JP2003247957A - 表面異物検査装置 - Google Patents
表面異物検査装置Info
- Publication number
- JP2003247957A JP2003247957A JP2002049918A JP2002049918A JP2003247957A JP 2003247957 A JP2003247957 A JP 2003247957A JP 2002049918 A JP2002049918 A JP 2002049918A JP 2002049918 A JP2002049918 A JP 2002049918A JP 2003247957 A JP2003247957 A JP 2003247957A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- foreign matter
- light
- cylindrical
- matter inspection
- lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異物検査に要する時間の短縮化と高い検出感
度を実現した表面異物検査装置を提供する。 【解決手段】 被検査物４上の異物を光学的手段を用い
て検査する表面異物検査装置であって、被検査物４を載
置して移動するステージ４ａと、被検査物４の表面に光
を照射する光照射手段５と、被検査物４上の異物による
散乱光３ａを反射させて平行光３ｂとするシリンドリカ
ルミラー１および当該平行光３ｂを集束させる集束レン
ズ２を備えた集光手段１２と、当該集束された光を検出
する光検出手段６と、光検出手段６の出力信号および異
物の被検査物４上における位置情報を処理する情報処理
装置１００とを備える。
度を実現した表面異物検査装置を提供する。 【解決手段】 被検査物４上の異物を光学的手段を用い
て検査する表面異物検査装置であって、被検査物４を載
置して移動するステージ４ａと、被検査物４の表面に光
を照射する光照射手段５と、被検査物４上の異物による
散乱光３ａを反射させて平行光３ｂとするシリンドリカ
ルミラー１および当該平行光３ｂを集束させる集束レン
ズ２を備えた集光手段１２と、当該集束された光を検出
する光検出手段６と、光検出手段６の出力信号および異
物の被検査物４上における位置情報を処理する情報処理
装置１００とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面異物検査装置
に関する。
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程での製造歩留
まりの低下は、製品のコストの上昇に直接影響を及ぼす
ため、製造歩留まりの向上が重要な課題になっている。
製造歩留まりの低下を招く主要な要因として、半導体基
板上への異物の付着が挙げられることから、異物付着の
状況を高感度で効率的に検出する技術が強く求められて
いる。
まりの低下は、製品のコストの上昇に直接影響を及ぼす
ため、製造歩留まりの向上が重要な課題になっている。
製造歩留まりの低下を招く主要な要因として、半導体基
板上への異物の付着が挙げられることから、異物付着の
状況を高感度で効率的に検出する技術が強く求められて
いる。
【０００３】従来より、半導体基板上の異物を検出する
技術としては、光学的手段を用いたものがよく知られて
いる。図９に、従来の光学的手段を用いた表面異物検査
装置の概略図を示す。表面異物検査装置は、光学系（照
射光学系５、検出光学系１２）と制御処理系（ステージ
４ａ、光検出器６、情報処理装置１００）により構成さ
れている。照射光学系５には、通常はレーザーが用いら
れる。検出光学系１２は、集光レンズ２と光学フィルタ
ー７ａにより構成され、半導体基板上の異物から散乱さ
れた光を集光するためのものである。
技術としては、光学的手段を用いたものがよく知られて
いる。図９に、従来の光学的手段を用いた表面異物検査
装置の概略図を示す。表面異物検査装置は、光学系（照
射光学系５、検出光学系１２）と制御処理系（ステージ
４ａ、光検出器６、情報処理装置１００）により構成さ
れている。照射光学系５には、通常はレーザーが用いら
れる。検出光学系１２は、集光レンズ２と光学フィルタ
ー７ａにより構成され、半導体基板上の異物から散乱さ
れた光を集光するためのものである。
【０００４】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、照
射光学系５からステージ４ａ上に載置したシリコンウエ
ハ４にレーザー光を照射する。そして、レーザー光の照
射位置に異物が存在するときに、当該異物により散乱さ
れた反射光を検出光学系１２に取り込み、検出光学系１
２で集束させて、集束光を光検出器６で電気信号に変換
する。この電気信号は、情報処理装置１００において処
理され、また、異物のシリコンウエハ４上における位置
情報も情報処理装置１００で処理されてシリコンウエハ
４上の異物が検査される。このような光学的手段を用い
た表面異物検査装置では、より微少なサイズの異物を高
感度に検出するため、照射光の強度を高めるか、光検出
器６の感度を高めるか、あるいは、光学系の集光能力を
向上させることで対応する。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、照
射光学系５からステージ４ａ上に載置したシリコンウエ
ハ４にレーザー光を照射する。そして、レーザー光の照
射位置に異物が存在するときに、当該異物により散乱さ
れた反射光を検出光学系１２に取り込み、検出光学系１
２で集束させて、集束光を光検出器６で電気信号に変換
する。この電気信号は、情報処理装置１００において処
理され、また、異物のシリコンウエハ４上における位置
情報も情報処理装置１００で処理されてシリコンウエハ
４上の異物が検査される。このような光学的手段を用い
た表面異物検査装置では、より微少なサイズの異物を高
感度に検出するため、照射光の強度を高めるか、光検出
器６の感度を高めるか、あるいは、光学系の集光能力を
向上させることで対応する。
【０００５】図９に示す通常の光学素子からなる検出光
学系１２を用いた場合、その集光能力を向上させるた
め、光学系のＮＡ（numerical aperture；開口数）を
増加させると、検出光学系１２のサイズが大きくなり、
照射光学系５からの照射光との干渉が問題となってく
る。
学系１２を用いた場合、その集光能力を向上させるた
め、光学系のＮＡ（numerical aperture；開口数）を
増加させると、検出光学系１２のサイズが大きくなり、
照射光学系５からの照射光との干渉が問題となってく
る。
【０００６】これに対し、検出光学系１２に光反射系の
光学素子、例えば、放物面ミラーを用いると、検出光学
系１２を比較的小さなサイズとして照射光との干渉を回
避しながら、被検査物上の広い走査範囲で反射光が取り
込めるようになる。
光学素子、例えば、放物面ミラーを用いると、検出光学
系１２を比較的小さなサイズとして照射光との干渉を回
避しながら、被検査物上の広い走査範囲で反射光が取り
込めるようになる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、こうした検出
光学系では、いわゆる収差を生じずに反射光を取り込め
る領域は放物面ミラーの光軸上の１点に限定されるた
め、被検査物上で検出光学系が反射光を取り込める物点
範囲が狭くなり、その結果、被検査物上での照射光学系
の走査範囲が小さくなって、照射光学系の被検査物上に
おける走査量が過大となり、異物検査に長時間を要して
いた。
光学系では、いわゆる収差を生じずに反射光を取り込め
る領域は放物面ミラーの光軸上の１点に限定されるた
め、被検査物上で検出光学系が反射光を取り込める物点
範囲が狭くなり、その結果、被検査物上での照射光学系
の走査範囲が小さくなって、照射光学系の被検査物上に
おける走査量が過大となり、異物検査に長時間を要して
いた。
【０００８】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点を解決し、異物検査に要する時間の短縮化と高い検
出感度を実現した表面異物検査装置を提供することにあ
る。
題点を解決し、異物検査に要する時間の短縮化と高い検
出感度を実現した表面異物検査装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を解決するた
め、本発明の表面異物検査装置においては、被検査物上
の異物を光学的手段を用いて検査する表面異物検査装置
であって、被検査物を載置して移動するステージと、被
検査物の表面に光を照射する光照射手段と、被検査物上
の異物による散乱光を反射させて平行光とする第一のシ
リンドリカルミラーおよび当該平行光を集束させる集束
レンズを備えた集光手段と、当該集束された光を検出す
る光検出手段と、光検出手段の出力信号および異物の被
検査物上における位置情報を処理する情報処理装置とを
備える。
め、本発明の表面異物検査装置においては、被検査物上
の異物を光学的手段を用いて検査する表面異物検査装置
であって、被検査物を載置して移動するステージと、被
検査物の表面に光を照射する光照射手段と、被検査物上
の異物による散乱光を反射させて平行光とする第一のシ
リンドリカルミラーおよび当該平行光を集束させる集束
レンズを備えた集光手段と、当該集束された光を検出す
る光検出手段と、光検出手段の出力信号および異物の被
検査物上における位置情報を処理する情報処理装置とを
備える。
【００１０】これにより、被検査物上で検出光学系が反
射光を取り込める物点範囲が被検査物上で拡がり、被検
査物上での照射光学系の走査範囲が大きくなり、照射光
を走査する距離が短くなって、異物検査に要する時間が
短縮化される。また、異物による散乱光が多量に取り込
めるようになり、表面異物検査装置の検出感度が高めら
れる。
射光を取り込める物点範囲が被検査物上で拡がり、被検
