JP4743311B2 - 照射装置 - Google Patents

照射装置 Download PDF

Info

Publication number
JP4743311B2
JP4743311B2 JP2009168389A JP2009168389A JP4743311B2 JP 4743311 B2 JP4743311 B2 JP 4743311B2 JP 2009168389 A JP2009168389 A JP 2009168389A JP 2009168389 A JP2009168389 A JP 2009168389A JP 4743311 B2 JP4743311 B2 JP 4743311B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
discharge
plasma discharge
plasma
excimer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2009168389A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011023255A (ja
Inventor
雅規 中村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP2009168389A priority Critical patent/JP4743311B2/ja
Priority to CN201080027548.5A priority patent/CN102473585B/zh
Priority to PCT/JP2010/061002 priority patent/WO2011007663A1/ja
Publication of JP2011023255A publication Critical patent/JP2011023255A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4743311B2 publication Critical patent/JP4743311B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Plasma Technology (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Description

本発明は、半導体素子や液晶基板の製造工程において、ウエハやガラス基板等の基板のドライ洗浄に好適に用いることができる照射装置に関する。
半導体素子や液晶基板の製造工程においては、シリコンウエハやガラス基板等の基板の表面に付着した有機化合物等の除去処理が行われており、かかる有機化合物等の除去処理方法としては、水や有機溶剤等を使用しないドライ洗浄法が広く利用されている。
このようなドライ洗浄法としては、被処理体の表面に波長200nm以下の真空紫外線を照射することにより、当該被処理体の表面に付着した有機化合物を分解すると共にオゾン等の活性酸素によって酸化して除去する光洗浄法(特許文献1参照。)、大気圧近傍の圧力下において、窒素ガス等のプラズマ発生用反応性ガスを流過させながら高周波電界を印加することによってプラズマを発生させ、このプラズマによって被処理体の表面に付着した有機化合物を分解・酸化して除去するプラズマ洗浄法(特許文献2参照。)が知られている。
そして、光洗浄法においては、放電容器内に例えばキセノンが封入されたエキシマランプを備えた照射装置が用いられており、当該照射装置からの紫外線が照射される照射領域を被処理体が通過することにより、当該被処理体の洗浄処理が行われる。
しかしながら、従来の照射装置においては、以下のような問題がある。
液晶基板においては、サイズの大きい大型のものの開発が進み、このような液晶基板等の被処理体の大型化に伴い、被処理体の有機化合物等の除去処理を高い効率で行うために、被処理体の移動速度を上げることにより、処理速度を向上することが要請されている。 しかしながら、従来の照射装置では、被処理体の処理速度が高い場合には、当該被処理体に対する真空紫外線の照射時間が短くなるため、高い洗浄処理能力を得ることが困難である、という問題がある。
また、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物においては、当該化学結合を真空紫外線のエネルギーでは切断することができないため、このような有機化合物について真空紫外線による光洗浄処理だけでは除去することが困難である。
特開2006−134983号公報 特開2002−151480号公報
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その目的は、高い洗浄処理能力を得ることができ、しかも、結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても確実に除去することができる照射装置を提供することにある。
本発明の照射装置は、放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、このエキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、前記エキシマランプにおける前記一方の電極および前記プラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、
前記エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって前記放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、前記エキシマランプと前記プラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、当該エキシマランプにおける前記一方の電極と当該プラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする。
本発明の照射装置においては、前記誘電体の表面に、電界集中用凸部が形成されていることが好ましい。
また、前記プラズマ放電用電極の表面に、電界集中用凸部が形成されていることが好ましい。
また、前記エキシマランプが配置されるランプハウスを備えてなり、当該ランプハウスに前記プラズマ放電用電極が一体に設けられていてもよい。
また、エキシマ放電のための高周波電源によって前記プラズマ放電が発生されるものであってもよい。
本発明の照射装置によれば、被処理体に対して、エキシマランプからの紫外線による洗浄処理およびエキシマランプとプラズマ放電用電極との間に発生したプラズマによる洗浄処理の両方を行うことができるので、被処理体に対して高い洗浄処理能力が得られる。
また、紫外線による洗浄処理のみでは除去することが困難な結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても、プラズマによる洗浄処理によって酸化されるため、確実に除去することができる。
