JP2003255856A - ディスプレイ装置、駆動回路、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、およびｏｌｅｄの駆動方法 - Google Patents
ディスプレイ装置、駆動回路、アモルファスシリコン薄膜トランジスタ、およびｏｌｅｄの駆動方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アモルファスシリコンＴＦＴにてスレッショ
ルド電圧(Ｖth)を適切に取り出す。 【解決手段】 画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ
２１と、ＯＬＥＤ２１を駆動するドライブ用トランジス
タ２２と、ドライブ用トランジスタ２２の電極の一部を
独立させて形成されると共にドライブ用トランジスタ２
２のスレッショルド電圧(Ｖth)を検出する分枝トランジ
スタ２３と、分枝トランジスタ２３によって検出される
スレッショルド電圧(Ｖth)が書き込まれる補償キャパシ
タ２８と、ドライブ用トランジスタ２２への信号電圧が
書き込まれる信号キャパシタ２７と、データ線と信号キ
ャパシタ２７との間にある第１トランジスタ２４と、信
号キャパシタ２７と補償キャパシタ２８との間にある第
２トランジスタ２５と、分枝トランジスタ２３のゲート
電極と他の電極との間にある第３トランジスタ２６とを
備えた。
ルド電圧(Ｖth)を適切に取り出す。 【解決手段】 画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ
２１と、ＯＬＥＤ２１を駆動するドライブ用トランジス
タ２２と、ドライブ用トランジスタ２２の電極の一部を
独立させて形成されると共にドライブ用トランジスタ２
２のスレッショルド電圧(Ｖth)を検出する分枝トランジ
スタ２３と、分枝トランジスタ２３によって検出される
スレッショルド電圧(Ｖth)が書き込まれる補償キャパシ
タ２８と、ドライブ用トランジスタ２２への信号電圧が
書き込まれる信号キャパシタ２７と、データ線と信号キ
ャパシタ２７との間にある第１トランジスタ２４と、信
号キャパシタ２７と補償キャパシタ２８との間にある第
２トランジスタ２５と、分枝トランジスタ２３のゲート
電極と他の電極との間にある第３トランジスタ２６とを
備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＯＬＥＤ(Organic
Light Emitting Diode)を用いたディスプレイ装置等に
係り、より詳しくは、駆動用トランジスタにおけるスレ
ッショルド(閾値)電圧(Ｖth)を補正するディスプレイ装
置等に関する。
Light Emitting Diode)を用いたディスプレイ装置等に
係り、より詳しくは、駆動用トランジスタにおけるスレ
ッショルド(閾値)電圧(Ｖth)を補正するディスプレイ装
置等に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＯＬＥＤ(有機ＥＬとも呼ばれる)は、電
場を加えることによって励起する蛍光性の有機化合物に
直流電圧をかけて発光させるものであり、次世代ディス
プレイデバイスとして注目されている。このＯＬＥＤは
電流駆動素子であり、駆動用トランジスタのばらつきや
劣化による電流のばらつきは、そのまま画質の悪化につ
ながる。そこで、画質の向上を図る上で、駆動用トラン
ジスタへ電流が流れ始めるポイントとなるスレッショル
ド(閾値)電圧(Ｖth)の補正を行い、出力電流を安定させ
る方法が効果的である。ここで、ＯＬＥＤの駆動方式と
しては、電圧書き込み方式と電流書き込み方式とに大別
される。従来、それぞれの駆動方式にて、Ｖthを補正す
る回路が提案されている。
場を加えることによって励起する蛍光性の有機化合物に
直流電圧をかけて発光させるものであり、次世代ディス
プレイデバイスとして注目されている。このＯＬＥＤは
電流駆動素子であり、駆動用トランジスタのばらつきや
劣化による電流のばらつきは、そのまま画質の悪化につ
ながる。そこで、画質の向上を図る上で、駆動用トラン
ジスタへ電流が流れ始めるポイントとなるスレッショル
ド(閾値)電圧(Ｖth)の補正を行い、出力電流を安定させ
る方法が効果的である。ここで、ＯＬＥＤの駆動方式と
しては、電圧書き込み方式と電流書き込み方式とに大別
される。従来、それぞれの駆動方式にて、Ｖthを補正す
る回路が提案されている。
【０００３】図８(ａ),(ｂ)は、従来の電圧書き込み方
式においてＶth補正を実現する方法を説明するための図
であり、図８(ａ)は回路図を、図８(ｂ)はタイミングチ
ャートを示している。図８(ａ)に示すトランジスタによ
る電圧書き込み方式の回路図では、ＯＬＥＤ２００の駆
動のために、４つのＦＥＴ２０１〜２０４と２つのコン
デンサ２０５〜２０６とが用いられている。ＦＥＴ２０
１はデータ線とコンデンサ２０５との間に入るスイッ
チ、ＦＥＴ２０２はＯＬＥＤ２００のドライブトランジ
スタ、ＦＥＴ２０３はＦＥＴ２０２のドレイン/ゲート
間に入るスイッチ、ＦＥＴ２０４はＦＥＴ２０２とＯＬ
ＥＤ２００との間に入るスイッチである。また、コンデ
ンサ２０５はデータ電圧を記憶するコンデンサ、コンデ
ンサ２０６はＶthを記憶するコンデンサである。ＦＥＴ
２０３がオン(ＯＮ)になると、ＦＥＴ２０２のドレイン
/ゲート電圧が同じになる。このとき、ＦＥＴ２０２の
ドレインに電圧がかかっている場合にはＦＥＴ２０２は
完全にＯＮになる。ＦＥＴ２０２のドレインに電圧がか
かっていない場合にはＦＥＴ２０２の電荷はドレインを
通して逃げて行き、ついにはＦＥＴ２０３がオフ(ＯＦ
Ｆ)になる。このとき、ＦＥＴ２０３のゲートにはＶth
が残る。
式においてＶth補正を実現する方法を説明するための図
であり、図８(ａ)は回路図を、図８(ｂ)はタイミングチ
ャートを示している。図８(ａ)に示すトランジスタによ
る電圧書き込み方式の回路図では、ＯＬＥＤ２００の駆
動のために、４つのＦＥＴ２０１〜２０４と２つのコン
デンサ２０５〜２０６とが用いられている。ＦＥＴ２０
１はデータ線とコンデンサ２０５との間に入るスイッ
チ、ＦＥＴ２０２はＯＬＥＤ２００のドライブトランジ
スタ、ＦＥＴ２０３はＦＥＴ２０２のドレイン/ゲート
間に入るスイッチ、ＦＥＴ２０４はＦＥＴ２０２とＯＬ
ＥＤ２００との間に入るスイッチである。また、コンデ
ンサ２０５はデータ電圧を記憶するコンデンサ、コンデ
ンサ２０６はＶthを記憶するコンデンサである。ＦＥＴ
２０３がオン(ＯＮ)になると、ＦＥＴ２０２のドレイン
/ゲート電圧が同じになる。このとき、ＦＥＴ２０２の
ドレインに電圧がかかっている場合にはＦＥＴ２０２は
完全にＯＮになる。ＦＥＴ２０２のドレインに電圧がか
かっていない場合にはＦＥＴ２０２の電荷はドレインを
通して逃げて行き、ついにはＦＥＴ２０３がオフ(ＯＦ
Ｆ)になる。このとき、ＦＥＴ２０３のゲートにはＶth
が残る。
【０００４】各期間における動作を図８(ｂ)を用いて説
明する。まず、期間では、Selectが立ち下がりＦＥＴ
２０１がＯＮになり、ＡＺが立ち下がりＦＥＴ２０３も
ＯＮになる。前の周期でＡＺＢがＯＮなのでＯＬＥＤ２
００には電流が流れる状態になっており、ＦＥＴ２０２
のドレイン電位ＶｄはＯＬＥＤ２００の接地電位に対し
て十分に近い電位にある。すなわちＶdは十分に低電位
である。従ってＦＥＴ２０２のゲートソース間電圧Ｖgs
は十分マイナス方向に振れているのでＦＥＴ２０２はＯ
Ｎ状態を保つ。その際ＯＬＥＤ２００の電位はＶth程度
であり、この期間でＯＬＥＤ２００におけるＶthの補償
が行われる。
明する。まず、期間では、Selectが立ち下がりＦＥＴ
２０１がＯＮになり、ＡＺが立ち下がりＦＥＴ２０３も
ＯＮになる。前の周期でＡＺＢがＯＮなのでＯＬＥＤ２
００には電流が流れる状態になっており、ＦＥＴ２０２
のドレイン電位ＶｄはＯＬＥＤ２００の接地電位に対し
て十分に近い電位にある。すなわちＶdは十分に低電位
である。従ってＦＥＴ２０２のゲートソース間電圧Ｖgs
は十分マイナス方向に振れているのでＦＥＴ２０２はＯ
Ｎ状態を保つ。その際ＯＬＥＤ２００の電位はＶth程度
であり、この期間でＯＬＥＤ２００におけるＶthの補償
が行われる。
【０００５】次に、期間では、ＡＺが立ち下がりＦＥ
Ｔ２０３がＯＮになり、ＡＺＢが立ち上がり、ＦＥＴ２
０４がＯＦＦになる。Ｖddの電流はＦＥＴ２０２のゲー
トに回り込みＶgs＝ＶthになるまでＶgsの電位を押し上
げ、Ｖgs＝Ｖthになった時点でＦＥＴ２０２はＯＦＦに
なる。ＡＺが立ち上がってＦＥＴ２０３がＯＦＦになる
とＣ１とＣ２にＶthがプログラムされる。
Ｔ２０３がＯＮになり、ＡＺＢが立ち上がり、ＦＥＴ２
０４がＯＦＦになる。Ｖddの電流はＦＥＴ２０２のゲー
トに回り込みＶgs＝ＶthになるまでＶgsの電位を押し上
げ、Ｖgs＝Ｖthになった時点でＦＥＴ２０２はＯＦＦに
なる。ＡＺが立ち上がってＦＥＴ２０３がＯＦＦになる
とＣ１とＣ２にＶthがプログラムされる。
【０００６】期間では、Ｄａｔａ線にＶddからΔＶda
taだけ低い信号を入力すると、容量分割によりコンデン
サ２０５およびコンデンサ２０６に記憶される電圧が変
化する。
taだけ低い信号を入力すると、容量分割によりコンデン
サ２０５およびコンデンサ２０６に記憶される電圧が変
化する。
【式１】
【０００７】期間では、ＡＺＢがＯＮになりＯＬＥＤ
２００が発光する。そのときのＦＥＴ２０２のドレイン
・ソース間に流れる電流Ｉdsは次の式のようになり、Ｖ
thの項を含まなくなる。
２００が発光する。そのときのＦＥＴ２０２のドレイン
・ソース間に流れる電流Ｉdsは次の式のようになり、Ｖ
thの項を含まなくなる。
【式２】
ここで、
【式３】
である。
【０００８】図９(ａ),(ｂ)は、従来の電流書き込み方
式においてＶth補正を実現したものを説明するための図
であり、図９(ａ)は回路図を、図９(ｂ)はタイミングチ
ャートを示している。図９(ａ)に示すトランジスタによ
る電圧書き込み方式の回路図では、ＯＬＥＤ２００の駆
動のために、４つのＦＥＴ２１１〜２１４とコンデンサ
２１５とが用いられている。ＦＥＴ２１１はデータ線と
コンデンサ２１５との間に入るスイッチ、ＦＥＴ２１２
はＯＬＥＤ２００のドライブトランジスタ、ＦＥＴ２１
３はＦＥＴ２１２とＯＬＥＤ２００との間に入るスイッ
チ、ＦＥＴ２１４はＦＥＴ２１３のドレイン/ゲート間
に入るスイッチである。また、コンデンサ２１５はＶth
を記憶するコンデンサである。
式においてＶth補正を実現したものを説明するための図
であり、図９(ａ)は回路図を、図９(ｂ)はタイミングチ
ャートを示している。図９(ａ)に示すトランジスタによ
る電圧書き込み方式の回路図では、ＯＬＥＤ２００の駆
動のために、４つのＦＥＴ２１１〜２１４とコンデンサ
２１５とが用いられている。ＦＥＴ２１１はデータ線と
コンデンサ２１５との間に入るスイッチ、ＦＥＴ２１２
はＯＬＥＤ２００のドライブトランジスタ、ＦＥＴ２１
３はＦＥＴ２１２とＯＬＥＤ２００との間に入るスイッ
チ、ＦＥＴ２１４はＦＥＴ２１３のドレイン/ゲート間
に入るスイッチである。また、コンデンサ２１５はＶth
を記憶するコンデンサである。
【０００９】各期間における動作を図９(ｂ)を用いて説
明する。まず、期間では、ＦＥＴ２１２をＯＦＦにし
てＶddを遮断し、ＦＥＴ２１１およびＦＥＴ２１４をＯ
Ｎにする。このとき、ＩdataがＦＥＴ２１３を流れる。
期間では、Ｉdataに応じた電圧がコンデンサ２１５に
プログラムされる。期間では、ＦＥＴ２１１とＦＥＴ
２１４とをＯＦＦにし、ＦＥＴ２１２をＯＮにしてＶdd
をＦＥＴ２１３およびＯＬＥＤ２００に供給する。この
とき、コンデンサ２１５に記憶された電圧により、Ｉda
taの電流がＯＬＥＤ２００に供給される。
明する。まず、期間では、ＦＥＴ２１２をＯＦＦにし
てＶddを遮断し、ＦＥＴ２１１およびＦＥＴ２１４をＯ
Ｎにする。このとき、ＩdataがＦＥＴ２１３を流れる。
期間では、Ｉdataに応じた電圧がコンデンサ２１５に
プログラムされる。期間では、ＦＥＴ２１１とＦＥＴ
２１４とをＯＦＦにし、ＦＥＴ２１２をＯＮにしてＶdd
をＦＥＴ２１３およびＯＬＥＤ２００に供給する。この
とき、コンデンサ２１５に記憶された電圧により、Ｉda
taの電流がＯＬＥＤ２００に供給される。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】以上のような方式によ
って、Ｖthの補正がなされていたが、上述した２つの方
式では、電源ＶddとＯＬＥＤ２００との間に、直列に２
つのトランジスタ(電圧書き込み方式ではＦＥＴ２０２
とＦＥＴ２０４、電流書き込み方式ではＦＥＴ２１２と
ＦＥＴ２１３)が設置される必要がある。すなわち、Ｖth
を検出するためには、２個のトランジスタを直列につな
いで、片方は電流のＯＮ/ＯＦＦ制御、片方は電流値の
制御を行うことが必要となる。
って、Ｖthの補正がなされていたが、上述した２つの方
式では、電源ＶddとＯＬＥＤ２００との間に、直列に２
つのトランジスタ(電圧書き込み方式ではＦＥＴ２０２
とＦＥＴ２０４、電流書き込み方式ではＦＥＴ２１２と
ＦＥＴ２１３)が設置される必要がある。すなわち、Ｖth
を検出するためには、２個のトランジスタを直列につな
いで、片方は電流のＯＮ/ＯＦＦ制御、片方は電流値の
制御を行うことが必要となる。
【００１１】しかしながら、例えばａ-Ｓｉ(アモルファ
スシリコン)ＴＦＴ(Thin Film Transistor)でＯＬＥＤ
２００を駆動する場合、アモルファスシリコンＴＦＴは
移動度が小さく電流があまり流せないことから、大きな
電流を流すためには大きなＴＦＴを用いる必要がある。
そのために、上述の方式をアモルファスシリコンＴＦＴ
で実現しようとした場合に、トランジスタが占有する面
積が大きくなってしまい、一方でディスプレイは画素サ
イズが限られていることから、上述のような画素の中に
大きなＴＦＴを何個も必要とする回路を採用すること
は、実装する上で困難なことである。
スシリコン)ＴＦＴ(Thin Film Transistor)でＯＬＥＤ
２００を駆動する場合、アモルファスシリコンＴＦＴは
移動度が小さく電流があまり流せないことから、大きな
電流を流すためには大きなＴＦＴを用いる必要がある。
そのために、上述の方式をアモルファスシリコンＴＦＴ
で実現しようとした場合に、トランジスタが占有する面
積が大きくなってしまい、一方でディスプレイは画素サ
イズが限られていることから、上述のような画素の中に
大きなＴＦＴを何個も必要とする回路を採用すること
は、実装する上で困難なことである。
【００１２】本発明は、以上のような技術的課題を解決
するためになされたものであって、その目的とするとこ
ろは、アモルファスシリコンＴＦＴにてスレッショルド
電圧(Ｖth)を適切に取り出すことにある。また他の目的
は、大容量のトランジスタの数を削減した状態にてＶth
のばらつきを補正することにある。さらに他の目的は、
Ｖthの検出とデータの書き込みとを同時に行うことで、
制御を簡潔化することにある。
するためになされたものであって、その目的とするとこ
ろは、アモルファスシリコンＴＦＴにてスレッショルド
電圧(Ｖth)を適切に取り出すことにある。また他の目的
は、大容量のトランジスタの数を削減した状態にてＶth
のばらつきを補正することにある。さらに他の目的は、
Ｖthの検出とデータの書き込みとを同時に行うことで、
制御を簡潔化することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】かかる目的のもと、本発
明は、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)の駆動
用トランジスタであるアモルファスシリコンＴＦＴの電
極の一部を分枝させた分枝電極によって形成される分枝
トランジスタによってアモルファスシリコンＴＦＴのス
レッショルド電圧(Ｖth)を取り出し、このスレッショル
ド電圧(Ｖth)のばらつきを補正して駆動用トランジスタ
に制御電圧を供給することを特徴としている。即ち、本
発明が適用されるディスプレイ装置は、画素毎に設けら
れ自己発光するＯＬＥＤと、このＯＬＥＤを駆動するド
ライブ用トランジスタと、このドライブ用トランジスタ
の電極の一部を独立させて形成されると共に、ドライブ
用トランジスタのスレッショルド電圧(Ｖth)を検出する
ための分枝トランジスタとを含んでいる。
明は、ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)の駆動
用トランジスタであるアモルファスシリコンＴＦＴの電
極の一部を分枝させた分枝電極によって形成される分枝
トランジスタによってアモルファスシリコンＴＦＴのス
レッショルド電圧(Ｖth)を取り出し、このスレッショル
ド電圧(Ｖth)のばらつきを補正して駆動用トランジスタ
に制御電圧を供給することを特徴としている。即ち、本
発明が適用されるディスプレイ装置は、画素毎に設けら
れ自己発光するＯＬＥＤと、このＯＬＥＤを駆動するド
ライブ用トランジスタと、このドライブ用トランジスタ
の電極の一部を独立させて形成されると共に、ドライブ
用トランジスタのスレッショルド電圧(Ｖth)を検出する
ための分枝トランジスタとを含んでいる。
【００１４】さらに、分枝トランジスタによって得られ
たスレッショルド電圧(Ｖth)を格納するキャパシタを含
み、供給される信号電圧に、キャパシタに格納されたス
レッショルド電圧(Ｖth)に基づく補正が加えられた制御
電圧をドライブ用トランジスタに対して供給することを
特徴とすることができる。またさらに、ＯＬＥＤに対し
て信号電圧を供給するホールド回路と、ＯＬＥＤに対し
て走査のためのセレクト信号を供給する走査回路とを含
み、この走査回路から供給されるセレクト信号に基づい
て、スレッショルド電圧(Ｖth)の取り込みおよびドライ
ブ用トランジスタへの書き込みのタイミングが制御され
ることを特徴とすることができる。
たスレッショルド電圧(Ｖth)を格納するキャパシタを含
み、供給される信号電圧に、キャパシタに格納されたス
レッショルド電圧(Ｖth)に基づく補正が加えられた制御
電圧をドライブ用トランジスタに対して供給することを
特徴とすることができる。またさらに、ＯＬＥＤに対し
て信号電圧を供給するホールド回路と、ＯＬＥＤに対し
て走査のためのセレクト信号を供給する走査回路とを含
み、この走査回路から供給されるセレクト信号に基づい
て、スレッショルド電圧(Ｖth)の取り込みおよびドライ
ブ用トランジスタへの書き込みのタイミングが制御され
ることを特徴とすることができる。
【００１５】また、本発明が適用されるディスプレイ装
置は、画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ(Organic
Light Emitting Diode)をアモルファスシリコンＴＦＴ
を用いて駆動する駆動手段と、この駆動手段に用いられ
るアモルファスシリコンＴＦＴに形成される分枝電極を
用いて、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるスレッシ
ョルド電圧(Ｖth)を取得するスレッショルド電圧取得手
段と、このスレッショルド電圧取得手段により取得され
たスレッショルド電圧(Ｖth)に基づきアモルファスシリ
コンＴＦＴに対して制御電圧を供給する信号電圧供給手
段とを含んでいる。
置は、画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ(Organic
Light Emitting Diode)をアモルファスシリコンＴＦＴ
を用いて駆動する駆動手段と、この駆動手段に用いられ
るアモルファスシリコンＴＦＴに形成される分枝電極を
用いて、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるスレッシ
ョルド電圧(Ｖth)を取得するスレッショルド電圧取得手
段と、このスレッショルド電圧取得手段により取得され
たスレッショルド電圧(Ｖth)に基づきアモルファスシリ
コンＴＦＴに対して制御電圧を供給する信号電圧供給手
段とを含んでいる。
【００１６】ここで、このスレッショルド電圧取得手段
は、アモルファスシリコンＴＦＴに電流を流している状
態から電流を十分に減らしたときのゲート電圧を分枝電
極を用いて取得する、即ち、電流を絞り込むという操作
を分枝電極を用いて実行している。また、この信号電圧
供給手段は、新たに得られた信号電圧とスレッショルド
電圧(Ｖth)とを加算して制御電圧とすることを特徴とす
れば、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるＶthのばら
つきを補正することができる点で好ましい。
は、アモルファスシリコンＴＦＴに電流を流している状
態から電流を十分に減らしたときのゲート電圧を分枝電
極を用いて取得する、即ち、電流を絞り込むという操作
を分枝電極を用いて実行している。また、この信号電圧
供給手段は、新たに得られた信号電圧とスレッショルド
電圧(Ｖth)とを加算して制御電圧とすることを特徴とす
れば、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるＶthのばら
つきを補正することができる点で好ましい。
【００１７】一方、本発明が適用される駆動回路は、Ｏ
ＬＥＤ等の被駆動素子を駆動させるためのアモルファス
シリコンＴＦＴに代表されるドライブ用トランジスタ
と、このドライブ用トランジスタの電極の一部を独立さ
せて形成されると共に、ドライブ用トランジスタに電流
が流れる際のスレッショルド電圧(Ｖth)を検出するため
の分枝トランジスタと、この分枝トランジスタによって
検出されるスレッショルド電圧(Ｖth)が書き込まれる補
償キャパシタと、ドライブ用トランジスタの制御に必要
な信号電圧が書き込まれる信号キャパシタと、データ線
と信号キャパシタとの間にある第１トランジスタと、こ
の信号キャパシタと補償キャパシタとの間にある第２ト
ランジスタと、分枝トランジスタのゲート電極と他の電
極との間にある第３トランジスタとを含むことを特徴と
することができる。
ＬＥＤ等の被駆動素子を駆動させるためのアモルファス
シリコンＴＦＴに代表されるドライブ用トランジスタ
と、このドライブ用トランジスタの電極の一部を独立さ
せて形成されると共に、ドライブ用トランジスタに電流
が流れる際のスレッショルド電圧(Ｖth)を検出するため
の分枝トランジスタと、この分枝トランジスタによって
検出されるスレッショルド電圧(Ｖth)が書き込まれる補
償キャパシタと、ドライブ用トランジスタの制御に必要
な信号電圧が書き込まれる信号キャパシタと、データ線
と信号キャパシタとの間にある第１トランジスタと、こ
