JP2003259221A - 欠陥画素検出補正回路 - Google Patents

欠陥画素検出補正回路

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JP2003259221A JP2002056735A JP2002056735A JP2003259221A JP 2003259221 A JP2003259221 A JP 2003259221A JP 2002056735 A JP2002056735 A JP 2002056735A JP 2002056735 A JP2002056735 A JP 2002056735A JP 2003259221 A JP2003259221 A JP 2003259221A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 使用環境に随時対応し、且つ記憶手段の容量
を最大限利用することができる、高品質の欠陥画素検出
補正回路を提供する。 【解決手段】 CCDエリアセンサ1の初期的要因によ
り発生する欠陥画素の位置情報を記憶する第1のメモリ
5と、CCDエリアセンサの外部環境や経時変化などの
後発的要因により発生する欠陥画素の位置情報を検出す
る検出回路4と、該検出回路4により検出された欠陥画
素の位置情報を記憶する第2のメモリ6と、第1のメモ
リと第2のメモリに記憶された欠陥画素位置に対応する
CCDエリアセンサの画素から出力される欠陥画素信号
を補正する欠陥補正回路8とで欠陥画素検出補正回路を
構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、固体撮像素子の
欠陥画素を検出し、その検出した欠陥画素を補正する欠
陥画素検出補正回路に関する。
【0002】
【従来の技術】一般に、多画素を有するCCD撮像素子
を用いたデジタルカメラのような撮像装置においては、
均一な入射光レベルにも関わらず周辺のCCD画素とは
特異なレベルを出力するいわゆる欠陥画素の発生頻度が
高くなり、画質が劣化するという問題をかかえている。
【0003】この画素欠陥には、製造前のCCD素子材
料及び製造工程に起因して発生するいわゆる初期的欠陥
と、宇宙線、静電破壊等の外部環境や経時変化に起因し
て発生するいわゆる後発的欠陥がある。初期的欠陥の対
策として、従来の撮像装置においては、ユーザーに撮像
装置を出荷する前に欠陥画素の位置情報をメモリ等に記
憶しておき、補正回路によって欠陥画素の出力信号を、
周辺画素の出力信号などを用いて生成した補正信号に置
換する回路構成を備えている。
【0004】一方、後発的欠陥については、撮像装置内
に欠陥画素検出補正回路を搭載して後発的欠陥を検出
し、初期的欠陥と同様に補正信号に置換する構成になっ
ている。このようにして欠陥画素を検出し補正すること
により、固体撮像素子を用いた撮像装置は、画質を飛躍
的に向上させることができるようになっている。この欠
陥画素の検出回路については、例えば、特許第2990
927号公報には、温度が低いときには、前回検出した
欠陥画素の情報に今回検出する欠陥画素の情報を追加す
ることにより、欠陥の過少検出を回避することができる
と共に、温度が高いときには、前回検出した欠陥画素の
情報を全て抹消することにより、偶発的な誤検出のデー
タを抹消することができるという手法が開示されてい
る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところで、欠陥検出機
能を備えた前記従来技術の例では、後発的欠陥として検
出された画素について、位置情報の追加又は初期的欠陥
を含めた全欠陥画素の更新はできるが、例えば後発的欠
陥のみの更新はできない。したがって、温度変動が激し
い環境下で欠陥画素情報を追加、更新する場合は、欠陥
の誤検出もしくは過少検出の問題が発生する。また温度
により欠陥画素情報の更新の判断を行っているが、記憶
手段は、欠陥位置情報の追加又は更新何れの場合も、格
納できる容量には制限が発生する。更に温度の高低によ
り検出処理方法が異なる訳であるが、高低の温度の分岐