査物上での照射光学系の走査範囲が大きくなり、照射光
を走査する距離が短くなって、異物検査に要する時間が
短縮化される。また、異物による散乱光が多量に取り込
めるようになり、表面異物検査装置の検出感度が高めら
れる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明による表面異物検査
装置について、図面を参照しながら説明する。
装置について、図面を参照しながら説明する。
【００１２】（実施の形態１）図１に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、円柱面または略円柱面を有するシリンドリカルミ
ラー１と、回転対称な形状を有する集束レンズ２により
検出光学系１２を構成した以外は、前記した従来の表面
異物検査装置と同様である。１ａはシリンドリカルミラ
ー１の延長面（仮想）、１ｂはシリンドリカルミラー１
の光軸、１１は照射光学系５による照射位置である。光
検出器６の内部には、集束光の焦点位置にスリット８
と、集束光の強度を検出する検出せンサー６ａが配置さ
れている。その他、図９と対応する部分については同じ
符号を付してその説明を省略する。なお、検出光学系１
２は以下の実施の形態においても、ミラーとレンズより
構成される。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、円柱面または略円柱面を有するシリンドリカルミ
ラー１と、回転対称な形状を有する集束レンズ２により
検出光学系１２を構成した以外は、前記した従来の表面
異物検査装置と同様である。１ａはシリンドリカルミラ
ー１の延長面（仮想）、１ｂはシリンドリカルミラー１
の光軸、１１は照射光学系５による照射位置である。光
検出器６の内部には、集束光の焦点位置にスリット８
と、集束光の強度を検出する検出せンサー６ａが配置さ
れている。その他、図９と対応する部分については同じ
符号を付してその説明を省略する。なお、検出光学系１
２は以下の実施の形態においても、ミラーとレンズより
構成される。
【００１３】図１における座標系については、以下の通
りとする。即ち、検出光学系１２については、シリンド
リカルミラー１の光軸１ｂとシリンドリカルミラー１の
延長面１ａの交点（図中の点Ｏ）を原点とし、光軸１ｂ
の方向をｚ軸、光軸１ｂと垂直かつシリンドリカルミラ
ー１のレンズ作用を有する方向と平行な方向をｙ軸、ｚ
軸とｙ軸に垂直な方向をｘ軸とし、各軸の方向は図中に
示すとおりとする。また、ステージ４ａについては、ス
テージ４ａ上にあって光軸１ｂのステージ４ａへの投影
線と平行な方向をＹ方向とし、ステージ４ａ上にあって
Ｙ方向と垂直な方向をＸ方向とする。
りとする。即ち、検出光学系１２については、シリンド
リカルミラー１の光軸１ｂとシリンドリカルミラー１の
延長面１ａの交点（図中の点Ｏ）を原点とし、光軸１ｂ
の方向をｚ軸、光軸１ｂと垂直かつシリンドリカルミラ
ー１のレンズ作用を有する方向と平行な方向をｙ軸、ｚ
軸とｙ軸に垂直な方向をｘ軸とし、各軸の方向は図中に
示すとおりとする。また、ステージ４ａについては、ス
テージ４ａ上にあって光軸１ｂのステージ４ａへの投影
線と平行な方向をＹ方向とし、ステージ４ａ上にあって
Ｙ方向と垂直な方向をＸ方向とする。
【００１４】本装置を用いて、被検査物であるシリコン
ウエハ４上の異物は、次のようにして検査することがで
きる。即ち、ステージ４ａをＸ−Ｙ方向に所定のパター
ンに従って走査しながら、照射光学系５からステージ４
ａ上に載置したシリコンウエハ４に光を照射する。この
とき、照射光の照射位置に異物が存在すると、照射光は
異物により散乱されて散乱光３ａが発生する。ここで
は、いわゆる収差を生じさせずに散乱光３ａを取り込む
ため、照射位置１１がシリンドリカルミラー１の光軸１
ｂ上になるように光を照射するのが好ましい。
ウエハ４上の異物は、次のようにして検査することがで
きる。即ち、ステージ４ａをＸ−Ｙ方向に所定のパター
ンに従って走査しながら、照射光学系５からステージ４
ａ上に載置したシリコンウエハ４に光を照射する。この
とき、照射光の照射位置に異物が存在すると、照射光は
異物により散乱されて散乱光３ａが発生する。ここで
は、いわゆる収差を生じさせずに散乱光３ａを取り込む
ため、照射位置１１がシリンドリカルミラー１の光軸１
ｂ上になるように光を照射するのが好ましい。
【００１５】散乱光３ａを検出光学系１２に取り込み、
シリンドリカルミラー１で反射させて光軸１ｂと平行な
方向に進行する平行光３ｂを、集束レンズ２で集束させ
て、光検出器６に導入し、集束光を焦点位置でスリット
８を通過させた後、検出センサー６ａで集束光の強度を
検出し、得られた情報を電気信号に変換する。
シリンドリカルミラー１で反射させて光軸１ｂと平行な
方向に進行する平行光３ｂを、集束レンズ２で集束させ
て、光検出器６に導入し、集束光を焦点位置でスリット
８を通過させた後、検出センサー６ａで集束光の強度を
検出し、得られた情報を電気信号に変換する。
【００１６】この電気信号は、情報処理装置１００で処
理され、異物の大きさや形状が判別される。また同時
に、異物のシリコンウエハ４上における位置情報もステ
ージ４ａから取り込まれ、情報処理装置１００によって
処理される。
理され、異物の大きさや形状が判別される。また同時
に、異物のシリコンウエハ４上における位置情報もステ
ージ４ａから取り込まれ、情報処理装置１００によって
処理される。
【００１７】シリンドリカルミラー１を用いることによ
り、照射光学系５のワーキングディスタンス、即ち、被
検査物上で検出光学系が反射光を取り込める物点範囲が
拡がると共に、異物によって散乱された散乱光３ａが選
択的かつ多量に取り込めるようになって、検出光学系１
２の集光能力が大幅に向上する。しかも、検出光学系１
２の装置内で占める領域も大きくならず、照射光学系５
の照射光との干渉が生じることもない。ただし、シリン
ドリカルミラー１は、その光軸１ｂとシリコンウエハ４
の表面がなす角θ（°）が、０°＜θ＜６０°となるよ
うに配置するのが好ましい。６０°以上であると、検出
光学系１２の装置内で占める領域が大きくなって、照射
光学系５の照射光との干渉が生じることがある。
り、照射光学系５のワーキングディスタンス、即ち、被
検査物上で検出光学系が反射光を取り込める物点範囲が
拡がると共に、異物によって散乱された散乱光３ａが選
択的かつ多量に取り込めるようになって、検出光学系１
２の集光能力が大幅に向上する。しかも、検出光学系１
２の装置内で占める領域も大きくならず、照射光学系５
の照射光との干渉が生じることもない。ただし、シリン
ドリカルミラー１は、その光軸１ｂとシリコンウエハ４
の表面がなす角θ（°）が、０°＜θ＜６０°となるよ
うに配置するのが好ましい。６０°以上であると、検出
光学系１２の装置内で占める領域が大きくなって、照射
光学系５の照射光との干渉が生じることがある。
【００１８】本実施の形態において、検出光学系１２
は、例えば、次の特性を有する光学素子を装置内で配置
して構成することができる。即ち、 Ｄ１（ｍｍ）：照射位置１１とシリンドリカルミラー１
の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離、 Ｒ１ｘ（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１のｚｘ平面に
よる断面形状の曲率半径、 Ｒ１ｙ（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１のｙｚ平面に
よる断面形状の曲率半径、 Ｄ１１（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１と集束レンズ
２の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離、 Ｄ２（ｍｍ）：集束レンズ２のレンズ厚、 Ｒ２１（ｍｍ）：集束レンズ２のｙｚ平面による光入射
面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２２（ｍｍ）：集束レンズ２のｙｚ平面による光出射
面側の断面形状の曲率半径、 Ｎｄ２（−）：集束レンズ２の光軸上の屈折率、 ｖｄ２（−）：集束レンズ２の光軸上のアッベ数とした
とき、 Ｄ１２（ｍｍ）：集束レンズ２と光検出器６の検出光学
系の光軸１ｂ方向における離間距離、 Ｄ１＝４０ｍｍ、Ｒ１ｘ＝∞ｍｍ、Ｒ１ｙ＝８０ｍｍ、
Ｄ１１＝４６．８３ｍｍ、Ｄ２＝１４０ｍｍ、Ｒ２１＝
４３．８１０４ｍｍ、Ｒ２２＝−２４０．８９６８ｍ
ｍ、Ｎｄ２＝１．６０９７０、ｖｄ２＝５７．８、Ｄ１
２＝３８．２８ｍｍである。
は、例えば、次の特性を有する光学素子を装置内で配置
して構成することができる。即ち、 Ｄ１（ｍｍ）：照射位置１１とシリンドリカルミラー１
の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離、 Ｒ１ｘ（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１のｚｘ平面に
よる断面形状の曲率半径、 Ｒ１ｙ（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１のｙｚ平面に
よる断面形状の曲率半径、 Ｄ１１（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１と集束レンズ
２の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離、 Ｄ２（ｍｍ）：集束レンズ２のレンズ厚、 Ｒ２１（ｍｍ）：集束レンズ２のｙｚ平面による光入射
面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２２（ｍｍ）：集束レンズ２のｙｚ平面による光出射
