JP2003223987A - 有機el表示装置および有機el素子の封止方法 - Google Patents
有機el表示装置および有機el素子の封止方法Info
- Publication number
- JP2003223987A JP2003223987A JP2002022829A JP2002022829A JP2003223987A JP 2003223987 A JP2003223987 A JP 2003223987A JP 2002022829 A JP2002022829 A JP 2002022829A JP 2002022829 A JP2002022829 A JP 2002022829A JP 2003223987 A JP2003223987 A JP 2003223987A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- display device
- transparent substrate
- lid member
- sealing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 45
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 18
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 15
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 20
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 30
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N [Li].[Al] Chemical compound [Li].[Al] JFBZPFYRPYOZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N [Mg].[In] Chemical compound [Mg].[In] JHYLKGDXMUDNEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N aluminum magnesium Chemical compound [Mg].[Al] SNAAJJQQZSMGQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L copper;diiodide Chemical compound I[Cu]I GBRBMTNGQBKBQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 239000001989 lithium alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8721—Metallic sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
物質の除去を考慮してより使用寿命の長い有機EL表示
装置とそれに用いられる有機EL素子の封止方法を提供
する。 【解決手段】陽極層11、有機EL層12及び陰極層1
3から成る有機EL素子14を形成されたガラス基板1
0と、このガラス基板10の有機EL素子14を外気か
ら封止するための封止キャップ15の内壁に凹凸を設
け、有機EL素子に対して有害な物質を除去する部材と
してAl(アルミニウム)を成膜し、可及的に露点を低
く制御した窒素雰囲気内において、封止キャップ15の
縁部とガラス基板10面間にUV硬化樹脂16を介装し
て硬化させ、封止キャップ15をガラス基板10に固定
して、内部を封止する。残留水分や酸素はALによって
吸収されて除去されると共に後から進入してくる水分や
酸素も除去される。
Description
とそれに用いられる有機EL素子の封止方法に関する。
素子、有機電界発光素子、有機LED素子などと称され
る有機薄膜のエレクトロルミネセンス現象を利用した発
光表示素子(以下、有機EL素子という)がある。そし
て、このような有機EL素子を用いた有機エレクトロル
ミネセンス表示装置(以下、有機EL表示装置という)
がある。上記の有機EL素子は、通常、ガラス基板上に
陽極層、有機EL層、陰極層の順で成膜され、ドットマ
トリクス状の発光部を形成して構成される。
L素子を封止して外気と遮断するが、表示装置内部に残
った水分や酸素その他の物質によって、有機EL素子が
劣化する。さらに、上記のように有機EL素子を封止し
ても、わずかな水分や酸素等が封止部材や蓋部材を通過
して表示装置内に入り込む。これらの水分や酸素等も有
機EL素子の劣化の原因となる。
000−306664号公報には、封止部材と基板の少
なくともどちらか一方の表面に、水分を物理的及び/ま
たは化学的に吸着する物質を設けた有機EL表示装置が
開示されている。図5は、そのような有機EL素子を大
気に触れないように封止した従来の構成を示す側断面図
である。同図に示すように、ガラス基板1の上に、陽極