点も難しいという問題点がある。
【0006】本発明は、従来の欠陥画素検出補正手法に
おける上記問題点を解消するためになされたもので、使
用環境に随時対応し且つ記憶媒体の容量を最大限利用す
ることができる、高品質な欠陥画素検出補正回路を提供
することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解消するた
め、請求項1に係る発明は、固体撮像素子の材料や製造
工程などの初期的要因により発生する欠陥画素の位置情
報を記憶する第1の記憶部と、製造後の固体撮像素子の
外部環境や経時変化などの後発的要因により発生する欠
陥画素の位置情報を検出する検出手段と、該検出手段に
より検出された欠陥画素の位置情報を記憶する第2の記
憶部と、前記第1の記憶部及び前記第2の記憶部に記憶
された欠陥画素位置に対応する固体撮像素子の画素から
出力されるる欠陥画素信号を補正する補正手段とで欠陥
画素検出補正回路を構成し、前記第1の記憶部と第2の
記憶部に記憶された欠陥画素位置に対応する欠陥画素信
号を補正することを特徴とするものである。
【0008】このように構成した欠陥画素検出補正回路
においては、初期的欠陥画素の位置情報と後発的欠陥画
素の位置情報とを、互いに異なる第1及び第2の記憶部
にそれぞれ記憶させ分割することにより、後発的欠陥画
素の位置情報が第2の記憶部に追加されても、初期的欠
陥画素の位置情報及び後発的欠陥画素の位置情報とを合
わせて、欠陥画素の位置情報を固体撮像素子の画素の読
み出し順に並び替える必要がなく、リアルタイムに欠陥
画素を補正することができる。また、後発的欠陥画素の
位置情報は、随時ユーザーによって、又は自動的に更新
することができる。
【0009】請求項2に係る発明は、請求項1に係る欠
陥画素検出補正回路において、前記第1の記憶部と前記
第2の記憶部には、それぞれ、欠陥画素の位置情報が固
体撮像素子の読み出し順に記憶されていることを特徴と
するものである。
【0010】このように構成した欠陥画素検出補正回路
においては、欠陥画素の位置情報が固体撮像素子の読み
出し順に記憶されているので、固体撮像素子の読み出し
と同時に欠陥画素の補正を行うことが可能となる。
【0011】請求項3に係る発明は、請求項1又は2に
係る欠陥画素検出補正回路において、前記第2の記憶部
の容量は、前記第1の記憶部の容量より小さく設定され
ていることを特徴とするものである。
【0012】一般に、固体撮像素子は初期的欠陥画素に
比べ後発的欠陥画素の発生頻度が低い。したがって上記
のように、第2の記憶部を第1の記憶部より容量を小さ
く設定することにより、効率的な記憶部構成とすること
ができる。
【0013】請求項4に係る発明は、請求項1〜3のい
ずれか1項に係る欠陥画素検出補正回路において、前記
検出手段は、欠陥画素の位置情報を検出するタイミング
を任意に設定可能であり、設定されたタイミングで検出
された欠陥画素の位置情報により前記第2の記憶部に既
に記憶されている欠陥画素の位置情報は、必要に応じて
更新されることを特徴とするものである。
【0014】このように構成した欠陥画素検出補正回路
においては、後発的欠陥画素の位置情報を適宜更新する
ことにより、撮影時点において最適な欠陥画素補正が行
われ、高画質の画像が得られる。
【0015】請求項5に係る発明は、請求項1〜4のい
ずれか1項に係る欠陥画素検出補正回路において、前記
検出手段により検出された欠陥画素の位置情報の内、前
記第1の記憶部に記憶されている欠陥画素の位置情報と
重複する位置情報については、新たに前記第2の記憶部
に欠陥画素の位置情報として記憶しないことを特徴とす
るものである。
【0016】このように構成した欠陥画素検出補正回路
においては、検出された後発的欠陥画素の位置情報が初
期的欠陥画素の位置情報と重複する場合、新たに第2の
記憶手段に記憶しないので、欠陥画素の位置情報を、固
体撮像素子の読み出し順に効率的に記憶部に格納するこ
とができる。
【0017】請求項6に係る発明は、請求項1〜5のい
ずれか1項に係る欠陥画素検出補正回路において、更
に、上記第1の記憶部に記憶されている欠陥画素の位置
