JP2003248921A - 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体及びその製造方法Info
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Abstract
層に存在する初期成長層を低減し、磁気特性・電磁変換
特性を向上させること。 【解決手段】 非磁性基体1上に下地層2、磁気記録層
3、保護膜4及び潤滑材層5が順に形成されて垂直媒体
が構成される。下地層2は、磁気記録層を垂直配向させ
る目的で設けられる。磁気記録層3は薄膜領域での特性
向上のため、基板に正バイアスを印加しながら形成され
る。また、記録特性を向上させるために、非磁性基体1
と下地層2の間に、軟磁性裏打ち層11を設け、二層媒
体とすることもできる。
Description
搭載される垂直磁気記録媒体及びその製造方法に関す
る。
て、従来の長手磁気記録方式に代えて、垂直磁気記録方
式が注目されつつある。
磁気記録層と、磁気記録層を目的の方向に配向させるた
めの下地層、磁気記録層の表面を保護する保護膜、そし
てこの記録層への記録に用いられる磁気ヘッドが発生す
る磁束を集中させる役割を担う軟磁性材料の裏打ち層か
ら構成される。軟磁性裏打ち層は、ある方が媒体の性能
は高くなるが、無くても記録は可能なため、除いた構成
となる場合もある。このような軟磁性裏打ち層が無いも
のを単層媒体、あるものを二層媒体と呼ぶ。
録媒体と同様、高記録密度化の為には、高熱安定性と低
ノイズ化の両立が必須である。現在、垂直記録媒体の記
録層には、長手磁気記録媒体の磁気記録層に用いられる
CoCr合金結晶材料を流用して広く研究・開発が行わ
れており、この場合垂直磁気記録媒体においても、熱安
定性を高めるためには結晶磁気異方性定数Kuを増加さ
せること、低ノイズ化のためには、磁気記録層結晶粒径
の微細化と共に磁気的な粒間相互作用を小さくすること
が重要である。このうち、磁性層結晶粒微細化の手段と
しては、磁性層の組成を工夫することや、磁性層の直下
に用いる下地層により結晶サイズを制御する方法などが
あるが、前述のような工夫を用いても、通常、磁性層膜
厚が厚くなるほど結晶サイズは大きくなるため、磁性層
薄膜化は、高記録密度化に必須事項である。
体における磁気記録層には、全く磁化を持たないか或い
は面内方向に磁化成分を持つ数nm程度の厚さの「初期
成長層」が存在した。これが、磁気記録層全体としての
保磁力Hcや角型比Sの低下、Kuの低下など、磁気特
性の劣化を引き起こしていた。
厚を下げた場合、相対的に初期成長層の占める割合が大
きくなり、その結果、記録再生特性で重要なパラメータ
であるSNR(信号対雑音比)が低下してしまう。
定性や低ノイズ化、及び磁気記録層薄膜化の障害となっ
ていた。
解消した垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する
ことにある。
気記録の性能向上のためには、初期成長層領域をできる
だけ小さくすることが必要である。この初期層での特性
劣化は、薄膜領域でのCoの結晶性及び垂直配向性が悪
いことに起因する。従って、薄膜領域から良好な結晶性
・垂直配向性を得ることが、課題を解決するために必要
であった。このような磁性層初期層問題について鋭意検
討した結果、基板に正バイアスを印加しながら磁気記録
層を形成することにより、初期成長層を低減させられる
ことが明らかとなった。この効果は、スパッタ時の正バ
イアス印加により基板近傍にプラズマを引き寄せ、熱電
子が基板に入射し、表面マイグレーションが促進される
ことによりもたらされる。
くとも下地層、磁気記録層、保護膜及び潤滑剤層を順次
積層して垂直磁気記録媒体を製造する際に、前記非磁性
基体に正バイアス電圧を印加しながら当該非磁性基体上
に磁気記録層を形成することを特徴とする。
前記非磁性基体とアース間に流れる電流値をIbとし、
その際ターゲットとアース間に流れる電流値をItとし
た場合、前記正バイアス電圧の大きさが、It<Ibと
なるような値にすることができる。
化させながら磁気記録層を形成することができる。
化させるにあたって、前記正バイアス電圧の印加により
前記非磁性基体とアース間に流れる電流値をIbとし、
その際ターゲットとアース間に流れる電流値をItとし
た場合、前記正バイアス電圧の大きさを少なくとも一時
的に、It<Ibとなるようにすることができる。