面側の断面形状の曲率半径、 Ｎｄ２（−）：集束レンズ２の光軸上の屈折率、 ｖｄ２（−）：集束レンズ２の光軸上のアッベ数とした
とき、 Ｄ１２（ｍｍ）：集束レンズ２と光検出器６の検出光学
系の光軸１ｂ方向における離間距離、 Ｄ１＝４０ｍｍ、Ｒ１ｘ＝∞ｍｍ、Ｒ１ｙ＝８０ｍｍ、
Ｄ１１＝４６．８３ｍｍ、Ｄ２＝１４０ｍｍ、Ｒ２１＝
４３．８１０４ｍｍ、Ｒ２２＝−２４０．８９６８ｍ
ｍ、Ｎｄ２＝１．６０９７０、ｖｄ２＝５７．８、Ｄ１
２＝３８．２８ｍｍである。
【００１９】また、シリンドリカルミラー１には、ｙｚ
平面による断面形状が、次式（１）で表される放物線状
のものが使用できる。
平面による断面形状が、次式（１）で表される放物線状
のものが使用できる。
【００２０】ｚ＝ｙ2／（２×ｒ）…（１）[ｒ＝８０ｍ
ｍ（＝Ｒ１ｙ）] また、集束レンズ２の光入射面側と光出射面側のそれぞ
れのｙｚ平面による断面形状を表わす式については、次
の一般式（２）を用い、
ｍ（＝Ｒ１ｙ）] また、集束レンズ２の光入射面側と光出射面側のそれぞ
れのｙｚ平面による断面形状を表わす式については、次
の一般式（２）を用い、
【００２１】
【数１】
【００２２】（ここで、ｈはｙ軸方向の原点Ｏからの距
離、ｚはｙ＝ｈの位置におけるｙ軸と断面形状の距離を
示す。） それぞれ、下記する数値を代入することで与えられる。
即ち、集束レンズ２の光入射面側の断面形状を表わす式
については、ｋ＝−０．３４７、ｒ＝４３．８ｍｍ（＝
Ｒ２１）、Ａ４＝−４．０５×１０ -7、Ａ６＝−１．７
８×１０-10、Ａ８＝−２．２６×１０-14、Ａ１０＝−
２．８１×１０-17の各数値を、また、集束レンズ２の
光出射面側の断面形状を表わす式については、ｋ＝−１
５．７３４、ｒ＝−２４０．９ｍｍ（＝Ｒ２２）、Ａ４
＝２．０６×１０-7、Ａ６＝−３．５７×１０-10、Ａ
８＝−７．９１×１０-14、Ａ１０＝−５．６８×１０
-17の各数値を、それぞれ上の一般式（２）に代入する
ことにより与えられる。
離、ｚはｙ＝ｈの位置におけるｙ軸と断面形状の距離を
示す。） それぞれ、下記する数値を代入することで与えられる。
即ち、集束レンズ２の光入射面側の断面形状を表わす式
については、ｋ＝−０．３４７、ｒ＝４３．８ｍｍ（＝
Ｒ２１）、Ａ４＝−４．０５×１０ -7、Ａ６＝−１．７
８×１０-10、Ａ８＝−２．２６×１０-14、Ａ１０＝−
２．８１×１０-17の各数値を、また、集束レンズ２の
光出射面側の断面形状を表わす式については、ｋ＝−１
５．７３４、ｒ＝−２４０．９ｍｍ（＝Ｒ２２）、Ａ４
＝２．０６×１０-7、Ａ６＝−３．５７×１０-10、Ａ
８＝−７．９１×１０-14、Ａ１０＝−５．６８×１０
-17の各数値を、それぞれ上の一般式（２）に代入する
ことにより与えられる。
【００２３】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００２４】本実施の形態において、照射光学系５の照
射光には、微小かつ安定な光束を得るため、レーザー光
を用いるのが好ましく、さらに異物の位置についてより
詳細な情報を得るため、レーザー光のスポット径は０．
００３〜０．０３ｍｍの範囲とするのが好ましい。ま
た、光検出器６においては、微小なスポット径の光束の
検出を可能とするため、検出センサー６ａに光電子増倍
管（フォトマル）を用いるのが好ましい。なお、照射光
は、レーザー光以外に、ランプによる可視光でも良く、
検出センサーには、光電子増倍管以外に、ＣＣＤを用い
ても良い。
射光には、微小かつ安定な光束を得るため、レーザー光
を用いるのが好ましく、さらに異物の位置についてより
詳細な情報を得るため、レーザー光のスポット径は０．
００３〜０．０３ｍｍの範囲とするのが好ましい。ま
た、光検出器６においては、微小なスポット径の光束の
検出を可能とするため、検出センサー６ａに光電子増倍
管（フォトマル）を用いるのが好ましい。なお、照射光
は、レーザー光以外に、ランプによる可視光でも良く、
検出センサーには、光電子増倍管以外に、ＣＣＤを用い
ても良い。
【００２５】本実施の形態によれば、検出光学系にシリ
ンドリカルミラーを用いることから、被検査物上で検出
光学系が反射光を取り込める物点範囲が被検査物上で拡
がり、被検査物上での照射光学系の走査範囲が大きくな
り、照射光を走査する距離が短くなって、異物検査に要
する時間が短縮化される。また、異物による散乱光が多
量に取り込めるようになり、表面異物検査装置の検出感
度が高められる。
ンドリカルミラーを用いることから、被検査物上で検出
光学系が反射光を取り込める物点範囲が被検査物上で拡
がり、被検査物上での照射光学系の走査範囲が大きくな
り、照射光を走査する距離が短くなって、異物検査に要
する時間が短縮化される。また、異物による散乱光が多
量に取り込めるようになり、表面異物検査装置の検出感
度が高められる。
【００２６】（実施の形態２）図２に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態１の検出光学系１２において、集束レ
ンズ２の代りに、シリンドリカルミラー１と光軸が略一
致するシリンドリカルミラー１０を用いた以外は、実施
の形態１の装置の構成（図１）と同様である。１０ａ
は、シリンドリカルミラー１０の延長面（仮想）であ
る。その他、図１と対応する部分については同じ符号を
付して、その説明を省略する。座標系についても、図１
と同様である。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態１の検出光学系１２において、集束レ
ンズ２の代りに、シリンドリカルミラー１と光軸が略一
致するシリンドリカルミラー１０を用いた以外は、実施
の形態１の装置の構成（図１）と同様である。１０ａ
は、シリンドリカルミラー１０の延長面（仮想）であ
る。その他、図１と対応する部分については同じ符号を
付して、その説明を省略する。座標系についても、図１
と同様である。
【００２７】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系に取り込
み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂと
し、次にシリンドリカルミラー１０で集束させて、集束
光を光検出器６に導入する。その後は、実施の形態１と
同様に処理する。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系に取り込
み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂと
し、次にシリンドリカルミラー１０で集束させて、集束
光を光検出器６に導入する。その後は、実施の形態１と
同様に処理する。
【００２８】本実施の形態において、検出光学系１２
は、例えば、シリンドリカルミラー１とシリンドリカル
ミラー１０に、実施の形態１のシリンドリカルミラー１
と同様な特性を有するものを用い、さらに、シリンドリ
カルミラー１とシリンドリカルミラー１０の検出光学系
の光軸１ｂ方向における離間距離Ｄ１００をＤ１００＝
３００ｍｍとして配置して構成することができる。
は、例えば、シリンドリカルミラー１とシリンドリカル
ミラー１０に、実施の形態１のシリンドリカルミラー１
と同様な特性を有するものを用い、さらに、シリンドリ
カルミラー１とシリンドリカルミラー１０の検出光学系
の光軸１ｂ方向における離間距離Ｄ１００をＤ１００＝
３００ｍｍとして配置して構成することができる。
【００２９】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００３０】なお、本実施の形態では、光検出器６に導
入される集束光は、Ｚ軸方向に幅を持った形状となるた
め、光検出器６の窓部の形状は縦長の略矩形形状とする
のが好ましい。
入される集束光は、Ｚ軸方向に幅を持った形状となるた
め、光検出器６の窓部の形状は縦長の略矩形形状とする
のが好ましい。
【００３１】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様な効果が得られる上、集束レンズ２の代りにシリンド
リカルミラー１０を用いることで、集束レンズ２による
収差が減少して、実施の形態１と比べ、散乱光３ａの集
光効率がさらに向上し、表面異物検査装置の検出感度が
高められる。
様な効果が得られる上、集束レンズ２の代りにシリンド
リカルミラー１０を用いることで、集束レンズ２による
収差が減少して、実施の形態１と比べ、散乱光３ａの集
光効率がさらに向上し、表面異物検査装置の検出感度が
高められる。
【００３２】（実施の形態３）図３に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態１の検出光学系１２において、シリン
ドリカルミラー１と集束レンズ２の間に、ｘ軸方向にレ
ンズ作用を有するシリンドリカルレンズ２ａを用いた以
外は、実施の形態１における表面異物検査装置の構成
（図１）と同様である。その他、図１と対応する部分に
ついては同じ符号を付して、その説明を省略する。座標
系についても、図１と同様である。なお、１５はシリン
ドリカルレンズ２ａと集束レンズ２のｚｘ平面による断
面図を示す（以下の実施の形態において、参照する図面
の対応部分は同様とする）。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態１の検出光学系１２において、シリン
ドリカルミラー１と集束レンズ２の間に、ｘ軸方向にレ
ンズ作用を有するシリンドリカルレンズ２ａを用いた以
外は、実施の形態１における表面異物検査装置の構成
（図１）と同様である。その他、図１と対応する部分に
ついては同じ符号を付して、その説明を省略する。座標
系についても、図１と同様である。なお、１５はシリン
ドリカルレンズ２ａと集束レンズ２のｚｘ平面による断
面図を示す（以下の実施の形態において、参照する図面
の対応部分は同様とする）。
