JP2003249755A - Method for producing ceramic multilayer printed wiring board and ceramic multilayer printed wiring board - Google Patents

Method for producing ceramic multilayer printed wiring board and ceramic multilayer printed wiring board

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JP2003249755A
JP2003249755A JP2002047088A JP2002047088A JP2003249755A JP 2003249755 A JP2003249755 A JP 2003249755A JP 2002047088 A JP2002047088 A JP 2002047088A JP 2002047088 A JP2002047088 A JP 2002047088A JP 2003249755 A JP2003249755 A JP 2003249755A
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Japan
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ceramic
wiring board
firing
circuit layer
sheet
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JP2002047088A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiaki Shigeoka
俊昭 重岡
Satoshi Hamano
智 濱野
Yasuhide Tami
保秀 民
Tetsuya Kimura
哲也 木村
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Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a ceramic multilayer printed wiring board in which occurrence of dimensional shift of a wiring circuit layer due to deformation of a substrate in the vicinity of side end face is prevented at the time of producing a multilayer printed wiring board using a restriction sheet, and a ceramic multilayer printed wiring board having excellent dimensional accuracy. <P>SOLUTION: The method for producing a ceramic multilayer printed wiring board comprises a step for forming a wiring circuit layer 13 in the region of 3 mm or more inside from the circumferential edge part of a ceramic green sheet 11, a step for laying a plurality of green sheets 11 on which the wiring circuit layer 13 is formed in layers, a step for making a cut 14 of 0.01-1 mm in depth in the peripheral part of at least one surface of a multilayer 15 not to traverse the wiring circuit layer 13 in the plan view, a step for laying a ceramic sheet 16 not shrinking at the time of firing in layer on the surface of the multilayer 15 in which the cut 14 is made and then firing it while controlling shrinkage in the planar direction, a step for removing the fired ceramic sheet 16, and a step for cutting and removing at least the peripheral part of the fired multilayer 15 along the cut 14. <P>COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、寸法精度に優れた
セラミック多層配線基板を作製するための製造方法およ
びセラミック多層配線基板に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board having excellent dimensional accuracy and a ceramic multilayer wiring board.

【0002】[0002]

【従来技術】ガラスセラミック多層配線基板の変形及び
反りを低減し、高寸法制度の基板を得る方法として、グ
リーンシート積層体の両面に焼成で実質的に収縮しない
セラミックシート(以下、単に拘束シートという。)を
積層し、この拘束シートによって平面方向への焼成収縮
を抑制しながら焼成した後、拘束シートを除去する方法
が知られている。
2. Description of the Related Art As a method of reducing deformation and warpage of a glass-ceramic multilayer wiring board and obtaining a board having a high dimensional accuracy, a ceramic sheet (hereinafter, simply referred to as a binding sheet) which does not substantially shrink by firing on both sides of a green sheet laminate. .) Is laminated, and the binding sheet is fired while suppressing firing shrinkage in the plane direction by the binding sheet, and then the binding sheet is removed.

【0003】また、同時焼成多層配線基板において高寸
法精度の配線を形成するため金属箔にフォトリソ/エッ
チング法を行いて導体層を形成する場合には、金属箔が
焼成で収縮しないことから平面方向の基板全体の収縮を
極力抑制する必要があるため、上記と同様にグリーンシ
ート積層体の両面に拘束シートを積層し、焼成後に拘束
シートを除去して多層配線基板を作製する方法が特開2
000−281450号、特開2001−60767
号、特開2001−291955号で報告されている。
Further, when a conductor layer is formed on a metal foil by a photolithography / etching method in order to form a wiring with high dimensional accuracy in a co-fired multilayer wiring board, the metal foil does not shrink due to firing, so that the plane direction Since it is necessary to suppress the shrinkage of the entire substrate as much as possible, a method of laminating constraining sheets on both surfaces of the green sheet laminate and removing the constraining sheets after firing to produce a multilayer wiring board is described in the same manner as described above.
000-281450, JP 2001-60767.
No. 2001-291955.

【0004】[0004]

【本発明が解決しようとする課題】しかしながら、これ
らの方法で多層配線基板を作製した場合、配線基板の側
端面には拘束シートによる平面方向の収縮を抑制する拘
束力が付与されないために、多層配線基板の内部の焼結
収縮が基板の表面部に比べて進行し、しかもその焼成収
縮が厚み方向のみならず、平面方向にも生じるために、
結果として図5に示すように、多層配線基板20の側端
面21は、側端面21の厚み方向の中央部がへこみ、表
面側および/または裏面側に突起aが形成された形状と
なる。その結果、電極表面へのメッキ処理などの工程中
において、この突起aに衝撃が加わると欠けやすいとい
う問題があった。また、かかる配線基板の変形は、基板
厚みが0.3mm以上の場合に特に顕著となる。
However, when a multilayer wiring board is manufactured by these methods, the side end surface of the wiring board is not provided with a restraining force for restraining the shrinkage in the plane direction by the restraining sheet. Since the sintering shrinkage inside the wiring board progresses more than the surface portion of the board, and the sintering shrinkage occurs not only in the thickness direction but also in the plane direction,
As a result, as shown in FIG. 5, the side end face 21 of the multilayer wiring board 20 has a shape in which the central portion in the thickness direction of the side end face 21 is dented and the protrusion a is formed on the front surface side and / or the back surface side. As a result, there is a problem in that, when a shock is applied to the protrusion a during a process such as a plating process on the electrode surface, the protrusion a tends to be chipped. Further, such deformation of the wiring board becomes particularly remarkable when the board thickness is 0.3 mm or more.

【0005】また、多層配線基板20の側端面21付近
に配線回路層22が形成されている場合、上記の変形に
よって配線回路層22にずれが発生したり、複雑な焼成
収縮による応力によって側端面21で層間の剥離が発生
しやすくなるという問題があった。
When the wiring circuit layer 22 is formed in the vicinity of the side end surface 21 of the multilayer wiring board 20, the wiring circuit layer 22 is displaced due to the above-mentioned deformation, and the side end surface is caused by the stress due to complicated firing shrinkage. In No. 21, there was a problem that peeling between layers was likely to occur.