の信号キャパシタと補償キャパシタとの間にある第２ト
ランジスタと、分枝トランジスタのゲート電極と他の電
極との間にある第３トランジスタとを含むことを特徴と
することができる。
【００１８】また、本発明が適用されるアモルファスシ
リコン薄膜トランジスタは、ゲート電極と、アモルファ
スシリコンと、このアモルファスシリコンを介してゲー
ト電極と対向するソース電極およびドレイン電極と、ソ
ース電極およびドレイン電極の何れか一方の電極に対し
てその一部を分離させて形成される分枝電極とを含み、
この分枝電極は、分離前の電極に追従した電圧が得易い
位置に配置されること、分離前の電極に対して近接して
配置されること、分離前の電極によって形成されるトラ
ンジスタのスレッショルド電圧(Ｖth)を検出する分枝ト
ランジスタを形成する電極であることを特徴とすること
ができる。
リコン薄膜トランジスタは、ゲート電極と、アモルファ
スシリコンと、このアモルファスシリコンを介してゲー
ト電極と対向するソース電極およびドレイン電極と、ソ
ース電極およびドレイン電極の何れか一方の電極に対し
てその一部を分離させて形成される分枝電極とを含み、
この分枝電極は、分離前の電極に追従した電圧が得易い
位置に配置されること、分離前の電極に対して近接して
配置されること、分離前の電極によって形成されるトラ
ンジスタのスレッショルド電圧(Ｖth)を検出する分枝ト
ランジスタを形成する電極であることを特徴とすること
ができる。
【００１９】他の観点から把えると、本発明が適用され
るアモルファスシリコン薄膜トランジスタは、ゲート電
極と、アモルファスシリコンと、このアモルファスシリ
コンを介してゲート電極と対向するソース電極およびド
レイン電極と、ドレイン電極の分枝として形成されると
共に、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極によ
って形成されるトランジスタのスレッショルド電圧(Ｖt
h)を検出をするための分枝トランジスタを形成する分枝
電極とを含んでいる。
るアモルファスシリコン薄膜トランジスタは、ゲート電
極と、アモルファスシリコンと、このアモルファスシリ
コンを介してゲート電極と対向するソース電極およびド
レイン電極と、ドレイン電極の分枝として形成されると
共に、ゲート電極、ソース電極およびドレイン電極によ
って形成されるトランジスタのスレッショルド電圧(Ｖt
h)を検出をするための分枝トランジスタを形成する分枝
電極とを含んでいる。
【００２０】さらに本発明は、アモルファスシリコンＴ
ＦＴによってＯＬＥＤを駆動するＯＬＥＤ駆動方法であ
って、アモルファスシリコンＴＦＴに信号電圧を書き込
むステップと、このアモルファスシリコンＴＦＴ上に設
けられる分枝トランジスタを用いてアモルファスシリコ
ンＴＦＴのスレッショルド電圧(Ｖth)を読み込むステッ
プと、このスレッショルド電圧(Ｖth)に基づき新たな信
号電圧に補正を加えてアモルファスシリコンＴＦＴに制
御電圧を供給するステップとを含んでいる。ここで、例
えば制御電圧を供給するステップは、新たな信号電圧と
スレッショルド電圧(Ｖth)とを加算することを特徴とし
ている。また、例えばスレッショルド電圧(Ｖth)を読み
込むステップは、制御電圧を供給するＮ次の前であるＮ
−１次のセレクト信号に基づいて読み込みを実行するこ
とを特徴とすることができる。
ＦＴによってＯＬＥＤを駆動するＯＬＥＤ駆動方法であ
って、アモルファスシリコンＴＦＴに信号電圧を書き込
むステップと、このアモルファスシリコンＴＦＴ上に設
けられる分枝トランジスタを用いてアモルファスシリコ
ンＴＦＴのスレッショルド電圧(Ｖth)を読み込むステッ
プと、このスレッショルド電圧(Ｖth)に基づき新たな信
号電圧に補正を加えてアモルファスシリコンＴＦＴに制
御電圧を供給するステップとを含んでいる。ここで、例
えば制御電圧を供給するステップは、新たな信号電圧と
スレッショルド電圧(Ｖth)とを加算することを特徴とし
ている。また、例えばスレッショルド電圧(Ｖth)を読み
込むステップは、制御電圧を供給するＮ次の前であるＮ
−１次のセレクト信号に基づいて読み込みを実行するこ
とを特徴とすることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に示す実施の形態
に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本実施の
形態が適用されるアクティブマトリクス型のＯＬＥＤデ
ィスプレイ１０を示した図である。ＯＬＥＤの駆動方式
には、パッシブ駆動とアクティブ駆動があるが、例えば
２６万色程度以上のフルカラーを制御するにはアクティ
ブ駆動が適している。このアクティブ駆動では、ＴＦＴ
駆動を必要としており、ＴＦＴ技術にはａ-Ｓｉ(アモル
ファスシリコン)を用いたものと低温ポリシリコンを用
いたものがある。本実施の形態では、アモルファスシリ
コンＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型のＯＬＥＤ
ディスプレイ１０を対象としている。このＯＬＥＤディ
スプレイ１０は、ｍ×ｎ配置のドットマトリクス型のデ
ィスプレイを駆動するにあたり、供給されるビデオ信号
を処理して各ドライバ回路に供給すべき制御信号を必要
なタイミングで出力する制御回路１１、制御回路１１か
らの制御信号に基づいてセレクト信号(アドレス信号)を
走査線Ｙ１〜Ｙｎに供給する走査回路１２、制御回路１
１からの制御信号に基づいてデータ信号をデータ線Ｘ１
〜Ｘｍに供給するホールド回路１３、ｍ×ｎ個の画素毎
に設けられ、走査回路１２からのセレクト信号およびホ
ールド回路１３からのデータ信号によって制御される駆
動回路２０とを備えている。尚、制御回路１１に供給さ
れるビデオ信号を生成する回路構成等をも含めてディス
プレイ装置として把握される場合がある。
に基づいて本発明を詳細に説明する。図１は、本実施の
形態が適用されるアクティブマトリクス型のＯＬＥＤデ
ィスプレイ１０を示した図である。ＯＬＥＤの駆動方式
には、パッシブ駆動とアクティブ駆動があるが、例えば
２６万色程度以上のフルカラーを制御するにはアクティ
ブ駆動が適している。このアクティブ駆動では、ＴＦＴ
駆動を必要としており、ＴＦＴ技術にはａ-Ｓｉ(アモル
ファスシリコン)を用いたものと低温ポリシリコンを用
いたものがある。本実施の形態では、アモルファスシリ
コンＴＦＴを用いたアクティブマトリクス型のＯＬＥＤ
ディスプレイ１０を対象としている。このＯＬＥＤディ
スプレイ１０は、ｍ×ｎ配置のドットマトリクス型のデ
ィスプレイを駆動するにあたり、供給されるビデオ信号
を処理して各ドライバ回路に供給すべき制御信号を必要
なタイミングで出力する制御回路１１、制御回路１１か
らの制御信号に基づいてセレクト信号(アドレス信号)を
走査線Ｙ１〜Ｙｎに供給する走査回路１２、制御回路１
１からの制御信号に基づいてデータ信号をデータ線Ｘ１
〜Ｘｍに供給するホールド回路１３、ｍ×ｎ個の画素毎
に設けられ、走査回路１２からのセレクト信号およびホ
ールド回路１３からのデータ信号によって制御される駆
動回路２０とを備えている。尚、制御回路１１に供給さ
れるビデオ信号を生成する回路構成等をも含めてディス
プレイ装置として把握される場合がある。
【００２２】図２は、ＯＬＥＤディスプレイ１０に用い
られる駆動回路２０の構成を示した図である。図２に示
す駆動回路２０では、発光層に有機化合物を用いたＯＬ
ＥＤ(Organic Light Emitting Diode)２１、５つのトラ
ンジスタ(２２〜２６)、および２つのキャパシタ(２７,
２８)から構成されている。トランジスタとしては、Ｏ
ＬＥＤ２１の駆動用大型トランジスタとしてａ-Ｓｉ(ア
モルファスシリコン)ＴＦＴからなるドライブ用トラン
ジスタ２２、ドライブ用トランジスタ２２とソース電極
およびゲート電極等を共通にしてドレイン電極だけが独
立している分枝(Twig)トランジスタ２３、データ線と信
号キャパシタ２７との間に入る第１トランジスタ２４、
信号キャパシタ２７のデータ線側とグランド(ＧＮＤ)と
の間に入る第２トランジスタ２５、分枝トランジスタ２
３のゲートとドレインとの間に入っている第３トランジ
スタ２６を有している。また、キャパシタとしては、ド
ライブ用トランジスタ２２の制御に必要な制御電圧が書
き込まれる信号キャパシタ２７、信号キャパシタ２７の
２倍程度の容量を持ち、ドライブ用トランジスタ２２へ
電流が流れ始めるポイントとなるスレッショルド電圧
(Ｖth)を記憶するための補償キャパシタ２８を備えてい
る。
られる駆動回路２０の構成を示した図である。図２に示
す駆動回路２０では、発光層に有機化合物を用いたＯＬ
ＥＤ(Organic Light Emitting Diode)２１、５つのトラ
ンジスタ(２２〜２６)、および２つのキャパシタ(２７,
２８)から構成されている。トランジスタとしては、Ｏ
ＬＥＤ２１の駆動用大型トランジスタとしてａ-Ｓｉ(ア
モルファスシリコン)ＴＦＴからなるドライブ用トラン
ジスタ２２、ドライブ用トランジスタ２２とソース電極
およびゲート電極等を共通にしてドレイン電極だけが独
立している分枝(Twig)トランジスタ２３、データ線と信
号キャパシタ２７との間に入る第１トランジスタ２４、
信号キャパシタ２７のデータ線側とグランド(ＧＮＤ)と
の間に入る第２トランジスタ２５、分枝トランジスタ２
３のゲートとドレインとの間に入っている第３トランジ
スタ２６を有している。また、キャパシタとしては、ド
ライブ用トランジスタ２２の制御に必要な制御電圧が書
き込まれる信号キャパシタ２７、信号キャパシタ２７の
２倍程度の容量を持ち、ドライブ用トランジスタ２２へ
電流が流れ始めるポイントとなるスレッショルド電圧
(Ｖth)を記憶するための補償キャパシタ２８を備えてい
る。
【００２３】ここで、ＦＥＴ(Field-effect Transisto
r)一般に、ゲートソース間電圧ＶGSとドレイン電流ＩD
との関係は、二乗カーブによって表されるが、寿命によ
って、スレッショルド電圧(Ｖth)のシフトが生じる。オ
リジナルのゲートソース間電圧をＶGS0とすると、得ら
れるゲートソース間電圧ＶGS'は、ある期間内では、 ＶGS' ＝ ＶGS0 ＋ Ｖth として得られる。したがって、このＶthを正しく算出
し、その部分の電圧を余分にかけてトランジスタを駆動
することができれば、このシフト量を補正することが可
能となる。尚、スレッショルド電圧(Ｖth)は、半導体の
中にある電荷量に対してゲート電圧にコントロールされ
ている電荷量が優勢になるポイントを示す電圧である。
このＶthシフトの原因としては、電子がチャネルを流れ
る際に、電子がゲート絶縁膜に飛び込むことや、電子が
チャネルを流れる際に電子がＳｉの結合を切るためにＳ
ｉが帯電すること等が挙げられる。
r)一般に、ゲートソース間電圧ＶGSとドレイン電流ＩD
との関係は、二乗カーブによって表されるが、寿命によ
って、スレッショルド電圧(Ｖth)のシフトが生じる。オ
リジナルのゲートソース間電圧をＶGS0とすると、得ら
れるゲートソース間電圧ＶGS'は、ある期間内では、 ＶGS' ＝ ＶGS0 ＋ Ｖth として得られる。したがって、このＶthを正しく算出
し、その部分の電圧を余分にかけてトランジスタを駆動
することができれば、このシフト量を補正することが可
能となる。尚、スレッショルド電圧(Ｖth)は、半導体の
中にある電荷量に対してゲート電圧にコントロールされ
ている電荷量が優勢になるポイントを示す電圧である。
このＶthシフトの原因としては、電子がチャネルを流れ
る際に、電子がゲート絶縁膜に飛び込むことや、電子が
チャネルを流れる際に電子がＳｉの結合を切るためにＳ
ｉが帯電すること等が挙げられる。
【００２４】ドライブ用トランジスタ２２は、大電流を
流すために幅が広くなっており、幅広で且つ電流を均一
に流すために、出力ピンを取り囲むように例えば、Ｊフ
ック等の特殊な形状をしている(後述)。本実施の形態に
おける一例では、このＪフックの中に分枝トランジスタ
２３を設けるように構成されている。この分枝トランジ
スタ２３は、ドライブ用トランジスタ２２のＪフックの
端や途中にドレインだけが独立して設けられており、ド
ライブ用トランジスタ２２のＶthの値と分枝トランジス
タ２３のＶthの値とが同じであることが期待されてい
る。但し、ドライブ用トランジスタ２２のように大電流
を流す必要がない。
流すために幅が広くなっており、幅広で且つ電流を均一
に流すために、出力ピンを取り囲むように例えば、Ｊフ
ック等の特殊な形状をしている(後述)。本実施の形態に
おける一例では、このＪフックの中に分枝トランジスタ
２３を設けるように構成されている。この分枝トランジ
スタ２３は、ドライブ用トランジスタ２２のＪフックの
端や途中にドレインだけが独立して設けられており、ド
ライブ用トランジスタ２２のＶthの値と分枝トランジス
タ２３のＶthの値とが同じであることが期待されてい
る。但し、ドライブ用トランジスタ２２のように大電流
を流す必要がない。
【００２５】アモルファスシリコンＴＦＴで構成される
ドライブ用トランジスタ２２は、前述のように、電子が
走っている最中に周りの膜に飛び込むこと、またシリコ
ンが破壊されること等の理由によって、時間と共にチャ
ージを帯びるようになり、寿命によってスレッショルド
電圧(Ｖth)がシフトしてしまう。そこで、このシフト量
を検出してその部分の電圧を余分にかけてＴＦＴをドラ
イブすることが必要となる。本実施の形態では、ドライ
ブ用トランジスタ２２のドレイン電圧とできるだけ等し
い電圧を取り出せるように、分枝トランジスタ２３を用
いている。即ち、ＯＬＥＤ２１を流れる大電流はドライ
ブ用トランジスタ２２に流れる状態で、ドライブ用トラ
ンジスタ２２の一部を枝分けした小さなトランジスタで
ある分枝トランジスタ２３によってＶthを取り出すこと
で、大きなトランジスタを複数個設けることなく、ＯＬ
ＥＤ２１のパス上にある大型のトランジスタであるドラ
イブ用トランジスタ２２のＶthを正確に測定することが
できる。
ドライブ用トランジスタ２２は、前述のように、電子が
走っている最中に周りの膜に飛び込むこと、またシリコ
ンが破壊されること等の理由によって、時間と共にチャ
ージを帯びるようになり、寿命によってスレッショルド
電圧(Ｖth)がシフトしてしまう。そこで、このシフト量
を検出してその部分の電圧を余分にかけてＴＦＴをドラ
イブすることが必要となる。本実施の形態では、ドライ
ブ用トランジスタ２２のドレイン電圧とできるだけ等し
い電圧を取り出せるように、分枝トランジスタ２３を用
いている。即ち、ＯＬＥＤ２１を流れる大電流はドライ
ブ用トランジスタ２２に流れる状態で、ドライブ用トラ
ンジスタ２２の一部を枝分けした小さなトランジスタで
ある分枝トランジスタ２３によってＶthを取り出すこと
で、大きなトランジスタを複数個設けることなく、ＯＬ
ＥＤ２１のパス上にある大型のトランジスタであるドラ
イブ用トランジスタ２２のＶthを正確に測定することが
できる。
【００２６】ここで、ドライブ用トランジスタ２２に流
れる電流は、(Ｖs−Ｖth)2に関係することから、このＶ
thの検出には、まず、ドライブ用トランジスタ２２に電
流を流した状態から、電流を十分に減らしたときのゲー
ト電圧を見る方法が取られる。本実施の形態では、この
電流を絞り込むという操作のために、分枝トランジスタ
２３という新しい概念を採用している。
れる電流は、(Ｖs−Ｖth)2に関係することから、このＶ
thの検出には、まず、ドライブ用トランジスタ２２に電
流を流した状態から、電流を十分に減らしたときのゲー
ト電圧を見る方法が取られる。本実施の形態では、この
電流を絞り込むという操作のために、分枝トランジスタ
２３という新しい概念を採用している。
【００２７】第１トランジスタ２４は、信号を書くとき
にＯＮとなり、ＯＮになると信号電圧が信号キャパシタ
２７に入る。第１トランジスタ２４がＯＦＦになると、
信号キャパシタ２７には第１トランジスタ２４がＯＦＦ
になった瞬間のデータが保持される。
にＯＮとなり、ＯＮになると信号電圧が信号キャパシタ
２７に入る。第１トランジスタ２４がＯＦＦになると、
信号キャパシタ２７には第１トランジスタ２４がＯＦＦ
になった瞬間のデータが保持される。
【００２８】また、第２トランジスタ２５は、このトラ
ンジスタがＯＦＦのときは信号キャパシタ２７と補償キ
ャパシタ２８とが切り離された状態にあり、ＯＮになる
と両キャパシタ(２７,２８)の電圧に対して重み付き平
均された同じ電圧が両キャパシタ(２７,２８)に入る。
平均するときの重み付けは両者の容量比で決定される。
例えば、信号キャパシタ２７と補償キャパシタ２８との
比を１：２とすると、第２トランジスタ２５をＯＮした
後の電圧は、 Ｖaverage ＝ (１/３)・Ｖ１ ＋ (２/３)・Ｖ２ となる。但し、Ｖ１は信号電圧、Ｖ２はＶthの電圧とす
る。
ンジスタがＯＦＦのときは信号キャパシタ２７と補償キ
ャパシタ２８とが切り離された状態にあり、ＯＮになる
と両キャパシタ(２７,２８)の電圧に対して重み付き平
均された同じ電圧が両キャパシタ(２７,２８)に入る。
平均するときの重み付けは両者の容量比で決定される。
例えば、信号キャパシタ２７と補償キャパシタ２８との
比を１：２とすると、第２トランジスタ２５をＯＮした
後の電圧は、 Ｖaverage ＝ (１/３)・Ｖ１ ＋ (２/３)・Ｖ２ となる。但し、Ｖ１は信号電圧、Ｖ２はＶthの電圧とす
る。
【００２９】第３トランジスタ２６は、このトランジス
タがＯＮになると分枝トランジスタ２３のゲートの電荷
が分枝トランジスタ２３のドレインから徐々に抜けて、
分枝トランジスタ２３をＯＦＦにする。このときのゲー
ト電圧がＶthである。同時にドライブ用トランジスタ２
２もＯＦＦになる。第３トランジスタ２６がＯＮになっ
たとき、既に分枝トランジスタ２３が遮断状態にあると
きには、Ｖthの検出は行われない。
タがＯＮになると分枝トランジスタ２３のゲートの電荷
が分枝トランジスタ２３のドレインから徐々に抜けて、
分枝トランジスタ２３をＯＦＦにする。このときのゲー
ト電圧がＶthである。同時にドライブ用トランジスタ２
２もＯＦＦになる。第３トランジスタ２６がＯＮになっ
たとき、既に分枝トランジスタ２３が遮断状態にあると
きには、Ｖthの検出は行われない。
【００３０】次に、図２に示した駆動回路２０の動作に
ついて説明する。まず、第１のプロセスとして、データ
書き込みサイクル(Ｖth検出サイクル)について説明す
る。ここでは、 第１トランジスタ２４ ＝ ＯＮ 第２トランジスタ２５ ＝ ＯＦＦ 第３トランジスタ２６ ＝ ＯＮ 分枝トランジスタ２３は、ドレイン電流Ｉdが０に漸近
接近し、１０μsec程度でほぼ０になる。また、ドライ
ブ用トランジスタ２２は、分枝トランジスタ２３のＩd
に比例して、Ｉdが０に漸近接近する。このとき、信号
キャパシタ２７に信号電圧が書き込まれ、補償キャパシ
タ２８では、分枝トランジスタ２３のＶth電圧が書き込
まれて検出される。
ついて説明する。まず、第１のプロセスとして、データ
書き込みサイクル(Ｖth検出サイクル)について説明す
る。ここでは、 第１トランジスタ２４ ＝ ＯＮ 第２トランジスタ２５ ＝ ＯＦＦ 第３トランジスタ２６ ＝ ＯＮ 分枝トランジスタ２３は、ドレイン電流Ｉdが０に漸近
接近し、１０μsec程度でほぼ０になる。また、ドライ
ブ用トランジスタ２２は、分枝トランジスタ２３のＩd
に比例して、Ｉdが０に漸近接近する。このとき、信号
キャパシタ２７に信号電圧が書き込まれ、補償キャパシ
タ２８では、分枝トランジスタ２３のＶth電圧が書き込
まれて検出される。
【００３１】次に、第２プロセスとして、ポーズについ
て説明する。ここでは、信号電圧の書き込みが終了し、
Ｖthの検出が終了したときである。ここでは、 第１トランジスタ２４ ＝ ＯＦＦ 第２トランジスタ２５ ＝ ＯＦＦ 第３トランジスタ２６ ＝ ＯＦＦ と全てＯＦＦにして、電圧を確定させる。このとき、分
枝トランジスタ２３はＩd＝０、ドライブ用トランジス
タ２２はＩd＝０、信号キャパシタ２７には信号電圧、
補償キャパシタ２８には分枝トランジスタ２３のＶth電
圧が存在する。前述した第１プロセスと後述する第３プ
ロセスとの間にこの第２プロセスを入れることにより、
第１トランジスタ２４と第２トランジスタ２５、または
第２トランジスタ２５と第３トランジスタ２６が同時に
オンになることによっておきるレーシングを防ぐことが
できる。
て説明する。ここでは、信号電圧の書き込みが終了し、
Ｖthの検出が終了したときである。ここでは、 第１トランジスタ２４ ＝ ＯＦＦ 第２トランジスタ２５ ＝ ＯＦＦ 第３トランジスタ２６ ＝ ＯＦＦ と全てＯＦＦにして、電圧を確定させる。このとき、分
枝トランジスタ２３はＩd＝０、ドライブ用トランジス
タ２２はＩd＝０、信号キャパシタ２７には信号電圧、
補償キャパシタ２８には分枝トランジスタ２３のＶth電
圧が存在する。前述した第１プロセスと後述する第３プ
ロセスとの間にこの第２プロセスを入れることにより、
第１トランジスタ２４と第２トランジスタ２５、または
第２トランジスタ２５と第３トランジスタ２６が同時に
オンになることによっておきるレーシングを防ぐことが
できる。
【００３２】最後に、第３プロセスとして、第２トラン
ジスタ２５をＯＮにして、信号電圧とＶthとを加算す
る。加算された電圧は、ドライブ用トランジスタ２２の
ゲート制御電圧になる。すなわち、 第１トランジスタ２４ ＝ ＯＦＦ 第２トランジスタ２５ ＝ ＯＮ 第３トランジスタ２６ ＝ ＯＦＦ 分枝トランジスタ２３はＩd＝０ ドライブ用トランジスタ２２はＩd＝Ｉs このとき、信号キャパシタ２７および補償キャパシタ２
８は、各々、 (１/３)・信号電圧 ＋ (２/３)・Ｖth が書き込まれる。
ジスタ２５をＯＮにして、信号電圧とＶthとを加算す
る。加算された電圧は、ドライブ用トランジスタ２２の
ゲート制御電圧になる。すなわち、 第１トランジスタ２４ ＝ ＯＦＦ 第２トランジスタ２５ ＝ ＯＮ 第３トランジスタ２６ ＝ ＯＦＦ 分枝トランジスタ２３はＩd＝０ ドライブ用トランジスタ２２はＩd＝Ｉs このとき、信号キャパシタ２７および補償キャパシタ２
８は、各々、 (１/３)・信号電圧 ＋ (２/３)・Ｖth が書き込まれる。
【００３３】ここで、初期状態における動作を説明す
る。初期状態においては、補償キャパシタ２８の電圧は
０Ｖであることが予想されるので、ドライブ用トランジ
スタ２２には電流が流れていない。この状態から徐々に
ドライブ用トランジスタ２２に電流が流れ始める機構は
以下のようになる。まず、初期状態において、信号キャ
パシタ２７には信号電圧Ｖsがあり、補償キャパシタ２
８の電圧Ｖcは０Ｖである。１回目の書き込みで補償キ
ャパシタ２８には、 Ｖ ＝ (１/３)・Ｖs ＋ (２/３)・Ｖc ＝ (１/３)・Ｖs の電圧が書き込まれる。この電圧がＶthよりも大きけれ