また、誘電体の表面に電界集中用凸部が形成され構成またはプラズマ放電用電極の表面に電界集中用凸部が形成された構成によれば、電界集中用凸部に高周波電界が集中して発生し、沿面放電および平等電界型放電が複合した放電状態が得られるため、プラズマ放電のための始動開始電圧を低くすることができ、また、作動中に誘電体とプラズマ放電用電極との距離が変化した場合にも、プラズマ放電を安定に維持することができる。
本発明の照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。 プラズマ放電用誘電体膜の変形例を示す説明用断面図である。 プラズマ放電用電極の変形例を示す説明用断面図である。 本発明の照射装置の他の例における構成を示す説明用断面図である。 図4に示す照射装置におけるランプハウスの上板の形状を示す説明用断面図である。 本発明の照射装置の更に他の例における構成を示す説明用断面図である。 本発明の照射装置の更に他の例における構成を示す説明用断面図である。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の照射装置の一例における構成を示す説明用断面図である。
この照射装置は、例えば液晶基板等の被処理体の表面をドライ洗浄処理するために用いられるものであって、波長200nm以下の真空紫外線を放射するエキシマランプ10を有し、このエキシマランプ10は、下面が開口された矩形の箱型のランプハウス20内に配置されている。また、エキシマランプ10の下方には、被処理体Wを水平方向に搬送して移動させる搬送機構30が設けられている。この搬送機構30は、複数の搬送コロ31が被処理体の搬送方向に沿って並ぶよう配置されて構成されている。
エキシマランプ10は、エキシマ用ガスが気密に封入された矩形の箱型の放電容器11を有する。この放電容器11における上部側部分11aの外面(図1において上面)には、膜状の一方の電極12が設けられ、当該放電容器11における下部側部分11bの外面(図1において下面)には、網状の他方の電極13が設けられており、一方の電極12および他方の電極13の各々は、高周波電源Pに接続されている。図示の例では、一方の電極12が高圧側電極とされ、他方の電極13が接地側電極とされている。
放電容器11を構成する材料としては、真空紫外線を良好に透過するもの、具体的には、合成石英ガラスなどのシリカガラス、サファイアガラスなどを用いることができる。
一方の電極12および他方の電極13を構成する材料としては、アルミニウム、ニッケル、金などの金属材料を用いることができる。また、一方の電極12および他方の電極13は、上記の金属材料を含む導電性ペーストをスクリーン印刷することにより、或いは上記の金属材料を真空蒸着することにより、形成することができる。
放電容器11内に封入されるエキシマ用ガスとしては、真空紫外線を放射するエキシマを生成し得るもの、具体的には、キセノン、アルゴン、クリプトン等の希ガス、または、希ガスと、臭素、塩素、ヨウ素、フッ素等のハロゲンガスとを混合した混合ガスなどを用いることができる。
また、エキシマ用ガスの封入圧は、例えば10〜80kPaである。
エキシマランプ10における一方の電極12には、当該一方の電極12を覆うようプラズマ放電用誘電体膜15が形成されている。
プラズマ放電用誘電体膜15を構成する材料としては、アルミナ(Al2 3 )、シリカ(SiO2 )などの誘電体材料を用いることができる。
また、プラズマ放電用誘電体膜15は、一方の電極12の表面に上記の誘電体材料を溶射または溶着することにより形成することができる。
放電容器11における上部側部分11aおよび下部側部分11bの各々の厚みは、0.5〜5mmであることが好ましい。
また、放電容器11内における放電容器11における上部側部分11aおよび下部側部分11bとの距離(放電ギャップ)は、0.05〜5mmであることが好ましい。
また、プラズマ放電用誘電体膜15の厚みは、0.01〜4mmであることが好ましい。この厚みが過小である場合には、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間にアーク放電が生じやすくなる。一方、この厚みが過大である場合には、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間にプラズマ放電を発生させることが困難となる。
ランプハウス20は、側壁を形成する矩形の筒状の側壁部材21と、この側壁部材21の上部の開口を塞ぐ上板22とにより構成されている。
上板22の内面には、例えばアルミニウムよりなる直方体状のプラズマ放電用電極25が当該上板22に一体に設けられている。このプラズマ放電用電極25には、それぞれ水平方向(図1において紙面に垂直な方向)に貫通して伸びる複数の冷却水管26が設けられている。そして、エキシマランプ10が、その一方の電極12にプラズマ放電用誘電体膜15を介してプラズマ放電用電極25が対向するよう、ランプハウス20内に固定板23によって固定配置されると共に、プラズマ放電用電極25が接地されることにより、エキシマランプ10における一方の電極12およびプラズマ放電用電極25を介してプラズマ発生回路が形成されている。図示の例では、エキシマランプ10におけるエキシマ放電のための高周波電源Pによってプラズマ放電が発生される構成、すなわち、エキシマ放電およびプラズマ放電の両方が共通の高周波電源Pによって行われる構成とされている。
また、上板22の内面におけるプラズマ放電用電極25に隣接する位置には、エキシマランプ10における一方の電極12とプラズマ放電用電極25との間にプラズマ発生用反応性ガスを供給するためのマニーホールド27が設けられ、エキシマランプ10の側方位置には、一方の電極12とプラズマ放電用電極25との間を流過したガスを下方に案内する案内部材28が設けられている。
プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との離間距離は、1〜10mmであることが好ましい。この離間距離が過小である場合には、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間にプラズマ発生用反応性ガスを流過させることが困難となることがある。一方、この離間距離が過大である場合には、エキシマランプ10における一方の電極12とプラズマ放電用電極25との間に、プラズマ放電を発生させることが困難となることがある。
上記の照射装置においては、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間に、大気圧またはその近傍の圧力下において、マニーホールド27からプラズマ発生用反応性ガスが供給されて流過される。
プラズマ発生用反応性ガスとしては、窒素ガス(N2 )、アルゴンガス(Ar)、炭酸ガス(CO2 )、ヘリウムガス(He)などを主成分とし、酸素ガスが1〜2体積%含有してなるものを用いることが好ましい。
また、プラズマ発生用反応性ガスの単位長さ当りの流量は、1m当り0.5〜4m3 /sであることが好ましい。
そして、エキシマランプ10における一方の電極12と他方の電極13との間には、当該一方の電極12を高圧側電極とし、他方の電極13を接地側電極として、高周波電源Pによって高周波電界が印加され、当該高周波電界によって、エキシマランプ10における放電容器11内においてエキシマ放電が発生し、このエキシマ放電によってエキシマ用ガスに由来するエキシマ分子が形成され、これにより、真空紫外線が放射される。