【0006】従って、本発明は、拘束シートを用いて多
層配線基板を作製する場合、基板の側端面付近の変形に
よる配線回路層の寸法ズレの発生を防止したセラミック
多層配線基板の製造方法と、寸法精度に優れたセラミッ
ク多層配線基板を提供することを目的とするものであ
る。
Therefore, the present invention relates to a method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board, which prevents the occurrence of dimensional deviation of the wiring circuit layer due to the deformation near the side end surface of the board when the multilayer wiring board is manufactured using the constraining sheet. It is an object of the present invention to provide a ceramic multilayer wiring board having excellent dimensional accuracy.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明のセラミック多層
配線基板の第1の製造方法によれば、セラミックグリー
ンシートの周縁部から3mm以上内側の領域に配線回路
層を形成する工程と、前記配線回路層を形成したグリー
ンシートを複数層積層する工程と、前記積層体の少なく
とも一方の表面の周辺部に、平面的にみて前記配線回路
層を横切らないように深さ0.01〜1mmの切り込み
を形成する工程と、前記切り込みを形成した前記積層体
の表面に、焼成時に収縮しないセラミックシートを積層
し、焼成して平面方向の焼成収縮を抑制しながら焼成す
る工程と、焼成後のセラミックシートを除去する工程
と、前記焼成後の積層体の少なくとも周辺部を前記切り
込みに沿って切断除去する工程と、を具備することを特
徴とするものである。
According to a first method of manufacturing a ceramic multilayer wiring board of the present invention, a step of forming a wiring circuit layer in a region 3 mm or more inward from the peripheral portion of the ceramic green sheet, and the wiring A step of laminating a plurality of green sheets having a circuit layer formed thereon, and a notch having a depth of 0.01 to 1 mm in a peripheral portion of at least one surface of the laminate so as not to cross the wiring circuit layer in plan view. And a step of laminating a ceramic sheet that does not shrink during firing on the surface of the laminated body in which the notches have been formed, firing and firing while suppressing firing shrinkage in the planar direction, and a ceramic sheet after firing. And a step of cutting and removing at least the peripheral portion of the laminated body after firing along the cut.

【0008】また、第2の製造方法によれば、セラミッ
クグリーンシートの周縁部から3mm以上内側の領域に
配線回路層を形成する工程と、前記配線回路層を形成し
たグリーンシートを複数層積層する工程と、該積層体の
表面に、焼成時に収縮しないセラミックシートを積層
し、焼成して平面方向の焼成収縮を抑制しながら焼成す
る工程と、焼成後のセラミックシートを除去する工程
と、前記焼成後の積層体の少なくとも周辺部を前記配線
回路層を横切らないように切断除去する工程と、を具備
することを特徴とするものである。
Further, according to the second manufacturing method, a step of forming a wiring circuit layer in an area 3 mm or more inside from the peripheral edge of the ceramic green sheet, and a plurality of green sheets having the wiring circuit layer formed thereon are laminated. A step of laminating a ceramic sheet that does not shrink during firing on the surface of the laminate, firing while suppressing firing shrinkage in the planar direction, and removing the ceramic sheet after firing; A step of cutting and removing at least a peripheral portion of a subsequent laminated body so as not to cross the wiring circuit layer.

【0009】そして、上記第1の製造方法に基づき、厚
みが0.3mm以上であり、側端面のうち、少なくとも
4つの側端面における厚み方向の少なくとも中央部が破
断面またはカット面によって形成され、該中央部の表面
側および/または裏面側が0.01〜1mmにわたって
焼き肌面によって形成されたセラミック多層配線基板が
得られる。
Based on the first manufacturing method, the thickness is 0.3 mm or more, and at least the central portion in the thickness direction of at least four side end faces among the side end faces is formed by a fracture surface or a cut surface, It is possible to obtain a ceramic multilayer wiring substrate in which the front surface side and / or the back surface side of the central portion has a burnt surface over 0.01 to 1 mm.

【0010】また、第2の製造方法によれば、厚みが
0.3mm以上であり、側端面のうち、少なくとも4つ
の側端面が砥石による切断面からなるセラミック多層配
線基板が得られる。
Further, according to the second manufacturing method, it is possible to obtain a ceramic multilayer wiring board having a thickness of 0.3 mm or more and at least four side end faces of the side end faces being cut surfaces by a grindstone.

【0011】なお、本発明の多層配線基板によれば、前
記側端面には、外部と接続するための電極を持たないこ
とが望ましい。
According to the multilayer wiring board of the present invention, it is desirable that the side end surface does not have an electrode for connecting to the outside.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面に基
づいて説明する。図1は本発明のセラミック多層配線基
板の一例を示す概略断面図である。図1の多層配線基板
1によれば、絶縁基板2は、複数のセラミック絶縁層2
a〜2cを積層してなる積層体7から構成され、各セラ
ミック絶縁層2aの表面または絶縁層間に配線回路層3
が被着形成されている。また、絶縁層2a〜2cには、
厚み方向を貫くように形成された直径が80〜200μ
mのビアホール導体4が形成され、前記配線回路層3同
士を電気的に接続している。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing an example of a ceramic multilayer wiring board of the present invention. According to the multilayer wiring board 1 of FIG. 1, the insulating substrate 2 is composed of a plurality of ceramic insulating layers 2.
and a wiring circuit layer 3 between the surfaces of the ceramic insulating layers 2a or between the insulating layers.
Has been formed. In addition, the insulating layers 2a to 2c include
The diameter formed to penetrate the thickness direction is 80-200μ
m via hole conductors 4 are formed to electrically connect the wiring circuit layers 3 to each other.

【0013】なお、この配線回路層3は厚みが30μm
以下、特に5〜20μmの高純度金属箔であることが高
寸法精度の配線回路を形成する上で望ましいが、金属粉
末を主成分とするペースト使用して形成してもなんら問
題はない。また配線回路層3の表面には半導体素子など
の電子部品5が実装搭載される。
The wiring circuit layer 3 has a thickness of 30 μm.
In the following, a high-purity metal foil with a thickness of 5 to 20 μm is particularly preferable in order to form a wiring circuit with high dimensional accuracy, but there is no problem even if it is formed using a paste containing metal powder as a main component. An electronic component 5 such as a semiconductor element is mounted and mounted on the surface of the wiring circuit layer 3.

【0014】本発明では、セラミック絶縁層2a〜2c
からなる絶縁基板2は、ガラス成分、あるいはガラス成
分とセラミックフィラー成分との混合物を焼成してなる
ガラスセラミックスなどの800〜1050℃の低温で
焼成可能なセラミックス(以下、単に低温焼成セラミッ
クスという。)によって形成されたものであることが望
ましい。
In the present invention, the ceramic insulating layers 2a to 2c are used.
The insulating substrate 2 made of is a ceramic that can be fired at a low temperature of 800 to 1050 ° C. (hereinafter, simply referred to as low temperature fired ceramics), such as a glass ceramic obtained by firing a glass component or a mixture of a glass component and a ceramic filler component. It is desirable that it is formed by.