された垂直磁気記録媒体を特徴とする。
態について説明する。
る。垂直媒体は非磁性基体1上に少なくとも下地層2、
磁気記録層3、及び保護膜4が順に形成された構造を有
しており、さらにその上に潤滑材層5が形成されてい
る。
体用に用いられる、NiPメッキを施したAl合金や強
化ガラス、結晶化ガラス等を用いることができる。ま
た、基板加熱温度を100℃以内に抑える場合は、ポリ
カーボネイト、ポリオレフィン等の樹脂からなるプラス
チック基板を用いることもできる。
目的で設けられる。例えば、磁性層のa軸格子定数とミ
スフィットの小さい六方細密充填構造を取るTi,Z
r,Ru,Zn,Tc,Re等の金属或いはその合金
や、面心立方格子構造をとり、かつ{(a軸格子定数)
×1/√2}の値と、磁気記録層a軸格子定数のミスフ
ィットの小さいCu,Rh,Pd,Ag,Ir,Pt,
Au,Ni,Co等の金属或いはその合金が好適に用い
られる。膜厚としては、薄い方が好ましいが、十分な結
晶配向を得るために、おおむね3〜50nmとすること
が好ましい。
含む合金の強磁性材料が好適に用いられ、その六方細密
充填構造のc軸が膜面に垂直方向に配向していることが
垂直磁気記録媒体として用いるために必要である。
板に正バイアスを印加しながら形成される。バイアス印
加電圧の大きさとしては、基板〜アース間の電流値をI
b、ターゲット〜アース間の電流値をItとした場合、
It<Ibの時、基板〜アース間にプラズマが発生し、
基板への熱電子入射の効果が最適となるため、このよう
になるバイアス印加電圧値を用いるのが好ましい。ま
た、熱電子の入射量はバイアス印加時間にも依存するこ
とから、長時間のバイアス印加は加熱過剰による結晶粒
の肥大化を招く可能性がある。従って、初期成長層の存
在する膜厚20nm以下にのみバイアス印加を行い、そ
れ以降はバイアス印加せずに形成する方法や、最初に印
加した電圧値を変動させながらバイアス印加する方法が
効果的である。
薄膜が用いられる。
ーテル系の液体潤滑剤を用いることができる。
性基体1と下地層2の間に、軟磁性裏打ち層11を設
け、二層媒体とすることができる。軟磁性層としては、
結晶のNiFe合金、センダスト(FeSiAl)合金
等、微結晶のFeTaC、非晶質のCo合金であるCo
ZrNbなどを用いることができる。膜厚としては、厚
い方が好ましいが、生産性との兼ね合いから、500n
m以下とするのが好ましい。
ラス基板(例えばHOYA社製N−10ガラス基板)を
用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入し、Ti15
Crターゲットを用いてTiCr下地層を30nm成膜
した。引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が
250℃になるように加熱を行った。その後、Co22
Cr10Ptターゲットを用い、CoCrPt磁気記録
層を成膜するが、その際基板にバイアス端子を接触さ
せ、直流電源を用いて一定の直流電圧を印加しながら成
膜した。磁気記録層膜厚を20nmとし、印加バイアス
電圧Vbを0〜200Vの範囲で変化させた。この際、
アース〜バイアス間の電流値Ib及びアースターゲット
間の電流値Itを同時に測定した。最後にカーボンター
ゲットを用いてカーボンからなる保護膜10nmを成膜
後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱を除くこれら
の成膜は全てArガス圧5mTorr下でDCマグネト
ロンスパッタリング法により行った。その後、パーフル
オロポリエーテルからなる液体潤滑材層2nmをディッ
プ法により形成し、単層垂直磁気記録媒体とした。
な化学強化ガラス基板(例えばHOYA社製N−10ガ
ラス基板)を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入
し、Ti15Crターゲットを用いてTiCr下地層を
30nm成膜した。引き続いてランプヒータを用いて基
板表面温度が250℃になるように加熱を行った。その
後、Co22Cr10Ptターゲットを用い、CoCr
Pt磁気記録層を成膜するが、その際、基板にバイアス
端子を接触させ、直流電源を用いて+150Vの直流電
圧を印加しながら成膜した。この方法で、磁気記録層の
膜厚を10,15,20nmと変化させた。最後にカー
