JP2003243969A - ワンショットパルス発生回路 - Google Patents
ワンショットパルス発生回路Info
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Abstract
されなくなる。 【解決手段】 1つの入力信号からインバータ回路を用
いて応答速度の異なる2つの信号線を作成し、その応答
速度差を利用して2つの信号線の論理積により、入力信
号の立ち上がり/立下りに対してワンショットパルスを
発生させるワンショットパルス発生回路において、イン
バータ回路のしきい値を適宜設定するか、もしくは所望
の応答速度を設定することにより、入力信号の信号幅狭
化に対して最終的に入力信号に対応したパルスを出力す
る。
Description
り、立下りにのエッジに呼応してそれぞれ1つづつパル
ス信号を出力するワンショットパルス発生回路に関する
ものである。
路である。この回路は、1つの入力信号を、インバータ
1よりなる径路Aと、インバータ2、3およびコンデン
サ4よりなる径路Bとに導き、それらの径路通過後の信
号をANDゲート5に入力し、また、径路Aの出力信号
を、インバータ6よりなる径路Cと、インバータ7、8
およびコンデンサ9よりなる径路Dとに導き、それらの
径路通過後の信号をANDゲート10に入力している。
変化の状況を図2のタイミングチャートに示している。
入力端子Aに入力信号aが入力されたとき、その信号a
がHレベレルからLレベルに変化すると、その信号立下
りに呼応してANDゲート5の出力端子Eにオフパルス
が出力され、次に前記入力信号aがLからHに変化する
と、その立ち上がり呼応してANDゲート10の出力端
子Iにオンパルスが出力される。
のローからハイへの変化から短時間後にHからLに変化
したときは、ANDゲート5の出力端子Eにオフパルス
は出力されない。
スを出力するには、前段階として、入力がHレベル時に
径路Bでの反応が完了して径路BのAND入力(C点)が
Hレベルになっている必要がある。(このとき、D点は
Lレベルでこの状態で入力がHレベルからLレベルに切
替わると、D点はLレベルからHレベルへ直ちに切替わ
るが、C点はコンデンサ4により、Hレベルへ上昇して
いる途中でLレベルへ変化し始めてしまい、ANDゲー
ト5ではHレベルと認識されない(しきい値に達しない)
ために端子Eにワンショットパルスは出力されない。)
の応答時間の不足により、C点が所定のHレベルまで達
しないために、オフパルスが出力されなくなる。
る論理がオフ側とは逆相であるため、パルス入力の前に
G点はHレベルになっている。この状態でLレベルから
Hレベルに切替わると、G点とH点がHレベル期間に対
し端子Iにオンパルスが出力される。そして入力信号の
パルス幅が短くなると、オンパルスの出力期間が入力パ
ルス幅で制限されるようになる。
ると、入力の最終的な状態(HレベルからLレベル)に対
するワンショットパルスが出力されず、誤動作を起こし
てしまう。入力信号bについても同様で、その場合はオ
ンパルスが出力されなくなる。
ルスおよびオフパルスを確実に出力できるワンショット
パルス発生回路を提供するものである。
ルス発生回路は、1つの入力信号からインバータ回路を
用いて応答速度の異なる2つの信号線を作成し、その応
答速度差を利用して2つの信号線の論理積により、入力
信号の立ち上がり/立下りに対してワンショットパルス
を発生させるものにおいて、前記インバータ回路のしき
い値を適宜設定することにより、入力信号の信号幅狭化
に対して最終的に入力信号に対応したパルスを出力可能
とした。
路を構成するMOSトランジスタのW/Lサイズの変更
によって行う(請求項2)。
の一方に対し、インバータ回路に替えてコンパレータを
用いることで行う(請求項3)。
の一方において、インバータの電源電圧を可変にするこ
とにより行う(請求項4)。
の一方に対し、MOSトランジスタを用い、それのバッ
クゲート効果によって行う(請求項5)。
1つの入力信号からインバータ回路を用いて応答速度の
異なる2つの信号線を作成し、その応答速度差を利用し
て2つの信号線の論理積により、入力信号の立ち上がり
/立下りに対してワンショットパルスを発生させるもの
において、前記2つの信号線の内の一方に対し、所望の
応答速度を設定することにより、入力信号の信号幅狭化
に対して最終的に入力信号に対応したパルスを出力可能
とした。
2つの信号線の一方に定電流源を付加することにより行
う(請求項7)。
定電流源に替えてMOSトランジスタと抵抗を用いて行
うこともできる(請求項8)。
抵抗を省き、MOSトランジスタのL/Wのサイズの規
定により行うこともできる(請求項9)。
ス発生回路であり、回路構成は図1のものと同じである
が、図3のものでは、インバータ1〜3およびインバー
タ6〜8のしきい値を以下のように規定している。イン
バータ3のしきい値<インバータ2のしきい値<インバ
ータ1のしきい値インバータ8のしきい値<インバータ
7のしきい値<インバータ6のしきい値
ランジスタの外観を示しており、その幅W、および長さ
Lの寸法を適宜決めることにより、インバータのいきい
値を随意に設定することができる。
り、例えば図4に示したような狭パルスが入力されたと
き、C点がLレベルからHレベルへ変化し始める入力信
号の電圧レベル(w点)は、オンパルスの出力が開始され
る入力電圧レベル(x)点よりも低い。つまり、オンパル
スが出力される場合には、C点はLレベルからHレベル
への切替えが進み、z点にてオフパルスを出力する。a
よりさらにパルスの短い入力の場合、x、y点が重な
り、先にオンパルスが出力されなくなる。図5にタイミ
ングチャートを示す。
ス発生回路であり、回路構成は図1におけるインバータ
2、3、7、8をコンパレータ15、16、17、18
に置き換えたものとなっている。コンパレータを用いる
ことでしきい値の変更が容易となる。
ス発生回路であり、回路構成は図1におけるインバータ
2、3、7、8を、任意の電源を有するコンパレータ1
9、20、21、22に置き換えたものとなっており、
しきい値を外部から設定可能とすることで図3の回路と
同等の機能を実現でき、かつ、図7の回路よりも簡素
(レイアウト面積小)にできる。
ス発生回路であり、回路構成は図1におけるインバータ
2、3、7、8に替えて、P型およびN型のトランジス
タの対23、24、25、260、21、22を採用し
ており、それらのトランジスタ対にVp、Vnを設定(バ
ックゲート効果:MOSトランジスタでは通常、バック
グランドとソースをショートとして用いるが、ソース端
子が基板電位と電位差を持つと、トランジスタのしきい
値Vthが定数分上乗せされてくる現象)してしきい値を
設定する。
が可能で、又、抵抗素子などを介して電源(GND)へ接
続することも可能である。バックゲート効果を利用する
ことで、レイアウト面積はほぼ従来のままで上述した実
施形態と同じ効果を得ることが可能である。
ス発生回路であり、回路構成は図1におけるインバータ
2、7を、定電流源とMOSトランジスタとの組み合わ
せ(11−12、13−14)に置き換えたものとなって
いる。
B点の応答は、B点がLレベルからHレベルへ変化する
場合、定電流源11により、コンデンサ4を充電するた
め、B点の電位は、その定電流源11の電流値およびコ
ンデンサ4の容量で決まる傾きで上昇する。B点のHレ
ベルからLレベルへの変化に際しては、トランジスタ1
2の電流駆動能力がほぼその傾きに影響する。
駆動能力(及びコンデンサ容量値)を適当に設定すること
で、B点のLレベルからHレベルへの変化を緩やかに、
HレベルからLレベルの変化を急峻にすることが可能で
ある。その結果、図9の回路構成においても、狭パルス
幅の入力信号に対して、前実施形態1と同様の効果を得
ることができる。この場合のタイミングチャートは図4
や図5と同じになる。
ルス発生回路であり、回路構成は図6における定電流源
11、13に替えて、MOSトランジスタ27、28と
抵抗を採用している。定電流源を用いないため回路規模
を小さく、レイアウトの縮小を図れる。また、MOSト
ランジスタに抵抗を組み合わせたことにより、回路の温
度特性を補正することも可能となる。
ルス発生回路であり、回路構成は図10における(MO
Sトランジスタ+抵抗)をMOSトランジスタ29、3
0のみとし、電流調整は、トランジスタ29、30のW
/Lおよびゲート入力電圧で行う。
に比べ、回路規模を小さく、レイアウトの縮小を図れ
る。
インバータ回路を用いて応答速度の異なる2つの信号線
を作成し、その応答速度差を利用して2つの信号線の論
理積により、入力信号の立ち上がり/立下りに対してワ
ンショットパルスを発生させるワンショットパルス発生
回路において、そのインバータ回路のしきい値を適宜設
定したものであり、入力信号が信号幅狭化しても最終的
に入力信号に対応したパルスを出力できる。
記インバータ回路を構成するMOSトランジスタのW/
Lサイズの変更により行なうものであり、しきい値の変
更を容易に行える。
記2つの信号線の一方に対し、インバータ回路に替えて
コンパレータを用いて行うものであり、しきい値の変更
を容易に行なえる。
記2つの信号線の一方において、インバータの電源電圧
を可変にすることにより行なうものであり、しきい値の
変更が容易であるとともに簡単な構成となるためレイア
ウト面積を小さくできる。
方に対し、MOSトランジスタを用い、それのバックゲ
ート効果によりしきい値の変更を行ったものであり、従
来のものに比べレイアウト面積を変えることなく実施で
きる。
ンバータ回路を用いて応答速度の異なる2つの信号線を
作成し、その応答速度差を利用して2つの信号線の論理
積により、入力信号の立ち上がり/立下りに対してワン
ショットパルスを発生させるワンショットパルス発生回
路において、2つの信号線の内の一方に対し、所望の応
答速度を設定したものであり、入力信号が信号幅狭化し
ても最終的に入力信号に対応したパルスを出力できる。
するために上記2つの信号線の一方に定電流源を付加し
ており、この構成によれば、応答速度の設定が容易とな
る。
するために上記定電流源に替えてMOSトランジスタと
抵抗を用いており、定電流源を用いないため回路規模を
小さく、レイアウトの縮小を図れる。また、MOSトラ
ンジスタに抵抗を組み合わせたことにより、回路の温度
特性を補正することも可能となる。
定するために、上記抵抗を省き、MOSトランジスタの
L/Wのサイズの規定により行なっており、この構成で
は更に回路規模が小さく、レイアウトの縮小を図れる。
ト
ト
Dゲート、15、16コンパレータ、19、20 イン
バータ、12、14、23、24、25、26、27、
28、29、30 MOSトランジスタ
Claims (9)
- 【請求項1】 1つの入力信号からインバータ回路を用
いて応答速度の異なる2つの信号線を作成し、その応答
速度差を利用して2つの信号線の論理積により、入力信
号の立ち上がり/立下りに対してワンショットパルスを
発生させるワンショットパルス発生回路において、 前記インバータ回路のしきい値を適宜設定することによ
り、入力信号の信号幅狭化に対して最終的に入力信号に
対応したパルスを出力可能としたワンショットパルス発
生回路。 - 【請求項2】 上記インバータ回路を構成するMOSト
ランジスタのW/Lサイズの変更によってしきい値を異
ならせる請求項1記載のワンショットパルス発生回路。 - 【請求項3】 上記2つの信号線の一方に対し、インバ
ータ回路に替えてコンパレータを用いることでしきい値
を異ならせる請求項1記載のワンショットパルス発生回
路。 - 【請求項4】 上記2つの信号線の一方において、イン
バータの電源電圧を可変にしてインバータのしきい値を
変える請求項1記載のワンショットパルス発生回路。 - 【請求項5】 上記2つの信号線の一方に対し、MOS
トランジスタを用い、それのバックゲート効果により、
しきい値を異ならせる請求項1記載のワンショットパル
ス発生回路。 - 【請求項6】 1つの入力信号からインバータ回路を用
いて応答速度の異なる2つの信号線を作成し、その応答
速度差を利用して2つの信号線の論理積により、入力信
号の立ち上がり/立下りに対してワンショットパルスを
発生させるワンショットパルス発生回路において、 前記2つの信号線の内の一方に対し、所望の応答速度を
設定することにより、入力信号の信号幅狭化に対して最
終的に入力信号に対応したパルスを出力可能としたワン
ショットパルス発生回路。 - 【請求項7】 上記2つの信号線の一方に定電流源を付
加して応答速度を異ならせる請求項6記載のワンショッ
トパルス発生回路。 - 【請求項8】 上記定電流源に替えてMOSトランジス
タと抵抗を用いた請求項7記載のワンショットパルス発
生回路。 - 【請求項9】 上記抵抗を省き、MOSトランジスタの
L/Wのサイズの規定により応答速度を設定する請求項
8記載のワンショットパルス発生回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002040354A JP2003243969A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | ワンショットパルス発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002040354A JP2003243969A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | ワンショットパルス発生回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003243969A true JP2003243969A (ja) | 2003-08-29 |
JP2003243969A5 JP2003243969A5 (ja) | 2005-06-09 |
Family
ID=27781111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002040354A Pending JP2003243969A (ja) | 2002-02-18 | 2002-02-18 | ワンショットパルス発生回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003243969A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11152924B2 (en) | 2019-11-26 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level shifter and operating method of level shifter |
-
2002
- 2002-02-18 JP JP2002040354A patent/JP2003243969A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11152924B2 (en) | 2019-11-26 | 2021-10-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Level shifter and operating method of level shifter |
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