情報及び第2の記憶部に記憶されている欠陥画素の位置
情報に基づき、固体撮像素子の欠陥画素信号を補正する
際に用いる周辺画素を定める所定エリア内に含まれる画
素について欠陥画素の位置を検出する周辺欠陥検出手段
を具備し、前記欠陥補正手段は、前記周辺欠陥検出手段
により検出された欠陥画素の位置に対応する画素からの
出力信号を欠陥補正に適用しないように構成されている
ことを特徴とするものである。
【0018】このように構成した欠陥画素検出補正回路
においては、初期的欠陥画素と後発的欠陥画素の位置情
報を混在させて補正に必要な注目画素周辺の欠陥画素の
位置情報を検知することができるので、この周辺で検知
された欠陥画素を補正に用いないことにより、高精度な
補正が可能となる。
【0019】
【発明の実施の形態】次に、実施の形態について説明す
る。図1は、本発明に係る欠陥画素検出補正回路の第1
の実施の形態を示すブロック構成図である。この実施の
形態は、請求項1〜5に対応するものである。この実施
の形態に係る欠陥画素検出補正回路は、次のように構成
されている。すなわち、図1において、1は固体撮像素
子の一例として周辺回路を含むCCDエリアセンサ、2
はアナログ回路で構成されるプリプロセス回路、3はA
/D変換回路、4は後発的欠陥を検知する欠陥検出回
路、5は初期的欠陥画素の位置情報を格納する第1のメ
モリ、6は後発的欠陥画素の位置情報を格納する第2の
メモリ、7はOR回路、8は第1のメモリ5及び第2の
メモリ6に格納されている欠陥画素の位置情報に従って
CCDエリアセンサ1の欠陥画素から出力される信号を
補正する欠陥補正回路、9は映像信号処理回路、10は前
記欠陥検出回路4,第1のメモリ5,第2のメモリ6,
OR回路7及び欠陥補正回路8からなる欠陥画素検出補
正回路である。
【0020】次に、この実施の形態の動作について説明
する。CCDエリアセンサ1から出力された映像信号
は、プリプロセス回路2,A/D変換回路3を介して、
欠陥画素検出補正回路10に入力される。映像信号が正常
なCCD画素から出力される場合は、何の処理もされず
に欠陥画素検出補正回路10から映像信号処理回路9へ出
力される。一方、CCD欠陥画素から映像信号が出力さ
れた場合は、初期的欠陥か後発的欠陥かにより処理フロ
ーが異なる。
【0021】予め第1のメモリ5に位置情報が登録され
ている初期的欠陥画素の場合は、第1のメモリ5から欠
陥画素の位置情報を常時出力させておき、欠陥補正回路
8にてCCDエリアセンサ1の読み出し位置と、第1の
メモリ5から出力される欠陥画素位置情報が一致した場
合に、CCD欠陥画素の出力信号が補正信号に置換され
る。その際、第1のメモリ5からは、順次アドレスを1
ずつ進めることにより、次の欠陥画素位置情報を出力す
る。そして、再びCCDエリアセンサ1の読み出し位置
が第1のメモリ5からの欠陥画素位置情報と一致したと
きに、補正を行う仕組みになっている。
【0022】一方、後発的欠陥が発生したときには、以
下の手順を取る。 (1)欠陥画素の位置情報の第2のメモリへの登録 まず、欠陥の位置情報を第2のメモリ6に登録する必要
がある。すなわち、検出回路4により検出された後発的
欠陥画素の位置情報は、検知された順に第2のメモリ6
に格納される。このとき検出回路4で検出された後発的
欠陥画素の位置情報が、初期的欠陥の位置情報を記憶し
ている第1のメモリ5に登録されている位置情報と重複
している場合は、第2のメモリ6には登録しない。これ
により、CCDエリアセンサ1の欠陥画素位置がCCD
エリアセンサ1の読み出し順に、第1のメモリ5の位置
情報とは重複せず第2のメモリ6に格納される。
【0023】(2)後発的欠陥画素の補正 次に、後発的欠陥画素の補正が行われる。すなわち、先
に第2のメモリ6に登録された後発的欠陥位置情報がC
CDエリアセンサ1の読み出し位置と一致した場合、欠
陥補正回路8によりCCD欠陥画素の出力信号が補正信
号に置換される。この補正は、前述の初期的欠陥画素の
補正の場合と同じ仕組みである。なお、この欠陥補正処
理の実行可否は、初期的欠陥画素の位置情報が格納され
