JP2003246854A - 芳香族ポリカーボネート製造装置の表面処理方法および芳香族ポリカーボネートの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 新しい製造装置による生産開始、あるいは生
産停止後の生産再開を行ったときに、色調に優れ、ゲル
等異物の少ない芳香族ポリカーボネートを早期に生産す
ることができ、また、長期に亘って色調に優れ、ゲル等
異物の少ない芳香族ポリカーボネートを生産することが
できる技術を提供する。 【解決手段】 製造装置内に実質的にポリカーボネート
が存在しない状態で、粘度平均分子量が８０００未満の
芳香族ポリカーボネートを排出する反応槽について、酸
素濃度が０．１体積％以下である不活性ガスを主体とす
る表面処理気体の雰囲気で表面処理をすることと、粘度
平均分子量が４０００以上の芳香族ポリカーボネートを
投入し、粘度平均分子量が８０００以上の芳香族ポリカ
ーボネートを排出する反応槽について、酸素濃度が１０
〜３０体積％である表面処理気体の雰囲気で表面処理を
することとを実行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願発明は、芳香族ポリカー
ボネートの製造方法および製造装置の表面処理方法に関
する。さらに詳しくは色調に優れ、かつゲル異物の少な
い光学記録用途として使用し得る芳香族ポリカーボネー
トの製造方法および、そのようなポリカーボネートを製
造するための製造装置の表面処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ビスフェノールＡとホスゲンとの界面重
縮合から得られるポリカーボネート樹脂は、その優れた
機械的特性、熱的特性から各種用途、例えば電気電子部
品、光学部品、自動車部品等に幅広く用いられている。
しかしながら有毒であるホスゲンを用いることで安全性
に問題があり、また溶媒として塩化メチレンを使用する
ことで環境破壊などの問題点が多い。

【０００３】また塩化メチレンや副生物である塩化ナト
リウムに由来する塩素分がポリカーボネートに残留する
ことで、各種部品成形時に金属部分を腐食する問題もあ
る。

【０００４】そこで最近塩化メチレンやホスゲンを使用
しないエステル交換法によるポリカーボネートの製造が
注目されている。

【０００５】しかしながら、エステル交換法で得られる
ポリカーボネートは高温で長時間の熱履歴を受けるため
色調の悪化など品質的に優れたものとしては得られにく
い。

【０００６】特に近年、ＤＶＤ、ＭＯ、ＣＤＲなどの高
密度、高精度が必要な光学用途において使用されるポリ
カーボネートでは、熱安定性の不足による着色および熱
変性によるゲル化は直接的に最終製品のブロックエラー
レートなどの光学特性および、引張り、曲げ、靭性など
の機械特性に影響を及ぼすため、エステル交換法による
ポリカーボネートに対し、更なる色調の向上、熱安定性
の向上が要求されている。

【０００７】このような着色を抑制するためには、反応
器の材質として不活性なものを用いるのが有効であるこ
とが知られており、ニッケル，タンタル，クロムおよび
これらの合金を用いる方法（米国特許第４，３８３，９
０２号明細書）並びに鉄含量が２０重量％以下の材料を
用いる方法（特開平４−８８０１７号公報）が提案され
ている。

【０００８】しかしこれらの材質からなる反応設備は、
界面重縮合法で用いられているステンレス鋼やガラスラ
イニング等からなる設備にくらべ高価である。このた
め、ポリカーボネートがコスト高になることを避けるた
めに安価な材質の反応設備の開発が望まれていた。

【０００９】安価な材質からなる反応設備の一つとし
て、ステンレス鋼製のものがあげられるが、これを用い
てエステル交換反応によりポリカーボネートを製造した
場合には、得られるポリカーボネートが着色し、かつ高
分子量のポリカーボネートが製造しにくく、生産性に劣
るなどの問題が生じる。

【００１０】この問題を解決するために、表面を平滑化
させる目的でバフ研磨処理する方法（特開平４−７３２
８号公報）、あるいは表面のスケールの除去や不動態化
などの目的で酸洗浄を行う方法（特開平４−７３２９号
公報）が試みられている。しかしながら、これらの方法
は、いずれも充分な効果を達成できず、満足しうるもの
ではなかった。

【００１１】また、新しい設備で生産を開始するとき、
あるいは生産を停止し再び生産を開始した後では、かな
り長期に亘って、着色度の高いポリカーボネートが生成
されることが多く、長期間格下品の生産を余儀なくされ
るのが実情であった。

【００１２】更に製造設備を連続して長期に亘って使用
しつづけた場合、得られるポリカーボネートの品質の低
下が生じるため、品質を維持するためには時々製造設備
を停止し、設備を開放して整備を行う必要があった。

【００１３】このため、設備稼働率は低下し、開放整備
に要する費用も高価なものとなるため、稼働率を低下す
ることなく、開放整備を少なくする有効な方法の開発が
求められていた。

【００１４】特開平４−３３２７２５号公報には、Ｃｒ
またはＮｉメッキ処理を施し、さらに電解処理した反応
装置内で芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルと
を反応させて芳香族ポリカーボネートを製造する方法が
開示されている。

【００１５】特開平７−１０９３４３号公報には、Ｎｉ
鋼製反応装置を重クロム酸ナトリウムおよび硝酸を用い
て不働態処理した反応装置内で、芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとを反応させて芳香族ポリカーボ
ネートを製造する方法が開示されている。

【００１６】特開平８−２７７３２７号公報には、ステ
ンレス鋼であり電解処理を施した反応装置を３００〜５
００℃で加熱処理した反応装置内で、芳香族ジヒドロキ
シ化合物と炭酸ジエステルとを反応させて芳香族ポリカ
ーボネートを製造する方法が開示されている。

【００１７】しかしながら、上記方法では反応装置接液
部の表面処理が必ずしも十分に行われず、十分に良好な
色調を持つポリカーボネートを長期間に亘って製造しつ
づけることは困難であった。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本願発明の目的は、エ
ステル交換法により、色調に優れ、異物の少ない芳香族
ポリカーボネートを製造するための、製造装置接液部の
表面処理方法を提供することにある。

【００１９】本願発明の他の目的は、新しい製造装置に
よる生産開始、あるいは生産停止後の生産再開を行った
ときに、色調に優れ、ゲル等異物の少ない芳香族ポリカ
ーボネートを早期に生産することができ、長期に亘って
色調に優れ、ゲル等異物の少ない芳香族ポリカーボネー
トを生産することができる製造装置の表面処理方法を提
供することにある。

【００２０】本願発明のさらに他の目的は、本願発明の
上記表面処理を施した製造装置で、エステル交換法によ
り、色調に優れ、ゲル等異物の少ない芳香族ポリカーボ
ネートを早期に生産することができ、長期に亘って色調
に優れ、ゲル等異物の少ない芳香族ポリカーボネートを
製造することができる方法を提供することにある。