ば、２回目からは信号電圧とＶthとの合成が行われる。
る。初期状態においては、補償キャパシタ２８の電圧は
０Ｖであることが予想されるので、ドライブ用トランジ
スタ２２には電流が流れていない。この状態から徐々に
ドライブ用トランジスタ２２に電流が流れ始める機構は
以下のようになる。まず、初期状態において、信号キャ
パシタ２７には信号電圧Ｖsがあり、補償キャパシタ２
８の電圧Ｖcは０Ｖである。１回目の書き込みで補償キ
ャパシタ２８には、 Ｖ ＝ (１/３)・Ｖs ＋ (２/３)・Ｖc ＝ (１/３)・Ｖs の電圧が書き込まれる。この電圧がＶthよりも大きけれ
ば、２回目からは信号電圧とＶthとの合成が行われる。
【００３４】次に経過状態として、２回目以降、ｎ回目
の電圧書き込みで、補償キャパシタ２８には次の電圧が
与えられる。 Ｖc ＝ Ｖs・( １ − (２/３)^ｎ ) このように、補償キャパシタ２８の電圧Ｖcは徐々にＶs
に近づいていく。何回か繰り返していくうちに、ドライ
ブ用トランジスタ２２は導通して、一度、ドライブ用ト
ランジスタ２２が導通すると、以降はＶthの補正が行わ
れるようになる。
の電圧書き込みで、補償キャパシタ２８には次の電圧が
与えられる。 Ｖc ＝ Ｖs・( １ − (２/３)^ｎ ) このように、補償キャパシタ２８の電圧Ｖcは徐々にＶs
に近づいていく。何回か繰り返していくうちに、ドライ
ブ用トランジスタ２２は導通して、一度、ドライブ用ト
ランジスタ２２が導通すると、以降はＶthの補正が行わ
れるようになる。
【００３５】最後に定常状態として、信号キャパシタ２
７には信号電圧Ｖsが与えられ、補償キャパシタ２８に
は、Ｖthの電圧が入る。第２トランジスタ２５をＯＮに
すると、 Ｖc ＝ (１/３)・Ｖs ＋ (２/３)・Ｖth というように、Ｖthと信号電圧Ｖsとが重み付け加算さ
れた電圧が補償キャパシタ２８に残り、これがＯＬＥＤ
２１駆動用の大型トランジスタであるドライブ用トラン
ジスタ２２の制御電圧になる。
７には信号電圧Ｖsが与えられ、補償キャパシタ２８に
は、Ｖthの電圧が入る。第２トランジスタ２５をＯＮに
すると、 Ｖc ＝ (１/３)・Ｖs ＋ (２/３)・Ｖth というように、Ｖthと信号電圧Ｖsとが重み付け加算さ
れた電圧が補償キャパシタ２８に残り、これがＯＬＥＤ
２１駆動用の大型トランジスタであるドライブ用トラン
ジスタ２２の制御電圧になる。
【００３６】このようにして、ドライブ用トランジスタ
２２をソフト・スタートさせているのは、ドライブ用ト
ランジスタ２２に過大な負荷をかけないためである。も
しＶthの検出の前にドライブ用トランジスタ２２を完全
にオンにしてしまえば、最初の１回目からＶthの測定が
できるが、このサージ電流でＯＬＥＤ２１とドライブ用
トランジスタ２２とに過大な負荷が生じる恐れがある。
また、サージ電流が流れているときにＯＬＥＤ２１が光
るので、画質に関わる暗部のグラテーションは１０００
倍程度に制限される。このグラテーションの悪化は、将
来において問題となる可能性がある。上述した方法によ
れば、かかる問題点に対処可能となる。
２２をソフト・スタートさせているのは、ドライブ用ト
ランジスタ２２に過大な負荷をかけないためである。も
しＶthの検出の前にドライブ用トランジスタ２２を完全
にオンにしてしまえば、最初の１回目からＶthの測定が
できるが、このサージ電流でＯＬＥＤ２１とドライブ用
トランジスタ２２とに過大な負荷が生じる恐れがある。
また、サージ電流が流れているときにＯＬＥＤ２１が光
るので、画質に関わる暗部のグラテーションは１０００
倍程度に制限される。このグラテーションの悪化は、将
来において問題となる可能性がある。上述した方法によ
れば、かかる問題点に対処可能となる。
【００３７】次に、Ｊフック型のパラシティックトラン
ジスタを用いた駆動回路について説明する。図３(ａ)〜
(ｄ)は、Ｊフック型トランジスタのいくつかのパターン
を示した図である。本実施の形態では、これらのＪフッ
ク型トランジスタを用いて、大電流を流すためのトラン
ジスタＤ１と、Ｖthを検出するための分枝(Twig)のトラ
ンジスタＤ２とを形成することが可能である。このＪフ
ック型トランジスタの形状は、図３(ａ)〜(ｄ)に示すよ
うに大電流を流すために幅が広くなっており、電流を均
一に流すために出力ピンを取り囲むようにＪフックの特
殊な形状をしている。ここでは、Ｊフック型トランジス
タのゲート電極およびソース電極とを共通とし、トラン
ジスタＤ１のドレイン電極の一部を独立させてトランジ
スタＤ２を形成している。図３(ａ)では分枝のトランジ
スタＤ２がＤ１の端に形成されており、図３(ｂ)では分
枝のトランジスタＤ２がＤ１の途中に形成され、Ｄ１が
分断されてＤ１'が形成されている。図３(ｃ)では２つ
の分枝のトランジスタＤ２,Ｄ２'がＤ１の途中に形成さ
れ、分断されたＤ１'とＤ１''が形成されている。図３
(ｄ)では３つの分枝のトランジスタＤ２,Ｄ２',Ｄ２''
がＤ１の途中に形成され、分断されたＤ１'、Ｄ１''、
Ｄ１'''が形成されている。Ｄ１の間に複数のＤ２によ
って測定すれば、より正確なＶthを得ることができる。
但し、分断された部分については接続する必要があるこ
とから、配線の点を考慮すると、トランジスタＤ１とト
ランジスタＤ２の分断された部分が生じていない図３
(ａ)に示す構造が最も好ましい。また、これらの駆動用
アモルファスシリコンＴＦＴでは、形状の工夫がなさ
れ、電流がある部分に集中的に流れることによる局所的
な劣化を抑えることを可能としている。尚、このような
Ｊフック型の代わりに、円形タイプのトランジスタに対
して分枝を形成することも可能である。
ジスタを用いた駆動回路について説明する。図３(ａ)〜
(ｄ)は、Ｊフック型トランジスタのいくつかのパターン
を示した図である。本実施の形態では、これらのＪフッ
ク型トランジスタを用いて、大電流を流すためのトラン
ジスタＤ１と、Ｖthを検出するための分枝(Twig)のトラ
ンジスタＤ２とを形成することが可能である。このＪフ
ック型トランジスタの形状は、図３(ａ)〜(ｄ)に示すよ
うに大電流を流すために幅が広くなっており、電流を均
一に流すために出力ピンを取り囲むようにＪフックの特
殊な形状をしている。ここでは、Ｊフック型トランジス
タのゲート電極およびソース電極とを共通とし、トラン
ジスタＤ１のドレイン電極の一部を独立させてトランジ
スタＤ２を形成している。図３(ａ)では分枝のトランジ
スタＤ２がＤ１の端に形成されており、図３(ｂ)では分
枝のトランジスタＤ２がＤ１の途中に形成され、Ｄ１が
分断されてＤ１'が形成されている。図３(ｃ)では２つ
の分枝のトランジスタＤ２,Ｄ２'がＤ１の途中に形成さ
れ、分断されたＤ１'とＤ１''が形成されている。図３
(ｄ)では３つの分枝のトランジスタＤ２,Ｄ２',Ｄ２''
がＤ１の途中に形成され、分断されたＤ１'、Ｄ１''、
Ｄ１'''が形成されている。Ｄ１の間に複数のＤ２によ
って測定すれば、より正確なＶthを得ることができる。
但し、分断された部分については接続する必要があるこ
とから、配線の点を考慮すると、トランジスタＤ１とト
ランジスタＤ２の分断された部分が生じていない図３
(ａ)に示す構造が最も好ましい。また、これらの駆動用
アモルファスシリコンＴＦＴでは、形状の工夫がなさ
れ、電流がある部分に集中的に流れることによる局所的
な劣化を抑えることを可能としている。尚、このような
Ｊフック型の代わりに、円形タイプのトランジスタに対
して分枝を形成することも可能である。
【００３８】図４は、図３(ａ)〜(ｄ)に示したようなＪ
フック型のパラシティックトランジスタを用いてＶthを
補正する駆動回路を示した図である。ここでは、ＯＬＥ
Ｄ３１と、６つのトランジスタ(３２〜３７)、および２
つのキャパシタ(３８,３９)から構成されている。トラ
ンジスタとしては、ＯＬＥＤ３１の駆動用大型トランジ
スタとして、図３(ａ)〜(ｄ)に示したフック型のトラン
ジスタＤ１(Ｄ１'/Ｄ１''/Ｄ１''')に該当するドライブ
用トランジスタ３２、ドライブ用トランジスタ３２とソ
ース電極およびゲート電極等(アモルファスシリコン等
を含む)を共通にしてドレイン電極だけが独立している
図３(ａ)〜(ｄ)に示したトランジスタＤ２(Ｄ２'/Ｄ
２'')に該当する分枝(Twig)トランジスタ３３、データ
線と信号キャパシタ３８との間にある第１トランジスタ
３４、信号キャパシタ３８と補償キャパシタ３９との間
にある第２トランジスタ３５、分枝トランジスタ３３の
ゲートとドレインとの間に入っている第３トランジスタ
３６、分枝トランジスタ３３に電流を流すための第４ト
ランジスタ３７を備えている。また、キャパシタとして
は、ドライブ用トランジスタ３２の制御に必要な制御電
圧が書き込まれる信号キャパシタ３８、ドライブ用トラ
ンジスタ３２へ電流が流れ始めるポイントとなるスレッ
ショルド電圧(Ｖth)を記憶するための補償キャパシタ３
９を備えている。
フック型のパラシティックトランジスタを用いてＶthを
補正する駆動回路を示した図である。ここでは、ＯＬＥ
Ｄ３１と、６つのトランジスタ(３２〜３７)、および２
つのキャパシタ(３８,３９)から構成されている。トラ
ンジスタとしては、ＯＬＥＤ３１の駆動用大型トランジ
スタとして、図３(ａ)〜(ｄ)に示したフック型のトラン
ジスタＤ１(Ｄ１'/Ｄ１''/Ｄ１''')に該当するドライブ
用トランジスタ３２、ドライブ用トランジスタ３２とソ
ース電極およびゲート電極等(アモルファスシリコン等
を含む)を共通にしてドレイン電極だけが独立している
図３(ａ)〜(ｄ)に示したトランジスタＤ２(Ｄ２'/Ｄ
２'')に該当する分枝(Twig)トランジスタ３３、データ
線と信号キャパシタ３８との間にある第１トランジスタ
３４、信号キャパシタ３８と補償キャパシタ３９との間
にある第２トランジスタ３５、分枝トランジスタ３３の
ゲートとドレインとの間に入っている第３トランジスタ
３６、分枝トランジスタ３３に電流を流すための第４ト
ランジスタ３７を備えている。また、キャパシタとして
は、ドライブ用トランジスタ３２の制御に必要な制御電
圧が書き込まれる信号キャパシタ３８、ドライブ用トラ
ンジスタ３２へ電流が流れ始めるポイントとなるスレッ
ショルド電圧(Ｖth)を記憶するための補償キャパシタ３
９を備えている。
【００３９】第４トランジスタ３７を制御するNot Sele
ct信号は、ドライブ用トランジスタ３２と分枝トランジ
スタ３３とを切り離す際に用いられる。Ｎ−１次セレク
ト(N-1 th Select)信号では、ここがＯＮになると分枝
トランジスタ３３のＶthが検出される。また、データ(D
ata)信号は書き込まれる電圧であり、Ｎ次セレクト(Nth
Select)信号は書き込みのためのラインをＯＮするため
に用いられる。Ｎ−１次セレクト信号は、実際にデータ
が書き込まれるこのＮ次の前に、Ｖth読み込みのために
作られる信号である。
ct信号は、ドライブ用トランジスタ３２と分枝トランジ
スタ３３とを切り離す際に用いられる。Ｎ−１次セレク
ト(N-1 th Select)信号では、ここがＯＮになると分枝
トランジスタ３３のＶthが検出される。また、データ(D
ata)信号は書き込まれる電圧であり、Ｎ次セレクト(Nth
Select)信号は書き込みのためのラインをＯＮするため
に用いられる。Ｎ−１次セレクト信号は、実際にデータ
が書き込まれるこのＮ次の前に、Ｖth読み込みのために
作られる信号である。
【００４０】図５は、図４に示す駆動回路を駆動するた
めのタイミングチャートを示した図である。図５に示す
各期間(〜)の動作として、まず期間では、Ｎ−１
次のセレクトＡ信号により第２トランジスタ３５と第３
トランジスタ３６とをＯＮさせ、信号キャパシタ３８お
よび補償キャパシタ３９に対し、ドライブ用トランジス
タ３２および分枝トランジスタ３３の電圧Ｖthの蓄積を
開始する。蓄積の開始時点で、ドライブ用トランジスタ
３２および分枝トランジスタ３３のゲート電位はＶthよ
りも大きくなる必要があることから、セレクトＢ信号に
より第４トランジスタ３７をＯＮにして、Ｖthよりも大
きい電位を確保する。
めのタイミングチャートを示した図である。図５に示す
各期間(〜)の動作として、まず期間では、Ｎ−１
次のセレクトＡ信号により第２トランジスタ３５と第３
トランジスタ３６とをＯＮさせ、信号キャパシタ３８お
よび補償キャパシタ３９に対し、ドライブ用トランジス
タ３２および分枝トランジスタ３３の電圧Ｖthの蓄積を
開始する。蓄積の開始時点で、ドライブ用トランジスタ
３２および分枝トランジスタ３３のゲート電位はＶthよ
りも大きくなる必要があることから、セレクトＢ信号に
より第４トランジスタ３７をＯＮにして、Ｖthよりも大
きい電位を確保する。
【００４１】期間では、第４トランジスタ３７をＯＦ
Ｆにして、信号キャパシタ３８および補償キャパシタ３
９に蓄えられた電荷は、第３トランジスタ３６および分
枝トランジスタ３３を通して設置電位へ流れる。これ
は、分枝トランジスタ３３のゲートソース電圧Ｖgsが、
Ｖgs＝Ｖthとなるまで行われる。
Ｆにして、信号キャパシタ３８および補償キャパシタ３
９に蓄えられた電荷は、第３トランジスタ３６および分
枝トランジスタ３３を通して設置電位へ流れる。これ
は、分枝トランジスタ３３のゲートソース電圧Ｖgsが、
Ｖgs＝Ｖthとなるまで行われる。
【００４２】期間では、Ｎ次(書き込みライン)のセレ
クトＡ信号がハイとなり、第２トランジスタ３５と第３
トランジスタ３６とをＯＦＦにし、第１トランジスタ３
４をＯＮにして、データ線からデータ電圧Ｖdataを書き
込む。このとき、容量分割によって、補償キャパシタ３
９の電位は、次式のようになる。
クトＡ信号がハイとなり、第２トランジスタ３５と第３
トランジスタ３６とをＯＦＦにし、第１トランジスタ３
４をＯＮにして、データ線からデータ電圧Ｖdataを書き
込む。このとき、容量分割によって、補償キャパシタ３
９の電位は、次式のようになる。
【式４】
よって、ドライブ用トランジスタ３２を流れる電流は次
式のようになり、Ｖthには依存しなくなる。
式のようになり、Ｖthには依存しなくなる。
【式５】
【００４３】図６(ａ),(ｂ)は、アモルファスシリコン
ＴＦＴにおいて、Ｖthの取り出し構成例を示した図であ
る。図６(ａ)は上面から見た状態を示しており、図６
(ｂ)は図６(ａ)のＡ-Ａ断面を示している。まず、図６
(ｂ)に示すように、逆スタガ型のアモルファスシリコン
ＴＦＴの構造は、ガラス基板５５上にゲート電極５１が
形成され、その上にＳｉＮｘ等の絶縁膜５６が形成され
る。その絶縁膜５６の上にアモルファスシリコン(ａ-Ｓ
ｉ)５７が積層され、その上にソース電極５２とドレイ
ン電極５３が形成される。本実施の形態では、図６(ａ)
に示すように、ドレイン電極５３の近傍に、このドレイ
ン電極５３に追従する第４の電極である分枝(Twig)電極
５４を設けた点に特徴がある。即ち、ゲート電極５１お
よびソース電極５２を共に用いた状態にて、図２および
図３に示したドライブ用トランジスタ２２,３２はこの
ドレイン電極５３によって形成され、分枝トランジスタ
２３,３３はこの分枝電極５４によって形成される。
ＴＦＴにおいて、Ｖthの取り出し構成例を示した図であ
る。図６(ａ)は上面から見た状態を示しており、図６
(ｂ)は図６(ａ)のＡ-Ａ断面を示している。まず、図６
(ｂ)に示すように、逆スタガ型のアモルファスシリコン
ＴＦＴの構造は、ガラス基板５５上にゲート電極５１が
形成され、その上にＳｉＮｘ等の絶縁膜５６が形成され
る。その絶縁膜５６の上にアモルファスシリコン(ａ-Ｓ
ｉ)５７が積層され、その上にソース電極５２とドレイ
ン電極５３が形成される。本実施の形態では、図６(ａ)
に示すように、ドレイン電極５３の近傍に、このドレイ
ン電極５３に追従する第４の電極である分枝(Twig)電極
５４を設けた点に特徴がある。即ち、ゲート電極５１お
よびソース電極５２を共に用いた状態にて、図２および
図３に示したドライブ用トランジスタ２２,３２はこの
ドレイン電極５３によって形成され、分枝トランジスタ
２３,３３はこの分枝電極５４によって形成される。
【００４４】ここでは、分枝電極５４がドレイン電極５
３の近傍に設けられ、分枝電極５４ができるだけドレイ
ン電極５３に囲まれるようにし、分枝電極５４の電圧が
できるだけドレイン電極５３の電極に等しくなることが
好ましい。アモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ)５７は、電
圧をかけると徐々に電圧が変わっていき、電圧の影響が
徐々に遠距離に及んでいく。そのために、分枝電極５４
をドレイン電極５３によって囲んだ構造にすると、分枝
電極５４にドレイン電極５３の影響を強く及ぼすことが
でき、分枝電極５４にて得られる電圧がドレイン電極５
３に近くなる。
３の近傍に設けられ、分枝電極５４ができるだけドレイ
ン電極５３に囲まれるようにし、分枝電極５４の電圧が
できるだけドレイン電極５３の電極に等しくなることが
好ましい。アモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ)５７は、電
圧をかけると徐々に電圧が変わっていき、電圧の影響が
徐々に遠距離に及んでいく。そのために、分枝電極５４
をドレイン電極５３によって囲んだ構造にすると、分枝
電極５４にドレイン電極５３の影響を強く及ぼすことが
でき、分枝電極５４にて得られる電圧がドレイン電極５
３に近くなる。
【００４５】図７(ａ),(ｂ)は、アモルファスシリコン
ＴＦＴの他の構成例を示した図である。図７(ａ)では、
Ｌ字型の２つのドレイン電極５３に挟まれるように分枝
電極５４が設置されている。また、図７(ｂ)では、２つ
のドレイン電極５３の間に挟まれるようにＴ字型の分枝
電極５４が設けられる。これらのように、ドレイン電極
５３および分枝電極５４の形状に工夫を加え、できるだ
け両者を近い位置に配置し、且つ、スペースの許す限り
長いエリアに亘って隣接できるように配置すれば、ドレ
イン電極５３に対して、より追従した電圧が分枝電極５
４にて得られ、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるＶ
thの測定精度を飛躍的に向上させることができる。
ＴＦＴの他の構成例を示した図である。図７(ａ)では、
Ｌ字型の２つのドレイン電極５３に挟まれるように分枝
電極５４が設置されている。また、図７(ｂ)では、２つ
のドレイン電極５３の間に挟まれるようにＴ字型の分枝
電極５４が設けられる。これらのように、ドレイン電極
５３および分枝電極５４の形状に工夫を加え、できるだ
け両者を近い位置に配置し、且つ、スペースの許す限り
長いエリアに亘って隣接できるように配置すれば、ドレ
イン電極５３に対して、より追従した電圧が分枝電極５
４にて得られ、アモルファスシリコンＴＦＴにおけるＶ
thの測定精度を飛躍的に向上させることができる。
【００４６】このように、本実施の形態では、ＯＬＥＤ
２１,３１の駆動のために大電流が流れるアモルファス
シリコンＴＦＴからなるドライブ用トランジスタ２２,
３２において、ゲート電極５１、ソース電極５２等を共
通にした分枝電極５４を備える分枝トランジスタ２３,
３３により、そのスレッショルド電圧(Ｖth)を測定する
ように構成した。即ち、ドライブ用トランジスタ２２,
３２に電流を流している状態から電流を十分に減らした
ときのゲート電圧を見る方法に、この分枝トランジスタ
２３,３３を利用することにより、ドライブ用トランジ
スタ２２,３２におけるＶthの検出を容易に行い、かつ
精度を高めることができる。
２１,３１の駆動のために大電流が流れるアモルファス
シリコンＴＦＴからなるドライブ用トランジスタ２２,
３２において、ゲート電極５１、ソース電極５２等を共
通にした分枝電極５４を備える分枝トランジスタ２３,
３３により、そのスレッショルド電圧(Ｖth)を測定する
ように構成した。即ち、ドライブ用トランジスタ２２,
３２に電流を流している状態から電流を十分に減らした
ときのゲート電圧を見る方法に、この分枝トランジスタ
２３,３３を利用することにより、ドライブ用トランジ
スタ２２,３２におけるＶthの検出を容易に行い、かつ
精度を高めることができる。
【００４７】ここで、例えば２個のトランジスタを直列
につないで、片方は電流のＯＮ/ＯＦＦの制御、片方は
電流地の制御をする方法によりＶthを検出する方法が考
えられるが、トランジスタを直列に接続することとな
り、アモルファスシリコンＴＦＴのように電子移動度の
小さなデバイスにて実現しようとすると、トランジスタ
の占める面積が大きくなり、実装が困難となる。しかし
ながら、この分枝トランジスタ２３,３３を利用するこ
とにより、かかる実装上の問題を解決することができ
る。即ち、１個のアモルファスシリコンＴＦＴにおける
トランジスタ構造の中に、Ｖthを検出する部分と電流を
流す部分とを兼ね備えたＴＦＴの構造を作ることで、大
きなＴＦＴを複数個、設ける必要がなくなる。
につないで、片方は電流のＯＮ/ＯＦＦの制御、片方は
電流地の制御をする方法によりＶthを検出する方法が考
えられるが、トランジスタを直列に接続することとな
り、アモルファスシリコンＴＦＴのように電子移動度の
小さなデバイスにて実現しようとすると、トランジスタ
の占める面積が大きくなり、実装が困難となる。しかし
ながら、この分枝トランジスタ２３,３３を利用するこ
とにより、かかる実装上の問題を解決することができ
る。即ち、１個のアモルファスシリコンＴＦＴにおける
トランジスタ構造の中に、Ｖthを検出する部分と電流を
流す部分とを兼ね備えたＴＦＴの構造を作ることで、大
きなＴＦＴを複数個、設ける必要がなくなる。
【００４８】また、本実施の形態では、検出されたＶth
と信号電圧とを合成するために、スイッチドキャパシタ
方式を用い、Ｖthの測定と信号の書き込みとを平行して
行える(Ｖthの検出とデータ書き込みとを同時に行う)よ
うにした。即ち、得られたＶthをキャパシタに蓄積し、
信号電圧を加算するように構成した。これによって、制
御が簡単になり、制御線の数を少なくすることができ
る。また、書き込み時間が短く、電流安定性の良い駆動
回路を提供することができる。
と信号電圧とを合成するために、スイッチドキャパシタ
方式を用い、Ｖthの測定と信号の書き込みとを平行して
行える(Ｖthの検出とデータ書き込みとを同時に行う)よ
うにした。即ち、得られたＶthをキャパシタに蓄積し、
信号電圧を加算するように構成した。これによって、制
御が簡単になり、制御線の数を少なくすることができ
る。また、書き込み時間が短く、電流安定性の良い駆動
回路を提供することができる。
【００４９】尚、本実施の形態では、分枝電極５４を形
成するに際して、ゲート電極５１およびソース電極５２
