JP2003264139A - ステンシルマスク及びそのパターン転写方法 - Google Patents
ステンシルマスク及びそのパターン転写方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電子線を用いて等倍露光を行う場合に、従来と
比べパターン転写時の異物の付着の影響が少なく、より
長寿命のステンシルマスクを提供と、精度の良いパター
ン転写方法を提供。 【解決手段】基体と、この基体の片側に、基体より支持
されたマスク母体を具備し、該マスク母体に開口部を形
成してなる転写マスクであり、前記基体側からマスク母
体側へ荷電粒子線が透過する前記マスク母体の開口部
に、テーパー角が９０°より小さい透過孔パターンを有
し、該透過孔パターンのテーパー角が、８７°〜９０°
であり、前記マスク母体の厚みが、０．１〜２μｍであ
るステンシルマスク。
比べパターン転写時の異物の付着の影響が少なく、より
長寿命のステンシルマスクを提供と、精度の良いパター
ン転写方法を提供。 【解決手段】基体と、この基体の片側に、基体より支持
されたマスク母体を具備し、該マスク母体に開口部を形
成してなる転写マスクであり、前記基体側からマスク母
体側へ荷電粒子線が透過する前記マスク母体の開口部
に、テーパー角が９０°より小さい透過孔パターンを有
し、該透過孔パターンのテーパー角が、８７°〜９０°
であり、前記マスク母体の厚みが、０．１〜２μｍであ
るステンシルマスク。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子線やイオンビ
ームなどの荷電粒子線露光に用いられるステンシルマス
ク及びパターン転写方法に関する。
ームなどの荷電粒子線露光に用いられるステンシルマス
ク及びパターン転写方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体素子の微細化が急速に進ん
でいる。そのような微細パターンを有する素子の製造技
術として、様々な露光技術が開発されてきた。例えば、
電子線部分一括露光や電子線ステッパー露光のような電
子線を用いる露光法、イオンを用いる露光法、真空紫外
域の光を用いる露光法、極紫外域の光を用いる露光法等
がある。
でいる。そのような微細パターンを有する素子の製造技
術として、様々な露光技術が開発されてきた。例えば、
電子線部分一括露光や電子線ステッパー露光のような電
子線を用いる露光法、イオンを用いる露光法、真空紫外
域の光を用いる露光法、極紫外域の光を用いる露光法等
がある。
【０００３】これらのうち、電子線を用いる露光法とし
て、電子線を用いて等倍露光を行う方法が、特許第２９
５１９４７号公報において提案されている。この方法
は、従来の電子線を用いる露光法に比べ、加速電圧が２
０分の１程度であるという特徴を有する。
て、電子線を用いて等倍露光を行う方法が、特許第２９
５１９４７号公報において提案されている。この方法
は、従来の電子線を用いる露光法に比べ、加速電圧が２
０分の１程度であるという特徴を有する。
【０００４】また、この露光法は、転写パターンを有す
るマスクと、パターンを転写されるレジストを塗ったウ
ェハとの距離が約５０μｍという特徴がある。
るマスクと、パターンを転写されるレジストを塗ったウ
ェハとの距離が約５０μｍという特徴がある。
【０００５】このようにパターン転写時にマスクとウェ
ハとが近接している場合は、ウェハから生じる異物が付
着することによってマスクが汚れやすく、その結果マス
クの寿命が著しく短くなってしまうという問題点があ
る。
ハとが近接している場合は、ウェハから生じる異物が付
着することによってマスクが汚れやすく、その結果マス
クの寿命が著しく短くなってしまうという問題点があ
る。
【０００６】異物付着の原理は、電子線を用いたパター
ン転写において、マスクに付着する異物は主にレジスト
由来のものだということが知られている。パターンを転
写されるウェハ上のレジストに電子線があたると一部の
分子がスパッタされ、あるいは熱的に蒸発し、極微粒子
となって、真空雰囲気中のチャンバー内に飛散する。こ