層2、有機EL層3、および陰極層4から成る有機EL
素子5が形成されている。この有機EL素子5は、対向
基板6と封止部7とで覆われている。対向基板6は封止
部7でガラス基板1に対し固定されており、全体として
内部を外気から遮断している。そして、封止部材等に設
けられた物質8により内部の水分を物理的及び/または
化学的に吸着して内部の残留水分による有機EL素子5
への悪影響を比較的簡単な構成で排除でき、ダークスポ
ットの成長を抑止できるとしたものである。
理的及び/または化学的に吸着する物質が全部水と反応
してしまうとそれ以上の水分を吸着できなくなり、表示
装置内に進入した水分は有機EL素子を反応して、有機
EL素子が劣化する。
は多ければ多いほど良いが、封止部材と基板の表面積は
限られているため限度があった。本発明の課題は、上記
従来の実情に鑑み、表示装置内に設ける有機EL素子に
対して有害な物質を吸着又は吸収する部材の量を可及的
に多くなるようにして上記の問題を解決した有機EL表
示装置を提供するものである。
有機EL表示装置およびそれに用いられる有機EL素子
の封止方法の構成について述べる。先ず、請求項1記載
の発明の有機EL表示装置は、透明基板と、該透明基板
の一方の面に形成され、陽極と陰極の間に有機層を設
け、上記電極間に電流が注入されることにより有機層か
ら発光する有機EL素子を有し、該有機EL素子を封止
すべく上記透明基板の一方の面上において上記有機EL
素子を覆う蓋部材と、該蓋部材の縁部底面と上記透明基
板の一方の面との間に介在して硬化した封止部材とを備
え、上記蓋部材は、その上記基板と対向する面が凹凸状
の粗面に形成され、該粗面の一部分又は全面に上記有機
EL素子に対して有害となる物質を吸着または吸収する
薄膜状の部材を付着させて形成されて構成される。
請求項2記載のように、上記蓋部材は側壁をも有し、該
側壁内面にも凹凸状の粗面が形成され、該粗面にも上記
有機EL素子に対して有害となる物質を吸着または吸収
する薄膜状の部材を付着させて構成される。
は、例えば請求項3記載のように、水又は酸素の一方又
は両方である。また、上記薄膜状の部材は、例えば請求
項4記載のように、水又は酸素の少なくともいずれか一
方と反応しやすい金属を上記蓋部材の内面に真空成膜し
てなる。そして、上記金属は、例えば請求項5記載のよ
うに、アルミニウムであることが好ましい。
の封止方法は、透明基板の一方の面に形成された有機E
L素子に対し、該有機EL素子を上記透明基板の一方の
面上において覆うべく形成された蓋部材の内面の一部又
は全面に、上記有機EL素子に対して有害となる物質を
吸着又は吸収する薄膜状の部材を付着させる付着工程
と、上記蓋部材の縁部と上記透明基板の一方の面との間
に介装する封止部材を配置する配置工程と、上記蓋部材
の縁部と上記透明基板の一方の面とを、上記封止部材を
介して接着させる接着工程と、上記封止部材を硬化させ
る硬化工程と、を含んで構成されるそして、例えば請求
項7記載のように、少なくとも上記接着工程と上記硬化
工程とは、可及的に露点を低く設定した窒素雰囲気中で
行われることが好ましい。
を参照しながら説明する。図1は一実施の形態における
有機EL表示装置の構成を模式的に示す側断面図であ
る。
工程ブロック図で示しており、この有機EL表示装置に
用いられる有機EL素子の封止方法を説明する図であ
る。本発明の有機EL表示装置および有機EL素子の封
止方法は、図2に示すように、適宜の成膜装置20を用
いた陽極の成膜工程S1、真空装置21内で処理される
有機EL層の成膜工程S2、陰極の成膜工程S3、蓋部
材としての封止キャップにAl(アルミニウム)を成膜
する工程S4、低い露点の窒素雰囲気22中で処理され
る封止部材としてのUV硬化樹脂を塗布する工程S5
と、ガラス基板に封止キャップを接着する工程S6とよ
って実現される。
すガラス基板10上に陽極層11が形成される。この陽
極層11には、特には図示しないが、まずガラス基板1
0上一面に、例えばスパッタリング法、真空蒸着法、イ
オンプレーティング法等により透明電極層が成膜された
後、フォトリソグラフィ技術等が用いられて、ストライ
プ状に薄膜の陽極電極が形成されている。上記の透明電
極層の材料としては、ニッケル、金、白金、パラジウ
ム、これらの合金、または酸化錫、沃化銅などの金属や
それらの合金、化合物、更には導電性ポリマーなどを用
いることができる。
1に示すように、上記陽極層11の上に重ねて薄膜の有
機EL層12が成膜される。有機EL層12の材料とし
ては、例えばトリス(8−キノリノラト)アルミニウム
(ALQ3 )等の低分子系材料や、ポリパラフェニレン
ビニレン(PPV)等の高分子系材料が種々研究開発さ
れ、実用化され始めている。
L層12の上に重ねて陰極層13が形成される。この陰
極層13も、特には図示しないが、ストライプ状に薄膜
の陰極が形成される。このストライプ状の陰極は、有機
EL層12を間に挟み上記ストライプ状の陽極と格子状
に交差する形で形成されている。
アルミニウム、マグネシウム、マグネシウムインジウム
合金、マグネシウムアルミニウム合金、マグネシウム銀
合金や、アルミニウムリチウム合金等が考えられている