を共通とし、ドレイン電極５３を分枝させるように構成
したが、ゲート電極５１およびドレイン電極５３を共通
にし、ソース電極５２を分枝させるように構成すること
も可能である。
成するに際して、ゲート電極５１およびソース電極５２
を共通とし、ドレイン電極５３を分枝させるように構成
したが、ゲート電極５１およびドレイン電極５３を共通
にし、ソース電極５２を分枝させるように構成すること
も可能である。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アモルファスシリコンＴＦＴにてスレッショルド電圧
(Ｖth)を適切に取り出すことができる。
アモルファスシリコンＴＦＴにてスレッショルド電圧
(Ｖth)を適切に取り出すことができる。
【図１】 本実施の形態が適用されるアクティブマトリ
クス型のＯＬＥＤディスプレイを示した図である。
クス型のＯＬＥＤディスプレイを示した図である。
【図２】 ＯＬＥＤディスプレイに用いられる駆動回路
の構成を示した図である。
の構成を示した図である。
【図３】 (ａ)〜(ｄ)は、Ｊフック型トランジスタのい
くつかのパターンを示した図である。
くつかのパターンを示した図である。
【図４】 Ｊフック型のパラシティックトランジスタを
用いてＶthを補正する駆動回路を示した図である。
用いてＶthを補正する駆動回路を示した図である。
【図５】 図４に示す駆動回路を駆動するためのタイミ
ングチャートを示した図である。
ングチャートを示した図である。
【図６】 (ａ),(ｂ)は、アモルファスシリコンＴＦＴ
において、Ｖthの取り出し構成例を示した図である。
において、Ｖthの取り出し構成例を示した図である。
【図７】 (ａ),(ｂ)は、アモルファスシリコンＴＦＴ
の他の構成例を示した図である。
の他の構成例を示した図である。
【図８】 従来の電圧書き込み方式においてＶth補正を
実現する方法を説明するための図である。
実現する方法を説明するための図である。
【図９】 従来の電流書き込み方式においてＶth補正を
実現したものを説明するための図である。
実現したものを説明するための図である。
１０…ＯＬＥＤディスプレイ、１１…制御回路、１２…
走査回路、１３…ホールド回路、２０…駆動回路、２１
…ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)、２２…ド
ライブ用トランジスタ、２３…分枝(Twig)トランジス
タ、２４…第１トランジスタ、２５…第２トランジス
タ、２６…第３トランジスタ、２７…信号キャパシタ、
２８…補償キャパシタ、３１…ＯＬＥＤ、３２…ドライ
ブ用トランジスタ、３３…分枝(Twig)トランジスタ、３
４…第１トランジスタ、３５…第２トランジスタ、３６
…第３トランジスタ、３７…第４トランジスタ、３８…
信号キャパシタ、３９…補償キャパシタ、５１…ゲート
電極、５２…ソース電極、５３…ドレイン電極、５４…
分枝(Twig)電極、５５…ガラス基板、５６…絶縁膜、５
７…アモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ)
走査回路、１３…ホールド回路、２０…駆動回路、２１
…ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)、２２…ド
ライブ用トランジスタ、２３…分枝(Twig)トランジス
タ、２４…第１トランジスタ、２５…第２トランジス
タ、２６…第３トランジスタ、２７…信号キャパシタ、
２８…補償キャパシタ、３１…ＯＬＥＤ、３２…ドライ
ブ用トランジスタ、３３…分枝(Twig)トランジスタ、３
４…第１トランジスタ、３５…第２トランジスタ、３６
…第３トランジスタ、３７…第４トランジスタ、３８…
信号キャパシタ、３９…補償キャパシタ、５１…ゲート
電極、５２…ソース電極、５３…ドレイン電極、５４…
分枝(Twig)電極、５５…ガラス基板、５６…絶縁膜、５
７…アモルファスシリコン(ａ-Ｓｉ)
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１４
６１６Ｔ
(72)発明者 小林 芳直
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所
内
(72)発明者 辻村 隆俊
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所
内
(72)発明者 小野 晋也
神奈川県大和市下鶴間1623番地14 日本ア
イ・ビー・エム株式会社 東京基礎研究所
内
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB17 BA06 BB07 DB03
GA04
5C080 AA06 DD05 DD23 DD27 EE29
FF11 JJ03 JJ04 JJ06
5C094 AA03 AA07 AA48 AA53 AA55
BA03 BA27 CA19 DA13 DB01
DB04 EA04 EA07 FA01 GA10
5F110 AA08 BB02 CC07 DD02 FF03
GG02 GG15 GG23 HM04 HM12
NN72
Claims (19)
- 【請求項１】 画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ
(Organic Light Emitting Diode)と、 前記ＯＬＥＤを駆動するドライブ用トランジスタと、 前記ドライブ用トランジスタの電極の一部を独立させて
形成されると共に、前記ドライブ用トランジスタのスレ
ッショルド電圧(Ｖth)を検出するための分枝トランジス
タとを含むディスプレイ装置。 - 【請求項２】 さらに、 前記分枝トランジスタによって得られた前記スレッショ
ルド電圧(Ｖth)を格納するキャパシタを含み、 供給される信号電圧に、前記キャパシタに格納された前
記スレッショルド電圧(Ｖth)に基づく補正が加えられた
制御電圧を前記ドライブ用トランジスタに対して供給す
ることを特徴とする請求項１記載のディスプレイ装置。 - 【請求項３】 さらに、 前記ＯＬＥＤに対して前記信号電圧を供給するホールド
回路と、 前記ＯＬＥＤに対して走査のためのセレクト信号を供給
する走査回路とを含み、 前記走査回路から供給される前記セレクト信号に基づい
て、前記スレッショルド電圧(Ｖth)の取り込みおよび前
記ドライブ用トランジスタへの書き込みのタイミングが
制御されることを特徴とする請求項２記載のディスプレ
イ装置。 - 【請求項４】 前記ドライブ用トランジスタは、アモル
ファスシリコンＴＦＴであり、 前記分枝トランジスタは、前記アモルファスシリコンＴ
ＦＴのドレイン電極またはソース電極の一部を独立させ
て形成されることを特徴とする請求項１記載のディスプ
レイ装置。 - 【請求項５】 画素毎に設けられ自己発光するＯＬＥＤ
(Organic Light Emitting Diode)をアモルファスシリコ
ンＴＦＴを用いて駆動する駆動手段と、 前記駆動手段に用いられる前記アモルファスシリコンＴ
ＦＴに形成される分枝電極を用いて、当該アモルファス
シリコンＴＦＴにおけるスレッショルド電圧(Ｖth)を取
得するスレッショルド電圧取得手段と、 前記スレッショルド電圧取得手段により取得された前記
スレッショルド電圧(Ｖth)に基づき前記アモルファスシ
リコンＴＦＴに対して制御電圧を供給する信号電圧供給
手段とを含むディスプレイ装置。 - 【請求項６】 前記スレッショルド電圧取得手段は、前
記アモルファスシリコンＴＦＴに電流を流している状態
から電流を十分に減らしたときのゲート電圧を前記分枝
電極を用いて取得することを特徴とする請求項５記載の
ディスプレイ装置。 - 【請求項７】 前記信号電圧供給手段は、新たに得られ
た信号電圧と前記スレッショルド電圧(Ｖth)とを加算し
て前記制御電圧とすることを特徴とする請求項５記載の
ディスプレイ装置。 - 【請求項８】 被駆動素子を駆動させるためのドライブ
用トランジスタと、 前記ドライブ用トランジスタの電極の一部を独立させて
形成されると共に、前記ドライブ用トランジスタに電流
が流れる際のスレッショルド電圧(Ｖth)を検出するため
の分枝トランジスタとを含む駆動回路。 - 【請求項９】 さらに、 前記分枝トランジスタによって検出される前記スレッシ
ョルド電圧(Ｖth)が書き込まれる補償キャパシタと、 前記ドライブ用トランジスタの制御に必要な信号電圧が
書き込まれる信号キャパシタとを含む請求項８記載の駆
動回路。 - 【請求項１０】 さらに、 データ線と前記信号キャパシタとの間にある第１トラン
ジスタと、 前記信号キャパシタと前記補償キャパシタとの間にある
第２トランジスタと、 前記分枝トランジスタのゲート電極と他の電極との間に
ある第３トランジスタとを含む請求項９記載の駆動回
路。 - 【請求項１１】 前記ドライブ用トランジスタは、ＯＬ
ＥＤ(Organic LightEmitting Diode)を駆動させるため
の電流が流れるアモルファスシリコンＴＦＴであり、 前記分枝トランジスタは、前記ドライブ用トランジスタ
の電圧変化に追従して変化することで前記スレッショル
ド電圧(Ｖth)を検出することを特徴とする請求項８記載
の駆動回路。 - 【請求項１２】 ゲート電極と、 アモルファスシリコンと、 前記アモルファスシリコンを介して前記ゲート電極と対
向するソース電極およびドレイン電極と、 前記ソース電極および前記ドレイン電極の何れか一方の
電極に対してその一部を分離させて形成される分枝電極
とを含み、 前記分枝電極は、分離前の電極に追従した電圧が得易い
位置に配置されることを特徴とするアモルファスシリコ
ン薄膜トランジスタ。 - 【請求項１３】 前記分枝電極は、前記分離前の電極に
対して近接して配置されることを特徴とする請求項１２
記載のアモルファスシリコン薄膜トランジスタ。 - 【請求項１４】 前記分枝電極は、前記分離前の電極に
よって形成されるトランジスタのスレッショルド電圧
(Ｖth)を検出する分枝トランジスタを形成する電極であ
ることを特徴とする請求項１２記載のアモルファスシリ
コン薄膜トランジスタ。 - 【請求項１５】 ゲート電極と、 アモルファスシリコンと、 前記アモルファスシリコンを介して前記ゲート電極と対
向するソース電極およびドレイン電極と、 前記ドレイン電極の分枝として形成されると共に、前記
ゲート電極、前記ソース電極および前記ドレイン電極に
よって形成されるトランジスタのスレッショルド電圧
(Ｖth)を検出をするための分枝トランジスタを形成する
分枝電極とを含むアモルファスシリコン薄膜トランジス
タ。 - 【請求項１６】 前記ドレイン電極によって形成される
トランジスタはＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diod
e)を駆動するための駆動トランジスタとして用いられ、
前記分枝電極によって形成されるトランジスタは当該駆
動トランジスタの電圧に追従して変化する分枝トランジ
スタとして機能することを特徴とする請求項１５記載の
アモルファスシリコン薄膜トランジスタ。 - 【請求項１７】 アモルファスシリコンＴＦＴによって
ＯＬＥＤ(Organic Light Emitting Diode)を駆動するＯ
ＬＥＤ駆動方法であって、 前記アモルファスシリコンＴＦＴに信号電圧を書き込む
ステップと、 前記アモルファスシリコンＴＦＴ上に設けられる分枝ト
ランジスタを用いて当該アモルファスシリコンＴＦＴの
スレッショルド電圧(Ｖth)を読み込むステップと、 前記スレッショルド電圧(Ｖth)に基づき新たな信号電圧
に補正を加えて前記アモルファスシリコンＴＦＴに制御
電圧を供給するステップとを含むＯＬＥＤの駆動方法。 - 【請求項１８】 前記制御電圧を供給するステップは、
前記新たな信号電圧と前記スレッショルド電圧(Ｖth)と
を加算することを特徴とする請求項１７記載のＯＬＥＤ
の駆動方法。 - 【請求項１９】 前記スレッショルド電圧(Ｖth)を読み
込むステップは、前記制御電圧を供給するＮ次の前であ
るＮ−１次のセレクト信号に基づいて読み込みを実行す
ることを特徴とする請求項１７記載のＯＬＥＤの駆動方
法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002050171A JP3956347B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | ディスプレイ装置 |
| US10/373,475 US7102202B2 (en) | 2002-02-26 | 2003-02-25 | Display unit, drive circuit, amorphous silicon thin-film transistor, and method of driving OLED |
| US11/266,543 US20060061293A1 (en) | 2002-02-26 | 2005-11-03 | Display unit, drive circuit, amorphous silicon thin-film transistor, and method of driving OLED |
| US12/139,008 US8514155B2 (en) | 2002-02-26 | 2008-06-13 | Display unit, drive circuit, amorphous silicon thin-film transistor, and method of driving OLED |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002050171A JP3956347B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | ディスプレイ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003255856A true JP2003255856A (ja) | 2003-09-10 |
| JP3956347B2 JP3956347B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=28662485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002050171A Expired - Fee Related JP3956347B2 (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | ディスプレイ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US7102202B2 (ja) |
| JP (1) | JP3956347B2 (ja) |
Cited By (108)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005189387A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法 |
| JP2005258326A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
| JP2005345992A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Chi Mei Electronics Corp | 表示装置 |
| JP2006011435A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
| JP2006284941A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及びアレイ基板 |
| JP2006330223A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器 |
| US7173590B2 (en) | 2004-06-02 | 2007-02-06 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus |
| EP1772847A1 (en) | 2005-10-07 | 2007-04-11 | Sony Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| EP1785979A2 (en) | 2005-11-14 | 2007-05-16 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method thereof |
| US7224118B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode |
| US7274345B2 (en) | 2003-05-19 | 2007-09-25 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and driving device thereof |
| WO2008087801A1 (ja) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Sony Corporation | 表示装置及びその駆動方法 |
| US7427971B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-09-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting display and driving method thereof |
| US7511689B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-03-31 | Sony Corporation | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
| US7525522B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-04-28 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US7535442B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-05-19 | Sony Corporation | Pixel circuit, display and driving method thereof |
| EP2061023A2 (en) | 2007-11-14 | 2009-05-20 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| EP2075784A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
| EP2085960A1 (en) | 2008-02-04 | 2009-08-05 | Sony Corporation | Display apparatus and method |
| EP2085959A1 (en) | 2008-02-04 | 2009-08-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method thereof |
| EP2131348A2 (en) | 2008-06-02 | 2009-12-09 | Sony Corporation | Display apparatus, driving methods and electronic instruments |
| US7646364B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-01-12 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and a driving method thereof |
| US7646363B2 (en) | 2006-08-17 | 2010-01-12 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| EP2161707A1 (en) | 2008-09-09 | 2010-03-10 | FUJIFILM Corporation | Display apparatus |
| US7688292B2 (en) | 2005-03-16 | 2010-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and driving method thereof |
| US7742027B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-06-22 | Sony Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| US7760167B2 (en) | 2006-07-27 | 2010-07-20 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic device |
| US7760166B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-07-20 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic device |
| US7764251B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-07-27 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US7768485B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-08-03 | Sony Corporation | Display apparatus and method of driving same |
| WO2010087420A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Fujifilm Corporation | Driving of oled display device with interleaving of control phases |