の前記極微粒子が特定の場所、例えばマスクの開口部等
に付着することによって、マスクの汚染が起こる。我々
はマスクの電子線が照射される部分に異物がより多く付
着することを突き止めた。
ン転写において、マスクに付着する異物は主にレジスト
由来のものだということが知られている。パターンを転
写されるウェハ上のレジストに電子線があたると一部の
分子がスパッタされ、あるいは熱的に蒸発し、極微粒子
となって、真空雰囲気中のチャンバー内に飛散する。こ
の前記極微粒子が特定の場所、例えばマスクの開口部等
に付着することによって、マスクの汚染が起こる。我々
はマスクの電子線が照射される部分に異物がより多く付
着することを突き止めた。
【０００７】また、透過孔パターンは、基体側からマス
ク母体側へ荷電粒子線を透過させ、該透過孔パターンの
開口で荷電粒子線の光束を形成して、ウエハ上のレジス
トに転写するものであり、前記開口は設計値に対して精
度良く形成されていなければならない。上記転写時は、
電子線が照射される方向、すなわち、電子線が入射する
側のマスク母体の表面、及び透過孔パターンの開口の側
壁（テーパー面）に電子線が直接に照射されるため、チ
ャージアップや、テーパー面での反射のために、転写時
間の累積と共に前記開口の寸法精度や、形状に変化が起
きて、転写パターンの精度が維持できないことによる問
題も発生している。
ク母体側へ荷電粒子線を透過させ、該透過孔パターンの
開口で荷電粒子線の光束を形成して、ウエハ上のレジス
トに転写するものであり、前記開口は設計値に対して精
度良く形成されていなければならない。上記転写時は、
電子線が照射される方向、すなわち、電子線が入射する
側のマスク母体の表面、及び透過孔パターンの開口の側
壁（テーパー面）に電子線が直接に照射されるため、チ
ャージアップや、テーパー面での反射のために、転写時
間の累積と共に前記開口の寸法精度や、形状に変化が起
きて、転写パターンの精度が維持できないことによる問
題も発生している。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電子線を用
いて等倍露光を行う場合に、従来と比べパターン転写時
の異物の付着の影響が少なく、より長寿命のステンシル
マスクを提供と、又転写精度の良い転写方法を提供する
ことを課題とする。
いて等倍露光を行う場合に、従来と比べパターン転写時
の異物の付着の影響が少なく、より長寿命のステンシル
マスクを提供と、又転写精度の良い転写方法を提供する
ことを課題とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載に
係る発明は、開口部を設けた基体と、この基体の片側
に、基体より支持されたマスク母体を具備し、該マスク
母体に開口部を形成してなる転写マスクであって、前記
基体側からマスク母体側へ荷電粒子線が透過する前記マ
スク母体の開口部に、テーパー角が９０°より小さい透
過孔パターンを有することを特徴とするステンシルマス
クである。
係る発明は、開口部を設けた基体と、この基体の片側
に、基体より支持されたマスク母体を具備し、該マスク
母体に開口部を形成してなる転写マスクであって、前記
基体側からマスク母体側へ荷電粒子線が透過する前記マ
スク母体の開口部に、テーパー角が９０°より小さい透
過孔パターンを有することを特徴とするステンシルマス
クである。
【００１０】本発明の請求項２記載に係る発明は、前記
透過孔パターンのテーパー角が、８７°〜９０°である
ことを特徴とする請求項１記載のステンシルマスクであ
る。
透過孔パターンのテーパー角が、８７°〜９０°である
ことを特徴とする請求項１記載のステンシルマスクであ
る。
【００１１】本発明の請求項３記載に係る発明は、前記
マスク母体の厚みが、０．１〜２μｍであることを特徴
とする請求項１、又は請求項２記載のステンシルマス
ク。である。
マスク母体の厚みが、０．１〜２μｍであることを特徴
とする請求項１、又は請求項２記載のステンシルマス
ク。である。
【００１２】本発明の請求項４記載に係る発明は、被加