た第1のメモリ5と後発的欠陥画素の位置情報が格納さ
れた第2のメモリ6の各出力のOR処理で制御される。
以上が、後発的欠陥画素を補正する基本的な処理のフロ
ーである。
【0024】図2は、第1及び第2のメモリ5,6に欠
陥画素位置情報を記憶するフォーマットである。CCD
エリアセンサ1が、図3において矢印で示すように、各
行毎に順次読み出される場合、第1及び第2のメモリ
5,6に、図2に示すように、CCD画素の読み出し順
(アドレス順)に欠陥画素の位置情報(データ)を格納
させることにより、CCDエリアセンサ1の読み出しと
同時に欠陥画素の補正が可能になる。また、初期的欠陥
画素の位置情報と後発的欠陥画素の位置情報を分離して
別々の第1及び第2のメモリ5,6に記憶させておくこ
とにより、後発的欠陥画素の位置情報を更新したとき
に、初期的欠陥画素の位置情報と後発的欠陥画素の位置
情報を混在させて並び替える必要はない。また、一般に
固体撮像素子材料や製造工程に起因する初期的欠陥画素
に比べ、製造後の固体撮像素子の外部環境や経時変化に
起因する後発的欠陥画素の方が発生頻度が低いとされる
ため、第2のメモリ6は第1のメモリ5に比べて容量を
小さくすることができる。
【0025】勿論、メモリサイズは、CCDエリアセン
サ1の性能や画素サイズなどによって任意に選択でき
る。もし、後発的欠陥画素として検知された欠陥画素数
が第2のメモリ6の容量以上となる場合は、検知する環
境が相応しくないとの判断により、後発的欠陥画素の位
置情報を更新させない。したがって、温度センサなどを
用いて更新の適否を判断させるなどの付帯的手段は必要
としない。なお、この実施の形態では、欠陥画素の位置
情報を記憶するメモリを2つの第1及び第2のメモリ
5,6に物理的に分けているものを示したが、同じチッ
プ内で領域を分けて第1及び第2の記憶部として記憶さ
せるようにしても、問題ないことはいうまでもない。な
お、上記検出回路4により後発的欠陥画素を検出するタ
イミングは任意に設定可能であり、また、この後発的欠
陥画素の位置情報は随時ユーザーによって、又は任意の
タイミングで自動的に更新することが可能である。
【0026】図4は、本発明の第2の実施の形態を示す
ブロック構成図で、第1の実施の形態と同一構成要素に
は同一符号を付して示している。この実施の形態は、請
求項6に対応するものである。この実施の形態は、次の
ように構成されている。すなわち、図4において、11
は、欠陥補正の対象となる画素である注目画素周辺の欠
陥画素の位置情報を認識検出する同時化回路である。こ
の同時化回路11には、第1のメモリ5から初期的欠陥画
素の位置情報、及び第2のメモリ6から後発的欠陥画素
の位置情報が、OR回路7を介して入力されている。そ
の他の構成は、図1に示した第1の実施の形態の構成と
同じである。
【0027】同時化回路11には、図示しない欠陥画素の
欠陥信号を補正する際に用いる周辺画素を定める所定エ
リアの空間フィルタ(図示せず)を備えており、注目画
素周辺の画素の欠陥画素位置情報を同時化している。
【0028】次に、この実施の形態の動作について説明
する。同時化回路11において、例えば、図5に示す5×
5の空間フィルタを備え、その出力において、中央にあ
る注目画素21が後発的欠陥画素の場合、その周辺にある
エリア画素群の欠陥画素位置情報から周辺画素22及び23
が、それぞれ初期的欠陥画素及び後発的欠陥画素として
検知された場合、欠陥補正回路8では前記検知した欠陥
画素22及び23からの出力信号を用いずに、補正信号を生
成する。これにより、高精度な欠陥補正が可能となる。
【0029】ここでの説明では、5×5の空間フィルタ
を用いて説明しているが、この空間フィルタのサイズは
任意に設定できることは言うまでもなく、また初期的欠
陥画素であっても後発的欠陥画素であっても区別するこ
となく、周辺の欠陥画素情報を検知することができる。
【0030】
【発明の効果】以上実施の形態に基づいて説明したよう
に、請求項1〜5に係る発明によれば、後発的欠陥画素
について、使用環境に随時対応して検出し補正すること
ができ、また記憶部の容量を最大限利用することができ