【００２１】本願発明のさらに他の目的および利点は、
以下の説明から明らかになるであろう。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本願発明の１態様は、芳
香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエステルとをエステル
交換せしめて芳香族ポリカーボネートを製造するための
製造装置を、実質的にポリカーボネートが存在しない状
態で表面処理する方法であって、粘度平均分子量が８０
００未満の芳香族ポリカーボネートを排出する反応槽に
ついて、酸素濃度が０．１体積％以下である不活性ガス
を主体とする表面処理気体の雰囲気で表面処理をするこ
とと、粘度平均分子量が４０００以上の芳香族ポリカー
ボネートを投入し、粘度平均分子量が８０００以上の芳
香族ポリカーボネートを排出する反応槽について、酸素
濃度が１０〜３０体積％である不活性ガスを主体とする
表面処理気体の雰囲気で表面処理をすることとを実行す
ることを含む、芳香族ポリカーボネート製造装置の表面
処理方法である。なお、これらの粘度平均分子量の値
は、定常状態の生産時における値を意味する。

【００２３】この表面処理方法を採用することにより、
新しい製造装置による生産開始、あるいは生産停止後の
生産再開を行ったときに、色調に優れ、ゲル等異物の少
ない芳香族ポリカーボネートを早期に生産することがで
き、長期に亘って色調に優れ、ゲル等異物の少ない芳香
族ポリカーボネートを生産することができる。

【００２４】また、前記不活性ガスとしては、その少な
くともいずれかが窒素であることや、前記反応槽の少な
くともいずれかの表面温度が２００〜３５０℃であるこ
とが好ましい。

【００２５】また、前記反応槽としては、その少なくと
もいずれかの接液部がステンレス鋼製であることが好ま
しい。

【００２６】また、他の洗浄法との組み合わせについて
は、前記反応槽の少なくともいずれかについて、前記表
面処理気体による表面処理の前にバフ研磨を施すこと
や、表面処理気体による表面処理の前に、ポリカーボネ
ート可溶性液体で洗浄した後洗浄液を排出し、次いで前
記表面処理を実行することを含むことが好ましい。

【００２７】これらの態様は、本願発明の効果をより確
実なものとするために有用である。

【００２８】なお、上記において、「表面処理気体によ
る表面処理の前に」とは、新しい製造装置による生産を
開始する場合、あるいは生産停止後の生産再開を行う場
合の一連の処理における「表面処理気体による表面処理
の前に」の意味である。

【００２９】例えば、複数回生産停止とその後の生産再
開とを繰り返した場合に、最初の生産再開でバフ研磨を
した場合に、次の生産再開でバフ研磨をしなくても「表
面処理気体による表面処理の前にバフ研磨をした」こと
を意味する訳ではない。

【００３０】本願発明のその他の態様は、芳香族ジヒド
ロキシ化合物と炭酸ジエステルとを触媒の存在下または
非存在下にエステル交換せしめて芳香族ポリカーボネー
トを製造する芳香族ポリカーボネートの製造方法におい
て、上記に記載の表面処理方法で表面処理した反応槽を
使用することを特徴とする芳香族ポリカーボネートの製
造方法である。

【００３１】この方法を採用することによって、色調に
優れ、ゲル等異物の少ない芳香族ポリカーボネートを早
期に生産することができ、長期に亘って色調に優れ、ゲ
ル等異物の少ない芳香族ポリカーボネートを製造するこ
とができる。

【００３２】なお、以下に説明する発明の実施の形態や
図面の中で、本願発明の更なる特徴が明らかにされる。

【００３３】

【発明の実施の形態】以下本願発明を更に詳しく説明す
る。

【００３４】本願発明で表面処理の対象とする芳香族ポ
リカーボネートの製造装置の材質は、例えばステンレス
鋼、タンタル，クロム，ニッケルなどの非鉄系、あるい
はモネル，インコネル，ハステロイなどの非ステンレス
系の特殊な材質であることができる。

【００３５】これらのうちステンレス鋼は安価であるた
め好ましい。また、これらの材質は、製造設備の接液部
に用いられていればよく、製造設備全体に用いられる必
要はない。

【００３６】上記ステンレス鋼として、クロムを１０〜
３０重量％含有する鋼材が好ましい。その具体例として
は、ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３０４Ｌ，ＳＵＳ３０９，Ｓ
ＵＳ３１０，ＳＵＳ３１６，ＳＵＳ３１６Ｌなどが挙げ
られる。

【００３７】表面処理が施される部分は、表面処理前に
バフ研磨などの機械的研磨や電解研磨などの研磨処理、
酸、アルカリ、もしくはそれらの併用による化学的処理
を製造設備の接液部に施してもよい。

【００３８】製造装置は、例えば芳香族ポリカーボネー
トを回分式で製造する際に好適に用いられる１基以上の
竪型反応槽、および芳香族ポリカーボネートを連続式で
製造する際に好適に用いられる、横形反応槽と一基以上
の竪型反応槽の組み合わせ、およびこれらを接続しポリ
マーを送液するギアポンプ、ポリマーを溶融状態で送液
するための配管やルーダーを含む。

【００３９】製造装置は、一体的にあるいは、ある程度
区分して、洗浄、処理を行うのが普通である。本願発明
は反応槽の表面処理方法であるが、このような事情か
ら、本願発明を実施する際には、配管やルーダー等の付
属設備を含めて洗浄、表面処理を行うことができ、その
ような表面処理方法も本願発明の範疇に属することは言
うまでもない。

【００４０】表面処理の雰囲気は、エステル交換反応を
行う製造装置が、出発原料である芳香族ジヒドロキシ化
合物と炭酸ジエステルとが投入される最初の反応槽か
ら、粘度平均分子量が８０００未満の芳香族ポリカーボ
ネートが排出されるまでに使用される竪型反応槽等の１
以上の反応槽では、酸素濃度を０．１体積％以下とした
不活性ガスを主体とする表面処理気体が適する。

【００４１】エステル交換反応を行う製造装置が、粘度
平均分子量が４０００以上の芳香族ポリカーボネートを
投入し、粘度平均分子量が８０００以上の芳香族ポリカ
ーボネートを排出する横形反応槽等の反応槽では、酸素
濃度が１０〜３０体積％である不活性ガスを主体とする
表面処理気体が適する。なお、このような反応槽で得ら
れる粘度平均分子量は、通常２８０００未満である。

【００４２】製造し排出するポリカーボネートの粘度平
均分子量により酸素濃度を調整した不活性ガスを主体と
する表面処理気体を用いて表面処理を行うことが有用で
ある。

【００４３】不活性ガスとしては窒素、アルゴン、ヘリ
ウム等のガスが挙げられる。これらのうち窒素ガスが好
ましい。

【００４４】酸素濃度を調整した不活性ガスを主体とす
る表面処理気体雰囲気は常圧、加圧のいずれの状態にあ
ってもよい。

【００４５】表面処理時間は例えば１０〜１２０時間、
好ましくは２０〜９６時間、さらに好ましくは３０〜７
２時間である。

【００４６】上記の如く酸素濃度を調整した不活性ガス
を主体とする表面処理気体で表面処理することにより、
色調に優れ、ゲルが少ない芳香族ポリカーボネートを早
期に、また長期に得られる理由は、反応装置の芳香族ポ
リカーボネートと接触する部位の表面、特にステンレス
鋼の表面を不活性化するためであると思われる。

【００４７】芳香族ポリカーボネートの粘度平均分子量
により、必要な表面の不活性化の程度が異なり、例えば
粘度平均分子量８０００未満の芳香族ポリカーボネート
を連続的に生産する反応槽、例えば竪型反応槽では、酸
素濃度を０．１体積％以下、更に好ましくは０．０５体
積％以下とした不活性ガスを主体とする表面処理気体を
用いて表面処理されることが好ましいことが判明した。