工層を表面に形成した基板上の全面に、レジスト層を設
けた後、マスクを介して荷電粒子線を照射し、該レジス
ト層にパターンを転写する方法において、請求項１、乃
至請求項３のいずれか１項記載のステンシルマスクを介
して、荷電粒子線を照射し、レジスト層にパターンを転
写することを特徴とするパターン転写方法である。
工層を表面に形成した基板上の全面に、レジスト層を設
けた後、マスクを介して荷電粒子線を照射し、該レジス
ト層にパターンを転写する方法において、請求項１、乃
至請求項３のいずれか１項記載のステンシルマスクを介
して、荷電粒子線を照射し、レジスト層にパターンを転
写することを特徴とするパターン転写方法である。
【００１３】
【作用】本発明のステンシルマスク１は、より異物の付
着の影響が小さいマスクであり、ウェハ側の透過孔パタ
ーン３の開口が設計値よりも大きくなっており、電子線
が入射する側において設計値通りの開口１０になってい
る。これより、図１に示すように、転写されるパターン
は電子線が入射する側の開口１０によって規定され、透
過孔パターン３の開口に異物９が付着してもパターン転
写に対する影響は小さい。
着の影響が小さいマスクであり、ウェハ側の透過孔パタ
ーン３の開口が設計値よりも大きくなっており、電子線
が入射する側において設計値通りの開口１０になってい
る。これより、図１に示すように、転写されるパターン
は電子線が入射する側の開口１０によって規定され、透
過孔パターン３の開口に異物９が付着してもパターン転
写に対する影響は小さい。
【００１４】逆に、従来の技術のステンシルマスク１
は、より異物の付着の影響が大きいマスクであり、ウェ
ハ側の透過孔パターン３の開口が設計値通りの開口１０
なっており、電子線が入射する側において設計値よりも
大きくなっている。これより図４に示すように、転写さ
れる電子線の光束はウェハ側の開口１０によって規定さ
れ、透過孔パターン３の開口に異物が付着するとパター
ン転写に対する影響は大きく、異物９が付着することに
より電子線の光束を規定する部分の開口１０が容易に狭
まってしまう。
は、より異物の付着の影響が大きいマスクであり、ウェ
ハ側の透過孔パターン３の開口が設計値通りの開口１０
なっており、電子線が入射する側において設計値よりも
大きくなっている。これより図４に示すように、転写さ
れる電子線の光束はウェハ側の開口１０によって規定さ
れ、透過孔パターン３の開口に異物が付着するとパター
ン転写に対する影響は大きく、異物９が付着することに
より電子線の光束を規定する部分の開口１０が容易に狭
まってしまう。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
一態様に係るステンシルマスクについて説明する。
一態様に係るステンシルマスクについて説明する。
【００１６】図２は、本発明の一態様に係るステンシル
マスクを示す断面図である。図２において、ステンシル
マスク１は、枠型基体２上に、９０°より小さいテーパ
ー角の所定の透過孔パターン３を有するマスク母体４を
形成することにより構成されている。
マスクを示す断面図である。図２において、ステンシル
マスク１は、枠型基体２上に、９０°より小さいテーパ
ー角の所定の透過孔パターン３を有するマスク母体４を
形成することにより構成されている。
【００１７】枠型基体２の材料としては単結晶Ｓｉ、Ｓ
ｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体を含む半導
体、Ａｕ、Ｃｕ等の合金を含む金属、石英等の絶縁体の
いずれでも構わないが、好ましくは堅牢で熱膨張による
マスクの変形を抑えるために熱膨張係数の小さなものが
良い。
ｉＣ、Ｇｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体を含む半導
体、Ａｕ、Ｃｕ等の合金を含む金属、石英等の絶縁体の
いずれでも構わないが、好ましくは堅牢で熱膨張による
マスクの変形を抑えるために熱膨張係数の小さなものが
良い。
【００１８】マスク母体４の材料としては、Ｓｉ、Ｃ、
