入管と連通状に形成されているから、ガスを
円筒形の電極の周側方に均等に拡散させ、プラズマの発
生密度を均一化させることができる。
状に且つ導入管と連通状に形成されているから、ガスを
円筒形の電極の周側方に均等に拡散させ、プラズマの発
生密度を均一化させることができる。
【図１】本発明装置の好適な一実施形態を示す要部構成
図である。
図である。
【図２】同上装置の要部の縦断面図である。
【図３】同上装置の作用を説明するための要部拡大断面
図である。
図である。
１ 導入管
１ａ 下端
２ 反応管
３ 継ぎ手
４ 円筒形の電極
４ａ 底面
５ 高周波電源
６ 接地電極
７ 薄膜
８ 被処理物
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｈ 1/24 Ｈ０５Ｈ 1/24
Ｆターム(参考） 4G075 AA24 AA30 BC04 BC06 BD14
CA47 EC21 FA03 FA14 FB02
FC06
4K030 BA29 BB03 CA04 CA12 FA03
KA14 KA15 KA16 KA30 KA46
4K057 DA16 DB06 DD01 DM06 DM08
DM09 DM10
5F045 AA08 BB02 BB08 EB02 EB06
EH04 EH05 EH08
Claims (3)
- 【請求項１】 反応管内にガスが導入され、このガスに
高周波電圧を印加してプラズマを発生させるプラズマ発
生装置であって、上記のガスを反応管に導く導入管が反
応管内に鉛直方向に設けられ、この導入管の下端に、円
筒形の電極が導入管と同心状に且つ導入管と連通状に設
けられ、この円筒形の電極が網目状に形成されているこ
とを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ発生装置であっ
て、円筒形の電極が焼結金属で形成されていることを特
徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載のプラズマ発生装置
であって、円筒形の電極に対応する反応管の外周面位置
に、接地電極が周方向に巡らされて形成されていること
を特徴とするプラズマ発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069836A JP2003272896A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | プラズマ発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002069836A JP2003272896A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | プラズマ発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003272896A true JP2003272896A (ja) | 2003-09-26 |
Family
ID=29200567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002069836A Pending JP2003272896A (ja) | 2002-03-14 | 2002-03-14 | プラズマ発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003272896A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2434975A1 (en) * | 2008-05-30 | 2012-04-04 | Colorado State University Research Foundation | Plasma device for wide area surface treatment of tissue |
| KR101453856B1 (ko) | 2013-03-04 | 2014-10-22 | 한국기계연구원 | 곡면 형상의 구동 전극을 구비한 분사형 플라즈마 발생기 |
| JP2016103437A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2002
- 2002-03-14 JP JP2002069836A patent/JP2003272896A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2434975A1 (en) * | 2008-05-30 | 2012-04-04 | Colorado State University Research Foundation | Plasma device for wide area surface treatment of tissue |
| JP2012528454A (ja) * | 2008-05-30 | 2012-11-12 | コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション | 組織の広範囲表面処理のためのプラズマデバイス |
| EP2434975A4 (en) * | 2008-05-30 | 2014-12-24 | Univ Colorado State Res Found | PLASMA DEVICE FOR PROCESSING LARGE FABRIC SURFACES |
| KR101453856B1 (ko) | 2013-03-04 | 2014-10-22 | 한국기계연구원 | 곡면 형상의 구동 전극을 구비한 분사형 플라즈마 발생기 |
| JP2016103437A (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040617 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040713 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050125 |