ボンターゲットを用いてカーボンからなる保護膜10n
mを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ加熱を除
くこれらの成膜は全てArガス圧5mTorr下でDC
マグネトロンスパッタリング法により行った。その後、
パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材層2nm
をディップ法により形成し、単層垂直磁気記録媒体とし
た。
0VのDC電圧を印加しながら最初の5nmを形成し、
それ以上は印加電圧0Vで形成すること以外は、全て実
施例2と同様にして単層垂直磁気記録媒体を作製した。
て、バイアス印加を全く行わずに磁気記録層を形成する
こと以外は実施例2と全く同様にして単層垂直磁気記録
媒体を作製した。
な化学強化ガラス基板(例えばHOYA社製N−10ガ
ラス基板)を用い、これを洗浄後スパッタ装置内に導入
し、Co5Zr9Nbターゲットを用いて、CoZrN
b軟磁性裏打ち層を300nm形成し、Ti15Crタ
ーゲットを用いてTiCr下地層を10nm成膜した。
引き続いてランプヒータを用いて基板表面温度が250
℃になるように加熱を行った。その後、基板にバイアス
端子を接触させ、直流電源を用いて+150Vの直流電
圧を印加しながら、Co22Cr10Ptターゲットを
用い、CoCrPt磁気記録層20nmを成膜した。最
後にカーボンターゲットを用いてカーボンからなる保護
膜10nmを成膜後、真空装置から取り出した。ヒータ
加熱を除くこれらの成膜は全てArガス圧5mTorr
下でDCマグネトロンスパッタリング法により行った。
その後、パーフルオロポリエーテルからなる液体潤滑材
層2nmをディップ法により形成し、二層垂直磁気記録
媒体とした。
0VのDC電圧を印加しながら最初の5nmを形成し、
それ以上は印加電圧0Vで形成すること以外は、全て実
施例3と同様にして二層垂直磁気記録媒体を作製した。
て、バイアス印加を行わずに磁気記録層を形成すること
以外は実施例3と全く同様にして二層垂直磁気記録媒体
を作製した。
及び角型比Sの印加バイアス電圧Vb依存性を示す。H
c,Sの値は、VSM(振動試料磁力計)で測定したヒ
ステリシスループより求めた。印加電圧50Vまでは、
Hc,S共に、印加電圧0Vの時と変化しない。印加電
圧75V以上でHc,Sはそれぞれ増加する。
流Ib及びターゲット電流Itの印加バイアス電圧Vb
依存性を示す。印加電圧0〜50Vの範囲ではIt>I
bとなり、50〜75Vの間で大きさの関係は逆転し、
It<Ibとなる。前述したHc,SのVb依存性と併
せて考えると、It<Ibとなる領域で磁気特性の向上
が見られる。これは、It<Ibとなる領域では基板〜
アース間にプラズマが発生し、基板への熱電子入射が効
率良く行われたためである。
較例1における、各磁性層膜厚における保磁力Hc、角
型比S、結晶磁気異方性定数Ku及び磁化容易軸の配向
分散Δθ50を示す。Hc,Sの値は、VSM(振動試
料磁力計)で測定したヒステリシスループより求めた。
Kuの値は、トルクメーターを用いて測定したトルク曲
線より求めた。Δθ50の値は、X線回折装置を用いロ
ッキングカーブ法より求めた。
膜厚10〜20nmにおいては、バイアス印加しない比
較例1に比べ、Hc,S共にバイアスを印加した実施例
2及び3の方が大きい。この結果より、バイアス印加の
効果で初期層が改善されていることがわかる。磁性層膜
厚30nmに注目すると、磁性層成膜終了までバイアス
を印加し続けた実施例2は、印加しない比較例1に比
べ、Hcは同等であるが、Sは低下してしまう。初期層
5nmにのみバイアスを印加した実施例3では、Hc,
S共に増加する。
べ、バイアスを印加した実施例2及び3では大幅な向上
が見られ、実用的な膜厚と考えられる磁性層膜厚15〜
20nmでは2倍以上の値であった。磁化容易軸の配向
分散Δθ50についてみると、比較例1に比べ、実施例
2及び3は各磁性層膜厚で小さくなっており、特に磁性
層膜厚10nmの薄膜領域での改善が著しい。このよう
なKu増加と配向分散の低減は、バイアス印加による結
晶性向上のためである。よって、先に述べたHc,Sの
向上は、バイアス印加により、磁性層薄膜領域における
非磁性領域や面内磁化成分領域が減少し、垂直磁化成分
が増加していることを示唆している。
印加により、Kuが大幅に向上し、配向分散が低下し、
磁気特性改善に効果が見られた。