ＳｉＣ、酸化珪素、窒化珪素、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕな
どが挙げられるがこの限りではない。
ＳｉＣ、酸化珪素、窒化珪素、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ａｕな
どが挙げられるがこの限りではない。
【００１９】透過孔パターン３は９０°より小さなテー
パー角を有する。透過孔パターン３のテーパー角は、ド
ライエッチングの条件や、透過孔パターンの開口サイズ
に依存するため、所望のパターンの開口サイズにおいて
９０°より小さなテーパー角になるようなドライエッチ
ングの条件をあらかじめ知っておく必要がある。具体的
には、ドライエッチング時の基板温度、使用ガス、ガス
圧力、高周波印加出力等の条件を変えることにより所望
のテーパー角を実現できる。
パー角を有する。透過孔パターン３のテーパー角は、ド
ライエッチングの条件や、透過孔パターンの開口サイズ
に依存するため、所望のパターンの開口サイズにおいて
９０°より小さなテーパー角になるようなドライエッチ
ングの条件をあらかじめ知っておく必要がある。具体的
には、ドライエッチング時の基板温度、使用ガス、ガス
圧力、高周波印加出力等の条件を変えることにより所望
のテーパー角を実現できる。
【００２０】また、透過孔パターン３は、枠型基体側か
らマスク母体側へ電子線を透過させ、該透過孔パターン
の開口で電子線の光束を形成して、ウエハ上のレジスト
に転写するもので、前記開口は設計値に対して精度良く
形成されていなければならない。上記転写時は、電子線
が照射される方向、すなわち、電子線が入射する側のマ
スク母体の表面、及び透過孔パターンの開口の側壁（テ
ーパー面）に電子線が照射されるため、前記テーパー面
のチャージアップや、反射を防止するために、前記テー
パー角を９０°より小さい角度で形成した。
らマスク母体側へ電子線を透過させ、該透過孔パターン
の開口で電子線の光束を形成して、ウエハ上のレジスト
に転写するもので、前記開口は設計値に対して精度良く
形成されていなければならない。上記転写時は、電子線
が照射される方向、すなわち、電子線が入射する側のマ
スク母体の表面、及び透過孔パターンの開口の側壁（テ
ーパー面）に電子線が照射されるため、前記テーパー面
のチャージアップや、反射を防止するために、前記テー
パー角を９０°より小さい角度で形成した。
【００２１】前記透過孔パターンのテーパー角が８７°
より小さい角度では、形成する透過孔パターンを微細化
する場合に、例えば透過孔パターンの寸法幅が１００ｎ
ｍレベルでは、密集して形成した場合隣り合う透過孔パ
ターンが干渉する問題がある。又別の問題として、テー
パー角が８７°より小さい角度では、形成する透過孔パ
ターンの開口の寸法精度が不安定となり、基板温度、使
用ガス、ガス圧力、高周波印加出力等の条件維持が困難
となる場合がある。本発明では透過孔パターンのテーパ
ー角が８７°〜９０°の範囲に制限した。
より小さい角度では、形成する透過孔パターンを微細化
する場合に、例えば透過孔パターンの寸法幅が１００ｎ
ｍレベルでは、密集して形成した場合隣り合う透過孔パ
ターンが干渉する問題がある。又別の問題として、テー
パー角が８７°より小さい角度では、形成する透過孔パ
ターンの開口の寸法精度が不安定となり、基板温度、使
用ガス、ガス圧力、高周波印加出力等の条件維持が困難
となる場合がある。本発明では透過孔パターンのテーパ
ー角が８７°〜９０°の範囲に制限した。
【００２２】マスク母体４の膜厚が２μｍ以上の場合
は、透過孔パターンの加工精度が悪くなる上、微細パタ
ーンを密集して形成した場合隣り合う透過孔パターンが
干渉する恐れがある。逆に、前記膜厚が０．１μｍ以下
の場合は、十分に電子線を遮蔽することができなくなる
上、機械的強度が弱くなるという問題もある。本発明で
はマスク母体４の膜厚が２μｍ〜０．１μｍの範囲に制
限した。
は、透過孔パターンの加工精度が悪くなる上、微細パタ
ーンを密集して形成した場合隣り合う透過孔パターンが
干渉する恐れがある。逆に、前記膜厚が０．１μｍ以下