が、導電性が良好であり且つきわめて安価で真空蒸着も
比較的容易であるという理由でアルミニウムが用いられ
る場合が多い。
ラス基板10の一方の面(図では上面)には、上述した
陽極層11、有機EL層12、および陰極層13が順次
積層されて構成された有機EL素子14が形成される。
続いて、封止キャップにAl(アルミニウム)を成膜す
る工程S4では、図1に示す封止キャップ15の未だガ
ラス基板10への組み付け前の状態の内面に、その全面
に真空蒸着によってアルミニウムの薄膜17が成膜され
る。
の天井表面および内壁表面が凹凸状の粗面に形成されて
いる。これにより、平滑な面の場合とほぼ同一の内部容
積に対して、より大きな内面積が形成されている。この
アルミニウムの薄膜17の真空蒸着は、設計上の都合に
よっては、全面と限ることなく部分的な蒸着であっても
良い。
より大きな面積に形成されている内面に、アルミニウム
薄膜が蒸着される。次に、これらアルミニウムの薄膜1
7が成膜された封止キャップ15および上記の有機EL
素子14が形成されているガラス基板10を、大気に曝
すことなく、真空場から窒素雰囲気中に移行させる。こ
れは、処理装置内の真空破壊を行う際に、空気ではなく
窒素で行うことによって達成される。また、これによっ
て形成される処理装置内の窒素雰囲気は、水分が水蒸気
として残留することを極力防止するために、可及的に露
点を低く制御した状態で形成される。
るUV硬化樹脂を塗布する工程S5では、封止部材とし
てのUV硬化樹脂を、封止キャップ15の縁部底面に盛
り付けるように塗布するか、または封止の際にこの縁部
底面に対応するガラス基板10の予め形成されている溝
10−1内に、ガラス基板10の面よりやや盛り上がる
程度に埋入する。もちろん適宜量の塗布と適宜量の埋入
の両方を行うようにしても良い。
する工程S6では、上記アルミニウムの薄膜17が成膜
された封止キャップ15を、ガラス基板10上の有機E
L素子14を覆うようにして所定の位置、すなわち封止
キャップ15の縁部底面とガラス基板10の溝10−1
とが対応する位置に位置決めして被せる。
塗布または埋入されているUV硬化樹脂16が封止キャ
ップ15の縁部底面とガラス基板10の溝10−1との
間に介装される。この後、UV硬化樹脂16が硬化し
て、封止キャップ15の縁部底面を、ガラス基板10の
面とほぼ同一の高さに位置するようにして、ガラス基板
10面に固定させ、封止キャップ15の内部を封止す
る。
井表面および内壁表面が凹凸状の粗面に形成されて、よ
り大きな面積に形成されており、その大きなに面積に、
上記のアルミニウムの薄膜17が蒸着されて形成されて
いるので、封止キャップ15の内面が平坦な場合より
も、本例の場合に蒸着されるアルミニウム薄膜17の量
は大幅に増量する。元来、アルミニウムは酸化され易い
うえに水分吸着作用も有するので、上記のように増量さ
れたアルミニウム薄膜17は、封止キャップ15内部に
残留する水分や酸素はもとより、外部から除々に進入し
てくる水分や酸素ともよく反応し、吸着する。
よる素子の変質・劣化が防止されるだけでなく、新たに
外部から進入してくる水分や酸素に対しても、有機EL
層の劣化や陰極層13のアルミニウム電極の酸化の進行
が大きく抑止される。すなわち、有機EL素子14全体
の使用寿命を延ばすことができる。
を、真空装置とは独立した他の装置で行うように説明し
たが、陽極成膜工程S1から封止キャップへのAl成膜
工程S4までを、一貫して真空装置内で連続して行うよ
うにしても良い。図3は、そのような工程S1〜S4ま
でを一貫して真空装置内で処理する場合の工程ブロック
図である。同図に示すように、図2に示した通常の成膜
装置20は無く、陽極成膜工程S1が真空装置21内で
行われ、そのまま連続して、有機EL層の成膜工程S
2、陰極成膜工程S3、封止キャップへのアルミニウム
成膜工程S4が行われる。その後の工程は図2の場合と
同様である。
れば、封止キャップの内壁を凹凸状の粗面に形成して内
面積を大きくし、この面に有機EL素子に対して有害と
なる水分や酸素等の物質を吸着または吸収する除去部材
を真空蒸着等で添着させることにより、より多量に形成
された除去部材で有害物質を吸着または吸収でき、有機
EL素子の劣化を低減させることができる。
る多量の除去部材により、窒素雰囲気下での処理後でも
残留する水分や酸素等だけでなく、その後も外部から進
入する水分や酸素等をも除去することができるので、有
機EL素子の劣化防止をより一層長期に維持することが
でき、これにより、ダークスポットの発生やダークエリ
アの発生を長期に抑制して、有機EL素子の寿命をいっ
そう長く向上させることができる。
に示す側断面図である。
機EL素子の封止方法を説明する工程ブロック図であ
る。
で処理する場合の例を示す工程ブロック図である。
止した構成を示す側断面図である。
質 10 ガラス基板 11 陽極層 12 有機EL層 13 陰極層 14 有機EL素子 15 封止キャップ 16 UV硬化樹脂 17 アルミニウム薄膜 20 成膜装置 21 真空装置 22 窒素雰囲気
Claims (7)
- 【請求項1】 透明基板と、該透明基板の一方の面に形