る。また請求項6に係る発明によれば、欠陥補正すべき
注目画素の周辺についても欠陥画素位置情報を検知し、
補正信号生成用の信号より排除することができるため、
より高画質な欠陥補正が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る欠陥画素検出補正回路の第1の実
施の形態を示すブロック構成図である。
【図2】欠陥画素の位置情報を記憶する第1及び第2の
メモリのフォーマットを示す図である。
【図3】CCDエリアセンサの読み出し順と欠陥画素位
置情報との関連を示す図である。
【図4】本発明の第2の実施の形態を示すブロック構成
図である。
【図5】同時化回路で用いる空間フィルタの例を示す図
である。
【符号の説明】
1 CCDエリアセンサ 2 プリプロセス回路 3 A/D変換回路 4 欠陥検出回路 5 初期的欠陥画素位置情報用の第1のメモリ 6 後発的欠陥画素位置情報用の第2のメモリ 7 OR回路 8 欠陥補正回路 9 映像信号処理回路 10 欠陥画素検出補正回路 11 同時化回路 21 注目欠陥画素 22,23 周辺欠陥画素

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 固体撮像素子の材料や製造工程などの初
    期的要因により発生する欠陥画素の位置情報を記憶する
    第1の記憶部と、製造後の固体撮像素子の外部環境や経
    時変化などの後発的要因により発生する欠陥画素の位置
    情報を検出する検出手段と、該検出手段により検出され
    た欠陥画素の位置情報を記憶する第2の記憶部と、前記
    第1の記憶部及び前記第2の記憶部に記憶された欠陥画
    素位置に対応する固体撮像素子の画素から出力される欠
    陥画素信号を補正する補正手段とを具備し、前記第1の
    記憶部と第2の記憶部に記憶された欠陥画素位置に対応
    する欠陥画素信号を補正することを特徴とする欠陥画素
    検出補正回路。
  2. 【請求項2】 前記第1の記憶部と前記第2の記憶部に
    は、それぞれ、欠陥画素の位置情報が固体撮像素子の読
    み出し順に記憶されていることを特徴とする請求項1に
    係る欠陥画素検出補正回路。
  3. 【請求項3】 前記第2の記憶部の容量は、前記第1の
    記憶部の容量より小さく設定されていることを特徴とす
    る請求項1又は2に係る欠陥画素検出補正回路。
  4. 【請求項4】 前記検出手段は、欠陥画素の位置情報を
    検出するタイミングを任意に設定可能であり、設定され
    たタイミングで検出された欠陥画素の位置情報により前
    記第2の記憶部に既に記憶されている欠陥画素の位置情
    報は、必要に応じて更新されることを特徴とする請求項
    1〜3のいずれか1項に係る欠陥画素検出補正回路。
  5. 【請求項5】 前記検出手段により検出された欠陥画素
    の位置情報の内、前記第1の記憶部に記憶されている欠
    陥画素の位置情報と重複する位置情報については、新た
    に前記第2の記憶部に欠陥画素の位置情報として記憶し
    ないことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に係
    る欠陥画素検出補正回路。
  6. 【請求項6】 更に、上記第1の記憶部に記憶されてい
    る欠陥画素の位置情報及び第2の記憶部に記憶されてい
    る欠陥画素の位置情報に基づき、固体撮像素子の欠陥画
    素信号を補正する際に用いる周辺画素を定める所定エリ
    ア内に含まれる画素について欠陥画素の位置を検出する
    周辺欠陥検出手段を具備し、前記欠陥補正手段は、前記
    周辺欠陥検出手段により検出された欠陥画素の位置に対
    応する画素からの出力信号を欠陥補正に適用しないよう
    に構成されていることを特徴とする請求項1〜5のいず
    れか1項に係る欠陥画素検出補正回路。
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