【００３３】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａを
通過させ、シリンドリカルレンズ２ａにより、シリンド
リカルミラー１による反射時にｘ軸方向に拡散した光を
光軸１ｂと平行な方向に修正後、集束レンズ２で集束さ
せて、集束光を光検出器６に導入する。その後は、実施
の形態１と同様に処理する。シリンドリカルレンズ２ａ
は、シリンドリカルミラー１のレンズ作用を有する方向
とシリンドリカルレンズ２ａのレンズ作用を有する方向
とが略直交するように配置すると、シリコンウエハ４上
の異物からの散乱光３ａを効率的に集光することがで
き、好ましい。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａを
通過させ、シリンドリカルレンズ２ａにより、シリンド
リカルミラー１による反射時にｘ軸方向に拡散した光を
光軸１ｂと平行な方向に修正後、集束レンズ２で集束さ
せて、集束光を光検出器６に導入する。その後は、実施
の形態１と同様に処理する。シリンドリカルレンズ２ａ
は、シリンドリカルミラー１のレンズ作用を有する方向
とシリンドリカルレンズ２ａのレンズ作用を有する方向
とが略直交するように配置すると、シリコンウエハ４上
の異物からの散乱光３ａを効率的に集光することがで
き、好ましい。
【００３４】本実施の形態において、検出光学系１２
は、例えば、シリンドリカルミラー１と集束レンズ２
に、実施の形態１におけるそれら光学素子と同様な特性
のものを用いて装置内で同様に配置し、さらに、シリン
ドリカルレンズ２ａに、次の特性を有するものを、以下
のように配置して構成することができる。即ち、 Ｄ２０（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１とシリンドリ
カルレンズ２ａの検出光学系の光軸１ｂ方向における離
間距離、 Ｒ２３ａ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｙｚ平
面による光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２３ｂ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｚｘ平
面による光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２４ａ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｙｚ平
面による光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２４ｂ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｚｘ平
面による光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｄ２１（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのレンズ
厚、 Ｎｄ３（−）：シリンドリカルレンズ２ａの光軸上の屈
折率、 ｖｄ３（−）：シリンドリカルレンズ２ａの光軸上のア
ッベ数、 Ｄ２２（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａと集束レン
ズ２の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離とし
たとき、Ｄ２０＝１４０ｍｍ、Ｒ２３ａ＝∞ｍｍ、Ｒ２
３ｂ＝∞ｍｍ、Ｒ２４ａ＝−１５９．８ｍｍ、Ｒ２４ｂ
＝∞ｍｍ、Ｄ２１＝２８．５ｍｍ、Ｎｄ３＝１．８０５
１８、ｖｄ３＝２５．５、Ｄ２２＝２０ｍｍである。
は、例えば、シリンドリカルミラー１と集束レンズ２
に、実施の形態１におけるそれら光学素子と同様な特性
のものを用いて装置内で同様に配置し、さらに、シリン
ドリカルレンズ２ａに、次の特性を有するものを、以下
のように配置して構成することができる。即ち、 Ｄ２０（ｍｍ）：シリンドリカルミラー１とシリンドリ
カルレンズ２ａの検出光学系の光軸１ｂ方向における離
間距離、 Ｒ２３ａ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｙｚ平
面による光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２３ｂ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｚｘ平
面による光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２４ａ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｙｚ平
面による光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２４ｂ（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのｚｘ平
面による光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｄ２１（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａのレンズ
厚、 Ｎｄ３（−）：シリンドリカルレンズ２ａの光軸上の屈
折率、 ｖｄ３（−）：シリンドリカルレンズ２ａの光軸上のア
ッベ数、 Ｄ２２（ｍｍ）：シリンドリカルレンズ２ａと集束レン
ズ２の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離とし
たとき、Ｄ２０＝１４０ｍｍ、Ｒ２３ａ＝∞ｍｍ、Ｒ２
３ｂ＝∞ｍｍ、Ｒ２４ａ＝−１５９．８ｍｍ、Ｒ２４ｂ
＝∞ｍｍ、Ｄ２１＝２８．５ｍｍ、Ｎｄ３＝１．８０５
１８、ｖｄ３＝２５．５、Ｄ２２＝２０ｍｍである。
【００３５】また、シリンドリカルレンズ２ａには、ｚ
ｘ平面による断面形状が、前述した一般式（２）におい
て、ｋ＝−０．７６５、ｒ＝−１５９．８ｍｍ（＝Ｒ２
４ａ）、Ａ４＝０、Ａ６＝０、Ａ８＝０、Ａ１０＝０の
各数値を代入して得られる非円弧形のものが使用でき
る。
ｘ平面による断面形状が、前述した一般式（２）におい
て、ｋ＝−０．７６５、ｒ＝−１５９．８ｍｍ（＝Ｒ２
４ａ）、Ａ４＝０、Ａ６＝０、Ａ８＝０、Ａ１０＝０の
各数値を代入して得られる非円弧形のものが使用でき
る。
【００３６】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００３７】本実施の形態によれば、実施の形態１と同
様な効果が得られる上、シリンドリカルミラー１で反射
された散乱光の内、シリンドリカルミラー１のレンズ作
用を有する方向と直交する方向に拡散した光線による収
差がシリンドリカルレンズ２ａにより効果的に補正さ
れ、実施の形態１と比べ、散乱光３ａの集光効率がさら
に向上し、表面異物検査装置の検出感度が高められる。
様な効果が得られる上、シリンドリカルミラー１で反射
された散乱光の内、シリンドリカルミラー１のレンズ作
用を有する方向と直交する方向に拡散した光線による収
差がシリンドリカルレンズ２ａにより効果的に補正さ
れ、実施の形態１と比べ、散乱光３ａの集光効率がさら
に向上し、表面異物検査装置の検出感度が高められる。
【００３８】（実施の形態４）図４に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態２の検出光学系１２において、シリン
ドリカルミラー１とシリンドリカルミラー１０の間に、
それぞれの円柱面を対向させ、かつ、レンズ作用を有す
る方向を略一致させた一対のシリンドリカルレンズ２ａ
と２ｂを用いた以外は、実施の形態２における表面異物
検査装置の構成（図２）と同様である。その他、図２と
対応する部分については同じ符号を付して、その説明を
省略する。座標系についても、図２と同様である。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態２の検出光学系１２において、シリン
ドリカルミラー１とシリンドリカルミラー１０の間に、
それぞれの円柱面を対向させ、かつ、レンズ作用を有す
る方向を略一致させた一対のシリンドリカルレンズ２ａ
と２ｂを用いた以外は、実施の形態２における表面異物
検査装置の構成（図２）と同様である。その他、図２と
対応する部分については同じ符号を付して、その説明を
省略する。座標系についても、図２と同様である。
【００３９】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａと
２ｂを通過させ、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂによ
り、シリンドリカルミラー１による反射時にｘ軸方向に
拡散した光を光軸１ｂに平行な方向に修正後、シリンド
リカルミラー１０で集束させて、集束光を光検出器６に
導入する。その後は、実施の形態１と同様に処理する。
本実施の形態のように、シリンドリカルレンズ２ａと２
ｂについて、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂのレンズ
作用を有する方向とシリンドリカルミラー１のレンズ作
用を有する方向とが略直交するように配置すると、シリ
コンウエハ４上の異物からの散乱光３ａが高い効率で集
光することができるようになり、好ましい。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａと
２ｂを通過させ、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂによ
り、シリンドリカルミラー１による反射時にｘ軸方向に
拡散した光を光軸１ｂに平行な方向に修正後、シリンド
リカルミラー１０で集束させて、集束光を光検出器６に
