JP2003240902A

JP2003240902A - 反射防止光学物品

Info

Publication number: JP2003240902A
Application number: JP2002035977A
Authority: JP
Inventors: Hideo Ukuta; 秀雄宇久田; Hideyuki Hatakeyama; 英之畠山
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2002-02-13
Filing date: 2002-02-13
Publication date: 2003-08-27

Abstract

(57)【要約】【課題】光学基材との密着性が良好で、環境耐久性に
優れ、ひび割れやしわのない反射防止膜を有する反射防
止光学物品、及び上記光学物品を備えた光学機器を提供
すること。【解決手段】真空プロセスにより光学基材上に少なく
とも１層の反射防止膜を形成する際に、前記光学基材と
接する層の膜質充填率が４０％以上６０％以下の無機酸
化物で成膜することにより上記反射防止光学物品を得
る。特に、成膜において不活性ガスを用いて真空度を調
整し、低真空度で成膜することにより、好適な本発明の
反射防止光学物品を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、レンズ、フィルタ
ー、ミラー、スクリーン等の光学基材上に反射防止膜を
有する反射防止光学物品、及びこれらを備えた光学機器
に関する。特に、光学基材との密着性が良好で、環境耐
久性に優れた反射防止光学物品と、該反射防止光学物品
を備えた光学機器とに関する。

【０００２】

【従来の技術】光学物品においてはプラスチック成形物
等を光学基材として用いるが、該光学物品に反射防止機
能を付する場合、蒸着法、ＥＢ法、またはスパッタ法等
の真空プロセスを用いて、光学基材上に単層もしくは多
層の反射防止膜を形成するのが一般的である。その際、
膜強度を向上するために、一般には高真空（１×１０^-6
〜５×１０^-5ｔｏｒｒ）で成膜することにより、膜質充
填率を高くするのが一般的である。また、成膜温度また
は成膜時の基板温度を高くことにより膜質充填率を高め
ることができ、基材と反射防止膜との密着性を向上させ
ることもできる。

【０００３】しかしながら、高真空下、高い成膜温度で
光学基材上に反射防止膜を成膜した場合、基材の面精度
が悪くなったり、成膜後に常温（室温）に戻したときに
反射防止膜と光学基材との熱収縮差により歪みにより反
射防止膜にひび、しわが生じるという欠陥が生じる。

【０００４】最近では、このような反射防止膜のひび割
れやしわを少なくするために室温で反射防止膜を成膜す
る場合もある。さらに、光学基材上にケイ素酸化物やＴ
ｉＯ等を高真空下でコートして反射防止膜を形成するこ
とにより、光学基材と反射防止膜との密着性等を向上さ
せることもでき、該反射防止膜も厳しい環境下に置かな
い限りは光学基材に強固に成膜される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ようにして得られる従来の反射光学物品はいずれも、反
射防止膜の光学基材との密着性や強度等の経時変化が加
速される環境、例えば厳しい温度条件の環境にさらされ
たり、温度や湿度が激しく変化する環境にさらした場合
には、光学基材と反射防止膜との良好な密着性、耐磨耗
性、環境耐久性が得られないという問題を有する。

【０００６】本発明の目的は、上記課題を解決し、光学
基材の熱収縮差によるひび割れやしわの発生を防止する
とともに、光学基材との密着性が良好で、耐磨耗性、環
境耐久性に優れた反射防止膜を有する反射防止光学物
品、及び該反射防止光学物品を備えた光学機器を提供す
ることにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、鋭意検討
した結果、反射防止光学物品において、光学基材に接す
る層を膜質充填率が４０％以上６０％以下の無機酸化物
で成膜した場合に、上記課題を解決できることを見出し
た。

【０００８】すなわち、本発明の第１の実施態様は、光
学基材上に該光学基材に接する少なくとも１層から成る
反射防止膜を有する反射防止光学物品であって、光学基
材に接する層が膜質充填率が４０％以上６０％以下の無
機酸化物から成ることを特徴とする反射防止光学物品を
提供する。

【０００９】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、光学基材の材料はポリメチルメタクリレート、ポリ
カーボネート、ポリスチレン、非晶性ポリオレフィン、
およびこれらの誘導体からなる群から選択されてもよ
い。

【００１０】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、無機酸化物が金属酸化物であってもよい。

【００１１】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、金属酸化物がＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、ＴｉＯ、Ｓｉ
Ｏ₂、ＳｉＯ、ＣｅＯ₂、およびＴａ₂Ｏ₃からなる群から
選択されてもよい。

【００１２】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、光学基材に接する層は真空プロセスにより形成され
てもよい。

【００１３】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、真空プロセスが蒸着法、ＥＢ法、およびスパッタ法
からなる群から選択されてもよい。

【００１４】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、真空プロセスは１×１０^-3〜２×１０^-4ｔｏｒｒの
真空度で行れたものであってもよい。

【００１５】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、光学基材がポリメチルメタクリレートおよびその誘
導体であり、真空プロセスは成膜温度６０〜８０℃で行
れたものであってもよい。

【００１６】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、光学基材がポリカーボネートおよびその誘導体であ
り、真空プロセスが成膜温度６０〜１１０℃で行れたも
のであってもよい。

【００１７】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、光学基材がポリスチレンおよびその誘導体であり、
真空プロセスは成膜温度６０〜８０℃で行れたものであ
ってもよい。

【００１８】上記の本発明の反射防止光学物品におい
て、光学基材が非晶性ポリオレフィンおよびその誘導体
であり、真空プロセスは成膜温度６０〜１１０℃で行れ
たものであってもよい。

【００１９】本発明の第２の実施態において、上記の反
射防止光学物品を具えることを特徴とする光学機器を提
供する。

【００２０】上記本発明の光学機器において、光学機器
は表示機器および電子写真機器からなる群から選択され
てもよい。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は、本発明に係る反射防止光
学物品の基本的な概略構成図を例示したものである。図
１（ａ）は、光学基材に接する単層の反射防止膜が形成
された反射防止光学物品である。図１（ａ）中、１１は
光学基材、１２は光学基材に接する単層の反射防止膜
（光学基材１１に接する層）である。図１（ｂ）は、光
学基材に接する２層構造の反射防止膜を有する反射防止
光学物品を示している。図１（ｂ）中、１１は光学基
材、１３は光学基材１１と接する層、１４は層１２上に
形成された反射防止層、１５は多層構造の反射防止膜で
ある。以下に、上記図面に基づいて本発明に係る反射防
止光学物品の実施の形態を説明するが、これらは例示で
あり、本発明に係る反射防止光学物品はこれらに限定さ
れるものではない。

