JP2003257927A - アルカリエッチング液及びこのエッチング液を用いたシリコンウェーハのエッチング方法並びにこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法 - Google Patents
アルカリエッチング液及びこのエッチング液を用いたシリコンウェーハのエッチング方法並びにこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法Info
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Abstract
ットの形成を抑制し得るアルカリエッチング液を提供す
る。表面を鏡面研磨したウェーハにおいて、良好な平坦
度を得、かつ裏面粗さが小さくなるシリコンウェーハの
エッチング方法を提供する。ウェーハ両面が高精度の平
坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を
目視により識別可能にするシリコンウェーハの表裏面差
別化方法を提供する。 【解決手段】 水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを
主成分とするアルカリ水溶液にリチウムイオンを含有す
ることを特徴とするアルカリエッチング液である。
Description
の製造工程において、発生するウェーハ表面の加工変質
層をエッチング除去する方法の改善に関する。更に詳し
くは、エッチングされたウェーハの表面のみを鏡面研磨
してウェーハ表裏面の差別化を行う方法に関するもので
ある。
程は、引上げたシリコン単結晶インゴットから切出し
(ブロック切断)、外径研削、スライスして得られたウ
ェーハを、面取り、機械研磨(ラッピング)、エッチン
グ、鏡面研磨(ポリッシング)及び洗浄する工程から構
成され、高精度の平坦度を有するウェーハとして生産さ
れる。これらの工程は目的により、その一部の工程が入
替えられたり、複数回繰返されたり、或いは熱処理、研
削等他の工程が付加、置換されたりして種々の工程が行
われる。ブロック切断、外径研削、スライシング、ラッ
ピング等の機械加工プロセスを経たシリコンウェーハは
表面にダメージ層即ち加工変質層を有している。加工変
質層はデバイス製造プロセスにおいてスリップ転位等の
結晶欠陥を誘発したり、ウェーハの機械的強度を低下さ
せ、また電気的特性に悪影響を及ぼすので完全に除去し
なければならない。
処理が行われる。エッチング処理には、混酸等の酸エッ
チング液を用いる酸エッチングと、NaOH等のアルカ
リエッチング液を用いるアルカリエッチングとがある。
酸エッチングは、そのエッチングレートがエッチング溶
液中のウェーハ面上での反応種や反応生成物の濃度勾配
に大きく依存し、エッチング溶液の不均一な流れなどの
原因による拡散層厚さの不均一によって、エッチングレ
ートが面内でばらつき、ラッピングで得られた平坦度が
損なわれ、エッチング表面にmmオーダーのうねりやピ
ールと呼ばれる凹凸が発生する。
ングレートがエッチング溶液の反応種や生成物の濃度勾
配等に依存せず、エッチング後のウェーハの平坦度は高
レベルのまま保持される。従って、高平坦度を得るため
には、酸エッチングよりもアルカリエッチングの方が優
れている。
ハの結晶方位に依存して出現する局所的な深さが数μm
で、大きさが数〜数十μm程度のピット(以下、これを
ファセットという。)が発生する。ファセットとは、ウ
ェーハ表面にアルカリエッチングを施す場合に、結晶方
位<100>と<111>とでエッチングレートが極端
に異なることに起因して発生する凹みである。これは、
どのような面状態でも発生するものであり、アルカリエ
ッチングを施す限り、その凹みの大きさを変えることは
できるが発生自体を回避することはできないとされてい
る。アルカリエッチングでも、高濃度のアルカリエッチ
ング液(例えば、12.9mol/l水酸化カリウム水
溶液)によりウェーハ表面をエッチングすると、図2に
示すように、ウェーハ表面に形成される1つ1つのファ
セットの幅が小さく、表面粗さが大きくなる問題点があ
った。
えば、3.3mol/l水酸化カリウム水溶液)により
ウェーハ表面をエッチングすると、図3に示すように、
ファセットが形成されるだけでなく、大きさが数ミクロ
ン以下で深さが十から数十ミクロン程度の深いピットが
同時に発生する問題点があった。深いピットとは、シリ
コンウェーハの表面に局所的なダメージや汚染源等の異
常点が残っている場合、その箇所だけ異常反応して生じ
る深い孔であり、アルカリエッチングの特異的な異方性
とも関係があると考えられている。なお、酸エッチング
を施してもこのような現象は発生しない。
記問題点を解決する方法として、アルカリエッチング槽
を多槽化し、第1段目に濃度が45重量%以上の水酸化