導入する。その後は、実施の形態１と同様に処理する。
本実施の形態のように、シリンドリカルレンズ２ａと２
ｂについて、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂのレンズ
作用を有する方向とシリンドリカルミラー１のレンズ作
用を有する方向とが略直交するように配置すると、シリ
コンウエハ４上の異物からの散乱光３ａが高い効率で集
光することができるようになり、好ましい。
【００４０】本実施の形態において、検出光学系１２
は、例えば、シリンドリカルミラー１、シリンドリカル
ミラー１０に、実施の形態２のそれら光学素子と同様な
特性のものを用いて装置内で同様な配置とし、さらに、
シリンドリカルレンズ２ａと２ｂに、実施の形態３のシ
リンドリカルレンズ２ａと同様な特性を有するものを用
い、さらに、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂの検出光
学系の光軸１ｂ方向における離間距離Ｄ２５をＤ２５＝
１１７．２８ｍｍとして配置して構成することができ
る。なお、本実施の形態では、シリンドリカルミラー１
０の代りに、実施の形態１に示したような軸対称の形状
を有する集束レンズ２を用いて平行光３ｂを集束させて
も良い。
は、例えば、シリンドリカルミラー１、シリンドリカル
ミラー１０に、実施の形態２のそれら光学素子と同様な
特性のものを用いて装置内で同様な配置とし、さらに、
シリンドリカルレンズ２ａと２ｂに、実施の形態３のシ
リンドリカルレンズ２ａと同様な特性を有するものを用
い、さらに、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂの検出光
学系の光軸１ｂ方向における離間距離Ｄ２５をＤ２５＝
１１７．２８ｍｍとして配置して構成することができ
る。なお、本実施の形態では、シリンドリカルミラー１
０の代りに、実施の形態１に示したような軸対称の形状
を有する集束レンズ２を用いて平行光３ｂを集束させて
も良い。
【００４１】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００４２】なお、本実施の形態では、光検出器６に導
入される集束光は、ｚ軸方向に幅を持った形状となるた
め、光検出器６の窓部の形状は縦長の略矩形形状とする
のが好ましい。
入される集束光は、ｚ軸方向に幅を持った形状となるた
め、光検出器６の窓部の形状は縦長の略矩形形状とする
のが好ましい。
【００４３】本実施の形態によれば、実施の形態２と同
様な効果が得られる上、シリンドリカルミラー１で反射
された散乱光の内、シリンドリカルミラー１のレンズ作
用を有する方向と直交する方向に拡散した光線による収
差が検出光学系にそれぞれの円柱面を対向させ、かつ、
それぞれのレンズ作用を有する方向を略一致させた一対
のシリンドリカルレンズ２ａと２ｂにより効果的に補正
され、実施の形態２と比べ、散乱光３ａの集光効率が向
上し、表面異物検査装置の検出感度がさらに高められ
る。
様な効果が得られる上、シリンドリカルミラー１で反射
された散乱光の内、シリンドリカルミラー１のレンズ作
用を有する方向と直交する方向に拡散した光線による収
差が検出光学系にそれぞれの円柱面を対向させ、かつ、
それぞれのレンズ作用を有する方向を略一致させた一対
のシリンドリカルレンズ２ａと２ｂにより効果的に補正
され、実施の形態２と比べ、散乱光３ａの集光効率が向
上し、表面異物検査装置の検出感度がさらに高められ
る。
【００４４】（実施の形態５）図５に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態４の光検出器６において、スリット８
と検出センサー６ａの間に、偏光フィルター７を配置し
た以外は、実施の形態４における表面異物検査装置の構
成（図４）と同様である。偏光フィルター７は可動式で
あり、光検出器６において集束光の光路上に置く状態
と、光路から待避した状態とを切り替えることができ
る。その他、図４と対応する部分については同じ符号を
付して、その説明を省略する。座標系についても、図４
と同様である。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態４の光検出器６において、スリット８
と検出センサー６ａの間に、偏光フィルター７を配置し
た以外は、実施の形態４における表面異物検査装置の構
成（図４）と同様である。偏光フィルター７は可動式で
あり、光検出器６において集束光の光路上に置く状態
と、光路から待避した状態とを切り替えることができ
る。その他、図４と対応する部分については同じ符号を
付して、その説明を省略する。座標系についても、図４
と同様である。
【００４５】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａと
２ｂを通過させ、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂによ
り、シリンドリカルミラー１による反射時にｘ軸方向に
拡散した光を光軸１ｂに平行な方向に修正後、集束レン
ズ２で集束させて、光検出器６に導入する。そして、集
束光を焦点位置でスリット８を通過させた後、さらに偏
光フィルター７を通過させて集束光を平面偏光とし、当
該平面偏光の強度を検出センサー６ａで検出する。その
後は、実施の形態１と同様に処理する。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａと
２ｂを通過させ、シリンドリカルレンズ２ａと２ｂによ
り、シリンドリカルミラー１による反射時にｘ軸方向に
拡散した光を光軸１ｂに平行な方向に修正後、集束レン
ズ２で集束させて、光検出器６に導入する。そして、集
束光を焦点位置でスリット８を通過させた後、さらに偏
光フィルター７を通過させて集束光を平面偏光とし、当
該平面偏光の強度を検出センサー６ａで検出する。その
後は、実施の形態１と同様に処理する。
【００４６】本実施の形態では、偏光フィルター７によ
り、シリコンウエハ４上の異物と、配線等の構造の凹凸
を判別することができるようになる。即ち、異物からの
散乱光の場合は、光の偏光状態がランダムになり、偏光
フィルター７の有無によって光検出器６からの電気信号
出力の強度が大きく変化する。一方、シリコンウエハ４
上の構造の凹凸からの反射光の場合は、光の偏光状態が
維持され、偏光フィルター７の有無によって電気信号出
力の強度は殆ど変化しない。この原理を利用して、偏光
フィルター７の状態を回転等によって調整することによ
り、異物からの散乱光であるか、構造の凹凸からの反射
光であるかを判別することができる。
り、シリコンウエハ４上の異物と、配線等の構造の凹凸
を判別することができるようになる。即ち、異物からの
散乱光の場合は、光の偏光状態がランダムになり、偏光
フィルター７の有無によって光検出器６からの電気信号
出力の強度が大きく変化する。一方、シリコンウエハ４
上の構造の凹凸からの反射光の場合は、光の偏光状態が
維持され、偏光フィルター７の有無によって電気信号出
力の強度は殆ど変化しない。この原理を利用して、偏光
フィルター７の状態を回転等によって調整することによ
り、異物からの散乱光であるか、構造の凹凸からの反射
光であるかを判別することができる。
【００４７】偏光フィルター７は、このように光検出器
６内に設置する場合、スリット８と検出センサー６ａの
間に配置するのが好ましい。これにより、集束光に収差
を発生させず、検出される光の強度を高めることができ
る。
６内に設置する場合、スリット８と検出センサー６ａの
間に配置するのが好ましい。これにより、集束光に収差
を発生させず、検出される光の強度を高めることができ
る。
【００４８】本実施の形態において、偏光フィルター７
とスリット８は、例えば、次の特性を有する光学素子を
配置して構成することができる。
とスリット８は、例えば、次の特性を有する光学素子を
配置して構成することができる。
【００４９】Ｄ２６（ｍｍ）：スリット８の厚さ、
Ｒ２５（ｍｍ）：スリット８のｙｚ平面による断面形状
の曲率半径、 Ｒ２６ａ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙｚ平面による
光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２６ｂ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙｚ平面による
光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｎｄ４（−）：偏光フィルター７の中心軸上の屈折率、 ｖｄ４（−）：偏光フィルター７の中心軸上のアッベ
数、 Ｄ２７（ｍｍ）：偏光フィルター７の厚さ、 Ｄ２８（ｍｍ）：スリット８と偏光フィルター７の検出
光学系の光軸１ｂ方向における離間距離としたとき、 Ｄ２６＝１０ｍｍ、Ｒ２５＝∞ｍｍ、Ｒ２６ａ＝∞ｍ
ｍ、Ｒ２６ｂ＝∞ｍｍ、Ｎｄ４＝１．５１６８０、ｖｄ
４＝６４．２、Ｄ２７＝２ｍｍ、Ｄ２８＝８ｍｍであ
る。
の曲率半径、 Ｒ２６ａ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙｚ平面による
光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２６ｂ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙｚ平面による
光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｎｄ４（−）：偏光フィルター７の中心軸上の屈折率、 ｖｄ４（−）：偏光フィルター７の中心軸上のアッベ
数、 Ｄ２７（ｍｍ）：偏光フィルター７の厚さ、 Ｄ２８（ｍｍ）：スリット８と偏光フィルター７の検出