【００２２】本発明に係る反射防止光学物品光学物品に
おいて用いられる光学基材１１は、ポリメチルメタクリ
レート、ポリカーボネート、ポリスチレン、非晶性ポリ
オレフィン、およびこれらの誘導体等などの透明高分子
樹脂やガラス基板などを好適に用いることができる。上
記光学基材１１は、撮影レンズや投影レンズなどのレン
ズ、フィルター、ミラー、プリズム、カバーガラス、お
よびスクリーンなどとして好適に用いることができる。
該光学基材１１は、コロナ処理等により表面処理してあ
ることが望ましい。

【００２３】本発明に係る光学物品の光学基材１１に接
して形成される反射防止膜は少なくとも１層から成り、
単層膜として成膜されてもよいし、２層以上の多層膜と
して成膜されていてもよい。反射防止膜が単層膜１２と
して形成される場合（図１（ａ）参照）、光学基材に接
する上記単層膜１２が膜質充填率４０％以上６０％以下
の無機酸化から成る反射防止膜である必要がある。一
方、反射防止膜が多層膜１５として形成される場合（図
１（ｂ）参照）、多層膜のうち光学基材に接する膜であ
る層１３が膜質充填率４０％以上６０％以下の無機酸化
物から成り、かつ多層膜１５が反射防止特性を有する必
要がある。光学基材に接する層１３は反射防止機能を有
する反射防止層として形成できるが、多層膜１５が反射
防止特性を有する限り、光学基材に接する層１３による
膜１５への反射防止特性の寄与が非常に少ない場合また
は寄与がない場合でもあっても、層１３を反射防止膜の
一部とみなすことができる。例えば、ＺｒＯ₂等の高屈
折材料とＳｉＯ₂等の低屈折材料を交互に形成すること
により多層膜１５に反射防止特性を付与することができ
るが、層１３による膜１５への反射防止特性の寄与が少
ない場合等であっても、層１３上に形成される層１４と
の組み合わせにより多層膜１５は反射防止特性を有する
ことができ、このような構成は当業者であれば実施可能
である。なお、単層膜１２または多層膜１５に反射防止
機能を持たせるには用いる材料の屈折率、膜厚、多層膜
の組み合わせ等を適宜採用することにより達成でき、当
業者であれば実施可能である。反射防止膜１５を多層膜
として形成する利点としては、光学基材１１と接する層
１３を設けることによって反射防止膜１５の光学基材１
１への密着性、耐磨耗性、環境耐久性等が向上する一方
で、光学基材１１と接する層１３上に形成される反射防
止層１４の構成や材料を工夫することにより、より良好
な反射防止機能を分離して持たせることができることで
あり、そのような構成や材料の選択は当業者が適宜行う
ことができる。

【００２４】上記の通り、本発明に係る反射防止光学物
品において、反射防止膜が単層膜１２の場合には該単層
膜１２の膜質充填率が４０％以上６０％以下でなければ
ならず、反射防止膜が多層膜１５の場合には前記光学基
材１１と接する層１３の膜質充填率が４０％以上６０％
以下でなければならない。膜質充填率が４０％未満であ
ると反射防止膜の強度が低下してしまう一方、膜質充填
率が６０％を超えると反射防止膜の光学基材への接着
性、耐磨耗性、環境耐久性が悪くなり、また成膜温度か
ら室温に戻した際に熱歪みによるひび割れやしわなどの
欠陥が生じやすくなる。多層の反射防止膜１５を形成す
る場合には、光学基材１１と接する層１３が上記の膜質
充填率を具えていればよく、該反射防止層１３上に形成
される反射防止層１４の膜質充填率は適宜選択すること
ができる。

【００２５】上記の「膜質充填率」とは、（実測定膜
厚）／（充填率１の理論的な膜厚）（ここで、「充填率
１の理論的な膜厚」は（単位体積当りの膜質量）／（バ
ルク密度）で求められる。）で定義される。実際の成膜
された膜厚である「実測定膜厚」は、例えばエリプソメ
ーターによる測定や透過型電子顕微鏡を用いることによ
り測定することができ、「充填率１の理論的な膜厚」
は、例えば水晶振動子膜厚計で測定することができる。
膜質充填率が高いほど、膜の組成が緻密で膜強度が大き
く、屈折率が高くなる。膜質充填率は、真空プロセスを
行う際の真空度および成膜温度により調節可能である。
真空度が低い程または成膜温度が低い程、膜質充填率は
低下し、また、反射防止膜に用いられる無機材料によっ
ても異なる。

【００２６】本発明に係る反射防止光学物品において、
光学基材１１と接する層１２または層１３は、無機酸化
物で成膜する。より好ましい無機酸化物は金属酸化物で
あり、好適な金属酸化物として、ＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔ
ｉＯ、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＣｅＯ₂、およびＴａ₂Ｏ₃を用
いることができる。多層の反射防止膜を形成する場合、
反射防止層１４は膜１５の反射防止特性等の機能を向上
させる材料で成膜することが好ましく、金属フッ化物
（例えば、ＭｇＦ₂）や金属酸化物（例えば、ＺｒＯ₂、
ＴｉＯ₂、ＴｉＯ、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＣｅＯ₂、および
Ｔａ₂Ｏ₃）等を用いることができる。無機酸化物（金属
酸化物等）の代わりに無機フッ化物（ＭｇＦ₂等の金属
フッ化物等）を用いて光学基材１１と接する層１２また
は層１３を成膜した場合には、反射防止膜の光学基材１
１への良好な密着性等は得られない。これは、無機酸化
物（金属酸化物等）の表面エネルギーは無機フッ化物
（金属フッ化物等）の表面エネルギーよりも高いため、
光学基材表面との物理的な相互作用が大きいためである
ことや、無機酸化物（金属酸化物等）の方が無機フッ化
物（金属フッ化物等）よりも結合エネルギーが小さいた
め、蒸着法、ＥＢ法、スパッタ法等の真空プロセスによ
りエネルギーを与えて物質をとばす際にその一部が化学
結合がとれた状態で基材上にたどり着き基材表面とより
強固な化学結合を作るためであると考えられる。