較例2における、規格化ノイズとSNR及び磁性層の平
均結晶粒径をそれぞれ示す。規格化ノイズ及びSNRの
電磁変換特性は、GMRヘッドを用いてスピンスタンド
テスターにて測定した、線記録密度400kFCIでの
値である。磁性層の平均結晶粒径はTEM(透過電子顕
微鏡)を用い、平面観察より求めた。
アス印加した4及び5はそれぞれノイズも低下し、SN
Rが向上した。TEM観察結果から、実施例5と比較例
2とを比べると、平均粒径は等しいが、実施例4は比較
例2より若干大きくなっている。電磁変換特性と併せて
考えると、実施例5は、比較例2に比べ、結晶粒の大き
さは変わらずに結晶性が向上しているため、SNRが向
上している。実施例4は、結晶性は向上しているもの
の、粒径が肥大化しかけているため、実施例5よりはノ
イズが高く、SNRに劣っている。
加することにより、結晶粒径を変えずに結晶性を向上さ
せ、ノイズを低減し、SNRを改善できることが明らか
となった。
ス印加を行うことにより、磁気記録層に存在する初期成
長層を低減し、磁気特性・電磁変換特性を向上させるこ
とができる。これにより、磁気記録層の薄膜化も可能に
なる。
力Hcと角型比Sの印加バイアス電圧Vb依存性を示し
た図である。
ット電流Itの印加バイアス電圧Vb依存性を示した図
である。
により求めた保磁力Hcと角型比S、トルク測定により
求めた結晶磁気異方性定数Ku及びX線回折測定より求
めた配向分散Δθ50を第一表として示す図である。
性評価より求めた線記録密度400kFCIにおける規
格化ノイズ及びSNR及びTEM観察より求めた磁性層
の平均結晶粒径を第二表として示す図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 非磁性基体上に少なくとも下地層、磁気
記録層、保護膜及び潤滑剤層を順次積層して垂直磁気記
録媒体を製造する際に、前記非磁性基体に正バイアス電
圧を印加しながら当該非磁性基体上に磁気記録層を形成
することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項2】 請求項1において、 前記正バイアス電圧の印加により前記非磁性基体とアー
ス間に流れる電流値をIbとし、その際ターゲットとア
ース間に流れる電流値をItとした場合、前記正バイア
ス電圧の大きさが、It<Ibとなるような値であるこ
とを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 【請求項3】 請求項1において、 前記正バイアス電圧の大きさを変化させながら磁気記録
層を形成することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項4】 請求項3において、 前記正バイアス電圧の印加により前記非磁性基体とアー
ス間に流れる電流値をIbとし、その際ターゲットとア
ース間に流れる電流値をItとした場合、前記正バイア
ス電圧の大きさを少なくとも一時的に、It<Ibとな
るようにすることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造
方法。 - 【請求項5】 請求項1〜4のいずれかの方法を用いて
製造された垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2002043685A JP4174998B2 (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
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Publications (3)
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JP2003248921A5 JP2003248921A5 (ja) | 2005-07-14 |
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-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002043685A patent/JP4174998B2/ja not_active Expired - Lifetime
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