【0015】特にガラスセラミックスとしては、ガラス
成分10〜70質量%と、セラミックフィラー成分30
〜90質量%の割合からなる組成物を焼成したものであ
ることが望ましい。このようなガラスセラミックスは、
焼成温度が800〜1050℃と低いために、後述する
Cu、Agなどの低抵抗導体との同時焼成が可能である
点で有利であり、また、概して誘電率が低いために、高
周波信号などの伝送損失を低減することができる。
Particularly, as glass ceramics, a glass component of 10 to 70% by mass and a ceramic filler component of 30 are used.
It is desirable that the composition composed of ˜90% by mass is fired. Such glass-ceramics
Since the firing temperature is as low as 800 to 1050 ° C., it is advantageous in that it can be fired at the same time with a low resistance conductor such as Cu and Ag which will be described later. Further, since the permittivity is low in general, high frequency signals such as Transmission loss can be reduced.

【0016】ここで、用いられるガラス成分としては、
少なくともSiO2を含み、Al2 3、B23、Zn
O、PbO、アルカリ土類金属酸化物、アルカリ金属酸
化物のうちの少なくとも1種を含有したものであって、
例えば、SiO2−B23系、SiO2−B23−Al2
3系−MO系(但し、MはCa、Sr、Mg、Baま
たはZnを示す)等のホウケイ酸ガラス、アルカリ珪酸
ガラス、Ba系ガラス、Pb系ガラス、Bi系ガラスの
群から選ばれる少なくとも1種が挙げられる。
Here, as the glass component used,
At least SiO2Including, Al2O 3, B2O3, Zn
O, PbO, alkaline earth metal oxides, alkali metal acids
Containing at least one of the following compounds:
For example, SiO2-B2O3System, SiO2-B2O3-Al2
O3System-MO system (M is Ca, Sr, Mg, Ba or
Or Zn), etc., borosilicate glass, alkali silicic acid
Glass, Ba-based glass, Pb-based glass, Bi-based glass
At least one selected from the group can be mentioned.

【0017】これらのガラス成分は、焼成処理すること
によっても非晶質のままである非晶質ガラス、また焼成
処理によって、リチウムシリケート、クォーツ、クリス
トバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイ
ト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイ
ト、ドロマイト、ペタライトやその置換誘導体の結晶を
少なくとも1種類を析出する結晶化ガラスのいずれでも
用いられる。
These glass components are amorphous glasses which remain amorphous even by firing treatment, and by the firing treatment, lithium silicate, quartz, cristobalite, cordierite, mullite, anorthite, sergian, spinel. , Glassite, willemite, dolomite, petalite, or any crystallized glass that precipitates at least one crystal of a derivative thereof.

【0018】また、セラミックフィラー成分としては、
クォーツ、クリストバライト等のSiO2や、Al
23、ZrO2、ムライト、フォルステライト、エンス
タタイト、スピネル、マグネシア、ジルコン酸カルシウ
ム、珪酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン
酸バリウムの群から選ばれる少なくとも1種が好適に用
いられる。
As the ceramic filler component,
SiO 2 , such as quartz and cristobalite, and Al
At least one selected from the group consisting of 2 O 3 , ZrO 2 , mullite, forsterite, enstatite, spinel, magnesia, calcium zirconate, strontium silicate, calcium titanate, and barium titanate is preferably used.

【0019】配線回路層3は、Cu、Ag、Al、A
u、Ni、PtおよびPdの群から選ばれる少なくとも
1種を含む、99質量%以上の高純度の金属からなる金
属箔、あるいはこれらの金属粉とセラミックあるいはガ
ラス粉末を主成分とするペーストからなる。またビアホ
ール導体4は、上記の配線回路層3と同様の成分からな
る導体が充填されていることが望ましい。
The wiring circuit layer 3 is made of Cu, Ag, Al, A.
A metal foil made of 99% by mass or more of a high-purity metal containing at least one selected from the group consisting of u, Ni, Pt, and Pd, or a paste containing these metal powders and ceramics or glass powders as main components. . Further, it is desirable that the via-hole conductor 4 be filled with a conductor having the same component as that of the wiring circuit layer 3.

【0020】また、本発明の多層配線基板1において、
表面の配線回路層3は、ICチップなどの各種電子部品
5を搭載するためのパッドとして、シールド用導体膜と
して、さらには、外部回路と接続する端子電極として用
いられ、各種電子部品5が配線回路層3に半田や導電性
接着剤などを介して接合される。尚、図示していない
が、必要に応じて、配線基板の表面には、さらに珪化タ
ンタル、珪化モリブデンなどの厚膜抵抗体膜や配線保護
膜などを形成しても構わない。
Further, in the multilayer wiring board 1 of the present invention,
The wiring circuit layer 3 on the surface is used as a pad for mounting various electronic components 5 such as an IC chip, as a conductor film for shielding, and as a terminal electrode to be connected to an external circuit. It is joined to the circuit layer 3 via solder or a conductive adhesive. Although not shown, a thick film resistor film such as tantalum silicide or molybdenum silicide or a wiring protection film may be further formed on the surface of the wiring substrate, if necessary.

【0021】本発明によれば、上記のセラミック多層配
線基板を製造するための第1の方法について説明する。
まず、例えば上述したような結晶化ガラス成分又は非晶
質ガラス成分と前記のセラミックフィラー成分を混合し
てセラミック組成物を調製し、その混合物に有機バイン
ダー等を加えた後、ドクターブレード法、圧延法、プレ
ス法などによりシート状に成形して厚さ約50〜500
μmのグリーンシート11を作製する(図2(a))。
According to the present invention, a first method for manufacturing the above-mentioned ceramic multilayer wiring board will be described.
First, for example, a crystallized glass component or an amorphous glass component as described above is mixed with the ceramic filler component to prepare a ceramic composition, and an organic binder or the like is added to the mixture, and then a doctor blade method and rolling are performed. Thickness of about 50 ~ 500
A green sheet 11 of μm is produced (FIG. 2A).

