JP2003243315A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】真空状態の炉内温度データの取得を可能とする
と共に、熱電対の挿脱時の破損事故を防止する。 【解決手段】炉内温度測定装置を具備する半導体製造装
置に於いて、該温度測定装置は、炉内に気密に挿設され
た保護管３２と、該保護管の露出部に設けられた引込ま
れ防止部３２ａと、前記保護管内に収納される熱電対３
１とを具備する。
と共に、熱電対の挿脱時の破損事故を防止する。 【解決手段】炉内温度測定装置を具備する半導体製造装
置に於いて、該温度測定装置は、炉内に気密に挿設され
た保護管３２と、該保護管の露出部に設けられた引込ま
れ防止部３２ａと、前記保護管内に収納される熱電対３
１とを具備する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンウェーハ
等の基板に薄膜を生成し、或は不純物の拡散、エッチン
グ等を行い、半導体デバイスを製造するＣＶＤ装置、拡
散炉等反応炉を具備した半導体製造装置、特に反応炉内
の温度を測定する温度測定装置を具備した半導体製造装
置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】先ず、図３に於いて、半導体製造装置の
一例を説明する。 【０００３】図中、１はカセット授受ユニット、２はカ
セットストッカ、３はウェーハ移載機構、４はボートエ
レベータ、５は反応炉を示す。 【０００４】ウェーハ６はウェーハの搬送容器であるウ
ェーハカセット７に装填された状態で半導体製造装置と
外部装置との間で搬送が行われる。 【０００５】前記ウェーハカセット７は前記カセット授
受ユニット１のカセットホルダ８に載置され、昇降ステ
ージ９の昇降、前記カセットホルダ８の反転、進退によ
り前記カセットストッカ２に収納される。又、同様に該
カセットストッカ２からの前記ウェーハカセット７の払
出しも前記カセット授受ユニット１を介して行われる。 【０００６】前記ボートエレベータ４はボートキャップ
１０を介して基板保持具であるボート１１を昇降自在に
支持し、該ボート１１を前記反応炉５内に装入、引出し
を行う。 【０００７】前記ウェーハ移載機構３は昇降、回転、進
退する基板チャック部１２を有し、更に該基板チャック
部１２は複数の基板載置プレート１３を有し、複数枚、
或は一枚ずつ前記ウェーハ６を保持する様になってい
る。而して前記ウェーハ移載機構３は、前記ボート１１
の降下状態で、該ボート１１と前記カセットストッカ２
に収納されたウェーハカセット７との間で前記ウェーハ
６の移載を行う様になっている。 【０００８】前記ボート１１に前記ウェーハ６が所定枚
数実装されると、前記ボートエレベータ４は前記ボート
１１を前記反応炉５内に装入し、該反応炉５内で前記ウ
ェーハ６が加熱されると共に反応ガスが供給され、所要
の基板処理がなされる。 【０００９】基板処理が完了すると前記ボートエレベー
タ４により前記ボート１１が降下され、所定温度迄冷却
された後、前記ウェーハ移載機構３により前記カセット
ストッカ２内のウェーハカセット７に処理済のウェーハ
６が払出される。処理済のウェーハ６を収納したウェー
ハカセット７は上記搬入手順と逆の手順で装置外に搬出
される。 【００１０】上記した基板の処理工程に於いて、炉内温
度、及び炉内の温度分布は基板の処理品質に大きく影響
する。従って、半導体製造装置では処理中の炉内温度、
炉内の温度分布が所定温度となる様に前記反応炉５の温
度測定を行い、測定結果を基に炉内の温度管理を行って
いる。 【００１１】図４に於いて、該反応炉５の概略、又該反
応炉５に設けられた温度測定装置について説明する。 【００１２】ヒータベース１５に有天筒状のヒータユニ
ット１６が立設され、前記ヒータベース１５の下側に図
示しない支持部を介して炉口フランジ１７が支持され、
前記ヒータユニット１６内には同心多重に配置された有
天筒状の石英製アウタチューブ１８、上端が開放された
石英製インナチューブ１９が前記炉口フランジ１７に立