一方、エキシマランプ10における一方の電極12とプラズマ放電用電極25との間には、当該一方の電極12を高圧側電極とし、プラズマ放電用電極25を接地側電極として、大気圧またはその近傍の圧力下において、高周波電源Pによって高周波電界が印加され、当該高周波電界によって、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間にプラズマ放電(グロー放電)が発生し、このプラズマ放電によってプラズマ発生用反応性ガスが電離または励起されてプラズマが生成される。
以上において、高周波電源Pから供給される電力は、その周波数が10〜100kHzの高周波であることが好ましく、その電圧は1kVrms〜数10kVrmsの高電圧であることが好ましい。これにより、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間の放電状態が、グロー放電からアーク放電に移行することがなく、プラズマ放電を安定に維持することができる。
また、エキシマ放電およびプラズマ放電の開始電圧は、放電空間の圧力、放電ギャップの大きさ、ガスの種類等によって定まるが、プラズマ放電の開始電圧がエキシマ放電の開始電圧が高く、プラズマ放電がエキシマ放電より例えば数マイクロ秒間遅延して発生するよう設定されることが好ましい。このような条件が満足されることにより、エキシマ放電による真空紫外線が放射されることによって光電子が生ずるため、プラズマ放電を容易にかつ安定に発生させることができる。
そして、エキシマランプ10の下方において、搬送機構30によって水平方向に移動する被処理体Wの表面に、エキシマランプ10から放射された真空紫外線が照射されると共に、真空紫外線によって発生したオゾン等の活性酸素が被処理体Wの表面に接触することにより、被処理体Wの表面に付着した有機化合物が分解・酸化される。更に、プラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との間で生成したプラズマを含むガスが、エキシマランプ10の側面と案内部材28によって下方に導かれ、搬送機構30によって水平方向に移動する被処理体Wの表面に接触することにより、被処理体Wの表面に付着した有機化合物が分解・酸化される。
ここで、有機化合物中におけるC−C結合、C−H結合、C=C結合などの化学結合は、結合エネルギーが比較的に低いため、真空紫外線のエネルギーによって切断することができ、更に、真空紫外線によって発生した活性酸素と反応することによって酸化してガス化することができる。一方、C=O結合などの化学結合は、結合エネルギーが高いため、真空紫外線のエネルギーによって切断することができないが、プラズマ放電によって発生した酸素ラジカルなどによって酸化してガス化することができる。
このようして、被処理体Wについて、真空紫外線による洗浄処理およびプラズマによる洗浄処理が行われる。
上記の照射装置によれば、被処理体Wに対して、エキシマランプ10からの真空紫外線による洗浄処理、およびエキシマランプ10における一方の電極12とプラズマ放電用電極25との間に発生したプラズマによる洗浄処理の両方を行うことができるので、被処理体Wに対して高い洗浄処理能力が得られる。
また、真空紫外線による洗浄処理のみでは除去することが困難な結合エネルギーが高い化学結合を有する有機化合物についても、プラズマによる洗浄処理によって酸化されてガス化されるため、確実に除去することができる。
本発明の照射装置においては、上記の実施の形態に限定されず、種々の変更を加えることが可能である。
(1)図2に示すように、プラズマ放電用誘電体膜15の表面に、多数の電界集中用凸部15aを形成することができ、また、図3に示すように、プラズマ放電用電極25の表面に多数の電界集中用凸部25aを形成することができる。
このような照射装置においては、プラズマ放電用誘電体膜15の電界集中用凸部15aとプラズマ放電用電極25とが、或いはプラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25の電界集中用凸部25aとが離間していても接触していてもよく、その離間距離が2mm以下であることが好ましい。また、プラズマ放電用誘電体膜15の電界集中用凸部15aまたはプラズマ放電用電極25の電界集中用凸部25aの突出高さは、それぞれ3〜10mmであることが好ましい。
このような構成によれば、プラズマ放電用誘電体膜15の電界集中用凸部15aとプラズマ放電用電極25との間、或いはプラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25の電界集中用凸部25aとの間に高周波電界が集中して発生し、沿面放電および平等電界型放電が複合した放電状態が得られるため、プラズマ放電のための始動開始電圧を低くすることができ、また、作動中に放電容器11の熱膨張が生じることによりプラズマ放電用誘電体膜15とプラズマ放電用電極25との距離が変化した場合にも、プラズマ放電を安定に維持することができる。
(2)専用のプラズマ放電用電極を設けずに、ランプハウスの一部、例えば図4に示すように、ランプハウス20における上板22をプラズマ放電用電極25として利用することができ、このような構成においては、図5に示すように、上板22を蛇腹状に形成することにより、電界集中用凸部25aを形成することができる。
(3)図6に示すように、プラズマ放電用誘電体膜15は、プラズマ放電用電極25の表面に形成されていてもよい。
(4)図7に示すように、エキシマランプ10における一方の電極12は、放電容器11の内部に配置されていてもよい。このような構成においては、エキシマランプ10における放電容器11の上部側部分11aをプラズマ放電用の誘電体として利用することができる。
このような構成によれば、一方の電極12と放電容器11における下部側部分11bとの間にエキシマ放電が発生すると共に、一方の電極12と放電容器11における上部側部分11aとの間にエキシマ放電が発生する。従って、一方の電極12とプラズマ放電用電極25との間には、エキシマ放電およびプラズマ放電の両方が発生した状態となるため、放電状態の制御が容易となる。
(5)図1に示す照射装置においては、エキシマ放電およびプラズマ放電の両方が共通の高周波電源Pによって行う構成とされているが、プラズマ放電のための高周波電源が、エキシマランプ10におけるエキシマ放電のための高周波電源と別個に設けられた構成であってもよい。
(6)図1に示す照射装置においては、エキシマランプ10における一方の電極12が高圧側電極とされ、プラズマ放電用電極25が接地側電極とされているが、プラズマ放電用電極25が高圧側電極とされた構成であってもよい。
10 エキシマランプ
11 放電容器
11a 上部側部分
11b 下部側部分
12 一方の電極
13 他方の電極
15 プラズマ放電用誘電体膜
15a 電界集中用凸部
20 ランプハウス
21 側壁部材
22 上板
23 固定板
25 プラズマ放電用電極
25a 電界集中用凸部
26 冷却水管
27 マニーホールド
28 案内部材
30 搬送機構
31 搬送コロ
P 高周波電源
W 被処理体