【００２７】本発明に係る反射防止光学物品において、
上記の反射防止膜の成膜は以下の条件により行うことが
できる。

【００２８】光学基材１１と接する層１２または層１３
は、真空度を１×１０^-3〜２×１０ ^-4ｔｏｒｒの低真空
度として真空プロセスにより成膜することができる。真
空度は膜質充填率や膜強度に影響を及ぼす。上記の通
り、真空度が高いほど膜質充填率および膜強度は大きく
なり、逆に、真空度が低いほど膜質充填率および膜強度
は低くなる。多層の反射防止膜１５を形成する場合、反
射防止層１４の成膜における真空度は、膜強度を高める
ために２×１０^-4〜５×１０^-4ｔｏｒｒとすることが好
ましいが、これに限定するものではない。

【００２９】さらに上記の真空プロセスにおける光学基
材１１と接する層１２または層１３の成膜温度（または
成膜時の基板温度）は、使用される光学基材１１により
好適な温度が異なる。反射防止膜の光学基材への良好な
密着性を得るためにはできるだけ成膜温度を高くするこ
とが望ましいが、上記の通り、成膜温度が高いほど膜質
充填率は高くなる。好ましい成膜温度は、光学基材１１
としてポリメチルメタクリレートおよびその誘導体を用
いる場合には６０℃〜８０℃、より好ましくは７５℃〜
８０℃、ポリカーボネートおよびその誘導体を用いる場
合には６０℃〜１１０℃、より好ましくは１００℃〜１
１０℃、ポリスチレンおよびその誘導体を用いる場合に
は６０℃〜８０℃、より好ましくは７５℃〜８０℃、非
晶性ポリオレフィンおよびその誘導体を用いる場合には
６０℃〜１１０℃、より好ましくは１００℃〜１１０℃
とすることが好ましい。上記温度範囲において成膜する
ことにより、反射防止膜の光学基材へのより良好な密着
性が得られて耐磨耗性や環境耐久性が向上するほか、光
学基材の変形も少なく、光学基材の面密度も良好で、室
温に戻した際に光学基材と反射防止膜との間に生じる熱
収縮差による歪みにより反射防止膜にひび割れやしわが
発生することを効果的に防止することもできる。多層の
反射防止膜１５を形成する場合、反射防止層１４を成膜
する場合も同様に、上記の温度範囲において成膜するこ
とが好ましい。

【００３０】上記光学基材１１と接する層１２または層
１３の真空プロセスにおいて、真空度を調整するために
用いる気体として、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａ
ｒ）、ネオン（Ｎｅ）、またはキセノン（Ｘｅ）等の不
活性気体を用いることが好ましい。不活性気体を用いる
ことにより反射防止膜の光学基材１１との密着性はさら
に強固となり、耐磨耗性や環境耐久性が向上する。これ
は化学結合がとれた状態の成膜物質がそのままの状態で
光学基材上にたどり着く割合が多くなることに一因があ
るものと考えられる。多層の反射防止膜１５を形成する
場合も同様に、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）、
ネオン（Ｎｅ）、またはキセノン（Ｘｅ）等の不活性気
体を用いて反射防止層１４を成膜することが好ましい。

【００３１】また、上記の本発明に係る反射防止光学物
品において、光学基材１１と接する層１２または層１３
の膜厚は上記反射防止膜の構成等により適宜選択するこ
とができるが、典型的には１０〜１００ｎｍであるがこ
れに限定するものではない。多層の反射防止膜１５を形
成する場合にも適宜選択することができるが、反射防止
膜１５の膜厚を合計で８０〜５００ｎｍとすることがで
きるが、これに限定されるものではない。

【００３２】さらに、本発明は、別の実施態様におい
て、上記のようにして得られる反射防止光学物品を備え
た光学機器をも意図する。光学機器にはディスプレーな
どの表示機器および電子写真機器などが含まれるが、こ
れらに限定されるものではない。

【００３３】

【実施例】次に、下記の非限定的な実施例および比較例
により、該各実施例および比較例における図を参照し
て、本発明をより詳細に説明する。

【００３４】なお、下記の実施例と比較例において、次
のように耐摩耗性および環境耐久性の評価を行った。

【００３５】耐摩耗性は、実施例または比較例で得られ
た反射防止光学物品について、下記試験１および試験２
により評価を行った。なお、反射防止光学物品を製造
後、室温で放置された該反射防止光学物品について下記
耐磨耗性試験を施すことにより、初期の耐磨耗性の評価
とした。試験１．反射防止光学物品の表面を拭き取り紙（ダスパ
ー：ＯＺＵＣｏ−Ｌｔｄ．Ｔｏｋｙｏ製）で加重３００
ｇ重において３０回拭き、該表面の変化を観察する；試験２．反射防止光学物品の表面をレンズ拭き溶剤（Ｅ
Ｅ−６３１０：ＯＬＹＭＰＵＳ製）を含ませた拭き取り
紙（ダスパー：ＯＺＵＣｏ−Ｌｔｄ．Ｔｏｋｙｏ製）で
加重３００ｇ重において３０回拭き、該表面の変化を観
察する。

【００３６】環境耐久性は、実施例または比較例で得ら
れた反射防止光学物品に下記環境条件を適宜組み合わせ
て施した後、上記の耐磨耗性試験１および試験２を施す
ことにより評価した：１．高温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間、
７００時間、または１０００時間、恒温層内に放置）、２．低温条件（−３０℃で１０００時間、恒温層内に放
置）、３．温度サイクル（−３０℃／６０℃で各２時間を２０
回サイクル実施、以下「−３０℃／６０℃、各２時間、
２０回」として記載する）、および４．ＵＶ耐久試験（照射条件：ＵＶ波長３００〜４００
ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９０％ＲＨ、２００時
間）。

【００３７】反射防止性能は、反射率が最低となる波長
付近の光に対する反射率を測定した。

【００３８】（実施例１）以下の方法により、図２に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図２中、
２１は光学基材、２２および２３はともに反射防止膜２
４を構成する反射防止層（２２は光学基材に接する
層）、２４は反射防止膜である。

【００３９】形状φ４９ｍｍ×２ｍｍのポリメチルメタ
クリレート基材２１をコロナ処理装置で表面処理した
後、ＥＢ法によりＺｒＯ₂膜２２を成膜した。成膜条件
は、成膜温度（基板温度）８０℃、酸素（Ｏ₂）ガス雰
囲気中で真空度３×１０^-4ｔｏｒｒとした。水晶振動子
膜厚計において、ＺｒＯ₂膜２２の充填率を１とみなし
たとき、膜厚はバルク換算で１０ｎｍであった。さら
に、ＥＢ法によって、該ＺｒＯ₂膜２２上にＭｇＦ₂膜２
３を成膜した。この際、光学モニターにおいて５３０ｎ
ｍの光で反射率が最低になるまで成膜した。成膜条件と
して、成膜温度（基板温度）８０℃、酸素（Ｏ₂）ガス
中で真空度２×１０^-5ｔｏｒｒに調整した。水晶振動子
膜厚計において、ＭｇＦ₂膜２３の充填率を１．０とみ
なしたとき、ＭｇＦ₂膜２３の膜厚はバルク換算で９０
ｎｍであった。

【００４０】上記成膜条件で成膜したＺｒＯ₂膜２２を
電子顕微鏡で観察したところ、膜厚は約１９ｎｍであっ
た。膜質充填率を１．０とみなしたときのＺｒＯ₂膜２
２の膜厚１０ｎｍを実際の観察された膜厚１９ｎｍで除
することによりＺｒＯ₂膜２２の膜質充填率を求めたと
ころ、約５２％であった。

【００４１】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２においても変化がなかった。

【００４２】また、環境耐久性の評価として、上記で得
られた反射防止光学物品に高温高湿条件（６０℃−９０
％ＲＨで５００時間）、高温高湿条件（６０℃−９０％
ＲＨで７００時間）、低温条件（−３０℃で１０００時
間）、温度サイクル（−３０℃／６０℃、各２時間、２
０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ波長３００〜４００
ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９０％ＲＨ、２００時
間）を施した後に耐磨耗性試験を行った結果、試験１で
は変化はなく、試験２においても変化がなかった。別の
環境耐久性の評価として、上記で得られた本発明に係る
反射防止光学物品を高温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨ
で１０００時間）を施した後に耐磨耗性試験を行った結
果、試験１では傷がつき、試験２では膜の一部が剥げ
た。

【００４３】反射防止性能は、反射率が最低となる５３
０ｎｍの波長付近の光に対し、反射率が約０．００７で
あった。

【００４４】（実施例２）以下の方法により、図３に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図３中、
３１は光学基材、３２および３３はともに反射防止膜３
４を構成する反射防止層（３２は光学基材に接する
層）、３４は反射防止膜である。

【００４５】該反射防止光学物品は、反射防止膜の成膜
の際に真空度を調整する気体を酸素ガスからアルゴン
（Ａｒ）ガスに変更したことを除いて、実施例１と同様
にして製造した。

【００４６】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリメチル
メタクリレート基材３１をコロナ処理装置で表面処理し
た後、ＥＢ法によりＺｒＯ₂膜３２を形成した。このと
きの成膜条件は成膜温度（基板温度）８０℃とし、真空
度をアルゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で３×１０^-4ｔｏｒ
ｒとした。水晶振動子膜厚計において、ＺｒＯ₂膜の充
填率を１．０とみなしたとき、ＺｒＯ₂膜厚はバルク換
算で１０ｎｍであった。さらに、ＥＢ法によって、該Ｚ
ｒＯ₂膜３２にＭｇＦ₂膜３３を成膜した。この際、光学
モニターにおいて５３０ｎｍの光で反射率が最低になる
まで成膜した。成膜条件として、成膜温度（基板温度）
８０℃とし、アルゴン（Ａｒ）ガスにより真空度を２×
１０^-5ｔｏｒｒに調整した。水晶振動子膜厚計におい
て、ＭｇＦ ₂膜３３の充填率を１．０とみなしたとき、
ＭｇＦ₂膜厚はバルク換算で９０ｎｍであった。

【００４７】上記成膜条件で成膜したＺｒＯ₂膜３２を
電子顕微鏡で観察したところ、膜厚は約１９ｎｍであっ
た。膜質充填率を１．０とみなしたときのＺｒＯ₂膜３
２の膜厚１０ｎｍを実際の観察される膜厚約１９ｎｍで
除することにより膜質充填率を求めたところ、ＺｒＯ₂
膜３２の膜質充填率は約５３％であった。

【００４８】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００４９】また、環境耐久性の評価として、上記で得
られた反射防止光学物品に高温高湿条件（６０℃−９０
％ＲＨで５００時間）、高温高湿条件（６０℃−９０％
ＲＨで７００時間）、高温高湿条件（６０℃−９０％Ｒ
Ｈで１０００時間）、低温条件（−３０℃で１０００時
間）、温度サイクル（−３０℃／６０℃、各２時間、２
０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ波長３００〜４００
ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９０％ＲＨ、２００時
間）を施した後に耐磨耗性試験を行った結果、試験１で
は変化はなく、試験２においても変化がなかった。

【００５０】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７になった。

【００５１】（実施例３）以下の方法により、図４に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図４中、
４１は光学基材、４２および４３はともに反射防止膜４
４を構成する反射防止層（４２は光学基材に接する
層）、４４は反射防止膜である。

【００５２】該反射防止光学物品は、基材４１に接する
反射防止膜をＺｒＯ₂膜４２からＴｉＯ₂膜４２に変更し
たことを除いて、実施例２と同様にして製造した。

【００５３】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリメチル
メタクリレート基材４１をコロナ処理装置で表面処理し
た後、ＥＢ法によりＴｉＯ₂膜４２を形成した。成膜条
件は、成膜温度（基板温度）を８０℃とし、アルゴン
（Ａｒ）ガス雰囲気中で真空度を３×１０^-4ｔｏｒｒと
した。水晶振動子膜厚計において、ＴｉＯ₂膜４２の充
填率を１．０とみなしたとき、ＴｉＯ₂膜４２の膜厚は
バルク換算で１０ｎｍであった。さらに、ＥＢ法によ
り、該ＴｉＯ₂膜４２上にＭｇＦ₂膜４３の成膜を行っ
た。この際、光学モニターで５３０ｎｍの光で反射率が
最低になるまで成膜した。成膜条件として、成膜温度
（基板温度）８０℃とし、アルゴン（Ａｒ）ガスにより
真空度を２×１０^-5ｔｏｒｒに調整した。水晶振動子膜
厚計において、ＭｇＦ₂膜の充填率を１．０とみなした
とき、ＭｇＦ₂膜厚はバルク換算で約９０ｍであった。

【００５４】上記成膜条件で成膜したＴｉＯ₂膜４２を
電子顕微鏡で観察したところ、膜厚は約１８ｍであっ
た。膜質充填率を１．０とみなしたときの膜厚１０ｎｍ
を実際の観察される膜厚約１８ｎｍで除することにより
ＴｉＯ₂膜４２の膜質充填率を求めたところ、ＴｉＯ₂膜
４２の膜質充填率は約５６％であった。

【００５５】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００５６】また、環境耐久性の評価として、実施例２
と同様に、上記で得られた反射防止光学物品に高温高湿
条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間）、高温高湿条
件（６０℃−９０％ＲＨで７００時間）、高温高湿条件
（６０℃−９０％ＲＨで１０００時間）、低温条件（−
３０℃で１０００時間）、温度サイクル（−３０℃／６
０℃、各２時間、２０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ
波長３００〜４００ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９
０％ＲＨ、２００時間）を施した後に耐磨耗性試験を行
った結果、試験１では変化はなく、試験２においても変
化がなかった。

【００５７】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００５８】（実施例４）以下の方法により、図５に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図５中、
５１は光学基材、５２および５３はともに反射防止膜５
４を構成する反射防止層（５２は光学基材に接する
層）、５４は反射防止膜である。

【００５９】該反射防止光学物品は、基材５１に接する
反射防止膜をＺｒＯ₂膜４２からＴａ₂Ｏ₅膜５２に変更
したことを除いて、実施例２と同様にして製造した。

【００６０】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリメチル
メタクリレート基材５１をコロナ処理装置で表面処理し
た後、ＥＢ法によりＴａ₂Ｏ₅膜５２を形成した。成膜条
件は、成膜温度（基板温度）８０℃とし、真空度をアル
ゴン（Ａｒ）ガス雰囲気中で３×１０^-4ｔｏｒｒとし
た。水晶振動子膜厚計において、Ｔａ₂Ｏ₅膜５２の充填
率を１．０とみなしたとき、Ｔａ₂Ｏ₅膜５２の膜厚はバ
ルク換算で１０ｎｍであった。さらに、ＥＢ法により、
該Ｔａ₂Ｏ₅膜５２の上にＭｇＦ₂膜５３の成膜を行っ
た。この際、光学モニターで５３０ｎｍの光で反射率が
最低になるまで成膜した。成膜条件として、成膜温度
（基板温度）８０℃とし、アルゴン（Ａｒ）ガスにより
真空度を２×１０^-5ｔｏｒｒに調整した。水晶振動子膜
厚計において、ＭｇＦ₂膜５３の充填率を１．０とみな
したとき、ＭｇＦ₂膜厚５３はバルク換算で９０ｍｍで
あった。構成を表１に示す。

【００６１】上記のように成膜されたＴａ₂Ｏ₅膜５２を
電子顕微鏡で観察したところ、膜厚は約１７ｎｍであっ
た。膜質充填率を１．０とみなしたときのＴａ₂Ｏ₅膜５
２の膜厚１０ｎｍを実際の観察される膜厚約１７ｎｍで
除することによりＴａ₂Ｏ₅膜５２の膜質充填率を求めた
ところ、約５９％であった。

【００６２】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００６３】また、環境耐久性の評価として、実施例２
と同様に、上記で得られた反射防止光学物品に高温高湿
条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間）、高温高湿条
件（６０℃−９０％ＲＨで７００時間）、高温高湿条件
（６０℃−９０％ＲＨで１０００時間）、低温条件（−
３０℃で１０００時間）、温度サイクル（−３０℃／６
０℃、各２時間、２０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ
波長３００〜４００ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９
０％ＲＨ、２００時間）を施した後に耐磨耗性試験を行
った結果、試験１では変化はなく、試験２においても変
化がなかった。

【００６４】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００６５】（実施例５）以下の方法により、図６に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図６中、
６１は光学基材、６２および６３はともに反射防止膜６
４を構成する反射防止層（６２は光学基材に接する
層）、６４は反射防止膜である。

【００６６】該反射防止光学物品は、ポリメチルメタク
リレート基材４１の代わりにポリカーボネート基材６１
を用いたことを除いて、実施例２と同様にして製造し
た。

【００６７】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリカーボ
ネート基材６１をコロナ処理装置で表面処理した後、Ｅ
Ｂ法によりＺｒＯ₂膜６２を形成した。条件は成膜温度
（基板温度）１１０℃、真空度をアルゴン（Ａｒ）ガス
雰囲気中で３．０×１０^-4ｔｏｒｒに調整した。水晶振
動子膜厚計において、ＺｒＯ₂膜６２の充填率を１．０
とみなしたとき、ＺｒＯ₂膜６２の膜厚はバルク換算で
１０ｎｍであった。さらに、ＥＢ法により、該ＺｒＯ₂
膜６２上にＭｇＦ₂膜６３の成膜を行った。この際、光
学モニターで５３０ｍの光で反射率が最低になるまで成
膜した。成膜条件として、成膜温度（基板温度）１１０
℃、アルゴン（Ａｒ）ガスにより真空度を２×１０^-5ｔ
ｏｒｒに調整した。水晶振動子膜厚計において、ＭｇＦ
₂膜の充填率を１．０とみなしたとき、ＭｇＦ₂膜６３の
膜厚はバルク換算で９０ｍであった。

【００６８】上記のように成膜されたＺｒＯ₂膜６２を
電子顕微鏡で観察したところ、膜厚は約１９ｎｍであっ
た。膜質充填率を１．０とみなしたときのＺｒＯ₂膜６
２の膜厚１０ｎｍを実際の観察される膜厚約１９ｎｍで
除することによりＺｒＯ₂膜６２の膜質充填率を求めた
ところ、約５２％であった。

【００６９】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００７０】また、環境耐久性の評価として、実施例２
と同様に、上記で得られた反射防止光学物品に高温高湿
条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間）、高温高湿条
件（６０℃−９０％ＲＨで７００時間）、高温高湿条件
（６０℃−９０％ＲＨで１０００時間）、低温条件（−
３０℃で１０００時間）、温度サイクル（−３０℃／６
０℃、各２時間、２０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ
波長３００〜４００ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９
０％ＲＨ、２００時間）を施した後に耐磨耗性試験を行
った結果、試験１では変化はなく、試験２においても変
化がなかった。

【００７１】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００７２】（実施例６）以下の方法により、図７に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図７中、
７１は光学基材、７２および７３はともに反射防止膜７
４を構成する反射防止層（７２は光学基材に接する
層）、７４は反射防止膜である。

【００７３】該反射防止光学物品は、ポリメチルメタク
リレート基材４１の代わりにポリスチレン基材７１を用
いたことを除いて、実施例２と同様にして製造した。

【００７４】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリスチレ
ン基材７１をコロナ処理装置で表面処理した後、ＥＢ法
によりＺｒＯ₂膜７２を形成した。このときの成膜条件
は成膜温度（基板温度）８０℃とし、真空度をアルゴン
（Ａｒ）ガス雰囲気中で３×１０^-4ｔｏｒｒとした。水
晶振動子膜厚計において、ＺｒＯ₂膜の充填率を１．０
とみなしたとき、ＺｒＯ₂膜厚はバルク換算で１０ｎｍ
であった。さらに、ＥＢ法により、上記ＺｒＯ₂膜７２
の上にＭｇＦ₂膜７３の成膜を行った。この際、光学モ
ニターで５３０ｎｍの光で反射率が最低になるまで成膜
した。成膜条件として、成膜温度（基板温度）８０℃と
し、アルゴン（Ａｒ）ガスにより真空度を２×１０^-5ｔ
ｏｒｒに調整した。水晶振動子膜厚計において、ＭｇＦ
₂膜７３の充填率を１．０とみなしたとき、ＭｇＦ₂膜厚
は９０ｎｍであった。

【００７５】上記成膜したＺｒＯ₂膜７２を電子顕微鏡
で観察したところ、膜厚は約１９ｎｍであった。膜質充
填率を１．０とみなしたときのＺｒＯ₂膜７２の膜厚１
０ｎｍを実際の観察される膜厚約１９ｎｍで除すること
によりＺｒＯ₂膜１０２の膜質充填率を求めたところ、
ＺｒＯ₂膜１０２の膜質充填率は約５２％であった。

【００７６】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００７７】また、環境耐久性の評価として、実施例２
と同様に、上記で得られた反射防止光学物品に高温高湿
条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間）、高温高湿条
件（６０℃−９０％ＲＨで７００時間）、高温高湿条件
（６０℃−９０％ＲＨで１０００時間）、低温条件（−
３０℃で１０００時間）、温度サイクル（−３０℃／６
０℃、各２時間、２０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ
波長３００〜４００ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９
０％ＲＨ、２００時間）を施した後に耐磨耗性試験を行
った結果、試験１では変化はなく、試験２においても変
化がなかった。

【００７８】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００７９】（実施例７）以下の方法により、図８に示
す本発明に係る反射防止光学物品を作製した。該反射防
止光学物品は２層構成の反射防止膜を有する。図８中、
８１は光学基材、８２および８３はともに反射防止膜８
４を構成する反射防止層（８２は光学基材に接する
層）、８４は反射防止膜である。

【００８０】該反射防止光学物品は、ポリメチルメタク
リレート基材４１の代わりに非晶性ポリオレフィン基材
８１を用いたことを除いて、実施例２と同様にして製造
した。

【００８１】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリスチレ
ン基材８１をコロナ処理装置で表面処理した後、ＥＢ法
によりＺｒＯ₂膜８２を形成した。このときの成膜条件
は成膜温度（基板温度）８０℃とし、真空度をアルゴン
（Ａｒ）ガス雰囲気中で３．５×１０^-4ｔｏｒｒとし
た。水晶振動子膜厚計において、ＺｒＯ₂膜８２の充填
率を１．０とみなしたとき、ＺｒＯ₂膜厚はバルク換算
で１０ｎｍであった。さらに、ＥＢ法により、上記Ｚｒ
Ｏ₂膜８２の上にＭｇＦ₂膜８３の成膜を行った。この
際、光学モニターで５３０ｎｍの光で反射率が最低にな
るまで成膜した。成膜条件として、成膜温度（基板温
度）８０℃とし、アルゴン（Ａｒ）ガスにより真空度を
２×１０^-5ｔｏｒｒに調整した。水晶振動子膜厚計にお
いて、ＭｇＦ₂膜８３の充填率を１．０とみなしたと
き、ＭｇＦ₂膜厚は９０ｎｍであった。

【００８２】上記成膜したＺｒＯ₂膜８２を電子顕微鏡
で観察したところ、膜厚は約１９ｎｍであった。膜質充
填率を１．０とみなしたときのＺｒＯ₂膜８２の膜厚１
０ｎｍを実際の観察される膜厚約１９ｎｍで除すること
によりＺｒＯ₂膜８２の膜質充填率を求めたところ、充
填率は約５２％であった。

【００８３】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００８４】また、環境耐久性の評価として、実施例２
と同様に、上記で得られた反射防止光学物品に高温高湿
条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間）、高温高湿条
件（６０℃−９０％ＲＨで７００時間）、高温高湿条件
（６０℃−９０％ＲＨで１０００時間）、低温条件（−
３０℃で１０００時間）、温度サイクル（−３０℃／６
０℃、各２時間、２０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ
波長３００〜４００ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９
０％ＲＨ、２００時間）を施した後に耐磨耗性試験を行
った結果、試験１では変化はなく、試験２においても変
化がなかった。

【００８５】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００８６】（比較例１）本発明に係る反射防止光学物
品との比較のため、以下の方法により、図９に示す反射
防止光学物品を作製した。該反射防止光学物品は２層構
成の反射防止膜を有する。図９中、９１は光学基材、９
２および９３はともに反射防止膜９４を構成する反射防
止層（９２は光学基材に接する層）、９４は反射防止膜
である。

【００８７】まず、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍのポリメチ
ルメタクリレート基材９１をコロナ処理装置で表面処理
した後、ＥＢ法によりＺｒＯ₂膜９２を成膜した。成膜
条件は、成膜温度（基板温度）８０℃、真空度を酸素
（Ｏ₂）ガス雰囲気中で２×１０^-5ｔｏｒｒに調整し
た。実施例１の場合と異なる点は、ＺｒＯ₂膜９２の成
膜時の真空度を２×１０^-5ｔｏｒｒに調整したことであ
る。水晶振動子膜厚計において、充填率を１．０とみな
したとき、ＺｒＯ₂膜９２の膜厚はバルク換算で１０ｎ
ｍであった。さらに、ＥＢ法によって、該ＺｒＯ₂膜上
にＭｇＦ₂膜９３を成膜した。この際、光学モニターに
おいて５３０ｎｍの光で反射率が最低になるまで成膜し
た。成膜条件として、成膜温度（基板温度）８０℃、酸
素（Ｏ₂）ガスにより真空度を２×１０^-5ｔｏｒｒに調
整した。水晶振動子膜厚計において、ＭｇＦ₂膜９３の
充填率を１．０とみなしたとき、ＭｇＦ₂膜厚はバルク
換算で９０ｎｍであった。

【００８８】上記ＺｒＯ₂膜９２を電子顕微鏡で観察し
たところ、膜厚は約１１ｎｍであった。膜質充填率を
１．０とみなしたときのＺｒＯ₂膜９２の膜厚１０ｎｍ
を実際の観察される膜厚約１１ｎｍで除することにより
ＺｒＯ₂膜９２の膜質充填率を求めたところ、充填率は
約９０％であった。

【００８９】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００９０】また、環境耐久性評価として、上記で得ら
れた反射防止光学物品に、高温高湿条件（６０℃−９０
％ＲＨで５００時間）、低温条件（−３０℃で１０００
時間）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ波長３００〜４００
ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９０％ＲＨ、２００時
間）を施した後に耐摩耗試験を行った結果、試験１では
変化はなく、試験２でも変化がなかった。さらに、別の
環境耐久性評価として、上記で得られた反射防止光学物
品に温度サイクル（−３０℃／６０℃、各２時間、２０
回）、高温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨで７００時
間）、高温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨで１０００時
間）を施した後に耐摩耗試験を行った結果、試験１では
傷がつき、試験２では膜の一部が剥げた。

【００９１】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００９２】（比較例２）本発明に係る反射防止光学物
品との比較のため、以下の方法により、図９に示す反射
防止光学物品を作製した。該反射防止光学物品は単層構
成の反射防止膜を有する。図１０中、１０１は光学基
材、１０２は反射防止膜（光学基材に接する層）であ
る。

【００９３】形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリメチルメタク
リレート基材１０１をコロナ処理装置で表面処理した
後、ＥＢ法により、光学モニターで５３０ｎｍの光で反
射率が最低になるまでＭｇＦ₂膜１０２の成膜を行って
単層の反射防止膜を形成した。実施例１とは異なり、Ｚ
ｒＯ₂膜の成膜は行わなかった。このときの成膜条件
は、成膜温度（基板温度）８０℃とし、酸素（Ｏ₂）ガ
スにより真空度を２×１０^- ⁵ｔｏｒｒに調整した。水晶
振動子膜厚計において、ＭｇＦ₂膜１０２の充填率を
１．０とみなしたとき、ＭｇＦ₂膜厚はバルク換算で９
０ｎｍであった。

【００９４】上記ＭｇＦ₂膜１０２を電子顕微鏡で観察
したところ、膜厚は約９８ｎｍであった。膜質充填率を
１．０とみなしたときの上記ＭｇＦ₂膜１０２の膜厚９
０ｎｍを実際の観察される膜厚約９８ｎｍで除すること
によりＭｇＦ₂膜１０２の膜質充填率を求めたところ、
充填率は約９２％であった。

【００９５】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では変化は
なく、試験２に対しても変化がなかった。

【００９６】また、環境耐久性評価として、上記で得ら
れた反射防止光学物品に低温条件（−３０℃で１０００
時間）、温度サイクル（−３０℃／６０℃、各２時間、
２０回）、およびＵＶ耐久試験（ＵＶ波長３００〜４０
０ｎｍ、５ｍｗ／ｃｍ²、６０℃−９０％ＲＨ、２００
時間）を施した後の耐摩耗試験の結果では、試験１では
変化はなく、試験２においても変化がなかった。別の環
境耐久性評価として、上記で得られた反射防止光学物品
に高温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨで５００時間）、
高温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨで７００時間）、高
温高湿条件（６０℃−９０％ＲＨで１０００時間）を施
した後の耐摩耗試験の結果では、試験１では傷がつき、
試験２では膜の一部が剥げた。

【００９７】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率が約０．０
０７であった。

【００９８】（比較例３）本発明に係る反射防止光学物
品との比較のため、以下の方法により、図１０に示す反
射防止光学物品を作製した。該反射防止光学物品は単層
構成の反射防止膜を有する。図１１中、１１１は光学基
材、１１２は反射防止膜（光学基材に接する層）であ
る。

【００９９】実施例１と異なり、ＺｒＯ₂膜の成膜は行
わずに、形状φ４９ｍｍ×２ｍｍポリメチルメタクリレ
ート基材１１１をコロナ処理装置で表面処理した後、Ｅ
Ｂ法により、光学モニターで５３０ｎｍの光で反射率が
最低になるまでＭｇＦ₂膜１１２の成膜を行った。この
ときの成膜条件は、成膜温度（基板温度）８０℃とし、
さらに実施例１での真空度とは異なり、酸素（Ｏ₂）ガ
スにより真空度を３×１０^-4ｔｏｒｒに調整した。水晶
振動子膜厚計において、ＭｇＦ₂膜１１２の充填率を
１．０とみなしたとき、膜厚が７０ｎｍの成膜であっ
た。

【０１００】上記成膜条件で成膜したＭｇＦ₂膜１１２
を電子顕微鏡で観察したところ、膜厚は約１００ｎｍで
あった。膜質充填率を１．０とみなしたときのＭｇＦ₂
膜１１２の膜厚７０ｎｍを実際の観察される膜厚約１０
０ｎｍで除することによりＭｇＦ₂膜１１２の膜質充填
率を求めたところ、約７０％であった。

【０１０１】上記で得られた反射防止光学物品について
初期の耐摩耗性の評価を行った結果、試験１では傷がつ
き、試験２でも膜の一部が剥げた。なお、良好な初期の
耐摩耗性が得られなかったため、環境耐久性の評価につ
いては行わなかった。

【０１０２】反射防止性能については、反射率が最低と
なる５３０ｎｍの波長付近の光に対し反射率は約０．０
０７であった。

【０１０３】以上の結果を次の表１にまとめた。

【０１０４】

【表１】

【０１０５】

【発明の効果】上記のように光学基材上に該光学基材に
接する少なくとも１層から成る反射防止膜を有する反射
防止光学物品において、光学基材に接する層が膜質充填
率が４０％以上６０％以下の無機酸化物、好ましくは金
属酸化物から成り、好ましくは低真空度かつ不活性ガス
で真空度を調節して真空プロセスにより成膜することに
より、光学基材との密着性が良好で、かつ光学基材の熱
収縮差によるひび割れやしわがなく、耐磨耗性、環境耐
久性に優れた反射防止特性を有する本発明に係る光学物
品を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図２】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図３】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図４】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図５】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図６】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図７】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図８】本発明に係る反射防止光学物品の構成を示す断
面図である。

【図９】比較例の反射防止光学物品の構成を示す断面図
である。

【図１０】比較例の反射防止光学物品の構成を示す断面
図である。

【図１１】比較例の反射防止光学物品の構成を示す断面
図である。

【符号の説明】

１１光学基板１２反射防止膜１３光学基材に接する層１４反射防止層１５反射防止膜２１光学基板２２反射防止層（光学基材に接する層）２３反射防止層２４反射防止膜３１光学基板３２反射防止層（光学基材に接する層）３３反射防止層３４反射防止膜４１光学基板４２反射防止層（光学基材に接する層）４３反射防止層４４反射防止膜５１光学基板５２反射防止層（光学基材に接する層）５３反射防止層５４反射防止膜６１光学基板６２反射防止層（光学基材に接する層）６３反射防止層６４反射防止膜７１光学基板７２反射防止層（光学基材に接する層）７３反射防止層７４反射防止膜８１光学基板８２反射防止層（光学基材に接する層）８３反射防止層８４反射防止膜９１光学基板９２反射防止層（光学基材に接する層）９３反射防止層９４反射防止膜１０１光学基板１０２反射防止膜（光学基材に接する層）１１１光学基板１１２反射防止膜（光学基材に接する層）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２３Ｃ 14/10 Ｇ０２Ｂ 1/10 ＡＦターム(参考） 2K009 AA04 AA05 BB11 BB13 BB14 CC03 CC06 DD03 DD04 4F100 AA06 AA17B AA20B AA21B AA27B AK03A AK12A AK25A AK45A AT00A BA02 BA03 EH66B EJ59B EJ60B GB51 JA12A JK06 JK09 JK14 JN06B YY00B 4K029 AA11 BA43 BA46 BA48 BC08 CA01 CA05 DB21 EA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光学基材上に該光学基材に接する少なく
とも１層から成る反射防止膜を有する反射防止光学物品
であって、前記光学基材に接する層が膜質充填率が４０
％以上６０％以下の無機酸化物から成ることを特徴とす
る反射防止光学物品。
【請求項２】前記光学基材の材料がポリメチルメタク
リレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、非晶性ポ
リオレフィン、およびこれらの誘導体からなる群から選
択されることを特徴とする請求項１に記載の反射防止光
学物品。
【請求項３】前記無機酸化物が金属酸化物であること
を特徴とする請求項１または２に記載の反射防止光学物
品。
【請求項４】前記金属酸化物がＺｒＯ₂、ＴｉＯ₂、Ｔ
ｉＯ、ＳｉＯ₂、ＳｉＯ、ＣｅＯ₂、およびＴａ₂Ｏ₃から
なる群から選択されることを特徴とする請求項３に記載
の反射防止光学物品。
【請求項５】前記光学基材に接する層が真空プロセス
により形成されたことを特徴とする請求項１から４のい
ずれか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項６】前記真空プロセスが蒸着法、ＥＢ法、お
よびスパッタ法からなる群から選択されることを特徴と
する請求項１から５のいずれか１項に記載の反射防止光
学物品。
【請求項７】前記真空プロセスが１×１０^-3〜２×１
０^-4ｔｏｒｒの真空度で行われたことを特徴とする請求
項１から６のいずれか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項８】前記光学基材がポリメチルメタクリレー
トおよびその誘導体であり、前記真空プロセスが成膜温
度６０〜８０℃で行われたことを特徴とする請求項１か
ら７のいずれか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項９】前記光学基材がポリカーボネートおよび
その誘導体であり、前記真空プロセスが成膜温度６０〜
１１０℃で行われたことを特徴とする請求項１から７の
いずれか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項１０】前記光学基材がポリスチレンおよびそ
の誘導体であり、前記真空プロセスが成膜温度６０〜８
０℃で行われたことを特徴とする請求項１から７のいず
れか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項１１】前記光学基材が非晶性ポリオレフィン
およびその誘導体であり、前記真空プロセスが成膜温度
６０〜１１０℃で行われたことを特徴とする請求項１か
ら７のいずれか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項１２】前記真空度を不活性気体で調整して前
記真空プロセスを行ったことを特徴とする請求項１から
１１のいずれか１項に記載の反射防止光学物品。
【請求項１３】前記光学基材がレンズ、フィルター、
ミラー、プリズム、カバーガラス、およびスクリーンか
らなる群から選択される光学基材であることを特徴とす
る請求項１から１２のいずれか１項に記載の反射防止光
学物品。
【請求項１４】請求項１から１３のいずれか１項に記
載の反射防止光学物品を具えることを特徴とする光学機
器。
【請求項１５】前記光学機器が表示機器および電子写
真機器からなる群から選択されることを特徴とする請求
項１４に記載の光学機器。