設されている。前記インナチューブ１９で画成される領
域は反応領域２０となっている。 【００１３】前記炉口フランジ１７の下端開口部は前記
ボートエレベータ４に昇降可能に支持された炉口蓋２１
により気密に閉塞可能であり、該炉口蓋２１には前記ボ
ート１１が載置される。前記インナチューブ１９内部に
は反応ガス導入ノズル２２が挿入され、前記炉口フラン
ジ１７には排気管２３が接続されている。前記ヒータユ
ニット１６により前記アウタチューブ１８内が加熱さ
れ、前記反応ガス導入ノズル２２より反応ガスが導入さ
れると共に前記排気管２３から余剰のガスが排気され
る。 【００１４】図５に示される様に、前記炉口蓋２１に通
孔２４が穿設され、前記炉口蓋２１の下側には下方に延
出する中空筒状のポート部材２５が前記通孔２４と同心
に気密に固着されている。 【００１５】前記ポート部材２５を貫通する貫通孔２６
ａの下端部には広径部２６ｂが形成され、前記貫通孔２
６ａと広径部２６ｂとの境界部にはテーパ部２６ｃが形
成されている。又、前記ポート部材２５の下端部外周面
には螺子が刻設されている。 【００１６】前記テーパ部２６ｃに当接する様にＯリン
グ２７が内嵌され、更に前記広径部２６ｂにはリング状
のＯリング押え２８が遊嵌され、更に該Ｏリング押え２
８に外嵌するリング状の袋ナット２９が前記ポート部材
２５の下端部に螺合している。 【００１７】内部に熱電対３１を収納し、先端が閉塞さ
れた石英製の保護管３２が前記袋ナット２９、前記Ｏリ
ング押え２８、前記ポート部材２５、前記炉口蓋２１を
貫通して前記インナチューブ１９内に挿入され、上端は
前記ボート１１の上端に達する様に位置決めされる。前
記熱電対３１は前記保護管３２を通して炉内の温度を測
定すると共に前記熱電対３１は前記保護管３２により炉
内雰囲気から遮断保護される。 【００１８】該保護管３２の固定は、前記袋ナット２９
を締込むことで、前記Ｏリング２７が前記テーパ部２６
ｃに押圧され、該テーパ部２６ｃに押圧されることで、
テーパ面の作用により前記Ｏリング２７が圧縮され、圧
縮力により前記保護管３２が気密に保持される。 【００１９】而して、該保護管３２は気密に保持され、
炉内が減圧状態でも温度測定が行える。 【００２０】又、前記熱電対３１により炉内の特定点の
温度が測定されることで、反応炉内の、或は基板処理中
の温度管理が可能となる。 【００２１】次に、反応炉は上端部、下端部、特に下端
部で放熱量が大きく、炉内全長に亘って均熱状態を得る
ことは困難である。従って、半導体製造装置の実稼働に
際しては炉内の均熱長測定、温度管理の為の温度補正値
等の温度データを取得する必要がある。 【００２２】上記した従来の半導体製造装置に於いて、
炉内が大気状態の場合、温度データを取得するには、図
５の状態から、前記袋ナット２９、前記Ｏリング押え２
８、前記Ｏリング２７を取外し、図６で示される状態と
し、前記保護管３２を自在に上下動させ得る状態とす
る。 【００２３】前記ボート１１の上端に達している前記保
護管３２即ち熱電対３１を徐々に引下げ、該熱電対３１
の位置（温度測定点ａ（図４参照））が変更される点毎
に一定時間保持して温度測定を行い、炉内の全長に亘っ
て温度測定を行っていた。 【００２４】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来の温度測
定装置では、前記ポート部材２５に対して前記保護管３
２が出入り自在である為、前記ポート部材２５と前記保
護管３２間には隙間が存在する。従って、炉内を真空状
態とすると、前記ポート部材２５と前記保護管３２間の
隙間から、外気が浸入し真空状態の維持ができない上
に、炉内下部の温度が不安定となることから、炉内を真
空状態とした場合の温度測定を行うことができないとい
う問題があった。 【００２５】又、温度測定を行う為に、前記ナット２
９、前記Ｏリング押え２８、前記Ｏリング２７を取外
し、或は緩め、測定後は再度前記ナット２９、前記Ｏリ
ング押え２８、前記Ｏリング２７の取付けが必要であ
る。 【００２６】この為、測定後の前記ナット２９、前記Ｏ
リング押え２８、前記Ｏリング２７の取付けが完全でな