【0022】そして、このグリーンシート11にレーザ
ーやマイクロドリル、パンチングなどにより、直径80
〜200μmの貫通孔を形成し、その内部に導体ペース
トを充填してビアホール導体12を形成する(図2
(b))。導体ペースト中には、Cu、Ag等の金属成
分以外に、アクリル樹脂などからなる有機バインダーと
トルエン、イソプロピルアルコール、アセトン、テルピ
ネオールなどの有機溶剤とを均質混合して形成される。
有機バインダーは、金属成分100質量部に対して、
0.5〜15.0質量部、有機溶剤は、固形成分及び有
機バインダー100質量部に対して、5〜100質量部
の割合で混合されることが望ましい。なお、この導体ペ
ースト中には若干のガラス成分等を添加してもよい。
Then, the diameter of the green sheet 11 is reduced to 80 by laser, microdrill, punching or the like.
A through hole having a thickness of up to 200 μm is formed, and a conductor paste is filled in the through hole to form a via hole conductor 12 (FIG. 2).
(B)). In the conductor paste, in addition to metal components such as Cu and Ag, an organic binder such as an acrylic resin and an organic solvent such as toluene, isopropyl alcohol, acetone, and terpineol are homogeneously mixed and formed.
The organic binder is based on 100 parts by mass of the metal component.
It is desirable that 0.5 to 15.0 parts by mass of the organic solvent be mixed in a ratio of 5 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the solid component and the organic binder. A slight amount of glass component or the like may be added to this conductor paste.

【0023】次に、配線回路層3の形成方法としては、
種々の方法があげられるが、ここでは金属箔の転写法に
ついて説明する。厚み3〜30μmの金属箔を高分子材
料等からなる転写フィルム上に接着し、この金属箔の表
面に回路パターン状にレジストを被着した後、塩酸ある
いは塩化第二鉄によりエッチングを行い不要な部分の金
属箔を溶解除去し、レジストの除去およびレジスト除去
液の洗浄を行い鏡像の配線回路層13を得る。
Next, as a method of forming the wiring circuit layer 3,
There are various methods, but the transfer method of the metal foil will be described here. A metal foil having a thickness of 3 to 30 μm is adhered onto a transfer film made of a polymer material or the like, a resist is applied in a circuit pattern on the surface of the metal foil, and then etching is performed with hydrochloric acid or ferric chloride to eliminate unnecessary use. The metal foil in the portion is removed by dissolution, the resist is removed and the resist removing solution is washed to obtain a mirror-imaged wiring circuit layer 13.

【0024】次に、配線回路層13を形成した転写フィ
ルムをビアホール導体12が形成されたグリーンシート
11の表面に位置合わせして積層圧着した後、転写フィ
ルムを剥がすことにより、配線回路層13をグリーンシ
ート11表面に形成することができる(図2(c))。
Next, the transfer film on which the wiring circuit layer 13 is formed is aligned with the surface of the green sheet 11 on which the via-hole conductor 12 is formed, laminated and pressure-bonded, and then the transfer film is peeled off to form the wiring circuit layer 13. It can be formed on the surface of the green sheet 11 (FIG. 2C).

【0025】この時、金属箔からなる配線回路層13の
転写性を高めるために、金属箔からなる配線回路層13
のグリーンシート11と接触する側の表面粗さRzを3
〜6μmとすることによって、配線回路層13のグリー
ンシート11への密着性を高めることができる。
At this time, in order to improve the transferability of the wiring circuit layer 13 made of metal foil, the wiring circuit layer 13 made of metal foil is used.
Of the surface roughness Rz of the side that contacts the green sheet 11 of 3
By setting the thickness to 6 μm, the adhesion of the wiring circuit layer 13 to the green sheet 11 can be improved.

【0026】次に、上記と同様にして作製された複数の
グリーンシート11を積層圧着して積層体15を形成す
る(図2(d))。グリーンシート11の積層には、積
み重ねられたグリーンシート11に熱と圧力を加えて熱
圧着する方法、有機バインダー、可塑剤、溶剤等からな
る接着剤をシート間に塗布して熱圧着する方法等が採用
可能である。
Next, a plurality of green sheets 11 produced in the same manner as described above are laminated and pressure-bonded to form a laminate 15 (FIG. 2 (d)). For stacking the green sheets 11, a method of applying heat and pressure to the stacked green sheets 11 to perform thermocompression bonding, a method of applying an adhesive composed of an organic binder, a plasticizer, a solvent, etc. between the sheets and performing thermocompression bonding, etc. Can be adopted.

【0027】また、積層体15の表面や内部に形成され
る配線回路層13の形成箇所は、グリーンシート11の
周縁部から3mm以上、特に5mm以上内側の領域に形
成することが重要である。言い換えれば、図2(d)の
距離wが3mm以上、特に5mm以上であることを意味
する。これは、配線回路層13をグリーンシート11の
周縁部から3mm未満の領域にまで形成すると、後述す
る焼成時に、この部分の変形によって配線回路層13に
ずれが発生し、回路の信頼性が低下するためである。
Further, it is important that the wiring circuit layer 13 formed on the surface or inside of the laminated body 15 is formed in an area 3 mm or more, particularly 5 mm or more inward from the peripheral portion of the green sheet 11. In other words, it means that the distance w in FIG. 2D is 3 mm or more, particularly 5 mm or more. This is because when the wiring circuit layer 13 is formed up to a region less than 3 mm from the peripheral edge of the green sheet 11, the wiring circuit layer 13 is displaced due to the deformation of this portion at the time of firing which will be described later, and the reliability of the circuit is deteriorated. This is because

【0028】次に、基板の所定の位置に片面あるいは両
面から焼成後に深さmが0.01〜1mmとなるような
切り込み14を形成する(図2(e))。この時、切り
込み14を形成する位置は、グリーンシート11の周縁
部から距離wの範囲内であり、つまり、切り込み14の
積層体7の周縁部からの距離vは、v<wを満足し、特
に、vは、1mm以上、特に3mm以上、さらには5m
m以上であることが望ましい。これによって、図5で示
したような側端面の厚み方向の中央部がへこみ、表面側
および/または裏面側が突出した形状の部分を完全に除
去することができる。
Next, a notch 14 is formed at a predetermined position on the substrate so as to have a depth m of 0.01 to 1 mm after firing from one side or both sides (FIG. 2 (e)). At this time, the position where the cut 14 is formed is within a range of the distance w from the peripheral edge of the green sheet 11, that is, the distance v of the cut 14 from the peripheral edge of the laminated body 7 satisfies v <w, In particular, v is 1 mm or more, particularly 3 mm or more, and further 5 m
It is preferably m or more. As a result, it is possible to completely remove a portion having a shape in which the central portion in the thickness direction of the side end surface as shown in FIG. 5 is dented and the front surface side and / or the back surface side is projected.