ナトリウム、第2段目に濃度が5重量%以上の水酸化リ
チウムを用いて半導体ウェーハをアルカリエッチングす
る方法が提案されている(特開平11−12677
1)。この方法では、第1段目の水酸化ナトリウムによ
るエッチングにより深いピットの形成を低減させ、第2
段目の水酸化リチウムによるエッチングにより深いピッ
トの増大を抑制するとともに、表面粗さを小さくしてい
る。
126771号公報に示された方法では、第2段目のエ
ッチング液の水酸化リチウム濃度を5重量%以上に規定
しているが、水酸化リチウムは水酸化ナトリウムや水酸
化カリウム等と比較して極めて高価であるため、エッチ
ングコストが上昇するおそれがあり、また、水酸化リチ
ウムの水に対する溶解度は12.5g/100g水(2
5℃)と低いため、高い濃度にすることができない、濃
度調製が難しい等の問題点がある。従って、第1段目の
水酸化ナトリウムによるエッチングにより確実にウェー
ハ表面の加工変質層を除去しなければ深いピットが形成
されることになるが、水酸化ナトリウムによってウェー
ハ表面の取り代を大きくし、確実に加工変質層を除去す
るようにした場合、特開平11−126771号公報の
中に示されるとおり、表裏面の粗さが大きくなる不具合
が発生する問題があった。
くでき、かつ深いピットの形成を抑制し得るアルカリエ
ッチング液及びこのエッチング液を用いたシリコンウェ
ーハのエッチング方法を提供することにある。本発明の
別の目的は、表面を鏡面研磨したウェーハにおいて、良
好な平坦度を得、かつ裏面粗さが小さくなるシリコンウ
ェーハのエッチング方法を提供することにある。本発明
の更に別の目的は、ウェーハ両面が高精度の平坦度及び
小さい表面粗さを有しかつウェーハの表裏面を目視によ
り識別可能にするシリコンウェーハの表裏面差別化方法
を提供することにある。
水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを主成分とするア
ルカリ水溶液にリチウムイオンを含有することを特徴と
するアルカリエッチング液である。請求項1に係る発明
では、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを主成分と
するアルカリ水溶液にリチウムイオンを含有するアルカ
リエッチング液は、ラッピング等により生じた加工変質
層とウェーハ内部の完全結晶層(バルク層)とのエッチ
ングレートの比(エッチング選択性)が小さい高濃度の
アルカリ水溶液を含むため、このアルカリ水溶液でのエ
ッチングにより深いピットの形成を抑制でき、更に、結
晶方位<100>や結晶方位<110>と、結晶方位<
111>とのエッチングレートの比(結晶異方性)が他
のアルカリよりも小さいリチウムを含むため、このリチ
ウムの効果により、ファセットの幅を大きくすることが
できる。従って、本発明のアルカリエッチング液を用い
てウェーハをエッチングすることにより、ラッピング工
程で得られた平坦度を維持するとともに、ファセットの
幅を大きくでき、深いピットの形成を抑制することがで
きる。即ち表面粗さを小さくすることができる。
続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェ
ーハを請求項1又は2記載のアルカリエッチング液に浸
漬させてシリコンウェーハをエッチングする方法であ
る。請求項4に係る発明は、ラッピング工程に続いて洗
浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸
エッチング液に浸漬させた後に、請求項1又は2記載の
アルカリエッチング液に浸漬させてシリコンウェーハを
エッチングする方法である。請求項3又は4に係る発明
では、上記方法によりエッチング処理されたウェーハ
は、ラッピング工程で得られた平坦度を維持するととも
に裏面粗さを小さくすることができる。
載の方法によりエッチングされたシリコンウェーハの表
面のみを鏡面研磨してウェーハの表裏面を差別化する方
法である。請求項5に係る発明では、エッチングにより
良好な平坦度を得、かつ裏面粗さを小さくしたウェーハ
表面のみを鏡面研磨することにより、ウェーハ両面が高
精度の平坦度及び小さい表面粗さを有しかつウェーハ表
面がデバイスメーカーの所望する光沢度を有してウェー
ハの表裏面が目視により識別可能となる。
は、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを主成分とす
るアルカリ水溶液にリチウムイオンを含有することを特
徴とする。図5に示すように、水酸化ナトリウム又は水
酸化カリウムを主成分とするアルカリ水溶液にリチウム
イオンが含有したアルカリエッチング液によりウェーハ
をエッチングすると、エッチング選択性の小さい高濃度
のアルカリ溶液によるエッチングにより深いピットの形