【００４８】粘度平均分子量８０００未満の芳香族ポリ
カーボネートを生産する設備に０．１体積％を超える酸
素濃度の不活性ガスを主体とする表面処理気体を用いた
場合、得られる芳香族ポリカーボネートの色調が著しく
悪化するため好ましくない。

【００４９】一方、製造装置が、粘度平均分子量が４０
００以上の芳香族ポリカーボネートを投入し、粘度平均
分子量が８０００以上の芳香族ポリカーボネートを製造
する竪型反応槽または横形反応槽では、酸素濃度が１０
〜３０体積％である不活性ガスを主体とする表面処理気
体を用いて表面処理することが好ましい。

【００５０】１０体積％未満の酸素濃度の不活性ガスを
主体とする表面処理気体を用いて表面処理を行うと、ゲ
ルの発生が顕著になり、得られる芳香族ポリカーボネー
トにゲル状物質が混入し、光学用途に用いられるポリカ
ーボネートとしては好ましくない。

【００５１】また、３０体積％を超える酸素濃度の不活
性ガスを主体とする表面処理気体を用いて表面処理を行
うと、得られる芳香族ポリカーボネートの色調が著しく
悪化するため好ましくない。

【００５２】上記の表面処理は、新しい製造装置による
生産開始前に行ってもよいし、あるいは生産停止後の生
産再開前に行ってもよい。

【００５３】表面処理温度、すなわち表面処理時の反応
槽の表面温度は２００〜３５０℃の範囲にあるのが好ま
しく、さらに好ましくは２００〜３３０℃の範囲であ
る。

【００５４】２００℃より低い温度では表面処理を十分
に行うことが困難であり、また３５０℃を超える温度で
はもはや温度上昇による表面処理効果の向上は見られな
い。

【００５５】上記の表面処理は、芳香族ポリカーボネー
トの製造装置をポリカーボネート可溶性液体で洗浄して
洗浄液を排出したのちに行うことができる。

【００５６】ポリカーボネート可溶性液体とは例えば、
フェノールのような芳香族モノヒドロキシ化合物類、ジ
フェニルカーボネートのような炭酸ジエステル、エチレ
ングリコールやトリエチレングリコールのような脂肪族
ジヒドロキシ化合物、塩化メチレンやクロロベンゼンの
ようなハロゲン化合物類が用いられ、それらが液状を保
つ温度で行われることが多い。

【００５７】ポリカーボネート可溶性液体のうち、フェ
ノールのような酸化され易い化合物を用いる場合は、該
洗浄液を減圧下に除去した後に、上記の表面処理を行う
ことが好ましい。

【００５８】次に、上記表面処理方法により表面処理さ
れた製造設備を用いる芳香族ポリカーボネートの製造方
法について記述する。

【００５９】従来、芳香族ポリカーボネートの製造を停
止し、停止後反応装置を表面処理することなく、再び芳
香族ポリカーボネートの製造に使用した場合には、異物
量の少なく、良好な色調の芳香族ポリカーボネートが製
造されるまでに数日を要することもあった。

【００６０】しかしながら、本願発明の表面処理により
処理された製造装置を使用するときには、芳香族ポリカ
ーボネートの製造を開始したのち非常に短時間で良好な
芳香族ポリカーボネートが得られることがあきらかにな
った。

【００６１】本願発明の芳香族ポリカーボネートの製造
法は、前記の如く、本願発明の表面処理方法で処理され
た製造装置内で、芳香族ジヒドロキシ化合物と芳香族炭
酸ジエステルとを、無触媒下、あるいは、アルカリ金属
化合物およびアルカリ土類金属化合物等よりなる群から
選ばれる少なくとも１種の化合物と含窒素塩基性化合物
との組み合わせをエステル交換触媒として、溶融重縮合
せしめることにより行われる。

【００６２】芳香族ジヒドロキシ化合物としては、例え
ばビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−
メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３−
クロロ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（３，
５−ジブロモ−４−ヒドロキシフェニル）メタン、１，
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−
ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフ
ェニル）エタン、１−フェニル−１，１−ビス（３−フ
ルオロ−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）エタ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン
（通称ビスフェノールＡ）、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス
（２−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジ
フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）オクタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）フェニルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキ
シ−１−メチルフェニル）プロパン、１，１−ビス（４
−ヒドロキシ−ｔ−ブチルフェニル）プロパン、２，２
−ビス（４−ヒドロキシ−３−ブロモフェニル）プロパ
ン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル
フェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−
３−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒ
ドロキシ−３，５−ジクロロフェニル）プロパン、２，
２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジブロモフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロ
キシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２−ビス
（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）ブタ
ン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロキシ−５−
メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタン、
１，１−ビス（２−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−
メチルフェニル）イソブタン、１，１−ビス（２−ｔ−
アミル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ブタ
ン、２，２−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−
４−ヒドロキシフェニル）ブタン、４，４−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ヘプタン、１，１−ビス（２−ｔ
−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプ
タン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）オクタ
ン、１，１−（４−ヒドロキシフェニル）エタンなどの
ビス（ヒドロキシアリール）アルカン類；１，１−ビス
（４−ヒドロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，
１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキ
サン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，
５，５−トリメチルシクロヘキサンなどのビス（ヒドロ
キシアリール）シクロアルカン類；ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）エーテル、ビス（４，−ヒドロキシ−３−
メチルフェニル）エーテルなどのビス（ヒドロキシアリ
ール）エーテル類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）ス
ルフィド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルフィドなどのビス（ヒドロキシアリール）スル
フィド類；ビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホキシ
ド、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スル
ホキシド、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニ
ル）スルホキシドなどのビス（ヒドロキシアリール）ス
ルホキシド類；ビス（４ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スル
ホン、ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）
スルホンなどのビス（ヒドロキシアリール）スルホン
類；４，４’−ジヒドロキシビフェニル、４，４’−ジ
ヒドロキシ−２、２’−ジメチルビフェニル、４，４’
−ジヒドロキシ−３、３’−ジメチルビフェニル、４，
４’−ジヒドロキシ−３、３’−ジシクロヘキシルビフ
ェニル、３、３’−ジフルオロ−４，４’−ジヒドロキ
シビフェニルなどのジヒドロキシビフェニル類などが挙
げられるが、特に２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン（ビスフェノールＡ）が好ましい。

【００６３】炭酸ジエステルとしては例えば、ジフェニ
ルカーボネート，ジトリルカーボネート，ビス（クロロ
フェニル）カーボネート，ｍ−クレジルカーボネート，
ジナフチルカーボネート，ビス（ジフェニル）カーボネ
ート，ビスフェノールＡビスフェニルカーボネート、ジ
エチルカーボネート，ジメチルカーボネート，ジブチル
カーボネート，ジシクロヘキシルカーボネート，ビスフ
ェノールＡビスメチルカーボネート、メチルフェニルカ
ーボネート，エチルフェニルカーボネート，ブチルフェ
ニルカーボネート，シクロヘキシルフェニルカーボネー
ト，ビスフェノールＡメチルフェニルカーボネートなど
が挙げられが、特にジフェニルカーボネート（ＤＰＣ）
が好ましく用いられる。