| JP2010191454A (ja) * | 2010-04-02 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器 |
| US7825879B2 (en) | 2006-08-03 | 2010-11-02 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US7830342B2 (en) | 2006-08-15 | 2010-11-09 | Sony Corporation | Pixel circuit, image display device and drive method for the same, and electronic device |
| US7834823B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-11-16 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof and electronic device |
| CN101887685A (zh) * | 2009-05-12 | 2010-11-17 | 索尼公司 | 用于像素电路的驱动方法和显示装置 |
| KR20100122443A (ko) | 2009-05-12 | 2010-11-22 | 소니 주식회사 | 표시 장치 및 표시 방법 |
| US7847762B2 (en) | 2006-08-01 | 2010-12-07 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| CN101471028B (zh) * | 2007-12-27 | 2011-01-05 | 索尼株式会社 | 显示设备和电子设备 |
| US7876314B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-01-25 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor |
| US7880695B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US7893895B2 (en) | 2004-07-05 | 2011-02-22 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, driving method of pixel circuit, and driving method of display device |
| US7948456B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-05-24 | Sony Corporation | Pixel circuit, display and driving method thereof |
| US7952542B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-05-31 | Sony Corporation | Image display device and electronic appliance |
| US7956829B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-06-07 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US7986285B2 (en) | 2006-07-27 | 2011-07-26 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US8022905B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Display device, driving method of the same and electronic apparatus using the same |
| US8022904B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Display device, driving method of the same and electronic apparatus using the same |
| US8044894B2 (en) | 2007-03-22 | 2011-10-25 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor, and electronic device |
| US8072399B2 (en) | 2006-08-01 | 2011-12-06 | Sony Corporation | Display device, method of driving same, and electonic device |
| US8089430B2 (en) | 2007-04-12 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Self-luminous display panel driving method, self-luminous display panel and electronic apparatus |
| US8089429B2 (en) | 2007-02-21 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Display apparatus and drive method therefor, and electronic equipment |
| US8102336B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-01-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for making the same |
| CN101140732B (zh) * | 2006-07-27 | 2012-02-29 | 索尼株式会社 | 显示装置、其驱动方法、以及电子设备 |
| US8139004B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-03-20 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US8138999B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-03-20 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| CN101656045B (zh) * | 2008-08-19 | 2012-03-21 | 索尼株式会社 | 显示装置、显示驱动方法 |
| US8199143B2 (en) | 2007-11-26 | 2012-06-12 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| US8212798B2 (en) | 2008-11-07 | 2012-07-03 | Sony Corporation | Display device and electronic product |
| CN101593488B (zh) * | 2008-05-30 | 2012-07-18 | 索尼株式会社 | 电子电路及具有电子电路的面板 |
| US8237639B2 (en) | 2006-05-29 | 2012-08-07 | Sony Corporation | Image display device |
| US8237632B2 (en) | 2008-01-15 | 2012-08-07 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving display apparatus, and electronic apparatus |
| US8237698B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-08-07 | Sony Corporation | Panel and driving controlling method |
| US8259098B2 (en) | 2008-08-18 | 2012-09-04 | Fujifilm Corporation | Display apparatus and drive control method for the same |
| US8269696B2 (en) | 2007-06-30 | 2012-09-18 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US8274454B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-09-25 | Sony Corporation | EL display panel, electronic apparatus and a method of driving EL display panel |
| US8294702B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-10-23 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
| US8319706B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-11-27 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method with first and second time correction of pixel drive transistor |
| CN101714332B (zh) * | 2008-10-07 | 2012-11-28 | 索尼株式会社 | 显示器装置和显示器驱动方法 |
| US8325109B2 (en) | 2007-05-21 | 2012-12-04 | Sony Corporation | Display device, display device driving method, and electronic apparatus |
| US8334864B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-18 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method with temporary lowering of power supply potential during mobility correction |
| US8362985B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-01-29 | Fujifilm Corporation | Organic EL display device and method of driving thereof |
| US8368678B2 (en) | 2008-03-26 | 2013-02-05 | Fujifilm Corporation | Pixel circuit, display apparatus, and pixel circuit drive control method |
| US8384626B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-02-26 | Sony Corporation | EL display panel module, EL display panel, integrated circuit device, electronic apparatus and driving controlling method |
| US8384627B2 (en) | 2008-01-15 | 2013-02-26 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8400442B2 (en) | 2007-05-16 | 2013-03-19 | Sony Corporation | Display, method for driving display, electronic apparatus |
| US8416158B2 (en) | 2008-07-15 | 2013-04-09 | Fujifilm Corporation | Display apparatus |
| US8432389B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-04-30 | Sony Corporation | Panel and driving controlling method |
| US8460986B2 (en) | 2006-08-08 | 2013-06-11 | Sony Corporation | Method for manufacturing a display device |
| US8471838B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-06-25 | Sony Corporation | Pixel circuit having a light detection element, display apparatus, and driving method for correcting threshold and mobility for light detection element of pixel circuit |
| US8477087B2 (en) | 2008-06-18 | 2013-07-02 | Sony Corporation | Panel and drive control method |
| US8502814B2 (en) | 2008-03-26 | 2013-08-06 | Fujifilm Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| US8564582B2 (en) | 2007-03-26 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Display device, driving method therefor, and electronic apparatus |
| US8564581B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Organic electroluminescent device having a light-receiving sensor for data correction |
| US8576213B2 (en) | 2009-04-15 | 2013-11-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method |
| US8633875B2 (en) | 2008-01-21 | 2014-01-21 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
| US8648840B2 (en) | 2007-03-15 | 2014-02-11 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US8654042B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-02-18 | Sony Corporation | Display apparatus and display driving method |
| US8723847B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-05-13 | Sony Corporation | Display device and electronic product |
| US8773334B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-07-08 | Sony Corporation | EL display panel, electronic apparatus and EL display panel driving method |
| US8810554B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Display device and electronic product |
| US8823604B2 (en) | 2007-11-14 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
| US8836690B2 (en) | 2007-03-22 | 2014-09-16 | Sony Corporation | Display apparatus and drive method thereof and electronic device |
| US8842101B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-09-23 | Sony Corporation | Panel, control method thereof, display device and electronic apparatus |
| US8847935B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-09-30 | Sony Corporation | Display device and electronic product having light sensors in plural pixel regions |
| US8937583B2 (en) | 2007-11-14 | 2015-01-20 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| US8982016B2 (en) | 2007-05-21 | 2015-03-17 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic device |
| US8988320B2 (en) | 2007-05-21 | 2015-03-24 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic device |
| US9123292B2 (en) | 2009-04-13 | 2015-09-01 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US9153169B2 (en) | 2008-01-15 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof and electronic instrument |
| US9336711B2 (en) | 2010-01-28 | 2016-05-10 | Joled Inc. | Display device and display driving method |
| US9379171B2 (en) | 2006-09-04 | 2016-06-28 | Sony Corporation | Display device and a method of manufacturing display device |
| US9711082B2 (en) | 2009-12-01 | 2017-07-18 | Joled Inc. | Display apparatus and display drive method |
| US9953562B2 (en) | 2011-11-16 | 2018-04-24 | Joled Inc. | Signal processing device, signal processing method, program, and electronic apparatus |
| US9972282B2 (en) | 2007-11-09 | 2018-05-15 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic device |
| US10129497B2 (en) | 2005-06-02 | 2018-11-13 | Sony Corporation | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
| CN110459572A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| US10986304B2 (en) | 2008-11-17 | 2021-04-20 | Joled Inc. | Display device |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3956347B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-08-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ディスプレイ装置 |
| JP4484451B2 (ja) * | 2003-05-16 | 2010-06-16 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
| JP4049018B2 (ja) * | 2003-05-19 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 画素回路、表示装置、および画素回路の駆動方法 |
| US7161184B2 (en) | 2003-06-16 | 2007-01-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