成を抑制し、結晶異方性の小さいリチウムの効果により
ウェーハ表面に形成されるファセットの幅を大きくでき
るため、ラッピング工程で得られた平坦度を維持すると
ともに裏面粗さを小さくすることができる。
グ液(例えば、2.0mol/l水酸化リチウム水溶
液)によりウェーハをエッチングすると、図4に示すよ
うに、結晶異方性の小さいリチウムの性質からエッチン
グによりウェーハ表面に形成されるファセットの幅は大
きくなるが、ウェーハの表面に局所的なダメージや汚染
源等の異常点が残っていると、リチウムによるエッチン
グはエッチング選択性が大きいため、異常点からその箇
所だけ異常反応して深いピットが形成される傾向が大き
くなる。このようにして形成される深いピットは、アル
カリエッチングの取り代により変化するが、図6に示す
ように、幅が数μm、深さが10〜数十μm程度の大き
さとなる。
リチウムや塩化リチウムを水酸化ナトリウム又は水酸化
カリウムを主成分とするアルカリ水溶液中に溶解するこ
とでエッチング液にリチウムイオンを含有させることが
できる。
る。本発明のアルカリエッチング液は、ラッピング工程
に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウ
ェーハをアルカリエッチングを行うためのエッチング液
であり、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを主成分
とするアルカリ水溶液の濃度をxmol/lとし、リチ
ウムイオンの濃度をymol/lとするとき、上記式
(1)を満たすように混合される。アルカリ水溶液の濃
度が下限値未満では、エッチング選択性が高くなり、こ
の液を用いてエッチングすることによって、ウェーハ表
面に深いピットが形成される頻度が高くなるおそれがあ
る。リチウムイオンの濃度の上限はエッチング液に対す
る溶解度によって決定される。
と、アルカリエッチング液に含まれる水酸化ナトリウム
又は水酸化カリウムの割合が高くなるため、エッチング
液全体としての結晶異方性が大きくなり、ウェーハ表面
のファセットの形状が小さく形成され、結果として表面
粗さが大きくなる不具合がある。本発明のアルカリエッ
チング液の好ましい配合比は次の式(2)に示す割合で
ある。
る。
工変質層を有するシリコンウェーハを本発明のアルカリ
エッチング液を貯えたアルカリエッチング槽に浸漬させ
てシリコンウェーハをエッチングする。このエッチング
液によりエッチングを施すことにより、低いエッチング
選択性によりウェーハに深いピットが形成される頻度を
低減することができ、結晶異方性が小さいため、ウェー
ハ表面のファセットの形状を大きくすることができる。
従って、本発明のエッチングにより図1に示すような良
好な平坦度を得、かつ裏面粗さの小さいウェーハとする
ことができる。アルカリエッチングを終えたウェーハは
超純水に浸漬してリンスした後、乾燥して、続く鏡面研
磨工程等に送られる。
る。先ず、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工
変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液を貯
えた酸エッチング槽に浸漬する。酸エッチング液により
ラッピングによりウェーハ表面に形成された加工変質層
が除去される。この酸エッチングのエッチング液として
は、フッ酸及び硝酸をそれぞれ含み、酢酸、硫酸又はリ
ン酸を少なくとも1種以上更に含んでもよい。次いで、
酸エッチングを終えたウェーハを超純水に浸漬してリン
スを行う。酸エッチングとアルカリエッチングとの間に
は、必ずリンスを行うことにより、ウェーハに付着した
酸が洗い落とされるため、次工程でのアルカリと反応を
起こすおそれがなくなる。次に、本発明のアルカリエッ
チング液を貯えたアルカリエッチング槽に上記リンスを
終えたウェーハを浸漬してエッチングを行う。本発明の
アルカリエッチング液によりエッチングされたウェーハ
表面は、形成されるファセットの形状を大きくすること
ができ、更に深いピットを抑制することができる。従っ
て、良好な平坦度を得、かつ裏面粗さを小さくすること
ができる。アルカリエッチングを終えたウェーハは超純
水に浸漬してリンスした後、乾燥して、続く鏡面研磨工
程等に送られる。
されたシリコンウェーハの表面のみを鏡面研磨すること
により得られたウェーハはウェーハ表面がウェーハ裏面
より高い光沢度を有するため、表裏面を識別可能な程度
に差別化することができる。
説明する。 <実施例1>ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加
工変質層を有するシリコンウェーハを用意した。次いで
水酸化カリウムと水酸化リチウムを用い、カリウムイオ
ン濃度が6.5mol/l、リチウムイオン濃度が0.
5mol/lになるようにアルカリエッチング液を調製
した。調製したアルカリエッチング液をエッチング槽に
貯え、液温を80℃に維持した。次に、アルカリエッチ
ング槽内のエッチング液を撹拌しながら上記ウェーハを
浸漬してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面と
裏面を合わせた合計で10μmを目安にして180秒間
浸漬してエッチングを行った。アルカリエッチングを終
えたウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥し
た。
ウムを用い、カリウムイオン濃度が9.5mol/l、
リチウムイオン濃度が0.5mol/lになるように調
製したアルカリエッチング液を用い、浸漬時間を240
秒とした以外は、実施例1と同様にしてウェーハをエッ
チング処理した。
ムを用い、カリウムイオン濃度が6.5mol/l、リ
チウムイオン濃度が0.5mol/lになるように調製
したアルカリエッチング液を用いた以外は、実施例1と
同様にしてウェーハをエッチング処理した。
洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを
用意した。次いでフッ酸、硝酸、酢酸及び水をモル比
(HF:HNO3:CH3COOH:H2O)が1:5:
5:1となるように混合して酸エッチング液を調製し
た。調製した酸エッチング液をエッチング槽に貯え、液
温を30℃に維持し、同様に、実施例1で用いたアルカ
リエッチング液をエッチング槽に貯え、液温を80℃に
維持した。次に、酸エッチング槽内のエッチング液を撹
拌しながら上記ウェーハを浸漬してウェーハの取り代を
シリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で20μ
mを目安にして30秒間浸漬してエッチングを行った。
酸エッチングを終えたウェーハを超純水に浸漬してリン
スを行った。更に、アルカリエッチング槽内のエッチン
グ液を撹拌しながら上記リンスを終えたウェーハを浸漬
してウェーハの取り代をシリコンウェーハの表面と裏面
を合わせた合計で10μmを目安にして240秒間浸漬
してエッチングを行った。アルカリエッチングを終えた
ウェーハを超純水に浸漬してリンスした後、乾燥した。
エッチング液を用いた以外は、実施例4と同様にしてウ
ェーハをエッチング処理した。 <実施例6>実施例3で調製したアルカリエッチング液
を用いた以外は、実施例4と同様にしてウェーハをエッ
チング処理した。
水酸化カリウムをアルカリエッチング液として用い、浸
漬時間を300秒とした以外は、実施例1と同様にして
ウェーハをエッチング処理した。 <比較例2>濃度が2.0mol/lの水酸化リチウム
をアルカリエッチング液として用い、浸漬時間を300
秒とした以外は、実施例1と同様にしてウェーハをエッ
チング処理した。
較例1、2のエッチング処理を終えたウェーハ裏面の面
粗さの指標として光沢度を測定した。光沢度は光沢度計
(日本電色社製)を用いてJIS規格(JIS Z 87
41)に基づいて測定し、更に得られた数値を鏡面研磨
後の表面光沢度の数値である360%で除した値の百分
率としたものを表面光沢度を100%としたときの裏面
光沢度とした。JIS規格(JIS Z 8741)によ
り定義されている光沢度は、ある試料面に対し、入射角
θで入射した光の鏡面反射光束Ψsの、屈折率が1.5
67のガラス表面の同一測定系における鏡面反射光束Ψ
s0に対する割合をパーセントで表示した数値として表さ
れる。光沢度Gr(θ)は下記式(1)に示す式により表
すことができ、シリコンウェーハ表面の光沢度を測定す
る場合の入射角θは60°である。
を確認した。ピットの有無は100〜200μm四方の
任意の面に1〜2μm程度の細孔が1個以上あるか否か
を確認した。表1に測定結果をそれぞれ示す。
沢度が低く、比較例2では光沢度は高いが、ピットが確
認された。これらに対して実施例1〜6ではピットが無
く、かつ高い光沢度が得られていることが判る。
溶液にリチウムイオンを含有させたエッチング液は、エ
ッチング選択性の小さいアルカリ水溶液でのエッチング
により深いピットの形成を抑制し、結晶異方性の小さい
リチウムでのエッチングにより、ファセットの形状を大
きくできる。従って、本発明のアルカリエッチング液を
用いてウェーハをエッチングすることにより、デバイス
メーカーの所望する裏面平坦度、光沢度及び表面粗さが
得られる。
ウェーハの表面のみに後工程である鏡面研磨を施すこと
により、ウェーハ表面がウェーハ裏面より光沢度が高く
なり、ウェーハ両面が高精度の平坦度及び小さい表面粗
さを有し、デバイスプロセスの搬送系でのウェーハ有無
の検知における検知困難や誤検知などの問題を生じず、
ウェーハの表裏面を目視により識別可能な程度に差別化
することができる。
ングしたウェーハ表面を600倍にて観察した光学顕微
鏡写真図。
ングしたウェーハ表面を600倍にて観察した光学顕微
鏡写真図。
ングしたウェーハ表面を600倍にて観察した光学顕微
鏡写真図。
ウェーハ表面を600倍にて観察した光学顕微鏡写真
図。
ングしたウェーハの断面図。
グしたウェーハの断面図。
Claims (5)
- 【請求項1】 水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを
主成分とするアルカリ水溶液にリチウムイオンを含有す
ることを特徴とするアルカリエッチング液。 - 【請求項2】 水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを
主成分とするアルカリ水溶液の濃度をxmol/lと
し、 リチウムイオンの濃度をymol/lとするとき、 次の式(1)を満たすように混合された請求項1記載の
エッチング液。 x+y : y = (6.0以上):(0.1〜3.0) ………(1) - 【請求項3】 ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た
加工変質層を有するシリコンウェーハを請求項1又は2
記載のアルカリエッチング液に浸漬させてシリコンウェ
ーハをエッチングする方法。 - 【請求項4】 ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た
加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液
に浸漬させた後に、請求項1又は2記載のアルカリエッ
チング液に浸漬させてシリコンウェーハをエッチングす
る方法。 - 【請求項5】 請求項3又は4記載の方法によりエッチ
ングされたシリコンウェーハの表面のみを鏡面研磨して
前記ウェーハの表裏面を差別化する方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002000552A JP3890981B2 (ja) | 2002-01-07 | 2002-01-07 | アルカリエッチング液及びこのエッチング液を用いたシリコンウェーハのエッチング方法並びにこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1742256A1 (en) * | 2004-04-02 | 2007-01-10 | Sumco Corporation | Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer |
JP2016127293A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | エッチング液及びその使用方法 |
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- 2002-01-07 JP JP2002000552A patent/JP3890981B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1742256A1 (en) * | 2004-04-02 | 2007-01-10 | Sumco Corporation | Alkaline etchant for controlling surface roughness of semiconductor wafer |
EP1742256A4 (en) * | 2004-04-02 | 2007-06-06 | Sumco Corp | ALKALIATOR FOR CONTROLLING THE SURFACE WEIGHT OF A SEMICONDUCTOR WAFERS |
JP2016127293A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッドAir Products And Chemicals Incorporated | エッチング液及びその使用方法 |
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