【0029】また、切り込み14の深さmは、1mm以
下であることが必要である。この深さが1mmよりも深
いと、焼成時に切り込み14が起点となり、基板に予期
し得ないクラックなどが発生する場合がある。なお、切
り込み14の深さmは、後の切断性を考えれば、0.1
mm以上であることが望ましい。
The depth m of the notch 14 needs to be 1 mm or less. If this depth is deeper than 1 mm, the notch 14 may serve as a starting point during firing, and an unexpected crack or the like may occur on the substrate. Note that the depth m of the notch 14 is 0.1 in consideration of the subsequent cutting property.
It is desirable that it is mm or more.

【0030】さらに、切り込み14は、図面では、積層
体15の両面に形成されているが、切り込み14の形成
は、積層体15の表面側、裏面側のいずれか一方であっ
てもよい。
Further, the cuts 14 are formed on both sides of the laminate 15 in the drawing, but the cuts 14 may be formed on either the front surface side or the back surface side of the laminate 15.

【0031】この切り込み14の形成は、例えば、積層
体15から複数の配線基板を製造する場合において形成
する場合にも適用される。例えば、図3の平面図に示す
ように、積層体15に対して、マトリックス状に切り込
み14を形成することができる。その場合においても、
積層体15の周縁部における切り込み14の形成箇所
は、前述した通り、vが1mm以上、特に3mm以上、
さらには5mm以上であることが望ましく、また、切り
込み深さmも0.01〜1mmであることが必要であ
る。
The formation of the notches 14 is also applied to the case of forming a plurality of wiring boards from the laminated body 15, for example. For example, as shown in the plan view of FIG. 3, the cuts 14 can be formed in a matrix shape in the laminated body 15. Even in that case,
As described above, v is 1 mm or more, particularly 3 mm or more, in the peripheral portion of the laminated body 15, where the notch 14 is formed.
Further, it is desirable that the depth is 5 mm or more, and the cutting depth m is also required to be 0.01 to 1 mm.

【0032】次に、焼成により実質的に収縮しないセラ
ミックシート16(以下、拘束シートという場合もあ
る)を積層体15の少なくとも一方、望ましくは両面に
積層する(図2(e))。積層の方法はグリーンシート
16の積層と同様に熱圧着や、有機バインダー、可塑
剤、溶剤等からなる接着剤を塗布して熱圧着する方法等
を用いることが可能である。
Next, a ceramic sheet 16 (hereinafter sometimes referred to as a constraining sheet) that does not substantially shrink by firing is laminated on at least one side, preferably both sides, of the laminate 15 (FIG. 2 (e)). As for the lamination method, it is possible to use thermocompression bonding as in the lamination of the green sheets 16, or a method of applying an adhesive composed of an organic binder, a plasticizer, a solvent and the like and thermocompression bonding.

【0033】この拘束シート16は、難焼結性セラミッ
ク材料を主成分とするセラミック成分に、有機バインダ
ー、可塑剤、溶剤等を加えたスラリーをシート状に成形
して得られる。難焼結性セラミック材料としては、具体
的には1100℃以下の温度で焼成が進行し収縮しない
ようなセラミック組成物から構成され、具体的にはAl
23、SiO2、MgO、ZrO2、BN、TiO2の少
なくとも1種又はその化合物(ムライト、スピネル、フ
ォルステライト、エンスタタイト等)の粉末が挙げられ
る。また、有機バインダー、可塑剤及び溶剤としてはガ
ラスセラミックグリーンシート11で使用したのと同様
の材料が使用可能である。
The constraining sheet 16 is obtained by forming a slurry in which a ceramic component containing a hardly-sinterable ceramic material as a main component, an organic binder, a plasticizer, a solvent, etc., is formed into a sheet. The non-sinterable ceramic material is specifically composed of a ceramic composition that does not shrink due to the progress of firing at a temperature of 1100 ° C. or lower, and specifically, Al
Powders of at least one of 2 O 3 , SiO 2 , MgO, ZrO 2 , BN, and TiO 2 or a compound thereof (mullite, spinel, forsterite, enstatite, etc.) can be mentioned. Further, as the organic binder, the plasticizer and the solvent, the same materials as those used for the glass ceramic green sheet 11 can be used.

【0034】また、この拘束シート16中には、ガラス
成分を0.5〜15体積%加えることによって、積層体
7との密着性が高くなり、収縮を抑制する作用が大きく
なり、また積層体7表面のガラス成分の拡散によるボイ
ドの発生を抑制できるなどの利点を有する。
Further, by adding 0.5 to 15% by volume of the glass component in the constraining sheet 16, the adhesion with the laminate 7 is enhanced and the effect of suppressing shrinkage is increased, and the laminate is also 7 has the advantage that the generation of voids due to the diffusion of the glass component on the surface can be suppressed.

【0035】次に、こうして得られた積層体15を10
0〜850℃、特に400〜750℃の窒素雰囲気中で
加熱処理してグリーンシート11内やビアホール導体ペ
ースト中の有機成分を分解除去した後、800〜110
0℃の窒素雰囲気中で焼成する。また、配線回路層13
としてAg導体を用いる場合、焼成雰囲気は大気中で行
うことができる。
Next, the laminated body 15 thus obtained
800-110 after the organic component in the green sheet 11 or the via-hole conductor paste is decomposed and removed by heat treatment in a nitrogen atmosphere of 0-850 ° C., particularly 400-750 ° C.
Bake in a nitrogen atmosphere at 0 ° C. In addition, the wiring circuit layer 13
When an Ag conductor is used as, the firing atmosphere can be performed in the air.

【0036】その後、適宜、拘束シート16を超音波洗
浄、研磨、ウォータージェット、ケミカルブラスト、サ
ンドブラスト、ウェットブラスト等によって除去する
(図2(f)。
Thereafter, the restraint sheet 16 is appropriately removed by ultrasonic cleaning, polishing, water jet, chemical blast, sand blast, wet blast, etc. (FIG. 2 (f)).

【0037】そして、先に積層体15に形成した切り込
み14に沿って折ることによって破断するか、もしくは
砥石によってカットする。これによってセラミック多層
配線基板を得ることができる。
Then, the laminate 15 is broken along the notches 14 formed in the laminate 15 or cut with a grindstone. As a result, a ceramic multilayer wiring board can be obtained.