い場合、炉内を減圧状態とすると、前記保護管３２が炉
内に引込まれることも考えられた。 【００２７】更に、前記温度測定装置では前記保護管３
２を挿脱する場合、前記ポート部材２５がガイドとなる
が、図４でも示される様に該ポート部材２５の全長は前
記保護管３２の全長に対して極めて短い。この為、該保
護管３２の挿入後、前記保護管３２と前記ポート部材２
５の芯合せが充分でないと、或は前記保護管３２を引抜
く方向が正確でない場合は、該保護管３２を引下げる際
に前記ポート部材２５との間でかじりを生じ、前記保護
管３２、熱電対３１を破損する虞れがあった。 【００２８】本発明は斯かる実情に鑑み、真空状態の炉
内温度データの取得を可能とすると共に、熱電対の挿脱
時の破損事故を防止するものである。 【００２９】 【課題を解決するための手段】本発明は、炉内温度測定
装置を具備する半導体製造装置に於いて、該温度測定装
置は、炉内に気密に挿設された保護管と、該保護管の露
出部に設けられた引込まれ防止部と、前記保護管内に収
納される熱電対とを具備する半導体製造装置に係るもの
である。 【００３０】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。 【００３１】図１は本発明の要部を示すものであり、図
１中、図５中で示したものと同等のものには同符号を付
してある。 【００３２】尚、本発明が実施される半導体製造装置、
反応炉等については、前述したのと同様であるので、説
明を省略する。 【００３３】炉口蓋２１に通孔２４が穿設され、前記炉
口蓋２１の下側には下方に延出する中空筒状のポート部
材２５が前記通孔２４と同心となる様、溶接等により気
密に固着されている。 【００３４】前記ポート部材２５を貫通する貫通孔２６
ａの下端部には広径部２６ｂが形成され、貫通孔２６ａ
と広径部２６ｂとの境界部にはテーパ部２６ｃが形成さ
れている。又、前記ポート部材２５の下端部外周面には
螺子が刻設されている。 【００３５】先端が閉塞された熱電対収納管３３が、先
端が閉塞された保護管３２に対して基端側から挿脱自在
となっており、前記熱電対収納管３３の下端より所要量
上方に位置決めフランジ３３ａが形成されている。前記
熱電対収納管３３内部には熱電対３１が収納され、前記
熱電対収納管３３の下端部で前記熱電対３１が固定さ
れ、前記熱電対収納管３３と前記熱電対３１とは一体化
されている。 【００３６】前記テーパ部２６ｃに当接する様にＯリン
グ２７が内嵌され、更に前記広径部２６ｂにはリング状
のＯリング押え２８が遊嵌され、更に該Ｏリング押え２
８に外嵌するリング状の袋ナット２９が前記ポート部材
２５の下端部に螺合している。前記袋ナット２９を仮止
めした状態で、石英製の前記保護管３２が前記袋ナット
２９、前記Ｏリング押え２８、前記ポート部材２５、前
記炉口蓋２１を貫通して前記インナチューブ１９内に挿
入される。 【００３７】前記保護管３２の下端には引込まれ防止用
としてのフランジ部３２ａが形成され、該フランジ部３
２ａが前記袋ナット２９の下面に当接する迄前記保護管
３２が挿入される。前記フランジ部３２ａが前記袋ナッ
ト２９の下面に当接した状態で、前記保護管３２の上端
は前記ボート１１の上端近傍に達する様に前記保護管３
２の長さ等が決定されている。 【００３８】前記袋ナット２９を締込むことで、前記Ｏ
リング２７が前記テーパ部２６ｃに押圧され、該テーパ
部２６ｃに押圧されることで、テーパ面の作用により前
記Ｏリング２７が圧縮され、圧縮力により前記保護管３
２と前記ポート部材２５間がが気密にシールされる。 【００３９】又、前記保護管３２は前記Ｏリング２７の
圧縮力により保持されると共に前記フランジ部３２ａが
前記袋ナット２９の下面に当接することで、前記保護管
３２の軸心方向（図１では上方向）が拘束される。 【００４０】而して、該保護管３２内の熱電対３１の有
無に拘らず、前記保護管３２を取付けることで炉内は気
密となる。 【００４１】炉内温度を測定する場合は、前記熱電対収
納管３３を前記保護管３２に挿入する。挿入時、前記熱
電対収納管３３の挿入部全長に亘り、前記保護管３２に