の場合は、十分に電子線を遮蔽することができなくなる
上、機械的強度が弱くなるという問題もある。本発明で
はマスク母体４の膜厚が２μｍ〜０．１μｍの範囲に制
限した。
【００２３】次に、被加工層を表面に形成した基板上の
全面に、レジスト層を設けた後、マスクを介して荷電粒
子線を照射し、前記レジスト層の表面に、本発明のステ
ンシルマスクを介して、荷電粒子線を照射し、レジスト
層にパターンを転写するパターン転写方法である。前記
パターン転写方法は前述の等倍露光方式に準じて行う方
法が一般的に採用されている。
全面に、レジスト層を設けた後、マスクを介して荷電粒
子線を照射し、前記レジスト層の表面に、本発明のステ
ンシルマスクを介して、荷電粒子線を照射し、レジスト
層にパターンを転写するパターン転写方法である。前記
パターン転写方法は前述の等倍露光方式に準じて行う方
法が一般的に採用されている。
【００２４】
【実施例】以下に、具体的な実施例により本発明を説明
する。尚、本発明は後述する実施例に何ら限定されるも
のではない。
する。尚、本発明は後述する実施例に何ら限定されるも
のではない。
【００２５】＜実施例１＞以下に、図３を用いて、本実
施例におけるステンシルマスクの作製手順を示す。
施例におけるステンシルマスクの作製手順を示す。
【００２６】マスク母体、及び基体として市販のＳＯＩ
（Silicon On Insurator）基板５を用いた。ＳＯＩ基板
５は一般的に、単結晶シリコンからなる支持基板６上に
順に、酸化珪素からなる中間酸化膜層７、単結晶シリコ
ンからなる活性層８を積層した構造になっている。本実
施例では、活性層８をマスク母体として、支持基板６を
基体として用いた。尚、本実施例で用いたＳＯＩ基板５
において、支持基板６、中間酸化膜層７、活性層８の厚
みはそれぞれ順に、５２５μｍ、０．５μｍ、０．５μ
ｍであった（図３（ａ））。
（Silicon On Insurator）基板５を用いた。ＳＯＩ基板
５は一般的に、単結晶シリコンからなる支持基板６上に
順に、酸化珪素からなる中間酸化膜層７、単結晶シリコ
ンからなる活性層８を積層した構造になっている。本実
施例では、活性層８をマスク母体として、支持基板６を
基体として用いた。尚、本実施例で用いたＳＯＩ基板５
において、支持基板６、中間酸化膜層７、活性層８の厚
みはそれぞれ順に、５２５μｍ、０．５μｍ、０．５μ
ｍであった（図３（ａ））。
【００２７】次に、ＬＰＣＶＤ（Low Pressure Chemica
l Vapor Deposition）装置を用いて、ＳＯＩ基板５全面
にシリコン窒化膜からなる保護膜（図示せず）を形成し
た後、レジストをマスクとして、プラズマエッチング装
置を用い、エッチャントとしてＣＦ４を用い、シリコン
窒化膜をドライエッチングして、支持基板６上に開口部
形成領域上の保護膜を開口除去した。
l Vapor Deposition）装置を用いて、ＳＯＩ基板５全面
にシリコン窒化膜からなる保護膜（図示せず）を形成し
た後、レジストをマスクとして、プラズマエッチング装
置を用い、エッチャントとしてＣＦ４を用い、シリコン
窒化膜をドライエッチングして、支持基板６上に開口部
形成領域上の保護膜を開口除去した。
【００２８】次いで、約９０℃に加熱したＫＯＨ水溶液
のエッチング液に浸漬し、保護膜をマスクとして、前記
開口部形成領域をエッチングすることにより支持基板６
に開口部を形成し、基体２が出来上がった。次に、前記
ＳＯＩ基板５全面にシリコン窒化膜からなる保護膜を約
１７０℃の熱リン酸でエッチング除去した。その後、前
記枠型基体２の開口部をマスクとして、緩衝フッ酸のエ
ッチング液に浸漬し、不必要な部分の中間酸化膜層７を
除去した（図３−（ｂ））。
のエッチング液に浸漬し、保護膜をマスクとして、前記
開口部形成領域をエッチングすることにより支持基板６
に開口部を形成し、基体２が出来上がった。次に、前記
ＳＯＩ基板５全面にシリコン窒化膜からなる保護膜を約
１７０℃の熱リン酸でエッチング除去した。その後、前
記枠型基体２の開口部をマスクとして、緩衝フッ酸のエ