光学系の光軸１ｂ方向における離間距離としたとき、 Ｄ２６＝１０ｍｍ、Ｒ２５＝∞ｍｍ、Ｒ２６ａ＝∞ｍ
ｍ、Ｒ２６ｂ＝∞ｍｍ、Ｎｄ４＝１．５１６８０、ｖｄ
４＝６４．２、Ｄ２７＝２ｍｍ、Ｄ２８＝８ｍｍであ
る。
【００５０】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００５１】本実施の形態によれば、実施の形態４と同
様な効果が得られる上、偏光フィルター７を光検出器の
内部に適切に配置することから、異物からの散乱光のみ
を選択的に、かつ、効率よく集光することができ、実施
の形態４と比べ、表面異物検査装置の検出感度がさらに
高められる。
様な効果が得られる上、偏光フィルター７を光検出器の
内部に適切に配置することから、異物からの散乱光のみ
を選択的に、かつ、効率よく集光することができ、実施
の形態４と比べ、表面異物検査装置の検出感度がさらに
高められる。
【００５２】（実施の形態６）図６に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態２の検出光学系１２において、シリン
ドリカルミラー１とシリンドリカルミラー１０の間に、
偏光フィルター７を配置した以外は、実施の形態２にお
ける表面異物検査装置の構成（図２）と同様である。偏
光フィルター７は可動式であり、検出光学系１２におい
て平行光３ｂの光路上に置く状態と、光路から待避した
状態とを切り替えることができる。その他、図２と対応
する部分については同じ符号を付して、その説明を省略
する。座標系についても、図２と同様である。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、実施の形態２の検出光学系１２において、シリン
ドリカルミラー１とシリンドリカルミラー１０の間に、
偏光フィルター７を配置した以外は、実施の形態２にお
ける表面異物検査装置の構成（図２）と同様である。偏
光フィルター７は可動式であり、検出光学系１２におい
て平行光３ｂの光路上に置く状態と、光路から待避した
状態とを切り替えることができる。その他、図２と対応
する部分については同じ符号を付して、その説明を省略
する。座標系についても、図２と同様である。
【００５３】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂを偏光フィルター７を通過さ
せ、平面偏光とした後、シリンドリカルミラー１０で集
束させて、光検出器６に導入する。次いで集束光を焦点
位置でスリット８を通過させ、検出センサー６ａで集束
光の強度を検出する。その後は、実施の形態１と同様に
処理する。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂを偏光フィルター７を通過さ
せ、平面偏光とした後、シリンドリカルミラー１０で集
束させて、光検出器６に導入する。次いで集束光を焦点
位置でスリット８を通過させ、検出センサー６ａで集束
光の強度を検出する。その後は、実施の形態１と同様に
処理する。
【００５４】本実施の形態では、偏光フィルター７によ
り、実施の形態５における偏光フィルター７による作用
と同様な作用が得られ、シリコンウエハ４上の異物と、
配線等の構造の凹凸を判別することができるようにな
る。なお、偏光フィルター７は、このように、シリンド
リカルミラー１とシリンドリカルミラー１０の間で、散
乱光３ａが、シリンドリカルミラー１によって反射さ
れ、平行光３ｂとなっている領域に置くのが好ましい。
これにより、集束される光に収差を発生させず、検出さ
れる光の強度を高めることができる。
り、実施の形態５における偏光フィルター７による作用
と同様な作用が得られ、シリコンウエハ４上の異物と、
配線等の構造の凹凸を判別することができるようにな
る。なお、偏光フィルター７は、このように、シリンド
リカルミラー１とシリンドリカルミラー１０の間で、散
乱光３ａが、シリンドリカルミラー１によって反射さ
れ、平行光３ｂとなっている領域に置くのが好ましい。
これにより、集束される光に収差を発生させず、検出さ
れる光の強度を高めることができる。
【００５５】本実施の形態において、偏光フィルター７
とスリット８は、例えば、次の特性を有する光学素子を
配置して構成することができる。
とスリット８は、例えば、次の特性を有する光学素子を
配置して構成することができる。
【００５６】Ｒ２７ａ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙ
ｚ平面による光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２７ｂ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙｚ平面による
光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｎｄ５（−）：偏光フィルター７の中心軸上の屈折率、 ｖｄ５（−）：偏光フィルター７の中心軸上のアッベ数
としたとき、 Ｄ２９（ｍｍ）：偏光フィルター７の厚さ、 Ｄ３０（ｍｍ）：偏光フィルター７とシリンドリカルミ
ラー１０の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離
としたとき、 Ｒ２７ａ＝∞ｍｍ、Ｒ２７ｂ＝∞ｍｍ、Ｎｄ５＝１．５
１６８０、ｖｄ５＝６４．２、Ｄ２９＝２ｍｍ、Ｄ３０
＝８５ｍｍである。
ｚ平面による光入射面側の断面形状の曲率半径、 Ｒ２７ｂ（ｍｍ）：偏光フィルター７のｙｚ平面による
光出射面側の断面形状の曲率半径、 Ｎｄ５（−）：偏光フィルター７の中心軸上の屈折率、 ｖｄ５（−）：偏光フィルター７の中心軸上のアッベ数
としたとき、 Ｄ２９（ｍｍ）：偏光フィルター７の厚さ、 Ｄ３０（ｍｍ）：偏光フィルター７とシリンドリカルミ
ラー１０の検出光学系の光軸１ｂ方向における離間距離
としたとき、 Ｒ２７ａ＝∞ｍｍ、Ｒ２７ｂ＝∞ｍｍ、Ｎｄ５＝１．５
１６８０、ｖｄ５＝６４．２、Ｄ２９＝２ｍｍ、Ｄ３０
＝８５ｍｍである。
【００５７】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００５８】本実施の形態によれば、実施の形態２と同
様な効果が得られる上、偏光フィルター７を検出光学系
に適切に配置することから、異物からの散乱光のみを選
択的に、かつ、効率よく集光することができ、実施の形
態２と比べ、表面異物検査装置の検出感度がさらに高め
られる。
様な効果が得られる上、偏光フィルター７を検出光学系
に適切に配置することから、異物からの散乱光のみを選
択的に、かつ、効率よく集光することができ、実施の形
態２と比べ、表面異物検査装置の検出感度がさらに高め
られる。
【００５９】（実施の形態７）図７に、本実施の形態に
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、偏光フィルター７を、スリット８と検出センサー
６ａの間に配置した代りに、シリンドリカルレンズ２ａ
と２ｂの間に配置したこと以外は、実施の形態５におけ
る表面異物検査装置の構成（図５）と同様である。偏光
フィルター７は可動式であり、光検出器６において集束
光の光路上に置く状態と、光路から待避した状態とを切
り替えることができる。その他、図５と対応する部分に
ついては同じ符号を付して、その説明を省略する。座標
系についても、図５と同様である。
よる表面異物検査装置の概略構成図を示す。本装置の構
成は、偏光フィルター７を、スリット８と検出センサー
６ａの間に配置した代りに、シリンドリカルレンズ２ａ
と２ｂの間に配置したこと以外は、実施の形態５におけ
る表面異物検査装置の構成（図５）と同様である。偏光
フィルター７は可動式であり、光検出器６において集束
光の光路上に置く状態と、光路から待避した状態とを切
り替えることができる。その他、図５と対応する部分に
ついては同じ符号を付して、その説明を省略する。座標
系についても、図５と同様である。
【００６０】本装置を用いて、シリコンウエハ４上の異
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａを
通過させ、さらに偏光フィルター７を通過させた後、シ
リンドリカルレンズ２ｂを通過させ、検出センサー６ａ
で集束光の強度を検出する。その後は、実施の形態１と
同様に処理する。
物は、次のようにして検査することができる。即ち、実
施の形態１と同様にして、照射光を異物に照射して散乱
光３ａを発生させ、散乱光３ａを検出光学系１２に取り
込み、シリンドリカルミラー１で反射させて平行光３ｂ
とする。次に平行光３ｂをシリンドリカルレンズ２ａを
通過させ、さらに偏光フィルター７を通過させた後、シ
リンドリカルレンズ２ｂを通過させ、検出センサー６ａ
で集束光の強度を検出する。その後は、実施の形態１と
同様に処理する。
【００６１】本実施の形態では、偏光フィルター７によ
り、実施の形態５と同様な作用が得られ、シリコンウエ
ハ４上の異物と、配線等の構造の凹凸を判別することが
できるようになる。なお、偏光フィルター７は、このよ
うに、シリンドリカルミラー１と光軸が略一致するシリ
ンドリカルミラー１０の間に配置するのが好ましい。こ
れにより、集束される光に収差を発生させず、検出され
る光の強度を高めることができる。
り、実施の形態５と同様な作用が得られ、シリコンウエ
ハ４上の異物と、配線等の構造の凹凸を判別することが
できるようになる。なお、偏光フィルター７は、このよ
うに、シリンドリカルミラー１と光軸が略一致するシリ
ンドリカルミラー１０の間に配置するのが好ましい。こ
れにより、集束される光に収差を発生させず、検出され
る光の強度を高めることができる。
【００６２】なお、偏光フィルター７は、検出光学系１
２内に設置する場合は、シリンドリカルミラー１とシリ
ンドリカルミラー１０の間で、散乱光３ａが、シリンド
リカルミラー１によって反射され、平行光３ｂとなって
いる領域に置くのが好ましい。これにより、集束される