Claims (5)

  1. 放電容器および一対の電極を有するエキシマランプと、このエキシマランプにおける一方の電極に誘電体を介して対向するよう配置されたプラズマ放電用電極とを備え、前記エキシマランプにおける前記一方の電極および前記プラズマ放電用電極を介してプラズマ発生回路が形成されてなり、
    前記エキシマランプにおける一対の電極間に印加される高周波電界によって前記放電容器内にエキシマ放電が発生されると共に、前記エキシマランプと前記プラズマ放電用電極との間にプラズマ発生用反応性ガスが流過された状態で、当該エキシマランプにおける前記一方の電極と当該プラズマ放電用電極との間に印加された高周波電界によってプラズマ放電が発生されることを特徴とする照射装置。
  2. 前記誘電体の表面に、電界集中用凸部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の照射装置。
  3. 前記プラズマ放電用電極の表面に、電界集中用凸部が形成されていることを特徴とする請求項1に記載の照射装置。
  4. 前記エキシマランプが配置されるランプハウスを備えてなり、当該ランプハウスに前記プラズマ放電用電極が一体に設けられていることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の照射装置。
  5. エキシマ放電のための高周波電源によって前記プラズマ放電が発生されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の照射装置。
JP2009168389A 2009-07-17 2009-07-17 照射装置 Expired - Fee Related JP4743311B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009168389A JP4743311B2 (ja) 2009-07-17 2009-07-17 照射装置
CN201080027548.5A CN102473585B (zh) 2009-07-17 2010-06-29 照射装置
PCT/JP2010/061002 WO2011007663A1 (ja) 2009-07-17 2010-06-29 照射装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009168389A JP4743311B2 (ja) 2009-07-17 2009-07-17 照射装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011023255A JP2011023255A (ja) 2011-02-03
JP4743311B2 true JP4743311B2 (ja) 2011-08-10