成され、陽極と陰極の間に有機層を設け、前記電極間に
電流が注入されることにより有機層から発光する有機E
L素子を有し、 該有機EL素子を封止すべく前記透明基板の一方の面上
において前記有機EL素子を覆う蓋部材と、該蓋部材の
縁部底面と前記透明基板の一方の面との間に介在して硬
化した封止部材とを備え、 前記蓋部材は、その前記基板と対向する面が凹凸状の粗
面に形成され、該粗面の一部分又は全面に前記有機EL
素子に対して有害となる物質を吸着または吸収する薄膜
状の部材を付着させて形成されている、 ことを特徴とする有機EL表示装置。 - 【請求項2】 前記蓋部材は側壁をも有し、該側壁内面
にも凹凸状の粗面が形成され、該粗面にも前記有機EL
素子に対して有害となる物質を吸着または吸収する薄膜
状の部材を付着させたことを特徴とする請求項1記載の
有機EL表示装置。 - 【請求項3】 前記有機EL素子に対して有害となる物
質は、水又は酸素の一方又は両方であることを特徴とす
る請求項1又は2記載の有機EL表示装置。 - 【請求項4】 前記薄膜状の部材は、水又は酸素の少な
くともいずれか一方と反応しやすい金属を前記蓋部材の
内面に真空成膜してなることを特徴とする請求項1又は
2記載の有機EL表示装置。 - 【請求項5】 前記金属はアルミニウムであることを特
徴とする請求項4記載の有機EL表示装置。 - 【請求項6】 透明基板の一方の面に形成された有機E
L素子に対し、 該有機EL素子を前記透明基板の一方の面上において覆
うべく形成された蓋部材の内面の一部又は全面に、前記
有機EL素子に対して有害となる物質を吸着又は吸収す
る薄膜状の部材を付着させる付着工程と、 前記蓋部材の縁部と前記透明基板の一方の面との間に介
装する封止部材を配置する配置工程と、 前記蓋部材の縁部と前記透明基板の一方の面とを、前記
封止部材を介して接着させる接着工程と、 前記封止部材を硬化させる硬化工程と、 を含むことを特徴とする有機EL素子の封止方法。 - 【請求項7】 少なくとも前記接着工程と前記硬化工程
とは、可及的に露点を低く設定した窒素雰囲気中で行わ
れる、ことを特徴とする請求項6記載の有機EL素子の
封止方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002022829A JP3772752B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 有機el表示装置および有機el素子の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002022829A JP3772752B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 有機el表示装置および有機el素子の封止方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003223987A true JP2003223987A (ja) | 2003-08-08 |
JP3772752B2 JP3772752B2 (ja) | 2006-05-10 |
Family
ID=27745728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002022829A Expired - Fee Related JP3772752B2 (ja) | 2002-01-31 | 2002-01-31 | 有機el表示装置および有機el素子の封止方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3772752B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662991B1 (ko) | 2005-12-09 | 2006-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
WO2009025186A1 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2017532726A (ja) * | 2014-09-03 | 2017-11-02 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 有機発光ダイオードの封止構造及び表示装置 |
-
2002
- 2002-01-31 JP JP2002022829A patent/JP3772752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100662991B1 (ko) | 2005-12-09 | 2006-12-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
WO2009025186A1 (ja) * | 2007-08-20 | 2009-02-26 | Konica Minolta Holdings, Inc. | 有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法、有機エレクトロルミネッセンスパネル |