光に収差を発生させず、検出される光の強度を高めるこ
とができる。
２内に設置する場合は、シリンドリカルミラー１とシリ
ンドリカルミラー１０の間で、散乱光３ａが、シリンド
リカルミラー１によって反射され、平行光３ｂとなって
いる領域に置くのが好ましい。これにより、集束される
光に収差を発生させず、検出される光の強度を高めるこ
とができる。
【００６３】本実施の形態において、シリンドリカルミ
ラー１、シリンドリカルミラー１０、およびシリンドリ
カルレンズ２ａと２ｂを、実施の形態５のそれら光学素
子と同様な特性のものとして装置内で同様な配置とし、
偏光フィルター７は、例えば、実施の形態６の偏光フィ
ルター７と同様な特性を有するものとし、さらに、実施
の形態６と同様に配置して構成することができる。
ラー１、シリンドリカルミラー１０、およびシリンドリ
カルレンズ２ａと２ｂを、実施の形態５のそれら光学素
子と同様な特性のものとして装置内で同様な配置とし、
偏光フィルター７は、例えば、実施の形態６の偏光フィ
ルター７と同様な特性を有するものとし、さらに、実施
の形態６と同様に配置して構成することができる。
【００６４】本構成によれば、シリコンウエハ４上での
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
照射光学系の走査範囲が、ステージ４ａ上のＸ−Ｙ方向
を基準としてＹ方向において±０ｍｍ、Ｘ方向において
±５ｍｍと余裕をもった値になる。
【００６５】本実施の形態によれば、実施の形態５と同
様な効果が得られる上、偏光フィルターを検出光学系１
２において適切な位置に配置することから、異物からの
散乱光のみを選択的に、かつ、効率よく集光することが
でき、実施の形態５と比べ、表面異物検査装置の検出感
度がさらに高められる。
様な効果が得られる上、偏光フィルターを検出光学系１
２において適切な位置に配置することから、異物からの
散乱光のみを選択的に、かつ、効率よく集光することが
でき、実施の形態５と比べ、表面異物検査装置の検出感
度がさらに高められる。
【００６６】なお、本発明においては、図８に示すよう
に、照射光学系５からシリコンウエハ４の表面に照射さ
れる光束の主光線２０の入射角をθｂ（°）とし、ま
た、シリコンウエハ４上の異物による散乱光３ａの内、
シリンドリカルミラー１によって反射される光束の主光
線２１の反射角をθａ（°）としたとき、θｂ―θａ＜
４５°の関係を満たすようにシリンドリカルミラー１と
照射光学系５を配置するのが好ましい。θｂ―θａ≧４
５°とすると、シリンドリカルミラー１を大きくする必
要が生じ、散乱光３ａの集光効率が低下することがあ
る。
に、照射光学系５からシリコンウエハ４の表面に照射さ
れる光束の主光線２０の入射角をθｂ（°）とし、ま
た、シリコンウエハ４上の異物による散乱光３ａの内、
シリンドリカルミラー１によって反射される光束の主光
線２１の反射角をθａ（°）としたとき、θｂ―θａ＜
４５°の関係を満たすようにシリンドリカルミラー１と
照射光学系５を配置するのが好ましい。θｂ―θａ≧４
５°とすると、シリンドリカルミラー１を大きくする必
要が生じ、散乱光３ａの集光効率が低下することがあ
る。
【００６７】
【発明の効果】本発明によれば、表面異物検査装置の検
出光学系にシリンドリカルミラーを用いることから、被
検査物上で検出光学系が反射光を取り込める物点範囲が
被検査物上で拡がり、被検査物上での照射光学系の走査
範囲が大きくなり、照射光を走査する距離が短くなっ
て、異物検査に要する時間が短縮化される。また、異物
による散乱光が多量に取り込めるようになり、表面異物
検査装置の検出感度が高められる。
出光学系にシリンドリカルミラーを用いることから、被
検査物上で検出光学系が反射光を取り込める物点範囲が
被検査物上で拡がり、被検査物上での照射光学系の走査
範囲が大きくなり、照射光を走査する距離が短くなっ
て、異物検査に要する時間が短縮化される。また、異物
による散乱光が多量に取り込めるようになり、表面異物
検査装置の検出感度が高められる。
【図１】 実施の形態１による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図２】 実施の形態２による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図３】 実施の形態３による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図４】 実施の形態４による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図５】 実施の形態５による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図６】 実施の形態６による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図７】 実施の形態７による表面異物検査装置の概略
構成図
構成図
【図８】 照射光の入射角θｂと散乱光の反射角θａの
説明図
説明図
【図９】 従来技術による表面異物検査装置の概略構成
図
図
１、１０ シリンドリカルミラー
１ａ、１０ａ シリンドリカルミラーの延長面（仮想）
１ｂ シリンドリカルミラーの光軸
２ 集束レンズ
３ａ 散乱光
３ｂ 平行光
４ シリコンウエハ
４ａ ステージ
５ 照射光学系
６ 光検出器
６ａ 検出センサー
７ 偏光フィルター
７ａ 光学フィルター
８ スリット
２０ 照射光の光束の主光線
２１ 反射光の光束の主光線
１１ 照射位置
１００ 情報処理装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G051 AA51 AB01 BA10 BB01 CB05
CC07 CC09 CC11 DA05
4M106 AA01 BA04 CA42 DB02 DB12
DB13 DJ11
Claims (12)
- 【請求項１】 被検査物上の異物を光学的手段を用いて
検査する表面異物検査装置であって、被検査物を載置し
て移動するステージと、前記被検査物の表面に光を照射
する光照射手段と、前記被検査物上の異物による散乱光
を反射させて平行光とする第一のシリンドリカルミラー
および当該平行光を集束させる集束レンズを備えた集光
手段と、当該集束された光を検出する光検出手段と、前
記光検出手段の出力信号および前記異物の被検査物上に
おける位置情報を処理する情報処理装置とを備えたこと
を特徴とする表面異物検査装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の表面異物検査装置にお
いて、集光手段における集束レンズに代えて、前記第一
のシリンドリカルミラーとそれぞれの光軸が略一致する
第二のシリンドリカルミラーを備えたことを特徴とする
表面異物検査装置。 - 【請求項３】 前記光照射手段による光の照射方向と前
記第一のシリンドリカルミラーのレンズ作用を有する方
向が略直交することを特徴とする請求項１または２に記
載の表面異物検査装置。 - 【請求項４】 前記第一と第二のシリンドリカルミラー
のレンズ作用を有する方向における断面の形状がそれぞ
れ放物線状であることを特徴とする請求項１〜３のいず
れかに記載の表面異物検査装置。 - 【請求項５】 前記第一と第二のシリンドリカルミラー
のそれぞれの光軸と被検査物の表面がなす角θ（°）
が、０°＜θ＜６０°であることを特徴とする請求項１
〜４のいずれかに記載の表面異物検査装置。 - 【請求項６】 前記光検出手段が、当該光検出手段にお
けるスリットと検出センサーの間に偏光フィルターを備
えたものであることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
かに記載の表面異物検査装置。 - 【請求項７】 前記集光手段が、前記第一のシリンドリ
カルミラーと、前記集束レンズまたは第二のシリンドリ
カルミラーの間に偏光フィルターを備えたものであるこ
とを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の表面異
物検査装置。 - 【請求項８】 前記集光手段が、円柱面を有するシリン
ドリカルレンズを備えるものであって、前記第一のシリ
ンドリカルミラーにより反射された平行光を、当該シリ
ンドリカルレンズを通過させた後、前記集束レンズまた
は前記第二のシリンドリカルミラーにより集束させるも
のであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記
載の表面異物検査装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の表面異物検査装置にお
いて、集光手段におけるシリンドリカルレンズとして、
それぞれの円柱面を対向させ、かつ、それぞれのレンズ
作用を有する方向を略一致させた一対のシリンドリカル
レンズを備えることを特徴とする表面異物検査装置。 - 【請求項１０】 前記シリンドリカルレンズのレンズ作
用を有する方向と前記シリンドリカルミラーのレンズ作
用を有する方向とが略直交する関係にあることを特徴と
する請求項８または９に記載の表面異物検査装置。 - 【請求項１１】 前記シリンドリカルレンズにおけるレ
ンズ作用を有する方向の断面の形状が非円弧形であるこ
とを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の表面
異物検査装置。 - 【請求項１２】 前記被検査物の表面に照射される光束
の主光線の入射角をθｂ（°）とし、前記被検査物上の
異物による散乱光のうち、前記集光手段におけるシリン
ドリカルミラーによって反射される光束の主光線の反射
角をθａ（°）としたとき、θｂ―θａ＜４５°の関係
を満たすようにしたことを特徴とする請求項１〜１１の