【0038】なお、このようにして作製されるセラミッ
ク多層配線基板は、図4の要部断面図に示す通り、多層
配線基板の側端面のうち、少なくとも主要となる4つの
側端面における厚み方向の少なくとも中央部aが破断面
またはカット面によって形成されており、この中央部a
の表面側b1および/または裏面側b2は、0.01〜
1mmにわたって焼き肌面によって形成された構造から
なる。なお、この焼き肌面からなる面表面側b1、裏面
側b2の幅は、前記図2(e)における切込み14の深
さmと同じになる。
The ceramic multilayer wiring board manufactured in this manner has at least four main side end surfaces in the thickness direction in the side end surfaces of the multilayer wiring board, as shown in the cross-sectional view of the main part of FIG. At least the central portion a is formed by a fractured surface or a cut surface.
The front surface side b1 and / or the back surface side b2 of the
It consists of a structure formed by a burnt surface over 1 mm. The widths of the front surface side b1 and the back surface side b2 formed of the burnt surface are the same as the depth m of the cut 14 in FIG. 2 (e).

【0039】かかる構造においては、図4に示すとお
り、多層配線基板の側端面が外側に凸となる構造を有す
ることから、多層配線基板の割れや欠けを防止すること
ができる。
In such a structure, as shown in FIG. 4, since the side end surface of the multilayer wiring board is convex outward, cracking or chipping of the multilayer wiring board can be prevented.

【0040】一方、第2の製造方法においては、図2の
製造工程図で説明したように、配線回路層3の形成箇所
を積層体7の周縁部から3mm以上、特に5mm以上内
側の領域に形成する。そして、積層体15に図2(e)
で説明したような切り込み14を形成することなく、拘
束シート16を積層し、焼成した後、拘束シート16を
除去する。その後、焼成後の積層体15をカッターなど
の砥石によって所望の箇所を切断除去する。その場合、
切断箇所は、前記図2の積層体の周縁部から距離wまで
の間で切断すればよい。この場合には、多層配線基板の
側端面のうち、少なくとも4つの側端面においては、焼
き肌面は存在せず、すべて砥石による切断面からなる。
On the other hand, in the second manufacturing method, as described with reference to the manufacturing process diagram of FIG. 2, the formation position of the wiring circuit layer 3 is located within 3 mm or more, particularly 5 mm or more from the peripheral edge of the laminate 7. Form. Then, FIG.
The constraining sheet 16 is laminated and baked without forming the notches 14 as described above, and then the constraining sheet 16 is removed. After that, the fired laminated body 15 is cut and removed at a desired portion with a grindstone such as a cutter. In that case,
The cutting point may be cut from the peripheral portion of the laminated body of FIG. 2 to a distance w. In this case, at least four side end faces of the side end faces of the multilayer wiring board do not have a burnt surface, and are all cut faces by a grindstone.

【0041】また、本発明においては、多層配線基板の
側端面には、外部と接続するための電極を持たないこと
が望ましい。これは、電極部を形成した部分を切断処理
すると、電極がセラミックスから剥がれる場合がある。
特に、電極をCuやAgなどの柔らかい金属で形成した
場合、電極と磁器との密着強度も低いために、電極の剥
がれが顕著となるためである。言い換えれば、多層配線
基板の側端面は、すべてセラミックスからなることが望
ましい。
Further, in the present invention, it is desirable that the side end surface of the multilayer wiring board does not have an electrode for connecting to the outside. This is because the electrode may be peeled off from the ceramic when the portion where the electrode portion is formed is cut.
Particularly, when the electrodes are formed of a soft metal such as Cu or Ag, the peeling of the electrodes becomes remarkable because the adhesion strength between the electrodes and the porcelain is low. In other words, it is desirable that the side end faces of the multilayer wiring board are all made of ceramics.

【0042】[0042]

【実施例】SiO2:37質量%、Al23:27質量
%、CaO:11質量%、ZnO:12質量%、B
23:13質量%の組成を有する平均粒径3μmの結晶
化ガラス粉末(軟化点850℃)73質量%と、セラミ
ックフィラーとして、平均粒径2μmのシリカ27質量
%からなるガラスセラミック原料粉末100質量部に対
して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹
脂を固形分で10質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチ
ルを4質量部添加し、トルエンを有機溶剤としてボール
ミルにより36時間混合しスラリーを調整した。得られ
たスラリーをドクターブレード法により厚さ0.2mm
のグリーンシートを形成した。
EXAMPLES SiO 2 : 37% by mass, Al 2 O 3 : 27% by mass, CaO: 11% by mass, ZnO: 12% by mass, B
2 O 3 : Glass-ceramic raw material powder composed of 13% by mass of crystallized glass powder having an average particle size of 3 μm (softening point 850 ° C.) and 27% by mass of silica having an average particle size of 2 μm as a ceramic filler. 10 parts by mass of isobutyl methacrylate resin as an organic binder and 4 parts by mass of dibutyl phthalate as a plasticizer were added to 100 parts by mass of an organic binder, and toluene was mixed as an organic solvent for 36 hours by a ball mill to prepare a slurry. . The obtained slurry is 0.2 mm thick by the doctor blade method.
Formed a green sheet of.

【0043】次に、厚み0.02mmの銅箔を樹脂フィ
ルム上に積層し、フォトエッチング法により、所定の配
線回路層の鏡像となる導体パターンを作製した。この樹
脂フィルム上に形成した導体パターンをグリーンシート
に加熱圧着し、樹脂フィルムを剥離して導体パターンを
グリーンシート表面に転写させた。このグリーンシート
10枚を位置あわせして積層した。積層は80℃、10
MPaで行った。
Next, a copper foil having a thickness of 0.02 mm was laminated on the resin film, and a conductor pattern to be a mirror image of a predetermined wiring circuit layer was prepared by photoetching. The conductor pattern formed on this resin film was thermocompression bonded to the green sheet, and the resin film was peeled off to transfer the conductor pattern to the surface of the green sheet. The 10 green sheets were aligned and laminated. Stacking at 80 ℃, 10
It was performed at MPa.

【0044】なお、導体パターン形成にあたっては、グ
リーンシートの周縁部からの距離wを表1のように設定
した。
In forming the conductor pattern, the distance w from the peripheral portion of the green sheet was set as shown in Table 1.

【0045】さらに、必要に応じて積層体の周縁部から
の距離がvの付近の上面および/または下面に、深さm
の切り込みを回転式円形カッター刃により入れた。
Further, if necessary, a depth m may be formed on the upper surface and / or the lower surface near the distance v from the peripheral portion of the laminate.
The notch was made with a rotary circular cutter blade.