ガイドされる状態となるので、該保護管３２と前記熱電
対収納管３３とのかじり状態が発生することなく、前記
熱電対収納管３３の円滑な挿脱が行える。 【００４２】更に、前記位置決めフランジ３３ａを前記
フランジ部３２ａに当接させることで、前記熱電対３１
の位置が決定される。この時の熱電対３１の炉内での位
置を正確に測定しておけば、前記位置決めフランジ３３
ａを前記袋ナット２９に当接させることで、直ちに前記
熱電対３１の正確な位置決めが可能であり、前記位置決
めフランジ３３ａを前記袋ナット２９に当接した状態を
基準として前記熱電対収納管３３の移動量を決定すれ
ば、炉内の正確な位置の温度測定が可能となる。 【００４３】又、前記熱電対収納管３３は前記保護管３
２への挿入であるので、前記熱電対３１による炉内の温
度測定時の気密が維持され、炉内の減圧状態での温度デ
ータの取得が可能となる。 【００４４】又、前記保護管３２は前記位置決めフラン
ジ３２ａが前記袋ナット２９に当接することで機械的に
拘束されており、炉内を減圧としても前記保護管３２は
引込まれることがない。従って、前記Ｏリング押え２８
は前記Ｏリング２７が気密性を発揮する様に締込めばよ
く、前記保護管３２の保持を考慮する必要がないので、
作業者の負担が軽減される。 【００４５】尚、上記実施の形態では、引込まれ防止用
凸部としてフランジを径方向に突出形成したが、所要箇
所好ましくは２カ所以上に突起を設け、該突起が前記袋
ナット２９に当接する様にしてもよい。同様に、前記位
置決めフランジ３３ａも凸部として所要箇所に設けた突
起としてもよい。又、前記熱電対収納管３３は必ずしも
必要でなく、前記保護管３２内に熱電対３１を保持でき
る構造となっていればよい。 【００４６】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、炉内温
度測定装置を具備する半導体製造装置に於いて、該温度
測定装置は、炉内に気密に挿設された保護管と、該保護
管の露出部に設けられた引込まれ防止部と、前記保護管
内に収納される熱電対とを具備するので、真空状態の炉
内温度データの取得が可能となり、更に前記保護管が熱
電対収納管挿脱のガイドの機能を奏するので、円滑な挿
脱が可能となり、熱電対の挿脱時の破損事故を防止する
等の優れた効果を発揮する。
等の基板に薄膜を生成し、或は不純物の拡散、エッチン
グ等を行い、半導体デバイスを製造するＣＶＤ装置、拡
散炉等反応炉を具備した半導体製造装置、特に反応炉内
の温度を測定する温度測定装置を具備した半導体製造装
置に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】先ず、図３に於いて、半導体製造装置の
一例を説明する。 【０００３】図中、１はカセット授受ユニット、２はカ
セットストッカ、３はウェーハ移載機構、４はボートエ
レベータ、５は反応炉を示す。 【０００４】ウェーハ６はウェーハの搬送容器であるウ
ェーハカセット７に装填された状態で半導体製造装置と
外部装置との間で搬送が行われる。 【０００５】前記ウェーハカセット７は前記カセット授
受ユニット１のカセットホルダ８に載置され、昇降ステ
ージ９の昇降、前記カセットホルダ８の反転、進退によ
り前記カセットストッカ２に収納される。又、同様に該
カセットストッカ２からの前記ウェーハカセット７の払
出しも前記カセット授受ユニット１を介して行われる。 【０００６】前記ボートエレベータ４はボートキャップ
１０を介して基板保持具であるボート１１を昇降自在に
支持し、該ボート１１を前記反応炉５内に装入、引出し
を行う。 【０００７】前記ウェーハ移載機構３は昇降、回転、進
退する基板チャック部１２を有し、更に該基板チャック
部１２は複数の基板載置プレート１３を有し、複数枚、
或は一枚ずつ前記ウェーハ６を保持する様になってい
る。而して前記ウェーハ移載機構３は、前記ボート１１
の降下状態で、該ボート１１と前記カセットストッカ２
に収納されたウェーハカセット７との間で前記ウェーハ
６の移載を行う様になっている。 【０００８】前記ボート１１に前記ウェーハ６が所定枚