ッチング液に浸漬し、不必要な部分の中間酸化膜層７を
除去した（図３−（ｂ））。
【００２９】この後、活性層８上に電子線レジストを
０．５μｍの厚さに塗布し、これに加速電圧５０ｋＶの
電子線描画機を用いて描画し、その後現像を行いレジス
トパターン（図示せず）を形成した。
０．５μｍの厚さに塗布し、これに加速電圧５０ｋＶの
電子線描画機を用いて描画し、その後現像を行いレジス
トパターン（図示せず）を形成した。
【００３０】そのレジストパターンをマスクとして用い
て、プラズマエッチング装置を用い、エッチャントとし
てＳｉＣｌ４／Ｎ２混合ガスを用いて、活性層８をドラ
イエッチングして透過孔パターン３の開口を形成した。
て、プラズマエッチング装置を用い、エッチャントとし
てＳｉＣｌ４／Ｎ２混合ガスを用いて、活性層８をドラ
イエッチングして透過孔パターン３の開口を形成した。
【００３１】酸素プラズマ装置を用いて、最後に残った
レジストをアッシング除去して、次に、基体２によって
支持されたマスク母体４に透過孔パターン３の開口を形
成してなる転写マスク１を得た（図３−（ｃ））。
レジストをアッシング除去して、次に、基体２によって
支持されたマスク母体４に透過孔パターン３の開口を形
成してなる転写マスク１を得た（図３−（ｃ））。
【００３２】得られた転写マスクの透過孔パターン３の
テーパー角を調べたところ、いずれの開口部も８８．０
°から８９．５°の範囲にあることが確認できた。
テーパー角を調べたところ、いずれの開口部も８８．０
°から８９．５°の範囲にあることが確認できた。
【００３３】本発明の効果を調べるために、本発明の方
法で得られたマスク（以下マスクＡとする）、及び従来
の９０°以上のテーパー角を有するマスク（以下マスク
Ｂとする）を用いて、幅１００ｎｍのパターンを転写す
る実験を行った。マスクＡ、及びマスクＢの幅１００ｎ
ｍの開口におけるテーパー角はそれぞれ、８８．３°、
９０．５°であった。
法で得られたマスク（以下マスクＡとする）、及び従来
の９０°以上のテーパー角を有するマスク（以下マスク
Ｂとする）を用いて、幅１００ｎｍのパターンを転写す
る実験を行った。マスクＡ、及びマスクＢの幅１００ｎ
ｍの開口におけるテーパー角はそれぞれ、８８．３°、
９０．５°であった。
【００３４】パターン転写を繰り返すとマスクに異物が
付着し、徐々にマスクの透過孔パターン３の開口が狭ま
る。これにより、転写されるレジストパターンの寸法が
徐々に設計値より小さくなる。
付着し、徐々にマスクの透過孔パターン３の開口が狭ま
る。これにより、転写されるレジストパターンの寸法が
徐々に設計値より小さくなる。
【００３５】そこでマスクＡ、Ｂそれぞれについて繰り
返し転写を行い、転写されたレジストパターンの幅が９
５ｎｍ以下になった時点での積算照射時間を比較したと
ころ、マスクＡの方がマスクＢよりも１０倍以上長かっ
た。これより、マスクＡがマスクＢに比べより長寿命で
あることが確認できた。
返し転写を行い、転写されたレジストパターンの幅が９
５ｎｍ以下になった時点での積算照射時間を比較したと
ころ、マスクＡの方がマスクＢよりも１０倍以上長かっ
た。これより、マスクＡがマスクＢに比べより長寿命で
あることが確認できた。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から理解できるように本発明
によれば、従来と比べ、パターン転写時の異物の付着の
影響が少なく、より長寿命のステンシルマスクを提供で
きる。更に、本発明のパターン転写方法によると、基板
上に形成されたレジストに対し、精度良くパターン転写
が可能となり、更に長寿命のステンシルマスクため、電
子線の照射が長期間可能となり、その結果、高能率で、
高歩留の半導体の製造が可能となった。
によれば、従来と比べ、パターン転写時の異物の付着の
影響が少なく、より長寿命のステンシルマスクを提供で
きる。更に、本発明のパターン転写方法によると、基板
上に形成されたレジストに対し、精度良くパターン転写
が可能となり、更に長寿命のステンシルマスクため、電
子線の照射が長期間可能となり、その結果、高能率で、
高歩留の半導体の製造が可能となった。
【図１】本発明のステンシルマスクに付着する異物の影
響を説明する側断面図。
響を説明する側断面図。
【図２】本発明の一態様に係るステンシルマスクを示す
側断面図。
側断面図。
【図３】（ａ）〜（ｂ）は、本発明の一態様に係るステ
ンシルマスクの製造プロセスを示す側断面図。
ンシルマスクの製造プロセスを示す側断面図。
【図４】従来のステンシルマスクに付着する異物の影響
を説明する側断面図。
を説明する側断面図。
１…ステンシルマスク
２…枠型基体
３…透過孔パターン
４…マスク母体
５…ＳＯＩ基板
６…（ＳＯＩ基板の）支持基板
７…（ＳＯＩ基板の）中間酸化膜
８…（ＳＯＩ基板の）活性層
９…（付着した）異物
１０…開口部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｊ 37/305 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５４１Ｓ
Ｆターム(参考） 2H095 BA03 BA08 BB02 BC26
2H097 CA16 GA45 LA10
5C033 BB02
5C034 BB05
5F056 AA06 EA04
Claims (4)
- 【請求項１】開口部を設けた基体と、この基体の片側
に、基体より支持されたマスク母体を具備し、該マスク
母体に開口部を形成してなる転写マスクであって、前記
基体側からマスク母体側へ荷電粒子線が透過する前記マ
スク母体の開口部に、テーパー角が９０°より小さい透
過孔パターンを有することを特徴とするステンシルマス
ク。 - 【請求項２】前記透過孔パターンのテーパー角が、８７
°〜９０°であることを特徴とする請求項１記載のステ
ンシルマスク。 - 【請求項３】前記マスク母体の厚みが、０．１〜２μｍ
であることを特徴とする請求項１、又は請求項２記載の
ステンシルマスク。 - 【請求項４】被加工層を表面に形成した基板上の全面
に、レジスト層を設けた後、マスクを介して荷電粒子線
を照射し、該レジスト層にパターンを転写する方法にお
いて、請求項１、乃至請求項３のいずれか１項記載のス
テンシルマスクを介して、荷電粒子線を照射し、レジス
ト層にパターンを転写することを特徴とするパターン転
写方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002064962A JP3991721B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | ステンシルマスク及びそのパターン転写方法 |
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| JP2002064962A JP3991721B2 (ja) | 2002-03-11 | 2002-03-11 | ステンシルマスク及びそのパターン転写方法 |
Publications (2)
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| JP2003264139A true JP2003264139A (ja) | 2003-09-19 |
| JP3991721B2 JP3991721B2 (ja) | 2007-10-17 |
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Family Applications (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3991721B2 (ja) |
-
2002
- 2002-03-11 JP JP2002064962A patent/JP3991721B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3991721B2 (ja) | 2007-10-17 |
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