【0046】次に、アルミナ粉末100質量部に対して
有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル樹脂を固
形分で10質量部、可塑剤としてフタル酸ジブチルを6
質量部添加し、ドクターブレード法により0.3mmの
厚みに形成死、焼成時に実質的に収縮しない拘束シート
を作製した。そして、この拘束シートを先の積層体の両
面に80℃、10MPaで加熱圧着した。
Next, with respect to 100 parts by mass of alumina powder, 10 parts by mass of isobutyl methacrylate resin as an organic binder and 6 parts of dibutyl phthalate as a plasticizer as an organic binder.
A part of the constraining sheet was added by adding a mass part, formed to a thickness of 0.3 mm by the doctor blade method, and did not substantially shrink during firing. Then, this constraining sheet was thermocompression-bonded to both surfaces of the previous laminate at 80 ° C. and 10 MPa.

【0047】その後、この積層体中の有機成分(バイン
ダー、可塑剤等)を分解除去するために水蒸気を含んだ
窒素雰囲気中で750℃、3時間の熱処理を行い残留炭
素量を300ppm以下に低減せしめた後、930℃で
1時間の焼成を行なった後、ウェットブラストを行い拘
束シートの除去を行なった。
Thereafter, in order to decompose and remove the organic components (binder, plasticizer, etc.) in the laminate, heat treatment is carried out at 750 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere containing water vapor to reduce the residual carbon amount to 300 ppm or less. After soaking, firing was performed at 930 ° C. for 1 hour, and then wet blasting was performed to remove the restraint sheet.

【0048】その後、必要に応じて、回転式円形カッタ
ー刃を用いて砥石切断することか、または切り込みに沿
って、折って破断する(折破断)あるいは砥石切断する
ことにより多層配線基板を得た。なお、切り込みを形成
しなかったものは、すべて砥石による切断を行なった。
その後、得られた多層配線基板における表面の配線回路
層に対して厚み3μmのニッケルめっき及び厚み1μm
の金めっきを行いすることにより多層配線基板を得た。 (評価)作製した多層配線基板100個に対して、電極
表面にメッキ処理を行った後の基板の周縁部における欠
けの発生ならびに層間剥離の発生個数をそれぞれ表1に
示した。
After that, if necessary, a multi-layer wiring board was obtained by cutting with a rotary circular cutter blade, or by breaking along the cuts (breaking) or cutting with a grinding stone. . In addition, all the pieces that did not have the cuts were cut with a grindstone.
After that, nickel plating with a thickness of 3 μm and thickness of 1 μm was applied to the wiring circuit layer on the surface of the obtained multilayer wiring board.
A multilayer wiring board was obtained by carrying out the gold plating. (Evaluation) Table 1 shows the number of occurrences of chipping and delamination at the peripheral portion of the substrate after plating the electrode surface with respect to 100 manufactured multilayer wiring substrates.

【0049】また、作製した100個の配線基板に対し
て、周縁部付近の配線回路層を横切るように砥石で切断
し、露出した配線回路層から内部配線回路層の位置ずれ
を観察し、設計値から配線回路層の寸法に0.1mm以
上のズレが発生したものの個数を表1に示した。その結
果を表1にまとめた。
Further, the 100 wiring boards thus prepared were cut with a grindstone so as to cross the wiring circuit layer near the peripheral edge, and the positional deviation of the internal wiring circuit layer from the exposed wiring circuit layer was observed to design. Table 1 shows the number of the wiring circuit layers having a deviation of 0.1 mm or more from the values. The results are summarized in Table 1.

【0050】[0050]

【表1】 [Table 1]

【0051】表1の結果によれば、従来、拘束シートに
よって焼成収縮を抑制しながら焼成した場合、焼成した
配線基板における周縁部には、図5に示されるような突
起aが形成されており、いたるところに欠けや層間剥離
が観察された。しかも、配線回路層形成箇所wが3mm
以内の場合には、配線基板の厚み方向における中央部に
位置する配線回路層に寸法のズレが多数発生していた。
配線回路層の形成箇所wが5mm以下の試料No.3で
は配線回路層のズレは解消されたが、欠けが大量に発生
した。また、切り込み深さが1mmを超えると、焼成中
にシートが一部破断し周縁部における変形が大きいもの
であった。
According to the results shown in Table 1, conventionally, when firing is performed while restraining firing shrinkage by the restraint sheet, protrusions a as shown in FIG. 5 are formed on the peripheral portion of the fired wiring board. However, chipping and delamination were observed everywhere. Moreover, the wiring circuit layer formation portion w is 3 mm
Within the range, many dimensional deviations occurred in the wiring circuit layer located in the central portion in the thickness direction of the wiring board.
Sample No. with a wiring circuit layer formation location w of 5 mm or less In No. 3, the deviation of the wiring circuit layer was resolved, but a large number of chips were generated. Further, when the cutting depth was more than 1 mm, the sheet was partially broken during firing and the deformation at the peripheral portion was large.

【0052】これに対して、本発明品は、いずれも欠け
や層間剥離が顕著に抑制され、しかも周縁部付近におけ
る配線回路層の寸法のずれの発生も抑制することができ
た。
On the other hand, in each of the products of the present invention, chipping and delamination were remarkably suppressed, and the occurrence of dimensional deviation of the wiring circuit layer in the vicinity of the peripheral portion could be suppressed.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、焼
成時に収縮しないセラミックシートを用いて焼成収縮を
抑制しながら焼成して、寸法精度の高い多層配線基板を
得るにあたって、配線回路層を焼成前の積層体の周縁部
より所定の内側に形成し、また、その周辺部を切断加工
することによって、焼成後において配線回路層の寸法の
ずれの発生や、配線基板の側端面での欠けやクラック等
の発生を防止することができる。
As described above in detail, according to the present invention, when a ceramic sheet that does not shrink during firing is fired while suppressing firing shrinkage, a multilayer circuit board with high dimensional accuracy can be obtained in order to obtain a wiring circuit layer. Is formed on a predetermined inner side of the peripheral portion of the laminated body before firing, and by cutting the peripheral portion of the laminated body, deviation of dimensions of the wiring circuit layer after firing and occurrence of a side end surface of the wiring board It is possible to prevent the occurrence of chips and cracks.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】セラミック多層配線基板の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a ceramic multilayer wiring board.

【図2】本発明の多層配線基板の製造方法を説明するた
めの工程図である。
FIG. 2 is a process drawing for explaining the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【図3】本発明の多層配線基板の製造方法における多数
個の配線基板を作製する場合の切り込みの形成箇所を説
明するための平面図である。
FIG. 3 is a plan view for explaining a cut forming portion when a large number of wiring boards are manufactured in the method for manufacturing a multilayer wiring board according to the present invention.