| US7221095B2 (en) * | 2003-06-16 | 2007-05-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method for fabricating light emitting device |
| TWI253614B (en) * | 2003-06-20 | 2006-04-21 | Sanyo Electric Co | Display device |
| JP4297438B2 (ja) * | 2003-11-24 | 2009-07-15 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 発光表示装置，表示パネル，及び発光表示装置の駆動方法 |
| KR100599726B1 (ko) * | 2003-11-27 | 2006-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
| US20140111567A1 (en) * | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
| US20060132400A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Eastman Kodak Company | Ambient light detection using an OLED device |
| WO2007018006A1 (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置 |
| CN101283393B (zh) * | 2005-10-12 | 2013-12-18 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 晶体管控制电路和控制方法、以及使用该电路的有源矩阵显示设备 |
| US20080303749A1 (en) * | 2005-12-13 | 2008-12-11 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Active Matrix Array Device |
| ITMI20070100A1 (it) * | 2007-01-24 | 2008-07-25 | St Microelectronics Srl | Circuito di pilotaggio di un diodo oled (diodo organico ed emissione di luce), in particolare per applicazione a display di tipo am-oled |
| KR101393636B1 (ko) * | 2007-07-24 | 2014-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조방법 |
| JP5256710B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2013-08-07 | ソニー株式会社 | Ｅｌ表示パネル |
| KR101404547B1 (ko) | 2007-12-26 | 2014-06-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| JP2009204978A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sony Corp | Ｅｌ表示パネルモジュール、ｅｌ表示パネル及び電子機器 |
| JP2009204992A (ja) * | 2008-02-28 | 2009-09-10 | Sony Corp | Ｅｌ表示パネル、電子機器及びｅｌ表示パネルの駆動方法 |
| JP4623114B2 (ja) * | 2008-03-23 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | Ｅｌ表示パネル及び電子機器 |
| JP5146090B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2013-02-20 | ソニー株式会社 | Ｅｌ表示パネル、電子機器及びｅｌ表示パネルの駆動方法 |
| JP2010048866A (ja) | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Sony Corp | 表示装置、表示駆動方法 |
| JP4640472B2 (ja) | 2008-08-19 | 2011-03-02 | ソニー株式会社 | 表示装置、表示駆動方法 |
| KR101282996B1 (ko) * | 2008-11-15 | 2013-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법 |
| JP5228823B2 (ja) * | 2008-11-17 | 2013-07-03 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP2010266490A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Sony Corp | 表示装置 |
| JP2011145481A (ja) * | 2010-01-14 | 2011-07-28 | Sony Corp | 表示装置、表示駆動方法 |
| EP2348531B1 (en) * | 2010-01-26 | 2021-05-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor and method of manufacturing the same |
| JP2013240002A (ja) | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Sony Corp | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法、及び、電子機器 |
| CN105989796B (zh) * | 2015-02-05 | 2019-08-30 | 群创光电股份有限公司 | 具有临界电压补偿的有机发光二极管显示面板及驱动方法 |
| US10644688B2 (en) | 2017-06-02 | 2020-05-05 | Power Integrations, Inc. | Biasing circuit for switch |
| US10404180B2 (en) | 2017-06-02 | 2019-09-03 | Power Integrations, Inc. | Driver circuit for switch |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4680484A (en) * | 1984-10-19 | 1987-07-14 | Trw Inc. | Wired-AND FET logic gate |
| US4745307A (en) * | 1985-09-06 | 1988-05-17 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit with a programmable logic array |
| FR2653277A1 (fr) * | 1989-10-17 | 1991-04-19 | Thomson Composants Microondes | Circuit integre logique, a temps de basculement reglable. |
| FR2791580B1 (fr) | 1999-04-02 | 2001-05-04 | Centre Nat Rech Scient | Procede pour l'enrobage de particules |
| EP1130565A4 (en) | 1999-07-14 | 2006-10-04 | Sony Corp | ATTACK CIRCUIT AND DISPLAY INCLUDING THE SAME, PIXEL CIRCUIT, AND ATTACK METHOD |
| JP3956347B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-08-08 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | ディスプレイ装置 |
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002050171A patent/JP3956347B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-25 US US10/373,475 patent/US7102202B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-11-03 US US11/266,543 patent/US20060061293A1/en not_active Abandoned
-
2008
- 2008-06-13 US US12/139,008 patent/US8514155B2/en active Active
Cited By (217)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7274345B2 (en) | 2003-05-19 | 2007-09-25 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device and driving device thereof |
| US7880380B2 (en) | 2003-06-17 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US8917016B2 (en) | 2003-06-17 | 2014-12-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US7224118B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode |
| US9887241B2 (en) | 2003-06-17 | 2018-02-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| US7411344B2 (en) | 2003-06-17 | 2008-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus |
| JP2005189387A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sony Corp | ディスプレイ装置及びディスプレイ装置の駆動方法 |
| JP2005258326A (ja) * | 2004-03-15 | 2005-09-22 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 |
| US7427971B2 (en) | 2004-03-24 | 2008-09-23 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Light emitting display and driving method thereof |
| US7173590B2 (en) | 2004-06-02 | 2007-02-06 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus |
| US9454928B2 (en) | 2004-06-02 | 2016-09-27 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus with first and second reference potentials applied to source, and gate of drive transistor |
| US11183119B2 (en) | 2004-06-02 | 2021-11-23 | Sony Group Corporation | Display apparatus including pixel circuit with transistors connected to different control lines |
| US10276102B2 (en) | 2004-06-02 | 2019-04-30 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus |
| US10002567B2 (en) | 2004-06-02 | 2018-06-19 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus with first and second reference potentials applied to gate and other terminal of drive transistor |
| US8823607B2 (en) | 2004-06-02 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus with first and second reference potentials applied to source and gate of drive transistor |
| US8441417B2 (en) | 2004-06-02 | 2013-05-14 | Sony Corporation | Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus |
| JP2005345992A (ja) * | 2004-06-07 | 2005-12-15 | Chi Mei Electronics Corp | 表示装置 |
| JP2006011435A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示装置及びその駆動方法 |
| US9208726B2 (en) | 2004-07-05 | 2015-12-08 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, driving method of pixel circuit, and driving method of display device |
| US7893895B2 (en) | 2004-07-05 | 2011-02-22 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, driving method of pixel circuit, and driving method of display device |
| US9530351B2 (en) | 2004-07-05 | 2016-12-27 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, driving method of pixel circuit, and driving method of display device |
| US7535442B2 (en) | 2004-09-17 | 2009-05-19 | Sony Corporation | Pixel circuit, display and driving method thereof |
| US7646364B2 (en) | 2004-11-30 | 2010-01-12 | Sony Corporation | Pixel circuit, display device, and a driving method thereof |
| US8902134B2 (en) | 2005-02-02 | 2014-12-02 | Sony Corporation | Pixel circuit, display and driving method thereof |
| US7948456B2 (en) | 2005-02-02 | 2011-05-24 | Sony Corporation | Pixel circuit, display and driving method thereof |
| US8907875B1 (en) | 2005-02-02 | 2014-12-09 | Sony Corporation | Pixel circuit, display and driving method thereof |
| US7688292B2 (en) | 2005-03-16 | 2010-03-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Organic light emitting diode display device and driving method thereof |
| JP2006284941A (ja) * | 2005-03-31 | 2006-10-19 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置及びアレイ基板 |
| JP2006330223A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器 |
| US10645324B2 (en) | 2005-06-02 | 2020-05-05 | Sony Corporation | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
| US11228728B2 (en) | 2005-06-02 | 2022-01-18 | Sony Group Corporation | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
| US10129497B2 (en) | 2005-06-02 | 2018-11-13 | Sony Corporation | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
| US10594972B2 (en) | 2005-06-02 | 2020-03-17 | Sony Corporation | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
| US11722800B2 (en) | 2005-06-02 | 2023-08-08 | Sony Group Corporation | Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same |
| EP1772847A1 (en) | 2005-10-07 | 2007-04-11 | Sony Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| USRE44563E1 (en) | 2005-10-07 | 2013-10-29 | Sony Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| USRE45400E1 (en) | 2005-10-07 | 2015-03-03 | Sony Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| EP1785979A2 (en) | 2005-11-14 | 2007-05-16 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method thereof |
| US8004477B2 (en) | 2005-11-14 | 2011-08-23 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method thereof |
| US9041627B2 (en) | 2006-05-22 | 2015-05-26 | Sony Corporation | Display apparatus and method of driving same |
| KR101424693B1 (ko) | 2006-05-22 | 2014-08-01 | 소니 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법 |
| EP2341495A1 (en) | 2006-05-22 | 2011-07-06 | Sony Corporation | Display Apparatus and Method of Driving Same |
| US7768485B2 (en) | 2006-05-22 | 2010-08-03 | Sony Corporation | Display apparatus and method of driving same |
| US8237639B2 (en) | 2006-05-29 | 2012-08-07 | Sony Corporation | Image display device |
| US7876314B2 (en) | 2006-06-30 | 2011-01-25 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor |
| EP3133589A1 (en) | 2006-06-30 | 2017-02-22 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor |
| EP3454325A1 (en) | 2006-06-30 | 2019-03-13 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor |
| EP2317498A1 (en) | 2006-06-30 | 2011-05-04 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor |
| US7760166B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-07-20 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic device |
| US7834823B2 (en) | 2006-07-19 | 2010-11-16 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof and electronic device |
| US9099041B2 (en) | 2006-07-27 | 2015-08-04 | Sony Corporation | Display device with a correction period of a threshold voltage of a driver transistor and electronic apparatus |
| US7986285B2 (en) | 2006-07-27 | 2011-07-26 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US7760167B2 (en) | 2006-07-27 | 2010-07-20 | Sony Corporation | Display apparatus and electronic device |
| US8390543B2 (en) | 2006-07-27 | 2013-03-05 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US8692748B2 (en) | 2006-07-27 | 2014-04-08 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| CN101140732B (zh) * | 2006-07-27 | 2012-02-29 | 索尼株式会社 | 显示装置、其驱动方法、以及电子设备 |
| US8547308B2 (en) | 2006-07-27 | 2013-10-01 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic apparatus |
| US8659515B2 (en) | 2006-08-01 | 2014-02-25 | Sony Corporation | Display device, method of driving same, and electronic device |
| US7847762B2 (en) | 2006-08-01 | 2010-12-07 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8072399B2 (en) | 2006-08-01 | 2011-12-06 | Sony Corporation | Display device, method of driving same, and electonic device |
| US9129553B2 (en) | 2006-08-03 | 2015-09-08 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8217878B2 (en) | 2006-08-03 | 2012-07-10 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8692744B2 (en) | 2006-08-03 | 2014-04-08 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US7825879B2 (en) | 2006-08-03 | 2010-11-02 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US9870736B2 (en) | 2006-08-03 | 2018-01-16 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US10573233B2 (en) | 2006-08-03 | 2020-02-25 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US9406258B2 (en) | 2006-08-03 | 2016-08-02 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8773335B2 (en) | 2006-08-03 | 2014-07-08 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US9620059B2 (en) | 2006-08-03 | 2017-04-11 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US11151938B2 (en) | 2006-08-03 | 2021-10-19 | Sony Group Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8460986B2 (en) | 2006-08-08 | 2013-06-11 | Sony Corporation | Method for manufacturing a display device |
| US7830342B2 (en) | 2006-08-15 | 2010-11-09 | Sony Corporation | Pixel circuit, image display device and drive method for the same, and electronic device |
| US7646363B2 (en) | 2006-08-17 | 2010-01-12 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US9818340B2 (en) | 2006-08-18 | 2017-11-14 | Sony Corporation | Image display device and electronic appliance |
| US7952542B2 (en) | 2006-08-18 | 2011-05-31 | Sony Corporation | Image display device and electronic appliance |
| US10229638B2 (en) | 2006-08-18 | 2019-03-12 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US11114029B2 (en) | 2006-08-18 | 2021-09-07 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US10706777B2 (en) | 2006-08-18 | 2020-07-07 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US9984621B2 (en) | 2006-08-18 | 2018-05-29 | Sony Corporation | Image display device having a drive transistor with a channel length longer than a channel length of individual switching transistors |
| US9536473B2 (en) | 2006-09-04 | 2017-01-03 | Sony Corporation | Display device and a method of manufacturing display device |
| US11727870B2 (en) | 2006-09-04 | 2023-08-15 | Sony Group Corporation | Display device and a method of manufacturing display device |
| US9379171B2 (en) | 2006-09-04 | 2016-06-28 | Sony Corporation | Display device and a method of manufacturing display device |
| US7742027B2 (en) | 2006-09-25 | 2010-06-22 | Sony Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| US7525522B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-04-28 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US7511689B2 (en) | 2006-11-13 | 2009-03-31 | Sony Corporation | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
| US7956829B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-06-07 | Sony Corporation | Display apparatus |
| JP4600780B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 表示装置及びその駆動方法 |
| US7903057B2 (en) | 2007-01-15 | 2011-03-08 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor |
| WO2008087801A1 (ja) | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Sony Corporation | 表示装置及びその駆動方法 |
| JP2008170857A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Sony Corp | 表示装置及びその駆動方法 |
| US9761174B2 (en) | 2007-02-21 | 2017-09-12 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US9552772B2 (en) | 2007-02-21 | 2017-01-24 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US7764251B2 (en) | 2007-02-21 | 2010-07-27 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US8659584B2 (en) | 2007-02-21 | 2014-02-25 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US9177506B2 (en) | 2007-02-21 | 2015-11-03 | Joled Inc. | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US8890782B2 (en) | 2007-02-21 | 2014-11-18 | Sony Corporation | Display apparatus and drive method therefor, and electronic equipment |
| US8884851B2 (en) | 2007-02-21 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US8362982B2 (en) | 2007-02-21 | 2013-01-29 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US7880695B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-02-01 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US9361829B2 (en) | 2007-02-21 | 2016-06-07 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US9129925B2 (en) | 2007-02-21 | 2015-09-08 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US8947327B2 (en) | 2007-02-21 | 2015-02-03 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US8130178B2 (en) | 2007-02-21 | 2012-03-06 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US8698711B2 (en) | 2007-02-21 | 2014-04-15 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US8537080B2 (en) | 2007-02-21 | 2013-09-17 | Sony Corporation | Display apparatus and drive method therefor, and electronic equipment |
| US8089429B2 (en) | 2007-02-21 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Display apparatus and drive method therefor, and electronic equipment |
| US8026874B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-09-27 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving a display, and electronic device |
| US9653020B2 (en) | 2007-03-15 | 2017-05-16 | Joled Inc. | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US8648840B2 (en) | 2007-03-15 | 2014-02-11 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof, and electronic system |
| US8044894B2 (en) | 2007-03-22 | 2011-10-25 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor, and electronic device |
| US8836690B2 (en) | 2007-03-22 | 2014-09-16 | Sony Corporation | Display apparatus and drive method thereof and electronic device |
| US8390541B2 (en) | 2007-03-22 | 2013-03-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method therefor, and electronic device |
| US8564582B2 (en) | 2007-03-26 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Display device, driving method therefor, and electronic apparatus |
| US8723762B2 (en) | 2007-03-26 | 2014-05-13 | Sony Corporation | Display apparatus and method for making the same |
| US8319706B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-11-27 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method with first and second time correction of pixel drive transistor |
| US8319710B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-11-27 | Sony Corporation | Display apparatus and method for making the same |
| US8139004B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-03-20 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| US8102336B2 (en) | 2007-03-26 | 2012-01-24 | Sony Corporation | Display apparatus and method for making the same |
| US9460654B2 (en) | 2007-04-12 | 2016-10-04 | Joled Inc. | Self-luminous display panel driving method, self-luminous display panel and electronic apparatus |
| US8089430B2 (en) | 2007-04-12 | 2012-01-03 | Sony Corporation | Self-luminous display panel driving method, self-luminous display panel and electronic apparatus |
| US8730135B2 (en) | 2007-04-12 | 2014-05-20 | Sony Corporation | Self-luminous display panel driving method, self-luminous display panel and electronic apparatus |
| KR101498571B1 (ko) * | 2007-05-16 | 2015-03-04 | 소니 주식회사 | 표시장치 및 그 구동방법과 전자기기 |
| US8400442B2 (en) | 2007-05-16 | 2013-03-19 | Sony Corporation | Display, method for driving display, electronic apparatus |
| US8325109B2 (en) | 2007-05-21 | 2012-12-04 | Sony Corporation | Display device, display device driving method, and electronic apparatus |
| US8780016B2 (en) | 2007-05-21 | 2014-07-15 | Sony Corporation | Display device, display device driving method, and electronic apparatus |
| US8982016B2 (en) | 2007-05-21 | 2015-03-17 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic device |
| US8988320B2 (en) | 2007-05-21 | 2015-03-24 | Sony Corporation | Display device, driving method thereof, and electronic device |
| US9135856B2 (en) | 2007-06-30 | 2015-09-15 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US10529791B2 (en) | 2007-06-30 | 2020-01-07 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US9773856B2 (en) | 2007-06-30 | 2017-09-26 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US10170532B2 (en) | 2007-06-30 | 2019-01-01 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US10971573B2 (en) | 2007-06-30 | 2021-04-06 | Sony Corporation | El display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US9608053B2 (en) | 2007-06-30 | 2017-03-28 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US8912988B2 (en) | 2007-06-30 | 2014-12-16 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US8269696B2 (en) | 2007-06-30 | 2012-09-18 | Sony Corporation | EL display panel, power supply line drive apparatus, and electronic device |
| US8022905B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Display device, driving method of the same and electronic apparatus using the same |
| US8022904B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-09-20 | Sony Corporation | Display device, driving method of the same and electronic apparatus using the same |
| US9972282B2 (en) | 2007-11-09 | 2018-05-15 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic device |
| US10803834B2 (en) | 2007-11-09 | 2020-10-13 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic device |
| US9286828B2 (en) | 2007-11-14 | 2016-03-15 | Joled Inc. | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| US8823604B2 (en) | 2007-11-14 | 2014-09-02 | Sony Corporation | Display device, method for driving the same, and electronic apparatus |
| US8937583B2 (en) | 2007-11-14 | 2015-01-20 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| EP2061023A2 (en) | 2007-11-14 | 2009-05-20 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| US8199143B2 (en) | 2007-11-26 | 2012-06-12 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| US8294702B2 (en) | 2007-12-21 | 2012-10-23 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
| US8188944B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-05-29 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
| US8138999B2 (en) | 2007-12-26 | 2012-03-20 | Sony Corporation | Display device and electronic apparatus |
| EP2075784A1 (en) | 2007-12-26 | 2009-07-01 | Sony Corporation | Display device, method for driving same, and electronic apparatus |
| US8730133B2 (en) | 2007-12-27 | 2014-05-20 | Sony Corporation | Display device and electronic device |
| CN101471028B (zh) * | 2007-12-27 | 2011-01-05 | 索尼株式会社 | 显示设备和电子设备 |
| US8884850B2 (en) | 2008-01-15 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving display apparatus, and electronic apparatus |
| US8237632B2 (en) | 2008-01-15 | 2012-08-07 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving display apparatus, and electronic apparatus |
| TWI413063B (zh) * | 2008-01-15 | 2013-10-21 | Sony Corp | Display devices and electronic machines |
| US9153169B2 (en) | 2008-01-15 | 2015-10-06 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method thereof and electronic instrument |
| US8384627B2 (en) | 2008-01-15 | 2013-02-26 | Sony Corporation | Display device and electronic equipment |
| US8648777B2 (en) | 2008-01-15 | 2014-02-11 | Sony Corporation | Display apparatus, method of driving display apparatus, and electronic apparatus |
| US10217405B2 (en) | 2008-01-21 | 2019-02-26 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
| US10467955B2 (en) | 2008-01-21 | 2019-11-05 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
| US9001011B2 (en) | 2008-01-21 | 2015-04-07 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
| US8633875B2 (en) | 2008-01-21 | 2014-01-21 | Sony Corporation | Electroluminescent display panel and electronic apparatus |
| EP2085959A1 (en) | 2008-02-04 | 2009-08-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving method thereof |
| US8203510B2 (en) | 2008-02-04 | 2012-06-19 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| EP2085960A1 (en) | 2008-02-04 | 2009-08-05 | Sony Corporation | Display apparatus and method |
| US8199077B2 (en) | 2008-02-04 | 2012-06-12 | Sony Corporation | Display apparatus, driving method for display apparatus and electronic apparatus |
| US8982018B2 (en) | 2008-02-28 | 2015-03-17 | Sony Corporation | EL display panel module, EL display panel, integrated circuit device, electronic apparatus and driving controlling method |
| US8773334B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-07-08 | Sony Corporation | EL display panel, electronic apparatus and EL display panel driving method |
| US8274454B2 (en) | 2008-02-28 | 2012-09-25 | Sony Corporation | EL display panel, electronic apparatus and a method of driving EL display panel |
| US8860637B2 (en) | 2008-02-28 | 2014-10-14 | Sony Corporation | EL display panel, electronic apparatus and EL display panel driving method |
| US8384626B2 (en) | 2008-02-28 | 2013-02-26 | Sony Corporation | EL display panel module, EL display panel, integrated circuit device, electronic apparatus and driving controlling method |
| US8368678B2 (en) | 2008-03-26 | 2013-02-05 | Fujifilm Corporation | Pixel circuit, display apparatus, and pixel circuit drive control method |
| US8502814B2 (en) | 2008-03-26 | 2013-08-06 | Fujifilm Corporation | Pixel circuit and display apparatus |
| US8432389B2 (en) | 2008-03-31 | 2013-04-30 | Sony Corporation | Panel and driving controlling method |
| US8237698B2 (en) | 2008-03-31 | 2012-08-07 | Sony Corporation | Panel and driving controlling method |
| CN101593488B (zh) * | 2008-05-30 | 2012-07-18 | 索尼株式会社 | 电子电路及具有电子电路的面板 |
| EP2131348A2 (en) | 2008-06-02 | 2009-12-09 | Sony Corporation | Display apparatus, driving methods and electronic instruments |
| US8593445B2 (en) | 2008-06-02 | 2013-11-26 | Sony Corporation | Display apparatus, driving methods and electronic instruments |
| US8362985B2 (en) | 2008-06-13 | 2013-01-29 | Fujifilm Corporation | Organic EL display device and method of driving thereof |
| US8477087B2 (en) | 2008-06-18 | 2013-07-02 | Sony Corporation | Panel and drive control method |
| US8416158B2 (en) | 2008-07-15 | 2013-04-09 | Fujifilm Corporation | Display apparatus |
| US8259098B2 (en) | 2008-08-18 | 2012-09-04 | Fujifilm Corporation | Display apparatus and drive control method for the same |
| CN101656045B (zh) * | 2008-08-19 | 2012-03-21 | 索尼株式会社 | 显示装置、显示驱动方法 |
| EP2161707A1 (en) | 2008-09-09 | 2010-03-10 | FUJIFILM Corporation | Display apparatus |
| US8325174B2 (en) | 2008-10-07 | 2012-12-04 | Sony Corporation | Display apparatus and display driving method |
| CN101714332B (zh) * | 2008-10-07 | 2012-11-28 | 索尼株式会社 | 显示器装置和显示器驱动方法 |
| US8847935B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-09-30 | Sony Corporation | Display device and electronic product having light sensors in plural pixel regions |
| US8810554B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-08-19 | Sony Corporation | Display device and electronic product |
| US8212798B2 (en) | 2008-11-07 | 2012-07-03 | Sony Corporation | Display device and electronic product |
| US8723847B2 (en) | 2008-11-07 | 2014-05-13 | Sony Corporation | Display device and electronic product |
| US10986304B2 (en) | 2008-11-17 | 2021-04-20 | Joled Inc. | Display device |
| US8564581B2 (en) | 2008-12-17 | 2013-10-22 | Sony Corporation | Organic electroluminescent device having a light-receiving sensor for data correction |
| WO2010087420A1 (en) | 2009-01-30 | 2010-08-05 | Fujifilm Corporation | Driving of oled display device with interleaving of control phases |
| US8842101B2 (en) | 2009-03-31 | 2014-09-23 | Sony Corporation | Panel, control method thereof, display device and electronic apparatus |
| US10439014B2 (en) | 2009-04-13 | 2019-10-08 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US9716133B2 (en) | 2009-04-13 | 2017-07-25 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US9379144B2 (en) | 2009-04-13 | 2016-06-28 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US9123292B2 (en) | 2009-04-13 | 2015-09-01 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US11251248B2 (en) | 2009-04-13 | 2022-02-15 | Sony Group Corporation | Display apparatus |
| US10971569B2 (en) | 2009-04-13 | 2021-04-06 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US10217805B2 (en) | 2009-04-13 | 2019-02-26 | Sony Corporation | Display apparatus |
| US8576213B2 (en) | 2009-04-15 | 2013-11-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method |
| US8094146B2 (en) | 2009-05-12 | 2012-01-10 | Sony Corporation | Driving method for pixel circuit and display apparatus |
| KR20100122443A (ko) | 2009-05-12 | 2010-11-22 | 소니 주식회사 | 표시 장치 및 표시 방법 |
| CN101887685A (zh) * | 2009-05-12 | 2010-11-17 | 索尼公司 | 用于像素电路的驱动方法和显示装置 |
| CN101887685B (zh) * | 2009-05-12 | 2013-03-13 | 索尼公司 | 用于像素电路的驱动方法和显示装置 |
| US8471838B2 (en) | 2009-05-12 | 2013-06-25 | Sony Corporation | Pixel circuit having a light detection element, display apparatus, and driving method for correcting threshold and mobility for light detection element of pixel circuit |
| US8884852B2 (en) | 2009-05-12 | 2014-11-11 | Sony Corporation | Display device having a pixel that synthesizes signal values to increase a number of possible display gradations and display method |
| US8890858B2 (en) | 2009-05-13 | 2014-11-18 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method with temporary lowering of power supply potential during mobility correction |
| US8665256B2 (en) | 2009-05-13 | 2014-03-04 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method with temporary lowering of power supply potential during mobility correction |
| US8797312B2 (en) | 2009-05-13 | 2014-08-05 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method with temporary lowering of power supply potential during mobility correction |
| US8334864B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-12-18 | Sony Corporation | Display apparatus and driving controlling method with temporary lowering of power supply potential during mobility correction |
| US9711082B2 (en) | 2009-12-01 | 2017-07-18 | Joled Inc. | Display apparatus and display drive method |
| US8654042B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-02-18 | Sony Corporation | Display apparatus and display driving method |
| US9336711B2 (en) | 2010-01-28 | 2016-05-10 | Joled Inc. | Display device and display driving method |
| JP2010191454A (ja) * | 2010-04-02 | 2010-09-02 | Seiko Epson Corp | 発光装置、その駆動方法及び駆動回路、並びに電子機器 |
| US9953562B2 (en) | 2011-11-16 | 2018-04-24 | Joled Inc. | Signal processing device, signal processing method, program, and electronic apparatus |
| CN110459572A (zh) * | 2019-08-19 | 2019-11-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板 |
| US11950464B2 (en) | 2019-08-19 | 2024-04-02 | Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Display panel and electronic device |
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