JP2003222830A - 液晶装置の製造方法。 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射膜を有する液晶表示装置を大型基板を用
いて多数個取りにより形成する場合、反射膜の形成に工
数がかかり、製造コストが高くなることを改善する。 【解決手段】 反射膜を有する液晶表示装置を大型基板
を用いて多数個取りにより形成する場合において、大型
基板２２上に、周辺部２２ｂをガラス押さえた状態で蒸
着、スパッタ等により、周辺部２２ｂ除く全面にわた
り、一気に反射膜２５を形成し、その後の工程で周辺部
２２ｂに位置合わせマークＭ２を設けて電極８等のパタ
ーニングの位置出しに利用する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は第１の大型基板と
第２の大型基板を重ね合わせた後に切断し、複数個の単
個の液晶装置を得る液晶装置の製造方法に関し、特に基
板に反射膜を有する液晶装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、第１の大型基板（当従来技術の説
明では、下側の基板を第１の大型基板としているが、後
の本願発明の実施形態の説明では上側の基板を第１の大
型基板として説明を行っている。）と第２の大型基板を
重ね合わせた後に複数個の反射型の液晶装置を得る方法
としては、例えば以下に説明する方法が知られている。
図１４および図１５は第１の大型基板１０１における反
射膜、電極等の膜を形成する工程を説明する図である。 （１）図１４のＳＴ１０１において、第２の大型基板１
０１の上面全体にスパッタリング又は蒸着により、Ａｌ
等よりなる反射皮膜１０３を形成する。（２）次に、Ｓ
Ｔ１０２において前記反射皮膜１０３の上にレジスト１
０４を塗布する。

【０００３】（３）次に、ＳＴ１０３において、前記レ
ジスト１０４をマスク１０５を用いて露光する。マスク
１０５は窓部１０５ｂ及び遮光部１０５ｃ１、１０５ｃ
２を有している。ここで遮光部１０５ｃ１は後述する反
射膜に対応する部分であり、遮光部１０５ｃ２は後述す
る位置合わせマークに対応する部分である。前記露光に
より、レジスト１０４の前記窓部１０５ｂに対応する部
分は感光・変質した露光部分１０４ｂとなり、それ以外
の部分は遮光部１０５ｃ１及び１０５ｃ２に遮光され
て、それぞれ未露光部分１０４ｃ１、１０４ｃ２とな
る。（４）次に、ＳＴ１０４において、現像液によりレ
ジスト１０４の感光変質した前記露光部分１０４ｂのみ
を選択的に溶解除去する現像を行なう。（５）次に、Ｓ
Ｔ１０５において、残されたレジスト１０４の前記未露
光部分１０４ｃ１、１０４ｃ２を加熱してポストベーク
した後、酸性のエッチング液を用いて、残されたレジス
ト１０４の未露光部分１０４ｃ１、１０４ｃ２によりそ
れぞれ被覆されている反射皮膜１０３の被覆部分１０３
ｃ１、１０３ｃ２を残して、これ以外の反射皮膜１０３
の部分をエッチングにより除去する。ここで、このポス
トベークは前記残されたレジスト１０４の未露光部分１
０４ｃ１、１０４ｃ２と前記反射膜１０３との密着力を
高めるために行うものであるが、必ずしも必要なもので
はない。

【０００４】（６）次にＳＴ１０６において、剥離液
（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）を用いて、反射皮膜１０
３の上に残されたレジスト１０４の未露光部分１０４ｃ
１、１０４ｃ２を溶解・剥離し、前記被覆部分１０３ｃ
１を単個液晶装置用の個別反射膜１５４とし、被覆部分
１０３ｃ２を次の工程のための位置合わせマークＭ１と
する。（７）次にＳＴ１０７において、前記の個別反射
膜１５４及び位置合わせマークＭ１の上にＳｉＯ２等よ
りなる絶縁膜１０６を形成する（例えば、蒸着又はスパ
ッタリングにより）。（８）次にＳＴ１０８において、
前記絶縁膜１０６の上にエポキシ等よりなる保護膜１０
７を塗布により形成する。

【０００５】（９）次に図１５のＳＴ１０９において、
前記保護膜１０７の上に電極膜（例えばＩＴＯ（Ｉｎ２
Ｏ３＋ＳｎＯ２）膜又はＡｌ膜）１０８を形成する（例
えば、蒸着又はスパッタリングにより）。（１０）次に
ＳＴ１１０において、前記ＩＴＯ皮膜１０８上にレジス
ト１０９を塗布する。（１１）次にＳＴ１１１におい
て、前記レジスト１０９をフォトマスク１１０を用いて
露光する。フォトマスク１１０窓部１１０ｂと遮光部１
１０ｃ１、１１０ｃ２とを有し、遮光部１１０ｃ１は後
述する共通電極に対応し、遮光部１１０ｃ２は後述する
位置合わせマークに対応する。フォトマスクは１１０は
遮光部１１０ｃ２を位置合わせマークＭ１に合わせるこ
とにより、反射膜１５４に対する位置出しがなされる。
前記露光により、前記レジスト１０９の前記窓部１１０
ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分１０９ｂと
なり、前記遮光部１１０ｃ１、１１０ｃ２に対応する部
分は未露光部分１０９ｃ１、１０９ｃ２等となる。（１
２）次にＳＴ１１２において、現像液により、レジスト
１０９のうちで感光・変質した前記露光部分１０９ｂの
みを選択的に溶解除去する現像を行う。（１３）次にＳ
Ｔ１１３において、残されたレジスト１０９の未露光部
分１０９ｃ１、１０９ｃ２を加熱してポストベークす
る。このポストベークは前記残されたレジスト１０９の
未露光部分１０９ｃ１、１０９ｃ２と前記電極膜１０８
との密着力を高めるために行うものである。このポスト
ベークは、必ずしも必要とするものではない。

【０００６】（１４）次にＳＴ１１４において、残され
たレジスト１０９の未露光部分１０９ｃ１、１０９ｃ２
により被覆されている電極膜１０８の被覆部分１０８ｃ
１、１０８ｃ２を残して、これ以外の電極膜１０８の部
分をエッチング（例えば酸性のエッチング液を用いる）
により除去する。（１５）次にＳＴ１１５において、剥
離液（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）を用いて、電極膜１
０８の前記被覆部分１０８ｃ１、１０８ｃ２の上に残さ
れたレジスト１０９の未露光部分１０９ｃ１、１０９ｃ
２を溶解・剥離し、前記被覆部分１０８ｃ１、１０８ｃ
２をそれぞれ共通電極８および位置合わせマークＭ２と
する。（１６）次にＳＴ１１６において前記共通電極１
５５の上に、配向膜１１１を形成し（例えば、スクリー
ン印刷により）、ラビング等により配向処理を行う。こ
の際、共通電極１５５に対する配向膜１１１の位置出し
は位置合わせマークＭ２を利用して行う。（１７）次に
ＳＴ１１７において前記配向膜１１１を囲んでシール材
１１２を形成する（例えば、スクリーン印刷により）。
この場合も共通電極１５５および配向膜１１１に対する
シール材１１２の位置出しは位置合わせマークＭ２を利
用して行う。このようにして、第２の大型基板１０１上
の所要部材の形成の工程が終了する。

【０００７】次に、その後の製造工程については、図１
６を参照して説明する。図１６（ａ）に示すように、第
２の大型基板１０２の上に、公知の技術により、セグメ
ント電極１５６（例えばＩＴＯで形成される）および位
置合わせマークＭ３を形成し、さらにセグメント電極１
５６の各組に対応してその上に配向膜１１１を形成す
る。同図（ｂ）に示すように、所要部材を形成した第２
の大型基板１０１に対し、第１の大型基板１０２をセグ
メント電極１５６等が下向きになるようにして対向さ
せ、同図（ｃ）に示すように第２の大型基板１０１と第
１の大型基板１０２をシール１１２材によって接合し、
スペーサ１５８により定められたギャップ内に液晶１５
９を封入する。ここで、第２の大型基板１０１と第１の
大型基板１０２を接合する際の位置出しは、両基板の位
置合わせマークＭ２とＭ３を互いに重なり合わせるうよ
うにして行う。

【０００８】次に、この第１、第２の大型基板１０２、
１０１にそれぞれ設けた図示しない切断マークを目安に
して、これらを切断し、同図（ｄ）に示す個々の液晶装
置１６０に分離する。ここで１６１および１６２はそれ
ぞれ液晶装置１６０の下基板および上基板であり、それ
ぞれ、第２の大型基板１０１および第１の大型基板１０
２から切断・分離されたものである。液晶装置１６０は
上方から入射した光を反射膜１５４で反射させ液晶１５
９を透過して上方に出射する。このとき、共通電極１５
５とセグメント電極１５６の間に加えられる駆動電圧に
より、液晶の透過率を変化させ所望の表示を行う。すな
わち、ここに反射型の液晶表示装置が得られることとな
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】従来の反射型の液晶装
置は、外光を利用し特別の照明手段を必要とせず、その
構造の厚みも薄いので、小型薄型の表示装置に適してい
る。しかしながら、上記したように反射膜（１５４）を
形成するのにホトエッチング法を用いているので工数が
増加し製造コストが高くなる。そこで、反射膜を形成す
るための工数を減らす方法として、マスク（例えば蒸着
用金属マスク、スパッタリング用金属マスク）を用いて
蒸着又はスッパッタリングにより、反射膜を一気に形成
する方法がある。しかし、このマスクは、その機種の液
晶装置にしか使えず、種類が変わればこれに応じたマス
クおよびマスク治具を準備する必要があり、その費用に
より製造コストの増大を招く。本発明は反射膜を有する
液晶装置の製造方法における製造コストの上昇に関する
上記の問題を解決することを課題とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めにその第１の手段として本発明は、少なくとも液晶装
置複数個分の電極及び配向膜を有する第１の大型基板
と、少なくとも略全面に反射膜が設けらると共に前記反
射膜の上方に前記液晶装置複数個分の絶縁膜と電極及び
配向膜を有する第２の大型基板を、それぞれの前記電極
が対向するように間隙を有して重ねて配設し、前記液晶
装置複数個分の液晶封止用のシール材を介して接着し、
前記シール材内に液晶を封止し、切断することで前記液
晶装置を得る液晶装置の製造方法において、前記第２の
大型基板に形成された前記反射膜形成時の大型基板押さ
え部に位置合わせマークを設け、該位置合わせマークを
用いて液晶装置を製造することを特徴とする。

【００１１】上記の課題を解決するためにその第２の手
段として本発明は、前記第１の手段において、前記位置
合わせマークが、前記電極の形成工程で形成されたこと
を特徴とする。

【００１２】上記の課題を解決するためにその第３の手
段として本発明は、前記第１の手段または第２の手段に
おいて、前記位置合わせマークが、前記第２の大型基板
に設けられるカラーフィルタの形成工程でカラーフィル
タにより形成されたことを特徴とする。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下に本発明の第１の実施の形態
に係る液晶装置の製造方法につき、図面を用いて説明を
行う。図１は本第１の実施の形態に係る製造方法の対象
となる液晶装置２０の構成を示す図である。図１（ａ）
は液晶装置２０の構成を示す断面図１（ｂ）は後述する
上基板に設けられた電極の平面形状を示す図１（ｃ）は
後述する下基板に設けられた電極の平面形状を示す図で
ある。図１において、１は上基板、２は下基板である。
３は上基板１の下面に設けられたセグメント電極（例え
ばＩＴＯよりなる）であり、３ｂはセグメント電極引き
出し線であり、８ｂは後述する共通電極引き出し線であ
る。又１２は外部接続端子である。前記の引き出し線３
ｂ、８ｂおよび外部接続端子１２は上基板１の張り出し
部の下面に設けられている。４はセグメント電極３の上
に設けられた配向膜である。５は下基板２の上面に設け
られた反射膜（例えばＡｌ）であり、６は反射膜５上に
設けられた絶縁膜（例えばＳｉＯ２）であり、７は絶縁
膜６の上に設けられた保護膜（例えば、ポリイミド樹
脂）であり、８は保護膜７の上に設けられた共通電極
（例えば、ＩＴＯよりなる電極膜）である。共通電極８
の上にも配向膜４が設けられている。

【００１４】９は前記配向膜４を囲む位置において、共
通電極８を跨いで保護膜７の上に設けられたシール材で
ある。１０は上基板１と下基板２の間隙に封入された液
晶であり、１１は前記間隙の厚みを確保するためのスペ
ーサである。シール材９は異方性導電性接着剤よりな
り、上基板１に設けられた共通電極引出し線８ｂと下基
板２に設けられた共通電極８をトランスファー接続して
いる。１４は上基板の張り出し部の下面に実装された駆
動用ＩＣであり、その接続端子１４ｂが異方性導電性フ
ィルム１５を介して対応する前記の引出し線３ｂ、８ｂ
および外部接続端子１２に接続されている。外部回路よ
り、前記外部接続端子１２を通じて前記駆動用ＩＣ１４
に表示信号が加えられると、駆動用ＩＣ１４は前記極引
出し線３ｂ、８ｂを介して前記セグメント電極３と共通
電極８の間に表示信号に応じた駆動電圧を印加し、挟持
した液晶１０の透過率を制御する。これにより、外光が
前記反射膜５によって反射された反射光の強さが液晶１
０により制御され、表示情報の表示がなされる。なお、
図１に示す液晶装置２０は後述する第１の大型基板と第
２の大型基板にそれぞれ複数組の所要の部材が形成され
たのち、互いに対向して接合され、液晶封入後に切断に
より個別の液晶装置に分離されてなるものである。そし
て、図１の上基板１は前記第１の大型基板が分割された
ものであり、下基板２は第１の大型基板が分割されたも
のである。

【００１５】本第１の実施の形態の特徴とするところ
は、図１に示した液晶装置２０の反射膜５を有する下基
板２に対応する大型基板に所要の部材を形成する方法で
ある。以下に図面を用いてこの製造方法を説明する。図
２はこの製造方法の工程を示す図である。図２に示すよ
うに、（イ）ＳＴ１において、第２の大型基板２２をキ
ャリア２３の枠内に入れ基板押さえ２３ｂでその大型基
板２２の周辺部を押さえて固定する。ここで図３はキャ
リア２３の構造を示す図であり、図３（ａ）は上面図、
図３（ｂ）は断面図を示す。図３に示すように、キャリ
ア２３には基板押さえ２３ｂ、押さえネジ２３ｃが付属
している。そして、図３（ｃ）に示すように、第２の大
型基板２２をキャリア２３の枠部に入れ、前記基板押さ
え２３ｂを押さえネジ２３で固定し、第２の大型基板２
２をキャリア２３内に保持する。（ロ）次にＳＴ２にお
いて、第２の大型基板２２を保持しているキャリア２３
をスパッタリング装置または蒸着装置等の成膜装置に入
れ、スパッタリング又は蒸着により、大型基板２２の上
面にＡｌ（アルミニウム）よりなる反射膜２５を形成す
る。このとき、第２の大型基板の状態を示す平面図４
（ａ）に示すように、基板押さえ２３ｂにより押さえら
れている押さえ部２２ｂを除き、大型基板２２の上面の
全面に反射膜２５が形成される。本第１の実施の形態に
おいては、基板としてガラス基板を用いたが、プラスチ
ック基板でも良い。また反射膜はＡｌを用いたが、公知
の方法によりＡｇ等を用いても良い。

【００１６】（ハ）次にＳＴ３において、前記の基板押
さえ２３ｂを外すことなく同一の成膜装置内で前記の反
射膜２５の上にスパッタリング又は蒸着によりＳｉＯ２
よりなる絶縁膜２６を形成する。ここで、絶縁膜２６も
第２の大型基板２２の前記押さえ部２３ｂを除き全面に
形成される。（ニ）次にＳＴ４において、大型基板２２
をキャリア２３から取り外し、塗布により、前記絶縁膜
２６の上に全面にわたり保護膜２７（例えば、ポリイミ
ド樹脂等のアクリル系樹脂よりなる）を形成する。保護
膜２７は十分に厚く（例えば、３μｍ程度に）形成す
る。保護膜２７は第２の大型基板２２の前記押さえ部２
２ｂ上にも形成される。 （ホ）次にＳＴ５において、
前記保護膜２７の上を全面にわたり、公知の技術によ
り、スパッタリング又は蒸着を用いて、電極膜２８（例
えば、ＩＴＯ）を形成する。

【００１７】（ヘ）次にＳＴ６において、前記電極膜２
８（例えば、ＩＴＯ）上にレジスト３０を塗布する。
（ト）次にＳＴ７において、前記レジスト３０をフォト
マスク３１を用いて露光する。フォトマスク３１は窓部
３１ｂと遮光部３１ｃ１、３１ｃ２とを有し、遮光部３
１ｃ１は前記共通電極８に対応し、遮光部３１ｃ２後述
する位置合わせマークに対応する。この他に、後述する
切断マークに対応して、図示しない遮光部を有してい
る。前記露光により、前記レジスト３０の前記窓部３１
ｂに対応する部分は感光・変質した露光部分３０ｂとな
り、前記遮光部３１ｃ１、３１ｃ２等に対応する部分は
未露光部分３０ｃ１、３０ｃ２等となる。（チ）次にＳ
Ｔ８において、現像液により、レジスト３０のうちで感
光・変質した前記露光部分３０ｂのみを選択的に溶解除
去する現像を行った後、残されたレジスト３０の未露光
部分３０ｃ１、３０ｃ２等を加熱してポストベークす
る。このポストベークは前記残されたレジスト３０の未
露光部分３０ｃ１、３０ｃ２等と前記電極膜２８との密
着力を高めるために行うものである。このポストベーク
は行わなくても良い。

【００１８】（リ）次にＳＴ９において、エッチング液
（例えば、酸性）を用いて、残されたレジスト３０の未
露光部分３０ｃ１、３０ｃ２等により被覆されている電
極膜２８（例えば、ＩＴＯ）の被覆部分２８ｃ１、２８
ｃ２等を残して、これ以外の電極膜２８の部分をエッチ
ングにより除去する。（ヌ）次にＳＴ１０において、剥
離液（例えば、ＫＯＨ、ＮＡＯＨ）を用いて、電極膜２
８の前記被覆部分２８ｃ１、２８ｃ２等の上に残された
レジスト３０の未露光部分３０ｃ１、３０ｃ２等を溶解
・剥離し、前記被覆部分２８ｃ１、２８ｃ２等を共通電
極８、下側位置合わせマークＭ２および後述する切断マ
ークとする。ここで、図４（ｂ）はこの工程（ＳＴ１
０）が終了した状態を示す平面図あり、ＭＳは切断マー
クを示す。図４（ｂ）に示すように、下側位置合わせマ
ークＭ２および切断マークＭＳは第２の大型基板２２の
前記押さえ部２２ｂの領域内に設けられているが、この
領域においては、これらのマークの下には光を透過しや
すい保護膜２７のみが存在し、光を透過しにくい反射膜
２５等は存在しないので、後の工程においてこれらの位
置合わせマークＭ２等を透過光により識別し、利用する
ことができる。

【００１９】（ル）次にＳＴ１１において、スクリーン
印刷により、前記共通電極８の上に配向膜４を形成し、
ラビング等の配向処理を行う。この際、スクリーンの位
置合わせは前記下側位置合わせマークＭ２を用いて行
う。（ワ）次にＳＴ１２において、スクリーン印刷によ
り前記配向膜４の周辺部に異方性導電性接着剤よりなる
シール材９を塗布する。この際、スクリーンの位置合わ
せは前記下側位置合わせマークＭ２を用いて行い、配向
膜４とシール材９の位置関係を確保する。以上の工程に
より、第２の大型基板２２上に所要の部材が複数組形成
される。

【００２０】以下に、図１に示す液晶装置２０の製造方
法につき、図５を参照して更なる説明を行う。第１の大
型基板２１の上には、図５（ａ）に示すように、公知の
方法により、複数組のセグメント電極３、セグメント電
極引出し線３ｂ（図１（ｂ）参照）、共通電極引出し線
８ｂ、外部接続端子１２及び上側位置合わせマークＭ１
および図示しない切断マークが電極膜により同時に形成
され、その後にセグメント電極３の上に配向膜４が形成
されている。

【００２１】上記のように、それぞれに所要部材が形成
された第１の大型基板２１及び第２の大型基板２２（以
下にそれぞれ第１の大型基板ブロック、第２の大型基板
ブロックという。）を用いて、個々の液晶装置２０を以
下のようにして形成する。 図５（ｂ）に示すように、第２の大型基板２２ブロッ
クの上に配向膜４を下にして第１の大型基板２１のブロ
ックを重ね、第２の大型基板２２ブロックの前記下側位
置合わせマークＭ２と、第１の大型基板ブロックの前記
上側位置合わせマークＭ１を用いて第２の大型基板２２
に対する第１の大型基板２１の位置合わせを行う。

【００２２】次に図５（ｃ）に示すように第１の大型
基板２１と第２の大型基板２２をシール材９を介して圧
着、加圧して接合する。なおこの接合に先立ち、第２の
大型基板ブロックのシール材９の囲みの中にスペーサ１
１を散布しておく。次に、シール材９に設けた図示し
ない封孔より、シール材に囲まれた上下基板の隙間に液
晶１０を吸入・充填して封止する。次に第２の大型基
板ブロックの前記切断マークＭＳ（図４（ｂ）参照）
と、第1の大型基板２１ブロックに設けた前記図示しな
い切断マークを目安として、スライシングマシン等によ
り第１の大型基２１と第２の大型基板２２を重ね合わせ
た状態で縦横に切断する。これにより、複数の個々の液
晶装置が分離して形成される。すなわち、図１に示す液
晶装置２０の上基板１は第1の大型基板２１から切り出
され、下基板２は第2の大型基板２２から切り出され
る。又その際、第２の大型基板２２上の反射膜２５、絶
縁膜２６および保護膜２７は切断されてそれぞれ図１の
液晶装置２０の反射膜５、絶縁膜６および保護膜７とな
る。

【００２３】本第1の実施の形態に係る製造方法によれ
ば、上記のようにして、図１に示す液晶装置２０を製造
することができる。この場合、最も、特徴とするところ
は第２の大型基板２２における所要部材の形成方法、特
に反射膜２５の形成方法にある。即ち、大型基板２２に
おける反射膜２５は蒸着又はスパッタにより、一気に形
成されるため、従来のようなフォトエッチングによるパ
ターニングを行う場合に比して工数が低減される。又機
種に対応した蒸着マスクを使用する方法に比較し、共通
の蒸着治具により、各機種に対し反射皮膜の形成ができ
るため、蒸着マスクの費用が省略できる。なお、上記し
たように大型基板２２を保持するキャリア２３は基板押
さえ２３ｂを有しているため、反射膜２５は大型基板２
２の押さえ部２２ｂに形成されないので、この領域に位
置合わせマークを形成することにより、後の工程におけ
るパターニグの位置出しの精度を十分に確保することが
できる。

【００２４】以下に本発明の第２の実施の形態について
図面を参照して説明する。図６は本第２の実施の形態に
係る製造方法の対象となる液晶装置４０の構成を示す図
である。図６（ａ）は液晶装置４０の構成を示す断面
図、図６（ｂ）は上基板１に設けられた電極の平面形状
を示す図、図６（ｃ）は下基板２に設けられた電極の平
面形状を示す図である。図６において、１７ｒ、１７
ｇ、１７ｂそれぞれ下基板２において反射膜５上の絶縁
膜６の上に設けられた赤色カラーフィルタ、緑色カラー
フィルタ、青色カラーフィルタである。前記カラーフィ
ルタ１７ｒ、１７ｇ、１７ｂおよび絶縁膜６の上にポリ
イミド樹脂よりなる保護膜７が設けられている。保護膜
７の上にはセグメント電極３が設けられている。前記セ
グメント電極３は前記カラーフィルタ１７ｒ、１７ｇ、
１３ｂと重なり合う位置に設けられている。その他の構
造については、図１に示した液晶装置２０と同様であ
る。

【００２５】次に、本第２の実施の形態に係る液晶装置
の製造方法の説明として、まず下基板２となる第２の大
型基板の上に所要の部材を形成する方法につき図７を参
照して説明をする。 ＳＴ２１において、第１の実施の形態においてすでに
図２のＳＴ１〜ＳＴ３で説明したのと同様の方法によ
り、第２の大型基板２２の上に、反射膜２５及び絶縁膜
２６を順次形成する。次にＳＴ２２において、公知の
方法により顔料（染料でも良い）を含む赤色の感光性樹
脂により、前記赤色カラーフィルタ１７ｒを前記絶縁膜
２６の上に形成すると共に、赤色位置合わせマークＭｒ
を第２の大型基板２２の反射膜２５、絶縁膜２６が形成
されていない押さえ領域２２ｂに形成する。ＳＴ２２に
対応する平面形状を図８（ａ）に示す。次にＳＴ２３
において、公知の方法により、顔料を含む緑色の感光性
樹脂により、前記緑色カラーフィルタ１７ｇを前記絶縁
膜２６上に形成する。ここで前記赤色カラーフィルタ１
７ｒに対する前記緑色カラーフィルタ１７ｇの位置出し
は緑色カラーフィルタ１７ｇをパターニングするための
露光マスクを前記赤色位置合わせマークＭｒを用いて位
置出しすることにより達成できる。ここでＳＴ２３に対
応する平面形状を図８（ｂ）に示す。

【００２６】次にＳＴ２４において、公知の方法によ
り、顔料を含む青色の感光性樹脂により、前記青色カラ
ーフィルタ１７ｂを前記絶縁膜２６上に形成する。ここ
で前記赤色カラーフィルタ１７ｒに対する前記青色カラ
ーフィルタ１７ｂの位置出しは青色カラーフィルタ１７
ｂをパターニングするための露光マスクを前記赤色位置
合わせマークＭｒを用いて位置出しすることにより達成
できる。ＳＴ２４に対応する平面形状を図８（ｃ）に示
す。次にＳＴ２５において、カラーフィルタ１７ｒ、
１７ｇ、１７ｂ及び縁絶膜２６の上に保護膜（例えば、
ポリイミド樹脂）２７を塗布等により第２の大型基板２
２の全面にわたり形成する。

【００２７】次にＳＴ２６おいて、公知の方法によ
り、保護膜２７の上に、セグメント電極３用の電極膜
（例えば、ＩＴＯよりなる）を形成し、これと同時に前
記電極膜よりなる下側位置合わせマークＭ２および図８
（ｄ）に示す切断マークＭＳを前記押さえ領域２２ｂに
形成する。この際、セグメント電極３はカラーフィルタ
１７ｒ、１７ｇ、１７ｂと重なる位置に形成されるが、
この位置出しは、セグメント電極３をパターニングする
ための露光マスクを前記赤色位置合わせマークＭｒを用
いて位置出しすることにより達成できる。次にＳＴ２
７において、印刷（例えば、スクリーン印刷）により、
前記セグメント電極３の上に配向膜４を形成し、ラビン
グ等の配向処理を行う。この際、印刷の位置合わせは例
えば前記下側位置合わせマークＭ２を用いて行う。これ
により、セグメント電極３に対する配向膜４の位置出し
がなされる。次にＳＴ２８において、印刷（例えば、
スクリーン印刷）により前記配向膜４の周辺部に異方性
導性接着剤よりなるシール材９を塗布する。この際、ス
クリーンの位置合わせは例えば前記下側位置合わせマー
クＭ２用いて行う。これにより、セグメント電極３に対
するシール材９の位置出しがなされる。以上の工程によ
り、第２の大型基板２２に所要の部材が複数組形成され
る。

【００２８】次に、図９を参照して、図６に示す液晶装
置４０の製造方法につき更に説明を行う。図９（ａ）に
示すように第１の大型基板２１の上に、公知の方法によ
り、複数組の共通電極８、セグメント電極引出し線３ｂ
（図６（ｂ）参照）、共通電極引出し線８ｂ、外部接続
端子１２、上側位置合わせマークＭ１及び図示しない切
断マークをＩＴＯにより形成した後、共通電極８の上に
配向膜４が形成される。

【００２９】次に、図９（ａ）に示す所要部材が形成さ
れた第１の大型基板２１及び図７のＳＴ２８に示す所要
部材が形成された第２の大型基板２２を用いて、第１の
実施の形態においてすでに説明したのと同様の方法によ
り、接合後、分割を行ない図６に示す液晶装置４０を製
造する。すなわち、図９（ｂ）に示すように第２の大
型基板２２のブロックの上に、配向膜４を下にして第１
の大型基板２１のブロックを重ね、第２の大型基板２２
の前記下側位置合わせマークＭ１と、第１の大型基板２
１の前記上側位置合わせマークＭ２を用いて第２の大型
基板２２に対する第１の大型基板２１の位置合わせを行
う。この重ね合わせ先立ち、第２の大型基板２２のシー
ル材９の囲みの中にスペーサ１１を散布しておく。

【００３０】次に第１の大型基板２１と第２の大型基
板２２をシール材９を介して圧着して接合する。この際
に熱を加える場合もある。次に、シール材９に設けた
図示しない注入孔より、シール材９囲まれた上下基板の
隙間に液晶１０を充填して、その後注入孔を封止する。
次に第２の大型基板２２の前記切断マーク（図８
（ｄ）のＭＳ）と、第1の大型基板２１の図示しない切
断マークを目安として、スライシング等により第１の大
型基２１と第２の大型基板２２を重ね合わせた状態で縦
横に切断する。これにより、複数の図６に示す液晶装置
４０が分離して形成される。このとき、液晶装置４０の
上基板１は第1の大型基板２１から切り出され、下基板
２は第2の大型基板２２から切り出される。又、第２の
大型基板２２上の反射膜２５、絶縁膜２６、保護膜２７
は切断されて、それぞれ液晶装置４０の反射膜５、絶縁
膜６、保護膜７なる。このようにして、本第２の実施の
形態に係る製造方法により、反射膜およびカラーフィル
タを有する液晶装置を製造することができる。以上の実
施の形態では赤色位置合わせマークＭｒの他に下側位置
合わせマークＭ２、切断マークＭＳを用いて所用の位置
出しや位置決めをしたが、前記Ｍ２、ＭＳを省き、Ｍｒ
を用い、計算手段と併用する等して、所要の位置出しや
位置決めを行っても良い。

【００３１】本第２の実施の形態の場合も第１の実施の
形態と同様に、大型基板２２における反射膜２５は蒸着
又はスパッタにより、一気に形成され、従来のようなフ
ォトエッチングによるパターニングを行う場合に比して
工数が低減される。又機種に対応した蒸着マスクを使用
する方法に比較し、共通の蒸着治具により、各機種に対
し反射皮膜の形成ができるため、蒸着マスクの費用が省
略できる。これにより液晶装置の製造コストを低減する
ことができる。又、反射膜２５の形成の際には、第２の
大型基板上でガラス押さえ２４による押さえ部には反射
膜が形成されないので、その後の工程で前記押さえ部に
所要の位置合わせマークを設け、すでに説明したカラー
フィルタ、セグメント電極等の位置出しが正確にでき
る。

【００３２】図示はしないが、遮光膜を液晶装置に設け
ることが多々あるが、上記第２の実施の形態と同様にし
て、遮光膜を用いた位置合わせマークを押さえ部２２ｂ
に配設しても良い。

【００３３】以下に、本発明の第３の実施の形態につ
き、図面を参照して説明する。本第３の実施の形態は上
記の第２の実施形態の変形例である。図１０（ａ）は本
第３の実施の形態の対象となる液晶装置５０の断面図で
あり、図１０（ｂ）、（ｃ）はその製造方法を示す図で
ある。図１０（ａ）に示すように、ポリイミド樹脂より
なる保護膜７はシール材９の内側に設けられ、シール材
９は絶縁膜６の上に直接に固定されている。これによ
り、シール材９の固着が強化される。他の構成について
は図６に示す液晶装置４０と同様である。図１０（ａ）
に示す液晶装置５０を製造するためには、図７に示す工
程をＳＴ２１からＳＴ２４まで順次行い図１０（ｂ）の
状態とする。次にＳＴ２５に対応する工程において、図
１０（ｂ）に示すようにカラーフィルタ（１７ｒ、１７
ｇ、１７ｂ）の各組に対応させて保護膜７を個別にスク
リーン印刷により形成する。このとき、カラーフィルタ
に対する保護膜７の位置出しは第２の大型基板２２の押
さえ領域２２ｂの赤色のカラーフィルタの材料で形成さ
れている赤色位置合わせマークＭｒを用いてスクリーン
を位置合わせすることにより達成される。以後は、図７
のＳＴ２６以降の工程及び図９に示第２の実施例の工程
と実質的には同様の工程を行うことにより、前記液晶装
置５０が形成される。

【００３４】以下に、本発明の第４の実施の形態につ
き、図面を参照して説明する。本第４の実施の形態は上
記の第１の実施の形態の変形例である。図１１（ａ）は
本第４の実施の形態の対象となる液晶装置６０の断面
図、同図（ｂ）はそのＣ部拡大図であり、同図（ｃ）は
液晶装置６０の製造方法を示す図であり、同図（ｄ）は
そのD部拡大図である。図１１（ａ）に示すように液晶
装置６０には、下基板２の上に反射膜（図１の５）の代
わりに半透過反射膜１６が設けられている。半透過反射
膜１６は図１１（ｂ）に示すように、高屈折率層Ａ（例
えば、ＴｉＯ２）と低屈折率層Ｂ（例えば、ＳｉＯ２）
を順次積層して形成したものであり、光が高屈折率層Ａ
とから低屈折率層Ｂへ入るときその一部が反射され、残
り部分が透過する。従って、上方からの光が入射した場
合はの一部を反射させることができ、下方からの光が入
射した場合はその一部を上方に透過させることができ
る。従って液晶装置６０は反射型晶装置として用いるこ
とも、透過型液晶装置として用いることもできる。

【００３５】半透過反射膜１６を形成するには、図２に
示すＳＴ２に対応する工程として、図１１（ｃ）に示す
ように、第２の大型基板２２をキャリアー２３の枠内に
入れて基板押さえ２３ｂで押さえ、蒸着装置又はスパッ
タリング装置内に入れ、蒸着又はスパッタリングによ
り、第２の大型基板２２の上に押さえ部２２ｂを除く全
面にわたり、図１１（ｄ）に示すように高屈折率層Ａと
低屈折率層Ｂを交互に積層して半透過反射膜３６を形成
する。この半透過反射膜は、後に大型基板２２とともに
切断されて液晶装置６０の半透過反射膜１６となる。

【００３６】以下に、本発明の第５の実施の形態につ
き、図面を参照して説明する。本第５の実施の形態は上
記の第２の実施の形態の変形例である。図１２は本第５
の実施の形態の対象となる液晶装置７０の断面図であ
り、図１３はその製造方法を示す図である。図１２にお
いて、下基板２のセグメント電極３はシール材９で囲ま
れた領域の内側において、絶縁膜６により被覆され、更
にその上に配向膜４が形成されている。又上基板の共通
電極８も絶縁膜６により被覆され更にその上に配向膜４
が形成されている。このように、電極の表面に絶縁膜を
形成することにより、製造工程中のゴミによる上下電極
間のショート等が防止される。

【００３７】このようにセグメント電極３を被覆する絶
縁膜６を形成するには、すでに説明した図７のＳＴ２１
〜ＳＴ２６の工程により、第２の大型基板２２におい
て、保護皮膜２７の上にセグメント電極３および下側位
置合わせマークＭ２が形成されている状態とする。この
状態を図１３（ａ）に示す。次に同図（ｂ）に示すよう
に、セグメント電極３の各組に個別に対応してその上に
絶縁膜６を形成する。絶縁膜６のパターニングはフォト
エッチング又はスクリーン印刷等の公知の方法により行
うが、その際のフォトマスク又はスクリーンの位置決め
を前記下側位置合わせマークＭ２を用いて行うことによ
り、セグメント電極３に対する絶縁膜６の位置出しが達
成される。次に同図（ｃ）に示すように前記絶縁膜６の
上に配向膜４がスクリーン印刷により形成される。その
次に同図（ｄ）に示すように、シール材９が前記配向膜
４を囲んで形成される。ここで、これらに対応するスク
リーンの位置決めを前記下側位置合わせマークＭ２を用
いて行うことにより、セグメント電極３に対する配向膜
４およびシール材９の位置出しが達成される。ここで、
前記下側位置合わせマークＭ２は第２の大型基板２２の
反射膜２５の存在しない押さえ領域２２ｂに形成されて
いるので、上記のスクリーン等の位置決めの際は、透過
光により容易に識別することができる。

【００３８】次に、図１３（ｅ）に示すように、第１の
大型基板２１に、共通電極８、共通電極引出し線８ｂ、
セグメント電極３ｂ、外部接続端子、上側位置合わせマ
ークＭ１を形成した後、共通電極８の上に絶縁膜６を形
成し、更に絶縁膜６の上に配向膜４を形成する。これら
は、公知の方法により行われるが、共通電極８に対する
絶縁膜６および配向膜４の位置出しは上側位置合わせマ
ークＭ１を利用して行う。このようにして、所要部材が
形成された第１の大型基板２１を、前記のようにして所
要部材が形成された第２の大型基板２２と対向させ、上
側位置合わせマークＭ１と下側位置合わせマークＭ２が
重なり合うよう位置出しをして接合し、すでに説明した
ようにして個々の液晶装置に切り離すことにより、図１
２に示す液晶装置７０を形成する。

【００３９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、大
型基板から複数個取りにより分割されて形成され、且つ
反射膜を有する液晶装置の製造コストを従来よりも低減
することができる。すなわち、押さえ部材を有するキャ
リアを利用して大型基板に蒸着又はスパッターにより、
押さえ部を除いた部分に全面にわたり、反射膜を形成
し、その後の工程で、押さえ部に位置合わせマークを形
成して利用することにより、大型基板に複数組の電極等
の所要部材を正確に位置出し、多数個取りにより液晶装
置を製造することを可能とする。ここで、反射膜形成の
際には、従来のような複雑な工程によるパターニングを
必要とせず、製造コストを低減することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る製造方法の対
象となる液晶装置を示す図である。

【図２】図１に示す液晶装置の製造の工程を示す図であ
る。

【図３】図１に示す液晶装置の製造に用いる蒸着治具を
示す図である。

【図４】図２に示す製造工程の途中の段階における大型
基板の状態を示す平面図である。

【図５】図１に示す液晶装置の更なる製造工程を示す図
である。

【図６】本発明の第２の実施の形態に係る製造方法の対
象となる液晶装置を示す図である。

【図７】図７に示す液晶装置の製造の工程を示す図であ
る。

【図８】図７に示す製造工程の途中の段階における大型
基板の状態を示す平面図である。

【図９】図７に示す液晶装置の更なる製造工程を示す図
である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る製造方法の
対象となる液晶装置およびその製造方法を示す図であ
る。

【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る製造方法の
対象となる液晶装置およびその製造方法を示す図であ
る。

【図１２】本発明の第５の実施の形態に係る製造方法の
対象となる液晶装置を示す図である。

【図１３】図１２に示す液晶装置の製造方法を示す図で
ある。

【図１４】従来の方法により液晶装置を製造する工程を
示す図である。

【図１５】図１４に示した工程につながる更なる製造工
程を示す図である。

【図１６】図１５に示した工程につながる更なる製造工
程を示す図である。

【符号の説明】

１ 上基板 ２ 下基板 ３ セグメント電極 ３ｂ セグメント電極引出し線 ４ 配向膜 ５ 反射膜 ６ 絶縁膜 ７ 保護膜 ８ 共通電極 ８ｂ 共通電極引出し線 ９ シール材 １０ 液晶 １１ スペーサ １２ 外部接続端子 １４ 駆動用ＩＣ １５ 異方性導電性フィルム １６ 半透過反射膜 １７ｒ、１７ｇ、１７ｂ カラーフィルタ ２０，４０、５０、６０、７０ 液晶装置 ２１ 第１の大型基板 ２２ 第２の大型基板 ２２ｂ 押さえ部 ２３ キャリア ２３ｂ ガラス押さえ ２５ 反射膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA04 FA07 FA10 FA11 FA16 FA17 FA27 FA28 FA30 HA01 HA21 MA16 2H089 KA15 NA24 NA41 NA45 NA48 NA55 NA56 NA60 QA11 QA12 QA13 5C094 AA43 AA44 AA45 AA46 AA49 BA43 GB10 5G435 AA17 BB12 EE09 KK03 KK05 KK10

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも液晶装置複数個分の電極及び配
   向膜を有する第１の大型基板と、少なくとも略全面に反
   射膜が設けらると共に前記反射膜の上方に前記液晶装置
   複数個分の絶縁膜と電極及び配向膜を有する第２の大型
   基板を、それぞれの前記電極が対向するように間隙を有
   して重ねて配設し、前記液晶装置複数個分の液晶封止用
   のシール材を介して接着し、前記シール材内に液晶を封
   止し、切断することで前記液晶装置を得る液晶装置の製
   造方法において、前記第２の大型基板に形成された前記
   反射膜形成時の大型基板押さえ部に位置合わせマークを
   設け、該位置合わせマークを用いて液晶装置を製造する
   ことを特徴とする液晶装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記位置合わせマークが、前記電極の形
   成工程で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の
   液晶装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記位置合わせマークが、前記第２の大
   型基板に設けられるカラーフィルタの形成工程でカラー
   フィルタにより形成されたことを特徴とする請求項１ま
   たは請求項２に記載の液晶装置の製造方法。