いずれかに記載の表面異物検査装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049918A JP2003247957A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 表面異物検査装置 |
| PCT/JP2003/001961 WO2003073085A1 (fr) | 2002-02-26 | 2003-02-24 | Dispositif d'inspection superficielle de corps etrangers |
| US10/482,544 US7046354B2 (en) | 2002-02-26 | 2003-02-24 | Surface foreign matter inspecting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002049918A JP2003247957A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 表面異物検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003247957A true JP2003247957A (ja) | 2003-09-05 |
Family
ID=27764274
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002049918A Withdrawn JP2003247957A (ja) | 2002-02-26 | 2002-02-26 | 表面異物検査装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7046354B2 (ja) |
| JP (1) | JP2003247957A (ja) |
| WO (1) | WO2003073085A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013072868A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Micobiomed Co Ltd | 表面プラズモン共鳴センサシステム |
| CN104465438A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-25 | 业成光电（深圳）有限公司 | 面板入料检验装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7847927B2 (en) * | 2007-02-28 | 2010-12-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
| KR101177299B1 (ko) * | 2010-01-29 | 2012-08-30 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 평판 유리 표면 이물질 검사 장치 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS596507B2 (ja) | 1978-03-30 | 1984-02-13 | 株式会社日立製作所 | 異物自動検出装置 |
| EP0123929B1 (de) * | 1983-04-22 | 1988-06-22 | Erwin Sick GmbH Optik-Elektronik | Fehlerfeststellungsvorrichtung |
| US4601576A (en) * | 1983-12-09 | 1986-07-22 | Tencor Instruments | Light collector for optical contaminant and flaw detector |
| JPS60136324A (ja) | 1983-12-26 | 1985-07-19 | Hitachi Ltd | 微細深さ測定方法及びその装置 |
| US4615620A (en) | 1983-12-26 | 1986-10-07 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for measuring the depth of fine engraved patterns |
| JP2564310B2 (ja) | 1987-06-26 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | 外観検査装置 |
| JP2747921B2 (ja) * | 1989-02-23 | 1998-05-06 | 株式会社ユ−ハ味覚糖精密工学研究所 | 光散乱法による超微粒子の粒径測定装置 |
| US6201601B1 (en) | 1997-09-19 | 2001-03-13 | Kla-Tencor Corporation | Sample inspection system |
| JP4110653B2 (ja) * | 1999-01-13 | 2008-07-02 | 株式会社ニコン | 表面検査方法及び装置 |
| US6731384B2 (en) * | 2000-10-10 | 2004-05-04 | Hitachi, Ltd. | Apparatus for detecting foreign particle and defect and the same method |
| US6614519B1 (en) * | 2000-10-25 | 2003-09-02 | International Business Machines Corporation | Surface inspection tool using a parabolic mirror |
-
2002
- 2002-02-26 JP JP2002049918A patent/JP2003247957A/ja not_active Withdrawn
-
2003
- 2003-02-24 WO PCT/JP2003/001961 patent/WO2003073085A1/ja active Application Filing
- 2003-02-24 US US10/482,544 patent/US7046354B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013072868A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-04-22 | Micobiomed Co Ltd | 表面プラズモン共鳴センサシステム |
| CN104465438A (zh) * | 2014-11-21 | 2015-03-25 | 业成光电（深圳）有限公司 | 面板入料检验装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7046354B2 (en) | 2006-05-16 |
| WO2003073085A1 (fr) | 2003-09-04 |
| US20040169849A1 (en) | 2004-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100190312B1 (ko) | 이물검사장치 | |
| JP4979246B2 (ja) | 欠陥観察方法および装置 | |
| US6124924A (en) | Focus error correction method and apparatus | |
| JP7134096B2 (ja) | 基板検査方法、装置及びシステム | |
| JP2009068903A (ja) | 表面検査方法及び表面検査装置 | |
| JP7003258B2 (ja) | 粒子検出装置 | |
| JP2009540346A (ja) | 干渉共焦点顕微鏡 | |
| JPH1096862A (ja) | 落射蛍光顕微鏡装置 | |
| JP2003247957A (ja) | 表面異物検査装置 | |
| US7382530B2 (en) | Method for the adjustment of a light source in a microscope | |
| JPH04122042A (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2000509825A (ja) | 光走査デバイス | |
| JP3217097B2 (ja) | 高分解能顕微鏡 | |
| JP3106521B2 (ja) | 透明基板の光学的検査装置 | |
| JP2000193434A (ja) | 異物検査装置 | |
| US11448601B2 (en) | Method and system for obtaining information from a sample | |
| WO2021205650A1 (ja) | 照明光学系および基板検査装置 | |
| JPH0334577B2 (ja) | ||
| JPH10142489A (ja) | 焦点検出方法およびその装置 | |
| JP2001324314A (ja) | 測定装置 | |
| JP2000131241A (ja) | 光学素子の検査装置及び検査方法 | |
| JPH01176932A (ja) | 微小異物検査装置 | |
| JPH1164719A (ja) | 焦点検出手段を備えた顕微鏡および変位計測装置 | |
| JP2003524194A (ja) | 対象物を光学的に走査するための装置 | |
| JPH06258235A (ja) | 面検査装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050510 |