【００６４】本願発明で芳香族ポリカーボネートを製造
するに際して、上記のような芳香族炭酸ジエステルは芳
香族ジヒドロキシ化合物１モルに対して、１．００〜
１．２０モル、好ましくは１．００５〜１．１０モル、
更に好ましくは１．０１〜１．０５モルの量で用いられ
る。

【００６５】さらに、本願発明のポリカーボネートには
必要に応じて、脂肪族ジオールとして、例えば、エチレ
ングリコール、１，４−ブタンジオール、１，４−シク
ロヘキサンジメタノール、１，１０−デカンジオール等
を、ジカルボン酸類として、例えば、コハク酸、イソフ
タル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、アジピン
酸、シクロヘキサンカルボン酸、テレフタル酸等、オキ
シ酸類例えば、乳酸、Ｐ−ヒドロキシ安息香酸、６−ヒ
ドロキシ−２−ナフトエ酸等を含有していても良い。

【００６６】触媒として用いられるアルカリ金属化合物
としては、例えばアルカリ金属の水酸化物、炭酸水素化
物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫酸塩、シ
アン酸塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、水素化ホ
ウ素塩、安息香酸塩、リン酸水素化物、ビスフェノー
ル、フェノールの塩等が挙げられる。

【００６７】具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、水酸化リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭
酸水素カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸ナトリウム、
炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カ
リウム、酢酸リチウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウ
ム、硝酸リチウム、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸カリウ
ム、亜硝酸リチウム、亜硫酸ナトリウム、亜硫酸カリウ
ム、亜硫酸リチウム、シアン酸ナトリウム、シアン酸カ
リウム、シアン酸リチウム、チオシアン酸ナトリウム、
チオシアン酸カリウム、チオシアン酸リチウム、ステア
リン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ステアリン
酸リチウム、水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カ
リウム、水素化ホウ素リチウム、フェニル化ホウ酸ナト
リウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息
香酸リチウム、リン酸水素ジナトリウム、リン酸水素ジ
カリウム、リン酸水素ジリチウム、ビスフェノールＡの
ジナトリウム塩、ジカリウム塩、ジリチウム塩、フェノ
ールのナトリウム塩、カリウム塩、リチウム塩などが挙
げられる。

【００６８】触媒として用いられるアルカリ土類金属化
合物としては、例えばアルカリ土類金属の水酸化物、炭
酸水素化物、炭酸塩、酢酸塩、硝酸塩、亜硝酸塩、亜硫
酸塩、シアン酸塩、チオシアン酸塩、ステアリン酸塩、
安息香酸塩、ビスフェノール、フェノールの塩等が挙げ
られる。

【００６９】具体例としては、水酸化カルシウム、水酸
化バリウム、水酸化ストロンチウム、炭酸水素カルシウ
ム、炭酸水素バリウム、炭酸水素ストロンチウム、炭酸
カルシウム、炭酸バリウム、炭酸ストロンチウム、酢酸
カルシウム、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、硝酸
カルシウム、硝酸バリウム、硝酸ストロンチウム、亜硝
酸カルシウム、亜硝酸バリウム、亜硝酸ストロンチウ
ム、亜硫酸カルシウム、亜硫酸バリウム、亜硫酸ストロ
ンチウム、シアン酸カルシウム、シアン酸バリウム、シ
アン酸ストロンチウム、チオシアン酸カルシウム、チオ
シアン酸バリウム、チオシアン酸ストロンチウム、ステ
アリン酸カルシウム、ステアリン酸バリウム、ステアリ
ン酸ストロンチウム、水素化ホウ素カルシウム、水素化
ホウ素バリウム、水素化ホウ素ストロンチウム、安息香
酸カルシウム、安息香酸バリウム、安息香酸ストロンチ
ウム、ビスフェノールＡのカルシウム塩、バリウム塩、
ストロンチウム塩、フェノールのカルシウム塩、バリウ
ム塩、ストロンチウム塩などが挙げられる。

【００７０】本願発明においては所望により、触媒のア
ルカリ金属化合物として、（ａ）周期律表第１４族の元
素のアート錯体のアルカリ金属塩または（ｂ）周期律表
第１４族の元素のオキソ酸のアルカリ金属塩を用いるこ
とができる。ここで周期律表第１４族の元素とは、ケイ
素、ゲルマニウム、スズのことをいう。

【００７１】（ａ）周期率表第１４族元素のアート錯体
のアルカリ金属塩としては、特開平７−２６８０９１号
公報に記載のものをいうが、具体的には、ゲルマニウム
（Ｇｅ）の化合物；ＮａＧｅ（ＯＭｅ）₅、ＮａＧｅ
（ＯＥｔ）₃、ＮａＧｅ（ＯＰｒ）₅、ＮａＧｅ（ＯＢ
ｕ）₅、ＮａＧｅ（ＯＰｈ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＭｅ）₅、
ＬｉＧｅ（ＯＢｕ）₅、ＬｉＧｅ（ＯＰｈ）₅を挙げるこ
とができる。

【００７２】スズ（Ｓｎ）の化合物としては、ＮａＳｎ
（ＯＭｅ）₃、ＮａＳｎ（ＯＭｅ）₂（ＯＥｔ）、ＮａＳ
ｎ（ＯＰｒ）₃、ＮａＳｎ（Ｏ−ｎ−Ｃ₆Ｈ₁₃）₃、Ｎａ
Ｓｎ（ＯＭｅ）₅、ＮａＳｎ（ＯＥｔ）₅、ＮａＳｎ（Ｏ
Ｂｕ）₅、ＮａＳｎ（Ｏ−ｎ−Ｃ₁₂Ｈ₂₅）₅、ＮａＳｎ
（ＯＥｔ）、ＮａＳｎ（ＯＰｈ）₅、ＮａＳｎＢｕ₂（Ｏ
Ｍｅ）₃を挙げることができる。

【００７３】また（ｂ）周期律表第１４族元素のオキソ
酸のアルカリ金属塩としては、例えばケイ酸（ｓｉｌｉ
ｃｉｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩、スズ酸（ｓｔａ
ｎｉｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩、ゲルマニウム
（ＩＩ）酸（ｇｅｒｍａｎｏｕｓ ａｃｉｄ）のアルカ
リ金属塩、ゲルマニウム（ＩＶ）酸（ｇｅｒｍａｎｉｃ
ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩を好ましいものとして挙げ
ることができる。

【００７４】ケイ酸のアルカリ金属塩は、例えばモノケ
イ酸（ｍｏｎｏｓｉｌｉｃｉｃ ａｃｉｄ）またはその
縮合体の酸性あるいは中性アルカリ金属塩であり、その
例としては、オルトケイ酸モノナトリウム、オルトケイ
酸ジナトリウム、オルトケイ酸トリナトリウム、オルト
ケイ酸テトラナトリウムを挙げることができる。

【００７５】スズ酸のアルカリ金属塩は、例えばモノス
ズ酸（ｍｏｎｏｓｔａｎｉｃ ａｃｉｄ）またはその縮
合体の酸性あるいは中性アルカリ金属塩であり、その例
としてはモノスズ酸ジナトリウム塩（Ｎａ₂ＳｎＯ₃・Ｘ
Ｈ₂Ｏ、Ｘ＝０〜５）、モノスズ酸テトラナトリウム塩
（Ｎａ₄ＳｎＯ₄）を挙げることができる。