Family

ID=43633141

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009168389A Expired - Fee Related JP4743311B2 (ja) 2009-07-17 2009-07-17 照射装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4743311B2 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6537012B2 (ja) 2015-02-17 2019-07-03 富士ゼロックス株式会社 画像形成装置及び定着装置
CN107253746A (zh) * 2017-07-28 2017-10-17 罗璐 基于csdbd的供水管网终端的水处理装置
WO2023188121A1 (ja) 2022-03-30 2023-10-05 ヤマハロボティクスホールディングス株式会社 ウェーハ洗浄装置及びボンディングシステム
KR20240006992A (ko) * 2022-07-07 2024-01-16 (주)선재하이테크 플라즈마 형성용 트리거를 구비한 엑시머 램프 어셈블리

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4045682B2 (ja) * 1999-01-26 2008-02-13 株式会社日立ハイテクノロジーズ 紫外線照射による基板処理装置
JP2001113163A (ja) * 1999-10-20 2001-04-24 Hoya Schott Kk 紫外光照射装置及び方法
JP2002373878A (ja) * 2001-06-14 2002-12-26 Japan Steel Works Ltd:The 基板表面のクリーニング装置及び方法
JP4407252B2 (ja) * 2003-11-20 2010-02-03 ウシオ電機株式会社 処理装置
JP4962256B2 (ja) * 2007-10-12 2012-06-27 ウシオ電機株式会社 エキシマランプ光照射装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011023255A (ja) 2011-02-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210130955A1 (en) Film forming apparatus and film forming method
TWI553717B (zh) A focusing ring and a substrate processing device provided with the focusing ring
JP2002158219A (ja) 放電プラズマ処理装置及びそれを用いた処理方法
US20080149273A1 (en) Plasma processing apparatus
JP4743311B2 (ja) 照射装置
JP2011155160A (ja) 光処理装置および光処理方法
JP2014053136A (ja) 大気圧プラズマ処理装置
JP2000260396A (ja) エキシマランプ、エキシマ照射装置および有機化合物の分解方法
US8058586B2 (en) Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2002143795A (ja) 液晶用ガラス基板の洗浄方法
JP2011181535A (ja) 光処理装置および光処理方法
WO2011007663A1 (ja) 照射装置
JP3955835B2 (ja) プラズマ表面処理装置とその処理方法
JP2005317555A (ja) エキシマランプ及びエキシマ照射装置
JP2005347278A (ja) 放電プラズマ処理装置
JP3722733B2 (ja) 放電プラズマ処理装置
JP2006005007A (ja) アモルファスシリコン層の形成方法及び形成装置
JP2013247234A (ja) 大気圧プラズマ処理装置および薄膜形成方法
JP2007128910A (ja) プラズマ表面処理方法
JP5157701B2 (ja) 表面処理方法
JP2001219053A (ja) 誘電体バリア放電を使った酸化方法、および酸化処理装置
JP2007201067A (ja) 表面処理方法及び装置
JP2011131149A (ja) ドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置
JP2002151476A (ja) レジスト除去方法及びその装置
JP4702473B2 (ja) 照射装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101224

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20101224

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20110131

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110208

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110412

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110425

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140520

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4743311

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees