JP2003223743A - 光ディスク基板とその原盤の製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク - Google Patents
光ディスク基板とその原盤の製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスクInfo
- Publication number
- JP2003223743A JP2003223743A JP2002019301A JP2002019301A JP2003223743A JP 2003223743 A JP2003223743 A JP 2003223743A JP 2002019301 A JP2002019301 A JP 2002019301A JP 2002019301 A JP2002019301 A JP 2002019301A JP 2003223743 A JP2003223743 A JP 2003223743A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical disk
- land
- groove
- master
- molding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】トラックピッチを狭めた場合でも、記録マーク
が隣接トラックへ広がることを減少させて高密度の情報
を安定して記録する。 【解決手段】案内溝であるグルーブ２と凸部であるラン
ド３を有する案内溝付きの光ディスク基板４のランド３
のエッジ部分に案内溝に沿った突起部１０を設け、ラン
ド３とグルーブ２の両方に記録するときの熱が隣接する
グルーブ２やランド３に伝達することを防ぎ、ランド３
とグルーブ２に安定した記録マークを記録するととも
に、クロストークを大幅に低減する。
が隣接トラックへ広がることを減少させて高密度の情報
を安定して記録する。 【解決手段】案内溝であるグルーブ２と凸部であるラン
ド３を有する案内溝付きの光ディスク基板４のランド３
のエッジ部分に案内溝に沿った突起部１０を設け、ラン
ド３とグルーブ２の両方に記録するときの熱が隣接する
グルーブ２やランド３に伝達することを防ぎ、ランド３
とグルーブ２に安定した記録マークを記録するととも
に、クロストークを大幅に低減する。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、光ディスクの製
造に用いられる光ディスク基板とその原盤の製造方法と
光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク、特にクロ
ストークの減少と、狭トラックピッチ化したときにおけ
るジッタなどの信号特性の向上に関するものである。
造に用いられる光ディスク基板とその原盤の製造方法と
光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク、特にクロ
ストークの減少と、狭トラックピッチ化したときにおけ
るジッタなどの信号特性の向上に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光ディスク用の原盤を製作するときは、
精密に研磨，洗浄されたガラス基板にフォトレジストを
均一になるように塗布してフォトレジスト層を形成し、
このフォトレジスト層を所定のフォーマットにしたがっ
て光変調されたレーザ露光ビームで露光して案内溝など
の潜像を形成する。この潜像が形成されたフォトレジス
ト層を現像，洗浄処理することにより、フォトレジスト
層に案内溝等を形成し、スパッタ処理してニッケルスパ
ッタ膜を形成する。このニッケルスパッタ膜にニッケル
電鋳を行ないニッケル層を積層し、その後、ニッケル層
をガラス基板とフォトレジスト層から剥離し、溝パタン
が形成されていない裏面を研磨して光ディスク用のスタ
ンパを形成する。このスタンパを使用して射出成形法等
により、図５の断面図に示すように、光ディスク基板４
を作製する。この光ディスク基板４の案内溝であるグル
ーブと凸部であるランドが設けられた面に第１の誘電体
層５と記録層６と第２の誘電体層７と反射層８及び保護
層９の順に積層して光ディスクを作成する。
精密に研磨，洗浄されたガラス基板にフォトレジストを
均一になるように塗布してフォトレジスト層を形成し、
このフォトレジスト層を所定のフォーマットにしたがっ
て光変調されたレーザ露光ビームで露光して案内溝など
の潜像を形成する。この潜像が形成されたフォトレジス
ト層を現像，洗浄処理することにより、フォトレジスト
層に案内溝等を形成し、スパッタ処理してニッケルスパ
ッタ膜を形成する。このニッケルスパッタ膜にニッケル
電鋳を行ないニッケル層を積層し、その後、ニッケル層
をガラス基板とフォトレジスト層から剥離し、溝パタン
が形成されていない裏面を研磨して光ディスク用のスタ
ンパを形成する。このスタンパを使用して射出成形法等
により、図５の断面図に示すように、光ディスク基板４
を作製する。この光ディスク基板４の案内溝であるグル
ーブと凸部であるランドが設けられた面に第１の誘電体
層５と記録層６と第２の誘電体層７と反射層８及び保護
層９の順に積層して光ディスクを作成する。
【０００３】近年の情報記録媒体の記録容量の増加とい
う要求に対応するためには光ディスクのトラックピッチ
を狭める必要がある。また、記録容量を上げる方法とし
てグルーブとランドに記録をしていく方法がある。この
方法は、隣接するグルーブとランドに記録したマークが
近いため、グルーブのみに記録する方法と比較してマー
クの半径方向への広がりにより隣接マークに書込みと消
去の影響を与えてしまうというクロストークの問題を伴
う。このクロストークを低減する方法として、グルーブ
深さを所定の範囲内に設定する方法が挙げられる。ま
た、特開平１０−６４１２０号公報に示すように、記録
層におけるグルーブとランドの段差に注目し、再生で用
いる光ビームの波長をλ、記録層の基板側におけるグル
ーブとランドの段差をｄ、基板の屈折率をｎとしたと
き、記録層の基板側におけるグルーブとランドの段差ｄ
が（λ／６ｎ）≦ｄ≦（λ／５ｎ）の範囲になるように
している。
う要求に対応するためには光ディスクのトラックピッチ
を狭める必要がある。また、記録容量を上げる方法とし
てグルーブとランドに記録をしていく方法がある。この
方法は、隣接するグルーブとランドに記録したマークが
近いため、グルーブのみに記録する方法と比較してマー
クの半径方向への広がりにより隣接マークに書込みと消
去の影響を与えてしまうというクロストークの問題を伴
う。このクロストークを低減する方法として、グルーブ
深さを所定の範囲内に設定する方法が挙げられる。ま
た、特開平１０−６４１２０号公報に示すように、記録
層におけるグルーブとランドの段差に注目し、再生で用
いる光ビームの波長をλ、記録層の基板側におけるグル
ーブとランドの段差をｄ、基板の屈折率をｎとしたと
き、記録層の基板側におけるグルーブとランドの段差ｄ
が（λ／６ｎ）≦ｄ≦（λ／５ｎ）の範囲になるように
している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】この溝深さを最適化し
てクロストークを減少させるという方法によると、所定
深さにすることにより改善は見られるが、よりトラック
ピッチを狭めていった場合、記録マークの広がりが隣接
トラックに影響を与えてしまうという短所がある。
てクロストークを減少させるという方法によると、所定
深さにすることにより改善は見られるが、よりトラック
ピッチを狭めていった場合、記録マークの広がりが隣接
トラックに影響を与えてしまうという短所がある。
【０００５】この発明は係る短所を改善し、トラックピ
ッチを狭めた場合でも、記録マークが隣接トラックへ広
がることを減少させて高密度の情報を安定して記録する
ことができる光ディスク基板と光ディスク基板の原盤の
製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク
を提供することを目的とするものである。
ッチを狭めた場合でも、記録マークが隣接トラックへ広
がることを減少させて高密度の情報を安定して記録する
ことができる光ディスク基板と光ディスク基板の原盤の
製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク
を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明に係る光ディス
ク基板は、案内溝であるグルーブと凸部であるランドを
有する案内溝付きの光ディスク基板において、ランドの
エッジ部分に案内溝に沿った突起を設け、ランドに記録
するときの熱が隣接するグルーブに伝達することを防ぐ
ことを特徴とする。
ク基板は、案内溝であるグルーブと凸部であるランドを
有する案内溝付きの光ディスク基板において、ランドの
エッジ部分に案内溝に沿った突起を設け、ランドに記録
するときの熱が隣接するグルーブに伝達することを防ぐ
ことを特徴とする。
【０００７】前記ランドのエッジ部分に設けた突起の高
さを案内溝の深さの１／１０〜１／３の範囲とし、ラン
ドに記録するときの熱が隣接するグルーブに伝達するこ
とを防ぐとともに突起の高さを一定にする。
さを案内溝の深さの１／１０〜１／３の範囲とし、ラン
ドに記録するときの熱が隣接するグルーブに伝達するこ
とを防ぐとともに突起の高さを一定にする。
【０００８】また、ランドのエッジ部分に設けた突起の
幅をランドの幅の１／５を越えない範囲として、ランド
に安定した記録マークを記録する。
幅をランドの幅の１／５を越えない範囲として、ランド
に安定した記録マークを記録する。
【０００９】この発明の光ディスク基板の成形用原盤の
製造方法は、案内溝であるグルーブと凸部であるランド
を有し、ランドのエッジ部分に前記案内溝に沿った突起
を有する光ディスク基板の成形用原盤の製造方法であっ
て、基板上に非感光性の親水性高分子材料からなる下層
を形成し、下層の表面に感光性樹脂からなる上層を形成
し、上層にレーザービームを集光して露光してスパイラ
ル状の潜像を形成し、潜像を形成した上層を現像して純
水洗浄して上層にスパイラル状の溝パターンを形成し、
上層をマスクとして第２の光を照射した後、温度が30〜
50℃の純水で洗浄して下層をエッチングしてスパイラル
状の溝パターンを形成し、上層を剥離した後、スパイラ
ル状の溝パターンを有する下層の表面にＮｉを積層して
成形用原盤となるＮｉ板を形成し、Ｎｉ板から基板と下
層を除去することを特徴とする。
製造方法は、案内溝であるグルーブと凸部であるランド
を有し、ランドのエッジ部分に前記案内溝に沿った突起
を有する光ディスク基板の成形用原盤の製造方法であっ
て、基板上に非感光性の親水性高分子材料からなる下層
を形成し、下層の表面に感光性樹脂からなる上層を形成
し、上層にレーザービームを集光して露光してスパイラ
ル状の潜像を形成し、潜像を形成した上層を現像して純
水洗浄して上層にスパイラル状の溝パターンを形成し、
上層をマスクとして第２の光を照射した後、温度が30〜
50℃の純水で洗浄して下層をエッチングしてスパイラル
状の溝パターンを形成し、上層を剥離した後、スパイラ
ル状の溝パターンを有する下層の表面にＮｉを積層して
成形用原盤となるＮｉ板を形成し、Ｎｉ板から基板と下
層を除去することを特徴とする。
【００１０】前記下層の材料としてとして、ポリビニル
アルコールやポリビニルピロリドン，メチルセルロー
ス，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチルセ
ルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチレン
オキサイドのいずれかを使用して、上層の感光性樹脂と
の混合を防ぎ、純水によるエッチングを容易にする。
アルコールやポリビニルピロリドン，メチルセルロー
ス，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチルセ
ルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチレン
オキサイドのいずれかを使用して、上層の感光性樹脂と
の混合を防ぎ、純水によるエッチングを容易にする。
【００１１】また、基板に下層の材料を塗布した後、15
0〜200℃の温度で15〜30分熱処理を行い、下層の洗浄に
対する安定性とエッチングの容易性及びエッチングした
端部の突起の形成を両立させる。
0〜200℃の温度で15〜30分熱処理を行い、下層の洗浄に
対する安定性とエッチングの容易性及びエッチングした
端部の突起の形成を両立させる。
【００１２】さらに、上層をマスクとして照射する第２
の光は、320ｎｍ以下の波長成分を含むことにより、下
層のエッチングを効率良く行い、かつエッチングした端
部の突起の形成を容易にする。
の光は、320ｎｍ以下の波長成分を含むことにより、下
層のエッチングを効率良く行い、かつエッチングした端
部の突起の形成を容易にする。
【００１３】また、上層を、乳酸エチルや酢酸ブチル，
２−ヘプタノン，プロピレングリコール，モノメチルエ
ーテルあるいは酢酸ブチルのいずれかを含む溶液で剥離
して、下層のエッチングした溝パターンや突起の形状が
変形することを防ぐ。
２−ヘプタノン，プロピレングリコール，モノメチルエ
ーテルあるいは酢酸ブチルのいずれかを含む溶液で剥離
して、下層のエッチングした溝パターンや突起の形状が
変形することを防ぐ。
【００１４】この発明の光ディスク基板の成形用原盤
は、前記光ディスク基板の成形用原盤の製造方法により
作製されたことを特徴とする。
は、前記光ディスク基板の成形用原盤の製造方法により
作製されたことを特徴とする。
【００１５】また、この発明の光ディスクは、前記光デ
ィスク基板を有し、ランドとグルーブの両方に安定した
記録マークを記録できることを特徴とする。
ィスク基板を有し、ランドとグルーブの両方に安定した
記録マークを記録できることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の光ディスクの構
成を示す断面図である。図に示すように、光ディスク１
は、案内溝であるグルーブ２と凸部であるランド３が設
けられ基板４のグルーブ２とランド３が設けられた面に
第１の誘電体層５と記録層６と第２の誘電体層７と反射
層８及び保護層９が積層されている。基板４は、例えば
ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等の透明
樹脂で形成され、図２の断面図に示すように、ランド３
の両端エッジ部分にはグルーブ２に沿った突起部１０を
有する。第１の誘電体層５と第２の誘電体層７は例えば
ＳｉＯ２やＺｎＳの混合物が主に用いられている。記録
層６はＳｂやＴｅ，Ｉｎ，Ａｇ，Ｇｅなどの合金が用い
られ、これらの合金がアモルファス状態と結晶状態で光
学定数が異なり、レーザ光を照射したときの反射率が異
なることを利用して情報を読み取る。反射層８はＡｇや
Ａｕ，Ａｌなどの金属単体または合金で形成されてい
る。
成を示す断面図である。図に示すように、光ディスク１
は、案内溝であるグルーブ２と凸部であるランド３が設
けられ基板４のグルーブ２とランド３が設けられた面に
第１の誘電体層５と記録層６と第２の誘電体層７と反射
層８及び保護層９が積層されている。基板４は、例えば
ポリカーボネートやポリメチルメタクリレート等の透明
樹脂で形成され、図２の断面図に示すように、ランド３
の両端エッジ部分にはグルーブ２に沿った突起部１０を
有する。第１の誘電体層５と第２の誘電体層７は例えば
ＳｉＯ２やＺｎＳの混合物が主に用いられている。記録
層６はＳｂやＴｅ，Ｉｎ，Ａｇ，Ｇｅなどの合金が用い
られ、これらの合金がアモルファス状態と結晶状態で光
学定数が異なり、レーザ光を照射したときの反射率が異
なることを利用して情報を読み取る。反射層８はＡｇや
Ａｕ，Ａｌなどの金属単体または合金で形成されてい
る。
【００１７】この光ディスク１は、基板４側からレーザ
光を照射して、グルーブ２とランド３に記録マークを記
録したり、反射光を利用して記録した情報を読み取る。
このようにグルーブ２とランド３に記録マークを記録す
るときに、基板４のランド３の両端エッジ部分にはグル
ーブ２に沿った突起部１０を設けてあるから、ランド３
に記録マークを記録したときに生じる熱が隣接するグル
ーブ２まで伝達することを防ぐことができ、ランド３上
に記録された記録マークが隣接するグルーブ２に広がる
ことを防止することができる。また、グルーブ２に記録
マークを記録した場合も、同様に、ランド３への記録マ
ークの広がりを防止することができる。したがってラン
ド３とグルーブ２の両方に記録する方式を用いても、隣
接して記録された記録マークが互いに影響を与えること
を防ぎ、クロストークを大幅に低減することができる。
光を照射して、グルーブ２とランド３に記録マークを記
録したり、反射光を利用して記録した情報を読み取る。
このようにグルーブ２とランド３に記録マークを記録す
るときに、基板４のランド３の両端エッジ部分にはグル
ーブ２に沿った突起部１０を設けてあるから、ランド３
に記録マークを記録したときに生じる熱が隣接するグル
ーブ２まで伝達することを防ぐことができ、ランド３上
に記録された記録マークが隣接するグルーブ２に広がる
ことを防止することができる。また、グルーブ２に記録
マークを記録した場合も、同様に、ランド３への記録マ
ークの広がりを防止することができる。したがってラン
ド３とグルーブ２の両方に記録する方式を用いても、隣
接して記録された記録マークが互いに影響を与えること
を防ぎ、クロストークを大幅に低減することができる。
【００１８】この基板４のランド３の両端エッジ部分に
設けた突起部１０の大きさは、図２に示すように、突起
部１０の高さをＨ、突起部１０の幅をＷ１、グルーブ２
の深さをＤ、ランド３の幅をＷ２とした場合、突起部１
０の高さＨ１をグルーブ２の深さＤの１／１０〜１／３
の範囲とし、突起部１０の幅Ｗ１をランド３の幅Ｗ２の
１／５を越えないようにすることにより、効果的に熱を
遮断することができるとともに均一な形状に形成するこ
とができる。すなわち突起部１０の高さＨと幅Ｗ１を大
きくした方が熱遮断のためには有効であるが、突起部１
０の高さＨを一定以上高くすると、基板４を成形するた
めの原盤であるスタンパの溝を均一に作製することが容
易でなく、均一な高さの突起部１０を形成することが困
難になる。そこで突起部１０の高さＨをグルーブ２の深
さＤの１／３以下にして均一な高さＨの突起部１０を形
成する。また、隣接するランド３とグルーブ２間の熱遮
断は、突起部１０の高さＨをグルーブ２の深さＤの１／
１０以上にすることにより効果がある。そこで突起部１
０の高さＨ１をグルーブ２の深さＤの１／１０〜１／３
の範囲とにする。また、突起部１０の幅Ｗ１をあまり大
きくすると、ランド３に安定した記録マークを記録する
ことが困難になる。これに対して突起部１０の幅Ｗ１を
ランド３の幅Ｗ２の１／５を越えない範囲に限定してラ
ンド３に安定した記録マークを記録する。
設けた突起部１０の大きさは、図２に示すように、突起
部１０の高さをＨ、突起部１０の幅をＷ１、グルーブ２
の深さをＤ、ランド３の幅をＷ２とした場合、突起部１
０の高さＨ１をグルーブ２の深さＤの１／１０〜１／３
の範囲とし、突起部１０の幅Ｗ１をランド３の幅Ｗ２の
１／５を越えないようにすることにより、効果的に熱を
遮断することができるとともに均一な形状に形成するこ
とができる。すなわち突起部１０の高さＨと幅Ｗ１を大
きくした方が熱遮断のためには有効であるが、突起部１
０の高さＨを一定以上高くすると、基板４を成形するた
めの原盤であるスタンパの溝を均一に作製することが容
易でなく、均一な高さの突起部１０を形成することが困
難になる。そこで突起部１０の高さＨをグルーブ２の深
さＤの１／３以下にして均一な高さＨの突起部１０を形
成する。また、隣接するランド３とグルーブ２間の熱遮
断は、突起部１０の高さＨをグルーブ２の深さＤの１／
１０以上にすることにより効果がある。そこで突起部１
０の高さＨ１をグルーブ２の深さＤの１／１０〜１／３
の範囲とにする。また、突起部１０の幅Ｗ１をあまり大
きくすると、ランド３に安定した記録マークを記録する
ことが困難になる。これに対して突起部１０の幅Ｗ１を
ランド３の幅Ｗ２の１／５を越えない範囲に限定してラ
ンド３に安定した記録マークを記録する。
【００１９】このようにランド３の両端エッジ部分に突
起部１０を設けた基板４を使用して光ディスク１を作製
することにより、グルーブ２とランド３に安定した記録
マークを記録することができ、記録容量の大きい光ディ
スク１を安定して作製することができる。
起部１０を設けた基板４を使用して光ディスク１を作製
することにより、グルーブ２とランド３に安定した記録
マークを記録することができ、記録容量の大きい光ディ
スク１を安定して作製することができる。
【００２０】このランド３の両端エッジ部分に突起部１
０を設けた基板４を成形するスタンパの製造方法を図３
の工程図を参照して説明する。
０を設けた基板４を成形するスタンパの製造方法を図３
の工程図を参照して説明する。
【００２１】まず、表面が精密に研磨されたガラス基板
１１を洗浄して表面に付着したゴミ等を除去する。その
後、ガラス基板１１をスピンコータにのせ、ガラス基板
１１の表面に、図３（ａ）に示すように、スピンコート
法により水溶性樹脂を塗布して下層１２を形成する。こ
の下層１２を形成する水溶性樹脂としては、例えばポリ
ビニルアルコールやポリビニルピロリドン，メチルセル
ロース，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチ
ルセルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチ
レンオキサイドなどを使用し、膜厚を例えば40ｎｍに調
整する。このガラス基板１１に塗布した水溶性樹脂を温
度150〜200℃で15〜30分間、例えば温度170℃で約20分
間加熱乾燥して下層１２を形成して耐水性と耐溶剤性を
与える。この下層１２の表面に、図３（ｂ）に示すよう
に、フォトレジストをスピンコートして上層フォトレジ
スト層１３を形成する。この上層フォトレジスト層１３
を形成するフォトレジスト材料としては例えばｉ線系フ
ォトレジストを用い、膜厚を例えば約200ｎｍとする。
そしてフォトレジストを塗布した後、温度100℃で約30
分熱処理を行い室温まで冷却する。このフォトレジスト
を塗布したとき、下層１２をメチルセルロースなどの水
溶性樹脂で形成しているから、上層フォトレジスト層１
３を形成するフォトレジストと混合することを防ぐこと
ができる。
１１を洗浄して表面に付着したゴミ等を除去する。その
後、ガラス基板１１をスピンコータにのせ、ガラス基板
１１の表面に、図３（ａ）に示すように、スピンコート
法により水溶性樹脂を塗布して下層１２を形成する。こ
の下層１２を形成する水溶性樹脂としては、例えばポリ
ビニルアルコールやポリビニルピロリドン，メチルセル
ロース，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチ
ルセルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチ
レンオキサイドなどを使用し、膜厚を例えば40ｎｍに調
整する。このガラス基板１１に塗布した水溶性樹脂を温
度150〜200℃で15〜30分間、例えば温度170℃で約20分
間加熱乾燥して下層１２を形成して耐水性と耐溶剤性を
与える。この下層１２の表面に、図３（ｂ）に示すよう
に、フォトレジストをスピンコートして上層フォトレジ
スト層１３を形成する。この上層フォトレジスト層１３
を形成するフォトレジスト材料としては例えばｉ線系フ
ォトレジストを用い、膜厚を例えば約200ｎｍとする。
そしてフォトレジストを塗布した後、温度100℃で約30
分熱処理を行い室温まで冷却する。このフォトレジスト
を塗布したとき、下層１２をメチルセルロースなどの水
溶性樹脂で形成しているから、上層フォトレジスト層１
３を形成するフォトレジストと混合することを防ぐこと
ができる。
【００２２】この下層１２と上層フォトレジスト層１３
を積層したガラス基板１１を原盤露光機のターンテーブ
ルにのせ、ターンテーブルの回転数を線速度が一定、例
えば約７ｍ／ｓに成るように制御しながら、図３（ｃ）
に示すように、波長400〜420ｎｍのレーザビーム１４を
対物レンズ１５で集光して上層フォトレジスト層１３を
スパイラル状に露光してスパイラル状の潜像１６を形成
する。この潜像１６を形成した後、スピナーにより低速
回転しながら現像液で現像し、純水で洗浄して高速回転
で振切り乾燥させる。この現像処理により上層フォトレ
ジスト層１３に形成された潜像１６が除去され、図３
（ｄ）に示すように、上層フォトレジスト層１３に溝パ
ターン１７が形成される。
を積層したガラス基板１１を原盤露光機のターンテーブ
ルにのせ、ターンテーブルの回転数を線速度が一定、例
えば約７ｍ／ｓに成るように制御しながら、図３（ｃ）
に示すように、波長400〜420ｎｍのレーザビーム１４を
対物レンズ１５で集光して上層フォトレジスト層１３を
スパイラル状に露光してスパイラル状の潜像１６を形成
する。この潜像１６を形成した後、スピナーにより低速
回転しながら現像液で現像し、純水で洗浄して高速回転
で振切り乾燥させる。この現像処理により上層フォトレ
ジスト層１３に形成された潜像１６が除去され、図３
（ｄ）に示すように、上層フォトレジスト層１３に溝パ
ターン１７が形成される。
【００２３】この溝パターン１７を形成した後、図３
（ｅ）に示すように、上層フォトレジスト層１３をマス
クとして波長が例えば320ｎｍ以下の第２の光１８を照
射する。この第２の光１８の光源としては表面洗浄など
に使用されている低圧水銀ランプや重水素ランプあるい
はハロゲンキセノン高圧ランプなどを使用することによ
り波長が320ｎｍ以下の紫外線からなる第２の光１８を
照射することができ、下層１２を容易にエッチングする
ことができる。その後、温度が30〜50℃の純水により下
層１２をエッチングし、上層フォトレジスト層１３を剥
離する。この下層１２をエッチングして上層フォトレジ
スト層１３を剥離すると、図３（ｆ）に示すように、下
層１２に溝パターン１９と、溝パターン１９の立ち上が
り部にエッジ部に沿った突起部２０を形成する。この溝
パターン１９と突起部２０を形成するときに、純水の温
度を常温より高い30℃以上にすることにより下層１２の
エッチング速度を上げるとともに、溝パターン１９のエ
ッジ部が膨潤して突起部２０を形成することができる。
ここでエッチングを行う純水の温度を50℃よりも高くす
ると、下層１２全体が剥離してしまうため、エッチング
を行う純水の温度を30〜50℃にする。また、この温度を
調節することにより突起部２０の高さと幅を調節するこ
とができる。また、上層フォトレジスト層１３を剥離す
るとき、下層１２をエッチングした後、溝パターン１９
を有する下層１２と上層フォトレジスト層１３を積層し
たガラス基板１１全体を、上層フォトレジスト層１３を
溶解可能な有機溶媒で満たされた槽に入れる。この剥離
に使用する有機溶液に求められる性質は、上層フォトレ
ジスト層１３を剥離することが可能であり、かつ下層１
２の形状に影響を与えないことが必要であり、有機溶剤
としては、例えば乳酸エチルや酢酸ブチル，２−ヘプタ
ノン，プロピレングリコール，モノメチルエーテルある
いは酢酸ブチルなどを用いる。このようなな有機溶剤を
使用して上層フォトレジスト層１３を剥離することによ
り下層１２の溝パターン１９や突起部２０の形状を変形
することなしに上層フォトレジスト層１３を剥離するこ
とができる。
（ｅ）に示すように、上層フォトレジスト層１３をマス
クとして波長が例えば320ｎｍ以下の第２の光１８を照
射する。この第２の光１８の光源としては表面洗浄など
に使用されている低圧水銀ランプや重水素ランプあるい
はハロゲンキセノン高圧ランプなどを使用することによ
り波長が320ｎｍ以下の紫外線からなる第２の光１８を
照射することができ、下層１２を容易にエッチングする
ことができる。その後、温度が30〜50℃の純水により下
層１２をエッチングし、上層フォトレジスト層１３を剥
離する。この下層１２をエッチングして上層フォトレジ
スト層１３を剥離すると、図３（ｆ）に示すように、下
層１２に溝パターン１９と、溝パターン１９の立ち上が
り部にエッジ部に沿った突起部２０を形成する。この溝
パターン１９と突起部２０を形成するときに、純水の温
度を常温より高い30℃以上にすることにより下層１２の
エッチング速度を上げるとともに、溝パターン１９のエ
ッジ部が膨潤して突起部２０を形成することができる。
ここでエッチングを行う純水の温度を50℃よりも高くす
ると、下層１２全体が剥離してしまうため、エッチング
を行う純水の温度を30〜50℃にする。また、この温度を
調節することにより突起部２０の高さと幅を調節するこ
とができる。また、上層フォトレジスト層１３を剥離す
るとき、下層１２をエッチングした後、溝パターン１９
を有する下層１２と上層フォトレジスト層１３を積層し
たガラス基板１１全体を、上層フォトレジスト層１３を
溶解可能な有機溶媒で満たされた槽に入れる。この剥離
に使用する有機溶液に求められる性質は、上層フォトレ
ジスト層１３を剥離することが可能であり、かつ下層１
２の形状に影響を与えないことが必要であり、有機溶剤
としては、例えば乳酸エチルや酢酸ブチル，２−ヘプタ
ノン，プロピレングリコール，モノメチルエーテルある
いは酢酸ブチルなどを用いる。このようなな有機溶剤を
使用して上層フォトレジスト層１３を剥離することによ
り下層１２の溝パターン１９や突起部２０の形状を変形
することなしに上層フォトレジスト層１３を剥離するこ
とができる。
【００２４】次に、溝パターン１９と突起部２０を有す
る下層１２の表面にＮｉ膜を約50ｎｍスパッタリングに
より成膜して導電膜を形成させる。その後、このＮｉ薄
膜を電極として電鋳法によりＮｉを厚さが約300μｍに
なるまで積層し、図３（ｇ）に示すように、溝パターン
１９と突起部２０を転写したＮｉ板２１を形成する。こ
のＮｉ板２１からガラス基板１１を剥離し、Ｎｉ板２１
に残留している下層１２を純水によって洗浄して除去す
る。この下層１２を除去するときに、下層１２はメチル
セルロースなどの水溶性樹脂で形成されているから、純
水で容易に除去することができる。その後、Ｎｉ板２１
の溝パターン１９と突起部２０を転写した面と反対側の
裏面を研磨し、内外径を加工して、図３（ｈ）に示すよ
うに、スパイラル状の突起パターン２２と、突起パター
ン２２の両側に微小溝パターン２３を有し、光ディスク
１の基板４を作製する型となるスタンパ２４を完成す
る。
る下層１２の表面にＮｉ膜を約50ｎｍスパッタリングに
より成膜して導電膜を形成させる。その後、このＮｉ薄
膜を電極として電鋳法によりＮｉを厚さが約300μｍに
なるまで積層し、図３（ｇ）に示すように、溝パターン
１９と突起部２０を転写したＮｉ板２１を形成する。こ
のＮｉ板２１からガラス基板１１を剥離し、Ｎｉ板２１
に残留している下層１２を純水によって洗浄して除去す
る。この下層１２を除去するときに、下層１２はメチル
セルロースなどの水溶性樹脂で形成されているから、純
水で容易に除去することができる。その後、Ｎｉ板２１
の溝パターン１９と突起部２０を転写した面と反対側の
裏面を研磨し、内外径を加工して、図３（ｈ）に示すよ
うに、スパイラル状の突起パターン２２と、突起パター
ン２２の両側に微小溝パターン２３を有し、光ディスク
１の基板４を作製する型となるスタンパ２４を完成す
る。
【００２５】このスタンパ２４を使用して基板４を成形
するときは、図４の断面図に示すように、成形金型３０
の固定金型３１と可動金型３２との接合部に形成される
キャビティ３３内にスタンパ２４を固定し、キャビティ
３３内にノズル３４から溶融樹脂を射出充填し、固定金
型３１と可動金型３２との間で圧縮して成形する。その
後、固定金型３１と可動金型３２を分離して冷却固化し
て成形品を取り出すことにより、基板４を作製すること
ができる。
するときは、図４の断面図に示すように、成形金型３０
の固定金型３１と可動金型３２との接合部に形成される
キャビティ３３内にスタンパ２４を固定し、キャビティ
３３内にノズル３４から溶融樹脂を射出充填し、固定金
型３１と可動金型３２との間で圧縮して成形する。その
後、固定金型３１と可動金型３２を分離して冷却固化し
て成形品を取り出すことにより、基板４を作製すること
ができる。
【００２６】
【発明の効果】この発明は以上示したように、案内溝で
あるグルーブと凸部であるランドを有する案内溝付きの
光ディスク基板のランドのエッジ部分に案内溝に沿った
突起を設けることにより、ランドとグルーブの両方に記
録するときの熱が隣接するグルーブやランドに伝達する
ことを防ぐことができ、ランドとグルーブに安定した記
録マークを記録できるとともに、クロストークを大幅に
低減することができる。
あるグルーブと凸部であるランドを有する案内溝付きの
光ディスク基板のランドのエッジ部分に案内溝に沿った
突起を設けることにより、ランドとグルーブの両方に記
録するときの熱が隣接するグルーブやランドに伝達する
ことを防ぐことができ、ランドとグルーブに安定した記
録マークを記録できるとともに、クロストークを大幅に
低減することができる。
【００２７】また、ランドのエッジ部分に設けた突起の
高さを案内溝の深さの１／１０〜１／３の範囲とするこ
とにより、ランドとグルーブの両方に記録するときの熱
が隣接するグルーブやランドに伝達することを防ぐとと
もに突起の高さを一定にすることができる。
高さを案内溝の深さの１／１０〜１／３の範囲とするこ
とにより、ランドとグルーブの両方に記録するときの熱
が隣接するグルーブやランドに伝達することを防ぐとと
もに突起の高さを一定にすることができる。
【００２８】また、ランドのエッジ部分に設けた突起の
幅をランドの幅の１／５を越えない範囲とすることによ
り、ランドとグルーブの両方に安定した記録マークを記
録することができる。
幅をランドの幅の１／５を越えない範囲とすることによ
り、ランドとグルーブの両方に安定した記録マークを記
録することができる。
【００２９】また、案内溝であるグルーブと凸部である
ランドを有し、ランドのエッジ部分に案内溝に沿った突
起を有する光ディスク基板を成形する成形用原盤を製造
するときに、基板上に非感光性の親水性高分子材料から
なる下層を形成し、下層の表面に感光性樹脂からなる上
層を形成し、上層にレーザービームを集光して露光して
スパイラル状の潜像を形成し、潜像を形成した上層を現
像して純水洗浄して上層にスパイラル状の溝パターンを
形成し、上層をマスクとして第２の光を照射した後、温
度が30〜50℃の純水で洗浄して下層をエッチングしてス
パイラル状の溝パターンを形成することにより、下層の
エッチングを効率的に行うことができるとともに、エッ
チングした端部を膨潤させて突起を容易に形成すること
ができる。
ランドを有し、ランドのエッジ部分に案内溝に沿った突
起を有する光ディスク基板を成形する成形用原盤を製造
するときに、基板上に非感光性の親水性高分子材料から
なる下層を形成し、下層の表面に感光性樹脂からなる上
層を形成し、上層にレーザービームを集光して露光して
スパイラル状の潜像を形成し、潜像を形成した上層を現
像して純水洗浄して上層にスパイラル状の溝パターンを
形成し、上層をマスクとして第２の光を照射した後、温
度が30〜50℃の純水で洗浄して下層をエッチングしてス
パイラル状の溝パターンを形成することにより、下層の
エッチングを効率的に行うことができるとともに、エッ
チングした端部を膨潤させて突起を容易に形成すること
ができる。
【００３０】さらに、下層の材料としてとして、ポリビ
ニルアルコールやポリビニルピロリドン，メチルセルロ
ース，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチル
セルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチレ
ンオキサイドのいずれかを使用することにより、上層の
感光性樹脂との混合を防ぎ、純水によるエッチングを容
易にすることができる。
ニルアルコールやポリビニルピロリドン，メチルセルロ
ース，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチル
セルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチレ
ンオキサイドのいずれかを使用することにより、上層の
感光性樹脂との混合を防ぎ、純水によるエッチングを容
易にすることができる。
【００３１】また、基板に下層の材料を塗布した後、15
0〜200℃の温度で15〜30分熱処理を行うことにより、下
層の洗浄に対する安定性とエッチングの容易性及びエッ
チングした端部の突起の形成を両立させることができ
る。
0〜200℃の温度で15〜30分熱処理を行うことにより、下
層の洗浄に対する安定性とエッチングの容易性及びエッ
チングした端部の突起の形成を両立させることができ
る。
【００３２】さらに、上層をマスクとして照射する第２
の光は、320ｎｍ以下の波長成分を含むことにより、下
層のエッチングを効率良く行い、かつエッチングした端
部の突起の形成を容易にすることができる。
の光は、320ｎｍ以下の波長成分を含むことにより、下
層のエッチングを効率良く行い、かつエッチングした端
部の突起の形成を容易にすることができる。
【００３３】また、上層を、乳酸エチルや酢酸ブチル，
２−ヘプタノン，プロピレングリコール，モノメチルエ
ーテルあるいは酢酸ブチルのいずれかを含む溶液で剥離
することにより、下層のエッチングした溝パターンや突
起の形状が変形することを防ぐことができ、安定した形
状の溝パターンや突起を形成することができる。
２−ヘプタノン，プロピレングリコール，モノメチルエ
ーテルあるいは酢酸ブチルのいずれかを含む溶液で剥離
することにより、下層のエッチングした溝パターンや突
起の形状が変形することを防ぐことができ、安定した形
状の溝パターンや突起を形成することができる。
【００３４】また、この発明の光ディスク基板の成形用
原盤の製造方法により光ディスク基板の成形用原盤を作
製することにより、スパイラル状の突起パターンと、突
起パターンの両側に微小溝パターンを有する成形用原盤
を安定して作製することができ、均一な形状の光ディス
ク基板を連続的に成形することができる。
原盤の製造方法により光ディスク基板の成形用原盤を作
製することにより、スパイラル状の突起パターンと、突
起パターンの両側に微小溝パターンを有する成形用原盤
を安定して作製することができ、均一な形状の光ディス
ク基板を連続的に成形することができる。
【００３５】この成形された光ディスク基板を有する光
ディスクは、ランドとグルーブの両方に安定した記録マ
ークを記録することができるとともにクロストークを大
幅に低減し、大容量の記録を安定して行うことができ
る。
ディスクは、ランドとグルーブの両方に安定した記録マ
ークを記録することができるとともにクロストークを大
幅に低減し、大容量の記録を安定して行うことができ
る。
【図１】この発明の光ディスクの構成を示す断面図であ
る。
る。
【図２】光ディスクの基板の構成を示す断面図である。
【図３】光ディスクの基板を成形するスタンパの製造方
法を示す工程図である。
法を示す工程図である。
【図４】光ディスクの基板を成形する成形金型の構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図５】従来例の光ディスクの構成を示す断面図であ
る。
る。
１；光ディスク、２；グルーブ、３；ランド、４；基
板、５；第１の誘電体層、６；記録層、７；第２の誘電
体層、８；反射層、９；保護層、１０；突起部、１１；
ガラス基板、１２；下層、１３；上層フォトレジスト
層、２４；スタンパ。
板、５；第１の誘電体層、６；記録層、７；第２の誘電
体層、８；反射層、９；保護層、１０；突起部、１１；
ガラス基板、１２；下層、１３；上層フォトレジスト
層、２４；スタンパ。
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｇ１１Ｂ 7/26 ５０１ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５０１
Claims (10)
- 【請求項１】 案内溝であるグルーブと凸部であるラン
ドを有する案内溝付きの光ディスク基板において、ラン
ドのエッジ部分に案内溝に沿った突起を設けたことを特
徴とする光ディスク基板。 - 【請求項２】 前記ランドのエッジ部分に設けた突起の
高さを案内溝の深さの１／１０〜１／３の範囲とする請
求項１記載の光ディスク基板。 - 【請求項３】 前記ランドのエッジ部分に設けた突起の
幅をランドの幅の１／５を越えない範囲とする請求項１
又は２記載の光ディスク基板。 - 【請求項４】 案内溝であるグルーブと凸部であるラン
ドを有し、ランドのエッジ部分に前記案内溝に沿った突
起を有する光ディスク基板の成形用原盤の製造方法であ
って、 基板上に非感光性の親水性高分子材料からなる下層を形
成し、下層の表面に感光性樹脂からなる上層を形成し、
上層にレーザービームを集光して露光してスパイラル状
の潜像を形成し、潜像を形成した上層を現像して純水洗
浄して上層にスパイラル状の溝パターンを形成し、上層
をマスクとして第２の光を照射した後、温度が30〜50℃
の純水で洗浄して下層をエッチングしてスパイラル状の
溝パターンを形成し、上層を剥離した後、スパイラル状
の溝パターンを有する下層の表面にＮｉを積層して成形
用原盤となるＮｉ板を形成し、Ｎｉ板から基板と下層を
除去することを特徴とする光ディスク基板の成形用原盤
の製造方法。 - 【請求項５】 前記下層の材料としてとして、ポリビニ
ルアルコールやポリビニルピロリドン，メチルセルロー
ス，カルボキシメチルセルロース，ヒドロキシメチルセ
ルロース，ヒドロキシエチルセルロース，ポリエチレン
オキサイドのいずれかを使用する請求項４記載の光ディ
スク基板の成形用原盤の製造方法。 - 【請求項６】 前記基板に下層の材料を塗布した後、15
0〜200℃の温度で15〜30分熱処理を行う請求項５記載の
光ディスク基板の成形用原盤の製造方法。 - 【請求項７】 前記上層をマスクとして照射する第２の
光は、320ｎｍ以下の波長成分を含む請求項５又は６記
載の光ディスク基板の成形用原盤の製造方法。 - 【請求項８】 前記上層を、乳酸エチルや酢酸ブチル，
２−ヘプタノン，プロピレングリコール，モノメチルエ
ーテルあるいは酢酸ブチルのいずれかを含む溶液で剥離
する請求項４乃至７のいずれかに記載の光ディスク基板
の成形用原盤の製造方法。 - 【請求項９】 請求項４乃至８のいずれかに記載の光デ
ィスク基板の成形用原盤の製造方法により作製されたこ
とを特徴とする光ディスク基板の成形用原盤。 - 【請求項１０】 請求項１乃至３のいずれかに記載の光
ディスク基板を有することを特徴とする光ディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002019301A JP2003223743A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 光ディスク基板とその原盤の製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002019301A JP2003223743A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 光ディスク基板とその原盤の製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003223743A true JP2003223743A (ja) | 2003-08-08 |
Family
ID=27743211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002019301A Pending JP2003223743A (ja) | 2002-01-29 | 2002-01-29 | 光ディスク基板とその原盤の製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003223743A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192233A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法 |
-
2002
- 2002-01-29 JP JP2002019301A patent/JP2003223743A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192233A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Victor Co Of Japan Ltd | 光記録媒体、及びこの光記録媒体に対する光ピックアップのトラッキング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1102254A1 (en) | Method for producing master disk for producing formed substrate with groove, method for producing stamper for producing formed substrate with groove, method for producing formed substrate with groove, formed substrate with groove, storage medium, storage, and computer | |
| WO1995028705A1 (fr) | Substrat pour support d'enregistrement optique et dispositif d'estampage pour fabriquer un substrat pour support d'enregistrement optique | |
| EP1460625A1 (en) | Information medium master manufacturing method, information medium stamper manufacturing method, information medium master manufacturing apparatus, and information medium stamper manufacturing apparatus | |
| WO2003041070A1 (fr) | Procede et dispositif de fabrication d'une matrice de pressage pour support d'information | |
| JP2000280255A (ja) | 原盤の製造方法 | |
| JP2003223743A (ja) | 光ディスク基板とその原盤の製造方法と光ディスク基板の成形用原盤及び光ディスク | |
| JPH10241213A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JP2004136692A (ja) | 金属製第３成形型を大量に製造する方法、樹脂基板を製造する方法及び樹脂基板 | |
| JP4064871B2 (ja) | 光ディスク及び光ディスク製造方法 | |
| JPH11102541A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法 | |
| JPH10106047A (ja) | 光学記録媒体の製造方法 | |
| KR20050021313A (ko) | 광 정보 기록 매체의 원반 제조 방법, 패턴 형성 방법,원반, 스탬퍼, 광 정보 기록 매체 및 레지스트 | |
| JP3596543B2 (ja) | スタンパーとその製造方法及び光ディスク並びにブランクス | |
| JP2000021031A (ja) | 光記録媒体の原盤製造法 | |
| JPH10241214A (ja) | 光ディスク用スタンパーの製造方法 | |
| JPH11350181A (ja) | スタンパの製造方法 | |
| KR100188922B1 (ko) | 광디스크 제조용 유리기판 및 포토마스크의 제조방법 | |
| JPH11259909A (ja) | 光記録媒体用基板、光記録媒体、光記録媒体用基板の製造方法、及び光記録媒体の製造方法 | |
| JP2002245685A (ja) | 微細パターンの形成方法 | |
| JP2005100608A (ja) | 光情報記録媒体用スタンパの製造方法、光情報記録媒体用スタンパ、光情報記録媒体用スタンパの原盤および光情報記録媒体 | |
| JP2005032281A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法と光ディスク原盤とスタンパの製造方法とスタンパ及び光ディスク | |
| JPH07334869A (ja) | 情報の記録用部材 | |
| JP2004272986A (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法、光ディスク用原盤、光ディスク成形基板の製造方法及び光ディスク成形基板 | |
| JP2009026393A (ja) | 光ディスク用スタンパの製造方法 | |
| JP2003317325A (ja) | 光情報記録媒体及びその原盤の作成方法 |