【００７６】ゲルマニウム（ＩＩ）酸（ｇｅｒｍａｎｏ
ｕｓ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩は、例えばモノゲル
マニウム酸またはその縮合体の酸性あるいは中性アルカ
リ金属塩であり、その例としてはゲルマニウム酸モノナ
トリウム塩（ＮａＨＧｅＯ₂）を挙げることができる。

【００７７】ゲルマニウム（ＩＶ）酸（ｇｅｒｍａｎｉ
ｃ ａｃｉｄ）のアルカリ金属塩は、例えばモノゲルマ
ニウム（ＩＶ）酸またはその縮合体の酸性あるいは中性
アルカリ金属塩であり、その例としてはオルトゲルマニ
ウム酸モノリチウム酸（ＬｉＨ₃ＧｅＯ₄）オルトゲルマ
ニウム酸ジナトリウム塩、オルトゲルマニウム酸テトラ
ナトリウム塩、ジゲルマニウム酸ジナトリウム塩（Ｎａ
₂Ｇｅ₂Ｏ₅）、テトラゲルマニウム酸ジナトリウム塩
（Ｎａ₂Ｇｅ₄Ｏ₉）、ペンタゲルマニウム酸ジナトリウ
ム塩（Ｎａ₂Ｇｅ₅Ｏ₁₁）を挙げることができる。

【００７８】触媒としてのアルカリ金属化合物またはア
ルカリ土類金属化合物は、当該触媒中のアルカリ金属元
素またはアルカリ土類金属元素が芳香族ジオール化合物
１モル当り１×１０^-8〜５×１０^-5当量となる場合で好
ましく使用される。より好ましい割合は同じ基準に対し
５×１０^-7〜１×１０^-5当量となる割合である。

【００７９】当該触媒中のアルカリ金属元素量またはア
ルカリ土類金属元素量が芳香族ジオール化合物１モル当
り１×１０^-8〜５×１０^-5当量の範囲を逸脱すると、得
られる芳香族ポリカーボネートの諸物性に悪影響を及ぼ
したり、また、エステル交換反応が充分に進行せず高分
子量の芳香族ポリカーボネートが得られない等の問題が
あり好ましくない。

【００８０】また、触媒としての含窒素塩基性化合物と
しては、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
（Ｍｅ₄ＮＯＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキ
シド（Ｅｔ₄ＮＯＨ）、テトラブチルアンモニウムヒド
ロキシド（Ｂｕ₄ＮＯＨ）、ベンジルトリメチルアンモ
ニウムヒドロキシド（φ−ＣＨ₂（Ｍｅ）₃ＮＯＨ）、ヘ
キサデシルトリメチルアンモニウムヒドロキシドなどの
アルキル、アリール、アルキルアリール基などを有する
アンモニウムヒドロオキシド類、トリエチルアミン、ト
リブチルアミン、ジメチルベンジルアミン、ヘキサデシ
ルジメチルアミンなどの３級アミン類、あるいはテトラ
メチルアンモニウムボロハイドライド（Ｍｅ₄ＮＢ
Ｈ₄）、テトラブチルアンモニウムボロハイドライド
（Ｂｕ₄ＮＢＨ₄）、テトラブチルアンモニウムテトラフ
ェニルボレート（Ｍｅ₄ＮＢＰｈ₄）、テトラブチルアン
モニウムテトラフェニルボレート（Ｂｕ₄ＮＢＰｈ₄）な
どの塩基性塩を挙げることができる。

【００８１】上記含窒素塩基性化合物は、含窒素塩基性
化合物中のアンモニウム窒素原子が芳香族ジヒドロキシ
化合物１モル当り１×１０^-5〜５×１０^-3当量となる割
合で用いるのが好ましい。より好ましい割合は同じ基準
に対し２×１０^-5〜５×１０ ^-4当量となる割合である。
特に好ましい割合は同じ基準に対し５×１０^-5〜５×１
０^-4当量となる割合である。

【００８２】なお、本願明細書において、仕込み芳香族
ジオール化合物（芳香族ジオール化合物ともいう）に対
するアルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、含
窒素塩基性化合物の割合いを、「芳香族ジヒドロキシ化
合物１モルに対し金属または塩基性窒素としてＷ（数
値）当量のＺ（化合物名）量」として表現したが、これ
は、例えば、Ｚがナトリウムフェノキシドや２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンモノナトリウム
塩のようにナトリウム原子が一つであり、またはトリエ
チルアミンのように塩基性窒素が一つであれば、Ｚの量
がＷモルに相当する量であることを意味し、２，２−ビ
ス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンジナトリウム塩
のように二つであれば、Ｗ／２モルに相当する量である
ことを意味する。

【００８３】本願発明の重縮合反応には、上記触媒と一
緒に、必要により、周期律表第１４族元素のオキソ酸お
よび同元素の酸化物よりなる群から選ばれる少なくとも
１種の助触媒を共存させることができる。

【００８４】これら助触媒を特定の割合で用いることに
より、末端の封鎖反応、重縮合反応速度を損なうことな
く、重縮合反応中に生成し易い分岐反応や、成形加工時
における装置内での異物の生成、やけといった好ましく
ない副反応をより効果的に抑制することができる。

【００８５】芳香族ジヒドロキシ化合物と芳香族炭酸ジ
エステルを加熱溶融下反応させて芳香族ポリカーボネー
トを製造するにあたり、エステル交換反応を行うに際し
て、不活性ガス雰囲気下で芳香族ジヒドロキシ化合物と
芳香族炭酸ジエステルとを加熱および撹拌し、生ずる溶
融混合物に前述の触媒を添加し、エステル交換反応を開
始させる。反応温度は通常１４０〜３００℃であり、重
合の進行と共に反応温度を高めることが一般に実施され
る。また、反応系の圧力は系を減圧にするかもしくは大
量の不活性ガスを流通させて、生成するフェノールの留
出を容易にさせ、反応を進めることが一般に実施され
る。

【００８６】本願発明を実施するのに使用される装置形
式は特に制限が無く、通常知られている竪型撹拌槽や横
形撹拌槽やルーダー等が使用できる。

【００８７】更に詳しくは、反応を回分式で実施する場
合は２基の竪型撹拌槽を用い、精留塔を付設した第１撹
拌槽に芳香族ジヒドロキシ化合物と芳香族炭酸ジエステ
ルとを前記モル比で仕込み、不活性ガスで置換した後、
加熱溶融させ、これに前記重合触媒を所定量添加した
後、系を真空に引きつつ加熱し、初期の重合を行わせた
後、精留塔を持たない第２の撹拌槽に反応液を移送し系
を更に高真空とし、かつ温度も高めて所定の重合度とな
るまで重合を継続させることが一般である。

【００８８】反応を連続式で実施する場合は複数の撹拌
槽を用い、この内、反応物の粘度が低い初期重合槽には
精留塔を付設した竪型撹拌槽を用い、反応物の粘度が高
まり副生する芳香族モノヒドロキシ化合物の除去が難し
くなる後期重合槽には横形撹拌槽や、２軸ルーダーを使
用し、これらを直列に設置し、連続的に溶融した原料と
触媒とを第１重合槽に送り込むと共に最終重合槽から連
続的に所定重合度のポリカーボネートを抜き出すことが
一般に実施される。