数実装されると、前記ボートエレベータ４は前記ボート
１１を前記反応炉５内に装入し、該反応炉５内で前記ウ
ェーハ６が加熱されると共に反応ガスが供給され、所要
の基板処理がなされる。 【０００９】基板処理が完了すると前記ボートエレベー
タ４により前記ボート１１が降下され、所定温度迄冷却
された後、前記ウェーハ移載機構３により前記カセット
ストッカ２内のウェーハカセット７に処理済のウェーハ
６が払出される。処理済のウェーハ６を収納したウェー
ハカセット７は上記搬入手順と逆の手順で装置外に搬出
される。 【００１０】上記した基板の処理工程に於いて、炉内温
度、及び炉内の温度分布は基板の処理品質に大きく影響
する。従って、半導体製造装置では処理中の炉内温度、
炉内の温度分布が所定温度となる様に前記反応炉５の温
度測定を行い、測定結果を基に炉内の温度管理を行って
いる。 【００１１】図４に於いて、該反応炉５の概略、又該反
応炉５に設けられた温度測定装置について説明する。 【００１２】ヒータベース１５に有天筒状のヒータユニ
ット１６が立設され、前記ヒータベース１５の下側に図
示しない支持部を介して炉口フランジ１７が支持され、
前記ヒータユニット１６内には同心多重に配置された有
天筒状の石英製アウタチューブ１８、上端が開放された
石英製インナチューブ１９が前記炉口フランジ１７に立
設されている。前記インナチューブ１９で画成される領
域は反応領域２０となっている。 【００１３】前記炉口フランジ１７の下端開口部は前記
ボートエレベータ４に昇降可能に支持された炉口蓋２１
により気密に閉塞可能であり、該炉口蓋２１には前記ボ
ート１１が載置される。前記インナチューブ１９内部に
は反応ガス導入ノズル２２が挿入され、前記炉口フラン
ジ１７には排気管２３が接続されている。前記ヒータユ
ニット１６により前記アウタチューブ１８内が加熱さ
れ、前記反応ガス導入ノズル２２より反応ガスが導入さ
れると共に前記排気管２３から余剰のガスが排気され
る。 【００１４】図５に示される様に、前記炉口蓋２１に通
孔２４が穿設され、前記炉口蓋２１の下側には下方に延
出する中空筒状のポート部材２５が前記通孔２４と同心
に気密に固着されている。 【００１５】前記ポート部材２５を貫通する貫通孔２６
ａの下端部には広径部２６ｂが形成され、前記貫通孔２
６ａと広径部２６ｂとの境界部にはテーパ部２６ｃが形
成されている。又、前記ポート部材２５の下端部外周面
には螺子が刻設されている。 【００１６】前記テーパ部２６ｃに当接する様にＯリン
グ２７が内嵌され、更に前記広径部２６ｂにはリング状
のＯリング押え２８が遊嵌され、更に該Ｏリング押え２
８に外嵌するリング状の袋ナット２９が前記ポート部材
２５の下端部に螺合している。 【００１７】内部に熱電対３１を収納し、先端が閉塞さ
れた石英製の保護管３２が前記袋ナット２９、前記Ｏリ
ング押え２８、前記ポート部材２５、前記炉口蓋２１を
貫通して前記インナチューブ１９内に挿入され、上端は
前記ボート１１の上端に達する様に位置決めされる。前
記熱電対３１は前記保護管３２を通して炉内の温度を測
定すると共に前記熱電対３１は前記保護管３２により炉
内雰囲気から遮断保護される。 【００１８】該保護管３２の固定は、前記袋ナット２９
を締込むことで、前記Ｏリング２７が前記テーパ部２６
ｃに押圧され、該テーパ部２６ｃに押圧されることで、
テーパ面の作用により前記Ｏリング２７が圧縮され、圧
縮力により前記保護管３２が気密に保持される。 【００１９】而して、該保護管３２は気密に保持され、
炉内が減圧状態でも温度測定が行える。 【００２０】又、前記熱電対３１により炉内の特定点の
温度が測定されることで、反応炉内の、或は基板処理中
の温度管理が可能となる。 【００２１】次に、反応炉は上端部、下端部、特に下端
部で放熱量が大きく、炉内全長に亘って均熱状態を得る
ことは困難である。従って、半導体製造装置の実稼働に
際しては炉内の均熱長測定、温度管理の為の温度補正値
等の温度データを取得する必要がある。 【００２２】上記した従来の半導体製造装置に於いて、
炉内が大気状態の場合、温度データを取得するには、図
５の状態から、前記袋ナット２９、前記Ｏリング押え２
８、前記Ｏリング２７を取外し、図６で示される状態と
し、前記保護管３２を自在に上下動させ得る状態とす
る。 【００２３】前記ボート１１の上端に達している前記保
護管３２即ち熱電対３１を徐々に引下げ、該熱電対３１
の位置（温度測定点ａ（図４参照））が変更される点毎
に一定時間保持して温度測定を行い、炉内の全長に亘っ
て温度測定を行っていた。 【００２４】 【発明が解決しようとする課題】上記した従来の温度測
定装置では、前記ポート部材２５に対して前記保護管３
２が出入り自在である為、前記ポート部材２５と前記保
護管３２間には隙間が存在する。従って、炉内を真空状
態とすると、前記ポート部材２５と前記保護管３２間の
隙間から、外気が浸入し真空状態の維持ができない上
に、炉内下部の温度が不安定となることから、炉内を真
空状態とした場合の温度測定を行うことができないとい
う問題があった。 【００２５】又、温度測定を行う為に、前記ナット２
９、前記Ｏリング押え２８、前記Ｏリング２７を取外
し、或は緩め、測定後は再度前記ナット２９、前記Ｏリ
ング押え２８、前記Ｏリング２７の取付けが必要であ
る。 【００２６】この為、測定後の前記ナット２９、前記Ｏ
リング押え２８、前記Ｏリング２７の取付けが完全でな
い場合、炉内を減圧状態とすると、前記保護管３２が炉
内に引込まれることも考えられた。 【００２７】更に、前記温度測定装置では前記保護管３
２を挿脱する場合、前記ポート部材２５がガイドとなる
が、図４でも示される様に該ポート部材２５の全長は前
記保護管３２の全長に対して極めて短い。この為、該保
護管３２の挿入後、前記保護管３２と前記ポート部材２
５の芯合せが充分でないと、或は前記保護管３２を引抜
く方向が正確でない場合は、該保護管３２を引下げる際
に前記ポート部材２５との間でかじりを生じ、前記保護
管３２、熱電対３１を破損する虞れがあった。 【００２８】本発明は斯かる実情に鑑み、真空状態の炉
内温度データの取得を可能とすると共に、熱電対の挿脱
時の破損事故を防止するものである。 【００２９】 【課題を解決するための手段】本発明は、炉内温度測定
装置を具備する半導体製造装置に於いて、該温度測定装
置は、炉内に気密に挿設された保護管と、該保護管の露
出部に設けられた引込まれ防止部と、前記保護管内に収
納される熱電対とを具備する半導体製造装置に係るもの
である。 【００３０】 【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態を説明する。 【００３１】図１は本発明の要部を示すものであり、図
１中、図５中で示したものと同等のものには同符号を付
してある。 【００３２】尚、本発明が実施される半導体製造装置、
反応炉等については、前述したのと同様であるので、説
明を省略する。 【００３３】炉口蓋２１に通孔２４が穿設され、前記炉
口蓋２１の下側には下方に延出する中空筒状のポート部
材２５が前記通孔２４と同心となる様、溶接等により気
密に固着されている。 【００３４】前記ポート部材２５を貫通する貫通孔２６
ａの下端部には広径部２６ｂが形成され、貫通孔２６ａ
と広径部２６ｂとの境界部にはテーパ部２６ｃが形成さ
れている。又、前記ポート部材２５の下端部外周面には
螺子が刻設されている。 【００３５】先端が閉塞された熱電対収納管３３が、先
端が閉塞された保護管３２に対して基端側から挿脱自在
となっており、前記熱電対収納管３３の下端より所要量
上方に位置決めフランジ３３ａが形成されている。前記
熱電対収納管３３内部には熱電対３１が収納され、前記
熱電対収納管３３の下端部で前記熱電対３１が固定さ
れ、前記熱電対収納管３３と前記熱電対３１とは一体化
されている。 【００３６】前記テーパ部２６ｃに当接する様にＯリン
グ２７が内嵌され、更に前記広径部２６ｂにはリング状
のＯリング押え２８が遊嵌され、更に該Ｏリング押え２
８に外嵌するリング状の袋ナット２９が前記ポート部材
２５の下端部に螺合している。前記袋ナット２９を仮止
めした状態で、石英製の前記保護管３２が前記袋ナット
２９、前記Ｏリング押え２８、前記ポート部材２５、前
記炉口蓋２１を貫通して前記インナチューブ１９内に挿
入される。 【００３７】前記保護管３２の下端には引込まれ防止用
としてのフランジ部３２ａが形成され、該フランジ部３
２ａが前記袋ナット２９の下面に当接する迄前記保護管
３２が挿入される。前記フランジ部３２ａが前記袋ナッ
ト２９の下面に当接した状態で、前記保護管３２の上端
は前記ボート１１の上端近傍に達する様に前記保護管３
２の長さ等が決定されている。 【００３８】前記袋ナット２９を締込むことで、前記Ｏ
リング２７が前記テーパ部２６ｃに押圧され、該テーパ
部２６ｃに押圧されることで、テーパ面の作用により前
記Ｏリング２７が圧縮され、圧縮力により前記保護管３
２と前記ポート部材２５間がが気密にシールされる。 【００３９】又、前記保護管３２は前記Ｏリング２７の
圧縮力により保持されると共に前記フランジ部３２ａが
前記袋ナット２９の下面に当接することで、前記保護管
３２の軸心方向（図１では上方向）が拘束される。 【００４０】而して、該保護管３２内の熱電対３１の有
無に拘らず、前記保護管３２を取付けることで炉内は気
密となる。 【００４１】炉内温度を測定する場合は、前記熱電対収
納管３３を前記保護管３２に挿入する。挿入時、前記熱
電対収納管３３の挿入部全長に亘り、前記保護管３２に
ガイドされる状態となるので、該保護管３２と前記熱電
対収納管３３とのかじり状態が発生することなく、前記
熱電対収納管３３の円滑な挿脱が行える。 【００４２】更に、前記位置決めフランジ３３ａを前記
フランジ部３２ａに当接させることで、前記熱電対３１
の位置が決定される。この時の熱電対３１の炉内での位
置を正確に測定しておけば、前記位置決めフランジ３３
ａを前記袋ナット２９に当接させることで、直ちに前記
熱電対３１の正確な位置決めが可能であり、前記位置決
めフランジ３３ａを前記袋ナット２９に当接した状態を
基準として前記熱電対収納管３３の移動量を決定すれ
ば、炉内の正確な位置の温度測定が可能となる。 【００４３】又、前記熱電対収納管３３は前記保護管３
２への挿入であるので、前記熱電対３１による炉内の温
度測定時の気密が維持され、炉内の減圧状態での温度デ
ータの取得が可能となる。 【００４４】又、前記保護管３２は前記位置決めフラン
ジ３２ａが前記袋ナット２９に当接することで機械的に
拘束されており、炉内を減圧としても前記保護管３２は
引込まれることがない。従って、前記Ｏリング押え２８
は前記Ｏリング２７が気密性を発揮する様に締込めばよ
く、前記保護管３２の保持を考慮する必要がないので、
作業者の負担が軽減される。 【００４５】尚、上記実施の形態では、引込まれ防止用
凸部としてフランジを径方向に突出形成したが、所要箇
所好ましくは２カ所以上に突起を設け、該突起が前記袋
ナット２９に当接する様にしてもよい。同様に、前記位
置決めフランジ３３ａも凸部として所要箇所に設けた突
起としてもよい。又、前記熱電対収納管３３は必ずしも
必要でなく、前記保護管３２内に熱電対３１を保持でき
る構造となっていればよい。 【００４６】 【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、炉内温
度測定装置を具備する半導体製造装置に於いて、該温度
測定装置は、炉内に気密に挿設された保護管と、該保護
管の露出部に設けられた引込まれ防止部と、前記保護管
内に収納される熱電対とを具備するので、真空状態の炉
内温度データの取得が可能となり、更に前記保護管が熱
電対収納管挿脱のガイドの機能を奏するので、円滑な挿
脱が可能となり、熱電対の挿脱時の破損事故を防止する
等の優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の温
度測定装置を示す断面図である。 【図２】同前温度測定装置の温度測定状態を示す断面図
である。 【図３】温度測定装置を具備した半導体製造装置の一例
を示す斜視図である。 【図４】温度測定装置を具備した反応炉の一例を示す断
面図である。 【図５】従来の温度測定装置の断面図である。 【図６】従来の温度測定装置の温度測定状態を示す断面
図である。 【符号の説明】 ５ 反応炉 ６ ウェーハ １１ ボート １５ ヒータベース ２５ ポート部材 ２７ Ｏリング ２８ Ｏリング押え ２９ 袋ナット ３１ 熱電対 ３２ 保護管 ３２ａ フランジ部 ３３ 熱電対収納管 ３３ａ 位置決めフランジ
度測定装置を示す断面図である。 【図２】同前温度測定装置の温度測定状態を示す断面図
である。 【図３】温度測定装置を具備した半導体製造装置の一例
を示す斜視図である。 【図４】温度測定装置を具備した反応炉の一例を示す断
面図である。 【図５】従来の温度測定装置の断面図である。 【図６】従来の温度測定装置の温度測定状態を示す断面
図である。 【符号の説明】 ５ 反応炉 ６ ウェーハ １１ ボート １５ ヒータベース ２５ ポート部材 ２７ Ｏリング ２８ Ｏリング押え ２９ 袋ナット ３１ 熱電対 ３２ 保護管 ３２ａ フランジ部 ３３ 熱電対収納管 ３３ａ 位置決めフランジ
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 4K030 CA04 CA12 JA10 KA39
5F045 AA03 AA06 BB20 DP19 EK30
GB02
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 炉内温度測定装置を具備する半導体製造
装置に於いて、該温度測定装置は、炉内に気密に挿設さ
れた保護管と、該保護管の露出部に設けられた引込まれ
防止部と、前記保護管内に収納される熱電対とを具備す
ることを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002042781A JP2003243315A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002042781A JP2003243315A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003243315A true JP2003243315A (ja) | 2003-08-29 |
Family
ID=27782777
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002042781A Pending JP2003243315A (ja) | 2002-02-20 | 2002-02-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003243315A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157930A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、熱電対および半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-02-20 JP JP2002042781A patent/JP2003243315A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157930A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、熱電対および半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040929 |
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| A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20050523 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20050531 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051011 |