【図4】本発明の多層配線基板における側端部の構造を
説明するための概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view for explaining a structure of a side end portion of the multilayer wiring board of the present invention.

【図5】従来の方法によって得られる多層配線基板の側
端面の断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a side end surface of a multilayer wiring board obtained by a conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 多層配線基板 2 絶縁基板 3 配線回路層 4 ビアホール導体 5 電子部品 11 グリーンシート 14 切り込み 15 積層体 16 拘束シート 1 Multilayer wiring board 2 insulating substrate 3 wiring circuit layer 4 Via hole conductor 5 electronic components 11 green sheets 14 notches 15 laminate 16 Restraint sheet

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 哲也 鹿児島県国分市山下町1番4号 京セラ株 式会社総合研究所内 Fターム(参考) 5E338 AA03 AA18 BB47 BB66 CC01 EE21 5E346 AA12 AA15 AA24 AA38 BB01 CC18 CC31 CC60 DD02 DD34 EE24 EE29 GG03 GG08 GG09 GG10 HH11 HH33    ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    (72) Inventor Tetsuya Kimura             Kyocera Co., Ltd. 1-4 Yamashita Town, Kokubun City, Kagoshima Prefecture             Shikisha Research Institute F term (reference) 5E338 AA03 AA18 BB47 BB66 CC01                       EE21                 5E346 AA12 AA15 AA24 AA38 BB01                       CC18 CC31 CC60 DD02 DD34                       EE24 EE29 GG03 GG08 GG09                       GG10 HH11 HH33

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】セラミックグリーンシートの周縁部から3
mm以上内側の領域に配線回路層を形成する工程と、前
記配線回路層を形成したグリーンシートを複数層積層す
る工程と、前記積層体の少なくとも一方の表面の周辺部
に、平面的にみて前記配線回路層を横切らないように深
さ0.01〜1mmの切り込みを形成する工程と、前記
切り込みを形成した前記積層体の表面に、焼成時に収縮
しないセラミックシートを積層し、焼成して平面方向の
焼成収縮を抑制しながら焼成する工程と、焼成後のセラ
ミックシートを除去する工程と、前記焼成後の積層体の
少なくとも周辺部を前記切り込みに沿って切断除去する
工程と、を具備することを特徴とするセラミック多層配
線基板の製造方法。
1. A ceramic green sheet 3 from the peripheral portion.
mm, a step of forming a wiring circuit layer in the inner region, a step of stacking a plurality of green sheets on which the wiring circuit layer is formed, and a peripheral portion of at least one surface of the laminate in plan view. A step of forming a notch having a depth of 0.01 to 1 mm so as not to traverse the wiring circuit layer, and a ceramic sheet that does not shrink during firing is laminated on the surface of the laminate in which the notch is formed, and then fired to obtain a planar direction. Firing while suppressing firing shrinkage, a step of removing the fired ceramic sheet, and a step of cutting and removing at least the peripheral portion of the fired laminate along the notches. A method for manufacturing a characteristic ceramic multilayer wiring board.
【請求項2】セラミックグリーンシートの周縁部から3
mm以上内側の領域に配線回路層を形成する工程と、前
記配線回路層を形成したセラミックグリーンシートを複
数層積層する工程と、該積層体の表面に、焼成時に収縮
しないセラミックシートを積層し、焼成して平面方向の
焼成収縮を抑制しながら焼成する工程と、焼成後のセラ
ミックシートを除去する工程と、前記焼成後の積層体の
少なくとも周辺部を前記配線回路層を横切らないように
切断除去する工程と、を具備することを特徴とするセラ
ミック多層配線基板の製造方法。
2. A ceramic green sheet having a peripheral portion 3
a step of forming a wiring circuit layer in an area on the inside of mm or more, a step of laminating a plurality of ceramic green sheets having the wiring circuit layer formed thereon, and a step of laminating a ceramic sheet which does not shrink during firing on the surface of the laminated body, A step of firing and firing while suppressing firing shrinkage in the plane direction, a step of removing the fired ceramic sheet, and a cutting removal of at least the peripheral portion of the fired laminate so as not to cross the wiring circuit layer. The method for manufacturing a ceramic multilayer wiring board, comprising:
【請求項3】セラミックグリーンシート積層体の両面に
焼成温度で実質的に収縮しないセラミックシートを積層
して焼成した後、前記収縮しないセラミックシートを除
去して得られる、厚みが0.3mm以上のセラミック多
層配線基板において、該多層配線基板の側端面のうち、
少なくとも4つの側端面における厚み方向の中央部が破
断面またはカット面によって形成され、該中央部から表
面側および/または裏面側の部分が0.01〜1mmに
わたって焼き肌面によって形成されていることを特徴と
するセラミック多層配線基板。
3. A ceramic green sheet laminate having a thickness of 0.3 mm or more obtained by laminating on both sides a ceramic sheet that does not substantially shrink at the firing temperature and firing, and then removing the non-shrinkable ceramic sheet. In the ceramic multilayer wiring board, of the side end surfaces of the multilayer wiring board,
A central portion in the thickness direction of at least four side end surfaces is formed by a fracture surface or a cut surface, and a portion from the central portion on the front surface side and / or the back surface side is formed by a burnt surface over 0.01 to 1 mm. Ceramic multilayer wiring board characterized by.
【請求項4】セラミックグリーンシート積層体の両面に
焼成温度で実質的に収縮しないセラミックシートを積層
して焼成した後、前記収縮しないセラミックシートを除
去して得られる、厚みが0.3mm以上のセラミック多
層配線基板において、該多層配線基板の側端面のうち、
少なくとも4つの側端面がカット面からなることを特徴
とするセラミック多層配線基板。
4. A ceramic green sheet laminate having a thickness of 0.3 mm or more, which is obtained by laminating a ceramic sheet that does not substantially shrink at a firing temperature on both sides and firing, and then removing the ceramic sheet that does not shrink. In the ceramic multilayer wiring board, of the side end surfaces of the multilayer wiring board,
A ceramic multilayer wiring board, wherein at least four side end surfaces are cut surfaces.
【請求項5】前記側端面には、外部と接続するための電
極を持たないことを特徴とする請求項3または請求項4
記載のセラミック多層配線基板。
5. The side end surface is not provided with an electrode for connecting to the outside, and the side end surface is not provided with an electrode.
The described ceramic multilayer wiring board.
JP2002047088A 2002-02-22 2002-02-22 Method for producing ceramic multilayer printed wiring board and ceramic multilayer printed wiring board Pending JP2003249755A (en)

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