【００８９】本願発明で得られたポリカーボネートに安
定剤を添加することもできる。本願発明に使用する安定
剤としては、公知の安定剤が有効に使用されるが、この
中でもスルホン酸のアンモニウム塩、ホスホニウム塩が
好ましく、更にドデシルベンゼンスルホン酸テトラブチ
ルホスホニウム塩等のドデシルベンゼンスルホン酸の上
記塩類やパラトルエンスルホン酸テトラブチルアンモニ
ウム塩等のパラトルエンスルホン酸の上記塩類が好まし
い。またスルホン酸のエステルとしてベンゼンスルホン
酸メチル、ベンゼンスルホン酸エチル、ベンゼンスルホ
ン酸ブチル、ベンゼンスルホン酸オクチル、ベンゼンス
ルホン酸フェニル、パラトルエンスルホン酸メチル、パ
ラトルエンスルホン酸エチル、パラトルエンスルホン酸
ブチル、パラトルエンスルホン酸オクチル、パラトルエ
ンスルホン酸フェニル等が好ましく用いられ、就中、ド
デシルベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩
が最も好ましく使用される。

【００９０】これらの安定剤の使用量はアルカリ金属化
合物および／またはアルカリ土類金属化合物より選ばれ
た前記重合触媒１モル当たり０．５〜５０モルの割合
で、好ましくは０．５〜１０モルの割合で、更に好まし
くは０．８〜５モルの割合で使用することができる。

【００９１】これらの安定剤は直接、または適当な溶剤
に溶解または分散させて溶融状態のポリカーボネートに
添加、混練する。このような操作を実施するのに用いら
れる設備に特に制限は無いが、例えば２軸ルーダー等が
好ましく、安定剤を溶剤に溶解または分散させた場合は
ベント付きの２軸ルーダーが特に好ましく使用される。

【００９２】また本願発明においては、本願発明の目的
を損なわない範囲でポリカーボネートに添加剤を添加す
ることができる。この添加剤は安定剤と同様に溶融状態
のポリカーボネートに添加することが好ましく、このよ
うな添加剤としては、例えば、耐熱安定剤、エポキシ化
合物、紫外線吸収剤、離型剤、着色剤、スリップ剤、ア
ンチブロッキング剤、滑剤、有機充填剤、無機充填剤等
をあげることができる。

【００９３】これらの内でも耐熱安定剤、紫外線吸収
剤、離型剤、着色剤等が特に一般的に使用され、これら
は２種以上組み合わせて使用することができる。

【００９４】本願発明に用いられる耐熱安定剤として
は、例えば、燐化合物、フェノール系安定剤、有機チオ
エーテル系安定剤、ヒンダードアミン系安定剤等を挙げ
ることができる。

【００９５】また、紫外線吸収剤としては、一般的な紫
外線吸収剤が用いられ、例えば、サリチル酸系紫外線吸
収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾトリアゾ
ール系紫外線吸収剤、シアノアクリレート系紫外線吸収
剤等を挙げることができる。

【００９６】また離型剤としては一般的に知られた離型
剤を用いることができ、例えば、パラフィン類などの炭
化水素系離型剤、ステアリン酸等の脂肪酸系離型剤、ス
テアリン酸アミド等の脂肪酸アミド系離型剤、ステアリ
ルアルコール、ペンタエリスリトール等のアルコール系
離型剤、グリセリンモノステアレート等の脂肪酸エステ
ル系離型剤、シリコーンオイル等のシリコーン系離型剤
等を挙げることができる。

【００９７】着色剤としては有機系や無機系の顔料や染
料を使用することができる。

【００９８】これらの添加剤の添加方法に特に制限はな
いが、例えば、直接ポリカーボネートに添加してもよ
く、マスターペレットを作成して添加してもよい。

【００９９】

【実施例】以下に、本願発明の実施例を示す。なお、こ
の実施例は本願発明を例示するためのものであり、本願
発明はこの実施例によって制限されるものではない。本
願発明の趣旨に合致する限り他の実施の形態も本願発明
の範疇に属し得ることは言うまでもない。

【０１００】なお以下の実施例において使用した原料お
よび得られたポリカーボネートの物性は以下のようにし
て測定した。

【０１０１】（酸素濃度）反応装置からの排気ガス中の
酸素濃度を愛知産業（株）製ＯＡ−１型酸素分析計にて
測定した。

【０１０２】（粘度平均分子量）０．７ｇ／ｄＬの塩化
メチレン溶液をウベローデ粘度計を用い固有粘度を測定
し、次式により粘度平均分子量を求めた。 ［η］＝１．２３×１０^-4Ｍ^0.83 （色調（ｂ値））ポリカーボネートペレット（短径×長
径×長さ（ｍｍ）＝２．５×３．３×３．０）のＬａｂ
値を、日本電色工業製ＮＤ−１００１ＤＰを用い反射法
で測定し黄色度の尺度としてｂ値を用いた。

【０１０３】（異物量（１０μｍ以上の異物数））ポリ
カーボネートを塩化メチレンで溶液化し、レーザー光を
利用した光散乱／光遮断方式による微粒子計測器（Ｈｉ
ａｃＲｏｙｃｏ社製）により微粒子数を測定した。結果
をポリカーボネート５００ｇあたりの個数で示す。

【０１０４】［実施例１］精留塔と撹拌機とを備えたジ
ャケット付き竪型完全混合槽をギヤポンプを介して２基
直列に接続した反応槽（重合第１、第２槽）に、さらに
一軸撹拌機を備えたジャケット付き横形反応槽（重合第
３槽）を直列に接続し、ギヤポンプにてポリマーを排出
する連続重合装置について、生産を行った後、重合第３
槽に残留するポリマーをジフェニルカーボネートで解重
合し、洗浄した後、装置全体をフェノールで洗浄し、次
いで装置を真空下で乾燥させて停止した。生産再開に当
たって、停止設備の特別な洗浄は行わずに本願発明の表
面処理を実施した。

【０１０５】重合第１、第２槽はジャケットに２５０℃
の熱媒を流通させながら、窒素ガスと酸素ガスとの混合
ガスを、１００Ｌ／Ｈｒで供給し、槽内圧力を常圧に保
ちつつ排気し、排気される窒素ガスの酸素濃度を３００
体積ｐｐｍに調整して７２時間保持した。

【０１０６】重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒
を流通させながら、窒素ガスと酸素ガスとの混合ガス
を、１００Ｌ／Ｈｒで供給し、槽内圧力を常圧に保ちつ
つ排気し、排気される窒素ガスの酸素濃度を２０体積％
に調整して７２時間保持し、装置表面の処理をおこなっ
た。

【０１０７】排気される窒素ガスの温度は熱媒ジャケッ
ト温度にほぼ一致していた。

【０１０８】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなった。

【０１０９】ついで、２，２−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）プロパン１モルに対し、ジフェニルカーボネ−
トを１．０２モルの割合で、撹拌機を備えた溶融槽に仕
込み、窒素置換後１５０℃で溶解し、該溶融混合液を１
５０℃に保った原料貯槽に移送した。

【０１１０】次いで、該溶融混合液を、内温２２０℃、
内圧を１３３３３Ｐａ（１００ｔｏｒｒ）に維持した重
合第１槽に連続的に供給すると共に、２，２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）プロパン１モルに対し、５×１
０^-7当量のナトリウムフェノキシドと１×１０^-4当量の
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドとを連続的に加
え、生成するフェノールを精留塔より除去して反応を行
い、プレポリマー（１）を得た。

【０１１１】ついで該プレポリマー（１）を内温を２６
０℃、内圧を１３３３Ｐａ（１０ｔｏｒｒ）に維持した
重合第２槽に連続的に供給した。生成するフェノールを
精留塔より除去して反応を行い、プレポリマー（２）を
得た。

【０１１２】次いで該プレポリマー（２）を内温を２７
０℃、内圧を１３３Ｐａ（１ｔｏｒｒ）に保った重合第
３槽に、連続的に供給した。発生するフェノールを系外
に除去しつつさらに重合させた。

【０１１３】上記により、重合第１槽から得られた反応
物については、２時間後には安定した反応状態で粘度平
均分子量１８００であるポリカーボネートプレポリマー
（１）が得られた。

【０１１４】また、重合第２槽から抜き出されるプレポ
リマー（２）は抜き出し開始から２時間後には安定した
状態に達し、その粘度平均分子量は６０００であった。

【０１１５】また、重合第３槽から抜き出されるポリマ
ーは抜き出し開始から２時間後には安定した状態に達
し、その粘度平均分子量は１５２００であった。溶融状
態にあるポリカーボネートはギヤポンプにより抜き出
し、ダイスより押し出しペレタイザーによりペレット化
した。結果を表１に示す。表１中、異物量は、全ての例
について反応開始２４時間後のものである。

【０１１６】［実施例２］生産を行った後、実施例１に
記載した方法に従って装置を停止し、生産再開に当たっ
て本願発明の表面処理を実施した。

【０１１７】実施例１と同様の連続重合装置を用いて、
実施例１と同様の条件下、重合第１、第２槽はジャケッ
トに２５０℃の熱媒を流通させながら、排気される窒素
ガスの酸素濃度を９００体積ｐｐｍに調整して７２時間
保持した。重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒を
流通させながら、排気される窒素ガスの酸素濃度を２０
体積％に調整して７２時間保持し、装置表面の処理をお
こなった。

【０１１８】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなった。この
後、該設備を使用してポリカーボネートの連続重合を実
施例１と同様に実施した。

【０１１９】上記により、重合第１槽からは、２時間後
には安定した反応状態で粘度平均分子量１８００である
ポリカーボネートプレポリマー（１）が得られた。

【０１２０】また、重合第２槽からは、２時間後には安
定した反応状態で粘度平均分子量６０００であるポリカ
ーボネートプレポリマー（２）を得た。

【０１２１】また、重合第３槽から得られた反応物をギ
ヤポンプを用いて連続的に排出して、２時間後には安定
した反応状態で粘度平均分子量１５２００のポリカーボ
ネートを連続的に得た。

【０１２２】溶融状態にあるポリカーボネートはギヤポ
ンプにより抜き出し、ダイスより押し出しペレタイザー
によりペレット化した。結果を表１に示す。

【０１２３】［実施例３］生産を行った後、実施例１に
記載した方法に従って装置を停止し、生産再開に当たっ
て本願発明の表面処理を実施した。

【０１２４】実施例１と同様の連続重合装置を用いて、
実施例１と同様の条件下、重合第１、第２槽はジャケッ
トに２５０℃の熱媒を流通させながら、排気される窒素
ガスの酸素濃度を３００体積ｐｐｍに調整して７２時間
保持した。重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒を
流通させながら、排気される窒素ガスの酸素濃度を１５
体積％に調整して７２時間保持し、装置表面の処理をお
こなった。

【０１２５】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなったのち、
重合を実施例１と同様に実施した。

【０１２６】上記により、重合第１槽からは、２時間後
には安定した反応状態で粘度平均分子量１８００である
ポリカーボネートプレポリマー（１）が得られた。

【０１２７】また、重合第２槽からは、２時間後には安
定した反応状態で粘度平均分子量６０００であるポリカ
ーボネートプレポリマー（２）を得た。

【０１２８】また、重合第３槽から得られた反応物をギ
ヤポンプを用いて連続的に排出して、２時間後には安定
した反応状態で粘度平均分子量１５２００のポリカーボ
ネートを連続的に得た。

【０１２９】溶融状態にあるポリカーボネートはギヤポ
ンプにより抜き出し、ダイスより押し出しペレタイザー
によりペレット化した。結果を表１に示す。

【０１３０】［実施例４］生産を行った後、実施例１に
記載した方法に従って装置を停止し、生産再開に当たっ
て本願発明の表面処理を実施した。

【０１３１】実施例１と同様の連続重合装置を用いて、
実施例１と同様の条件下、重合第１、第２槽はジャケッ
トに２５０℃の熱媒を流通させながら、排気される窒素
ガスの酸素濃度を３００体積ｐｐｍに調整して７２時間
保持した。重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒を
流通させながら、排気される窒素ガスの酸素濃度を２５
体積％に調整して７２時間保持し、装置表面の処理をお
こなった。

【０１３２】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなったのち、
重合を実施例１と同様に実施した。

【０１３３】上記により、重合第１槽からは、２時間後
には安定した反応状態で粘度平均分子量１８００である
ポリカーボネートプレポリマー（１）が得られた。

【０１３４】また、重合第２槽からは、２時間後には安
定した反応状態で粘度平均分子量６０００であるポリカ
ーボネートプレポリマー（２）を得た。

【０１３５】また、重合第３槽から得られた反応物をギ
ヤポンプを用いて連続的に排出して、２時間後には安定
した反応状態で粘度平均分子量１５２００のポリカーボ
ネートを連続的に得た。

【０１３６】溶融状態にあるポリカーボネートはギヤポ
ンプにより抜き出し、ダイスより押し出しペレタイザー
によりペレット化した。結果を表１に示す。

【０１３７】［実施例５］生産を行った後、実施例１に
記載した方法に従って装置を停止し、生産再開に当たっ
て以下の表面処理を実施した。

【０１３８】重合第１、第２、第３槽に共通して槽を開
放し、３００番バフ研磨を行ったあとに、各槽を１８３
℃の温度にて、フェノールを用いた槽洗浄を各２時間ず
つ実施した。

【０１３９】その後、フェノールを排出し、真空度が１
３３Ｐａ（１ｔｏｒｒ）に到達するまで減圧による乾燥
をおこない、フェノールを除去した。

【０１４０】続いて、実施例１と同様の条件下、重合第
１、第２槽はジャケットに２５０℃の熱媒を流通させな
がら、排気される窒素ガスの酸素濃度を３００体積ｐｐ
ｍに調整して７２時間保持した。

【０１４１】重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒
を流通させながら、排気される窒素ガスの酸素濃度を２
０体積％に調整して７２時間保持し、装置表面の処理を
おこなった。

【０１４２】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなったのち、
重合を実施例１と同様に実施した。

【０１４３】上記により、重合第１槽からは、２時間後
には安定した反応状態で粘度平均分子量１８００である
ポリカーボネートプレポリマー（１）が得られた。

【０１４４】また、重合第２槽からは、２時間後には安
定した反応状態で粘度平均分子量６０００であるポリカ
ーボネートプレポリマー（２）を得た。

【０１４５】また、重合第３槽から得られた反応物をギ
ヤポンプを用いて連続的に排出して、２時間後には安定
した反応状態で粘度平均分子量１５２００のポリカーボ
ネートを連続的に得た。

【０１４６】溶融状態にあるポリカーボネートはギヤポ
ンプにより抜き出し、ダイスより押し出しペレタイザー
によりペレット化した。結果を表１に示す。

【０１４７】［比較例１］実施例１に記載した方法に従
って生産を停止した装置を生産再開するに当たって、以
下に示す表面処理を実施した。

【０１４８】実施例１と同様の連続重合装置を用いて、
実施例１と同様の条件下、重合第１、第２槽はジャケッ
トに２５０℃の熱媒を流通させながら、排気される窒素
ガスの酸素濃度を１５００体積ｐｐｍに調整して７２時
間保持した。

【０１４９】重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒
を流通させながら、排気される窒素ガスの酸素濃度を２
０体積％に調整して７２時間保持し、装置表面の処理を
おこなった。

【０１５０】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなったのち、
重合を実施例１と同様に実施した。

【０１５１】上記により、重合第１槽からは、２時間後
には粘度平均分子量６００であるポリカーボネートプレ
ポリマー（１）が得られ、２４時間後でも粘度平均分子
量１５００のプレポリマーしか得られず、プレポリマー
の着色が目立った。

【０１５２】また、重合第２槽からは、２時間後には粘
度平均分子量３７００であるポリカーボネートプレポリ
マー（２）が得られ、２４時間後でも粘度平均分子量５
５００のプレポリマーしか得られなかった。

【０１５３】また、重合第３槽から得られた反応物をギ
ヤポンプを用いて連続的に排出して、２時間後には粘度
平均分子量１０２００、８時間後には粘度平均分子量１
１３００、２４時間後には粘度平均分子量１２７００の
ポリカーボネートを得た。

【０１５４】溶融状態にあるポリカーボネートはギヤポ
ンプにより抜き出し、ダイスより押し出しペレタイザー
によりペレット化した。

【０１５５】結果を表１に示す。色相も異物量も高めで
あった。

【０１５６】［比較例２］実施例１に記載した方法に従
って生産を停止した装置を生産再開するに当たって、以
下に示す表面処理を実施した。

【０１５７】実施例１と同様の連続重合装置を用いて、
実施例１と同様の条件下、重合第１、第２槽はジャケッ
トに２５０℃の熱媒を流通させながら、排気される窒素
ガスの酸素濃度を３００体積ｐｐｍに調整して７２時間
保持した。

【０１５８】重合第３槽はジャケットに３２０℃の熱媒
を流通させながら、排気される窒素ガスの酸素濃度を５
体積％に調整して７２時間保持し、装置表面の処理をお
こなった。

【０１５９】その後、反応槽内を真空ポンプにて１３３
Ｐａ（１ｔｏｒｒ）まで減圧し、酸素濃度５体積ｐｐｍ
の窒素ガスを用いて、３回窒素置換をおこなったのち、
重合を実施例１と同様に実施した。

【０１６０】上記により、重合第１槽からは、２時間後
には粘度平均分子量１８００であるポリカーボネートプ
レポリマー（１）が得られた。

【０１６１】また、重合第２槽からは、２時間後には粘
度平均分子量６０００であるポリカーボネートプレポリ
マー（２）を得た。

【０１６２】また、重合第３槽から得られた反応物をギ
ヤポンプを用いて連続的に排出して、２時間後には粘度
平均分子量１４４００のポリカーボネートを連続的に得
た。

【０１６３】溶融状態にあるポリカーボネートはギヤポ
ンプにより抜き出し、ダイスより押し出しペレタイザー
によりペレット化した。結果を表１に示す。

【０１６４】結果を表１に示す。高い異物水準を示し
た。

【０１６５】なお、表１中、バフ研磨、槽洗浄とは、休
止後立ち上がり時に実施する操作のことを意味する。

【０１６６】

【表１】

【０１６７】

【発明の効果】新しい製造装置による生産開始、あるい
は生産停止後の生産再開を行ったときに、色調に優れ、
ゲル等異物の少ない芳香族ポリカーボネートを早期に生
産することができるようになる。

【０１６８】この芳香族ポリカーボネートは、特に光学
記録用途に適する。

フロントページの続き (72)発明者 佐々木 勝司 山口県岩国市日の出町２番１号 帝人株式 会社岩国研究センター内 Ｆターム(参考） 4J029 AA09 AB07 AC01 AC02 AE04 BB10A BB10B BB12A BB12B BB12C BB13A BB13B BB13C BD09A BD09B BD09C BF14A BF14B BH02 DB07 DB12 DB13 HA01 HC03 HC04A HC05A HC05B JA083 JA143 KJ06 LA01 LA04 LA05

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
   テルとをエステル交換せしめて芳香族ポリカーボネート
   を製造するための製造装置を、実質的にポリカーボネー
   トが存在しない状態で表面処理する方法であって、 粘度平均分子量が８０００未満の芳香族ポリカーボネー
   トを排出する反応槽について、酸素濃度が０．１体積％
   以下である不活性ガスを主体とする表面処理気体の雰囲
   気で表面処理をすることと、 粘度平均分子量が４０００以上の芳香族ポリカーボネー
   トを投入し、粘度平均分子量が８０００以上の芳香族ポ
   リカーボネートを排出する反応槽について、酸素濃度が
   １０〜３０体積％である不活性ガスを主体とする表面処
   理気体の雰囲気で表面処理をすることとを実行すること
   を含む、芳香族ポリカーボネート製造装置の表面処理方
   法。
2. 【請求項２】 前記不活性ガスの少なくともいずれかが
   窒素であることを特徴とする請求項１に記載の芳香族ポ
   リカーボネート製造装置の表面処理方法。
3. 【請求項３】 前記反応槽の少なくともいずれかの表面
   温度が２００〜３５０℃であることを特徴とする請求項
   １または２に記載の芳香族ポリカーボネート製造装置の
   表面処理方法。
4. 【請求項４】 前記反応槽の少なくともいずれかの接液
   部がステンレス鋼製であることを特徴とする請求項１〜
   ３のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネート製造装置
   の表面処理方法。
5. 【請求項５】 前記反応槽の少なくともいずれかについ
   て、前記表面処理気体による表面処理の前にバフ研磨を
   施すことを含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれ
   かに記載の芳香族ポリカーボネート製造装置の表面処理
   方法。
6. 【請求項６】 前記反応槽の少なくともいずれかについ
   て、前記表面処理気体による表面処理の前に、ポリカー
   ボネート可溶性液体で洗浄した後洗浄液を排出し、次い
   で前記表面処理を実行することを含むことを特徴とする
   請求項１〜５のいずれかに記載の芳香族ポリカーボネー
   ト製造装置の表面処理方法。
7. 【請求項７】 芳香族ジヒドロキシ化合物と炭酸ジエス
   テルとをエステル交換せしめて芳香族ポリカーボネート
   を製造する芳香族ポリカーボネートの製造方法におい
   て、請求項１〜６に記載の表面処理方法で表面処理した
   反応槽を使用することを特徴とする芳香族ポリカーボネ
   ートの製造方法。