JP2017532726A (ja) * | 2014-09-03 | 2017-11-02 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 有機発光ダイオードの封止構造及び表示装置 |
KR101889869B1 (ko) * | 2014-09-03 | 2018-09-20 | 센젠 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 | 유기발광소자 패키지 구조 및 디스플레이 장치 |
GB2547130B (en) * | 2014-09-03 | 2019-12-25 | Shenzhen China Star Optoelect | Organic light emitting diode package structure and display device |
DE112014006924B4 (de) * | 2014-09-03 | 2020-07-16 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organische Leuchtdioden-Packungsstruktur und Anzeigegerät |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3772752B2 (ja) | 2006-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7258768B2 (en) | Method of fabricating an EL display device, and apparatus for forming a thin film | |
US6737176B1 (en) | Organic electroluminescent device and method for fabricating same | |
US20030098647A1 (en) | Protected organic optoelectronic devices | |
US6803127B2 (en) | Encapsulation of an organic electro-luminescence element for a display device and method thereof | |
FR2831764A1 (fr) | Dispositif electroluminescent organique et son procede de fabrication | |
KR20010092414A (ko) | 유기 el 소자 및 이의 제조방법 | |
WO2002069412A1 (en) | An encapsulated electrode | |
JP2003297552A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル | |
JP2000030857A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
JP2000030871A (ja) | 有機el素子 | |
JP2007073305A (ja) | 有機el発光装置およびその製造方法 | |
JP2003223987A (ja) | 有機el表示装置および有機el素子の封止方法 | |
JP2003086357A (ja) | 発光素子及びその製造方法 | |
JP4310843B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
JP2000012237A (ja) | 有機電界発光表示素子の製造方法 | |
JP2008010243A (ja) | 有機el素子およびその製造方法 | |
JP2004235048A (ja) | 有機elパネルの製造方法 | |
JP2004022281A (ja) | 有機el素子 | |
JP2010257830A (ja) | 有機el素子、有機el素子用のキャップ基材およびキャップ基材の製造方法 | |
JP2004030974A (ja) | 電子発光素子及びその製造方法 | |
JP2007200626A (ja) | 有機el素子 | |
JP3924944B2 (ja) | 有機el及びその製造方法 | |
JP4433577B2 (ja) | 有機elパネル | |
JP2003282249A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
JP4600880B2 (ja) | 有機el素子の封止キャップ及びその製法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060124 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060206 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |